KR100948547B1 - 고진공 마그네트론 스퍼터링 건 - Google Patents

고진공 마그네트론 스퍼터링 건 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고진공 마그네트론 스퍼터링 건에 관한 것으로, 더 상세하게는 종래 마그네트론 스퍼터링 건에 하우징 양단의 상부에 각각 구비되는 2개의 양극; 상기 양극 상부에 각각 구비되는 2개의 필라멘트; 및 진공펌프관과 진공펌프를 추가로 구비하여, 중성화된 아르곤 기체를 재차 이온화시켜 고진공을 유지시킴으로써, 고품질의 박막을 생산하는데 유용하게 사용할 수 있다.
마그네트론 스퍼터링, 고진공, 필라멘트, 플라즈마

Description

고진공 마그네트론 스퍼터링 건{A high vacuum magnetron sputter gun}
본 발명은 고진공 마그네트론 스퍼터링 건에 관한 것이다.
박막구조는 우리 주위에 폭 넓게 이용되고 있다. 함석판에 입혀진 아연막과 주석막, 빛을 쉽게 투과시키기 위해 안경알에 입힌 비반사박막, 녹 방지를 위한 박막, 금속의 강도를 높여주는 금속박막, 반도체박막, 절연체박막, 자성박막, 유전체박막, 초전도박막 등 박막은 광범위하게 사용된다.
박막 증착은 약 100년 전 습기 제거에 용이한 실리카겔이 발견되면서 졸-겔(Sol-Gel) 형태의 박막 증착이 처음으로 개발되었으며, 단순한 화학물질을 이용하여 박막을 제조할 수 있기 때문에 저렴하여 현재까지 널리 이용되고있다. 이후, 개발된 방법은 음극판이나 양극판을 기판으로 이용하는 전기화학적 방법으로 단순하고 균일한 박막을 얻을 수 있기 때문에 상기 졸-겔법보다 더욱 정밀한 박막제조를 할 수 있다.
박막상태가 되면 물리적, 화학적 성질이 변하는 성질이 발견되면서 이를 이용하여 종래의 물질을 박막으로 제조하여 점성을 증가시키고, 표면장력을 감소시켜 이화학 원리의 실험이나 이화학 기계 제작에 응용하고 있다.
이에, 박막의 미세증착이 요구되면서 진공을 이용한 증착방법이 개발되었다. 크게 화학기상증착법(CVD, chemical vapor deposition)와 물리기상증착법(PVD, physical vapor deposition)로 나누어지는데 이중, 물리기상증착법은 다시 증발법(evaporation), 스퍼터링, 이온플레이팅(ion plating), 아크증착(arc deposition), 이온빔 보조증착(ion beam assisted deposition) 등으로 나눌 수 있다.
상기 물리기상증착법은 모두 진공 속에서 금속을 증발시켜, 증발된 입자를 기판에 증착시키는 방법이다. 이들 중, 증발법은 10-4 torr 이하의 진공 중에서 증착하고자 하는 물질을 가열하여 기화시켜 기체로 만들었을 경우, 기화된 물질이 원자 또는 분자 상태로 증발하여 증착되도록 하는 방법이다. 물질의 가열을 저항 또는 유도가열(induction heating) 대신에 5 내지 10 kV의 전자빔을 이용하여 금속을 증발시키기도 하는데, 전자가 충돌하는 표적물질 부분만 높은 온도가 유지되기 때문에 표적물질과 표적지부와의 반응을 억제할 수 있다. 상기와 같은 물리기상증착법 중 스퍼터링 방식은 높은 증착율 때문에 최근 널리 이용된다.
스퍼터링 현상은 1852년 Grove에 의하여 처음 발견되었으며, 현재는 여러 가지 박막의 형성에 광범위하게 사용되고 있다. 스퍼터링은 고에너지(30 eV 이상)를 가진 입자들이 스퍼터링 타겟에 충돌하고, 스퍼터링 타겟의 원자들에게 충돌에너지를 전달해줌으로써 원자들이 이온화되어, 원자들이 방출되는 현상이다. 만약, 충 돌하는 입자들이 양이온이라면 음극 스퍼터링이라고 부르는데, 대부분의 스퍼터링은 음극 스퍼티링이다. 일반적으로 스퍼터링은 양이온이 많이 사용되는데, 그 이유는 양이온은 전기장(electric field)을 인가해 주면 가속되기 쉽고 또한 타겟에 충돌하기 직전 타겟으로부터 방출되는 전자에 의하여 중성화되어 중성 원자로 타겟에 충돌하기 때문이다.
상기 스퍼터링 방식 중 가장 오래된 방식은 다이오드 스퍼터링(Diode sputtering) 방식인데, 진공이 유지된 챔버 내에 불활성 물질인 아르곤(Ar)을 흘려주면서 음극(130)에 직류 전원을 인가한다(㎠당 1 W 정도). 이때 음극(130)은 증착하고자 하는 물질을 이용한다. 증착하고자 하는 기판과 음극(130) 사이에 아르곤 양이온인 플라즈마가 발생하면 직류전류계에 의해서 음극으로 가속되어 스퍼터링 타겟(130) 표면에 충돌하게 된다. 상기 충돌에너지에 의해서 표적의 원자 분자가 튀어나오게 된다. 이와 같이 표적 물질이 떨어져 나오는 현상을 직류 다이오드 스퍼터링(DC diode sputtering) 이라고 한다(도 1 참조).
종종 전기적 부도체를 표적 또는 기판으로 사용할 경우가 있다, 이러한 부도체에 직류(DC)를 사용하여 글루 방전(glue discharge)을 일으키려 할 때 음극(스퍼터링 타겟)(130)은 이온에게 전자를 제공하지 못하기 때문에 이온이 음극 표면에 축적되게 된다. 이온이 다량 축적되면 음극 표면은 양전위를 띠게 되어 이온은 더 이상 접근하지 못하게 되고, 플라즈마 내부의 전기적 평형 상태가 깨져 수 초 내에 플라즈마가 사라지게 되어 글루 방전이 불가능하게 된다. 이러한 현상 때문에 부 도체를 이용한 스퍼터링 또는 에칭의 경우에는 교류 전원을 사용한다. 교류 전원을 사용하면 전극이 비록 부도체일지라도 주기적으로 양전위와 음전위를 번갈아 가해주기 때문에 표면에 이온이나 전자가 축적되지 않게 하면서 계속하여 글루 방전을 유지할 수 있으며, 절반 사이클 동안 축적된 이온은 다음의 절반 싸이클 동안 전자와의 충돌에 의해 중화된다.
다이오드 방식보다 높은 효율을 갖는 스퍼터링 방식들 중 트라이오드 스퍼터링(triode sputtering) 방식은 양극(Anode)(210)을 추가로 구비하여 금속 필라멘트(250)의 가열로 방출된 열전자가 아르곤 입자들을 타격해 이온화시키는 방식이며, 이는 상기 열전자를 통해 기체의 이온화율을 높임으로써 낮은 기체 압력(10-5 torr) 및 낮은 전압에서도 스퍼터링이 가능하도록 한 것이다. 상기 다이오드 스퍼티링 장치에 자기장(대략 25 G)을 걸어주면 전자가 나선형 운동을 하기 때문에 더욱 많은 기체입자를 이온화시킬 수 있어 플라즈마 밀도가 다이오드 방식보다 높아질 수 있다. 상기 트라이오드 스퍼터링 장치는 방출되는 열전자의 양을 조절함으로써, 기체의 압력이나 전압을 바꾸지 않고 이온 전류를 조절할 수 있는 장점 외에 낮은 압력에서도 증착 가능하기 때문에 널리 이용되지만, 열전자로 인한 오염 및 필라멘트로 이용되는 텅스텐에 의한 오염 등의 단점이 있다(도 2 참조).
또한, 이온빔이란 양전하 또는 음전하를 갖는 이온의 흐름을 말한다. 텅스텐처럼 녹는점이 높은 금속을 진공에서 가열하여 방출되는 열전자를 100 eV 정도로 가속하여 기체원자에 충돌시키면 이온이 발생되고 이 이온들을 전기장에서 가속시켜 이온빔을 얻는다. 이온 빔을 입사시킴으로써 타겟을 증발시켜 기판에 증착하는 방식을 이온 빔 스퍼터링 이라하며 고도의 정밀한 박막을 제조할 때 이용된다.
이온빔 스퍼터링 방식은 이온빔(350)과 타겟(330), 기판 등이 트라이앵글 구조로 이루어져 기판의 증착 균질도가 나빠, 기판을 추가로 회전시켜야 하는 단점이 있고 필라멘트(350)로 이용되는 텅스텐이 함께 증착되는 단점들이 있어 소형 기판을 코팅할 때 이용된다(도 3 참조).
마그네트론 스퍼터링(Magnetron sputtering) 방식은 높은 증착효율 때문에 가장 널리 이용된다. 상기 마그네트론 스퍼터링 장치는 스퍼터링 공정이 수행되는 공정챔버; 상기 공정챔버의 내부에 위치하는 스퍼터링 타겟(430); 상기 스퍼터링 타겟을 지지하는 지지부(490); 상기 지지부 내부에 위치하되, 상기 공정챔버 내에 형성되는 플라즈마를 상기 스퍼터링 타겟(430) 표면의 지근거리에 유지시키기 위해 상기 타겟(430) 표면에 평행한 방향으로 자장이 발생되도록 배열되는 3 이상의 영구자석(460); 상기 영구자석(460)을 포함하는 지지부(490)에 연결되어 지지부 내부에 냉각수가 흐르도록 구비되는 냉각관(440); 상기 스퍼터링 타겟(430) 및 상기 지지부(490)를 둘러싸는 하우징(420); 및 상기 하우징(420)에 연결되어 상기 스퍼터링 타겟(430)의 후면에 아르곤 기체(Ar)를 공급하도록 구비되는 아르곤 기체 공급관(480)을 포함하여 이루어진다.
상기 방식은 DC 스퍼터링 방식과 비슷하지만 음극(스퍼터링 타겟)(430)에 영 구 자석(460)을 장착하여 타겟(430) 표면과 평행한 방향으로 자장을 걸어주며, 이러한 자장은 타겟(430) 표면과 평행하기 때문에 전장에 대해서는 수직으로 형성된다. 따라서 전자는 로렌츠의 힘을 받아 선회운동을 하며 가속되기 때문에 나선운동을 한다. 이를 통해 전자가 타겟(430) 근처에서 벗어나지 못하게 되고 계속 그 주변을 선회하기 때문에 플라즈마가 타겟(430) 표면에 매우 가까운 곳에 유지되어 타겟 근처에서 플라즈마 밀도가 매우 높아지게 되므로 이온화율이 증가한다. 박막의 증착 속도는 약 50배 정도까지 향상될 수 있으며, 증착 압력도 1 mtorr 까지 낮아질 수 있다. 전형적인 자장의 세기는 200 ~ 500G이다(도 4 참조).
상기 공정챔버는 목적물질의 박막 증착을 위한 진공을 유지하기 위한 용기 역할을 하며, 상기 챔버 내의 공기를 제거하기 위한 배출라인 및 진공펌프, 상기 챔버 내로 불활성 기체를 주입하기 위한 공급관(480) 및 펌프는 챔버 내의 공기를 제거하고, 챔버 내를 불활성 기체 분위기로 만드는 역할을 한다.
이 경우, 상기 불활성 기체의 공급관(480) 및 펌프는 챔버에 직접 연결하거나, 또는 스퍼터링 타겟(430) 후면에 연결하는 것이 가능하나, 챔버에 직접 연결할 경우, 불활성 기체가 이온화되지 않고 진공펌프에 의해 챔버 외부로 배출될 수 있어, 타겟(430) 후면에 연결된다.
상기 영구자석(460)은 양측에 S극이 대칭적으로 위치하고, 중간에 N극이 병렬로 위치하며 스퍼터링 타겟(430) 하부에 구비하여 상기 스퍼터링 타겟(430) 주위에 자기장을 걸어주어, 스퍼터링 타겟(430) 주위에 양이온밀도를 높임으로써 불활성 기체의 이온화율을 증가시키는 역할을 한다.
상기 영구자석(460) 사이에 냉각관(440) 및 전기 라인 종단부에 펌프를 설치하여 챔버 내의 과열을 방지할 수 있다.
상기 마그네트론 스퍼터링 방식의 단점은 표적이 균일하게 소모되지 않는다는 것이다. 즉 자기력선이 직선에 가까운 곳에서 더 많은 스퍼터링이 일어난다. 따라서 기판에서 균일한 증착이 얻어지지 않는다. 또한 다이오드 또는 트라이오드 방식보다 상대적으로 낮은 진공에서 증착이 일어나기 때문에 박막의 질이 떨어지는 문제가 있다. 이러한 문제를 낮은 진공도 하에서 증착이 일어나는 것을 개선하기 위해 스퍼터링 타겟(430) 후면에 아르곤 기체를 직접 연결하여 공급하는 방법이 개발되어, 미반응 아르곤 기체가 진공 펌프에 의해 챔버 외부로 방출되는 문제를 해결하는 것이 가능하게 되었으나, 낮은 진공도 하에서 증착이 일어남으로 인해 박막의 증착 효율 및 증착 속도가 떨어지는 문제는 여전히 남아있다.
이에 본 발명자들은 종래 마그네트론 스퍼터링 건에 양극, 필라멘트와 진공펌프관 및 진공펌프를 추가로 포함시켜 고진공 하에서도 박막 증착이 가능하고, 증착 효율 및 증착 속도를 높일 수 있는 마그네트론 스퍼터링 장치를 구현하고, 이를 이용하여 박막을 제조하여 본 발명을 완성하였다.
본 발명의 목적은 고진공 마그네트론 스퍼터링 건을 제공하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 상기 스퍼터링 건을 구비하는 고진공 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용한 박막 증착방법을 제공하는데 있다.
상기 목적을 해결하기 위하여, 본 발명은 고진공 마그네트론 스퍼터링 건을 제공한다.
또한, 본 발명은 상기 스퍼터링 건을 구비하는 고진공 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용한 박막 증착방법을 제공한다.
본 발명에 의하면, 종래 마그네트론 스퍼터링 건에 하우징 양단의 상부에 각각 구비되는 2개의 양극; 상기 양극 상부에 각각 구비되는 2개의 필라멘트; 및 진공펌프관 및 진공펌프를 추가로 구비하여, 중성화된 아르곤 기체를 재차 이온화시켜 고진공을 유지시킴으로써, 고품질의 박막을 생산하는데 유용하게 사용할 수 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 스퍼터링 공정이 수행되는 공정챔버; 상기 공정챔버의 내부에 위치하는 스퍼터링 타겟; 상기 스퍼터링 타겟을 지지하는 지지부; 상기 지지부 내부에 위치하되, 상기 공정챔버 내에 형성되는 플라즈마를 상기 스퍼터링 타겟 표면의 지근거리에 유지시키기 위해 상기 타겟 표면에 평행한 방향으로 자장이 발생되도록 배열되는 3 이상의 영구자석; 상기 영구자석을 포함하는 지지부에 연결되어 지지부 내부에 냉각수가 흐르도록 구비되는 냉각관; 상기 스퍼터링 타겟 및 상기 지지부를 둘러싸는 하우징; 및 상기 하우징에 연결되어 상기 스퍼터링 타겟의 후면에 아르곤 기체(Ar)를 공급하도록 구비되는 아르곤 기체 공급관을 포함하여 이루어지는 마그네트론 스퍼터링 건에 있어서, 상기 하우징 양단의 상부에 각각 구비되는 2개의 양극; 상기 양극 상부에 각각 구비되는 2개의 필라멘트; 및 진공펌프관과 진공펌프를 추가로 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고진공 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공한다.
본 발명에 따른 마그네트론 스퍼터링 건은 상기 스퍼터링 타겟(13) 및 상기 지지부(19)를 둘러싸는 하우징(12)을 포함한다. 상기 하우징(12)은 지지부 내부의 영구자석으로부터 발생되는 자기장이 하우징(12) 상부에 구비되는 양극(33)에 도달되는 것을 방지하기 위해 자기장 차단재(31)(magnetic field shielding material)로 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 마그네트론 스퍼터링 건은 상기 하우징(12) 양단의 상부에 각각 구비되는 2개의 양극(33)을 포함한다. 상기 양극(33)은 필라멘트(51)로부터 발생되는 열전자가 수용되는 전면부를 제외하고는 전기 절연성 물질로 둘러싸여 상기 하우징(12) 상부에 위치할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 마그네트론 스퍼터링 건은 상기 양극(33) 상부에 각각 구비되는 2개의 필라멘트(51)를 포함한다. 상기 필라멘트(51)는 열전자를 발생시키고, 발생된 열전자는 챔버 내의 타측 대각방향에 위치한 양극(33)으로 향하며, 이온화되지 않고 진공펌프로 향하는 아르곤 분자를 이온화시켜 챔버 내의 이온화 밀도를 고농도로 유지시켜, 박막의 증착 효율 및 챔버 내의 고진공을 유지시키는 역할을 한다. 이때, 상기 필라멘트(51)는 텅스텐 필라멘트인 것이 바람직하며, 상기 양극(33)과 같이 발생된 열전자의 출구를 제외하고 필라멘트를 포함하는 하우징(31)으로 둘러싸여 영구자석으로부터 발생되는 자기장에 영향을 받지 않도록 한다. 나아가, 본 발명에 구비되어 있는 필라멘트 하우징(53)에 위치한 열전자의 출구는 상기 필라멘트 하우징(53)과 마주보고 있는 진공펌프관(90) 하부의 양극을 지향할 수 있고, 조리개(55)가 구비되어 상기 필라멘트(51)로부터 발생되는 열전자의 양을 조절할 수 있다.
본 발명에 따른 스퍼터링 건에 포함되는 각각의 필라멘트(51)로부터 발생되는 열전자는 스퍼터링 타겟(13) 후면으로 공급된 아르곤 기체 중 비이온화되어 진공펌프관(90)을 향하는 아르곤 기체(Ar)와 충돌 및 이온화시켜 스퍼터링 타겟(13) 과 반응하도록 하고, 스퍼터링 타겟(13)으로부터 전자를 공급받아 다시 중성화된 아르곤 기체와 충돌 및 이온화시켜 스퍼터링 타겟(13)과 재차 반응하도록 할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 스퍼터링 건은 진공펌프관(90) 및 진공펌프를 포함한다. 이때, 상기 진공펌프관(90) 및 진공펌프아르곤는 아르곤 기체(Ar)를 상기 스퍼터링 타겟(13) 및 지지부(19)를 포함하는 하우징(12)으로부터 벗어나지 못하도록 고진공을 유시키는 역할을 한다.
한편, 본 발명은 상기 건을 구비하는 고진공 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용한 박막증착방법을 제공한다. 먼저, 스퍼터링 타겟(13) 후면에 공급되는 아르곤 기체 중 비이온화된 아르곤 기체 또는 스퍼터링 타겟(13)으로부터 전자를 공급받아 중성화된 아르곤 기체를 필라멘트(51)로부터 발생되는 열전자와 충돌시켜 이온화시킴으로써 스퍼터링 타겟(13)의 주위에 머무르게 하여 스퍼터링 타겟(13)과 반복적으로 반응하게 하고, 추가적으로 구비된 진공펌프에 의해 공정챔버 내의 고진공을 지속적으로 유지시키면서 박막을 증착할 수 있는 방법을 제공한다.
도 1은 다이오드 스퍼터링 장치의 개략도이고;
도 2는 트라이오드 스퍼터링 장치의 개략도이고;
도 3은 이온빔 스퍼터링 장치의 개략도이고;
도 4는 종래 마그네트론 스퍼터링 장치의 개략도이고; 및
도 5는 본 발명에 따른 일실시 형태의 개략도이다.
<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명>
110,210,310,410,33: 양극 120,220,320: 지지대
130,230,330,430: 스퍼터링 타겟 140,240,340,440: 냉각관
250,350,51: 필라멘트 360,460,16: 영구자석
380,480,18: 기체 공급관 490,19:지지부
420,12: 하우징 53: 필라멘트 하우징
55: 조리개 90: 진공 펌프관

Claims (12)

  1. 스퍼터링 공정이 수행되는 공정챔버;
    상기 공정챔버의 내부에 위치하는 스퍼터링 타겟;
    상기 스퍼터링 타겟을 지지하는 지지부;
    상기 지지부 내부에 위치하되, 상기 공정챔버 내에 형성되는 플라즈마를 상기 스퍼터링 타겟 표면의 지근거리에 유지시키기 위해 상기 타겟 표면에 평행한 방향으로 자장이 발생되도록 배열되는 3 이상의 영구자석;
    상기 영구자석을 포함하는 지지부에 연결되어 지지부 내부에 냉각수가 흐르도록 구비되는 냉각관;
    상기 스퍼터링 타겟 및 상기 지지부를 둘러싸는 하우징; 및
    상기 하우징에 연결되어 상기 스퍼터링 타겟의 후면에 아르곤 기체(Ar)를 공급하도록 구비되는 아르곤 기체 공급관을 포함하여 이루어지는 마그네트론 스퍼터링 건에 있어서,
    상기 하우징 양단의 상부에 각각 구비되는 2개의 양극;
    상기 양극 상부에 각각 구비되어 열전자를 발생시키고, 열전자를 발생시키는 열전자 출구를 제외하고 하우징으로 둘러싸여 있으며, 상기 하우징의 열전자 출구는 상기 하우징과 마주보고 있는 진공펌프관 하부의 양극을 지향하는 2개의 필라멘트; 및
    진공펌프관과 진공펌프를 추가로 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 고진공 마그네트론 스퍼터링 건.
  2. 제1항에 있어서, 상기 스퍼터링 타겟 및 상기 지지부를 둘러싸는 하우징은 지지부 내부의 영구자석으로부터 발생되는 자기장이 하우징 상부에 구비되는 양극에 도달되는 것을 방지하기 위해 자기장 차단재(magnetic field shielding material)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고진공 마그네트론 스퍼터링 건.
  3. 제1항에 있어서, 상기 양극은 필라멘트로부터 발생되는 열전자가 수용되는 전면부를 제외하고는 전기 절연성 물질로 둘러싸인 것을 특징으로 하는 고진공 마그네트론 스퍼터링 건.
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서, 상기 필라멘트는 텅스텐 필라멘트인 것을 특징으로 하는 고진공 마그네트론 스퍼터링 건.
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 제1항에 있어서, 상기 필라멘트 하우징의 열전자 출구는 상기 필라멘트로부터 발생되는 열전자의 양을 조절하는 것이 가능하도록 조리개가 구비되는 것을 특징으로 하는 고진공 마그네트론 스퍼터링 건.
  9. 제1항에 있어서, 상기 각각의 필라멘트로부터 발생되는 열전자는 스퍼터링 타겟 후면으로 공급된 아르곤 기체 중 비이온화되어 진공펌프관을 향하는 아르곤 기체(Ar)와 충돌 및 이온화시켜 스퍼터링 타겟과 반응하도록 하는 것을 특징으로 하는 고진공 마그네트론 스퍼터링 건.
  10. 제1항에 있어서, 상기 각각의 필라멘트로부터 발생되는 열전자는 스퍼터링 타겟으로부터 전자를 공급받아 다시 중성화된 아르곤 기체와 충돌 및 이온화시켜 스퍼터링 타겟과 재차 반응하도록 하는 것을 특징으로 하는 고진공 마그네트론 스퍼터링 건.
  11. 제1항에 있어서, 상기 진공펌프관 및 진공펌프는 아르곤 기체(Ar)를 상기 스퍼터링 타겟 및 지지부를 포함하는 하우징으로부터 벗어나지 못하도록 고진공을 유시키는 것을 특징으로 하는 고진공 마그네트론 스퍼터링 건.
  12. 스퍼터링 타겟 후면에 공급되는 아르곤 기체 중 비이온화된 아르곤 기체 또는 스퍼터링 타겟으로부터 전자를 공급받아 중성화된 아르곤 기체를 필라멘트로부터 발생되는 열전자와 충돌시켜 이온화시킴으로써 스퍼터링 타겟의 주위에서 머무르게 하여 스퍼터링 타겟과 반복적으로 반응하게 하고, 추가적으로 구비된 진공펌프에 의해 공정챔버 내의 고진공을 지속적으로 유지시키는 것을 특징으로 하는 제1항의 스퍼터링 건을 구비하는 고진공 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용한 박막 증착방법.
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