CN1790116B - 透射反射式液晶显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种具有反射区和透射区的透射反射式液晶显示器，其包括第一基板、形成在该第一基板上并具有相应于透射区的凹陷部分的光透射层、形成在该光透射层上并由于光透射层的凹陷部分而具有随位置变化的厚度的滤色器、形成在该第一基板上的透明电极、设置在反射区上并插入在光透射层与滤色器之间的反射电极、第二基板、形成在该第二基板上的公共电极、和插入在该第一基板和第二基板之间的液晶层。

Description

透射反射式液晶显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种透射反射式液晶显示器(LCD)及其制造方法。
背景技术
LCD根据光源分类为透射式LCD和反射式LCD。透射式LCD具有背光作为光源，而反射式LCD采用外部光作为光源。
人们也在开发采用背光和外部光作为光源的透射反射式LCD。透射反射式LCD具有透射式LCD和反射式LCD的优点。反射式LCD的优点是低功耗和在明亮环境中好的可见度，透射式LCD的优点是在例如室内的黑暗环境中好的可见度。因此，采用透射反射式LCD可以不考虑环境亮度，且由于其低功耗可以用于移动显示器。
图1是常规透射反射式LCD的截面图。
参照图1，常规透射反射式LCD 100具有带多个TFT的薄膜晶体管(TFT)阵列面板160、面对该TFT阵列板160并具有多个滤色器150和公共电极173的滤色器阵列面板170、以及插入在该两个面板160和170之间的液晶层180。
TFT阵列面板160具有第一绝缘基板110、多个TFT 120、多个由透明电极141和反射电极142组成并连接到TFT 120的像素电极140、以及插入在TFT 120与像素电极140之间的有机绝缘层130。
每个像素电极140的区域分为设置反射电极142的反射区B和设置透明电极141的透射区A。
滤色器阵列面板170具有第二绝缘基板171、多个形成在该第二基板171上的滤色器150、和覆盖该滤色器150的公共电极173。
这样的透射反射式LCD具有两个不同操作模式：透射模式和反射模式。在反射模式中，通过使用经过滤色器阵列面板170而引入并在反射电极142处被反射的外部光L1来显示图像。在透射模式中，通过使用来自设置在TFT阵列面板160背侧的背光单元并穿出该TFT阵列面板160、液晶层180和滤色器阵列面板170的背光(L2)来显示图像。
在反射模式中，外部光L1穿过滤色器150两次以显示图像，但在透射模式中，背光L2仅穿过滤色器150一次以显示图像。因此，在两种模式之间产生色彩再现的差异。
此外，在反射模式中，外部光(L1)穿过液晶层180两次，所以在液晶层180中的光路的长度是2d。然而，在透射模式中，背光L2仅穿过液晶层180一次，所以在液晶层180中的光路的长度是d。这种光路长度的差异引起两种模式之间光学特性的差异。
发明内容
本发明提供了一种透射反射式LCD及其制造方法，该LCD具有透射模式与反射模式之间最小化的色彩再现偏差。
本发明提供了一种透射反射式LCD及其制造方法，该LCD具有透射模式与反射模式之间最小化的光学特性偏差。
具体地，本发明提供了一种透射反射式液晶显示器，其具有反射区和透射区，并包括第一基板、形成在该第一基板上并具有相应于透射区的凹陷部分的光透射层、形成在该光透射层上并由于光透射层的凹陷部分而具有依赖于位置的厚度的滤色器、形成在该第一基板上的透明电极、设置在反射区上并插入在光透射层与滤色器之间的反射电极、第二基板、形成在该第二基板上的公共电极、和插入在该第一基板和第二基板之间的液晶层。
该透射反射式液晶显示器还可以包括具有形成在第一基板上薄膜晶体管(TFT)，该TFT具有栅电极、形成在该栅电极之上或之下并与该栅电极绝缘的半导体、连接到该半导体的源电极和漏电极、以及连接到该漏电极的像素电极。
该透射反射式液晶显示器还可以包括绝缘层，该绝缘层插入在该第二基板和公共电极之间，并具有面对光透射层的凹陷部分的凹陷部分。
光透射层的凹陷部分可以具有基本上与反射区上的滤色器厚度相同的深度，且光透射层在凹陷部分的厚度可以是零。光透射层可以具有压纹表面，且反射电极由于光透射层的压纹表面而可以具有压纹结构。
滤色器可以具有基本上平坦的顶表面。在透射区上的滤色器的厚度可以两倍于反射区上的厚度。
透明电极可以插入在光透射层与反射电极之间、在第一基板与光透射层之间、或者它们可以设置在滤色器上。
液晶层可以具有当没有施加电场时平行于第一和第二基板排列并沿同样方向的液晶。
透射反射式液晶显示器还可以包括形成在滤色器上的第一配向层和形成在公共电极上的第二配向层，其中第一配向层的摩擦方向与第二配向层的平行。
液晶层可以具有当没有施加电场时垂直于第一和第二基板排列的液晶。
本发明提供了一种透射反射式液晶显示器的制造方法，包括在第一基板上形成TFT、在形成有TFT的第一基板上形成具有凹陷部分的光透射层、形成反射电极以具有相应于该光透射层上的凹陷部分的开口、在反射电极和光透射层上形成滤色器、在该滤色器上形成透明电极、在第二基板上形成绝缘层、在该绝缘层上形成公共电极、组装该第一电极和第二电极、并在第一电极和第二电极之间插入液晶层。
该方法还可以包括采用通过具有狭缝图案的图案掩模的曝光在光透射层顶表面处形成压纹结构。
该方法还可以包括构图该绝缘绝缘层以具有相应于光透射层的凹陷部分的凹陷部分。
本发明提供了一种透射反射式液晶显示器的制造方法，包括在第一基板上形成TFT、在形成有TFT的第一基板上形成具有凹陷部分的光透射层、在光透射层上形成透明电极、在透明电极上形成反射电极以具有相应于凹陷部分的开口、在反射电极和透明电极上形成滤色器、在第二基板上形成绝缘层、在绝缘层上形成公共电极、组装第一基板和第二基板、并在第一基板和第二基板之间插入液晶层。
本发明提供了一种透射反射式液晶显示器的制造方法，包括：在第一基板上形成TFT、在第一基板的预定区域上形成透明电极、形成具有相应于透明电极的凹陷部分的光透射层、在光透射层上形成反射电极以具有相应于凹陷部分的开口、在反射电极和透明电极上形成滤色器、在第二基板上形成绝缘层、在绝缘层上形成公共电极、组装第一基板和第二基板、并在第一基板和第二基板之间插入液晶层.
滤色器的形成可以包括转印反射电极和光透射层上的第一转印膜的第一滤色器层并构图所转印的滤色器层。
滤色器的形成可以包括将第一转印膜的第一滤色器层转印反射电极和光透射层上；构图该第一滤色器层以形成填充光透射层的凹陷部分的第一滤色器；将第二转印膜的第二滤色器层转印反射电极和光透射层上；并构图该第二滤色器层以形成设置在反射电极上的第二滤色器。
第一和第二滤色器层的转印可以通过用辊挤压而进行。
在进行转印时，第一基板可以被加热到100～110℃的温度，且辊可以被加热到120～140℃的温度。
附图说明
通过下面接合附图的描述，可以具体理解本发明的优选实施例，在附图中：
图1是常规透射反射式LCD的截面图；
图2是根据本发明实施例的透射反射式LCD的截面图；
图3是根据本发明另一实施例的透射反射式LCD的截面图；
图4是根据本发明另一实施例的透射反射式LCD的截面图；
图5A到5F是根据本发明实施例的透射反射式LCD在制造TFT阵列面板的中间步骤中TFT阵列面板的截面图；
图6A到6D是根据本发明实施例的透射反射式LCD在制造公共电极面板的中间步骤中公共电极面板的截面图；
图7是用于制造根据本发明实施例的透射反射LCD的薄膜晶体管阵列面板的滤色器转印膜的截面图；
图8是采用图7的滤色器转印膜的滤色器形成工艺的示意图；
图9A和9B是用于根据本发明另一实施例的透射反射式LCD在制造TFT阵列面板的中间步骤中TFT阵列面板的截面图；
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本发明的优选实施例，在附图中示出了本发明的优选实施例。然而，本发明可以实施为不同形式，且不应理解为局限于此处给出的实施例。而且提供这些实施例使得本公开更彻底和完整，并向本领域的技术人员充分传达本发明的范畴。
在附图中，为了清楚起见，放大了层、膜和区域的厚度。通篇相同的参考标号代表相同元件。应该理解，当元件例如层、膜、区域或基板称为在另一元件“上”时，它可以直接位于另一元件上，或者可以存在中间元件。
图2是根据本发明实施例的透射反射式LCD的截面图。
参照图2，根据本发明实施例的透射反射式LCD具有TFT阵列面板260、面对该TFT阵列面板260的公共电极面板270、和插入在两面板260和270之间的液晶层280。
TFT阵列面板260具有由例如玻璃、石英或蓝宝石制成的第一绝缘基板210、形成在绝缘基板210上的多个TFT 220、光透射层230和滤色器250。
每个TFT 220具有栅电极221、栅绝缘层222、半导体层226、源电极223和漏电极224。图2示出了栅绝缘层222和半导体层226依次形成在栅电极上的底栅极型TFT 220。然而，也可以采用栅绝缘层和栅电极依次形成在半导体层上的顶栅极型TFT。半导体层226可以由非晶硅或多晶硅制成。
光透射层230通过例如旋涂的方法形成在TFT 220上，并由绝缘材料制成。光透射层230由包含例如苯并环丁烯(bisbenzocyclobutene，BCB)或全氟环丁烯(perfluorocyclobutene，PFCB)的感光有机材料或者包含有例如氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiNx)的感光无机材料制成。光透射层230具有暴露漏电极224的接触孔231和使来自背光L2的光穿过的透射窗口232。栅绝缘层222通过透射窗口232而暴露。台阶D1形成在透射窗口232与光透射层230的剩余部分之间。透射窗口232可以通过部分除去光透射层230而形成。光透射层230具有压纹表面，但它可以具有基本平坦的表面。
多个反射电极242形成在光透射层230上。反射电极242没有设置在透射窗口232的区域上，所以透射窗口232设置的区域形成透射区A，且反射电极242设置的区域形成反射区B。反射电极242由具有高反射率的金属例如铝、银、铝-铜合金或者铝-硅-铜合金制成。反射电极242形成为具有均匀厚度并具有与光透射层230相同的表面结构。因此，当光透射层242具有压纹表面时，反射电极242也具有压纹表面。反射电极242的压纹表面提高了外部光L1的反射特性。
滤色器250设置在反射电极242和形成有透射窗口232的区域上。当滤色器250设置在TFT阵列面板260上时，滤色器250与像素电极240之间的错开与常规透射反射式LCD相比减小了。此外，由于具有平坦表面的滤色器250设置在反射电极242上，简化了在反射区B中单元间距的计算。当反射电极242设置为顶层时，由于反射电极242的压纹结构，单元间距的计算十分复杂。
滤色器250具有均匀高度的顶表面。因此，由于光透射层230所形成的阶梯D1，在透射区A上的滤色器250的厚度厚于在反射区B上的厚度。结果，在透射区A与反射区B之间的色彩再现的差异减小了。优选在透射区A上的滤色器250具有两倍于在反射区B上的滤色器的厚度，以使光在透射区A上的滤色器250中穿过的长度基本上等于在反射区B上的。滤色器250的厚度可以随着颜色而变化。
多个透明电极241形成在滤色器250上。透明电极241由透明导电材料例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)制成。透明电极241通过形成在光透射层230中的接触孔231和滤色器250电连接到漏电极224和反射电极242。在此实施例中，当透明电极241形成在滤色器250上时，反射电极242与透明电极241之间的接触面积减小，且因此伏打效应(galvaniceffect)减小了。
公共电极面板270具有由例如玻璃、石英或蓝宝石的绝缘材料制成的第二绝缘基板271、形成在第二绝缘基板271上并由感光材料形成的涂覆层272、和由光透射材料制成的公共电极273。
涂覆层272面对透射窗口232的部分被除去以形成凹陷部分274.透射区A的单元间隙d1由于覆盖层272的凹陷部分274形成的阶梯而大于反射区B的单元间隙d2.因此，外部光L1在反射区B上的液晶层280中具有的通过长度可以控制为与在透射区A上的液晶层280中的相同.结果，在反射模式与透射模式之间的光学特性的差别减小了.优选地确定涂覆层272的凹陷274的深度，使得透射区A的单元间隙d1两倍大于反射区B的单元间隙d2.
液晶层280插入在TFT阵列面板260与公共电极面板270之间。在液晶层280中的液晶可以排列成扭曲向列(TN)模式，其中当无电场施加时液晶排列为平行于基板210和271并被扭曲，或者垂直排列(VA)模式，其中当无电场施加时液晶排列为垂直于基板210和271。在另一种方式中，液晶层280中的液晶可以排列成电控制双折射(ECB)模式，其中当无电场施加时，液晶排列为平行于基板210和271并彼此平行。此处，液晶的排列由形成在透明电极241和公共电极273上的配向层11和12的摩擦方向和特性决定。在ECB模式中，两个配向层11和12的摩擦方向可以相同或相反。
图3是根据本发明另一实施例的透射反射式LCD的截面图。
参照图3，当图3的LCD与图2的LCD比较时，图3的LCD的区别特点是透明电极341设置在光透射层230与反射电极342之间。透明电极341形成在光透射层230上以具有大致均匀的厚度。因此，透明电极341由于对光透射层230的压纹表面的反映而具有压纹表面，并通过接触孔231电连接到漏电极224。
如图3所示，两个电极341和342之间的接触区较宽。因此，需要两个电极341和342由几乎不反应的金属形成以减少伏打效应。
第一配向层11形成在滤色器250上，且第二配向层12形成在公共电极273上。形成第一和第二配向层11和12以排列液晶层280的液晶。
图4是根据本发明的另一实施例的透射反射式LCD的截面图。
参照图4，透明电极441形成在绝缘基板210上且与栅电极221在相同的层上。透射窗口232设置在透明电极441上。栅绝缘层225具有开口以暴露透明电极441。替代形成用于连接漏电极224和反射电极442的接触孔，漏电极224延伸以通过透射窗口232暴露，且反射电极442形成在透射窗口232的侧壁上和在透明电极441上，还形成在光透射层230上，从而与漏电极224和透明电极441电连接。
第一配向层11形成在滤色器250上，且第二配向层12形成在公共电极273上。形成第一和第二配向层11和12以排列液晶层280的液晶。
此后，将参照图5A到5F描述根据本发明实施例的TFT阵列板210的制造方法。
图5A到5F是图2所示的透射反射式LCD的TFT阵列面板在制造TFT阵列面板的中间步骤中的截面图。
参照图5A，分别具有栅电极521、源电极523、和漏电极524的TFT 520形成在第一绝缘基板510上。
具体地，由例如铝、铬或MoW制成的金属层(未示出)淀积在绝缘基板510上，并被构图以形成栅电极521。
由氮化硅或氧化硅制成的栅绝缘层522淀积在栅极521和第一绝缘基板510上。
接着，本征非晶硅层和重掺杂有N型掺杂剂的非本征非晶硅层通过例如等离子体增强化学气相淀积(PECVD)作为原位处理而依次淀积在栅绝缘层522上.然后，本征非晶硅层和非本征非晶硅层被构图以形成设置在栅电极521上的半导体526以及欧姆接触527的预图案(pre-pattern).此时，半导体526可以被激光照射以结晶化非晶硅，因此将半导体526转变为多晶硅.
接着，源电极523和漏电极524形成在欧姆接触527的预图案和栅绝缘层522上。
然后，欧姆接触527的预图案的暴露部分被蚀刻以形成欧姆接触527，因此TFT 520形成在第一绝缘基板510上。
参照图5B，感光的光透射层530覆盖在其上形成有TFT 520的第一绝缘基板510上。接着，在具有预定图案的第一图案掩模590淀积在光透射层530上之后，将光透射层530曝光。
参照图5C，曝光的光透射层530被显影以形成接触孔531’、透射窗口532和压纹表面。接触孔531’暴露TFT 520的漏电极524，且透射窗口532暴露栅绝缘层522的暴露部分。为了在光透射层530表面形成压纹结构，第一图案掩模可以具有狭缝图案(未示出)。
参照图5D，反射电极542形成在光透射层530上以具有相应于透射窗口532的开口。反射电极542通过接触孔531’电连接到漏电极524。
接着，参照图5E，滤色器550形成在反射电极542上以填充透射窗口532。滤色器550可以包括红、绿和蓝滤光片，且滤色器550根据它们的颜色可以具有不同厚度。滤色器550形成为具有基本平坦的顶表面，并具有相应于光透射层530的接触孔531’的接触孔531以暴露出漏电极524。
接着，参照图5F，透明电极541形成在滤色器550上。透明电极541形成为具有基本均匀的厚度，并通过接触孔531连接到漏电极524和反射电极542。
将参照图6A到6D描述根据本发明实施例的公共电极面板的制造方法。
图6A到6D是根据本发明实施例的透射反射式LCD的公共电极面板在制造公共电极面板的中间步骤中的截面图。
参照图6A，感光材料的涂覆层672通过例如旋涂方法覆盖在绝缘基板671上。
接着，参照图6B，将第二图案掩模675设置在涂覆层672上并曝光，第二图案掩膜675具有光照图案以除去在相应于TFT阵列面板560的透射窗口532的位置的涂覆层672。
然后，参照图6C，曝光的涂覆层672被显影以形成凹陷部分674。
参照图6D，由光透射材料制成的公共电极673形成在具有凹陷部分674的涂覆层673上。因此公共电极面板670完全制成。
在本发明的实施例中，滤色器形成为在反射区和透射区之间具有不同厚度。因此，可以消除在透射区与反射区之间的色彩再现差异。
在本发明的实施例中，透射区的单元间隙形成为两倍大于反射区的。因此，可以减小在反射模式与透射模式之间的光学特性差异。
现在将参照附图描述本发明的另一实施例。
图7是用于制造根据本发明实施例的透射反射式LCD的薄膜晶体管阵列面板的滤色器转印膜的截面图。
滤色器转印膜10包括起支持件作用的基膜13、当进行转印时均匀分散辊压的衬垫层14、将通过转印成为滤色器的滤色器层15、和用于保护滤色器层15的覆盖膜16。
还可以在滤色器层15与衬垫层14之间包括氧拦截层(未示出)，以通过拦截来自外部的氧而提高滤色器层15的强度。
由于滤色器转印膜10的滤色器层15的厚度易于控制，滤色器转印膜10可以用于形成具有各种厚度的滤色器。
将参照图8描述采用滤色器转印膜10的滤色器的形成方法。
图8是通过采用图7的滤色器转印膜的滤色器形成工艺的示意图。
参照图8，在除去覆盖膜16之后，将滤色器转印膜10设置在目标基板500上，以使滤色器层15接触形成有预定薄膜图案的目标基板500的顶表面。
接着，滤色器转印膜10被辊20挤压以将滤色器层15附着到目标基板500。此时，目标基板500被加热到100～110℃的温度，且辊20被加热到120～140℃的温度。
当辊20挤压滤色器转印膜10时，衬垫层14被热所液化，并均匀分散辊20的压力。由于被衬垫层14分散的压力，转印的滤色器层15具有基本平坦的顶表面，不管目标基板500顶表面是否不平坦。
接着，在除去基膜13和衬垫层14之后，转印的滤色器层15通过预定掩模被暴露于光，并被显影以形成具有预定形状的滤色器。
将参照附图描述制造根据本发明另一实施例的图2的TFT阵列面板210的方法。
图9A和9B是根据本发明另一实施例的透射反射式LCD的TFT阵列面板在制造TFT阵列面板的中间步骤中的截面图。
形成TFT 520、光透射层530和反射电极542的工艺与在图5A到图5D中示出的工艺相同。
接着，第一转印膜的第一滤色器层被转印到反射电极542上，并被照射和显影，以形成填充透射窗口532的用于透射区的滤色器层550a。
接着，第二转印膜的第二滤色器层被转印到反射电极542上，并被照射和显影，以形成填充透射窗口532的反射区的滤色器层550b。
滤色器层550a和550b形成为具有基本平坦的顶表面，并具有相应于光透射层530的接触孔531’的接触孔531，以暴露漏电极524。此处，第一转印膜的滤色器层两倍厚于第二转印膜的。
在本实施例中，用于透射区的滤色器层550a用第一转印膜形成，且用于反射区的滤色器层550b用第二转印膜形成。与本实施例不同，用于透射区的滤色器层550a的局部厚度(例如填充透射窗口532的厚度)可以用第一转印膜形成，且用于透射区的滤色器层550a的剩余厚度和用于反射区的滤色器层550b可以用第二转印膜形成。
通过重复上述滤色器形成工艺而形成红、绿和蓝滤色器。
如上所述，当使用滤色器转印膜时，容易形成具有两个不同厚度的滤色器。因此，用于形成滤色器的处理时间减少了，提高了产率。此外，由于不要求使用分散液体(dispersion liquid)，所以也减少了环境污染。
此后，将描述用于图3和4所示的透射反射LCD的TFT阵列面板的制造方法。
首先，图3所示的TFT阵列面板通过这样的方法制造，该方法与图5A到5F所示的方法的不同特点在于，在形成反射电极342之前，透明电极341形成在光透射层230上。
图4是根据本发明另一实施例的透射反射式LCD的截面图。
具体地，由例如铝、铬或MoW制成的金属层(未示出)淀积在绝缘基板210上，并被构图以形成栅电极221.例如ITO和IZO的透明导电层淀积在绝缘基板210上并被构图以形成透明电极441.
接着，由氮化硅或氧化硅制成的栅绝缘层225淀积在栅电极221和透明电极441上。
接着，本征非晶硅层和重掺杂有N型掺杂剂的非本征非晶硅层通过例如等离子体增强化学气相淀积(PECVD)作为原位处理而淀积在栅绝缘层225上。然后，本征非晶硅层和非本征非晶硅层被构图以形成设置在栅电极221上的半导体226和欧姆接触227的预图案。此时，半导体226可以被激光照射以结晶化非晶硅，因此将半导体226转变为多晶硅。
接着，源电极223和漏电极224形成在欧姆接触227的预图案和栅绝缘层225上。
然后，欧姆接触227的预图案的暴露部分被蚀刻以形成欧姆接触227，且因此TFT 220形成在第一绝缘基板210上。
接着，形成覆盖在形成有TFT 220的第一绝缘基板210上的感光的光透射层230。接着，在具有预定图案的图案掩模设置在光透射层230上后，将光透射层230曝光。
参照图4，曝光的光透射层230被显影以形成具有预定图案的光透射层230。具体地，光透射层230具有暴露透明电极441的透射窗口232。透射窗口232也暴露薄膜晶体管的漏电极224。
接着，反射电极242形成在光透射层230上以具有相应于透射窗口232的开口。反射电极242延伸到透射窗口232的底部，以通过透射窗口232电连接到漏电极524和透明电极441。
接着，滤色器层覆盖在反射电极242和透明电极441上，并被构图以形成滤色器250。此处，可以采用滤色器转印膜以形成滤色器250。
虽然上面已经详细描述了本发明的优选实施例，但是应该清楚地理解，本领域的技术人员可能对此处教导的基本发明构思进行的许多变化和/或改进仍将落在权利要求所限定的本发明的精神和范畴内。

Claims (31)

1.一种透射反射式液晶显示器，具有反射区和透射区，并包括：
第一基板；
光透射层，形成在所述第一基板上，并具有相应于所述透射区的凹陷部分；
滤色器，形成在所述光透射层上，并由于所述光透射层的凹陷部分而具有依赖于位置的厚度；
透明电极，形成在所述第一基板上；
反射电极，设置在所述反射区上，并插入在所述光透射层和所述滤色器之间；
第二基板；
公共电极，形成在所述第二基板上；和
液晶层，插入在所述第一基板和第二基板之间，
其中所述反射电极电连接到所述透明电极。
2.如权利要求1所述的透射反射式液晶显示器，还包括：
薄膜晶体管，具有形成在所述第一基板上的栅电极、形成在所述栅电极之上或之下并与所述栅电极绝缘的半导体、连接到所述半导体的源电极和漏电极；和
像素电极，连接到所述漏电极。
3.如权利要求2所述的透射反射式液晶显示器，还包括绝缘层，所述绝缘层插入在所述第二基板与所述公共电极之间并具有面对所述光透射层的凹陷部分的凹陷部分。
4.如权利要求3所述的透射反射式液晶显示器，其中所述光透射层的凹陷部分的深度与所述反射区上的滤色器的厚度基本相同。
5.如权利要求1所述的透射反射式液晶显示器，其中所述光透射层的厚度在凹陷部分是零。
6.如权利要求1所述的透射反射式液晶显示器，其中所述光透射层具有压纹表面，且所述反射电极由于所述光透射层的压纹表面而具有压纹结构。
7.如权利要求1所述的透射反射式液晶显示器，其中所述滤色器具有基本平坦的顶表面。
8.如权利要求1所述的透射反射式液晶显示器，其中在所述透射区上的滤色器的厚度两倍于在反射区上的厚度。
9.如权利要求1所述的透射反射式液晶显示器，其中所述透明电极插入在所述光透射层和所述反射电极之间。
10.如权利要求1所述的透射反射式液晶显示器，其中所述透明电极插入在所述第一基板和所述光透射层之间。
11.如权利要求1所述的透射反射式液晶显示器，其中所述透明电极设置在所述滤色器上。
12.如权利要求1所述的透射反射式液晶显示器，其中所述液晶层具有当没有施加电场时平行于所述第一基板和第二基板并沿同一方向排列的液晶。
13.如权利要求1所述的透射反射式液晶显示器，还包括：
第一配向层，形成在所述滤色器上；和
第二配向层，形成在所述公共电极上，
其中所述第一配向层的摩擦方向与第二配向层的摩擦方向平行。
14.如权利要求1所述的透射反射式液晶显示器，其中所述液晶层具有当没有施加电场时垂直于所述第一基板和所述第二基板排列的液晶。
15.一种透射反射式液晶显示器的制造方法，包括：
在第一基板上形成薄膜晶体管；
在形成有所述薄膜晶体管的所述第一基板上形成具有凹陷部分的光透射层；
在所述光透射层上形成反射电极以具有相应于所述凹陷部分的开口；
在所述反射电极和所述光透射层上形成滤色器；
在所述滤色器上形成透明电极；
在第二基板上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成公共电极；
组装所述第一基板和所述第二基板；和
在所述第一基板和所述第二基板之间插入液晶层，
其中所述反射电极电连接到所述透明电极。
16.如权利要求15所述的方法，还包括采用通过具有狭缝图案的图案掩模曝光而在所述光透射层的顶表面形成压纹结构。
17.如权利要求15所述的方法，还包括构图所述绝缘层以具有相应于所述光透射层的凹陷部分的凹陷部分。
18.如权利要求15所述的方法，其中所述滤色器的形成包括：
将转印膜的滤色器层转印在所述反射电极和所述光透射层上；和
构图所述转印的滤色器层。
19.如权利要求15所述的方法，其中所述滤色器的形成包括：
将第一转印膜的第一滤色器层转印在所述反射电极和所述光透射层上；
构图所述第一滤色器层以形成填充所述光透射层的凹陷部分的第一滤色器；
将第二转印膜的第二滤色器层转印在所述反射电极和光透射层上；和
构图所述第二滤色器层以形成设置在所述反射电极上的第二滤色器。
20.如权利要求19所述的方法，其中所述第一滤色器层和第二滤色器层的转印通过用辊挤压而进行。
21.如权利要求20所述的方法，其中在进行转印的过程中，所述第一基板被加热到100～110℃的温度，且所述辊被加热到120～140℃的温度。
22.一种反射透射式液晶显示器的制造方法，包括：
在第一基板上形成薄膜晶体管；
在形成有薄膜晶体管的所述第一基板上形成具有凹陷部分的光透射层；
在所述光透射层上形成透明电极；
在所述透明电极上形成反射电极以具有相应于所述凹陷部分的开口；
在所述反射电极和所述透明电极上形成滤色器；
在第二基板上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成公共电极；
组装所述第一基板和所述第二基板；和
在所述第一基板和所述第二基板之间插入液晶层，
其中所述反射电极电连接到所述透明电极。
23.如权利要求22所述的方法，其中所述滤色器的形成包括：
将转印膜的滤色器层转印在所述反射电极和光透射层上；和
构图所述转印的滤色器层。
24.如权利要求22所述的方法，其中所述滤色器的形成包括：
将第一转印膜的第一滤色器层转印在所述反射电极和光透射层上；
构图所述第一滤色器层以形成填充所述光透射层的凹陷部分的第一滤色器；
将第二转印膜的第二滤色器层转印在所述反射电极和光透射层上；和
构图所述第二滤色器层以形成设置在所述反射电极上的第二滤色器。
25.如权利要求24所述的方法，其中所述第一滤色器和第二滤色器层的转印通过用辊挤压而进行。
26.如权利要求25所述的方法，其中在进行转印的过程中，所述第一基板被加热到100～110℃的温度，且所述辊被加热到120～140℃的温度。
27.一种透射反射式液晶显示器的制造方法，包括：
在第一基板上形成薄膜晶体管；
在所述第一基板的预定区域上形成透明电极；
形成具有相应于所述透明电极的凹陷部分的光透射层；
在所述光透射层上形成反射电极以具有相应于所述凹陷部分的开口；
在所述反射电极和所述透射电极上形成滤色器；
在所述第二基板上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成公共电极；
组装所述第一基板和所述第二基板；和
在所述第一基板和所述第二基板之间插入液晶层，
其中所述反射电极电连接到所述透明电极。
28.如权利要求27所述的方法，其中所述滤色器的形成包括：
将转印膜的滤色器层转印在所述反射电极和光透射层上；和
构图所述转印的滤色器层。
29.如权利要求27所述的方法，其中所述滤色器的形成包括：
将第一转印膜的第一滤色器层转印在所述反射电极和光透射层上；
构图所述第一滤色器层以形成填充所述光透射层的凹陷部分的第一滤色器；
将第二转印膜的第二滤色器层转印在所述反射电极和光透射层上；和
构图所述第二滤色器层以形成设置在所述反射电极上的第二滤色器。
30.如权利要求29所述的方法，其中所述第一滤色器和所述第二滤色器层的转印通过用辊挤压而进行。
31.如权利要求30所述的方法，其中在进行转印的过程中，所述第一基板被加热到100～110℃的温度，且所述辊被加热到120～140℃的温度。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1392960A (zh) * 2000-10-12 2003-01-22 三洋电机株式会社 滤色片形成方法、发光元件层形成方法、采用上述方法的彩色显示装置的制造方法或彩色显示装置
CN1438529A (zh) * 2001-10-22 2003-08-27 三星电子株式会社 增强反射的液晶显示器及其制造方法
CN2590028Y (zh) * 2001-07-13 2003-12-03 精工爱普生株式会社 滤色片基板和电光装置、及其电子设备
CN1475841A (zh) * 2002-08-14 2004-02-18 Lg.菲利浦Lcd株式会社 透射反射型液晶显示装置及其制造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1392960A (zh) * 2000-10-12 2003-01-22 三洋电机株式会社 滤色片形成方法、发光元件层形成方法、采用上述方法的彩色显示装置的制造方法或彩色显示装置
CN2590028Y (zh) * 2001-07-13 2003-12-03 精工爱普生株式会社 滤色片基板和电光装置、及其电子设备
CN1438529A (zh) * 2001-10-22 2003-08-27 三星电子株式会社 增强反射的液晶显示器及其制造方法
CN1475841A (zh) * 2002-08-14 2004-02-18 Lg.菲利浦Lcd株式会社 透射反射型液晶显示装置及其制造方法

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