KR20060071022A - 어레이 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 액정패널 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 80
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 29
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 108
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 18
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 46
- 239000010408 film Substances 0.000 description 31
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 14
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 101000685663 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 1 Proteins 0.000 description 6
- 102100023116 Sodium/nucleoside cotransporter 1 Human genes 0.000 description 6
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 5
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 101000821827 Homo sapiens Sodium/nucleoside cotransporter 2 Proteins 0.000 description 4
- 102100021541 Sodium/nucleoside cotransporter 2 Human genes 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 4
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 3
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 3
- 101000822028 Homo sapiens Solute carrier family 28 member 3 Proteins 0.000 description 2
- 102100021470 Solute carrier family 28 member 3 Human genes 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 2
- 239000000615 nonconductor Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
반사율을 향상시킨 반사판을 가지는 어레이 기판, 이이 제조 방법, 및 이를 포함하는 액정패널이 개시된다. 어레이 기판은 기판과, 기판 위에 형성된 트랜지스터와, 기판과 트랜지스터를 커버하고, 트랜지스터의 전류 전극을 노출시키면서 상부에 요철이 형성된 절연막과, 절연막과 트랜지스터의 전류 전극 위에 형성된 유기막을 포함한다. 어레이 기판의 제조 방법은 기판 위에 채널층과 트랜지스터의 제어 전극을 형성하는 단계, 기판과, 채널층과, 트랜지스터의 제어 전극을 커버하면서, 채널층 일부를 노출시키는 절연막을 형성하는 단계, 절연막 상부에 요철을 형성하는 단계, 노출된 채널층과 절연막 일부를 커버하는 트랜지스터의 전류 전극을 형성하는 단계, 및 절연막과 트랜지스터의 전류 전극 위에 유기막을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 반사율을 향상시킨 어레이 기판을 제조할 수 있다.
요철, 반사율
Description
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 어레이 기판의 평면도이다.
도 2는 상기한 도 1의 절단선 I-I´으로 절단한 단면도이다.
도 3a 내지 도 3f는 상기한 도 1에 도시된 어레이 기판의 제조 공정을 나타내는 단면도들이다.
도 4는 본 발명의 비교예에 의한 어레이 기판의 평면도이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 의한 액정패널의 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
100: 어레이 기판 110: 제1 베이스 기판
120: 보호막 130: 박막 트랜지스터
132: 채널층 140: 게이트 산화막
150: 제1 층간 절연막 160: 제2 층간 절연막
170: 유기막 180: 화소 전극
190: 반사판 200: 컬러필터 기판
210: 제2 베이스 기판 220: 블랙 매트릭스
230: 컬러필터 240: 평탄화막
250: 공통전극 300: 액정층
본 발명은 어레이 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 액정패널에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반사율을 향상시킨 어레이 기판, 이의 제조 방법 및 이를 포함하는 액정패널에 관한 것이다.
일반적으로 액정 표시 장치는 광의 이용 방법에 따라서 투과형 액정 표시 장치(transmissive LCD), 반사형 액정 표시 장치(reflective LCD) 및 반사-투과형 액정 표시 장치(reflective-transmissive LCD)로 구분된다.
상기 투과형 액정 표시 장치는 램프 등에서 발생한 내부광이 액정을 투과하도록 함으로써 영상을 표시하고, 상기 반사형 액정 표시 장치는 태양, 조명등 등에서 발생한 외부광을 반사시켜 영상을 표시한다. 상기 반사-투과형 액정 표시 장치는 램프 등에서 발생한 상기 내부광과 태양, 조명등 등에서 발생한 상기 외부광을 반사시켜 영상을 표시한다.
상기 반사-투과형 액정 표시 장치는, 상기 외부광의 광량이 풍부한 곳에서는 상기 반사형 액정 표시 장치처럼 작동하고, 상기 외부광의 광량이 부족한 곳에서는 상기 투과형 액정 표시 장치처럼 작동함으로써, 소비 전력이 낮고 어두운 곳에서도 정보를 디스플레이 할 수 있는 장점을 갖는다.
상기 반사-투과형 액정 표시 장치 및 반사형 액정 표시 장치는, 상기 외부광 을 반사시켜 영상을 표시하기 위해 공통적으로 상기 외부광이 반사되는 반사 전극을 포함하고, 상기 반사 전극의 표면에는 반사율을 향상시키기 위해 요철이 형성되며, 상기 요철의 숫자가 많고 불규칙할수록 반사율은 보다 향상된다.
이때, 상기 요철을 형성함에 있어서, 상기 반사 전극 아래에 형성되는 유기막에 요철을 형성하고, 상기 유기막에 형성된 요철의 형상에 따라 상기 반사 전극의 요철의 형상이 결정됨이 일반적이다. 따라서, 상기 유기막에 요철을 형성시키는 공정의 개선을 통해서, 상기 반사 전극의 요철의 숫자를 늘리고 불규칙하게 만드는 공정을 보다 효율적으로 할 수 있으며, 상기 반사율을 극대화시킬 수 있다.
이에 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에 착안한 것으로, 본 발명의 목적은 반사율이 높은 반사판을 가진 어레이 기판을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 어레이 기판의 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 어레이 기판을 포함하는 액정패널을 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 어레이 기판은 기판, 상기 기판 위에 형성된 트랜지스터, 상기 기판과 트랜지스터를 커버하고, 상기 트랜지스터의 전류 전극을 노출시키면서 상부에 요철이 형성된 절연막, 및 상기 절연막과 트랜지스터의 전류 전극 위에 형성된 유기막을 포함한다.
상기한 본 발명의 다른 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 어레이 기 판의 제조 방법은 기판 위에 채널층과 트랜지스터의 제어 전극을 형성하는 단계, 상기 기판과, 채널층과, 트랜지스터의 제어 전극을 커버하면서, 상기 채널층 일부를 노출시키는 절연막을 형성하는 단계, 상기 절연막 상부에 요철을 형성하는 단계, 상기 노출된 채널층과 절연막 일부를 커버하는 트랜지스터의 전류 전극을 형성하는 단계, 및 상기 절연막과 트랜지스터의 전류 전극 위에 유기막을 형성하는 단계를 포함한다.
상기한 본 발명의 또 다른 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 액정패널은 기판과, 상기 기판 위에 형성된 트랜지스터와, 상기 기판과 트랜지스터를 커버하고, 상기 트랜지스터의 전류 전극을 노출시키면서 상부에 요철이 형성된 절연막과, 상기 절연막과 트랜지스터의 전류 전극 위에 형성된 유기막을 포함하는 어레이 기판, 상기 어레이 기판과 대향하는 컬러필터 기판, 및 상기 어레이 기판 및 컬러필터 기판 사이에 개재되는 액정층을 포함한다.
이러한 어레이 기판, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 액정패널에 의하면, 유기막 하부에 위치하는 절연막 상부에 요철을 형성함으로써 어레이 기판의 반사 영역에서의 반사율을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 어레이 기판의 평면도이고, 도 2는 상기한 도 1의 절단선 I-I´으로 절단한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 어레이 기판(100)은 복수 개의 단위 화소로 구성되는데, 상기 단위 화소는 제1 방향으로 신장되어 위치하는 게이트 라인(GL)과, 상 기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 신장되어 위치하는 데이터 라인(DL)으로 둘러싸인 영역으로 정의된다.
상기 단위 화소는 제1 베이스 기판(110), 보호막(120), 박막 트랜지스터(130), 게이트 산화막(140), 제1 층간 절연막(150), 제2 층간 절연막(160), 유기막(170), 화소전극(180), 및 반사판(190)을 포함한다.
상기 박막 트랜지스터(130)는 채널층(132), 제어 전극(134), 및 전류 전극(136)을 포함하고, 상기 채널층은 제1 채널층(132a), 제2 채널층(132b), 및 제3 채널층(132c)을 포함하며, 상기 전류 전극(136)은 소오스 전극(136a)과 드레인 전극(136b)을 포함한다.
또, 상기 단위 화소는 반사판(190)이 형성된 반사 영역(RA)과 상기 반사판이 형성되지 않은 투과 영역(TA)으로 나뉘어진다.
상기 채널층(132)은 아몰퍼스 실리콘을 레이저 결정화 방법에 의하여 결정화한 폴리 실리콘이 주로 사용된다. 상기 제1 채널층(132a)은 고농도 이온 도핑 영역으로서, 저농도 이온 도핑 영역(132b)인 상기 제2 채널층의 외곽에 형성된다. 상기 채널층(132)의 상부에는 게이트 산화막(140)이 형성된다.
상기 게이트 라인(GL)은 상기 게이트 산화막(140) 위에 형성되어, 상기 채널층(132)을 부도체에서 도체로 턴-온 또는 도체에서 부도체로 턴-오프 시키는 게이트 전압이 인가되도록 한다. 이를 구현하기 위해 상기 게이트 라인(GL) 일부는 상기 채널층(132) 위로 연장되어 게이트 전극(134)을 형성한다. 상기 게이트 전극(134)은 상기 제3 채널층(132c) 위쪽 영역에 위치한다.
한편, 커패시터 스토리지 라인(CSL)은 상기 게이트 라인(GL)과 동일하게 상기 게이트 산화막(140) 위에 형성되며, 상기 커패시터 스토리지 라인(CSL) 중에서 상기 단위 화소 내부에 속하는 일부가 커패시터 스토리지 전극(142)을 형성한다.
상기 게이트 전극(136)과 커패시터 스토리지 전극(142)은 제1 층간 절연막(150)에 의하여 절연되고, 상기 제1 층간 절연막(150) 위로 제2 층간 절연막(160)이 형성되며, 상기 제2 층간 절연막(160) 상부에는 반사 영역에 요철이 형성되어 있다. 상기 제1 층간 절연막은 산화물로, 그리고 상기 제2 층간 절연막은 네이디뮴 실리콘(SiNd) 성분으로 형성될 수 있다.
상기 제2 층간 절연막(160)은 일부가 제거되며, 상기 제거된 부분 아래로 제1 층간 절연막(150) 및 게이트 산화막(140)도 마찬가지로 제거되어 상기 제1 채널층(136a) 일부를 노출시키는 제1 콘택홀(CNT1)을 형성한다. 또, 상기 제2 층간 절연막(160)의 다른 일부가 제거되어, 상기 제1 층간 절연막 일부를 노출시키며 상기 커패시터 스토리지 전극(142) 위쪽 영역에 제2 콘택홀(CNT2)을 형성한다.
상기 데이터 라인(DL)은 상기 제2 층간 절연막(160) 위에 형성되며, 영상 신호에 대응하는 데이터 전압을 인가하는데, 상기 데이터 라인(DL) 일부는 상기 제1 방향으로 상기 제1 채널층(132a) 위로 연장되어 소오스 전극(136a)을 형성하고, 상기 소오스 전극(136a)과 이격되어 상기 드레인 전극(136b)을 형성한다.
상기 소오스 전극(136a)과 상기 드레인 전극(136b)은 각각 상기 제1 콘택홀(CNT1)을 통해 상기 제1 채널층(132a)과 전기적으로 연결된다. 또, 상기 드레인 전극(136b)은 상기 제2 콘택홀(CNT2)을 통해 상기 제1 층간 절연막(150)과 연결되며, 상기 제1 층간 절연막(150)을 사이에 두고 상기 커패시터 스토리지 전극(142)과 대향한다.
상기 소오스 전극(136a)이나 드레인 전극(136b)은 상기 반사 영역(RA)에 형성되므로, 상기 소오스 전극(136a)이나 드레인 전극(136b) 중에서 상기 제2 층간 절연막(160) 위에 형성된 부분은 상기 제2 층간 절연막(160) 상부의 요철의 형상을 가지게 된다.
한편, 상기 제2 층간 절연막(160) 혹은 상기 제2 층간 절연막(160) 위에 형성된 상기 소오스 전극(136a)이나 드레인 전극(136b) 위에는 상기 드레인 전극(136b)의 일부를 노출시키면서 상기 유기막(170)이 형성된다. 도면상에서는 상기 유기막(170)의 두께가 상기 제2 층간 절연막(160)보다 얇게 보이지만, 실제로는 상기 유기막(170)의 두께는 대략 2㎛ 정도로서, 상기 제2 층간 절연막(160)의 두께인 대략 0.4㎛ 보다 크다.
상기 유기막(170) 상부에는 복수 개의 마이크로 렌즈(미도시)를 형성함으로써 엠보싱(Embossing) 패턴을 만들어 요철을 형성한다. 이때, 상기 유기막(170)은 상기 제2 층간 절연막(160) 혹은 상기 제2 층간 절연막(160) 위에 형성된 상기 소오스 전극(136a)이나 드레인 전극(136b) 위에 형성되므로, 상기 유기막(170)에 형성되는 상기 요철은 플랫한 상태에서 상기 요철을 형성할 때보다 보다 불규칙한 형상을 가질 수 있다.
즉, 이미 요철을 가지고 있는 상기 제2 층간 절연막(160) 혹은 상기 제2 층간 절연막(160) 위에 형성된 상기 소오스 전극(136a)이나 드레인 전극(136b) 위에 상기 유기막(170)이 형성되므로, 상기 유기막(170) 상부도 상기 요철을 가진 상태가 되고, 여기에 또 다시 다른 요철을 형성하는 공정을 거치게 됨으로써 보다 많은 수와 불규칙한 형상을 갖는 요철이 형성된다.
상기 유기막(170) 일부와 상기 노출된 드레인 전극(136b) 위로 상기 화소 전극(180)이 형성되고, 상기 화소 전극(180)과 상기 드레인 전극(136b)은 제3 콘택홀(CNT3)을 통해 전기적으로 연결된다. 이때, 상기 화소 전극(180) 중에서 상기 반사 영역에 해당하는 부분은 상기 화소 전극(180) 하부에 위치한 상기 유기막(170)이나 상기 드레인 전극(136b)이 가지는 요철의 형상을 가진다.
상기 유기막(170) 및 화소 전극(180)의 일부 위에는 반사판(190)이 형성되는데, 상기 반사판(190)이 형성되는 영역이 곧 상기 반사 영역(RA)이 된다. 상기 반사판(190)은 상기 반사판(190) 하부에 위치한 상기 유기막(170)이나 화소 전극(180)의 요철의 형상을 가지게 되고, 상기 요철의 수가 많을수록, 또 상기 요철의 형상이 불규칙할수록 반사율은 높아진다.
도면상에서는 상기 유기막(170)의 표면이 상대적으로 높으면서 첨예한 부위와, 상대적으로 낮으면서 첨예한 부위를 도시하였으나, 상기 유기막의 표면은 상대적으로 높으면서 라운드진 부위와, 상대적으로 낮으면서 라운드진 부위로 이루어질 수도 있다.
도 3a 내지 도 3f는 도 1에 도시된 어레이 기판의 제조 공정을 나타내는 단면도들이다
도 3a를 참조하면, 제1 베이스 기판(110) 위에 보호막(120)을 형성하고, 상 기 보호막(120) 위에 채널층(132)을 형성한다. 상기 채널층(132)은 아몰퍼스 실리콘(a-Si) 박막을 레이저 결정화 방법에 의하여 폴리 실리콘(poly-Si) 박막으로 변경한 후 상기 폴리 실리콘 박막을 패터닝하여 형성한다.
상기 폴리 실리콘 박막에는 포토레지스트 박막(미도시)을 덮고, 상기 포토레지스트 박막(미도시)을 제1 패턴 마스크(미도시)에 의하여 패터닝하여 상기 채널층(132)을 형성한다. 상기 채널층(132) 위에는 게이트 산화막(140)을 형성한다.
상기 게이트 산화막(140) 위에는 전체 면적에 걸쳐 게이트 메탈 박막을 증착한다. 상기 게이트 메탈 박막 위에는 포토레지스트 박막(미도시)을 도포하고, 상기 포토레지스트 박막(미도시)을 제2 패턴 마스크(미도시)에 의하여 패터닝하여 게이트 라인(미도시)및 커패시터 스토리지 라인(미도시)이 형성하며, 이때 상기 게이트 라인(미도시)의 연장된 일부가 상기 게이트 전극(134)이 되고, 상기 커패시터 스토리지 라인(미도시)의 일부가 상기 커패시터 스토리지 전극(142)이 된다.
이어서, 상기 제1 베이스 기판(110) 상의 전면적에 걸쳐 불순물 고농도 이온 주입 공정을 수행한다. 이때, 상기 채널층(132) 중 이온 마스크(미도시)에 의하여 덮이지 않은 부분에 불순물을 고농도로 이온 주입하여 상기 제1 채널층(132a)을 형성한다. 이어서, 상기 이온 마스크(미도시)를 스트립하고, 상기 채널층(132)의 전면적에 걸쳐 불순물을 저농도 이온 주입하는데, 상기 제3 채널층(135)은 상기 게이트 전극(134)에 의해 커버되어 있으므로 상기 불순물이 주입되지 않고, 결과적으로 상기 제2 채널층(132b)이 상기 제1 채널층(132a) 안쪽 영역에 띠 형상으로 형성된다.
이후, 상기 게이트 산화막(140) 위에 상기 게이트 전극(134) 및 커패시터 스토리지 전극(142)이 덮이도록 전면적에 걸쳐 제1 층간 절연막(150)을 형성하고, 상기 제1 층간 절연막(150) 위에 다시 제2 층간 절연막(160)을 형성한다.
이어서, 상기 제2 층간 절연막(160)에 제3 패턴 마스크(미도시)를 이용하여 상기 제1 채널층(132a)을 개구시키는 제1 콘택홀(CNT1)과, 상기 제1 절연막(150)을 개구시키는 제2 콘택홀(CNT2)을 형성한다. 상기 제1 콘택홀(CNT1)은 상기 게이트 전극(134) 양쪽에 형성하고, 상기 제2 콘택홀(CNT2)은 상기 커패시터 스토리지 전극(142) 위쪽 영역에 형성한다.
상기 제2 층간 절연막(160)에 상기 제1 콘택홀(CNT1)을 형성하는 과정에서, 상기 제2 층간 절연막(160)의 하부에 배치된 상기 제1 층간 절연막(150) 및 게이트 산화막(140)에도 상기 제1 콘택홀(CNT1)을 함께 형성하여, 상기 제1 채널층(132a)이 외부에 대하여 노출된 형상을 갖도록 한다.
도 3b를 참조하면, 상기 제2 층간 절연막(160)의 상부에 요철을 형성한다. 상기 요철은 차후에 반사판이 형성될 영역인 반사 영역에 제4 패턴 마스크(미도시)를 이용하여 형성하며, 가능한 한 많은 수로 불규칙하게 형성할수록 반사율을 향상시킬 수 있다.
도 3c를 참조하면, 상기 제2 층간 절연막(160), 개구된 상기 제1 채널층(132a), 및 개구된 상기 제1 층간 절연막(150) 위에 전류 전극(138)을 형성한다. 상기 전류 전극(138)은 메탈 박막을 증착한 후, 제5 패턴 마스크(미도시)를 이용하여 형성하는데, 상기 반사 영역의 일부 영역에 형성시킨다.
도 3d를 참조하면, 상기 제2 층간 절연막(160)과 상기 전류 전극(138) 위에 상기 유기막(170)을 형성하는데, 제6 패턴 마스크(미도시)에 의해 상기 채널층(136) 중 드레인 전극(136b) 일부가 노출되도록 형성한다.
도 3e를 참조하면, 상기 유기막(170) 상부에 요철을 형성하는데, 상기 요철은 반사 영역(RA)에 형성하여 반사율을 높이는 역할을 하며, 일반적으로 상기 유기막(170)에 마이크로 렌즈(미도시)를 형성함으로써 만들어지는 엠보싱 패턴에 의해 형성한다.
즉, 상기 유기막(170)의 상부에 투명기판(미도시)과 광차단 패턴(미도시)들을 포함하는 제7 패턴 마스크(미도시)를 배치하고 노광시키면, 상기 제7 패턴 마스크(미도시)의 하부에 배치된 상기 유기막(170)에는 상기 광차단 패턴(미도시)들의 형상과 비슷한 패턴이 형성된다.
다만, 상기 유기막(170) 하부에 배치된 상기 제2 층간 절연막(160)이나 상기 제2 층간 절연막(160) 위에 형성된 상기 전류 전극(136)의 상부에는 요철이 형성되어 있기 때문에, 상기 유기막(170) 상부에는 이미 상기 요철의 형상이 나타나 있다. 따라서, 상기 유기막(170) 상부에는 상기 광차단 패턴(미도시)의 형상보다 더 불규칙하고 복잡한 엠보싱 패턴이 형성된다. 도면상에서는 상기 유기막(170)의 표면이 상대적으로 높으면서 첨예한 부위와, 상대적으로 낮으면서 첨예한 부위를 도시하였으나, 상기 유기막의 표면은 상대적으로 높으면서 라운드진 부위와, 상대적으로 낮으면서 라운드진 부위로 이루어질 수도 있다.
도 3f를 참조하면, 상기 유기막(170) 위에 화소 전극(180)을 형성하는데, 투 명하고 도전성인 메탈을 상기 유기막(170) 위에 적층하고, 제8 패턴 마스크를 이용해 일부 영역을 제거함으로써 형성한다. 이때 상기 메탈로는 투명하고 도전성인 산화 주석 인듐 박막(Indium Tin Oxide film), 산화 아연 인듐 박막(Indium Zinc Oxide film), 또는 아몰퍼스 산화 주석 인듐 박막(amorphous Indium Tin Oxide film) 등을 포함할 수 있다. 한편, 상기 화소 전극(180)은 제3 콘택홀(CNT3)을 통해 노출된 상기 드레인 전극(136b)과 전기적으로 연결된다.
그리고, 상기 유기막(170)과 화소 전극(180) 위에 반사판(190)을 형성하는데, 상기 반사판(190)은 광 반사율이 뛰어난 금속, 예를 들면 알루미늄, 알루미늄 합금 등을 상기 유기막(170) 및 화소 전극(180) 위에 적층하고 제9 패턴 마스크(미도시)를 이용해 일부 영역을 제거함으로써 형성한다. 상기 금속이 제거된 영역이 곧 투과 영역(TA)이 되고, 상기 반사판(190)이 형성된 영역이 반사 영역(RA)이 된다.
상기 반사판(190)은 하부에 위치한 상기 유기막(170) 혹은 화소 전극(180)이 가지는 요철의 형상을 가지며, 상기 요철에 의해 반사율이 향상된다.
도 4는 본 발명의 비교에에 의한 어레이 기판의 평면도이다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 의한 상기 어레이 기판의 평면도인 도 1과 비교할 때, 그 구조는 동일하나 반사 영역(RA)에서 제2 층간 절연막(160)과 상기 제2 층간 절연막(160) 위에 위치한 전류 전극(136)의 상부에 요철이 형성되어 있지 않다.
따라서 상기 제2 층간 절연막(160) 및 상기 제2 층간 절연막(160) 위에 위치 한 전류 전극(136) 상에 형성된 유기막(170)의 요철의 형상이 도 2에서의 상기 유기막(170)의 요철의 형상보다 규칙적이고, 상기 요철의 수도 적다. 그리하여 본 발명의 일실시예에 의한 상기 어레이 기판보다 낮은 반사율을 갖게 된다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 의한 액정패널의 단면도이다.
본 실시예에 의한 어레이 기판은 컬러필터 기판 및 액정층을 제외하면 앞서 설명한 도 2에서의 상기 어레이 기판과 동일하다. 따라서, 상기 도 2에서의 어레이 기판과 동일한 부분에 대한 중복된 설명은 생략하기로 하며, 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 명칭 및 참조 부호를 사용하기로 한다.
도 5를 참조하면, 액정패널은 어레이 기판(100), 컬러필터 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.
상기 컬러필터 기판(200)은 제2 베이스 기판(210), 블랙 매트릭스(220), 컬러필터(230), 평탄화막(240), 및 공통전극(250)을 포함한다.
상기 컬러필터(230)는 적색광을 통과시키는 적색 컬러필터, 녹색광을 통과시키는 녹색 컬러필터 및 청색광을 통과시키는 청색 컬러필터를 포함한다.
상기 평탄화막(240)은 상기 블랙 매트릭스(220)와 컬러필터(230)를 덮도록 형성되며, 상기 평탄화막(240) 상에는 공통전극(250)이 상기 어레이 기판(100)에 형성된 상기 화소 전극(180)과 마주보도록 형성된다.
상기 액정층(300)은 상기 어레이 기판(100) 및 컬러필터 기판(200)의 사이에 개재되며, 상기 어레이 기판(100)에 형성된 화소 전극(180)의 투과 영역(TA)을 통과한 내부광(L2) 또는 상기 컬러필터 기판(200)을 통과한 외부광(L1)의 투과율을 상기 화소 전극(180) 및 공통전극(250)의 사이에 형성된 전계차에 대응하여 변경시키고, 그 결과 정보가 포함된 영상을 표시한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따르면 어레이 기판에서 유기막 하부에 형성되는 층간 절연막 상에 요철을 형성함으로써, 상기 층간 절연막 상부에 형성되는 상기 유기막이 일정한 요철을 갖게 한다. 그 이후 다시 상기 유기막에 엠보싱 패턴을 갖는 마이크로 렌즈를 형성하게 되며, 플랫한 상태에서 상기 마이크로 렌즈를 형성하는 것보다, 상기 마이크로 렌즈로 인한 요철의 형상이 보다 불규칙하고 또 복잡하게 형성되므로, 결과적으로 상기 유기막 상부에 형성되는 반사판의 반사율이 향상되는 효과를 가진다.
이상에서는 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (15)
- 기판;상기 기판 위에 형성된 트랜지스터;상기 기판과 트랜지스터를 커버하고, 상기 트랜지스터의 전류 전극을 노출시키면서 상부에 요철이 형성된 절연막; 및상기 절연막과 트랜지스터의 전류 전극 위에 형성된 유기막을 포함하는 어레이 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 전류 전극은 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하고,상기 유기막은 상기 드레인 전극 일부를 노출시키며,상기 노출된 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 유기막 위에 형성된 화소 전극을 더 포함하는 어레이 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 유기막은 상기 절연막의 요철에 대응하여 상대적으로 높은 영역부들과 상대적으로 낮은 영역부들을 갖는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
- 제3항에 있어서, 상기 유기막 위에 형성된 반사판을 더 포함하는 어레이 기판.
- 제4항에 있어서, 상기 반사판은 균일한 두께로 상기 유기막 위에 형성된 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 트랜지스터는 채널층과, 상기 채널층의 제1 영역 위에 형성된 전류 전극과, 상기 채널층의 제2 영역 위에 형성된 제어 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판.
- (a) 기판 위에 채널층과 트랜지스터의 제어 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 기판, 채널층 및 트랜지스터의 제어 전극을 커버하면서, 상기 채널층 일부를 노출시키는 절연막을 형성하는 단계;(c) 상기 절연막의 상부 영역에 요철을 형성하는 단계;(d) 상기 노출된 채널층과 절연막 일부를 커버하는 트랜지스터의 전류 전극을 형성하는 단계; 및(e) 상기 절연막과 트랜지스터의 전류 전극 위에 유기막을 형성하는 단계를 포함하는 어레이 기판의 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 전류 전극은 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하며,(f) 상기 단계(e)에 의한 결과물에서 상기 드레인 전극 일부를 노출시키는 단계; 및(g) 상기 유기막을 커버하면서 상기 노출된 드레인 전극과 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 어레이 기판의 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 단계(e)는(e-1) 상기 절연막과 트랜지스터의 전류 전극 위에 유기막을 후박하게 형성하는 단계; 및(e-2) 상기 절연막의 요철에 대응하여 상기 단계(e-1)에 의한 유기막에 상대적으로 높은 영역부들과 상대적으로 낮은 영역부들을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 단계(e)에 의한 결과물 위에 반사판을 형성하는 단계를 더 포함하는 어레이 기판의 제조 방법.
- 기판과, 상기 기판 위에 형성된 트랜지스터와, 상기 기판과 트랜지스터를 커버하고, 상기 트랜지스터의 전류 전극을 노출시키면서 상부에 요철이 형성된 절연막과, 상기 절연막과 트랜지스터의 전류 전극 위에 형성된 유기막을 포함하는 어레이 기판;상기 어레이 기판과 대향하는 컬러필터 기판; 및상기 어레이 기판 및 컬러필터 기판 사이에 개재되는 액정층을 포함하는 액정패널.
- 제11항에 있어서, 상기 전류 전극은 소오스 전극과 드레인 전극을 포함하고,상기 유기막은 상기 드레인 전극 일부를 노출시키며,상기 노출된 드레인 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 유기막 위에 형성된 화소 전극을 더 포함하는 액정패널.
- 제11항에 있어서, 상기 유기막은 상기 절연막의 요철에 대응하여 상대적으로 높은 영역부들과 상대적으로 낮은 영역부들을 갖는 것을 특징으로 하는 액정패널.
- 제13항에 있어서, 상기 유기막 위에 형성된 반사판을 더 포함하는 액정패널.
- 제14항에 있어서, 상기 반사판은 균일한 두께로 상기 유기막 위에 형성된 것을 특징으로 하는 액정패널.
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