KR100951149B1 - Substrate processing apparatus, substrate transfering method, and recording medium of recording computer program - Google Patents

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KR100951149B1 KR1020070128155A KR20070128155A KR100951149B1 KR 100951149 B1 KR100951149 B1 KR 100951149B1 KR 1020070128155 A KR1020070128155 A KR 1020070128155A KR 20070128155 A KR20070128155 A KR 20070128155A KR 100951149 B1 KR100951149 B1 KR 100951149B1
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 반송 장치에 의해 고정밀도로 기판을 처리 챔버 내의 소정 위치로 반송할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법을 제공하는 것으로, 기판 탑재대를 수용하고, 그 기판 탑재대 위의 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리 챔버와, 처리 챔버의 온도를 검출하는 온도 센서와, 처리 챔버 내의 상기 기판 탑재대에 대한 기판의 주고받음을 행하는 반송 장치를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서, 반송 장치는, 기판의 반송을 제어하는 반송 제어부를 갖고, 반송 제어부는, 소정 타이밍에서 반송 장치 본체의 처리 챔버 내에서의 기준 위치를 온도 센서에 의해 검출된 온도에 대응하는 처리 챔버의 변위에 따라 보정하고, 보정된 기준 위치를 기준으로 하여 상기 반송 장치 본체의 기판의 반송을 제어한다.

Figure R1020070128155

The present invention provides a substrate processing apparatus and a substrate conveying method capable of conveying a substrate to a predetermined position in a processing chamber with high accuracy by a conveying apparatus. A substrate processing apparatus comprising a processing chamber which performs a processing, a temperature sensor detecting a temperature of the processing chamber, and a conveying apparatus that exchanges a substrate with respect to the substrate mounting table in the processing chamber, wherein the conveying apparatus is a substrate. The conveyance control part which controls conveyance of the said conveyance control part correct | amends the reference position in the process chamber of the conveying apparatus main body according to the displacement of the process chamber corresponding to the temperature detected by the temperature sensor at the predetermined timing, and correct | amended The conveyance of the board | substrate of the said conveyance apparatus main body is controlled on the basis of a reference position.

Figure R1020070128155

Description

기판 처리 장치, 기판 반송 방법 및 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE TRANSFERING METHOD, AND RECORDING MEDIUM OF RECORDING COMPUTER PROGRAM}SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS, SUBSTRATE TRANSFERING METHOD, AND RECORDING MEDIUM OF RECORDING COMPUTER PROGRAM}

본 발명은, 액정 표시 장치(LCD) 등의 FPD(Flat-Panel Display) 제조용 유리 기판이나 반도체 웨이퍼 등의 기판에 대하여 건식 에칭 등의 처리를 실시하는 처리 챔버와, 처리 챔버 내의 기판 탑재대에 대한 기판의 주고받음을 행하는 반송 장치를 구비한 기판 처리 장치 및 이러한 기판 처리 장치에 있어서의 기판 반송 방법, 및 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a processing chamber for performing dry etching or the like on a glass substrate for manufacturing a flat panel display (FPD) such as a liquid crystal display (LCD) or a semiconductor wafer, and a substrate mounting table in the processing chamber. A substrate processing apparatus having a transfer device for transferring a substrate, a substrate transfer method in such a substrate processing apparatus, and a recording medium on which a computer program is recorded.

액정 디스플레이(LCD)로 대표되는 FPD(Flat-Panel Display)의 제조 과정에서는, 진공 하에 유리 기판에 에칭, 애싱, 성막 등의 소정의 처리를 실시하는 처리 챔버를 복수 구비한, 이른바 멀티 챔버형의 기판 처리 장치가 사용되고 있다.In the manufacturing process of a flat-panel display (FPD) represented by a liquid crystal display (LCD), a so-called multi-chamber type, in which a glass substrate is provided with a plurality of processing chambers for performing predetermined processing such as etching, ashing, and film formation under vacuum. A substrate processing apparatus is used.

이러한 기판 처리 장치는, 기판을 반송하는 반송 장치가 마련된 반송실과, 그 주위에 마련된 복수의 처리 챔버를 갖고 있고, 반송실 내에 마련된 반송 장치의 반송 암에 의해, 피 처리 기판이 각 처리 챔버 내에 반입됨과 아울러, 처리된 기판 이 각 처리 장치의 처리 챔버로부터 반출된다. 그리고, 반송실에는, 로드록실이 접속되어 있고, 대기측의 기판의 반입 반출 시에, 처리 챔버 및 반송실을 진공 상태로 유지한 채로, 복수의 기판을 처리할 수 있게 되어 있다. 이러한 멀티 챔버형의 처리 시스템이, 예컨대, 특허 문헌 1에 개시되어 있다.Such a substrate processing apparatus has a conveyance chamber provided with the conveying apparatus which conveys a board | substrate, and the some process chamber provided in the periphery, and a to-be-processed board | substrate is carried in each process chamber by the conveyance arm of the conveying apparatus provided in the conveyance chamber. In addition, the processed substrate is carried out from the processing chamber of each processing apparatus. The load lock chamber is connected to the transfer chamber, and a plurality of substrates can be processed while maintaining the processing chamber and the transfer chamber in a vacuum state at the time of carrying in and unloading the substrate on the atmospheric side. Such a multi-chambered processing system is disclosed in Patent Document 1, for example.

이러한 처리 시스템에 있어서는, 유리 기판을 처리 챔버에 반입할 때는, 반송 장치의 반송 암에 의해 프로세스 챔버 내의 기판 탑재대의 위쪽에 유리 기판을 반송하고, 기판 탑재대로부터 승강 핀을 돌출함으로써 승강 핀 상에 유리 기판을 실은 후, 반송 암을 반송실 내로 후퇴시킨다. 그 후 승강 핀을 하강시켜 유리 기판을 기판 탑재대에 탑재한다. 또한 유리 기판을 프로세스 챔버로부터 반출할 때는, 탑재대 상의 유리 기판을 승강 핀에 의해 상승시켜, 반송실 내의 반송 암과 주고받음을 행한다. 이러한 기판의 주고받음은, 높은 위치 정밀도가 요구되기 때문에, 유리 기판을 기판 탑재대의 소정 위치에 정확히 탑재할 수 있도록, 최초에 반송 장치의 제어부에 정확한 위치를 기억시키기 위한 티칭(teaching)이라 불리는 작업을 행한다.In such a processing system, when carrying a glass substrate into a processing chamber, a glass substrate is conveyed to the upper side of the substrate mounting stand in a process chamber by the conveyance arm of a conveying apparatus, and it projects on a lifting pin by protruding a lifting pin from a board mounting stand. After loading a glass substrate, a conveyance arm is retracted into a conveyance chamber. Thereafter, the lift pins are lowered to mount the glass substrate on the substrate mounting table. Moreover, when carrying out a glass substrate from a process chamber, the glass substrate on a mounting table is raised by a lifting pin, and it exchanges with the conveyance arm in a conveyance chamber. Since the transfer of such a substrate requires high positional accuracy, an operation called teaching for initially storing an accurate position in the control unit of the conveying apparatus so that the glass substrate can be accurately mounted at a predetermined position of the substrate mounting table. Is done.

그런데, 최근, 유리 기판의 대형화가 점점 진행되고, 그에 따라 기판 처리 장치에 있어서의 각 챔버의 대형화도 진행되어, 반송 장치에 의한 반송 거리(챔버간 반송 거리)도 길게 되는 경향이 있고, 그 거리가 5m나 되는 것도 등장하고 있다.By the way, in recent years, enlargement of a glass substrate advances gradually, and accordingly, enlargement of each chamber in a substrate processing apparatus advances, and there exists a tendency for the conveyance distance (inter-chamber conveyance distance) by a conveyance apparatus to become long, and the distance 5m is also appearing.

한편, 처리 챔버는, 일반적으로 벽 부분의 온도 조절을 하고 있고, 처리에 따라서는 4O℃ 이상의 비교적 높은 온도로 조절된다. 상술한 반송 장치의 티칭은 통상 실온에서 실행하기 때문에, 이와 같이 높은 온도로 온도 조절되는 경우에는, 열팽창에 의해 처리 챔버가 실온일 때보다 커지고, 그 중의 기판 탑재대의 위치도 변화한다.On the other hand, the process chamber generally controls the temperature of the wall portion and, depending on the process, is controlled to a relatively high temperature of 40 ° C. or higher. Since the teaching of the above-mentioned conveying apparatus is normally performed at room temperature, when temperature is controlled at such a high temperature, the process chamber becomes larger than when it is at room temperature by thermal expansion, and the position of the substrate mounting table therein also changes.

이러한 위치 변화는, 처리 챔버가 그다지 크지 않은 종래에는, 그다지 문제로는 되지 않았지만, 상술한 바와 같은 처리 챔버의 대형화에 수반하여, 무시할 수 없는 것으로 되고 있다.Such a change in position has not been a problem in the past, in which the processing chamber is not so large, but it cannot be ignored due to the enlargement of the processing chamber as described above.

(특허 문헌 1) 일본 공개 특허 공보 평11-340208호(Patent Document 1) Japanese Unexamined Patent Publication No. 11-340208

본 발명은 이러한 사정을 감안해서 이루어진 것으로서, 처리 챔버의 온도가 높은 경우에도, 반송 장치에 의해 고정밀도로 기판을 처리 챔버 내의 소정 위치로 반송할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in view of such a situation, and an object of this invention is to provide the board | substrate processing apparatus and board | substrate conveying method which can convey a board | substrate to a predetermined position in a processing chamber with high precision by a conveying apparatus, even if the process chamber temperature is high. It is done.

또한, 그와 같은 것을 실현할 수 있는 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체를 제공하는 것을 목적으로 한다.Moreover, it aims at providing the recording medium which recorded the computer program which can implement such a thing.

상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 제 1 관점에서는, 기판 탑재대를 수용하고, 그 기판 탑재대 위의 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리 챔버와, 상기 처리 챔버의 온도를 검출하는 온도 센서와, 상기 처리 챔버 내의 상기 기판 탑재대에 대한 기판의 주고받음을 행하는 반송 장치를 구비하고, 상기 반송 장치는, 반송 장치 본체와, 상기 반송 장치 본체의 구동을 제어하고, 기판의 반송을 제어하는 반송 제어부를 갖고, 상기 반송 제어부는 소정 타이밍에서 상기 반송 장치 본체의 상기 처리 챔버 내에서의 기준 위치를 상기 온도 센서에 의해 검출된 온도에 대응하는 상기 처리 챔버의 변위에 따라 보정하고, 보정된 기준 위치를 기준으로 하여 상기 반송 장치 본체의 기판의 반송을 제어하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치를 제공한다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM In order to solve the said subject, in the 1st viewpoint of this invention, the process chamber which accommodates a board | substrate mounting table, performs a predetermined process to the board | substrate on this board | substrate, and the temperature sensor which detects the temperature of the said processing chamber. And a conveying apparatus for exchanging substrates with respect to the substrate mounting table in the processing chamber, wherein the conveying apparatus controls the conveyance of the conveying apparatus main body and the conveying apparatus main body and controls conveyance of the substrate. The conveyance control part has a conveyance control part, The conveyance control part correct | amends the reference position in the said processing chamber of the said conveying apparatus main body according to the displacement of the said processing chamber corresponding to the temperature detected by the said temperature sensor at the predetermined timing, and correct | amended the reference | standard Provided is a substrate processing apparatus characterized by controlling a transfer of a substrate of the transfer apparatus main body on the basis of a position.

상기 제 1 관점에서, 상기 반송 제어부는, 미리 구해진 기준 위치 정보와, 상기 처리 챔버의 온도와 변위의 관계가 기억된 기억부와, 상기 온도 센서에 의해 검출된 온도와 상기 미리 구해진 기준 위치 정보와 상기 관계에 근거하여 기준 위치를 보정하는 연산부를 갖는 구성으로 할 수 있다. 또한, 상기 기억부에 기억되어 있는 상기 미리 구해진 기준 위치 정보로서, 실온에서의 기준 위치 정보를 이용할 수 있다. 또한, 상기 기억부는 상기 처리 챔버의 온도와 변위의 관계를, 함수로서 기억하여도 좋고, 테이블로서 기억하여도 좋다.In the first aspect, the conveying control section includes a reference position information obtained in advance, a storage unit in which the relationship between the temperature and the displacement of the processing chamber is stored, a temperature detected by the temperature sensor, the reference position information obtained in advance, It can be set as the structure which has a calculating part which correct | amends a reference position based on the said relationship. Further, reference position information at room temperature can be used as the previously obtained reference position information stored in the storage unit. The storage unit may store the relationship between the temperature and the displacement of the processing chamber as a function or as a table.

상기 제 1 관점에서, 상기 반송 장치 본체는, 기판을 지지하는 기판 지지부를 갖는 것으로 하고, 상기 기준 위치로서, 상기 처리 챔버 내의 상기 기판 탑재대에 대하여 상기 기판 지지부가 기판의 주고받음을 행하는 위치를 이용할 수 있다. 이 경우에, 상기 기억부는 상기 처리 챔버의 온도와 변위의 관계로서, 상기 처리 챔버 벽부의 온도와 상기 기판 탑재대의 기판 선단 위치에 대응하는 부분의 변위의 관계를 기억하도록 할 수 있다.From the said 1st viewpoint, the said conveyance apparatus main body shall have a board | substrate support part which supports a board | substrate, and as a reference position, the position where the said board | substrate support part performs the exchange of a board | substrate with respect to the said board mounting table in the said process chamber. It is available. In this case, the storage section can store the relationship between the temperature of the processing chamber wall section and the displacement of the portion corresponding to the substrate tip position of the substrate mounting table as the relationship between the temperature of the processing chamber and the displacement.

상기 제 1 관점에서, 상기 반송 제어부는, 상기 반송 장치 본체가 상기 처리 챔버에 액세스하는 타이밍마다 상기 기준 위치의 보정을 행하도록 할 수 있다. 또한, 상기 반송 장치 본체를 수용하고, 상기 처리 챔버에 인접한 반송실을 더 구비하는 구성으로도 할 수 있다. 이 경우에, 상기 처리 챔버를 복수 구비하고, 이들 처리 챔버마다 온도 센서를 갖고, 이들 복수의 처리 챔버는 상기 반송실에 접속되며, 상기 반송 제어부는, 상기 복수의 처리 챔버마다 상기 온도 센서에 의해 검출된 온도에 따라 각 처리 챔버에서의 상기 기준 위치를 보정하도록 할 수 있다.From the said 1st viewpoint, the said conveyance control part can make correction | amendment of the said reference position every time the said conveyance apparatus main body accesses the said process chamber. Moreover, it can also be set as the structure which accommodates the said conveying apparatus main body and further includes the conveyance chamber adjacent to the said process chamber. In this case, a plurality of said processing chambers are provided, each of these processing chambers has a temperature sensor, these several processing chambers are connected to the said transfer chamber, and the said transfer control part is carried out by the said temperature sensor for every said several process chambers. The reference position in each processing chamber may be corrected according to the detected temperature.

상기 제 1 관점에서, 상기 반송 장치 본체의 온도를 측정하는 온도 센서를 더 갖고, 상기 반송 제어부는, 상기 처리 챔버의 변위로부터 상기 반송 장치 본체의 변위를 감산한 값에 따라 상기 기준 위치를 보정하도록 할 수 있다.In a said 1st viewpoint, it further has a temperature sensor which measures the temperature of the said conveyance apparatus main body, and the said conveyance control part correct | amends the said reference position according to the value which subtracted the displacement of the said conveyance apparatus main body from the displacement of the said processing chamber. can do.

본 발명의 제 2 관점에서는, 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리 챔버 내의 기판 탑재대에 대하여 반송 장치에 의해 기판의 주고받음을 행하는 기판 반송 방법으로서, 상기 반송 장치의 기준 위치를 구하는 공정과, 상기 처리 챔버의 온도와 변위의 관계를 구하는 공정과, 상기 처리 챔버의 온도를 파악하는 공정과, 상기 처리 챔버의 온도와 상기 기준 위치와 상기 관계에 근거하여 기준 위치를 보정하는 공정과, 보정된 기준 위치를 기준으로 하여 상기 처리 챔버에 대한 기판의 주고받음을 행하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법을 제공한다.In a 2nd viewpoint of this invention, the board | substrate conveyance method which sends and receives a board | substrate with a conveyance apparatus with respect to the board | substrate mounting table in a process chamber which performs a predetermined process to a board | substrate, The process of obtaining the reference position of the said conveying apparatus, Calculating a relationship between the temperature of the processing chamber and the displacement; determining a temperature of the processing chamber; correcting the reference position based on the temperature of the processing chamber and the reference position; Provided is a substrate transfer method comprising a step of exchanging a substrate with respect to the processing chamber on the basis of a reference position.

상기 제 2 관점에서, 상기 기준 위치를 구하는 공정은, 실온에서 실행할 수 있다. 또한, 상기 반송 장치는, 기판을 지지하는 기판 지지부를 갖는 것으로 하고, 상기 기준 위치는, 상기 처리 챔버 내의 상기 기판 탑재대에 대하여 상기 기판 지지부가 기판의 주고받음을 행하는 위치를 이용할 수 있다. 이 경우에, 상기 처리 챔버의 온도와 변위의 관계로서, 상기 처리 챔버 벽부의 온도와 상기 기판 탑재대의 기판 선단 위치에 대응하는 부분의 변위의 관계를 이용할 수 있다. 또한, 상기 반송 장치 본체의 온도를 파악하는 공정을 더 갖고, 상기 처리 챔버의 열팽창으로부터 상기 반송 장치 본체의 열팽창을 감산한 값에 따라 상기 기준 위치를 보정하도록 할 수 있다.In the second aspect, the step of obtaining the reference position can be performed at room temperature. In addition, the said conveying apparatus shall have a board | substrate support part which supports a board | substrate, The said reference position can use the position which the said board | substrate support part exchanges a board | substrate with respect to the said board | substrate mounting table in the said processing chamber. In this case, as the relationship between the temperature of the processing chamber and the displacement, the relationship between the temperature of the processing chamber wall portion and the displacement of the portion corresponding to the substrate tip position of the substrate mounting table can be used. The reference position may be further corrected according to a value obtained by subtracting the thermal expansion of the transfer apparatus main body from the thermal expansion of the processing chamber.

본 발명의 제 3 관점에서는, 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리 챔버 내의 기판 탑재대에 대하여 반송 장치에 기판의 주고받음 동작을 실행시키는 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체로서, 상기 반송 장치의 기준 위치를 기억하는 기능과, 상기 처리 챔버의 온도와 변위의 관계를 기억하는 기능과, 소정의 타이밍으로 상기 처리 챔버의 온도와 상기 기준 위치와 상기 관계에 근거하여 기준 위치를 보정하는 기능을 갖는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체를 제공한다.In a third aspect of the present invention, a reference medium of the transfer apparatus is a recording medium which records a computer program for executing a transfer operation of a substrate to a transfer apparatus on a substrate mounting table in a processing chamber that performs a predetermined process on the substrate. And a function of storing a relationship between a temperature and displacement of the processing chamber, and a function of correcting a reference position based on the temperature, the reference position, and the relationship of the processing chamber at a predetermined timing. A recording medium having a computer program recorded thereon is provided.

상기 제 3 관점에서, 상기 기준 위치로서 실온에서 구한 것을 이용할 수 있다. 또한, 상기 반송 장치는, 기판을 지지하는 기판 지지부를 갖는 것으로 하고, 상기 기준 위치는, 상기 처리 챔버 내의 상기 기판 탑재대에 대하여 상기 기판 지지부가 기판의 주고받음을 행하는 위치를 이용할 수 있다. 또한, 상기 처리 챔버의 온도와 변위의 관계로서, 상기 처리 챔버 벽부의 온도와 상기 기판 탑재대의 기판 선단 위치에 대응하는 부분의 변위의 관계를 이용할 수 있다. 또한, 상기 기준 위치의 보정은 상기 반송 장치 본체가 상기 처리 챔버에 액세스하는 타이밍마다 행해질 수 있다. 또한, 상기 기준 위치의 보정은, 상기 처리 챔버의 변위로부터 상기 반송 장치 본체의 변위를 감산한 값에 따라 실행할 수 있다.From the said 3rd viewpoint, what was calculated | required at room temperature can be used as said reference position. In addition, the said conveying apparatus shall have a board | substrate support part which supports a board | substrate, The said reference position can use the position which the said board | substrate support part exchanges a board | substrate with respect to the said board | substrate mounting table in the said processing chamber. As the relationship between the temperature of the processing chamber and the displacement, the relationship between the temperature of the processing chamber wall portion and the displacement of the portion corresponding to the substrate tip position of the substrate mounting table can be used. Further, correction of the reference position can be performed at each timing when the transport apparatus main body accesses the processing chamber. In addition, the reference position can be corrected according to a value obtained by subtracting the displacement of the transfer device body from the displacement of the processing chamber.

본 발명에 의하면, 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리 챔버 내의 기판 탑재대에 대하여, 반송 장치에 의해 기판의 주고받음을 행하는 데에 있어서, 반송 장치 본체를 소정 타이밍에서 상기 반송 장치 본체의 상기 처리 챔버 내에서의 기준 위치를 상기 온도 센서에 의해 검출된 온도에 대응하는 상기 처리 챔버의 변위에 따라 보정하고, 보정된 기준 위치를 기준으로 하여 상기 반송 장치 본체의 기판의 반송을 제어하므로, 처리 챔버의 온도가 높은 경우에도, 그 온도에 의한 열팽창에 의해 변동된 기준 위치가 자동적으로 보정되므로, 반송 장치에 의해 고정밀도로 기판을 처리 챔버 내의 소정 위치로 반송할 수 있다.According to the present invention, the transfer apparatus main body is subjected to the transfer of the substrate by the transfer apparatus to the substrate mounting table in the processing chamber that performs a predetermined process on the substrate. Since the reference position in the chamber is corrected according to the displacement of the processing chamber corresponding to the temperature detected by the temperature sensor, and the conveyance of the substrate of the conveying apparatus main body is controlled based on the corrected reference position, thereby the processing chamber Even when the temperature is high, since the reference position changed by the thermal expansion due to the temperature is automatically corrected, the substrate can be conveyed to a predetermined position in the processing chamber with high accuracy.

이하, 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명이 바람직한 형태에 대하여 설명한다. 여기서는, 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시예인, FPD용 유리 기판 G에 대하여 플라즈마 에칭을 실행하는 플라즈마 에칭 장치를 탑재한 멀티 챔버형의 플라즈마 에칭 시스템을 예로 들어 설명한다. 여기서, FPD로는, 액정 모니터(LCD), 전계 발광(Electro Luminescence; EL) 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 패널(PDP) 등이 예시된다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred form of this invention is described, referring an accompanying drawing. Here, the multi-chamber type plasma etching system equipped with the plasma etching apparatus which performs plasma etching with respect to the glass substrate G for FPD which is one Example of the substrate processing apparatus of this invention is demonstrated as an example. Here, examples of the FPD include a liquid crystal monitor (LCD), an electroluminescence (EL) display, a plasma display panel (PDP), and the like.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시예에 관한 멀티 챔버형의 플라즈마 에칭 장치를 개략적으로 나타내는 사시도, 도 2는 그 내부를 개략적으로 나타내는 수평 단면도이다.1 is a perspective view schematically showing a multi-chamber plasma etching apparatus according to an embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention, and FIG. 2 is a horizontal sectional view schematically showing the inside thereof.

이 플라즈마 에칭 장치(1)는, 그 중앙부에 반송실(20)과 로드록실(30)이 나란히 마련되어 있다. 반송실(20)의 주위에는, 3개의 플라즈마 에칭을 행하기 위한 처리 챔버(10)가 접속되어 있다.In this plasma etching apparatus 1, the transfer chamber 20 and the load lock chamber 30 are provided side by side in the center part. The periphery of the transfer chamber 20 is connected to the processing chamber 10 for performing three plasma etching.

반송실(20)과 로드록실(30)간, 반송실(20)과 각 처리 챔버(10)간, 및 로드록실(30)과 외측의 대기 분위기를 연결하는 개구부에는, 이들간을 기밀하게 밀봉하 고, 또한 개폐 가능하게 구성된 게이트 밸브(22)가 각각의 사이에 마련되어 있다.They are hermetically sealed between the transfer chamber 20 and the load lock chamber 30, between the transfer chamber 20 and each processing chamber 10, and in the opening connecting the load lock chamber 30 and the outside atmosphere. In addition, a gate valve 22 configured to be openable and closed is provided between each.

로드록실(30)의 외측에는, 2개의 카세트 인덱서(41)가 마련되어 있고, 그 위에 각각 유리 기판 G를 수용하는 카세트(40)가 탑재되어 있다. 이들 카세트(40)는, 예컨대, 그 한쪽에 미처리 기판을 수용하고, 다른 쪽에 처리된 기판을 수용할 수 있다. 이들 카세트(40)는 승강 기구(42)에 의해 승강 가능하게 되어 있다.On the outer side of the load lock chamber 30, two cassette indexers 41 are provided, and cassettes 40 each containing glass substrate G are mounted thereon. These cassettes 40 can accommodate, for example, an untreated substrate on one side thereof and a substrate processed on the other side. These cassettes 40 are liftable by the lift mechanism 42.

이들 2개의 카세트(40) 사이에는, 지지대(44) 상에 반송 기구(43)가 마련되어 있고, 이 반송 기구(43)는 상하 2단으로 마련된 픽(45, 46) 및 이들을 일체로 진퇴 및 회전 가능하게 지지하는 베이스(47)를 구비하고 있다.Between these two cassettes 40, a conveyance mechanism 43 is provided on the support base 44, which conveys the picks 45 and 46 provided in two stages up and down, and retreats and rotates them integrally. The base 47 is supported so that it is possible.

반송실(20)은 진공 처리실과 마찬가지로 소정의 감압 분위기로 유지하는 것이 가능하고, 그 중에는, 도 2에 나타내는 바와 같이, 반송 장치(50)가 배치되어 있다. 그리고, 이 반송 장치(50)에 의해, 로드록실(30) 및 3개의 플라즈마 에칭 장치(10)간에 유리 기판 G가 반송된다. 반송 장치(50)는 선회 가능 및 상하 이동 가능한 베이스(51) 상에 2개 기판 반송 암(52)이 전후 이동 가능하게 마련된다. 반송 장치(50)의 상세한 구조는 후술한다.As in the vacuum processing chamber, the transfer chamber 20 can be maintained in a predetermined pressure-reduced atmosphere, and as shown in FIG. 2, the transfer apparatus 50 is disposed. And glass substrate G is conveyed between the load lock chamber 30 and the three plasma etching apparatuses 10 by this conveyance apparatus 50. As for the conveyance apparatus 50, the two board | substrate conveyance arms 52 are provided so that back and forth movement is possible on the base 51 which can be rotated and can move up and down. The detailed structure of the conveying apparatus 50 is mentioned later.

로드록실(30)은, 각 처리 챔버(10) 및 반송실(20)과 마찬가지로 소정의 감압 분위기로 유지될 수 있다. 또한, 로드록실(30)은 대기 분위기에 있는 카세트(40)와 감압 분위기의 처리 챔버(10) 사이에서 유리 기판 G의 수수(授受)를 행하기 위한 것이고, 대기 분위기와 감압 분위기를 반복하는 관계상, 그 내부 용적이 아주 작게 구성되어 있다. 또한, 로드록실(30)은 기판 수용부(31)가 상하 2단으로 마련되어 있고(도 2에서는 상단만 도시), 각 기판 수용부(31) 내에는 유리 기판 G를 지 지하기 위한 버퍼(32)와 유리 기판 G의 위치 정렬을 행하는 포지셔너(33)가 마련된다.The load lock chamber 30 can be maintained in a predetermined reduced pressure atmosphere similarly to the respective processing chambers 10 and the transfer chamber 20. In addition, the load lock chamber 30 is for carrying out the transfer of the glass substrate G between the cassette 40 in the air atmosphere and the processing chamber 10 in the reduced pressure atmosphere, and the relationship of repeating the air atmosphere and the reduced pressure atmosphere is repeated. In addition, the inside volume is comprised very small. In addition, the load lock chamber 30 is provided with two stages in which the substrate accommodating portion 31 is provided in two stages (only the upper end is shown in FIG. 2), and the buffer 32 for supporting the glass substrate G in each substrate accommodating portion 31 is provided. ) And the positioner 33 for positioning the glass substrate G is provided.

처리 챔버(10) 내에는, 도 3의 단면도에 나타내는 바와 같이, 에칭 처리를 행하기 위한 구성을 구비하고 있다. 처리 챔버(10)는, 예컨대, 표면이 알루마이트 처리(양극산화 처리)된 알루미늄으로 이루어지는 각통(角筒) 형상으로 성형되어 있고, 이 처리 챔버(10) 내의 바닥부에는 피처리 기판인 유리 기판 G를 탑재하기 위한 기판 탑재대인 서셉터(101)가 마련되어 있다. 이 서셉터(101)에는, 그 위의 유리 기판 G의 로딩 및 언로딩을 행하기 위한 승강 핀(130)이 승강 가능하게 삽입 관통되어 있다. 이 승강 핀(130)은 유리 기판 G를 반송할 때는, 서셉터(101)의 위쪽의 반송 위치까지 상승되고, 그 이외일 때에는 서셉터(101) 내에 뭍힌 상태로 된다. 서셉터(101)는, 절연 부재(104)를 통해 처리 챔버(10)의 바닥부에 지지되어 있고, 금속제의 기재(102)와 기재(102)의 가장자리에 마련된 절연 부재(103)를 갖고 있다.In the processing chamber 10, as shown to the cross section of FIG. 3, the structure for performing an etching process is provided. The processing chamber 10 is, for example, molded into a cylindrical shape made of aluminum whose surface is anodized (anodized) and has a glass substrate G which is a substrate to be treated at the bottom of the processing chamber 10. The susceptor 101 which is a board | substrate mounting table for mounting the board | substrate is provided. Lifting pins 130 for loading and unloading the glass substrate G thereon are inserted through the susceptor 101 so as to be lifted and lowered. When carrying out the glass substrate G, this lifting pin 130 is raised to the conveyance position of the upper part of the susceptor 101, and when it is other than that, it will be in the state suspended in the susceptor 101. FIG. The susceptor 101 is supported by the bottom of the processing chamber 10 via the insulating member 104, and has a metallic base 102 and an insulating member 103 provided at the edge of the base 102. .

서셉터(101)의 기재(102)에는, 고주파 전력을 공급하기 위한 급전선(123)이 접속되어 있고, 이 급전선(123)에는 정합기(124) 및 고주파 전원(125)이 접속되어 있다. 고주파 전원(125)으로부터는, 예컨대, 13.56㎒의 고주파 전력이 서셉터(101)에 공급된다.A feed line 123 for supplying high frequency power is connected to the substrate 102 of the susceptor 101, and a matcher 124 and a high frequency power supply 125 are connected to the feed line 123. The high frequency power of 13.56 MHz is supplied to the susceptor 101 from the high frequency power supply 125, for example.

상기 서셉터(101)의 위쪽에는, 이 서셉터(101)와 평행하게 대향하여 상부 전극으로서 기능하는 샤워 헤드(111)가 마련된다. 샤워 헤드(111)는 처리 챔버(10)의 상부에 지지되어 있고, 내부에 내부 공간(112)을 갖고, 또한 서셉터(101)와의 대향면으로 처리 가스를 토출하는 복수의 토출 구멍(113)이 형성되어 있다. 이 샤워 헤드(111)는 접지되어 있고, 서셉터(101)와 동시에 한 쌍의 평행 평판 전극을 구성하고 있다.Above the susceptor 101, a shower head 111 is provided that faces in parallel with the susceptor 101 and functions as an upper electrode. The shower head 111 is supported at the upper portion of the processing chamber 10, has an internal space 112 therein, and a plurality of discharge holes 113 for discharging the processing gas to the surface facing the susceptor 101. Is formed. This shower head 111 is grounded and comprises a pair of parallel flat electrodes simultaneously with the susceptor 101.

샤워 헤드(111)의 상면에는 가스 도입구(114)가 마련되고, 이 가스 도입구(114)에는 처리 가스 공급관(115)이 접속되어 있고, 이 처리 가스 공급관(115)에는, 밸브(116) 및 매스 플로우 컨트롤러(117)를 거쳐 처리 가스 공급원(118)이 접속되어 있다. 처리 가스 공급원(118)으로부터는 에칭을 위한 처리 가스가 공급된다. 처리 가스로는 할로겐계의 가스, O2 가스, Ar 가스 등, 통상의 이 분야에서 이용되는 가스를 이용할 수 있다.The gas inlet 114 is provided in the upper surface of the shower head 111, The process gas supply pipe 115 is connected to this gas inlet 114, The valve 116 is connected to this process gas supply pipe 115. And the processing gas supply source 118 are connected via the mass flow controller 117. Process gas for etching is supplied from the process gas source 118. As a processing gas, halogen-based gas, O 2 Gases such as gas and Ar gas can be used.

처리 챔버(10)의 바닥부에는 배기관(119)이 형성되어 있고, 이 배기관(119)에는 배기 장치(120)가 접속되어 있다. 배기 장치(120)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 구비하고 있고, 이것에 의해 처리 챔버(10) 내를 소정의 감압 분위기까지 진공 흡인 가능하게 구성되어 있다. 또한, 처리 챔버(10)의 측벽에는 기판 반입출구(121)가 마련되어 있고, 이 기판 반입출구(121)가 상술한 게이트 밸브(22)에 의해 개폐 가능하게 되어 있다. 그리고, 이 게이트 밸브(22)를 닫은 상태로 반송실(20) 내의 반송 장치(50)에 의해 유리 기판 G가 반입/반출되도록 되어 있다.An exhaust pipe 119 is formed at the bottom of the processing chamber 10, and an exhaust device 120 is connected to the exhaust pipe 119. The exhaust device 120 is provided with a vacuum pump such as a turbomolecular pump, and is thereby configured to be capable of vacuum sucking the inside of the processing chamber 10 to a predetermined reduced pressure atmosphere. Moreover, the board | substrate carrying in / out of 121 is provided in the side wall of the processing chamber 10, and this board | substrate carrying in / out of 121 is openable by the gate valve 22 mentioned above. And glass substrate G is carried in / out of the conveyance apparatus 50 in the conveyance chamber 20 in the state which closed this gate valve 22. FIG.

처리 챔버(10)의 벽부에는, 온도 조절 유체 유로(도시하지 않음)가 마련되어 있고, 이것에 의해 처리 챔버(10)가 온도 조절되도록 되어 있다. 또한, 서셉터에도 온도 조절 유체 유로(도시하지 않음)가 마련되어 있고, 온도 조절되도록 되어 있다. 처리 챔버(10)의 벽부의 온도 조절 유체 유로 근방 위치에는 온도 센서(131)가 마련되어 있고, 서셉터(101) 내에는 온도 센서(132)가 마련되어 있다. 이들 온도 센서(131, 132)의 검출 신호는 후술하는 바와 같이 반송 장치(50)의 제어에 이용된다.The temperature control fluid flow path (not shown) is provided in the wall part of the processing chamber 10, and the processing chamber 10 is temperature-controlled by this. In addition, the susceptor is provided with a temperature control fluid flow path (not shown), and the temperature is adjusted. The temperature sensor 131 is provided near the temperature control fluid flow path of the wall of the processing chamber 10, and the temperature sensor 132 is provided in the susceptor 101. The detection signals of these temperature sensors 131 and 132 are used for control of the conveying apparatus 50 as mentioned later.

도 2에 나타내는 바와 같이, 플라즈마 에칭 장치(1)의 각 구성부는, 마이크로 프로세서를 구비한 프로세스 컨트롤러(70)에 의해 제어되는 구성으로 되어 있다. 이 프로세스 컨트롤러(70)에는 오퍼레이터가 플라즈마 에칭 장치(1)를 관리하기 위한 명령의 입력 조작 등을 행하는 키보드나, 플라즈마 에칭 장치(1)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 이루어지는 사용자 인터페이스(71)가 접속되어 있다. 또한, 프로세스 컨트롤러(70)에는, 플라즈마 에칭 장치(1)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(70)의 제어에 의해 실현하기 위한 제어 프로그램이나 처리 조건에 따라 플라즈마 에칭 장치(1)에 소정의 처리를 실행시키기 위한 제어 프로그램, 즉 레시피, 더욱이는 각종 데이터 베이스 등이 저장된 기억부(72)가 접속되어 있다. 기억부(72)는 기억 매체를 갖고 있고, 레시피 등은 그 기억 매체에 기억되어 있다. 기억 매체는 하드디스크나 반도체 메모리라도 좋고, CDROM, DVD, 플래시 메모리 등의 휴대형이라도 좋다. 그리고, 필요에 따라 사용자 인터페이스(71)로부터의 지시 등에 의해 임의의 레시피를 기억부(72)로부터 호출하여 프로세스 컨트롤러(70)로 실행시키는 것에 의해, 프로세스 컨트롤러(70)의 제어 하에서, 플라즈마 에칭 장치(1)에서의 소망의 처리가 행해진다.As shown in FIG. 2, each component of the plasma etching apparatus 1 is configured to be controlled by a process controller 70 having a microprocessor. The process controller 70 includes a user interface including a keyboard for the operator to input a command for managing the plasma etching apparatus 1, a display for visualizing and displaying the operation status of the plasma etching apparatus 1 ( 71) is connected. In addition, the process controller 70 has predetermined processing in the plasma etching apparatus 1 according to a control program or processing conditions for realizing various processes executed in the plasma etching apparatus 1 by the control of the process controller 70. The control unit 72, which stores recipes, recipes, various databases, and the like, is connected. The storage unit 72 has a storage medium, and recipes and the like are stored in the storage medium. The storage medium may be a hard disk or a semiconductor memory, or may be a portable type such as a CDROM, a DVD, or a flash memory. Then, if necessary, an arbitrary recipe is called from the storage unit 72 and executed by the process controller 70 by an instruction from the user interface 71 or the like, so that the plasma etching apparatus is controlled under the control of the process controller 70. The desired processing in (1) is performed.

다음에, 반송실(20)의 반송 장치(50)에 대하여 상세히 설명한다.Next, the conveying apparatus 50 of the conveyance chamber 20 is demonstrated in detail.

도 4는 3의 반송 장치(50)를 나타내는 개략 구성도이며, 도 5는 그 반송 장치를 나타내는 사시도, 도 6은 반송 장치(50)의 슬라이드 픽을 처리 챔버(10)에 삽입한 상태를 나타내는 도면이다. 이 반송 장치(50)는 긴 베이스(51)와 베이스(51) 상을 독립하여 슬라이드 가능하게 상하 2단으로 마련된 슬라이드 픽(52, 53)과, 베이스(51)를 회전 구동(θ 구동)시킴과 아울러, 승강(Z 구동)시키며, 또한 슬라이드 픽(52, 53)을 슬라이드(R 구동)시키는 구동 기구(54)와, 구동 기구(54)에 의한 구동을 제어하여 반송 장치의 반송을 제어하는 반송 제어부(55)를 갖고 있다.4 is a schematic configuration diagram showing the conveying apparatus 50 of 3, FIG. 5 is a perspective view showing the conveying apparatus, and FIG. 6 shows a state where a slide pick of the conveying apparatus 50 is inserted into the processing chamber 10. Drawing. This conveying apparatus 50 drives the long pick | tip 51 and the slide picks 52 and 53 provided in the upper and lower two steps so that the base 51 can slide independently, and the base 51 are rotationally driven (theta driving). In addition, the drive mechanism 54 which moves up and down (Z drive) and slides the slide picks 52 and 53 (R drive) and controls the drive by the drive mechanism 54 to control conveyance of the conveying apparatus. It has the conveyance control part 55.

베이스(51)는 그 횡단면이 중앙 볼록 형상으로 형성되어 있고, 그 볼록 형상의 중앙부에 2개의 제 1 레일(56)이 마련되고, 중앙부보다 낮은 양단부에 각각 1개씩 2개의 제 2 레일(57)이 마련된다. 그리고, 하단에 마련된 슬라이드 픽(52)은, 중앙의 2개의 제 1 레일(56)에 각각 끼워 맞춰져 슬라이드하는 2개의 슬라이더(58)가 마련되고, 슬라이드 방향과 직교하는 방향으로 연장하는 플레이트 형상의 부착 부재(59)와, 부착 부재(59)의 상면에 부착된 4개의 기판 지지핀(60)을 갖고 있다. 또한, 상단에 마련된 슬라이드 픽(53)은, 양단부의 2개의 제 2 레일(57)에 각각 끼워 맞춰져 슬라이드하는 2개의 슬라이더(61)가 마련되고, 플레이트(59)를 둘러싸도록 박스 형상으로 마련된 부착 부재(62)와, 부착 부재(62)의 상판(62a)의 하면에 부착된 4개의 기판 지지핀(63)을 갖고 있다. 그리고, 도 6에 나타내는 바와 같이, 한쪽의 슬라이드 픽(도 6에서는 하단의 슬라이드 픽(52))을 처리 챔버(10)에 삽입함으로써, 처리 챔버(10) 내의 서셉터(101)에 대한 기판 G의 주고받음이 행해진다. 도면에서는, 슬라이드 픽(52)에 얹혀진 유리 기판 G를 처리 챔버(10)의 서셉 터(101) 바로 위에 반입한 상태를 나타내고 있다.The base 51 has a cross section in the center convex shape, two first rails 56 are provided at the center of the convex shape, and two second rails 57 each one at both ends lower than the center part. Is provided. And the slide pick 52 provided in the lower end is provided with the two sliders 58 which fit and slide in the two 1st rail 56 of the center, respectively, and are plate-shaped extended in the direction orthogonal to a slide direction. The attachment member 59 and four board | substrate support pins 60 attached to the upper surface of the attachment member 59 are provided. Moreover, the slide pick 53 provided in the upper end is provided with the two slider 61 which fits and slides on the two 2nd rails 57 of both ends, respectively, and is provided in the box shape so that the plate 59 may be enclosed. The member 62 and four board | substrate support pins 63 attached to the lower surface of the upper board 62a of the attachment member 62 are provided. As shown in FIG. 6, the substrate G with respect to the susceptor 101 in the processing chamber 10 is inserted by inserting one slide pick (the lower slide pick 52 in FIG. 6) into the processing chamber 10. Of exchange is done. In the figure, the state which carried in the glass substrate G mounted on the slide pick 52 just above the susceptor 101 of the processing chamber 10 is shown.

도 7은 구동 장치(54) 및 반송 제어부(55)를 나타내는 블럭도이다. 구동 장치(54)는 베이스(51)를 θ 구동시키는 θ 구동부(541)와, 베이스(51)를 Z 구동시키는 Z 구동부(542)와 슬라이드 픽(52, 53)을 R 구동시키는 R 구동부(543)를 갖고 있고, 이들을 구성하는 모터에는, 각각 인코더(544, 545, 546)가 접속되어 있다. 인코더(544, 545, 546)는 모터의 회전 각도(회전 회수)를 검출함으로써, R-θ-Z 좌표에 있어서의 슬라이드 픽(52, 53)의 위치를 파악할 수 있게 된다.7 is a block diagram showing the drive device 54 and the transfer control unit 55. The driving device 54 includes a θ driving unit 541 for driving the base 51, a Z driving unit 542 for Z driving the base 51, and an R driving unit 543 for driving the slide picks 52, 53. The encoders 544, 545, and 546 are connected to the motor which comprises these, respectively. Encoder 544, 545, 546 can detect the rotation angle (number of rotations) of a motor, and can grasp the position of the slide picks 52, 53 in R- (theta) -Z coordinate.

반송 제어부(55)는 구동 장치(54)를 제어하여 슬라이드 픽(52, 53)의 위치를 제어하는 컨트롤러(551)와, 온도에 따른 위치 어긋남 정보를 기억하는 기억부(552)를 갖고 있다. 또한, 컨트롤러(551)에는, 상기 온도 센서(131, 132)의 검출 신호가 입력되게 되어 있다. 반송 제어부(55)는 프로세스 컨트롤러(70)의 지령에 근거하여 반송 제어를 하게 되어 있다.The conveyance control part 55 has the controller 551 which controls the drive apparatus 54 to control the position of the slide picks 52 and 53, and the memory | storage part 552 which stores position shift information according to temperature. In addition, the detection signals of the temperature sensors 131 and 132 are input to the controller 551. The conveyance control part 55 carries out conveyance control based on the command of the process controller 70.

그리고, 온도 센서(132, 133)로부터의 온도 검출 신호와, 기억부(552)에 기억되어 있는 온도에 따른 위치 어긋남 정보에 근거하여 컨트롤러(551)로부터 구동 장치(54)의 각 구동부에 위치 보정 신호를 출력하게 되어 있다. 그리고, 이 위치 보정 신호에 의해 슬라이드 픽(52, 53)의 기준 위치가 온도에 따라 보정된다. 이 기준 위치는, 슬라이드 픽(52, 53)을 신장하여, 처리 챔버(10) 내의 서셉터(101)에 대하여 기판을 주고받음하는 위치이며, 이 기준 위치의 초기 설정은, 실온에서, 작업자가 슬라이드 픽(52, 53)을 서셉터(101)의 정확한 위치에 유리 기판을 주고받음할 수 있는 위치에 맞추어, 거기가 기준이 되도록 컨트롤러(551)를 설정하는 티칭 라는 작업에 의해 행해진다.And the position correction of each drive part of the drive device 54 from the controller 551 based on the temperature detection signal from the temperature sensors 132 and 133 and the position shift information according to the temperature memorize | stored in the memory | storage part 552. It is to output the signal. The reference position of the slide picks 52 and 53 is corrected according to the temperature by this position correction signal. This reference position is a position at which the slide picks 52 and 53 are extended to exchange a substrate with respect to the susceptor 101 in the processing chamber 10. The initial setting of this reference position is performed by the operator at room temperature. The slide picks 52 and 53 are aligned by a position where the glass substrate can be exchanged and received at the correct position of the susceptor 101, and the teaching is performed by setting the controller 551 to be a reference.

다음에, 이와 같이 구성되는 플라즈마 에칭 장치(1)에 있어서의 처리 동작에 대하여 설명한다.Next, the process operation in the plasma etching apparatus 1 comprised in this way is demonstrated.

우선, 반송 기구(43)의 2장의 픽(45, 46)을 진퇴 구동시켜, 미처리 기판을 수용한 한쪽의 카세트(40)로부터 2장의 유리 기판 G를 로드록실(30)의 2단의 기판 수용실(31)에 반입한다.First, the two picks 45 and 46 of the conveyance mechanism 43 are driven forward and backward, and the two glass substrates G of the load lock chamber 30 are accommodated in the two glass substrates G from one cassette 40 containing the untreated substrate. It carries in to the thread 31.

픽(45, 46)이 후퇴한 후, 로드록실(30)의 대기 측의 게이트 밸브(22)를 닫는다. 그 후, 로드록실(30) 내를 배기하여, 내부를 소정의 진공도까지 감압한다. 진공 흡인 종료 후, 포지셔너(33)에 의해 기판을 가압함으로써 유리 기판 G의 위치 정렬을 실행한다.After the picks 45 and 46 retreat, the gate valve 22 on the atmospheric side of the load lock chamber 30 is closed. Thereafter, the inside of the load lock chamber 30 is exhausted, and the inside is reduced to a predetermined degree of vacuum. After completion of vacuum suction, position alignment of glass substrate G is performed by pressurizing a board | substrate with the positioner 33. As shown in FIG.

이상과 같이 위치 정렬된 후, 반송실(20)과 로드록실(30) 사이의 게이트 밸브(22)를 열어, 반송실(20) 내의 반송 장치(50)에 의해 로드록실(30)의 기판 수용부(31)에 수용된 유리 기판 G를 수취하여, 처리 챔버(10)에 반입한다.After being aligned as mentioned above, the gate valve 22 between the conveyance chamber 20 and the load lock chamber 30 is opened, and the board | substrate accommodation of the load lock chamber 30 is carried out by the conveyance apparatus 50 in the conveyance chamber 20. As shown in FIG. The glass substrate G accommodated in the part 31 is received and carried in to the processing chamber 10.

구체적으로는, 반송 장치(50)의 슬라이드 픽(52) 또는 슬라이드 픽(53) 위에 유리 기판 G를 실은 상태로, 그 슬라이드 픽을 처리 챔버(10) 내로 삽입하여, 유리 기판 G를 반입한다. 다음에, 승강 핀(130)을 반송 위치로 상승시키고, 삽입한 슬라이드 픽으로부터 유리 기판 G를 승강 핀(130) 상에 수수한다. 그 후, 처리 챔버(10) 내의 슬라이드 픽을 반송실(20)로 후퇴시키고, 이어서, 승강 핀(130)을 하강시켜 서셉터(101) 상에 유리 기판 G를 얹어 놓는다.Specifically, while the glass substrate G is mounted on the slide pick 52 or the slide pick 53 of the conveying apparatus 50, the slide pick is inserted into the processing chamber 10 and the glass substrate G is carried in. Next, the lifting pin 130 is raised to the transport position, and the glass substrate G is received on the lifting pin 130 from the inserted slide pick. Thereafter, the slide pick in the processing chamber 10 is retracted to the transfer chamber 20, and then the lifting pin 130 is lowered to place the glass substrate G on the susceptor 101.

그 후, 게이트 밸브(22)를 닫아, 배기 장치(120)에 의해, 처리 챔버(10) 내 를 소정의 진공도까지 진공 흡인한다. 그리고, 밸브(116)를 개방하여, 처리 가스 공급원(118)으로부터 처리 가스를, 매스 플로우 컨트롤러(117)에 의해 그 유량을 조정하면서, 처리 가스 공급관(115), 가스 도입구(114)를 통해 샤워 헤드(111)의 내부 공간(112)에 도입하고, 또한 토출 구멍(113)을 통해 기판 G에 대하여 균일하게 토출, 배기량을 조절하면서 처리 챔버(10) 내를 소정 압력으로 제어한다.Thereafter, the gate valve 22 is closed, and the exhaust device 120 vacuum sucks the inside of the processing chamber 10 to a predetermined degree of vacuum. And the valve 116 is opened and the process gas is adjusted from the process gas supply source 118 through the process gas supply pipe 115 and the gas introduction port 114, adjusting the flow volume by the mass flow controller 117. It introduces into the internal space 112 of the shower head 111, and controls the inside of the processing chamber 10 to predetermined pressure, adjusting the discharge amount and the discharge amount uniformly with respect to the board | substrate G through the discharge hole 113. FIG.

이 상태로 처리 가스 공급원(118)으로부터 소정의 처리 가스를 챔버(10) 내에 도입함과 동시에, 고주파 전원(125)으로부터 고주파 전력을 서셉터(104)에 인가하고, 하부 전극으로서의 서셉터(101)와 상부 전극으로서의 샤워 헤드(111) 사이에 고주파 전계를 생기게 하여, 처리 가스의 플라즈마를 생성하고, 이 플라즈마에 의해 유리 기판 G에 에칭 처리를 실시한다.In this state, a predetermined processing gas is introduced into the chamber 10 from the processing gas supply source 118, and high frequency power is applied to the susceptor 104 from the high frequency power supply 125 to susceptor 101 as a lower electrode. ) And the shower head 111 as the upper electrode to generate a high frequency electric field, thereby generating a plasma of the processing gas, and etching the glass substrate G by the plasma.

이와 같이 하여 에칭 처리를 실시한 후, 고주파 전원(125)으로부터의 고주파 전력의 인가를 정지하고, 처리 가스 도입을 정지한다. 그리고, 처리 챔버(10) 내에 남은 처리 가스를 배기하고, 승강 핀(130)에 의해 유리 기판 G를 반송 위치까지 상승시킨다. 이 상태로 게이트 밸브(22)를 개방하여 반송 장치(50)의 슬라이드 픽(52, 53) 중 어느 하나를 처리 챔버(10) 내에 삽입하고, 승강 핀(130)상에 있는 유리 기판 G를 그 슬라이드 픽으로 수수한다. 그리고, 유리 기판 G를 기판 반입출구(121)를 거쳐 처리 챔버(10) 내로부터 반송실(20)로 반출한다.After performing the etching process in this manner, the application of the high frequency power from the high frequency power supply 125 is stopped, and the introduction of the processing gas is stopped. And the process gas which remained in the process chamber 10 is exhausted, and the glass substrate G is raised to the conveyance position by the lifting pin 130. In this state, the gate valve 22 is opened, and either of the slide picks 52 and 53 of the conveying device 50 is inserted into the processing chamber 10, and the glass substrate G on the lifting pins 130 is removed. Pass by slide pick. And the glass substrate G is carried out from the processing chamber 10 to the conveyance chamber 20 via the board | substrate carrying in and out 121.

처리 챔버(10)로부터 반출된 유리 기판 G는 슬라이드 픽에 실린 상태에서 로드록실(30)로 반송되고, 반송 기구(43)에 의해 카세트(40)에 수용된다. 이 때, 본래의 카세트(40)로 되돌려도 좋고, 다른 쪽의 카세트(40)에 수용하도록 하여도 좋 다.The glass substrate G carried out from the processing chamber 10 is conveyed to the load lock chamber 30 in the state loaded on the slide pick, and is accommodated in the cassette 40 by the conveyance mechanism 43. At this time, the original cassette 40 may be returned or may be accommodated in the other cassette 40.

이상과 같은 일련의 동작을 카세트(40)에 수용된 유리 기판 G의 매수만큼 반복하여 처리가 종료한다.The series of operations described above are repeated by the number of sheets of the glass substrate G accommodated in the cassette 40, and the processing ends.

이러한 에칭 처리에 있어서는, 안정하고 고정밀도의 처리를 실현하기 위해, 반송 장치(50)에 의해 유리 기판 G를 처리 챔버(10) 내의 기판 탑재대인 서셉터(101)의 소정 위치에 높은 위치 정밀도로 탑재해야 한다.In such an etching process, in order to realize a stable and high-precision process, the conveying apparatus 50 makes glass substrate G high in the predetermined position of the susceptor 101 which is a board mounting table in the processing chamber 10. It must be mounted.

이 때문에, 슬라이드 픽(52, 53)이 서셉터(101) 상의 정확한 위치에 유리 기판 G를 수수할 수 있도록, 작업자가 슬라이드 픽(52, 53)을 정확한 주고받음 위치에 위치 정렬하여 그 위치를 기준 위치로 하고, 그 때의 R-θ-Z 좌표에 있어서의 R의 값, θ의 값, Z의 값을 기준값으로서 설정하는 티칭 작업을 행한다. 이 작업은 작업자가 개재함으로써 통상은 실온에서 행해진다.For this reason, the operator positions the slide picks 52 and 53 at the correct position to exchange the slide picks 52 and 53 so that the slide picks 52 and 53 can receive the glass substrate G at the correct positions on the susceptor 101. A teaching operation is performed for setting the reference value as the reference value by setting the value of R, the value of θ, and the value of Z in the R-θ-Z coordinate at that time. This operation is usually performed at room temperature by the operator intervening.

그러나, 상술한 바와 같이 처리 챔버(10)는 벽부의 온도 조절을 행하고 있고, 에칭 처리의 경우에는 40℃ 이상으로 온도 조절되는 경우가 많고, 경우에 따라서는 80∼90℃라는 높은 온도로 온도 조절된다. 또한, 처리 챔버(10)의 재질은 열팽창 계수가 높은 알루미늄이다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 처리 챔버(10)가 열팽창에 의해 바깥쪽으로 신장하고, 이것에 수반하여 서셉터(101)의 위치도 바깥쪽으로 어긋난다. 이 때문에, 상기한 바와 같이, 반송 장치(50)의 티칭을 실온에서 행한 경우에는, 슬라이드 픽의 위치가 서셉터(101) 상의 소정의 위치보다 전방으로 어긋나고, 그에 따라 유리 기판 G의 선단 위치도 어긋나게 된다. 최근 유리 기판이 대형화하고 있고, 1변이 2m를 넘는 것으로 되어 있지만, 그에 근거하여 처리 챔 버의 1변이 3m을 넘는 것으로 되고, 온도가 실온(25℃)으로부터 50℃로 상승함으로써, 유리 기판 G가 탑재되는 위치는, 소정 위치보다 1.5㎜ 정도, 80℃로 상승하면 3㎜ 정도나 어긋나게 된다.However, as described above, the processing chamber 10 performs temperature control of the wall portion, and in the case of etching treatment, the temperature is often adjusted to 40 ° C or higher, and in some cases, the temperature is adjusted to a high temperature of 80 to 90 ° C. do. In addition, the material of the processing chamber 10 is aluminum with a high thermal expansion coefficient. As shown in FIG. 8, the processing chamber 10 extends outward by thermal expansion, and the position of the susceptor 101 also shifts outward with this. For this reason, as mentioned above, when teaching the conveying apparatus 50 at room temperature, the position of a slide pick shifts forward rather than the predetermined position on the susceptor 101, and also the tip position of glass substrate G is also accordingly It is displaced. In recent years, the glass substrate has been enlarged in size, and one side is over 2 m. However, one side of the processing chamber is over 3 m and the temperature rises from room temperature (25 ° C.) to 50 ° C. If the position to be mounted rises to about 1.5 mm and 80 degreeC from a predetermined position, it will shift about 3 mm.

그래서, 본 실시예에서는, 처리 챔버(10)의 온도를 측정하여 그 온도에 따라 티칭에 의해 얻어진 기준 위치를 보정한다. 이 때의 기준 위치를 보정하는 동작에 대하여 도 9의 흐름도를 참조하여 설명한다.Therefore, in this embodiment, the temperature of the processing chamber 10 is measured and the reference position obtained by teaching is corrected according to the temperature. An operation of correcting the reference position at this time will be described with reference to the flowchart of FIG. 9.

우선, 반송 제어부(55)의 기억부(552)에, 도 10에 나타내는 바와 같이, 실온에 있어서의 티칭에 의해 구한 슬라이드 픽(52, 53)의 기준 위치 정보(Ro, θo, Zo)를 기억시키고(단계 1), 또한 R 방향, θ 방향, Z 방향에 대응한, 처리 챔버(10)에 있어서의 온도와 열팽창에 의한 변위의 관계를 나타내는 함수(f, g, h)를 기억시킨다(단계 2). 이 함수는 실측값에 근거한 근사식으로부터 계산한 것이라도 좋고, 계산식으로 구한 것이라도 좋다. 예컨대, 이들 관계를 일차 함수로서 나타낼 수 있으면, R 방향을 예로 들면, 변위 ΔR은 온도를 t라고 하면 ΔR=at+b로 되고, 함수 f로서 a, b의 값이 기억된다.First, as shown in FIG. 10, the reference position information (Ro, θo, Zo) of the slide picks 52, 53 obtained by teaching at room temperature is stored in the storage unit 552 of the transport control unit 55. As shown in FIG. (Step 1), and also stores functions (f, g, h) indicating the relationship between the displacement in the processing chamber 10 and the displacement due to thermal expansion, corresponding to the R direction, the θ direction, and the Z direction (step) 2). This function may be calculated from an approximation formula based on measured values, or may be obtained from a calculation formula. For example, if these relationships can be expressed as a linear function, the displacement ΔR becomes ΔR = at + b when the temperature is t, for example, and the values of a and b are stored as a function f.

그리고, 반송 장치(50)의 반송 제어부(55)에 프로세스 컨트롤러(70)로부터 슬라이드 픽(52) 또는 슬라이드 픽(53)의 처리 챔버(10) 내로의 진입 지령이 나오면, 이 지령을 받은 반송 제어부(55)의 컨트롤러(551)는 처리 챔버(10)의 벽부에 마련된 온도 센서(131)로부터의 온도 검출 신호를 취입한다(단계 3).Then, when a command to enter the processing chamber 10 of the slide pick 52 or the slide pick 53 is received from the process controller 70 to the conveying control unit 55 of the conveying apparatus 50, the conveying control unit which has received this command. The controller 551 of 55 receives the temperature detection signal from the temperature sensor 131 provided in the wall of the processing chamber 10 (step 3).

그리고, 컨트롤러(551)는 온도 센서(131)가 검출한 온도 t1과, 기억부(552) 에 기억되어 있는 기준 위치에 있어서의 위치 정보(R0, θ0, Z0) 및 온도와 열팽창에 의한 변위의 관계를 나타내는 함수(f, g, h)에 근거하여 연산하고, 기준 위치의 보정값을 구한다(단계 4). 보정 후의 기준 위치(R1, θ1, Z1)에 있어서의 R1, θ1, Z1은, 각각In addition, the controller 551 stores the temperature t 1 detected by the temperature sensor 131, the position information R 0 , θ 0 , Z 0 at the reference position stored in the storage unit 552, and the temperature and thermal expansion. It calculates based on the function (f, g, h) which shows the relationship of the displacement by and calculates the correction value of a reference position (step 4). R 1, θ 1, Z 1 at the reference position after the correction (R 1, θ 1, Z 1) , respectively

R1=R0+f(t1-t0)R 1 = R 0 + f (t 1 -t 0 )

θ1=θ0+g(t1-t0)θ 1 = θ 0 + g (t 1 -t 0 )

Z1=Z0+h(t1-t0)Z 1 = Z 0 + h (t 1 -t 0 )

(단, t0은 티칭을 했을 때의 온도)로 되도록 구할 수 있다.However, t 0 can be obtained so as to be a temperature at the time of teaching.

또, 서셉터(101)에 마련된 온도 센서(132)의 온도 검출 신호를 보조적으로 취입하고, 필요에 따라, 서셉터(101)의 열팽창에 의한 변위도 가미한 보정값을 이용할 수도 있다. 이에 따라, 보다 고정밀도의 보정값을 구할 수 있다.Moreover, the temperature detection signal of the temperature sensor 132 provided in the susceptor 101 can be taken in auxiliary, and the correction value which added the displacement by the thermal expansion of the susceptor 101 can also be used as needed. Thereby, a more accurate correction value can be calculated | required.

이와 같이 보정 후의 기준 위치 (R1, θ1, Z1)를 구한 후, 기억부(552)에 기억되어 있는 기준 위치(R0, θ0, Z0)를 (R1, θ1, Z1)로 치환한다(단계 5).After obtaining the corrected reference positions R 1 , θ 1 , Z 1 , the reference positions R 0 , θ 0 , Z 0 stored in the storage unit 552 are determined as (R 1 , θ 1 , Z 1) . 1 ) (step 5).

이와 같이 하여 반송 제어부(55)에 있어서의 기준 위치의 보정이 종료한 후, 슬라이드 픽(52) 또는 슬라이드 픽(53)을 삽입하고, 보정 후의 기준 위치에 근거하여 서셉터(101)에 대한 기판 G의 주고받음 동작을 행한다(단계 6).In this way, after the correction of the reference position in the conveyance control unit 55 is completed, the slide pick 52 or the slide pick 53 is inserted, and the substrate to the susceptor 101 is based on the corrected reference position. G exchange operation is performed (step 6).

이와 같이 하여, 기준 위치를 온도에 따라 자동적으로 보정함으로써, 처리 챔버(10)가 고온으로 되어도, 서셉터(101)의 소정 위치에 높은 위치 정밀도로 유리 기판 G를 탑재할 수 있고, 또한 유리 기판 G를 수취할 수 있다. 이와 같이, 유리 기판 G의 위치 정밀도를 높일 수 있으므로, 보다 고정밀도의 처리를 안정하게 실현할 수 있다.In this way, by automatically correcting the reference position in accordance with the temperature, even if the processing chamber 10 is at a high temperature, the glass substrate G can be mounted at a predetermined position of the susceptor 101 with high positional accuracy, and the glass substrate G can be received. As described above, since the positional accuracy of the glass substrate G can be increased, more accurate processing can be realized stably.

또, 이러한 온도에 따른 기준 위치의 보정은, 슬라이드 픽(52) 또는 슬라이드 픽(53)이 처리 챔버(10)에 진입하는 타이밍마다 실시됨으로써 고정밀도의 위치 보정을 실현할 수 있지만, 한번 처리 챔버(10)의 온도 설정을 행하면, 그 처리 로트 동안은 처리 챔버(10)의 온도는 그다지 변화하지 않기 때문에, 상기한 바와 같은 기준 위치를 온도에 따라 보정하는 동작을 로트 최초에만, 또는 일정 기간마다 정기적으로 행하여도 좋다.In addition, correction of the reference position according to the temperature is performed at each timing when the slide pick 52 or the slide pick 53 enters the processing chamber 10, so that high-precision position correction can be realized. When the temperature setting of 10) is performed, since the temperature of the processing chamber 10 does not change so much during the processing lot, the operation of correcting the reference position as described above according to the temperature is periodically performed only at the beginning of the lot or at regular intervals. You may carry out.

기준 위치의 보정에 있어서는, 함수를 이용하는 대신에 테이블을 기억부(552)에 기억시키도록 하여도 좋다. 테이블의 예로는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 소정의 온도, 예컨대, 10℃마다 R, θ, Z의 변위값을 할당하는 것을 들 수 있다. 이 때의 온도의 폭은, 허용되는 위치의 격차에 따라 적절히 결정하면 좋다.In correcting the reference position, the table may be stored in the storage unit 552 instead of using a function. As an example of a table, as shown in FIG. 11, the displacement value of R, (theta), and Z is allocated every predetermined temperature, for example, every 10 degreeC. What is necessary is just to determine the width | variety of temperature at this time suitably according to the gap of an allowable position.

또한, 복수의 처리 챔버(10)는 각각 온도 센서를 갖고, 반송 제어부(55)는 복수의 처리 챔버(10)마다 온도 센서에 의해 검출된 온도에 따라 각 처리 챔버에 있어서의 기준 위치를 보정한다. 이에 따라, 처리 챔버에 의해 온도가 다른 경우에도, 각각의 처리 챔버에서 고정밀도로 소정 위치에 유리 기판 G를 반송할 수 있다.Moreover, the some process chamber 10 has a temperature sensor, respectively, and the conveyance control part 55 correct | amends the reference position in each process chamber according to the temperature detected by the temperature sensor for every some process chamber 10. . Thereby, even when temperature differs by a process chamber, glass substrate G can be conveyed to a predetermined position with high precision in each process chamber.

또한, 복수의 처리 챔버(10)는 동일한 구성을 갖고 있기 때문에, 온도와 열 팽창에 의한 변위의 관계를 나타내는 함수나 테이블을 공통의 것으로 하여도 좋다. 또한, 복수의 처리 챔버(10)의 온도 설정이 같은 경우에는, 상기한 바와 같은 기준 위치의 보정을 어느 것인가의 처리 챔버로 실행하고, 그 데이터를 다른 처리 챔버에도 사용하도록 할 수 있다. 이 경우에는 보정 작업을 간략화할 수 있다. 단, 처리 챔버에 의해 다소라도 개체차(個體差)가 있고, 또한 온도 설정이 같더라도 온도에 편차가 있는 경우도 있으므로, 고정밀도로 기준 위치를 보정하는 관점에서는, 각 처리 챔버마다 함수 또는 테이블을 기억해 두고, 각 처리 챔버에의 반송마다 기준 위치를 보정하도록 하는 것이 바람직하다.In addition, since the several process chamber 10 has the same structure, the function and the table which show the relationship of the displacement by temperature and thermal expansion may be common. In addition, when the temperature settings of the plurality of processing chambers 10 are the same, the above-described correction of the reference position can be performed in any of the processing chambers, and the data can be used in other processing chambers. In this case, the correction work can be simplified. However, since there are individual differences depending on the processing chambers, and there may be variations in temperature even when the temperature settings are the same, a function or a table is provided for each processing chamber from the viewpoint of correcting the reference position with high accuracy. It is preferable to remember that the reference position is corrected for each transfer to each processing chamber.

반송실(20)은 통상은 실온으로 유지되기 때문에, 반송 장치(50) 자체의 열팽창을 고려할 필요는 거의 없지만, 반송실(20) 자체를 높은 온도로 온도 조절하는 것과 같은 경우에는, 기준 위치의 보정에 있어서, 처리 챔버의 열팽창에 의한 변위로부터 반송 장치(50)의 열팽창에 의한 변위를 감산한 값을 보정값으로 하는 것이 바람직하다.Since the conveyance chamber 20 is normally maintained at room temperature, it is hardly necessary to consider the thermal expansion of the conveyance apparatus 50 itself, but in the case of temperature-controlling the conveyance chamber 20 itself at high temperature, In correction | amendment, it is preferable to make the value which subtracted the displacement by the thermal expansion of the conveying apparatus 50 from the displacement by the thermal expansion of a process chamber as a correction value.

또, 본 발명은 상기 실시예에 한정되는 것은 아니고, 여러 가지의 변형이 가능하다. 예컨대, 상기 실시예에서는, 본 발명을 에칭 장치에 적용했지만, 에칭 처리에 한하지 않고, 성막 등의 다른 처리에도 적용 가능한 것은 물론이다. 또한, 상기 실시예에서는, 멀티 챔버형 장치를 예로 들어 설명했지만, 처리 챔버가 1대뿐인 싱글 챔버형의 장치더라도 적용 가능하다. 또한, 반송 장치에 대해서도 상기 실시예의 것에 한하지 않고, 여러 가지 타입의 반송 장치에 적용하는 것이 가능하다.In addition, this invention is not limited to the said Example, A various deformation | transformation is possible. For example, in the said Example, although this invention was applied to the etching apparatus, it is a matter of course that it is applicable not only to an etching process but also to other processes, such as film-forming. In the above embodiment, a multi-chambered apparatus has been described as an example, but a single-chambered apparatus having only one processing chamber is applicable. Moreover, not only the thing of the said embodiment but also a conveying apparatus can be applied to various types of conveying apparatus.

또한, 상기 실시예에서는, 기판으로서 FPD용 유리 기판을 이용한 예를 나타내었지만, 이것에 한정되지 않고 반도체 웨이퍼 등의 다른 기판이더라도 좋다.In addition, in the said Example, although the example using the glass substrate for FPD as a board | substrate was shown, it is not limited to this, Other board | substrates, such as a semiconductor wafer, may be sufficient.

도 1은 본 발명의 기판 처리 장치의 일 실시예인 플라즈마 에칭 장치를 개략적으로 나타내는 사시도,1 is a perspective view schematically showing a plasma etching apparatus as an embodiment of a substrate processing apparatus of the present invention;

도 2는 도 1의 플라즈마 에칭 장치의 내부를 개략적으로 나타내는 수평 단면도,FIG. 2 is a horizontal sectional view schematically showing the inside of the plasma etching apparatus of FIG. 1;

도 3은 도 1의 플라즈마 에칭 장치에 이용된 처리 챔버를 나타내는 단면도,3 is a cross-sectional view showing a processing chamber used in the plasma etching apparatus of FIG. 1;

도 4는 본 발명의 일 실시예에 관한 플라즈마 에칭 장치의 반송 장치를 나타내는 개략 구성도,4 is a schematic configuration diagram showing a conveying apparatus of a plasma etching apparatus according to an embodiment of the present invention;

도 5는 도 4의 반송 장치의 장치 본체부를 나타내는 사시도,5 is a perspective view showing an apparatus main body of the conveying apparatus of FIG. 4;

도 6은 도 4의 반송 장치의 슬라이드 픽을 처리 챔버에 삽입한 상태를 나타내는 단면도,6 is a cross-sectional view showing a state where a slide pick of the conveying apparatus of FIG. 4 is inserted into a processing chamber;

도 7은 도 4의 반송 장치의 구동 장치 및 구동 제어부를 나타내는 블럭도,FIG. 7 is a block diagram illustrating a driving device and a driving control unit of the conveying device of FIG. 4; FIG.

도 8은 높은 온도로 온도 조절된 처리 챔버의 열팽창 상태와, 실온에서 기준 위치를 조정한 반송 장치에 의한 기판 반송 위치의 위치 어긋남을 설명하기 위한 모식도,8 is a schematic view for explaining the positional shift of the thermally expanded state of the processing chamber temperature-controlled at a high temperature and the substrate conveyance position by the conveying apparatus whose reference position is adjusted at room temperature;

도 9는 기준 위치를 보정하기 위한 동작을 나타내는 흐름도,9 is a flowchart showing an operation for correcting a reference position;

도 10은 반송 제어부의 기억부에 기억된 정보를 설명하기 위한 도면,10 is a diagram for explaining information stored in a storage unit of a transport control unit;

도 11은 온도와 열팽창에 의한 변위의 관계를 나타내는 테이블의 예를 나타내는 도면이다.It is a figure which shows the example of the table which shows the relationship of the displacement by temperature and thermal expansion.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

1 : 플라즈마 에칭 장치 10 : 처리 챔버1 plasma etching apparatus 10 processing chamber

20 : 반송실 22 : 게이트 밸브20: conveying chamber 22: gate valve

30 : 로드록실 50 : 반송 장치30: load lock chamber 50: conveying device

52, 53 : 슬라이드 픽(기판 지지부) 54 : 구동 장치52, 53: slide pick (substrate support) 54: drive device

55 : 반송 제어부 70 : 프로세스 컨트롤러55 transfer control 70 process controller

101 : 서셉터 551 : 컨트롤러(연산부)101: susceptor 551: controller (operation unit)

552 : 기억부 G : 유리 기판552: storage unit G: glass substrate

Claims (22)

기판 탑재대를 수용하고, 그 기판 탑재대 위의 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리 챔버와,A processing chamber accommodating the substrate mounting table and subjecting the substrate on the substrate mounting table to a predetermined process; 상기 처리 챔버의 온도를 검출하는 온도 센서와,A temperature sensor detecting a temperature of the processing chamber; 상기 처리 챔버 내의 상기 기판 탑재대에 대한 기판의 주고받음을 행하는 반송 장치Carrying apparatus which transfers the board | substrate with respect to the said board mounting table in the said processing chamber 를 구비하되,Respectively, 상기 반송 장치는 반송 장치 본체와, 상기 반송 장치 본체의 구동을 제어하여, 기판의 반송을 제어하는 반송 제어부를 갖고,The said conveying apparatus has a conveying apparatus main body, and the conveyance control part which controls the drive of the said conveying apparatus main body, and controls conveyance of a board | substrate, 상기 반송 제어부는 소정 타이밍에서 상기 반송 장치 본체의 상기 처리 챔버 내에서의 기준 위치를 상기 온도 센서에 의해 검출된 온도에 대응하는 상기 처리 챔버의 변위에 따라 보정하고, 보정된 기준 위치를 기준으로 하여 상기 반송 장치 본체의 기판의 반송을 제어하고, The conveying control section corrects the reference position in the processing chamber of the conveying apparatus main body according to the displacement of the processing chamber corresponding to the temperature detected by the temperature sensor at a predetermined timing, and based on the corrected reference position. To control the conveyance of the substrate of the conveying apparatus main body, 상기 반송 장치 본체는 기판을 지지하는 기판 지지부를 갖고,The said conveying apparatus main body has a board | substrate support part which supports a board | substrate, 상기 기준 위치는 상기 처리 챔버 내의 상기 기판 탑재대에 대하여 상기 기판 지지부가 기판의 주고받음을 행하는 위치인 것The reference position is a position at which the substrate support portion exchanges a substrate with respect to the substrate mount table in the processing chamber 을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus, characterized in that. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 반송 제어부는The conveying control unit 미리 구해진 기준 위치 정보와, 상기 처리 챔버의 온도와 변위의 관계가 기억된 기억부와,A storage unit storing previously obtained reference position information, a relationship between a temperature of the processing chamber and a displacement; 상기 온도 센서에 의해 검출된 온도와 상기 미리 구해진 기준 위치 정보와 상기 관계에 근거하여 기준 위치를 보정하는 연산부A calculation unit that corrects the reference position based on the temperature detected by the temperature sensor, the previously obtained reference position information, and the relationship 를 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus having a. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 기억부에 기억되어 있는 상기 미리 구해진 기준 위치 정보는, 실온에서의 기준 위치 정보인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The preliminarily obtained reference position information stored in the storage unit is reference position information at room temperature. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,The method according to claim 2 or 3, 상기 기억부는, 상기 처리 챔버의 온도와 변위의 관계를, 함수로서 기억하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The storage unit stores the relationship between the temperature of the processing chamber and the displacement as a function. 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,The method according to claim 2 or 3, 상기 기억부는, 상기 처리 챔버의 온도와 변위의 관계를, 테이블로서 기억하고 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The storage unit stores a relationship between the temperature of the processing chamber and the displacement as a table. 삭제delete 제 2 항 또는 제 3 항에 있어서,The method according to claim 2 or 3, 상기 기억부는, 상기 처리 챔버의 온도와 변위의 관계로서, 상기 처리 챔버 벽부(壁部)의 온도와 상기 기판 탑재대의 기판 선단 위치에 대응하는 부분의 변위의 관계를 기억하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The storage unit stores the relationship between the temperature of the processing chamber wall portion and the displacement of the portion corresponding to the substrate tip position of the substrate mounting table as the relationship between the temperature of the processing chamber and the displacement. Device. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,4. The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 반송 제어부는 상기 반송 장치 본체가 상기 처리 챔버에 액세스하는 타이밍마다 상기 기준 위치의 보정을 행하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the conveying control section corrects the reference position at every timing when the conveying apparatus main body accesses the processing chamber. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,4. The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 반송 장치 본체를 수용하고, 상기 처리 챔버에 인접한 반송실을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a conveyance chamber adjacent to the process chamber and accommodating the conveying apparatus main body. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 처리 챔버를 복수 구비하고, 이들 처리 챔버마다 온도 센서를 갖고,A plurality of said processing chambers are provided, and each of these process chambers has a temperature sensor, 이들 복수의 처리 챔버는 상기 반송실에 접속되며,These process chambers are connected to the said conveyance chamber, 상기 반송 제어부는 상기 복수의 처리 챔버마다 상기 온도 센서에 의해 검출된 온도에 따라 각 처리 챔버에서의 상기 기준 위치를 보정하는 것The conveying control unit corrects the reference position in each processing chamber according to the temperature detected by the temperature sensor for each of the plurality of processing chambers. 을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus, characterized in that. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,4. The method according to any one of claims 1 to 3, 상기 반송 장치 본체의 온도를 측정하는 온도 센서를 더 갖고,It further has a temperature sensor which measures the temperature of the said conveying apparatus main body, 상기 반송 제어부는 상기 처리 챔버의 변위로부터 상기 반송 장치 본체의 변위를 감산한 값에 따라 상기 기준 위치를 보정하는 것The conveying control unit corrects the reference position according to a value obtained by subtracting the displacement of the conveying apparatus main body from the displacement of the processing chamber. 을 특징으로 하는 기판 처리 장치.Substrate processing apparatus, characterized in that. 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리 챔버 내의 기판 탑재대에 대하여 반송 장치에 의해 기판의 주고받음을 행하는 기판 반송 방법으로서,A substrate transfer method for exchanging a substrate by a transfer device with respect to a substrate mounting table in a processing chamber that performs a predetermined process on the substrate, 상기 반송 장치의 기준 위치를 구하는 공정과,Obtaining a reference position of the conveying apparatus; 상기 처리 챔버의 온도와 변위의 관계를 구하는 공정과,Obtaining a relationship between the temperature of the processing chamber and the displacement; 상기 처리 챔버의 온도를 파악하는 공정과,Grasping the temperature of the processing chamber; 상기 처리 챔버의 온도와 상기 기준 위치와 상기 관계에 근거하여 기준 위치를 보정하는 공정과,Correcting a reference position based on the temperature of the processing chamber, the reference position, and the relationship; 보정된 기준 위치를 기준으로 하여 상기 처리 챔버에 대한 기판의 주고받음을 행하는 공정A process of performing a transfer of the substrate to and from the processing chamber based on the corrected reference position 을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.It has a substrate conveyance method characterized by the above-mentioned. 제 12 항에 있어서,13. The method of claim 12, 상기 기준 위치를 구하는 공정은 실온에서 행해지는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.The process of obtaining the said reference position is performed at room temperature, The board | substrate conveyance method characterized by the above-mentioned. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,The method according to claim 12 or 13, 상기 반송 장치는 기판을 지지하는 기판 지지부를 갖고,The said conveying apparatus has a board | substrate support part which supports a board | substrate, 상기 기준 위치는 상기 처리 챔버 내의 상기 기판 탑재대에 대하여 상기 기판 지지부가 기판의 주고받음을 행하는 위치인 것The reference position is a position at which the substrate support portion exchanges a substrate with respect to the substrate mount table in the processing chamber 을 특징으로 하는 기판 반송 방법.The substrate conveyance method characterized by the above-mentioned. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,The method according to claim 12 or 13, 상기 처리 챔버의 온도와 변위의 관계로서, 상기 처리 챔버 벽부(壁部)의 온도와 상기 기판 탑재대의 기판 선단 위치에 대응하는 부분의 변위의 관계를 이용하는 것을 특징으로 하는 기판 반송 방법.A relationship between the temperature of the processing chamber wall portion and the displacement of the portion corresponding to the substrate tip position of the substrate mounting table is used as the relationship between the temperature of the processing chamber and the displacement. 제 12 항 또는 제 13 항에 있어서,The method according to claim 12 or 13, 상기 반송 장치 본체의 온도를 파악하는 공정을 더 갖고,It further has a process of grasping the temperature of the said conveying apparatus main body, 상기 기준 위치를 보정하는 공정은, 상기 처리 챔버의 열팽창으로부터 상기 반송 장치 본체의 열팽창을 감산한 값에 따라 상기 기준 위치를 보정하는 것The step of correcting the reference position corrects the reference position according to a value obtained by subtracting the thermal expansion of the transfer apparatus main body from the thermal expansion of the processing chamber. 을 특징으로 하는 기판 반송 방법.The substrate conveyance method characterized by the above-mentioned. 기판에 소정의 처리를 실시하는 처리 챔버 내의 기판 탑재대에 대하여 반송 장치에 기판의 주고받음 동작을 실행시키는 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체로서,A recording medium having recorded thereon a computer program for executing a transfer operation of a substrate to a transfer device with respect to a substrate mounting table in a processing chamber that performs a predetermined process on the substrate, 상기 반송 장치의 기준 위치를 기억하는 기능과,A function of storing a reference position of the conveying device; 상기 처리 챔버의 온도와 변위의 관계를 기억하는 기능과, A function of storing the relationship between the temperature of the processing chamber and the displacement; 소정의 타이밍에서 상기 처리 챔버의 온도와 상기 기준 위치와 상기 관계에 근거하여 기준 위치를 보정하는 기능A function of correcting a reference position based on the temperature of the processing chamber and the reference position and the relationship at a predetermined timing 을 갖는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체.And a recording medium having a computer program recorded thereon. 제 17 항에 있어서,The method of claim 17, 상기 기준 위치는 실온에서 구한 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체.And said reference position is obtained at room temperature. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,The method of claim 17 or 18, 상기 반송 장치는 기판을 지지하는 기판 지지부를 갖고,The said conveying apparatus has a board | substrate support part which supports a board | substrate, 상기 기준 위치는 상기 처리 챔버 내의 상기 기판 탑재대에 대하여 상기 기판 지지부가 기판의 주고받음을 행하는 위치인 것The reference position is a position at which the substrate support portion exchanges a substrate with respect to the substrate mount table in the processing chamber 을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체.A recording medium on which a computer program is recorded. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,The method of claim 17 or 18, 상기 처리 챔버의 온도와 변위의 관계로서, 상기 처리 챔버 벽부의 온도와 상기 기판 탑재대의 기판 선단 위치에 대응하는 부분의 변위의 관계를 이용하는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체.And a relationship between the temperature of the processing chamber wall portion and the displacement of the portion corresponding to the position of the substrate tip of the substrate mounting unit as the relationship between the temperature of the processing chamber and the displacement. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,The method of claim 17 or 18, 상기 기준 위치의 보정은 상기 반송 장치 본체가 상기 처리 챔버에 액세스하는 타이밍마다 행해지는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체.And the correction of the reference position is performed at each timing when the conveying apparatus main body accesses the processing chamber. 제 17 항 또는 제 18 항에 있어서,The method of claim 17 or 18, 상기 기준 위치의 보정은 상기 처리 챔버의 변위로부터 상기 반송 장치 본체의 변위를 감산한 값에 따라 행해지는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록 매체.And the correction of the reference position is performed according to a value obtained by subtracting the displacement of the conveying apparatus main body from the displacement of the processing chamber.
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