KR100944287B1

KR100944287B1 - 형광 램프 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR100944287B1
Application number: KR1020080026360A
Authority: KR
Inventors: 고오지 이마다; 야스히로 마노
Original assignee: 엔이씨 라이팅 가부시키가이샤
Priority date: 2007-03-23
Filing date: 2008-03-21
Publication date: 2010-02-24
Also published as: KR20080086841A; CN101271823A; JP4472716B2; JP2008243371A; TW200847221A

Abstract

사용되는 재료의 종류의 개수 및 공정 단계수의 증가 없이, 전력절약을 실현하면서 형광물질로부터 방사된 형광성 광에 대하여 현저하게 향상된 투과율을 보여 고휘도를 달성하는 것이 가능한 형광 램프 및 이러한 형광 램프를 저비용으로 제조하는 방법이 제공된다. 형광 램프는 희가스 및 전기 방전에 의해 자외선을 생성하기 위한 수은이 캡슐화된 투명관과, 투명관의 내부면에 걸쳐 형성된 형광 물질층과, 투명관의 내부면과 형광 물질층 사이에 연장된 면 및 투명관의 외부면 중 적어도 한 면에 구비된 굴절률 조정층을 포함하며, 굴절률 조정층은 300 nm 이하의 평균 입경을 가지는 산화 이트륨을 함유한다.

형광 램프, 투명관, 굴절률 조정층, 반사 억제층

Description

형광 램프 및 그 제조 방법{FLUORESCENT LAMP AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}

본 발명은 형광 램프 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 더 자세하게는, 본 발명은 개선된 휘도를 가지는 형광 램프 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 출원은 참고 문헌으로 인용되어 합체된 2007년 3월 23일에 출원된 일본 특허 출원 제2007-77560호를 기초로 하며 우선권을 주장하고 있다.

형광 램프에서, 전극을 가로지르는 전압의 인가는 유리관 등의 투명관 내에 보유된 희가스의 이온화를 초래하고 이온화된 희가스가 전극에 대해 충돌하게 하여, 전극이 이차 전자를 방사하게 한다. 따라서, 글로우 방전(glow discharge)이 일어난다. 글로우 방전에 의해 여기된 수은은 253.7 nm의 자외선을 방사한다. 자외선과 함께 조사될 경우, 투명관의 내벽면에 구비된 형광 물질층 내에 함유된 형광 물질은 형광성 광을 방사한다. 사용되는 램프관 갯수 또는 전력소비 감소에 의해 실현되는 절전을 위해, 이러한 형태의 형광 램프는 형광 물질로부터의 형광성 광의 발광 효율을 개선하여 휘도를 상승시키는 것이 요구되어 왔다.

형광 물질로부터 방사된 형광성 광은, 도5에 도시된 바와 같이, 유리 등의 투명관(12)을 통과함에 따라 2개의 경계면, 즉, 내부 경계면(12a) 및 외부 경계면(12b)을 통과한다. 광이 각각의 경계면을 통과할 때, 총광량의 약 4%가 반사된다. 따라서, 투과된 광(Lt)의 광량은 투명관을 통과하기 전의 형광성 광의 광량의 약 92%로 감소된다. 형광 램프의 휘도를 상승시키기 위해, 부여된 전력을 증가시킴으로써 자외선의 강도를 향상시키려는 방법이 있다. 그러나, 이 방법은 전극의 열화 및 낮아진 발광 효율을 초래하기 때문에 권장할 만하지 않다. 저전력 소비 및 고휘도인 램프를 획득하기 위해서는 형광 물질로부터 방사된 형광성 광에 대하여 투과율을 상승시키는 것이 바람직하다. 수은으로부터 방사된 자외선에 의한 유리 등의 투명관의 열화를 억제하기 위해, 형광 물질층과 투명관의 내부면의 사이에 형성되는 산화 이트륨의 보호층이 램프에 제공되는 경우, 형광성 광에 대하여 더 낮은 투과율이 발생한다. 이러한 불편함을 고려하여, 투명관의 내부 경계면에서의 광의 반사는 미세 실리카 입자 등을 함유하는 저굴절제로 투명관의 내부 경계면을 피복하는 것에 의해 억제된다(특허 문서 1 내지 3). 그러나, 저굴절제를, 특히 투명관의 내부 경계면에 최적의 두께로 균일하게 도포하는 것이 곤란하다. 투명관의 외부 경계면만이 저굴절제로 도포되면, 투과율의 저감을 억제하는 현저한 효과는 나타나지 않으며, 따라서 사용되는 고가의 저굴절제에 의한 비용 상승 및 공정 단계 수의 증가에도 불구하고 매우 우수한 효과를 얻을 수 없다.

반면에, 향상된 광선 방사 성능을 가지고 층 균열 등이 없는 형광 램프가 보고되어 있는데, 이 형광 램프는 주성분으로 주입자가 구형 또는 사실상 구형이며 40 내지 75 nm의 입경을 가지는 산화 이트륨과 산화 알루미늄을 포함하는 금속 산 화층 및 금속 산화층 상에 적층된 형광 물질층을 가지고 있다(특허 문서 4).

[특허 문서 1] 일본 특허 공개 공보 제2006-342023호

[특허 문서 2] 일본 특허 공개 공보 제2006-335881호

[특허 문서 3] 일본 특허 공개 공보 제2004-83307호

[특허 문서 4] 일본 특허 공개 공보 제2003-51284호

본 발명의 목적은 사용되는 재료의 종류의 개수 및 공정 단계수의 증가 없이, 전력절약을 실현하면서 형광물질로부터 방사된 형광성 광에 대하여 현저하게 향상된 투과율을 보여 고휘도를 달성하는 것이 가능한 형광 램프를 제공하는 것이다. 또 다른 목적은 전술된 형광 램프를 저비용으로 제조하는 방법이다.

본 발명의 발명자들은 수은으로부터 방사된 자외선으로부터 형광 램프의 유리관 등의 투명관을 보호하기 위한 보호층에 이용된 산화 이트륨에 대한 집중연구를 하였다. 도6에 도시된 바와 같이, 종래의 형광 램프(11)는 자외선으로부터 투명관을 보호하기 위하여 투명관(12)과 형광 물질층(13) 사이에 형성되고 산화 이트륨(14a) 등을 이용하여 형성된 보호층(14)을 가지고 있다. 산화 이트륨의 입자는 구형 또는 사실상 구형이기 때문에, 형광 물질로부터 방사된 형광성 광은 산화 이트륨 입자의 표면에 의하여 분산된다. 이로 인해, 형광성 광에 대한 램프의 투과율이 낮아지는 경향이 있다. 보호층에서의 반사를 억제하기 위하여, 보호층(4)은 전자 현미경에 의해 출력되는 상을 도시하는 도1에 도시된 바와 같은 박편형 산화 이트륨 입자를 이용하여 형성된다. 구형 또는 사실상 구형인 산화 이트륨 입자를 이용하여 형성된 종래의 보호층이 제공됨으로써 초래되는 형광성 광 총량의 약 10%의 손실과 비교하면, 이 보호층을 제공하는 것은 형광성 광의 손실을 형광성 광 총량의 약 1%까지 감소시키는 것을 가능하게 한다는 것이 발견되었다. 본 발명은 이와 같은 발견 및 지식을 기초로 하여 이루어진다.

즉, 본 발명은 희가스 및 전기 방전에 의해 자외선을 생성하기 위한 수은이 캡슐화된 투명관과, 투명관의 2개의 단부 부분의 근처에 제공된 전극과, 투명관의 내부면에 걸쳐 형성된 형광 물질층을 포함하는 형광 램프에 관한 것이며, 투명관의 내부면과 형광 물질층 사이에 연장된 면 및 투명관의 외부면 중 적어도 한 면 상에 굴절률 조정층이 구비되고 상기 굴절률 조정층은 300 nm 이하의 평균 입경을 가지는 산화 이트륨을 함유한다.

또한, 본 발명은 희가스 및 전기 방전에 의해 자외선을 생성하기 위한 수은이 캡슐화된 투명관과, 투명관의 2개의 단부 부분의 근처에 제공된 전극과, 투명관의 내부면에 걸쳐 형성된 형광 물질층을 포함하는 형광 램프를 제조하는 방법에 관한 것이며, 300 nm 이하의 평균 입경을 가지는 박편형 산화 이트륨을 함유하는 분산부를 투명관의 내부면과 형광 물질층 사이에 연장된 면 및 투명관의 외부면 중 적어도 한 면에 도포하여 굴절률 조정층을 형성하는 공정을 포함한다.

본 발명에 따른 형광 램프는 사용되는 재료의 종류의 개수 및 공정 단계수의 증가 없이, 전력절약을 실현하면서 형광 물질로부터 방사된 형광성 광에 대하여 현저하게 향상된 투과율을 보여 고휘도를 달성하는 것이 가능하다.

본 발명에 따른 형광 램프 제조 방법은 이와 같은 형광 램프를 저비용으로 제조하는 것이 가능하다.

본 발명에 따른 형광 램프는 희가스 및 전기 방전에 의해 자외선을 생성하기 위한 수은이 캡슐화된 투명관과, 투명관의 2개의 단부 부분의 근처에 제공된 전극과, 투명관의 내부면에 걸쳐 형성된 형광 물질층을 포함하고, 투명관의 내부면과 형광 물질층 사이에 연장된 면 및 투명관의 외부면 중 적어도 한 면 상에 굴절률 조정층이 구비되고, 굴절률 조정층은 300 nm 이하의 평균 입경을 가지는 산화 이트륨을 함유하는 것을 특징으로 한다.

본 발명의 형광 램프에 사용된 투명관은 유리와 같이 가시 광선을 투과시키는 임의의 물질로부터 형성될 수 있다. 투명관은 직선 형상, 만곡 형상, 환형 형상, 전구 형상 등을 포함하는 형상 중 임의의 형상을 가질 수 있다.

투명관은 자외선을 발생시키기 위한 수은을 아르곤 또는 네온 등의 희가스와 함께 캡슐화한다. 투명관 내에서 전기 방전에 의해 발생된 전자는 수은 원자와 충돌하여 수은 원자를 여기한다. 이와 같이 여기된 수은 원자는 253.7 nm의 파장의 자외선을 포함하는 자외선을 발생시킨다. 투명관 내에 캡슐화된 수은의 증기압은, 예를 들어, 형광 램프가 켜져 있는 동안 1 내지 10 Pa의 범위를 가진다.

투명관은 2개의 단부 부분 주변에 전기 방전을 일으켜 전술한 수은 원자가 자외선을 방사하도록 하는 한 쌍의 전극을 구비한다. 이러한 전극은 고온 전극일 수도 있고 저온 캐소드 타입 전극일 수도 있다. 이러한 고온 전극의 예로써, 각각 바륨, 칼슘, 이트륨 등의 산화물과 같은 이미터(emitter) 물질로 피막된 텅스텐 코일 등을 포함하는 고온 전극을 들 수 있다. 전압이 고온 전극에 걸쳐 인가되는 경우, 이미터는 희가스를 이온화하는 전자를 방사한다. 이렇게 이온화된 희가스의 이온은 전극과 충돌하여 글로우 방전을 일으킨다. 전술된 바와 같이, 방전에 의해 생성된 전자는 수은을 여기하여 수은이 자외선을 방사하게 한다. 저온 캐소드 타입 전극의 예로써, 각 전극이 니켈, 몰리브덴 등으로부터 성형되고 각각의 개구가 서로 대향되게 배치된 한 쌍의 컵 형상의 전극을 들 수 있다. 전압이 저온 캐소드 타입 전극에 걸쳐 인가되는 경우, 투명관 내에 소량으로 존재하는 전자는 희가스와 충돌하여 희가스를 이온화한다. 이렇게 이온화된 희가스의 이온은 전극과 충돌하여 전기 방전을 일으킨다. 방전에 의해 생성된 전자는 수은과 충돌하여 수은 원자를 여기하고, 그로 인해 수은 원자가 자외선을 방사하게 한다.

이와 같은 투명관의 내벽에 걸쳐 형성되는 형광 물질층은, 수은 원자로부터 방사되는 253.7 nm의 자외선에 의해 조사되는 경우 가시광선을 방사하는 형광 물질을 포함한다. 양호하게는, 형광 물질은 열에 의해 거의 열화되지 않고 열악한 수은 흡수성을 가진다. 어떤 경우, 높은 수은 증기압 조건이 형광 램프가 점등되어 있는 동안 얼마간 유지된다. 이러한 경우조차도, 바람직한 형광 물질은 형광 물질에 흡수되는 수은에 의해 야기되는 투명관의 열화를 억제할 수 있다. 이와 같은 형광 물질의 예로 Y₂O₃:Eu; YVO₄:Eu; LaPO₄:Ce,Tb; (Ba,Eu)MgAl₁₀O₁₇; (Ba,Sr,Eu)(Mg,Mn)Al₁₀O₁₇; Sr₁₀(PO₄)₆C₁₂: Eu; 및 (Sr,Ca,Ba,Mg)₁₀(PO₄)₆C₁₂: Eu를 포함한다. 형광 물질층은 수은으로부터 방사된 253.7 nm의 자외선에 의해 여기되는 경우의 녹색, 적색 및 청색의 범위 내의 각각의 가시광선을 방사하는 형광 물질을 포함하고, 그로 인해 색깔 표현에 우수한 백색광을 방사한다.

본 발명에 따른 형광 램프는 투명관의 내부면과 형광 물질층 사이에 연장된 면 및 투명관의 외부면 중 적어도 한 면에 구비되는 굴절률 조정층을 포함한다. 투명관의 내부면에 구비되는 굴절률 조정층은 형광 물질로부터 방사되는 가시 광선에 대한 투명관의 내부 공간의 굴절률보다는 높고 투명관의 굴절률보다는 낮은 굴절률을 가지며 투명관 경계면에서의 반사에 의한 형광성 광의 광량의 저하를 억제하는 기능을 한다. 투명관의 외부면에 구비되는 굴절률 조정층은 형광 물질로부터 방사되는 가시 광선에 대한 투명관의 굴절률보다는 낮고 대기의 굴절률보다는 높은 굴절률을 가지며 투명관 경계면에서의 반사에 의한 형광성 광의 광량의 저하를 억제하는 기능을 한다. 이러한 굴절률 조정층은 300 nm 이하의 평균 입경을 가지는 산화 이트륨을 함유한다. 산화 이트륨의 평균 입경은 양호하게는 20 내지 150 nm의 범위이고, 더 양호하게는 50 내지 100 nm의 범위이다. 300 nm 이하의 평균 입경을 가지는 산화 이트륨을 이용하여 형성된 굴절률 조정층을 구비함으로써 투명관의 경계면에 의해 반사되는 형광성 광량의 감소를 가능하게 한다. 산화 이트륨의 입자는 양호하게는 박판형이다. 박판형 산화 이트륨의 입경은 평면상의 조각의 돌 출 면적과 동일한 면적을 가지는 원의 직경에 대응하여 한정될 수 있다.

여기에서, 레이저 회절 입자 크기 분포 분석기에 의해 측정된 산화 이트륨의 평균 입경치는 산화 이트륨의 입경으로 이용될 수 있다.

이와 같은 굴절률 조정층을 형성하는데 있어서, 산화 이트륨은 분쇄되어 전술된 입경을 가진다. 산화 이트륨은 예를 들어, 제트 밀(jet mill), 볼 밀, 비드 밀 등의 방법으로 분쇄될 수 있다. 분쇄되는 산화 이트륨을 함유하는 분산부를 준비하는 단계, 투명관의 내부 또는 외부면에 이 분산부를 도포하는 단계 및 도포되는 분산부를 건조시키는 단계를 포함하는 방법을 채용하는 것이 가능하다. 산화 이트륨 분산에서 사용되는 특정한 분산매체의 예로써, 물과, 알콜, 부틸 아세테이트 및 자일렌 등의 유기 용매와, 그들의 혼합물을 들 수 있다. 분산부를 도포하는 방법은 피복, 침지, 스프레이 피복 등 중의 하나일 수 있다. 소정 두께를 가지도록 도포되는 분산의 피막을 건조시키는 방법의 예로써, 자연 건조, 가압건조 등을 들 수 있다. 가압 건조의 경우, 송풍 등의 속도 또는 온도가 너무 높으면 피막의 표면이 더 빨리 건조되고 피막 내부의 건조율이 낮아진다. 이는 가능한 균열 인자를 형성하는 피막의 표면 및 내부에 응력 작용을 야기한다. 이로 인해, 건조는 양호하게는, 예를 들어, 송풍의 온도 및 속도에 의해 제어된다.

양호하게는, 본 발명에 따른 형광 램프는 투명관의 내부면과 형광 물질층 사이에 연장된 면 및 투명관의 외부면 중 적어도 한 면에 형성되는 굴절률 조정층 및 다른 면에 형성되는 반사 억제층을 포함한다. 반사 억제층은 양호하게는 투명관보다 낮은 굴절률을 가진다. 이와 같은 반사 억제층을 형성하기 위한 물질의 예로 써, 실리카, 알루미나, 산화 이트륨, 지르코니아, 산화 마그네슘, 산화 티타늄, 산화 세륨 또는 불화 마그네슘으로부터 선택된 일종 또는 이종 이상의 산화 금속을 들 수 있다. 반사 억제층은 낮은 굴절률을 갖는 실리카 등의 중공 미세 입자를 함유할 수 있다. 이러한 중공 미세 입자의 예로써, 5 내지 100 nm 정도의 주 입경(primary particle diameter) 및 30 내지 90% 정도의 공극비를 가지는 중공 미세 입자를 들 수 있다. 반사 억제층의 두께는 예를 들어 300 내지 800 nm의 범위이다.

전술된 물질은 반사 억제층을 형성하는데 있어서 적절하게 조합될 수 있다. 굴절률 조정층과 마찬가지로, 반사 억제층은 선택된 분말 형태의 혼합물을 사용하여 분산부를 준비하는 단계, 굴절률 조정층이 구비되어 있지 않은 투명관의 내부 또는 외부면에 분산부를 도포하는 단계 및 도포되는 분산부를 건조시키는 단계를 포함하는 방법에 의해 형성될 수 있다.

본 발명의 형광 램프를 구동하는 조명 회로로써, 형광 램프로부터 개별적으로 구비되고 전극을 예열하고 고압 펄스를 생성하는 시동기 타입의 조명회로가 이용될 수 있다. 조명 회로로써, 형광 램프와 일체적으로 형성되고 전극 예열 회로 및 보조 회로를 포함하는 안정판을 함유하는 급시동 타입의 조명회로가 이용될 수 있다. 이러한 조명 회로와 일체화된 형광 램프는 만곡되거나 굴곡된 원주방향으로 글로브로 덮인 투명관 및 조명 회로에 연결되는 기저부를 포함하는 벌브 타입이거나 투명관을 외부로 노출하는 구조를 가진 타입일 수 있다.

본 발명에 따른 형광 램프는 수은 원자로부터 방사되는 253.7 nm의 자외선에 의해 여기되는 가시광선을 방사하는 형광 물질 및 투명관의 경계면에서의 형광성 광의 반사를 억제하면서 가시 광선이 투명관을 통과하도록 하는 굴절률 조정층을 구비하여 램프의 휘도를 현저하게 향상시킨다.

이러한 형광램프를 제조하는 방법에 따라 상기에 기재된 굴절률 조정층 및 반사 억제층이 투명관에 형성된다. 양호하게는, 형광물질이 용매에 분산되어 있는 분산부가 마련된 후 침지, 분무 등의 공정에 의해 굴절률 조정층 및 반사 억제층에 도포되어 소정의 두께를 가지는 피막을 형성한다. 그 이후에, 전극이 투명관의 단부 부분에 위치한 후 투명관은 관련 전극 등에 연결되는 각각의 외부 리드를 가지는 기저부로 밀봉된다. 이러한 방시으로, 형광 램프를 제조할 수 있다.

이하에, 본발명은 본 발명의 기술적인 범주를 전혀 제한하지 않는 실시예를 통하여 더욱 자세하게 기재될 것이다.

[제1 실시예]

박편형 산화 이트륨이 이소프로필 알콜에 첨가되어 5 질량% 분산부를 마련하였다. 400 nm의 두께를 가지는 굴절률 조정층이 분산과 함께 스핀 피복 소다 유리에 의해 형성되어 건조에 이어 30초 동안 150 rpm으로 마련되어 제2 샘플을 제공하였다.

10 내지 20 nm의 입경을 가지는 저굴절 실리카 입자를 에탄올에 첨가하여 분산부를 마련하였다. 100 nm의 두께를 가지는 반사 억제층이 분산부와 함께 스핀 피복 소다 유리에 의해 형성되어 건조에 이어 마련되어 제1 샘플을 제공하였다.

또한, 제2 샘플과 동일한 굴절률 조정층 및 제1 샘플과 동일한 반사 억제층이 소다 유리의 대향 측면에 형성되어 제3 샘플을 제공하였다.

이렇게 얻어진 제1 내지 제3 샘플 및 비교예인 소다 유리(G)는 그들 각각의 투과율에 대하여 분광광도계 UV-2300PC[제조원: 시마드즈 코포레이션(Shimadzu Corporation)]를 이용하여 측정되었다. 그 결과는 도2에 도시되었다.

[제2 실시예]

본 발명의 형광 램프가 적용되는 저온 캐소드 형광 램프의 일 예가 도3에 도시되었다. 전술한 굴절률 조정층(4) 및 형광 물질층(3)이 두께 0.5 mm를 가지는 붕규산 유리인 투명관(2)의 내부면에 순차적으로 형성되는 동시에, 반사 억제층(6)은 투명관의 외부면에 형성된다다. 형광 물질층(3)의 두께는 20 μm이다. 니켈의 전극(5)은 각각 투명관의 대향 단부의 각각에 위치하고 투명관의 대향 단부는 도시되어 있지 않은 밀봉 부재에 의해 밀봉된다. 수은은 투명관 내에서 캡슐화되어 램프가 점등되어 있는 동안 1 내지 10 Pa의 증기압을 가지는 동시에, 투명관 내에서 캡슐화된 아르곤 등의 희가스는 50 Torr 정도의 압력을 가진다.

굴절률 조정층(4)는 아래의 방법에 의해 형성된다. 박편형 산화 이트륨을 이소프로필 알콜에 첨가하여 3 질량% 분산부를 마련한다. 송풍 건조에 이어, 유리관의 내부면을 마련되는 분산부에 침지하여 400 nm의 두께를 가지는 굴절률 조정층을 형성한다.

반사 억제층(6)은 아래의 방법에 의해 형성된다. 10 내지 20 nm의 평균 입경을 가지는 중공 실리카 입자를 에탄올에 첨가하여 분산부를 마련한다. 100 nm의 두께를 가지는 굴절 억제층이 침지에 의해 투명관의 외부면에 형성된다.

비교예로써, 굴절률 조정층(4) 및 반사 억제층(6)이 구비되지 않은 점을 제외하고는 상기에 기재된 바와 같은 방식으로 제조한다.

이렇게 얻어진 형광 램프는 취도 노출계(품명: SR3, 제조원: 톱콘 코포레이션)에 의해 투명관으로부터 나오는 투과된 광선의 휘도에 대하여 각각 측정된다. 실시예의 형광 램프의 휘도는 비교예의 형광램프의 휘도보다 약 6% 높다. 실시예의 형광 램프를 통과하는 형광성 광은 도4에 도시되어 있다.

본 발명에 따른 형광 램프는 고온 전극 또는 저온 전극을 가지는 형광 램프에 유용하게 적용될 수 있다. 또한 형광 램프는 전력 소비를 증가시키지 않고 향상된 휘도를 나타낼 수 있고 저비용으로 제조될 수 있다.

도1은 본 발명에 따른 형광 램프에 사용하기 위한 산화 이트륨의 전자 현미경 사진을 도시하는 도면.

도2는 본 발명에 따른 형광 램프에서 굴절률 조정층 및 반사 억제층의 투과율을 도시하는 그래프.

도3은 본 발명에 따른 형광 램프의 일 예로 직선관 형광 램프의 구조를 개략적으로 도시하는 도면.

도4는 본 발명에 따른 형광 램프의 일 예의 투과된 형광성 광을 도시하는 단면도.

도5는 형광성 광에 대한 종래의 형광 램프의 투과율을 도시하는 단면도.

도6은 종래의 형광 램프의 구조를 개략적으로 도시하는 도면.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

3: 형광 물질층

4: 굴절률 조정층

5: 전극

6: 반사 억제층

11: 형광 램프

12: 투명관

13: 형광 물질층

14: 보호층

Claims

희가스 및 전기 방전에 의해 자외선을 생성하기 위한 수은이 캡슐화된 투명관과, 투명관의 2개의 단부 부분의 근처에 제공된 전극과, 투명관의 내부면에 걸쳐 형성된 형광 물질층을 포함하는 형광 램프이며, 투명관의 내부면과 형광 물질층 사이에 연장된 면 및 투명관의 외부면 중 적어도 한 면 상에 굴절률 조정층이 구비되고, 상기 굴절률 조정층은 20 nm 이상, 300 nm 이하의 평균 직경을 가지는 박편형 산화 이트륨을 함유하는 형광 램프.
삭제
제1항에 있어서, 상기 굴절률 조정층이 투명관의 내부면과 형광 물질층 사이에 연장된 면 및 투명관의 외부면 중 한 면에 구비되는 동시에, 다른 면 상에는 반사 억제층이 구비되는 형광 램프.
삭제
제3항에 있어서, 상기 반사 억제층은 중공 미세 입자를 포함하는 형광 램프.
제3항에 있어서, 상기 반사 억제층은 산화 금속을 함유하는 형광 램프.
희가스 및 전기 방전에 의해 자외선을 생성하기 위한 수은이 캡슐화된 투명관과, 투명관의 2개의 단부 부분의 근처에 제공된 전극과, 투명관의 내부면에 걸쳐 형성된 형광 물질층을 포함하는 형광 램프를 제조하는 방법이며, 20 nm 이상, 300 nm 이하의 평균 직경을 가지는 박편형 산화 이트륨을 함유하는 분산부를 투명관의 내부면과 형광 물질층 사이에 연장된 면 및 투명관의 외부면 중 적어도 한 면에 도포하여 굴절률 조정층을 형성하는 공정을 포함하는 형광 램프 제조 방법.