KR100947098B1 - 에이엘디법을 이용한 금속 박막 형성 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 원자층 증착 방법을 통해 금속 박막을 형성시키기 위해 선구 물질이 흡착되는 기판의 과포화상태를 유도하여 리간드 분해시 유입되는 플라즈마의 영향을 감안하여 선구 물질의 노출 시간을 달리하는 단계를 포함시켜 선구 물질의 포화 반응을 효과적으로 일어나게 도와주는 공정을 실시하도록 하는 ALD법을 이용한 금속 박막 형성 방법을 제공하는데 그 특징이 있다.

또한, 본 발명은 원자층 증착법을 이용한 박막의 증착에서 초기 공정을 달리하여 금속 또는 비금속 물질의 증착율을 향상시키는데 있다.

또한, 본 발명은 얇은 두께에서도 우수한 전기적 특성을 유지할 수 있도록 적절한 플라즈마 유입으로 불순물을 용이하게 제거시키는데 있다.

또한, 본 발명은 선구 물질의 종류에 따른 포화 시간과 가스 유량 등을 적절히 체크하여 효과적으로 수행하는데 있다.

원자층, 증착율, 플라즈마, ALD

Description

에이엘디법을 이용한 금속 박막 형성 방법{Method of forming metal layer using Atomic Layer Deposition}

본 발명은 ALD법을 이용한 금속 박막 형성 방법에 관한 것으로,

좀 더 상세하게는 원자층 증착 방법을 통해 금속 박막을 형성시키기 위해 선구 물질이 흡착되는 기판의 과포화상태를 유도하여 리간드 분해시 유입되는 플라즈마의 영향을 감안하여 선구 물질의 노출 시간을 달리하는 단계를 포함시켜 선구 물질의 포화 반응을 효과적으로 일어나게 도와주는 공정을 실시하도록 하는 ALD법을 이용한 금속 박막 형성 방법에 관한 것이다.

일반적으로, 반도체 소자에서 초 고집적화 트랜지스터의 SiO₂ 박막을 이용한 게이트 산화막에서 발생하는 점차 얇아지는 두께에 따른 누설 전류 문제를 해결하기 위해 유전 상수의 값이 높은 물질이 요구되어 대체 물질로써 금속 산화물 박막이 요구되었고, 또한 금속 배선층도 얇으면서 전도성이 우수한 박막이 요구되고 있는 실정이다.

이때, 사용되는 산화막 및 금속의 두께는 수 나노미터(nm)의 두께를 가지며 박막의 불순물 함량의 최소화 및 우수한 단차 피복률 특성과 실제 소자에 적용될 수 있는 물질이 필요하게 되었다.

그리고, 박막의 제조 공정이 수십 나노미터 이하로 미세화되고 있으며 원자층의 박막 조절이 가능한 공정 개발이 요구되고 있다.

이러한, 증착 방법으로는 종래 화학기상증착(Chemical Vapor Deposition: CVD) 방법이 많이 사용되었으나, 단차가 큰 구조에서 측면과 밑면의 증착된 막의 두께가 달라지는 현상을 막기 위해 박막 도포성(Step Coverage)이 우수한 증착 방법이 요구되었으며, 최근에는 박막의 균일도를 높이며 아주 얇은 초박막을 형성할 수 있는 원자층 증착 방법(Atomic Layer Deposition : ALD)이 많이 사용되고 있다.

상기의 원자층 증착 방법은 원료공급 주기를 변수로 하여 초기 흡착의 반응원료들의 표면반응을 이용한 증착 방법이지만, 원료 공급을 주기적으로 진행하기 때문에 공정에 많은 시간이 소요되며 반응원료들이 가지고 있는 불순물이 다량 포함될 수 있다.

이에 따라, 증착된 박막내의 불순물들은 아주 얇은 두께에 치명적인 누설전류가 발생될 수 있는 문제가 있고, 상기의 문제를 해결하기 위해 플라즈마(Plasma) 공정이 도입되었지만 플라즈마 공정을 도입하면서 외부에서 가해지는 에너지로 인해 초기에 흡착된 선구 물질을 효과적으로 분해할 수도 있으나 이를 오히려 방해하여 초기 증착을 방해하는 요소로 작용하기도 한다.

이는, 선구 물질이 흡착되는 기판에 포화상태로 존재하는 것을 억제하여 특히 리간드의 분해를 이루는 ALD 단계를 포함하는 금속 박막의 초기 형성에 많은 어 려움을 줄 수가 있는 것이다.

본 발명은 상기한 바와 같은 종래기술이 갖는 제반 문제점들을 해결하고자 창출된 것으로 다음과 같은 목적을 갖는다.

본 발명은 원자층 증착 방법을 통해 금속 박막을 형성시키기 위해 선구 물질이 흡착되는 기판의 과포화상태를 유도하여 리간드 분해시 유입되는 플라즈마의 영향을 감안하여 선구 물질의 노출 시간을 달리하는 단계를 포함시켜 선구 물질의 포화 반응을 효과적으로 일어나게 도와주는 공정을 실시하도록 하는 ALD법을 이용한 금속 박막 형성 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명의 다른 목적은 원자층 증착법을 이용한 박막의 증착에서 초기 공정을 달리하여 금속 또는 비금속 물질의 증착율을 향상시키는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 얇은 두께에서도 우수한 전기적 특성을 유지할 수 있도록 적절한 플라즈마 유입으로 불순물을 용이하게 제거시키는데 있다.

본 발명의 또 다른 목적은 선구 물질의 종류에 따른 포화 시간과 가스 유량 등을 적절히 체크하여 효과적으로 수행하는데 있다.

이하, 상기한 본 발명에 대해서 구체적으로 살펴보기로 한다.

본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다.

그리고 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 설정된 용어들로서 이는 사용자 및 생산자의 의도 또는 관례에 따라 달라질 수 있으므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.

본 발명을 설명함에 앞서, ALD 공정에서 높은 증착율을 얻어 프로세스의 수율을 높이기 위해 프로세스의 온도와 압력을 달리하고 있지만, 현재는 비교적 낮은 온도에서 ALD 특성을 보이는 선구물질을 사용하여 이를 해결하고자 하는 방법, 즉 선구물질의 변화를 주는 것으로 해결의 실마리를 찾고 있다.

하지만 금속의 형성은 기판의 표면 상에 선구 물질의 반응과 선구 물질의 리간드의 분해, 그리고 선구물질 간의 반응에 의해서 결정되는 것을 생각해 본다면 이 또한 본질적인 해결방안은 될 수 없다.

이에, ALD 반응모델을 생각해본다면 최대한 짧은 시간동안 기판에서 선구물질이 포화 상태가 되고 흡착되지 않은 선구물질의 배출과 분해된 리간드를 제거하기 위해 필요한 시간을 최대한 줄이는 것이 공정 수율을 높이는 데 가장 이상적이라고 할 수 있을 것이다.

그리고, 이를 도와주기 위한 방안으로는 기판의 처리를 통해 초기 선구물질의 흡착을 최대한 유도할 수 있는 방법이 있을 수 있는 것으로서, 본 발명에서는 선구물질에 상관없이 초기에 선구물질이 기판에 흡착되는 것을 과포화시켜 리간드의 분해 공정중에 발생되는 것을 감안하는 방법을 제시함으로써 낮은 증착율을 향상시키고자 하는 것이다.

즉, 본 발명은 원자층 증착 방법을 이용하여 박막을 형성하는 방법에 있어서, 증착율 향상을 위해 선구 물질의 가스 유량 또는 시간을 달리하는 ALD 공정을 두 단계 이상 사용하여 증착을 실행하게 되는 것이다. 바람직하기로 LD 공정을 이용한 박막을 제조하기 위해, 선구 물질 주입, 퍼지 가스 주입, 플라즈마 유입, 및 퍼지 가스 주입을 1 사이클로 2회 이상 수행하며, 전체 사이클을 기판에 흡착되는 선구 물질이 과포화하는 초기 단계와, 포화 상태를 유지하는 후기 단계의 두 단계로 구분하여 수행한다.

이때, 상기에서 증착되는 박막이 금속 물질 또는 비금속 물질 중에 어느 하나 선택되고, 상기에서 선택된 물질은 단일 원소 또는 복합 원소 중에 어느 하나 선택되며, 상기 선구 물질의 가스 유량을 달리하여 실시하는 경우 후기 단계의 선구 물질 가스 유량에 비해 초기 단계의 선구 물질 가스 유량이 2~10배 정도의 가스 유량을 흘리도록 실행하고, 상기 선구 물질의 가스 유입 시간을 달리하여 실시하는 경우 후기 단계의 선구 물질 가스 시간에 비해 초기 단계의 선구 물질 가스 유량이 2~10배 정도의 가스 시간을 달리하도록 실행하게 되는 것이다.

또한, 상기 선구 물질이 기판에 흡착될 때 증착하고자 하는 기판의 온도를 50℃ ~ 500℃의 범위로 유지시키고, 상기에서 증착하는 선구 물질의 두께가 50Å ~ 1000Å으로 갖도록 실행하며, 상기에서 증착하는 선구 물질에 대한 분해를 플라즈마 유입에 의해 실시하여 실행하게 된다.

본 발명은 선구 물질이 흡착되는 기판의 과포화상태를 유도하여 리간드 분해시 유입되는 플라즈마의 영향을 감안하여 선구 물질의 노출 시간을 달리하는 단계를 포함시켜 선구 물질의 포화 반응을 효과적으로 일어나게 도와주는 공정을 실시함으로써, 원자층 증착 방법을 통해 금속 박막이 효율적으로 형성되는 효과가 있다.

또한, 본 발명은 원자층 증착법을 이용한 박막의 증착에서 초기 공정을 달리하여 금속 또는 비금속 물질의 증착율이 향상되는 효과와, 얇은 두께에서도 우수한 전기적 특성이 유지되도록 적절한 플라즈마 유입으로 불순물이 용이하게 제거되는 효과가 있다.

또한, 본 발명은 선구 물질의 종류에 따른 포화 시간과 가스 유량 등이 적절히 체크되어 효과적으로 수행함으로 인해 전체적으로 실시되는 신뢰도 및 만족도가 우수해지는 등의 여러 효과가 있다.

상기한 본 발명을 이루기 위한 바람직한 실시예에 대해 구체적으로 살펴보기로 한다.

즉, 본 발명인 ALD법을 이용한 금속 박막 형성 방법은 원자층 증착 방법을 이용하여 박막을 형성하게 되는데, 이때 선구 물질의 가스 유량 또는 시간을 달리하는 ALD 공정을 두 단계 이상 사용하여 증착을 실행하게 되면 증착율을 향상시킬 수가 있는 것이다.

또한, 본 발명은 선구 물질의 가스 유량 또는 시간을 달리하지 않고 같은 단계를 반복하여 증착을 실행하게 되면 증착율을 향상시킬 수가 있다.

이때, 상기에서 증착되는 박막이 금속 물질 또는 비금속 물질 중에 어느 하나 선택되어 실행할 수가 있는데, 상기 금속 물질은 단일 원소 또는 복합 원소 중에 어느 하나 선택될 수가 있고, 상기 비금속 물질도 단일 원소 또는 복합 원소 중에 어느 하나 선택될 수가 있는 것이다.

이에 따른, 상기 선구 물질이 기판에 흡착될 때 증착하고자 하는 기판의 온도를 일정하게 유지시키는데, 이때의 온도는 50℃ ~ 500℃의 범위로 유지시키는 것이 바람직하다.

상기 선구 물질이 기판에 흡착될 때 증착하고자 하는 기판의 온도를 단계별로 일정하게 유지시키게 되고, 이때 상기에서 각 단계별 온도를 달리하여 증착율을 향상시키기 위해 상기의 단계별 온도는 초기단계의 온도가 후기 단계의 온도와 같거나 온도 차이가 100 ℃ 범위 내에서 높게 설정하게 되는 것이다.

그리고, 상기에서 증착하는 선구 물질의 두께가 50Å ~ 1000Å으로 갖게 되는 것이다.

또한, 상기에서 증착하는 선구 물질의 분해를 플라즈마 유입을 통해 실시하게 되는 것이다.

상기 선구 물질의 가스 유량을 달리하여 실시하는 경우에는 후기 단계의 선구 물질 가스 유량에 비해 초기 단계의 선구 물질 가스 유량이 2~10배 정도의 가스 유량을 흘리게 되고, 상기 선구 물질의 가스 유입 시간을 달리하여 실시하는 경우에는 후기 단계의 선구 물질 가스 시간에 비해 초기 단계의 선구 물질 가스 유량이 2~10배 정도의 가스 시간을 달리하는 것이다.

상기에서와 같은 본 발명에 따른 ALD 공정은 증착하고자 하는 기판의 온도에서 유입된 초기 선구 물질이 기판에 흡착될 때, 단시간에 최대 포화상태가 되는 것을 목적으로 챔버의 크기를 최소화하고 유입되는 가스와 기판간의 거리 또한 가장 적합한 상태의 간격을 유지하여 증착된 물질의 막균일도를 최대한 높이려는 것이 다.

이는, 보통 산화막 또는 질화막의 형성에는 부합되나 단일 금속 박막의 경우 선구 물질의 리간드를 충분히 분해하여 박막내의 불순물을 효과적으로 제거하는 것이 ALD 공정에서 가장 추구하고자 하는 것이다.

이에, 금속 또는 비금속 나노 사이즈 박막은 불순물의 함량에 의해 전기적인 특성이 좌우된다고 할 만큼 박막내의 불순물 함량이 막 특성에 기인하게 된다.

이러한 특성으로 인해 리간드의 분해를 위해 인가되는 높은 플라즈마에 의해 초기 흡착된 선구 물질마저 분해가 되어 배출되는 경우가 많이 발생하게 된다.

또한, 리간드의 분해가 일어나지 않게 되면 다음 공정에서 유입되는 선구 물질 또한 반응을 일으키지 못하고 리간드를 포함하는 선구 물질 자체로 반응 챔버에 남아있는 경우가 생기게 된다.

따라서, 초기에 흡착되는 선구 물질을 과포화 상태로 유지하는 것이 중요한데, 이는 ALD 공정을 이용한 금속 박막의 증착에서 초기 세트에 막이 거의 생기지 않는 것으로, 이러한 금속 박막의 초기 증착 문제를 해결하기 위해서는 초기 공정의 가스 유량 또는 가스 유입시간을 조절하여 초기 흡착 선구 물질을 과포화 상태로 유지하는 것이 필요하며 컴퓨터 제어 전기 구동식 공압밸브에 의한 노출에 의한 스위칭 속도를 두 세트 혹은 그 이상의 단계별 세트를 이용하는 것이 바람직하다.

이에 따라, 본 발명에서는 초기 노출 시간을 길게 하여 흡착되는 선구 물질이 과포화되는 단계와 노출시간이 포화상태로 유지하는 단계로 나누어 실시하게 되는 것이다.

즉, 본 발명에 따르면 초기 선구 물질의 시간을 달리하여 증착된 두 가지의 형태의 공정을 비교해보았을 때, 전도도의 차이가 확연히 드러나는 것으로 보아 증착율이 향상된다는 것을 알 수 있고, 박막 금속의 두께와 전도도는 비례한다고 할 수 있으며, 특히 상기 두께는 전도도 측정을 통해 예상할 수 있는 것이다.

상기와 같이, 본 발명에서 제시하는 초기 공정의 선구 물질의 과포화 흡착 상태를 유지하기 위해 두 가지의 ALD 공정 단계로 나누어 증착하게 되는 것이다.

도시된 첨부도면 도 1 및 도 2를 통해 살펴보면, 일차적인 선구 물질(금속 소스가스 흡착)의 포화 반응을 최대한 일어나게 하는 것으로 선구 물질의 노출 시간을 달리하는 세트를 포함하는 공정을 통해 초기 공정 중에 선구 물질이 흡착되는 것을 늘려 과포화 상태를 만들어 초기 증착율을 높이는 것이다.

이에, 도 1은 모든 가스주입시간이 동일한 ALD 프로세스로, 이는 초기 공정이 아닌 일정 사이클이 지난 후에 실시되는 공정을 나타낸 것이고, 도 2는 초기공정에 사용되는 프로세스로, 이는 소스주입시간을 2~10배가량 늘려 선구 물질이 흡착되는 기판의 과포화상태를 유도하는 공정을 나타낸 것이다.

이에 따라 실시되는 본 발명에서는 초기공정에 사용하는 프로세스를 25cycle ~ 50cycle 정도를 달리하여 실시하였으나, 100cycle 정도를 실시하는 것이 바람직하고, 이러한 방법은 선구 물질의 선택에 따라 많은 영향을 받으며 이는 실험을 통해 해결하는 것이 올바른 선택이다.

본 발명에서는 Ru 물질을 이용하여 실험을 실시한 것으로, 그 결과 초기 흡착 모드인 ALD 공정단계를 많이 실시할수록 전도도의 향상을 가져왔다.(첨부도면 도 3 및 도 4 참조)

이러한 결과는 박막 금속의 경우 두께에 따라 전도도가 비례하므로 두께가 더 두꺼워 졌다는 것을 의미한다.

이와 같은, 실험 결과는 단지 Ru의 실험 경우에만 적용되는 것은 아니며 단일 원소로 이루어지는 금속 또는 비금속 물질을 증착할 때 모두 적용될 수 있는 것이다.

따라서, 단일 원소로 이루어지는 금속 또는 비금속 물질을 원자층 증착 방법을 이용하여 증착할 경우, 증착율 향상을 위해 본 발명에서 이용된 두 가지이상 단계의 ALD 공정을 도입하는 경우 본 발명에 귀속됨을 밝힌다.

특히, 플라즈마 공정을 통해 리간드의 분해를 유도하고 이를 다시 선구 물질과의 반응을 통한 공정을 이용하는 경우에도 이에 해당된다.

상기에서 설명한, 두 가지 이상의 단계를 이용한 원자층 증착법을 이용한 금속 박막의 형성은 단일 원소로 이루어지는 금속 또는 비금속 증착에 매우 효과적이나 이 경우에만 한정되는 것은 아니고, 두 가지 이상의 원소로 이루어지는 모든 물질에 적용가능하며 또한 소스 주입시간을 달리한 단계뿐만 아니라 유량을 달리하거나 삽입 구간을 두어 진공 상태를 유지하는 것도 이에 해당된다고 할 수 있다.

상기와 같은 본 발명을 효과적으로 수행하려면 기판의 전처리를 통해 기판에 일정한 수산화 기 혹은 수소기를 나열하는 것이 필요하게 되고, 선구 물질의 종류에 따른 포화 시간과 가스 유량등을 적절히 체크해야 하는 것이다.

이를 토대로 살펴볼 때, 본 발명에서는 종래에 실시하고 있는 원자층 증착 방법을 이용하여 금속 물질을 증착하는 경우 낮은 증착율로 인해 금속 배선으로의 사용이 매우 어려운 문제를 해결하기 위해 초기공정과 후기공정을 달리하는 두 단계의 공정 조건을 통한 금속 박막의 형성을 도입하는 방법을 제시하여 금속의 낮은 초기 증착율을 향상하여야 하는 것으로서, 선구 물질에 상관없이 초기에 선구 물질이 기판에 흡착되는 것을 과포화시켜 리간드의 분해 공정중에 발생되는 것을 감안하는 방법을 제시하여 낮은 증착율을 향상시키고자 하는 것이다.

즉, 본 발명은 금속 박막의 초기 형성과 이후의 형성 조건을 달리하는 방법으로, 금속 박막의 초기 형성에서는 선구 물질이 기판에 충분히 흡착되어 과포화 상태로 유지하는 단계를 통해 증착하며, 이후의 형성은 금속의 핵생성 이후의 공정이므로 선구 물질 주입 시간을 짧게하여 ALD 프로세스를 수행하는 방법이기에 금속 박막의 증착율을 높이게 되는 것이다.

이에, 상기 ALD 프로세스를 크게 두 단계로 구분을 지어 증착하는 방법을 도입하여 초기 금속 형성의 어려움을 개선하여 증착율을 향상시키게 되는 것으로, 두 단계의 적용 시간을 달리하여 금속 소스의 종류에 관계없이 원자층 증착 방법을 이용한 금속의 형성에 사용이 가능하게 된다.

이에 따른, 원자층 증착 방법을 이용한 금속 배선의 형성은 반도체 소자 뿐만 아니라 마이크로 기계, 센서, 광소자 및 에너지 소재 분야 등의 많은 분야에 적용하고 있으며, 우수한 도포성과 높은 막밀도로 인해 그 분야는 점점 넓어지고 있기 때문에 본 발명에서 제시한 방법으로 원자층 증착 방법을 이용한 금속의 형성 문제를 해결함으로써 더욱 확장에 박차를 가할 수 있게 되는 것이다.

마지막으로, 본 발명을 실시하고 있는 ALD법을 이용한 금속 박막 형성 방법의 실행에 있어 다양하게 변형될 수 있고 여러 가지 형태를 취할 수 있고, 상기의 상세한 설명에서 언급되는 특별한 형태로 한정되는 것이 아닌 것으로 이해되어야 하며, 오히려 첨부된 청구범위에 의해 정의되는 본 발명의 정신과 범위 내에 있는 모든 변형물과 균등물 및 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

도 1은 모든 가스주입시간이 동일한 ALD 프로세스 형태를 나타낸 예시도,

도 2는 초기공정에 사용되는 프로세스 형태를 나타낸 예시도,

도 3은 초기공정에 사용하는 프로세스를 25cycle 정도를 달리한 상태에서 Ru 물질을 이용하여 실험을 실시한 결과를 나타낸 그래프,

도 4는 초기공정에 사용하는 프로세스를 50cycle 정도를 달리한 상태에서 Ru 물질을 이용하여 실험을 실시한 결과를 나타낸 그래프.

Claims (11)

1. ALD 공정을 이용한 박막을 제조하기 위해,

   선구 물질 주입, 퍼지 가스 주입, 플라즈마 유입, 및 퍼지 가스 주입을 1 사이클로 2회 이상 수행하며,

   전체 사이클을 기판에 흡착되는 선구 물질이 과포화하는 초기 단계와, 포화 상태를 유지하는 후기 단계의 두 단계로 구분하여 수행하되,

   상기 초기 단계의 선구 물질의 가스 유량 또는 유입 시간은 후기 단계의 선구 물질의 가스 유량 또는 유입 시간에 대해 2∼10배로 수행하는 것인 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 선구 물질은 단일 원소 또는 복합 원소 중에 어느 하나 선택되어 이루어지는 금속 물질로 실행하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법.
3. 제1항에 있어서,

   상기 선구 물질은 단일 원소 또는 복합 원소 중에 어느 하나 선택되어 이루어지는 비금속 물질로 실행하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법.
4. 삭제
5. 삭제
6. 제1항에 있어서,

   상기 초기 단계와 후기 단계는 동일한 기판 온도를 유지하면서 수행하는 것인 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법.
7. 제6항에 있어서,

   상기 초기 단계와 후기 단계는 기판의 온도가 50℃∼500℃의 범위에서 실행하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법.
8. 제1항에 있어서,

   상기 흡착되는 선구 물질의 두께가 50Å∼1000Å가 되도록 실행하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법.
9. 제1항에 있어서,

   상기 초기 단계의 기판 온도는 후기 단계의 기판 온도에 대해 100℃ 이하의 온도차를 갖는 범위 내에서 높게 설정하여 실행하는 것을 특징으로 하는 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법.
10. 삭제
11. ALD 공정을 이용한 박막을 제조하기 위해,

    선구 물질 주입, 퍼지 가스 주입, 플라즈마 유입 및 퍼지 가스 주입을 1 사이클로 2회 이상 수행하며,

    전체 공정은 기판에 흡착되는 선구 물질이 과포화하는 초기 단계와, 포화 상태를 유지하는 후기 단계의 두 단계로 구분하여 수행하되,

    상기 초기 단계의 선구 물질의 가스 유량 또는 유입 시간은 후기 단계의 선구 물질의 가스 유량 또는 유입 시간에 대해 2~10배로 수행하고,

    상기 선구 물질은 금속 또는 비금속의 단일 원소 또는 복합 원소를 포함하고,

    상기 ALD 공정의 초기 단계와 후기 단계는 50℃∼500℃의 기판 온도에서 선구 물질의 흡착 두께가 50Å∼1000Å을 유지하도록 수행하되, 이때 초기 단계의 기판 온도는 후기 단계의 기판 온도와 비교하여 동일하거나, 100℃ 이하의 온도차 범위로 높게 설정된 온도에서 수행하는 것인 ALD 공정을 이용한 박막 형성 방법.

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