KR20060052327A - 미세요철을 갖는 고체 기재의 표면 가공방법 및 이방법으로 표면 처리된 고체 기재 - Google Patents

미세요철을 갖는 고체 기재의 표면 가공방법 및 이방법으로 표면 처리된 고체 기재 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고체 기재의 표면에 마이크로 또는 나노 사이즈의 요철을 형성시켜 친수성 표면으로 가공하거나, 비젖음성 코팅을 하여 소수성 표면으로 가공하는 방법 및 이러한 가공에 의해 친수성/소수성 표면을 갖는 고체 기재에 관한 것이다.
본 발명에 따른 고체 기재의 표면 가공방법은, 입자 분사기의 분사노즐을 고체 기재의 표면과 대향하도록 위치시키는 단계, 및 상기 입자 분사기를 구동하여 미세입자를 상기 고체 기재의 표면에 분사하여 미세요철을 형성하는 단계를 포함한다.
상기 표면 가공방법은, 상기 미세요철이 형성된 고체 기재 표면의 적어도 일부분을 비젖음성 물질로 코팅하는 단계를 더 포함하거나, 상기 미세요철이 형성된 고체 기재의 표면을 양극산화 가공 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다.
미세요철, 소수성, 친수성, 젖음성, 비젖음성, 입자 분사기, 양극 산화

Description

미세요철을 갖는 고체 기재의 표면 가공방법 및 이 방법으로 표면 처리된 고체 기재{METHOD FOR FABRICATING SURFACE OF SOLID HAVING MICRO/NANO-SCALED UNEVENNESS AND SOLID SURFACE TREATED BY THE SAME METHOD}
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 고체 기재의 표면 가공방법을 설명하기 위하여 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 가공방법에 따라 처리된 표면에 미세요철을 갖는 고체 기재를 도시한 사시도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 고체 기재의 표면 가공방법을 설명하기 위하여 도시한 사시도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 가공방법에 따라 처리된 표면에 미세요철을 갖는 고체 기재를 도시한 단면도이다.
도 5a는 표면 처리하지 않은 고체 기재 표면의 전자 현미경 사진이고, 도 5b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 가공방법으로 처리된 미세요철을 갖는 고체 기재 표면의 전자 현미경 사진이며, 도 5c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 가공방법으로 처리된 미세요철을 갖는 고체 기재 표면의 전자 현미경 사진이다.
도 6a는 표면 처리하지 않은 금속 표면에서의 유체 접촉각을 측정한 사진이고, 도 6b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 가공방법으로 처리된 미세요철을 갖는 금속 표면에서의 유체 접촉각을 측정한 사진이며, 도 6c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 가공방법에 따라 비젖음성 코팅 처리된 금속 표면에서의 유체 접촉각을 측정한 사진이다.
도 7은 양극 산화 처리공정을 설명하기 위하여 도시한 장치 구성도이다.
도 8의 (a)와 (b)는 각각 양극 산화 처리공정 전과 후의 상태를 도시한 평면도 및 단면도이다.
도 9는 알루미늄 양극 산화 공정처리 후 나노미터 단위의 극미세 홀이 형성된 알루미늄 표면의 전자현미경 사진이다.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 가공방법에 따라 양극 산화 공정처리 된 고체 기재의 표면을 도시한 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 가공방법에 따라 양극 산화 공정처리 된 고체 기재 표면의 전자 현미경 사진이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 가공방법에 따라 처리된 미세요철을 갖는 금속 표면에서의 유체 접촉 상태를 나타낸 사진이다.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
10: 고체 기재 10a: 고체 기재의 표면
12: 미세요철 15: 친수성부
16: 비젖음성 물질 17: 소수성부
20: 입자 분사기 21: 분사노즐
25: 미세 입자 31: 비젖음성 시약
32: 용기 55: 유체
61: 알루미늄 판 62: 알루미나
63: 전해액 65: 음극판
13, 67: 극미세 홀
본 발명은 고체 기재(器材)의 표면 처리방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 고체 기재의 표면에 마이크로 또는 나노 사이즈의 요철을 형성시켜 친수성 표면으로 가공하거나, 비젖음성 코팅을 하여 소수성 표면으로 가공하는 방법 및 이러한 가공에 의해 친수성/소수성 표면을 갖는 고체 기재에 관한 것이다.
일반적으로 금속이나 폴리머 등의 고체 기재의 표면은 고유의 표면 에너지를 가지고 있다. 이는 임의의 액체가 고체 기재에 접촉할 때 액체와 고체 간의 접촉각으로 나타나게 된다. 접촉각의 크기가 90도보다 작은 경우 구 형상의 물방울은 고체 표면에서 그 형태를 잃고 표면을 적시는 친수성(親水性, hydrophilicity)을 나타낸다. 또한 접촉각의 크기가 90도보다 큰 경우 구 형상의 물방울은 고체 표면에서 구의 형상을 유지하면서 표면을 적시지 않고 외부 힘에 따라 쉽게 흐르는 소수성(疎水性, hydrophobicity)을 나타낸다. 연꽃 잎 위에 물방울이 떨어졌을 경우 연꽃 잎을 적시지 않고 표면을 흐르는 현상이 이와 같다.
한편, 고체 기재의 표면이 갖는 고유의 접촉각은 그 표면이 미세한 요철형상 을 갖도록 가공하면 그 값을 변화시킬 수 있다. 즉, 접촉각이 90도보다 작은 친수성 표면은 표면 가공을 통해 친수성이 더욱 커질 수 있고, 접촉각이 90도보다 큰 소수성 표면도 표면 가공을 통해 소수성이 더욱 커질 수 있다.
그러나 고체 표면의 접촉각을 임의의 용도를 위해 변화시키는 기술은 현재까지는 반도체 제조기술을 응용한 MEMS (Microelectromechanical Systems) 공정에 의존하여 고체 표면의 마이크로 혹은 나노 단위의 미세한 요철을 형성하는 방법이 대부분이었다. 이러한 MEMS 공정은 반도체 기술을 기계공학적으로 응용한 첨단의 기술이지만, 반도체 공정은 상당한 고가의 공정이다.
금속 표면에 나노 단위의 요철을 형성한다고 할 때, 금속 표면의 산화, 일정 온도와 일정 전압의 인가, 특수한 용액에서의 산화 및 에칭 등 일반적인 작업환경에서는 불가능한 작업들을 수행하여야 한다. 이러한 공정의 수행을 위해서는 기본적으로 특별히 고안된 청정실에서 작업을 해야 하며, 상기 작업들을 위해서는 전용의 기계들이 필요하고, 이들 기계들 또한 고가의 장비이다.
나아가 반도체 공정의 특성상 넓은 표면을 한 번에 처리하지 못하는 점 또한 단점으로 작용한다. 이렇게 기존의 기술은 공정이 매우 복잡하고 대량생산이 어려우며, 높은 제작비용으로 그 적용 자체가 쉽지 않은 것이 현실이다.
본 발명은 상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 그 목적은 고체 기재의 표면에 미세 입자를 분사하여 미세요철을 형성함으로써 저렴한 비용으로 간단하게 친수성 표면을 형성할 수 있는 표면 가공방법을 제공한다.
본 발명의 다른 목적은, 표면에 미세요철을 형성한 고체 기재의 표면에 비젖음성 코팅처리를 함으로써 소수성 표면을 형성할 수 있는 표면 가공방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 표면에 미세요철을 형성한 고체 기재의 표면을 다시 양극 산화 공정 처리함으로써 극친수성 표면을 형성할 수 있는 표면 가공방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 표면에 미세요철을 형성하고 그 일부를 비젖음성 코팅 처리함으로써 소수성 및 친수성 표면을 함께 갖는 고체 기재를 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 따른 고체 기재의 표면 가공방법은, 입자 분사기의 분사노즐을 고체 기재의 표면과 대향하도록 위치시키는 단계, 및 상기 입자 분사기를 구동하여 미세입자를 상기 고체 기재의 표면에 분사하여 미세요철을 형성하는 단계를 포함한다.
이 때, 상기 입자 분사기는 모래 입자를 분사하는 샌드 블라스터(sand blaster)나, 미세 금속구를 분사하는 입자 분사기를 선택하여 사용할 수 있으며, 상기 고체 기재는 금속 또는 폴리머 재료로 이루어질 수 있다.
상기 표면 가공방법은, 상기 미세요철이 형성된 고체 기재 표면의 적어도 일부분을 비젖음성 물질로 코팅하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 비젖음성 물질로는 PTFE (Polytetrahluoroethylene), FEP (Fluorinated ethylene propylene copolymer), PFA (Perfluoroalkoxy), SAM (Self assembled monolayer)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질을 적용할 수 있다.
또한 상기 표면 가공방법은, 상기 미세요철이 형성된 고체 기재의 표면을 양극산화 가공 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 이 때, 상기 고체 기재는 알루미늄(Al) 재질로 이루어지는 것이 바람직하다.
본 발명의 표면 가공방법에 따르면, 표면의 적어도 일부에 미세요철이 형성된 친수성부, 및 표면의 적어도 다른 일부에 미세요철이 형성되고, 그 위로 비젖음성 물질이 코팅된 소수성부를 포함하는 이질성 표면을 갖는 고체 기재를 얻을 수 있다.
또한 본 발명의 표면 가공방법에 따르면, 표면의 적어도 일부에 형성되는 미세요철부, 및 상기 미세요철부 각각에 이보다 더 작은 크기로 형성되는 극미세 홀을 포함하는 친수성 표면을 갖는 고체 기재를 얻을 수 있다.
상기 미세요철부는 입자 분사기로 미세입자를 표면에 분사하여 형성되고, 상기 극미세 홀은 양극 산화 가공 처리하여 형성될 수 있다.
이하, 본 발명의 다양한 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세하게 설명하면 다음과 같다. 이하의 실시예들은 본 발명을 예시하기 위한 것으로, 본 발명이 여기에 한정되는 것은 아니다.
본 발명을 명확하게 설명하기 위하여 본 발명과 관계없는 구성에 대한 설명은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 붙이도록 한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 고체 기재의 표면 가공방법을 설명하기 위하여 도시한 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 가공방법을 수행하기 위하여, 먼저, 입자 분사기(20)의 분사노즐(21)을 고체 기재(10)의 표면(10a)과 대향하도록 위치시킨다.
다음으로, 상기 입자 분사기(20)를 구동하여 미세 입자(25)를 상기 고체 기재(10)의 표면(10a)에 분사하여 수 내지 수십 ㎛ 크기의 미세요철(12)을 형성한다. 입자 분사기(20) 내의 미세 입자(25)는 미리 설정된 속도와 압력으로 분사되어 고체 기재(10)의 표면(10a)에 충돌한다. 고체 기재(10)의 표면(10a)과 미세 입자(25)의 충돌 과정에서 고체 기재(10)의 표면(10a)은 충격 에너지를 받게 되며, 이로 인하여 고체 기재(10)의 표면(10a)은 변형을 일으킨다. 입자 분사기(20)는, 일례로 모래 입자를 분사하는 샌드 블라스터가 적용될 수 있으며, 모래 입자 대신 금속구 등의 미세 입자를 분사하여 가공할 수도 있다. 적용될 수 있는 고체 기재에는 알루미늄, 강철, 구리 등의 금속 판재가 포함된다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따라 처리된 표면에 미세요철을 갖는 고체 기재를 도시한 사시도이며, 그 일부를 확대하여 단면으로 도시하였다.
표면에 미세요철(12)을 갖는 고체 기재(10)에서, 상기 미세요철(12)의 크기, 즉 철(凸)부(12a)의 높이나 요(凹)부(12b)의 깊이 또는 철부(12a) 사이의 간격 등은 상기 입자 분사기(20)의 입자 분사속도, 분사압력, 및 미세 입자(25)의 크기에 따라 달라질 수 있으며, 이들 값을 미리 설정하여 적용함으로써 조절할 수 있다.
비젖음성 물질을 제외하고, 일반적인 고체, 즉 금속이나 폴리머(polymer)의 접촉각은 90도보다 작은 젖음성 물질이다. 이러한 고체 기재의 표면을 본 실시예에 따른 표면 가공방법에 따라 미세요철(12)을 갖도록 가공하면 접촉각은 더욱 작아지게 되어, 젖음성이 더욱 강해지는 현상을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 고체 기재의 표면 가공방법을 설명하기 위하여 도시한 사시도이고, 도 4는 이에 따라 처리된 표면에 미세요철을 갖는 고체 기재를 도시한 단면도이다
본 실시예에 따른 표면 가공방법을 수행하기 위해, 먼저 상기 제1 실시예에 따른 표면 가공방법에 따라 고체 기재(10)의 표면에 미세요철(12)을 형성한다.
다음으로, 이를 통해 얻어진 고체 기재(10)의 표면 중 적어도 일부를 비젖음성 물질(16)로 코팅한다. 비젖음성 물질(16)로는 PTFE (Polytetrahluoroethylene), FEP (Fluorinated ethylene propylene copolymer), PFA (Perfluoroalkoxy), SAM (Self assembled monolayer)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질이 사용될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 표면에 미세요철(12)이 형성된 고체 기재(10)를 비젖음성 시약(31)이 담긴 용기(32)에 담궈 코팅하게 되는데, 이 때 선택적으로 일부분만 담궈 코팅하게 되면, 도 4에 도시된 바와 같이 친수성을 나타내는 표면인 친수성부(15)와 비젖음성 물질(16)이 코팅되어 소수성을 나타내는 표면인 소수성부(17)로 분할된 표면을 갖는 고체 기재(10)를 제작할 수 있다.
소수성부(17)는 젖음성이 감소되어 물방울 등의 액체가 표면에 젖지 않고 구 형으로 흘러내리도록 하는 기능을 갖게 되고, 친수성부(15)는 젖음성이 증가하여 소량의 액체로도 표면에 액막을 형성시키도록 하는 기능을 가질 수 있다.
이와 같이, 동일한 고체 기재(10)에 친수성 및 소수성 표면을 함께 형성시켜 일부분(소수성 표면)은 수분이 맺히지 않게 하면서 다른 부분(친수성 표면)으로 수분을 유도하는 응용이 가능하다.
도 5a는 표면 처리하지 않은 고체 기재 표면의 전자 현미경 사진이고, 도 5b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 가공방법으로 처리된 미세요철을 갖는 고체 기재 표면의 전자 현미경 사진이며, 도 5c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 가공방법으로 처리된 미세요철을 갖는 고체 기재 표면의 전자 현미경 사진이다.
본 실험에서 사용된 고체 기재는 알루미늄이고, 사용된 입자 분사기는 공업용 샌드 블라스터이며, 500 mesh (직경 약 30 내지 50㎛)의 금강사 입자를 사용하여 6kgf/㎠ 의 압력으로 분사하였다. 또한 사용된 비젖음성 물질은 Teflon AF이며, 코팅방법은 500rpm으로 30초간 스핀코팅(spin coating)하는 방법을 사용하였다.
도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 상기 제1 실시예에 따른 표면 가공방법으로 처리된 고체 기재의 표면(41)은 표면 처리하지 않은 고체 기재의 표면(40)과 비교하였을 때, 무수히 많은 미세요철이 표면에 형성되어 있음을 확인할 수 있다.
이상과 같이 표면 가공된 각 고체 기재의 표면에서 접촉각을 측정하는 실험을 수행하였다.
본 실험에서 사용된 고체 기재와 가공방법은 상기 도 5a 내지 도 5c를 얻은 실험에서 적용된 바와 동일하다.
즉, 사용된 고체 기재는 알루미늄이고, 사용된 입자 분사기는 공업용 샌드 블라스터이며, 500 mesh (직경 약 30 내지 50㎛)의 금강사 입자를 사용하여 6kgf/㎠ 의 압력으로 분사하였다. 사용된 비젖음성 물질은 Teflon AF이며, 코팅방법은 500rpm으로 30초간 스핀코팅(spin coating)하는 방법을 사용하였다. 접촉각 측정에 사용된 유체로는 5㎕ 부피의 증류수를 사용하였다.
도 6a는 표면 처리하지 않은 금속 표면에서의 유체 접촉각을 측정한 사진이고, 도 6b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 표면 가공방법으로 처리된 미세요철을 갖는 금속 표면에서의 유체 접촉각을 측정한 사진이며, 도 6c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표면 가공방법에 따라 비젖음성 코팅 처리된 금속 표면에서의 유체 접촉각을 측정한 사진이다.
도 6a를 참조하면, 아무런 가공도 하지 않은 금속의 표면(50)에서는 유체(55)의 접촉각이 약 68도였다. 그리고 도 6b를 참조하면, 상기 제1 실시예에 따른 표면 가공방법으로 처리된 금속의 표면(51)에서는 유체(55)의 접촉각이 약 32도 정도로 낮아졌다. 즉, 젖음성이 커지는 친수성을 나타내었다.
도 6c를 참조하면, 상기 제2 실시예에 따른 표면 가공방법에 따라 미세요철이 형성된 금속 표면에 비젖음성 코팅을 한 금속의 표면(52)에서는 유체(55)의 접촉각이 약 153도 정도로 높아졌음을 확인할 수 있다. 즉 소수성 표면을 구현한 것이다.
도 7은 양극 산화 처리공정을 설명하기 위하여 도시한 장치 구성도이고, 도 8의 (a)와 (b)는 각각 양극 산화 처리공정 전과 후의 상태를 도시한 평면도 및 단 면도이다.
도 7에 도시한 바와 같이, 알루미늄 판(61)을 전해액(63)에 담그고 알루미늄 판(61)에 양극을 걸어주고, 다른 쪽의 음극판(65)에 음극을 걸어주면, 도 8의 (a) 및 (b)에서 보는 바와 같이, 알루미늄 판(61) 표면에 산화막인 알루미나(62)가 형성되고, 나노미터 단위의 극미세 홀(67)이 형성된다. 상기 전해액(63)으로는 인산(H3PO4) 또는 옥살산(C2H2O4)을 사용할 수 있다.
도 9는 알루미늄 양극 산화 공정처리 후 나노미터 단위의 극미세 홀(67)이 형성된 알루미늄 표면의 전자현미경 사진이다.
도 10은 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 가공방법에 따라 양극 산화 공정처리 된 고체 기재의 표면을 도시한 단면도이다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 고체 기재의 표면 가공방법을 수행하기 위하여, 먼저 상기 제1 실시예에 따른 표면 가공방법에 따라 고체 기재(10)의 표면에 미세요철(12)을 형성한다.
다음으로, 이를 통해 얻어진 고체 기재(10)의 표면을 상기에서 설명한 양극산화 가공 처리(anodizing)한다. 이렇게 함으로써 도 10에 도시한 바와 같이, 입자 분사기를 이용해 형성한 미세요철(12)의 표면에 추가로 나노단위, 즉 수 내지 수십㎚ 크기의 극미세 홀(13)이 형성된 산형상의 미세요철(12)을 형성할 수 있다.
도 11은 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 가공방법에 따라 양극 산화 공정처리 된 고체 기재의 전자현미경 사진이다.
상기 제1 실시예에 따른 표면 가공방법에 따라 형성된 각 미세요철(12)의 표면에 극미세 홀(13)이 형성되어 있는 것을 확인할 수 있다.
도 12는 본 발명의 제3 실시예에 따른 표면 가공방법에 따라 처리된 미세요철을 갖는 금속 표면(71)에서의 유체 접촉 상태를 나타낸 사진이다.
여기서 사용된 고체 기재는 알루미늄이며, 샌드 블라스터를 이용하여 500 mesh (직경 약 30 내지 50㎛)의 금강사 입자를 6kgf/㎠ 의 압력으로 분사하였다.
본 실시예에서의 추가적인 가공단계인 양극 산화 공정처리에 사용된 전해액으로는 옥살산(C2H2O4) 0.3M 수용액이 사용되었고, 이 때 수용액의 온도는 섭씨 15도이며, 적용된 전압은 40VDC 이다.
도 12에서 보는 바와 같이, 유체(55)의 접촉각이 측정 불가능한 정도까지 극도로 낮아지게 되어 극친수성 표면을 가공할 수 있게 된다.
이상을 통해 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이상 설명한 바와 같이 본 발명에 따른 고체 기재의 표면 가공방법에 의하면, 간단하면서도 저렴한 제작공정을 통하여 고체 기재의 표면에 미세요철을 형성함으로써 친수성 표면을 용이하게 형성할 수 있으며, 이러한 표면에 비젖음성 코팅 처리하여 소수성 표면을 형성할 수 있다. 또한 입자 분사기를 이용하여 표면에 미세요철을 형성한 다음, 양극 산화 가공 처리함으로써 극친수성의 표면을 형성할 수 있다.
이렇게 형성된 친수성/소수성 표면을 갖는 고체 기재는 다양한 응용분야에 적용될 수 있다.
즉, 수분 응축 유도작용으로 습기를 조절할 수 있고, 공조 시스템의 응축기에 적용하여 응축 효율을 높일 수 있으며, 음료 캔 내부의 잔여물이 남지 않게 하여 재활용 공정을 단축시킬 수 있다. 또한 겨울철 차량 내부의 유리에 외부와의 온도 차이에 의해 김이 서리는 현상을 방지할 수 있고, 물과의 저항성이 매우 중요시되는 선박의 표면에 적용하여 추진력을 높일 수 있다. 뿐만 아니라 겨울철 눈이 쌓여 문제가 되는 접시형 안테나 표면에 적용이 가능하고 급수 배관에 적용하여 유량을 증가시키는 등 산업 전반에 적용이 가능하다.
한편, 동일 고체 기재에서 친수성 및 소수성 표면을 함께 형성시켜 일부분(소수성 표면)은 수분이 맺히지 않게 하면서 다른 부분(친수성 표면)으로 수분을 유도하는 응용도 가능하다.

Claims (14)

  1. 입자 분사기의 분사노즐을 고체 기재의 표면과 대향하도록 위치시키는 단계; 및
    상기 입자 분사기를 구동하여 미세입자를 상기 고체 기재의 표면에 분사하여 미세요철을 형성하는 단계
    를 포함하는 고체 기재의 표면 가공방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 미세요철이 형성된 고체 기재 표면의 적어도 일부분을 비젖음성 물질로 코팅하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 기재의 표면 가공방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 비젖음성 물질로는 PTFE (Polytetrahluoroethylene), FEP (Fluorinated ethylene propylene copolymer), PFA (Perfluoroalkoxy), SAM (Self assembled monolayer)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 고체 기재의 표면 가공방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 미세요철이 형성된 고체 기재의 표면을 양극산화 가공 처리하는 단계
    를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 고체 기재의 표면 가공방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 고체 기재는 알루미늄(Al) 재질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 기재의 표면 가공방법.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 입자 분사기는 모래 입자를 분사하는 샌드 블라스터(sand blaster)인 것을 특징으로 하는 고체 기재의 표면 가공방법.
  7. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 입자 분사기는 미세 금속구를 분사하는 입자 분사기인 것을 특징으로 하는 고체 기재의 표면 가공방법.
  8. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고체 기재는 금속 또는 폴리머 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체 기재의 표면 가공방법.
  9. 표면의 적어도 일부에 미세요철이 형성된 친수성부; 및
    표면의 적어도 다른 일부에 미세요철이 형성되고, 그 위로 비젖음성 물질이 코팅된 소수성부
    를 포함하는 이질성 표면을 갖는 고체 기재.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 친수성부는 입자 분사기로 미세 입자를 표면에 분사하여 형성되는 것을 특징으로 하는 이질성 표면을 갖는 고체 기재.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 비젖음성 물질은 PTFE (Polytetrahluoroethylene), FEP (Fluorinated ethylene propylene copolymer), PFA (Perfluoroalkoxy), SAM (Self assembled monolayer)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나의 물질인 것을 특징으로 하는 이질성 표면을 갖는 고체 기재.
  12. 표면의 적어도 일부에 형성되는 미세요철부; 및
    상기 미세요철부 각각에 이보다 더 작은 크기로 형성되는 극미세 홀
    을 포함하는 친수성 표면을 갖는 고체 기재.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 미세요철부는 입자 분사기로 미세입자를 표면에 분사하여 형성되는 것 을 특징으로 하는 친수성 표면을 갖는 고체 기재.
  14. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 극미세 홀은 양극 산화 가공 처리하여 형성되는 것을 특징으로 하는 친수성 표면을 갖는 고체 기재.
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