KR100943258B1 - 액정표시장치 및 이의 제조 방법 - Google Patents

액정표시장치 및 이의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100943258B1
KR100943258B1 KR1020030023550A KR20030023550A KR100943258B1 KR 100943258 B1 KR100943258 B1 KR 100943258B1 KR 1020030023550 A KR1020030023550 A KR 1020030023550A KR 20030023550 A KR20030023550 A KR 20030023550A KR 100943258 B1 KR100943258 B1 KR 100943258B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
region
organic insulating
insulating layer
reflective
layer
Prior art date
Application number
KR1020030023550A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040089766A (ko
Inventor
양용호
윤주선
추교섭
박진석
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020030023550A priority Critical patent/KR100943258B1/ko
Publication of KR20040089766A publication Critical patent/KR20040089766A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100943258B1 publication Critical patent/KR100943258B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345—Insulating layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514—Colour filters
    • G02F1/133519—Overcoatings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
    • G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

제조 원가를 절감하기 위한 액정표시장치를 개시한다. 액정표시장치는 투명 절연기판 상에 박막 트랜지스터, 보호막, 화소 전극, 유기 절연막 및 반사 전극이 형성된다. 유기 절연막은 반사 영역 상에 형성되고, 반사 전극은 유기 절연막의 상면에 위치한다. 유기 절연막의 패턴 형성 시, 하나의 마스크를 이용하여 콘택홀 영역을 제거하고 유기 절연막의 상면에 복수의 요철을 형성한다. 이에 따라, 유기 절연막의 패턴을 형성하기 위한 공정을 단순화할 수 있고, 조립성을 향상시킬 수 있다.
반사-투과형, 유기 절연막, 마스크

Description

액정표시장치 및 이의 제조 방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS AND METHOD OF FABRICATING THE SAME}
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.
도 2a 내지 도 2f는 도 1에 도시된 액정표시장치의 제조 과정을 나타낸 단면도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.
도 5a 내지 도 5f는 도 4에 도시된 액정표시장치의 제조 과정을 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100, 200, 300, 400 : 액정표시장치 110 : 투명 절연기판
120 : 박막 트랜지스터 130 : 게이트 절연막
140 : 보호막 142 : 콘택홀
150,320 : 화소 전극 160, 210, 310, 410 : 유기 절 연막
170, 330 : 반사 전극
본 발명은 액정표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제조 원가를 절감하기 위한 액정표시장치 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 광을 이용하여 화상을 표시하는 액정표시장치는 상기 광을 제공받는 방법에 따라 투과형 액정표시장치, 반사형 액정표시장치 및 반사-투과형 액정표시장치로 분류할 수 있다. 상기 투과형 액정표시장치는 내장된 백라이트 어셈블리로부터 제공되는 광을 이용하여 화상을 표시한다. 상기 반사형 액정표시장치는 외부로부터 제공되는 외부광을 이용하여 화상을 표시한다. 상기 반사-투과형 액정표시장치는 상기 백라이트 어셈블리 및 상기 자연광을 이용하여 화상을 표시한다.
상기 반사-투과형 액정표시장치는 외부로부터 제공되는 외부광의 광량이 부족한 곳에서는 내부에 구비된 상기 백라이트 어셈블리로부터 제공되는 광을 액정패널에 투과시켜 영상을 표시한다. 반면, 상기 외부광의 광량이 풍부한 곳에서는 상기 외부광을 입사받아 이를 상기 액정패널에 반사하여 영상을 표시한다.
상기 반사-투과형 액정표시장치의 액정패널은 어레이 층을 갖는 하부 기판, 상기 광을 이용하여 소정의 색을 발현하는 컬러필터 층을 갖고 상기 하부 기판과 서로 대향하여 결합하는 상부 기판 및 상기 하부 및 상부 기판 사이에 개재되는 액 정층을 포함한다.
상기 어레이 층은 상기 액정층에 신호 전압을 인가하고 차단하기 위한 스위칭 소자인 박막 트랜지스터 매트릭스 형상으로 형성된다. 상기 박막 트랜지스터의 상부에는 보호막, 화소 전극, 유기 절연막 및 반사 전극이 순차적으로 형성된다. 상기 반사 전극은 상기 외부광을 반사하여 상기 컬러필터 층으로 상기 외부광을 제공한다. 이때, 상기 외부광의 정면 반사하여 균일한 휘도 분포를 나타내기 위해 상기 유기 절연막의 상부에 복수의 요철을 형성한다. 따라서, 상기 유기 절연막을 패터닝하기 위해 두 개의 마스크가 요구된다. 즉, 콘택홀을 형성하기 위한 제1 마스크 및 상기 복수의 요철을 형성하기 위한 하프 톤 마스크(half-tone mask)인 제2 마스크가 사용된다.
상기 투과형 액정표시장치는 상기 외부광의 정면 반사를 위한 상기 복수의 요철을 형성할 필요가 없으므로, 유기 절연막을 패터닝 할 경우에 상기 콘택홀을 형성하기 위한 제1 마스크 하나만 사용된다.
따라서, 상기 반사-투과형 액정표시장치는 상기 투과형 액정표시장치 보다 상기 하부 기판을 형성하기 위한 마스크가 한 개가 더 필요하므로, 저조 원감의 부담이 크다. 또한, 상기 백라이트 어셈블리로부터 제공되는 광을 투과하는 투과 영역에서 상기 광이 상기 복수의 요철이 형성된 유기 절연막을 투과해야하므로, 상기 광의 투과율이 낮아져 표시 품질이 저하된다.
본 발명의 목적은 제조 공정을 단순화하고 제품의 원가를 절감하기 위한 액 정표시장치를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 상기한 액정표시장치의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 액정표시장치는, 절연 기판, 박막 트랜지스터, 보호막, 화소 전극, 유기 절연막 및 반사 전극을 포함하여 이루어진다.
상기 절연 기판은 트랜지스터 영역, 투과 영역 및 반사영역으로 구분된다. 상기 박막 트랜지스터는 상기 절연 기판 상의 상기 트랜지스터 영역에 형성된다. 상기 보호막은 상기 박막 트랜지스터가 형성된 상기 절연기판 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터의 일부분을 노출하기 위한 콘택홀을 갖는다. 상기 화소 전극은 상기 콘택홀 및 상기 투과 및 반사 영역의 상기 보호막 상에 형성되고, 상기 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터와 접한다. 상기 유기 절연막은 상기 반사 영역의 상기 화소 전극 상에 형성된다. 상기 반사 전극은 상기 유기 절연막 상에 형성되고, 외부로부터 제공되는 광을 반사한다.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 액정표시장치의 제조 방법은, 먼저, 상기 절연 기판 상의 상기 트랜지스터 영역에 박막 트랜지스터를 형성한다. 상기 박막 트랜지스터가 형성된 상기 기판 상에 보호막을 형성한다. 상기 보호막의 일부를 식각하여 상기 박막 트랜지스터의 일측을 노출하기 위한 콘택홀을 형성한다. 상기 콘택홀 및 투과 영역 및 반사 영역의 상기 보호막 상에 화소 전극을 형성한다. 상기 콘택홀 및 상기 화소 전극이 형성된 상기 보호막 상에 유기 절연막을 증착한다. 상기 트랜지스터 영역 및 상기 투과 영역의 상기 유기 절연막 및 상기 반사 영역의 유기 절연막의 일부분을 제거하고, 상기 유기 절연막의 상면에 복수의 요철부를 형성한다. 상기 유기 절연막 상에 반사 전극을 형성한다.
이러한 액정표시장치 및 이의 제조 방법에 의하면, 상기 유기 절연막의 패턴을 형성하기 위한 공정을 단순화할 수 있고, 제조 원가를 절감할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 액정표시장치(100)는 투명 절연 기판(110), 상기 투명 절연 기판(110) 상에 형성되는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, TFT)(120), 상기 TFT(120)가 형성된 상기 투명 절연 기판(110) 상에 형성된 보호막(140), 상기 보호막(140) 상에 형성된 화소 전극(150), 상기 화소 전극(150) 상에 형성된 유기 절연막(160) 및 상기 유기 절연막(160) 상에 형성된 반사 전극(170)을 포함한다.
보다 상세히는, 스위칭 소자인 상기 TFT(120)는 상기 투명 절연 기판(110)의 TFT 영역(D1)에 형성된다. 상기 TFT(120)는 게이트 라인(미도시)으로부터 분기되어 게이트 신호를 인가 받는 게이트 전극(121), 상기 게이트 전극(121)의 상부에 형성된 액티브 층(122), 상기 액티브 층(122)의 상부에 형성된 오믹 콘택층(123), 오믹콘택층(123)의 상부에 형성된 소오스 및 드레인 전극(124, 125)을 포함한다.
상기 게이트 전극(121)이 형성된 상기 투명 절연 기판(110) 상에는 금속물질과 접착력이 좋고 계면에 공기층 형성을 억제하는 산화실리콘(SiO2)이나 질화실리콘(SiNX)과 같은 무기 절연물질인 게이트 절연막(130)을 형성한다.
상기 게이트 절연막(130)의 상부에는 상기 게이트 전극(121)과 대응하는 위치에 비정질실리콘으로 이루어진 상기 액티브 층(122) 및 n+ 비정질실리콘으로 이루어진 상기 오믹 콘택층(123)이 순차적으로 적층된다. 이때, 상기 오믹 콘택층(123)은 중앙부가 시각되어 상기 액티브 층(122)의 일부분을 노출하는 채널 영역을 형성한다.
상기 중앙부를 중심으로 두 개로 분리된 상기 오믹 콘택층(123)의 상면에는 상기 소오스 및 드레인 전극(124, 125)이 각각 구비된다. 상기 소오스 및 드레인 전극(124)은 일측이 상기 오믹 콘택층(123)의 상면에 위치하고, 타측이 상기 게이트 절연막(130)의 상면에 위치한다. 즉, 상기 소오스 및 드레인 전극(124)은 상기 오믹 콘택층(123)과 접하면서 상기 TFT 영역(D1)의 상기 게이트 절연막(130)과 접한다.
상기 TFT(120)가 형성된 상기 투명 절연 기판(110) 상에 상기 보호막(140)이 구비된다. 상기 보호막(140)은 상기 투명 절연 기판(110)의 전 영역에 도포된다. 이때, 상기 보호막(140)은 상기 TFT 영역(D1)에서는 상기 TFT(120)의 상부에 위치하여 상기 소오스 및 드레인 전극(124, 125)과 접한다. 상기 보호막(140)은 상기 투과 영역(D2) 및 상기 반사 영역(D3)에서는 상기 게이트 절연막(130)의 상면에 위 치한다. 상기 보호막(140)은 일부분이 식각되어 상기 드레인 전극(125)의 일부분을 노출하기 위한 콘택홀(142)을 갖는다.
상기 보호막(140)의 상부에는 상기 화소 전극(150)이 구비된다. 상기 화소 전극(150)은 상기 콘택홀(142) 및 상기 투과 및 반사 영역(D2, D3)에 위치한다. 이때, 상기 화소 전극(150)은 상기 콘택홀(142)을 이용하여 상기 드레인 전극(125)과 접한다. 따라서, 상기 화소 전극(150)은 상기 콘택홀(142)을 이용하여 상기 TFT(120)로부터 신호 전압을 인가받을 수 있다.
상기 화소 전극(150)의 상부에는 상기 유기 절연막(160)이 구비된다. 상기 유기 절연막(160)은 상기 반사 영역(D3)위치한다. 상기 유기 절연막(160)의 상면에는 상기 액정표시장치(100)의 외부로부터 입사되는 외부광을 정면 반사하기 위한 복수의 요철(161)을 형성한다.
상기 유기 절연막(160)의 상부에는 상기 반사 전극(170)이 구비된다. 상기 반사 전극(170)은 상기 투명 절연기판(110)의 상부로 입사되는 상기 외부광을 반사하고, 상기 유기 절연막(160)의 복수의 요철(161) 상에 형성되어 상기 외부광을 정면 반사시킨다.
상기 반사 영역(D3)에는 상기 유기 절연막(160) 및 상기 반사 전극(170)이 형성된다. 반면에, 상기 투과 영역(D2)에는 상기 유기 절연막(160) 및 상기 반사 전극(170)이 형성되지 않으므로, 상기 투명 절연기판(110)의 아래에 구비되는 백라이트 어셈블리(미도시)로부터 제공되는 내부광을 투과한다.
따라서, 상기 액정표시장치(100)는 투과 모드에서는 상기 투과 영역(D2)을 통해 투과되는 상기 내부광을 이용하여 화상을 표시하고, 반사 모드에서는 상기 반사 영역(D3)의 상기 반사 전극(170)에 의해 반사된 상기 외부광을 이용하여 화상을 표시한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치(100)는 상기 유기 절연막(160)이 상기 반사 영역(D3)에만 존재하고 상기 투과 영역(D2)에서는 존재하지 않는다. 따라서, 상기 액정표시장치(100)가 투과 모드에서 동작할 경우, 상기 백라이트 어셈블리로부터 제공된 상기 내부광이 상기 유기 절연막(160)을 투과하지 않으므로, 투과 모드에서의 광의 투과율을 향상시킬 수 있다.
도 2a 내지 도 2f는 도 1에 도시된 액정표시장치의 제조 과정을 나타낸 단면도이다.
도 2a를 참조하면, 유리나 석영 또는 사파이어와 같은 재질로 형성된 상기 투명 절연기판(110) 상에 도전성 금속을 증착한 후, 제1 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 도전성 금속을 패터닝하여 상기 게이트 라인 및 상기 게이트 전극(121)을 형성한다. 이때, 상기 게이트 라인은 제1 방향으로 연장되어 형성되고, 상기 게이트 전극(121)은 상기 게이트 라인으로부터 소정 면적 돌출되어 상기 TFT 영역(D1)에 형성된다. 상기 게이트 라인 및 게이트 전극(121)을 형성하기 위한 상기 도전성 금속으로는 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 등이 사용되며, 이중에서도 주로 알루미늄(Al)이 사용된다. 상기 도 2a에서는 상기 게이트 전극(121)을 단일막으로 형성하였으나, 이중막으로도 형성이 가능하다.
상기 게이트 라인 및 상기 게이트 전극(121)이 형성된 상기 투명 절연기판(110) 상에 상기 게이트 절연막(130)을 증착한다. 상기 게이트 절연막(130)은 플라즈마 화학기상증착(plasma-enhanced chemical vapor deposition : 이하, PECVD) 방법에 의해 증착되며, 약 4500Å의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
상기 게이트 절연막(130)을 형성한 후에는 비정질 실리콘막 및 n+ 층이 도핑된 비정질 실리콘막을 상기 PECVD 방법에 의해 순차적으로 증착한다. 상기 비정질 실리콘막 및 상기 n+ 층이 도핑된 비정질 실리콘막은 제2 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 패터닝되어 상기 TFT 영역(D1)에 상기 액티브층(122) 및 상기 오믹 콘택층(123)을 형성한다. 이때, 상기 액티브층(122)의 일부분을 노출시켜 채널 영역을 형성하기 위해 상기 오믹 콘택층(123)의 중앙부가 일부분 식각된다. 상기 액티브층(122)은 약 2000Å의 두께를 갖는 것이 바람직하고, 상기 오믹 콘택층(123)은 약 500Å의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
상기 액티브층(122) 및 오믹 콘택층(123)이 형성된 상기 게이트 절연(130) 상에 상기 도전성 금속을 증착한다. 상기 도전성 금속은 제3 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 패터닝되어 데이터 신호를 전송하기 위한 데이터 라인(미도시), 상기 소오스 및 드레인 전극(124, 125)을 형성한다. 이때, 상기 소오스 전극(124)은 상기 데이터 라인으로부터 소정 면적으로 돌출되어 상기 TFT 영역(D1)에 형성된다. 상기 소오스 전극(124) 및 상기 드레인 전극(125)의 사이에는 상기 채널 영역이 위치한다.
상기 소오스 및 드레인 전극(124, 125)의 상부 및 상기 게이트 절연막(130) 상에 상기 보호막(140)을 증착한다. 상기 보호막(140)은 TFT 영역(D1)에서 상기 TFT(120)의 상부에 위치하고, 상기 투과 및 반사 영역(D2, D3)에서는 상기 게이트 절연막(130)의 상부에 위치한다. 상기 보호막(140)은 산화실리콘(SiO2)이나 질화실리콘(SiNX)과 같은 무기 절연물질인로 이루어지며, 약 2000Å 두께를 갖는 것이 바람직하다.
도 2b를 참조하면, 상기 보호막(140)은 제4 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 보호막(140)의 일부분을 식각하여 상기 콘택홀(142)을 형성한다.
도 2c를 참조하면, 상기 콘택홀(142) 및 상기 보호막(140)의 상부에 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : 이하, ITO)와 같이 전도성 투명 재질로 이루어진 화소 전극(150)을 도포한다. 상기 화소 전극(150)은 제5 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 TFT 영역(D1) 중에서 상기 콘택홀(142)을 제외한 나머지 영역에 위치한 화소 전극(150)이 제거된다. 따라서, 상기 화소 전극(150)은 상기 콘택홀(142) 및 상기 반사 및 투과 영역(D2, D3)의 상기 보호막(140) 상부에 형성된다.
도 2d 및 도 2e를 참조하면, 상기 화소 전극(150)이 형성된 상기 투명 절연기판(110)의 전 영역에 상기 유기 절연막(160)을 증착한다. 상기 유기 절연막(160)은 제6 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 TFT 영역(D1) 및 상기 투과 영역(D2)에 위치한 유기 절연막(160)이 제거된다. 따라서, 상기 유기 절연막(160)은 상기 반사 영역(D3)의 상기 화소 전극(150) 상에 위치한다. 이때, 상기 반사 영역(D3)의 상기 유기 절연막(160)을 일부분 제거하여 기둥 형상의 유기 절연막(160) 을 형성한다. 상기 기둥 형상의 유기 절연막(160)은 소정 간격으로 이격되어 형성된다.
도 2f를 참조하면, 상기 소정 간격으로 이격되어 형성된 유기 절연막(160)은 열처리에 의해 상기 기둥 형상의 유기 절연막(160)이 녹아 리플로우(reflow)가 발생한다. 리플로우로 인해 상기 유기 절연막(160)의 상면에 복수의 요철(161)이 형성된다. 바람직하게는, 상기 복수의 요철(161)은 약 5 ~ 15도의 주경사도를 갖는다. 상기 복수의 요철(161)이 형성된 상기 유기 절연막(160)은 베이크 공정에 의해 경화된다.
상기 유기 절연막(160)이 형성된 상기 투명 절연기판(110)의 전영역에 상기 반사 전극(170)을 형성하기 위한 도전성 금속을 증착한다. 상기 도전성 금속은 약 1500 ~ 4000Å의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 상기 도전성 금속은 제7 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 TFT 영역(D1) 및 상기 투과 영역(D2)의 도전성 금속이 제거되어 상기 반사 전극(170)을 형성한다. 즉, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 반사 전극(170)은 반사 상기 유기 절연막(160) 상에 위치하고, 반사 모드에서 상기 외부광을 반사시켜 화상을 표시할 수 있도록 한다. 이때, 상기 반사 전극(170)은 상기 유기 절연막의 복수의 요철(161)로 인해 엠보싱 형상을 갖는다. 상기 반사 전극은 상기 엠보싱을 이용하여 상기 외부광을 정면 반사하므로, 정면 휘도를 향상시킬 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 액정표시장치(100)는 8매 마스크를 이용한 기존과 달리 7매 마스크를 이용하여 상기 액정표시장치(100)를 형성할 수 있다. 따라서, 고가의 마스크를 적게 사용하여 액정표시장치(100)를 제조할 수 있으므로 원가를 절감할 수 있다.
또한, 유기 절연막의 상부에 화소 전극을 증착할 경우에는, 상기 화소 전극을 저온 증착해야하며, 화소 전극의 패터닝을 형성하기 위한 전처리 공정이 추가로 요구된다. 그러나, 본 발명에 따른 액정표시장치(100)는 상기 유기 절연막(160)을 상기 화소 전극(150)의 상부에 형성하므로, 상기 화소 전극(150)을 고온 증착할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치(200)는 유기 절연막(210)을 제외하고는 도 1에 도시된 본 발명의 일실시예에 따른 액정표시장치(100)와 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 도 3에 도시된 본 발명에 따른 다른 실시예의 설명에 있어서, 도 1에 도시된 액정표시장치(100)와 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호를 병기하고, 그 기능에 대한 별도의 설명을 생략한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치(200)는 투명 절연 기판(110), 상기 투명 절연 기판(110) 상에 형성되는 TFT(120), 상기 TFT(120)가 형성된 상기 투명 절연 기판(110) 상에 형성된 보호막(140), 상기 보호막(140) 상에 형성된 화소 전극(150), 상기 화소 전극(150) 상에 형성된 유기 절연막(210) 및 상기 유기 절연막(210) 상에 형성된 반사 전극(170)을 포함한다.
상기 반사 영역(D3)의 상기 화소 전극(150) 상에 형성된 상기 유기 절연막(210)은 복수의 돌기로 이루어지고, 각각의 돌기(211)는 상기 외부광을 정면 반사시키기 위해 반구 형상을 갖는다. 바람직하게는, 상기 돌기(211)는 약 5 ~ 15도의 주경사도를 갖는다. 상기 복수의 돌기는 서로 소정의 간격으로 이격되어 형성되고, 상기 이격 공간 사이로 상기 화소 전극(150)이 노출된다.
상기 유기 절연막(210) 상에 구비되는 상기 반사 전극(170)은 상기 복수의 돌기 상에 위치하고, 상기 외부광을 반사시킨다. 이때. 상기 반사 전극(170)은 상기 이격 공간 사이로 노출된 상기 화소 전극(150)과 접하게 된다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정표시장치(300)는 유기 절연막(310), 화소 전극(320) 및 반사 전극(330)을 제외하고는 도 1에 도시된 본 발명의 일실시예에 따른 액정표시장치(100)와 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 도 4에 도시된 본 발명에 따른 다른 실시예의 설명에 있어서, 도 1에 도시된 액정표시장치(100)와 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호를 병기하고, 그 기능에 대한 별도의 설명을 생략한다.
상기 액정표시장치(300)는 투명 절연 기판(110), 상기 투명 절연 기판(110) 상에 형성되는 TFT(120), 상기 TFT(120)가 형성된 상기 투명 절연 기판(110) 상에 형성된 보호막(140), 상기 보호막(140) 상에 형성된 유기 절연막(310), 상기 유기 절연막(310) 상에 형성된 화소 전극(320) 및 상기 화소 전극(320) 상에 형성된 반사 전극(330)을 포함한다.
상기 TFT(120)는 상기 투명 절연기판(110)의 TFT 영역(D1)에 형성되고, 상기 TFT(120)가 형성된 상기 투명 절연기판(110)의 상부에는 상기 보호막(140)이 형성된다.
상기 보호막(140)은 상기 TFT(120)의 상기 소오스 및 드레인 전극(124, 125)의 상부에 위치하고, 상기 투과 및 반사 영역(D2, D3)의 상기 게이트 절연막(130) 상에 위치한다. 상기 보호막(140)은 상기 드레인 전극(125) 상의 일부분이 식각되어 상기 드레인 전극(125)의 일부분을 노출하기 위한 콘택홀(142)을 갖는다.
상기 보호막(140)의 상부에는 상기 유기 절연막(310)이 구비된다. 상기 유기 절연막(310)은 상기 반사 영역(D3)에 위치하고, 상면에 복수의 요철(311)이 형성된다.
상기 유기 절연막(310)의 상부에는 상기 화소 전극(320)이 구비된다. 상기 화소 전극(320)은 상기 콘택홀(142)에 형성되어 상기 드레인 전극(125)과 접촉한다. 상기 화소 전극(320)은 상기 TFT 영역(D1)에서는 상기 콘택홀(142)이 형성된 영역에 위치하고, 상기 투과 영역(D2)에서는 상기 보호막(140)의 상면에 위치하며, 상기 반사 영역(D3)에서는 상기 유기 절연막(310)의 상면에 위치한다.
상기 화소 전극(320)의 상부에는 상기 반사 전극(330)이 구비된다. 상기 반사 전극(330)은 상기 반사 영역(D3)에 위치하고, 상기 유기 절연막(310)의 상면에 형성된 상기 복수의 요철부(311)로 인해 엠보싱 형상을 갖는다. 따라서, 상기 반사 전극(330)은 상기 엠보싱 형상을 이용하여 상기 외부광을 정면 반사한다.
상술한 바와 같이, 상기 액정표시장치(300)는 상기 투과 영역(D2)에서 상기 유기 절연막(310)을 제거한다. 따라서, 상기 투명 절연기판(110)의 하부에 구비되는 상기 백라이트 어셈블리로부터 상기 투명 절연기판(110)으로 제공되는 내부광의 투과율을 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 투과형 액정표시장치와 동일한 휘도를 얻을 수 있고, 투과 모드에서의 표시 특성을 향상시킬 수 있다.
도 5a 내지 도 5f는 도 4에 도시된 액정표시장치의 제조 과정을 나타낸 단면도이다.
도 5a를 참조하면, 유리나 석영 또는 사파이어와 같은 재질로 형성된 상기 투명 절연기판(110) 상에 도전성 금속을 증착한 후, 제1 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 도전성 금속을 패터닝하여 상기 게이트 라인 및 상기 게이트 전극(121)을 형성한다. 이때, 상기 게이트 라인은 제1 방향으로 연장되어 형성되고, 상기 게이트 전극(121)은 상기 게이트 라인으로부터 소정 면적 돌출되어 상기 TFT 영역(D1)에 형성된다. 상기 게이트 라인 및 게이트 전극(121)을 형성하기 위한 상기 도전성 금속으로는 알루미늄(Al), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo) 등이 사용되며, 이중에서도 주로 알루미늄(Al)이 사용된다. 상기 도 5a에서는 상기 게이트 전극(121)을 단일막으로 형성하였으나, 이중막으로도 형성이 가능하다.
상기 게이트 라인 및 상기 게이트 전극(121)이 형성된 상기 투명 절연기판(110) 상에 상기 게이트 절연막(130)을 증착한다. 상기 게이트 절연막(130)은 PECVD 방법에 의해 증착되며, 약 4500Å의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
상기 게이트 절연막(130)을 형성한 후에는 비정질 실리콘막 및 n+ 층이 도핑 된 비정질 실리콘막을 상기 PECVD 방법에 의해 순차적으로 증착한다. 상기 비정질 실리콘막 및 상기 n+ 층이 도핑된 비정질 실리콘막은 제2 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 패터닝되어 상기 TFT 영역(D1)에 상기 액티브층(122) 및 상기 오믹 콘택층(123)을 형성한다. 이때, 상기 액티브층(122)의 일부분을 노출시켜 채널 영역을 형성하기 위해 상기 오믹 콘택층(123)의 중앙부가 일부분 식각된다. 상기 액티브층(122)은 약 2000Å의 두께를 갖는 것이 바람직하고, 상기 오믹 콘택층(123)은 약 500Å의 두께를 갖는 것이 바람직하다.
상기 액티브층(122) 및 오믹 콘택층(123)이 형성된 상기 게이트 절연(130) 상에 상기 도전성 금속을 증착한다. 상기 도전성 금속은 제3 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 패터닝되어 데이터 신호를 전송하기 위한 데이터 라인(미도시), 상기 소오스 및 드레인 전극(124, 125)을 형성한다. 상기 소오스 전극(124)은 상기 데이터 라인으로부터 소정 면적으로 돌출되어 상기 TFT 영역(D1)에 형성되고, 상기 데이터 라인은 상기 제1 방향과 서로 직교하는 제2 방향으로 연장되어 형성된다. 이때, 상기 소오스 전극(124) 및 상기 드레인 전극(125)의 사이에는 상기 채널 영역이 위치한다.
상기 소오스 및 드레인 전극(124, 125)의 상부 및 상기 게이트 절연막(130) 상에 상기 보호막(140)을 증착한다. 상기 보호막(140)은 TFT 영역(D1)에서 상기 TFT(120)의 상부에 위치하고, 상기 투과 및 반사 영역(D2, D3)에서는 상기 게이트 절연막(130)의 상부에 위치한다. 상기 보호막(140)은 산화실리콘(SiO2)이나 질화실 리콘(SiNX)과 같은 무기 절연물질인로 이루어지며, 약 2000Å 두께를 갖는 것이 바람직하다.
도 5b를 참조하면, 상기 보호막(140)은 제4 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 보호막(140)의 일부분이 식각되어 상기 드레인 전극(125)의 일부분을 노출하기 위한 상기 콘택홀(142)을 형성한다.
도 5c 및 도 5d를 참조하면, 상기 보호막(140)이 형성된 상기 투명 절연기판(110)의 전 영역에 상기 유기 절연막(310)을 증착한다. 상기 유기 절연막(160)은 제5 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 TFT 영역(D1) 및 상기 투과 영역(D2)의 유기 절연막(310)이 제거된다. 따라서, 상기 유기 절연막(310)은 상기 반사 영역(D3)의 보호막(140) 상에 위치한다. 이때, 상기 반사 영역(D3)의 상기 유기 절연막(310)을 일부분 제거하여 기둥 형상의 유기 절연막(310)을 형성한다. 상기 기둥 형상의 유기 절연막(310)은 소정 간격으로 이격되어 형성된다.
도 5e를 참조하면, 상기 기둥 형상의 유기 절연막(320)은 열처리에 의해 형태가 변형되는 리플로우가 발생한다. 리플로우로 인해 상기 유기 절연막(310)의 상면에 복수의 요철(311)이 형성된다. 바람직하게는, 상기 복수의 요철(311)은 약 5 ~ 15도의 주경사도를 갖는다. 상기 복수의 요철(311)이 형성된 상기 유기 절연막(310)은 베이크 공정에 의해 경화된다.
도 5f를 참조하면, 상기 유기 절연막(310)이 형성된 상기 투명 절연기판(110)의 전영역에 ITO와 같이 전도성 투명 재질로 이루어진 화소 전극(320)을 도포한다. 상기 화소 전극(320)은 제6 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 TFT 영역(D1)에 위치한 화소 전극(320)을 제거한다. 이때, 상기 콘택홀(142)에 형성된 화소 전극(320)은 그대로 남겨놓는다. 따라서, 상기 화소 전극(320)은 상기 TFT 영역(D1)에서는 상기 콘택홀(142)에 위치하고, 상기 투과 영역(D2)에서는 상기 보호막(140)의 상면 위치하며, 상기 반사 영역(D3)에서는 상기 유기 절연막(310)의 상면에 위치한다.
상기 화소 전극(320)을 형성한 후에는 상기 투명 절연기판(110)의 전영역에 상기 도전성 금속을 증착한다. 상기 도전성 금속은 약 1500 ~ 4000Å의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 상기 도전성 금속은 제7 마스크를 이용한 사진 식각 공정을 통해 상기 TFT 영역(D1) 및 상기 투과 영역(D2)의 상기 도전성 금속이 제거되어 상기 반사 전극(330)을 형성한다. 즉, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 반사 전극(330)은 상기 반사 영역(D3)의 화소 전극(320) 상면에 형성된다. 상기 반사 전극(330)은 상기 유기 절연막(310)의 복수의 요철(311)에 의해 엠보싱 형상을 가지며, 상기 엠보싱으로 인해 상기 외부광을 정면 반사한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정표시장치(300)는 8매 마스크를 이용한 기존과 달리 7매 마스크를 이용하여 상기 액정표시장치(300)를 형성할 수 있다. 따라서, 고가의 마스크를 적게 사용하여 액정표시장치(300)를 제조할 수 있으므로 원가를 절감할 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정표시장치를 나타낸 단면도이 다.
도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 액정표시장치(400)는 유기 절연막(410)을 제외하고는 도 4에 도시된 본 발명의 다른 실시예에 따른 액정표시장치(300)와 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 도 6에 도시된 본 발명에 따른 또 다른 실시예의 설명에 있어서, 도 4에 도시된 액정표시장치(300)와 동일한 기능을 수행하는 구성요소에 대해서는 동일한 참조번호를 병기하고, 그 기능에 대한 별도의 설명을 생략한다.
상기 액정표시장치(400)는 투명 절연 기판(110), 상기 투명 절연 기판(110) 상에 형성되는 TFT(120), 상기 TFT(120)가 형성된 상기 투명 절연 기판(110) 상에 형성된 보호막(140), 상기 보호막(140) 상에 형성된 유기 절연막(410), 상기 유기 절연막(410) 상에 형성된 화소 전극(320) 및 상기 화소 전극(320) 상에 형성된 반사 전극(330)을 포함한다.
상기 반사 영역(D3)의 상기 보호막(140) 상에 형성된 상기 유기 절연막(410)은 복수의 돌기로 이루어지고, 각각의 돌기(411)는 상기 외부광을 정면 반사시키기 위해 반구 형상을 갖는다. 바람직하게는, 상기 돌기(411)는 약 5 ~ 15도의 주경사도를 갖는다. 상기 복수의 돌기는 서로 소정의 간격으로 이격되어 형성되고, 상기 이격 공간 사이로 상기 보호막(140)이 노출된다.
상기 유기 절연막(410)의 상부에는 상기 화소 전극(320)이 구비된다. 상기 콘택홀(142)에 형성되어 상기 콘택홀(142)에 의해 노출된 상기 드레인 전극(125)의 일부분과 접한다. 상기 화소 전극(320)은 상기 투과 영역(D2)에서는 상기 보호막(140)의 상면에 위치하고, 상기 반사 영역(D3)에서는 상기 유기 절연막(410)의 상면에 위치한다. 이때, 상기 화소 전극(320)은 상기 유기 절연막(410)의 복수의 돌기가 서로 이격된 이격 공간 사이로 노출된 상기 보호막(140)과 접한다.
상기 화소 전극(320)의 상부에는 상기 반사 전극(330)이 구비된다. 상기 반사 전극은 상기 반사 영역(D3)에 위치하고, 상기 유기 절연막(310)에 의해 엠보싱 형상을 갖는다. 상기 반사 전극(330)은 상기 엠보싱을 이용하여 상기 외부광을 정면 반사한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 반사-투과형 액정표시장치에서 유기 절연막을 형성 시, 반사 전극이 형성되는 반사 영역에만 형성함으로써, 투과 모드에서 광의 투과율을 높일 수 있고, 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 유기 절연막의 패턴 형성 시, 하나의 마스크를 이용하여 콘택홀 영역의 유기 절연막을 제거하고, 절연막의 상면에 복수의 요철을 형성할 수 있다. 이에 따라, 고가의 마스크의 수를 줄일 수 있어 제조 원가를 절감할 수 있고, 유기 절연막의 공정을 단순할 수 있으므로 조립성을 향상시킬 수 있다.
이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (10)

  1. 트랜지스터 영역, 투과 영역 및 반사영역으로 구분되는 절연 기판;
    상기 절연 기판 상의 상기 트랜지스터 영역에 형성되는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터가 형성된 상기 절연 기판 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터의 일부분을 노출하기 위한 콘택홀을 갖는 보호막;
    상기 콘택홀 및 상기 투과 및 반사 영역의 상기 보호막 상에 형성되고, 상기 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터와 접하는 화소 전극;
    상기 반사 영역에 대응하는 상기 화소 전극 상에만 형성된 유기 절연막; 및
    상기 유기 절연막 상에 형성되고, 외부로부터 제공되는 광을 반사하기 위한 반사 전극을 포함하는 액정표시장치
  2. 제1항에 있어서, 상기 유기 절연막은 상면에 상기 광을 정면 반사하기 위한 복수의 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 유기 절연막은 상기 광을 정면 반사하기 위하여 서로 이격된 복수의 돌기로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  4. 트랜지스터 영역, 투과 영역 및 반사 영역으로 구분되는 절연 기판 상의 상기 트랜지스터 영역에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터가 형성된 상기 기판 상에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 보호막의 일부를 식각하여 상기 박막 트랜지스터의 일측을 노출하기 위한 콘택홀을 형성하는 단계;
    상기 콘택홀 및 투과 영역 및 반사 영역의 상기 보호막 상에 화소 전극을 형성하는 단계;
    상기 콘택홀 및 상기 화소 전극이 형성된 상기 보호막 상에 유기 절연막을 증착하는 단계;
    상기 반사 영역의 유기절연막의 일부분과, 상기 트랜지스터 영역 및 상기 투과 영역의 상기 유기 절연막을 제거하고, 상기 유기 절연막의 상면에 복수의 요철부를 형성하는 단계; 및
    상기 유기 절연막의 상면에 반사 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 유기 절연막의 제거 및 상기 복수의 요철부를 형성하는 단계는,
    광 차단 영역 및 광 투과 영역으로 구분되는 마스크를 이용하여 상기 트랜지스터 영역 및 상기 투과 영역의 상기 유기 절연막과 상기 반사 영역의 유기 절연막의 일부분을 한번의 노광 공정을 통해 제거하는 단계; 및
    상기 유기 절연막을 열 처리하여 상기 유기 절연막의 상면에 상기 복수의 요철부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조 방법.
  6. 트랜지스터 영역, 투과 영역 및 반사영역으로 구분되는 절연 기판;
    상기 절연 기판 상의 상기 트랜지스터 영역에 형성되는 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터가 형성된 상기 절연 기판 상에 형성되고, 상기 박막 트랜지스터의 일부분을 노출하기 위한 콘택홀을 갖는 보호막;
    상기 반사 영역에 대응하는 상기 보호막 상에만 형성된 유기 절연막;
    상기 콘택홀과 상기 유기 절연막 상부 및 상기 투과 영역의 상기 보호막 상부에 형성되고, 상기 콘택홀을 통해 상기 박막 트랜지스터와 접하는 화소 전극; 및
    상기 반사 영역에 대응하는 상기 화소 전극 상에만 형성되고, 외부로부터 제공되는 광을 반사하기 위한 반사 전극을 포함하는 액정표시장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 유기 절연막은 상면에 복수의 요철부가 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 유기 절연막은 상기 광을 정면 반사하기 위하여 서로 이격된 복수의 돌기로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  9. 트랜지스터 영역, 투과 영역 및 반사 영역으로 구분되는 절연 기판 상의 상기 트랜지스터 영역에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터가 형성된 상기 기판 상에 보호막을 형성하는 단계;
    상기 보호막의 일부를 식각하여 상기 박막 트랜지스터의 일측을 노출하기 위한 콘택홀을 형성하는 단계;
    상기 콘택홀 및 상기 보호막 상에 유기 절연막을 증착하는 단계;
    상기 반사 영역의 유기 절연막의 일부분과, 상기 트랜지스터 영역 및 상기 투과 영역의 상기 유기 절연막을 제거하고, 상기 유기 절연막의 상면에 복수의 요철부를 형성하는 단계;
    상기 콘택홀과 상기 투과 영역의 상기 보호막 상부 및 상기 유기 절연막의 상면에 화소 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 반사 영역의 상기 화소 전극 상에 반사 전극을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 유기 절연막의 제거 및 상기 복수의 요철부를 형성하는 단계는,
    광 차단 영역 및 광 투과 영역으로 구분되는 마스크를 이용하여 상기 트랜지스터 영역 및 상기 투과 영역의 상기 유기 절연막과 상기 반사 영역의 유기 절연막의 일부분을 한번의 노광 공정을 통해 제거하는 단계; 및
    상기 유기 절연막을 열 처리하여 상기 유기 절연막의 상면에 상기 복수의 요철부를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치 제조 방법.
KR1020030023550A 2003-04-15 2003-04-15 액정표시장치 및 이의 제조 방법 KR100943258B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030023550A KR100943258B1 (ko) 2003-04-15 2003-04-15 액정표시장치 및 이의 제조 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030023550A KR100943258B1 (ko) 2003-04-15 2003-04-15 액정표시장치 및 이의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040089766A KR20040089766A (ko) 2004-10-22
KR100943258B1 true KR100943258B1 (ko) 2010-02-18

Family

ID=37370976

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030023550A KR100943258B1 (ko) 2003-04-15 2003-04-15 액정표시장치 및 이의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100943258B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101152121B1 (ko) * 2005-05-24 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치와 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010054411A (ko) * 1999-12-06 2001-07-02 윤종용 반투과 반사형 박막트랜지스터 액정표시장치
KR20020064213A (ko) * 2001-01-31 2002-08-07 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 액정 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010054411A (ko) * 1999-12-06 2001-07-02 윤종용 반투과 반사형 박막트랜지스터 액정표시장치
KR20020064213A (ko) * 2001-01-31 2002-08-07 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤 액정 디스플레이 장치 및 그 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040089766A (ko) 2004-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6683666B1 (en) Reflective-transmission type thin film transistor liquid crystal display
US9052550B2 (en) Thin film transistor liquid crystal display
KR100531410B1 (ko) 반사투과형 액정표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조 방법
JP4651826B2 (ja) 反射型表示装置及びその製造方法
KR20030038337A (ko) 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법
US7609344B2 (en) Transflective liquid crystal display and manufacturing method thereof
US20070188682A1 (en) Method for manufacturing a display device
KR100943258B1 (ko) 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR100913305B1 (ko) 반투과형 액정표시장치 및 그 제조 방법
KR20010086702A (ko) 반사투과형 액정 표시장치 및 그 제조방법
KR20080049514A (ko) 수직정렬구조 반사투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100803168B1 (ko) 반사-투과형 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101053285B1 (ko) 액정표시장치 제조방법
KR101071260B1 (ko) 반사투과형 액정 표시 장치
KR100975772B1 (ko) 컬러필터 기판, 이의 제조방법 및 이를 포함하는액정표시장치
CN1790116B (zh) 透射反射式液晶显示器及其制造方法
KR100887642B1 (ko) 효율적인 반사영역을 가지는 요철 구조의 반사-투과형액정 표시 패널 및 이의 제조 방법
KR100744401B1 (ko) 반투과형 액정표시장치의 어레이 기판 및 이의 제조 방법
KR100852169B1 (ko) 액정표시장치 및 이에 이용되는 어레이 기판의 제조방법
KR100936913B1 (ko) 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR100789148B1 (ko) 반사-투과형 액정표시장치
KR20050037671A (ko) 하부기판, 이를 갖는 표시장치 및 이의 제조방법
KR20060078072A (ko) 액정표시장치
KR20060071022A (ko) 어레이 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 액정패널
KR20040052120A (ko) 반사투과형 액정표시장치용 어레이기판의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130115

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140129

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150130

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee