KR100950311B1 - 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법 - Google Patents

소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 표면 처리작업 및 음극 복제 작업을 수행하여 3차원 형상 구조물의 외부 표면에 소수 특성이 부여되게 형성시키는 3차원 형상 구조물의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명은 3차원 형상 구조물의 외부 표면에 소수성을 부여시킬 수 있으면서도, 종래의 MEMS 공정에 비해 고가의 장비를 사용하지 않아서 그 제작비용이 상대적으로 저렴하고, 그 공정도 단순하다. 또한, 종래에는 장소의 제약으로 인해 넓은 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 외부 표면에 소수성을 부여하기 어렸지만, 본 발명은 어뢰, 선박, 자동차, 잠수함 등과 같이 넓은 표면이면서도 복잡한 형상을 갖는 3차원 형상 구조물의 외부 표면에 소수성을 부여할 수 있다.
미세 요철, 극소수성 표면, 입자분사기, 알루미늄 양극 산화, 테프론 복제, 3차원 형상, 외부 표면, 어뢰, 잠수함, 선박, 자동차

Description

소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법{Fabricating Method of 3D Shape Structure Having Hydrophobic Outer Surface}
본 발명은 소수(疏水)성 외부 표면을 갖는 구조물의 제조방법에 관한 것이며, 보다 상세하게는 표면 처리작업 및 음극 복제 작업을 수행하여 3차원 형상 구조물의 외부 표면에 소수 특성이 부여되게 형성시키는 3차원 형상 구조물의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 금속이나 폴리머 등의 고체 기재의 표면은 고유의 표면 에너지를 가지고 있다. 이는 임의의 액체가 고체 기재에 접촉할 때 액체와 고체 간의 접촉각으로 나타나게 된다. 여기서, 액체는 물 또는 기름과 같은 종류를 통칭하지만, 이하에서는 액체 중에서도 가장 대표적인 물을 언급하여 설명하겠다. 접촉각의 크기가 90°보다 작은 경우에는 구(球) 형상의 물방울이 고체 표면에서 그 형태를 잃고 표면을 적시는 친수성(親水性, hydrophilicity)특성을 나타낸다. 반면, 접촉각의 크기가 90°보다 큰 경우에는 구 형상의 물방울이 고체 표면에서 구의 형상을 유지하면서 표면을 적시지 않고 외부 힘에 의해 쉽게 흐르는 소수(疎水, hydrophobicity) 특성을 나타낸다. 그 예로서 연꽃 잎 위에 물방울이 떨어졌을 경 우, 연꽃 잎을 적시지 않고 표면을 흐르는 현상이 바로 소수 특성을 나타낸다.
고체 기재의 표면이 갖는 고유의 접촉각은 그 표면이 미세한 요철형상을 갖도록 가공하게 되면 그 값이 변화될 수 있다. 즉, 접촉각이 90°보다 작은 친수성 표면은 표면 가공을 통해 친수성이 더욱 커질 수 있고, 접촉각이 90°보다 큰 소수성 표면도 표면가공을 통해 소수성이 더욱 커질 수 있다.
이러한 고체 기재의 친수성 표면 또는 소수성 표면은 3차원 형상의 다양한 제품 구조물에 적용 가능하다. 특히 소수성 표면은 액체가 표면을 적시지 못하고, 외부 힘에 의해 쉽게 유동하기 때문에, 액체의 유량과 유속을 증가시킬 수 있는 기술로서 3차원 형상의 다양한 제품 구조물에 적용될 수 있다.
즉, 소수성 표면이 어뢰, 잠수함, 또는 선박과 같은 제품 구조물에 적용된다면, 제품 구조물의 외부 표면에 가해지는 유동 저항이 감소된다. 이로 인해, 소수성 표면이 적용된 제품 구조물은 종래와 동일한 추진력을 가지더라도 보다 높은 추진 속도로 진행할 수 있게 된다. 더욱이, 소수성 표면이 적용된 제품 구조물은 그 외부 표면에서 유속이 빠르기 때문에, 이물질이 외부 표면에 쌓이지 않게 되는 효과도 얻을 수 있다.
그리고, 소수성 표면이 자동차와 같은 제품 구조물의 외부 표면에 적용된다면, 자동차의 주행시 종래에 비해 공기 저항이 감소된다. 이로 인해, 소수성 표면이 적용된 자동차는 소수성 표면이 적용되지 않은 일반 자동차와 비교하여, 동일한 추진력을 가졌더라도 보다 빠르게 주행할 수 있다.
3차원 형상의 제품 구조물에 소수성 표면을 부여하는 기술로는 반도체 제조 기술을 응용한 MEMS(Microelectromechanical Systems) 공정이 있다. 하지만, 이러한 MEMS 공정은 반도체 기술을 기계공학적으로 응용한 첨단의 기술로서, 그 제작 비용이 높을 뿐만 아니라 제작 단계가 복잡하고 어려운 단점이 있다. 즉, MEMS 공정은 고체 표면에 나노 단위의 요철을 형성하고자 하는 경우에 금속 표면의 산화, 일정 온도와 일정 전압의 인가, 특수한 용액에서의 산화 및 에칭 같은 작업을 수행한다. 이런 MEMS 공정은 일반적인 작업환경에서 수행할 수 없는 작업들이기 때문에, 특별히 제작된 청정실에서 작업이 이루어져야 하고, 이에 필요한 전용 기계들도 고가의 장비이기 때문이다. 이와 같은 소수성 표면 제조기술의 한계로 인해 3차원 형상의 제품 구조물은 소수성 표면의 여러 장점에도 불구하고, 현재 산업 분야에 널리 적용되지 못하고 있다.
본 발명은 앞서 설명한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로서, 종래에 비해 상대적으로 저렴한 비용이면서도, 대량 생산이 가능하도록 종래에 비해 상대적으로 단순화된 단계로 이루어진 소수성 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 어뢰, 잠수함, 선박, 자동차와 같이 특수한 3차원 형상 구조물의 외부 표면에도 적용 가능한 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법을 제공하는데 다른 목적이 있다.
본 발명의 실시예에 따른 3차원 형상 구조물의 제조방법은 3차원 형상 구조물에 대응하는 크기의 내부 공간이 마련된 금속 기재를 준비하는 금속 기재 준비 단계, 상기 금속 기재를 양극 산화 가공하여 상기 금속 기재의 내부 표면에 미세 홀을 형성시키는 양극 산화 단계, 상기 금속 기재의 내부 내면에 비젖음성 고분자 물질을 코팅하여 상기 비젖음성 고분자 물질을 상기 미세 홀에 대응하는 음극 복제 구조물로 형성시키는 음극 복제 단계, 상기 금속 기재의 내부에서 상기 음극 복제 구조물의 노출 표면에 구조물 형성 물질을 부착하는 구조물 형성 단계, 및 상기 금속 기재를 식각하여 제거시킴으로써 소수성 외부 표면을 갖는 구조물을 얻어지는 식각 단계를 포함한다.
3차원 형상 구조물의 제조방법은 상기 준비 단계와 상기 양극 산화 단계 사 이에 실시되며, 상기 금속 기재의 내부 표면에 미세 요철을 형성시키는 입자 분사 단계를 더 포함한다.
상기 입자 분사 단계는 상기 금속 기재의 내부 표면에 미세 입자를 충돌시켜서 상기 미세 요철을 형성시킨다.
상기 양극 산화 단계는 전해질 용액이 채워진 양극 산화 장치에 상기 금속 기재를 담근 후 상기 금속 기재에 전극을 인가시킴으로써 상기 미세 홀을 갖는 양극 산화층을 형성한다. 또는 상기 양극 산화 단계는 상기 금속 기재의 내부 공간에 전해질 용액을 채우고, 상기 금속 기재에 전극을 인가시킴으로써 상기 미세 홀을 갖는 양극 산화층을 형성한다.
상기 음극 복제 단계는 상기 비젖음성 고분자 물질이 상기 금속 기재의 미세 홀에 주입되어, 상기 음극 복제 구조물이 상기 미세 홀에 대응하는 다수 개의 기둥들을 구비한다. 상기 음극 복제 단계는 상기 다수 개의 기둥들이 부분적으로 들러붙음으로 다수의 군락을 형성한다.
상기 구조물 형성 단계에서 상기 구조물 형성 물질은 상기 음극 복제 구조물에 접하는 면에 점착성이 부여되고, 상기 음극 복제 구조물의 노출 표면에 긴밀하게 부착되도록 유연한 휘어지는 특성을 갖는다.
상기 식각 단계는 습식 식각에 의해 상기 금속 기재를 식각시킨다.
3차원 형상 구조물의 제조방법은 상기 소수성 외부 표면을 갖는 구조물을 복수 개 제작하고서, 상기 소수성 외부 표면을 갖는 구조물들을 상호 접합시킬 수도 있다.
본 발명의 실시예는 3차원 형상 구조물의 외부 표면에 소수성을 부여시킬 수 있으면서도, 종래의 MEMS 공정에 비해 고가의 장비를 사용하지 않아서 그 제작비용이 상대적으로 저렴하고, 그 공정도 단순한 장점이 있다.
또한, 종래에는 장소의 제약으로 인해 넓은 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 외부 표면에 소수성을 부여하기 어렸지만, 본 발명의 실시예는 어뢰, 선박, 잠수함, 자동차 등과 같이 비교적 넓은 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물도 제작 장소에 제약을 받지 않으면서 3차원 형상 구조물의 외부 표면에 소수성을 부여할 수 있는 장점이 있다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 소수성 외부 표면을 갖는 구조물의 제조방법은 금속 기재 준비 단계(S1), 미세 입자 분사 단계(S2), 양극 산화 단계(S3), 음극 복제 단계(S4), 구조물 형성 단계(S5), 및 식각 단계(S6)를 수행함으로써, 종래의 MEMS 공정에 비해 단순하면서도 상대적으로 저렴한 제작비용 으로 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물을 제조할 수 있다. 더욱이, 본발명의 실시예는 상기와 같은 제조 단계에 의해서 어떠한 3차원 형상 구조물의 외부 표면에도 소수 특성이 부여되도록 구조물을 제조할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 제조방법의 각 단계를 이미지화하여 나타낸 개략도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 3차원 형상 구조물의 제조방법은 먼저 제작하고자 하는 3차원 형상 구조물의 크기에 준하는 내부 공간(111)이 형성된 금속 기재(110)를 준비한다. 즉, 금속 기재(110)는 제작하고자 하는 3차원 형상 구조물의 금형틀 역할을 하여, 내부 공간(111)이 3차원 형상 구조물의 외형과 동일한 내부 표면을 갖는다.
그리고, 본 발명은 사전 준비 작업으로 과염소산(perchloric acid)과 에탄올(ethanol)을 1:4의 부피비로 혼합한 용액을 이용하여, 금속 기재(110)의 내부 표면을 전해 연마(electropolishing)시킴으로써, 금속 기재(110)의 내부 표면을 평탄화한다.
도 3은 도 2의 (b)와 같이 금속 기재의 내부 표면에 미세 요철을 형성시키는 단계를 나타낸 개략도이다.
도 1, 도 2, 및 도 3에 도시된 바와 같이, 3차원 형상 구조물의 제조방법은 미세 입자(11)를 분사시켜 금속 기재(110)의 내부 표면에 미세 요철(114)을 형성시킨다(S2). 이 단계를 수행하기 위해 3차원 형상 구조물의 제조방법은 입자 분사기(10)를 이용한다. 입자 분사기(10)는 임의의 속도와 압력으로 미세 입자(11)를 금속 기재(110)의 내부 공간으로 분사시킨다.
미세 입자(11)의 분사 속도와 압력은 금속 기재(110)에 형성시키고자 하는 미세 요철(113)의 설계 크기에 따라 달리한다. 즉, 미세 요철(114)은 요(凹)부(112)의 깊이, 철(凸)부(113)의 높이, 또는 철부(113) 사이의 간격으로 그 크기를 판단한다. 미세 요철(114)의 크기는 입자 분사기(10)의 미세 입자(11) 분사속도, 분사압력 및 미세 입자(11)의 크기에 따라 달라진다. 3차원 형상 구조물의 제조방법은 이러한 미세 요철(114)의 크기에 영향을 주는 미세 입자(11)의 분사 속도와 압력을 사전에 설계된 값으로 적용함으로써 미세 입자(11)의 크기를 달리할 수 있다.
미세 입자(11)는 금속 기재(110)의 내부 표면에 충격을 가하며, 그 충돌 에너지에 의해 금속 기재(110)의 내부 표면에 미세 요철(114)을 형성시킨다. 이때, 3차원 형상 구조물의 제조방법은 금속 기재(110)의 내부 표면에 미세 입자(11)를 골고루 분사시켜, 금속 기재(110)의 내부 표면에 미세 요철(114)을 균일하게 분포시키는 것이 중요하다.
본 발명의 실시예에 사용되는 입자 분사기(10)는 모래 입자를 분사하는 샌드 블라스터이며, 모래 입자를 대신하여 금속구와 같은 미세 입자를 분사하는 미세 입자 분사기가 사용되더라도 무방하다.
도 4는 도 2의 (c)와 같이 양극 산화 공정에 의해 금속 기재의 내부 표면에 양극 산화층을 형성시키는 단계를 나타낸 개략도이다.
도 1, 도 2, 및 도 4에 도시된 바와 같이, 3차원 형상 구조물의 제조방법은 금속 기재(110)를 양극 산화 가공(anodizing)하여 금속 기재(110)의 내부 표면에 미세 홀(hole)을 형성하는 양극 산화 단계를 수행한다(S3). 양극 산화 공정은 금속 기재(110)를 전해질 용액(23)에 담근 후에 전극을 인가시키면, 금속 기재(110)의 내부 표면에 미세 홀을 갖는 양극 산화층(120)이 형성된다. 이로 인해 양극 산화 단계는 금속 기재(110)에 형성된 미세 요철(114) 보다 더 미세한 나노미터 단위 직경으로 미세 홀이 형성될 수 있다.
이를 위해 3차원 형상 구조물의 제조방법은 도 5에 도시된 양극 산화 장치(20)를 이용한다. 양극 산화 장치(20)는 본체(21)의 외부 수용공간에 전해질 용액(22 ; 0.3M 옥살산 C2H2O4 또는 인산 )이 일정량 채워지고, 이런 전해질 용액(22)에 금속 기재(110)와 또 다른 금속 기재(23)가 각각 담겨진다. 그리고, 양극 산화 장치(20)는 전원 공급부(24)를 구비하는데, 금속 기재(110)는 전원 공급부(24)의 양극 또는 음극 중 어느 하나에 연결되고, 백금소재의 다른 금속 기재(23)는 전원 공급부(24)의 다른 나머지 극성에 연결된다. 여기서, 다른 금속 기재(23)는 전원 인가가 가능한 전도체라면, 그 소재가 한정되지 않는다. 그런 다음에는 금속 기재(110)와 다른 금속 기재(23)를 설정된 거리로 유지시키고서, 전원 공급부(24)는 설정된 정전압을 인가한다. 이때, 전해질 용액(22)은 일정 온도(15°C) 하에서 유지되는데, 용액 농도의 국부적인 편향을 막기 위하여 교반기(stirrer)로 전해질 용액(22)을 지속적으로 교반시키는 것이 바람직하다. 그러면, 금속 기재(110)에는 양극 산화층(120)으로서 알루미나가 형성된다. 이렇게 양극 산화를 실시한 후에는 금속 기재(110)를 전해질 용액(22)으로부터 꺼내어, 탈 이온수에서 세척한 후 설정된 온도에서 일정 시간(약 1시간) 동안 건조시킨다.
그러면, 금속 기재(110)에는 미세 입자 분사 단계(S2)에 의해 미세 요철(113)이 형성되었을 뿐만 아니라, 도 6에 도시된 바와 같이 양극 산화 단계(S3)에 의해 미세 요철(113) 보다 더 미세한 나노미터 단위 직경을 갖는 미세 홀(121)을 갖는 양극 산화층(120)이 형성된다.
도 5는 도 2의 (c)와 같이 다른 방식에 의해 양극 산화 공정을 수행하여 금속 기재의 내부 표면에 양극 산화층을 형성시키는 단계를 나타낸 개략도이다.
도 1, 도 2, 및 도 5에 도시된 바와 같이, 3차원 형상 구조물의 제조방법은 금속 기재(110)가 설정된 크기 이상인 경우에 도 4에 도시된 바와 같은 양극 산화장치(20)가 금속 기재(110)를 수용하지 못할 수도 있다. 이와 같은 경우에 3차원 형상 구조물의 제조방법은 금속 기재(110)의 내부 공간(111)에 전해질 용액(22)을 채우고, 양극 산화 가공을 실시한다. 즉, 3차원 형상 구조물의 제조방법은 금속 기재(110)와 백금 소재의 또 다른 금속 기재(23)를 전원 공급부(24)의 각 극성에 대응되게 연결하고, 정전압을 인가하는 방식이다. 이와 같이 3차원 형상 구조물의 제조방법은 도 5에 도시된 바와 같은 방식에 의해서 별도의 양극 산화 장치를 구비하지 않고서도 양극 산화 가공을 실시할 수 있으며, 도 4에서와 달리 금속 기재(110)의 내부 공간(111)을 제외한 영역에서 양극 산화 가공이 실시되지 않는 이점도 있다. 그러면, 3차원 형상 구조물의 제조방법은 도 5에 도시된 바와 같은 방식에 의해서도 미세 요철(113) 보다 더 미세한 나노미터 단위 직경을 갖는 미세 홀(121)을 갖는 양극 산화층(120)을 형성시킬 수 있다.
도 7은 도 2의 (d)와 같이 금속 기재의 내부 표면에 양극 산화층의 미세 홀에 대응하는 음극 복제 구조물을 형성시키는 단계를 나타낸 개략도이고, 도 8은 도 7에 도시된 선 Ⅷ-Ⅷ을 따라 음극 복제 장치를 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 1, 도 2, 도 7, 및 도 8에 도시된 바와 같이, 3차원 형상 구조물의 제조방법은 금속 기재(110)의 내부 공간에 비젖음성 고분자 물질을 코팅하여 비젖음성 고분자 물질이 금속 기재(110)의 미세 홀(121)에 대응하는 음극 복제 구조물(130)로 형성되는 음극 복제 단계를 수행한다(S4).
여기서 사용되는 음극 복제 장치(30)는 몸체(31)와, 몸체(31) 내에 일정한 수용 공간을 갖는 수용부(32), 수용부(32)에 수용되는 비젖음성 고분자 용액(33), 및 몸체(31)의 측면을 따라 마련되어 수용부(32)의 비젖음성 고분자 용액(33)이 고체화되도록 응고시키는 냉각부(34)를 구비한다.
음극 복제 장치(30)는 금속 기재(110)가 복제용 틀로서 비젖음성 고분자 용액(33)에 담겨지고, 이런 금속 기재(110)의 내부 표면에 비젖음성 고분자 물질을 코팅시킨다. 즉, 비젖음성 고분자 용액(33)은 금속 기재(110)의 미세 홀(121)에 주입되어, 음극 복제 장치(30)의 냉각부(34)에 의해서 금속 기재(110)의 주위에 비젖음성 고분자 물질이 응고된다. 이와 같이 3차원 형상 구조물의 제조방법은 금속 기재(110)의 내부 표면에 비젖음성 고분자 물질을 코팅시킴으로써, 비젖음성 고분자 물질이 미세 홀(121)의 형상에 대응하는 음극의 형상 표면을 갖는 음극 복제 구조물(130)을 형성시킨다. 즉, 음극 복제 구조물(130)은 미세 홀(121)의 음극 형상 에 대응하는 양극 형상 표면이므로 다수 개의 기둥들을 구비하게 된다.
이때 비젖음성 고분자 용액(33)은 PTFE(Polytetrafluoroethylene), FEP(Fluorinated ethylene propylene copolymer), PFA(Perfluoroalkoxy) 으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질로 이루어진다.
다만, 3차원 형상 구조물의 제조방법은 음극 복제 단계(S4)에서 금속 기재(110)가 설정된 크기 이상인 경우에 도 7에 도시된 바와 같은 음극 복제 장치(30)가 금속 기재(110)를 수용하지 못할 수도 있다. 이와 같은 경우에 3차원 형상 구조물의 제조방법은 금속 기재(110)의 내부 공간(111)에 비젖음성 고분자 용액(33)을 채우고서, 금속 기재(110)로 설정된 온도로 냉각시키면서 비젖음성 고분자 물질을 응고시킬 수도 있다. 이와 같이 3차원 형상 구조물의 제조방법은 별도의 음극 복제 장치(30)를 구비하지 않고서도, 금속 기재(110)의 양극 산화층(120)에 음극 복제 구조물(130)을 형성시킬 수 있다.
다음 단계로서 3차원 형상 구조물의 제조방법은 도 2의 (e)에 도시된 바와 같이 음극 복제 구조물(130)의 노출 표면에 구조물 형성 물질(140)을 부착시키는 구조물 형성 단계를 수행한다(S5). 구조물 형성 물질(140)은 음극 복제 구조물(130)에 접하는 면에 점착성이 부여된 소재로서, 음극 복제 구조물(130)의 굴곡된 노출 표면에 부착되도록 유연하게(flexible) 휘어질 수 있는 특성을 갖는다. 즉, 3차원 형상 구조물의 제조방법은 어뢰, 잠수함, 선박, 자동차와 같이 복잡한 형상을 갖는 3차원 형상 구조물에도 적용하기 위해서, 3차원 형상 구조물의 외형 굴곡에 따라 유연하게 부착되는 소재를 사용하는 것이 바람직하다. 구조물 형성 물질(140)은 그 한 예로서, 아크릴 필름이 있다. 하지만, 그 소재가 아크릴 필름으로 한정되는 것은 아니며, 상기와 같이 3차원 형상 구조물의 외형 굴곡에 따라 유연하게 부착될 수 있는 소재라면 다른 여러 소재가 사용될 수 있다.
다음 단계로서 3차원 형상 구조물의 제조방법은 도 2의 (f)에 도시된 바와 같이 양극 산화층(120)을 포함한 금속 기재(110)를 식각시키는 식각 단계를 수행함으로써(S6), 음극 복제 구조물(130)과 구조물 형성 물질(140)로 이루어진 소수성 외부 표면을 갖는 구조물(100)이 얻어진다.
이와 같은 식각 단계에서 양극 산화층(120)을 포함한 금속 기재(110)는 습식 식각에 의해서 제거되는 것이 바람직하다. 이로 인해 3차원 형상 구조물의 제조방법은 도 2의 (f)에 도시된 바와 같이 음극 복제 구조물(130)과 구조물 형성 물질(140)이 남게 된다. 상기 언급된 바와 같이 소수성 외부 표면을 갖는 구조물(100)은 음극 복제 구조물(130)에 다수 개의 기둥들이 형성되어 있으며, 이러한 다수 개의 기둥들이 부분적으로 들러붙는 현상에 의해 다수의 군락으로 형성된다. 즉, 음극 복제 구조물(130)은 외부 표면이 연꽃 잎과 같은 단면 구조로 이루어짐으로써, 젖음성이 최소화된 소수성 표면 성질을 갖게 되고, 이로 인해 액체와의 접촉각이 160°이상으로 극도로 높아질 수 있다.
도 9는 도 1에 도시된 제조방법의 각 단계를 이미지화하여 나타낸 개략도로서, 소수성 외부 표면을 갖는 구조물들을 상호 접합시키는 단계를 더 나타낸 개략도이다.
도 9에 도시된 3차원 형상 구조물의 제조방법은 도 2에 도시된 금속 기 재(110)와 다른 형상을 갖는 금속 기재(210)를 이용할 뿐이며, 기본적으로 도 1에 도시된 단계별로 동일하게 실시한다. 즉, 도 9에 도시된 금속 기재(210)는 제작하고자 하는 3차원 형상 구조물에서 그 일부분의 크기에 해당하는 내부 공간(211)이 형성된 금속 기재(210)를 준비한다. 그리고, 3차원 형상 구조물의 제조방법은 미세 입자 분사 단계(도 9의 b), 양극 산화 단계(도 9의 c), 음극 복제 단계(도 9의 d), 구조물 형성 단계(도 9의 e), 식각 단계(도 9의 f)를 각각 수행함으로써, 소수성 외부 표면을 갖는 구조물(201)을 제조할 수 있다. 이렇게 얻어진 소수성 외부 표면을 갖는 구조물(201)은 제작하고자 하는 3차원 형상 구조물의 일부분이다. 따라서, 3차원 형상 구조물의 제조방법은 소수성 외부 표면을 갖는 구조물(201)을 복수 개로 더 제작하고서, 소수성 외부 표면을 갖는 구조물(201, 202)들을 상호 접합시킴으로써 최종적으로 제작하고자 하는 3차원 형상 구조물(200)을 제조한다.
여기서 설명하지 않은 도면번호 220은 양극 산화층이고, 도면번호 230은 음극 복제 구조물이고, 도면번호 240은 구조물 형성 물질이다.
즉, 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것이 당연하다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법을 나타낸 흐름도이다.
도 2는 도 1에 도시된 제조방법의 각 단계를 이미지화하여 나타낸 개략도이다.
도 3은 도 2의 (b)와 같이 금속 기재의 내부 표면에 미세 요철을 형성시키는 단계를 나타낸 개략도이다.
도 4는 도 2의 (c)와 같이 양극 산화 공정에 의해 금속 기재의 내부 표면에 양극 산화층을 형성시키는 단계를 나타낸 개략도이다.
도 5는 도 2의 (c)와 같이 다른 방식에 의해 양극 산화 공정을 수행하여 금속 기재의 내부 표면에 양극 산화층을 형성시키는 단계를 나타낸 개략도이다.
도 6은 도 4 또는 도 5에 도시된 금속 기재를 양극 산화 처리한 후에 미세 요철의 표면에 양극 산화층의 미세 홀이 형성된 상태를 확대하여 나타낸 도면이다.
도 7은 도 2의 (d)와 같이 금속 기재의 내부 표면에 양극 산화층의 미세 홀에 대응하는 음극 복제 구조물을 형성시키는 단계를 나타낸 개략도이다.
도 8은 도 7에 도시된 선 Ⅷ-Ⅷ을 따라 음극 복제 장치를 절단하여 나타낸 단면도이다.
도 9는 도 1에 도시된 제조방법의 각 단계를 이미지화하여 나타낸 개략도로서, 소수성 외부 표면을 갖는 구조물들을 상호 접합시키는 단계를 더 나타낸 개략도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
10 : 입자 분사기 11 : 미세 입자
20 : 양극 산화 장치 21 : 본체
22 : 전해질 용액 24 : 전원 공급부
30 : 음극 복제 장치 33 : 비젖음성 고분자 용액
100 : 3차원 형상 구조물 110 : 금속 기재
114 : 미세 요철 120 : 양극 산화층
130 : 음극 복제 구조물 140 : 구조물 형성 물질

Claims (13)

  1. 3차원 형상 구조물에 대응하는 크기의 내부 공간이 마련된 금속 기재를 준비하는 금속 기재 준비 단계;
    상기 금속 기재를 양극 산화 가공하여 상기 금속 기재의 내부 표면에 미세 홀을 형성시키는 양극 산화 단계;
    상기 금속 기재의 내부 내면에 비젖음성 고분자 물질을 코팅하여 상기 비젖음성 고분자 물질을 상기 미세 홀에 대응하는 음극 복제 구조물로 형성시키는 음극 복제 단계;
    상기 금속 기재의 내부에서 상기 음극 복제 구조물의 노출 표면에 구조물 형성 물질을 부착하는 구조물 형성 단계; 및
    상기 금속 기재를 식각하여 제거시킴으로써, 소수성 외부 표면을 갖는 구조물을 얻어지는 식각 단계;
    를 포함하는 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 준비 단계와 상기 양극 산화 단계 사이에 실시되며, 상기 금속 기재의 내부 표면에 미세 요철을 형성시키는 입자 분사 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 입자 분사 단계는 상기 금속 기재의 내부 표면에 미세 입자를 충돌시켜서 상기 미세 요철을 형성시키는 것을 특징으로 하는 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 양극 산화 단계는 전해질 용액이 채워진 양극 산화 장치에 상기 금속 기재를 담근 후 상기 금속 기재에 전극을 인가시킴으로써 상기 미세 홀을 갖는 양극 산화층을 형성하는 것을 특징으로 하는 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 양극 산화 단계는 상기 금속 기재의 내부 공간에 전해질 용액을 채우고, 상기 금속 기재에 전극을 인가시킴으로써 상기 미세 홀을 갖는 양극 산화층을 형성하는 것을 특징으로 하는 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 전해질 용액은 옥살산(C2H2O4) 용액 또는 인산 용액 중 어느 하나인 것 을 특징으로 하는 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 음극 복제 단계는 상기 비젖음성 고분자 물질이 상기 금속 기재의 미세 홀에 주입되어, 상기 음극 복제 구조물이 상기 미세 홀에 대응하는 다수 개의 기둥들을 구비하는 것을 특징으로 하는 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 음극 복제 단계는 상기 다수 개의 기둥들이 부분적으로 들러붙음으로 다수의 군락을 형성하는 것을 특징으로 하는 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 비젖음성 고분자 용액은 PTFE(Polytetrafluoroethylene), FEP(Fluorinated ethylene propylene copolymer), PFA(Perfluoroalkoxy) 으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 구조물 형성 단계에서 상기 구조물 형성 물질은 상기 음극 복제 구조물에 접하는 면에 점착성이 부여된 것을 특징으로 하는 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 구조물 형성 단계에서 상기 구조물 형성 물질은 상기 음극 복제 구조물의 노출 표면에 긴밀하게 부착되도록 유연한 휘어지는 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 식각 단계는 습식 식각에 의해 상기 금속 기재를 식각시키는 것을 특징으로 하는 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 소수성 외부 표면을 갖는 구조물을 복수 개 제작하고서, 상기 소수성 외부 표면을 갖는 구조물들을 상호 접합시키는 것을 특징으로 하는 소수성 외부 표면을 갖는 3차원 형상 구조물의 제조방법.
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