KR100938501B1 - 인덕터 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

상부면이 평평한 기판을 포함하는 모놀리식 회로에서 인덕터를 제조하는 방법에 있어서, 형성될 인덕터의 윤곽(contour)을 따라 상기 기판에 공동(cavity)(이러한 공동의 단면은 그 폭에 비해 깊다)을 형성하는 단계와, 그리고 상기 공동에 전도성 재료를 채우는 단계를 포함한다.

Description

인덕터 및 그 제조 방법{INDUCTOR AND ITS MANUFACTURING METHOD}
도 1은 종래의 제조방법에 의해 얻어진 인덕터를 포함하는 모놀리식 회로의 단면도를 나타낸다.
도 2는 A-A 선을 따라 자른 도 1의 단면도를 나타낸다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 실시예에 따른 인덕터의 제조방법의 각 단계에서 모놀리식 회로의 단면도를 나타낸다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 인덕터를 포함하는 모놀리식 회로의 단면도를 나타낸다.
본 발명은 모놀리식 회로에서 인덕터를 제조하는 방법에 관한 것으로서, 특히 제한된 수의 인덕터, 저항 또는 커패시터와 같은 수동소자 및 가능하게는 제한된 수의 보호 다이오드 등의 능동소자를 집적하는 모놀리식 회로에서 인덕터를 제조하는 방법에 관한 것이다.
도 1은 종래 기술로 형성된 인덕터를 포함하는 모놀리식 회로의 단면도를 나타낸다. 예를 들어, 실리콘 반도체(11)는 (예컨대 실리콘 산화물로 된) 절연층(12), 제 1 패시베이션층(passivation layer)(13) 및 제 2 패시베이션층(14)으로 형성된 다중층(multiple layer)으로 덮여 있다. 인덕터(10)가 제 1 패시베이션층(13)의 외부 표면에 놓인다.
도 2는 도 1을 A-A 선을 따라 자른 인덕터(10)의 단면도이다. 인덕터(10)는 나선형으로 배치되고, 제 1단부(16) 및 제 2단부(17)를 갖는 전도성 트랙(15)으로 형성되어 있다. 제 1단부(16)는 실질적으로 나선의 중심에 위치한다. 제 2단부(17)는 패드(20)에 연결된다. 제 1단부(16)는 제 1 패시베이션층(13)에 형성된 비아(via)(22, 23) 및 절연층(12)에 증착된 금속부(24)를 통해 패드(21)에 연결된다. 패드(20, 21)는 프린트 회로 상의 모놀리식 회로의 상부면의 직접적인 어셈블리를 위한 패드 집합체이다.
인덕터(10)는 가능한 능동소자를 기판(11)에 형성한 다음에 형성된다. 인덕터(10)는 제 1 패시베이션층(13)에 예를 들어 알루미늄으로 된 금속층을 증착하여 형성될 수 있는데, 이 금속층에 마스크를 씌어서 이방성 에칭을 한다. 마스크에 의해 보호되지 않은 금속영역의 부분은 인덕터(10)의 전도성 트랙(15), 제 1 및 제 2단부(16, 17)를 형성한다. 마지막으로, 제 2 패시베이션층(14)이 증착되고 패드(20, 21)가 형성된다. 제 1 패시베이션층(13)은 특히 기판(11)에서 인덕터(10)를 분리하여 그들 사이의 결합을 제한하는 기능을 갖고 있다.
인덕터(10)는 다음의 공식을 갖는 직렬저항을 갖는다.
R = ρ×ℓ/S
여기서, ρ는 인덕터(10)를 형성하는 재료의 저항률(resistivity)이고, ℓ은 전도성 트랙의 길이이며, S는 전도성 트랙(15)의 단면의 표면적이다. 통상적으로, 전도성 트랙(15)의 단면은 거의 직사각형이고 S = d ×w 이다. 여기서, 도 1에 도시된 바와 같이, d는 전도성 트랙(15)의 두께 즉 제 1 패시베이션층(13)에 증착되는 금속의 두께이고, w는 전도성 트랙(15)의 폭(너비)이다. 인덕터(10)는 또한 교환 전력(자기 전력)과 손실 전력(저항 손실)의 비에 해당하는 품질 인자(quality factor)(Q)를 갖는다. 그 값은 500 Mhz 이하의 주파수에서 다음의 공식으로 주어진다.
Q = L ×ω/RDC
여기서, ω는 인덕터(10)를 통해 흐르는 전류 펄스이고, L은 인덕턴스의 값이며, RDC는 저주파수(500 Mhz 이하의 주파수) 인덕터의 등가 직렬저항으로서 상기 공식으로 주어진 직렬저항과 같다.
전술한 종래의 인덕터(10)를 형성하는 방법에 의하면, 인덕터(10)의 직렬저항의 구해진 값은 제 1 패시베이션층(13)에서의 금속 증착단계 및 금속에칭에 의해 축적된 분산(cumulated dispersion)으로 인해 약 5%의 분산을 보인다. 이 분산은 인덕터의 품질인자의 분산을 야기한다. 실제로, 그러한 분산은 모놀리식 회로의 연속적 사용시 정합(matching) 문제를 일으킨다.
또한, 인덕터(10)의 두께(d)는 금속 증착에 사용되는 기술에 의해 그리고 이 금속 증착이 제 2 패시베이션층(14)에 의해 덮여져야 한다는 사실에 의해 제한된다. 인덕터(10)의 존재로 인하여, 제 2 패시베이션층(14)이 형성되는 표면은 제 2 패시베이션층(14)에서 압력분포의 불균일을 일으킬 수 있는 불규칙한 기복을 보이는 바, 이는 층의 파손을 야기한다. 두께 d를 3μm 이하로 유지하려는 이유는 이 때문이다. 폭 w를 증가시켜 그에 따라 인덕터가 차지하는 면적을 증가시키는 것이 바람직하지 않은 경우, 매우 작은 저항값 및 높은 품질인자를 얻는 것을 어렵게 한다.
본 발명은 두꺼운 두께를 가질 수 있는 모놀리식 회로 인덕터를 얻는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 패시베이션층의 형성을 용이하게 하는 인덕터를 얻는 것을 목적으로 한다.
이 목적 및 다른 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 상부면이 평평한 기판을 포함하는 모놀리식 회로에서 인덕터를 제조하는 방법을 제공한다. 이 방법은 형성될 인덕터의 윤곽을 따라 상기 기판에 공동-상기 공동의 단면은 그 폭에 비해 깊다-을 형성하는 단계와, 상기 공동과 동일 높이로 다공성 실리콘 영역을 형성한 다음 상기 다공성 실리콘 영역을 산화시켜 인덕터의 절연 영역을 형성하는 단계와, 상기 공동에 전도성 재료를 채우는 단계를 포함하여 구성된다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 공동은 그 폭 보다 5-10배 더 깊다.
본 발명의 실시예에 의하면, 상기 공동의 단면은 10μm 이상의 두께를 갖고 1-2μm의 폭을 갖는다.
본 발명은 또한 상부면이 평평한 실리콘 기판을 포함하는 모놀리식 회로에 형성되는 인덕터를 제공한다. 상기 인덕터는 상기 기판의 공동에 적어도 부분적으로 하우징되어 있고, 상기 공동의 단면은 그 폭에 비해 깊고, 상기 기판의 상부면과 동일 높이이며, 상기 인덕터는 산화된 다공성 실리콘 영역으로 구성된 절연 영역에 의해 상기 기판으로부터 절연되어 있다.
본 발명의 전술한 목적, 특성 및 이점은 첨부된 도면과 함께 다음의 특정 실시예의 설명으로부터 상세히 논의될 것이다.
모놀리식 회로의 표현에서 일반적인 바와 같이, 여러 층의 두께 및 길이치수가 동일한 도면에서 또는 서로 다른 도면에서 축척에 맞게 도시되어 있지는 않음에 유의하여야 한다. 또한, 일련의 제조 단계에서 동일한 도면부호는 동일한 층 요소를 나타낸다.
도 3은 인덕터(10)의 바람직한 두께 d의 함수인 깊이를 갖는 공동(26)이 형성되어 있는 실리콘 반도체 기판(11)을 나타낸다. 공동(26)은 기판(11)의 이방성 에칭에 의해 얻어질 수 있는데, 도 2의 형상을 갖는 패턴에 따라서 기판(11)의 부분을 노출시키는 마스크를 기판(11)에 씌운다. 얻어진 공동(26)은 인덕터(10)의 윤곽을 따른다.
도 4는 공동(26)을 둘러싸는 다공성 실리콘 영역을 얻기 위한 국부적 전기분해및 절연 영역(27)을 형성하기 위한 다공영역의 산화가 연속적으로 수행되는 기판(11)을 나타낸다. 다음, 금속층, 예를 들어 알루미늄이 공동(26)에 증착된다. 또한, 전기분해에 의해 구리증착이 얻어질 수 있다.
도 5는 인덕터(10)와 동일 높이로 기판(11) 표면에 대해 소위 평탄화 단계를 행한 후 금속 재료로 채워진 공동(26)을 나타낸다. 평탄화는 기판(11)의 외부표면에 대해 돌출한 금속부분을 제거하는 화학기계적 연마(CMP) 방법에 의해 수행될 수 있다.
따라서, 기판(11)에 집적되고 절연 영역(27)에 의해 기판으로부터 절연되어 있는 인덕터(10)를 얻는다. 기판(11), 절연 영역(27) 및 인덕터(10)에 의해 형성된 어셈블리는 거의 평평한 상부면을 보여준다. 예로서, 본 발명에 의하면 두께 10μm 및 폭 1.5μm를 갖는 인덕터(10)가 형성될 수 있다.
도 6은 본 발명의 제 1실시예에 의해 형성된 인덕터(10)를 포함하는 모놀리식 회로의 단면도를 나타낸다. 인덕터(10)의 단부(16, 17)는 종래와 같이 비아(22, 23) 및 금속부분을 통해 패드(20, 21)에 연결된다.
도 1에 도시한 구조와 비교할 때, 본 발명은 많은 이점을 갖고 있다.
우선, 인덕터(10)가 기판(11)에 집적되어, 제 1 및 제 2 패시베이션층(13, 14)의 증착이 용이하다. 즉, 인덕터(10)는 제 2 패시베이션층(14)을 약화시키는 평평하지 않은 표면을 더 이상 만들지 않는다. 따라서, 제 2 패시베이션층(14)은 더욱 평평한 표면에 형성된다. 또한, 기판(11)과 인덕터(10)에 의해 형성되는 어셈블리는 거의 평평한 외부 표면을 갖기 때문에, 기판(11) 레벨에서 인덕터(10)의 형성은 제 1 패시베이션층(13)의 형성을 방해하지 않는다. 따라서, 불활성 파손의 위험을 줄임으로써 컴포넌트(component)의 신뢰성이 향상된다.
본 발명의 다른 이점은 종래의 인덕터와 비교하여 인덕터(10)가 상당한 두께 d를 가질 수 있다는 것이다. 즉, 현재 사용되는 기술은 예를 들어 10-20μm의 깊이로 기판(11)을 에칭할 수 있다. 인덕터(10)의 동일한 길이 ℓ에 대하여, 두께 d의 증가는 직렬저항을 감소시켜서 인덕터(10)에서의 전압강하 및 저항손실을 작게 한다. 또한, 일정한 직렬저항 및 주어진 권선(turn) 수에 대하여, 두께 d의 증가는 폭 w 및 길이 ℓ을 감소시켜서 기판(11)상의 인덕터(10)가 차지하는 표면적을 감소시키게 된다.
본 발명의 또 다른 이점은 인덕터(10) 형성 시 그 두께의 제어가 양호하다는 것이다. 따라서, 직렬저항 분산 및 인덕터(10)의 품질인자 분산이 감소한다.
본 발명의 또 다른 이점은 인덕터(10)와 기판(11)과의 저항성 및 용량성 결합이 현저히 감소한다는 것이다. 인덕터(10)는 기판(11)으로부터 효과적으로 절연되어 품질인자가 향상된다.
물론, 본 발명은 당업자에게 다양한 변경, 수정 및 개선이 가능하다. 특히, 인덕터는 나선형이 아닌 다른 형태로 배열될 수 있다. 전도성 트랙의 단면도 직사각형 이외의 다른 형태로 될 수 있다.
그러한 변경, 수정 및 개선은 본 개시의 일부이며 본 발명의 사상 및 범위 내에 있는 것이다. 따라서, 전술한 설명은 단지 예로서 이에 한정되는 것은 아니다. 본 발명은 다음의 청구범위 및 그 균등물에 한정된다.

Claims (4)

  1. 상부면이 평평한 실리콘 기판(11)을 포함하는 모놀리식 회로에서 인덕터(10)를 제조하는 방법에 있어서,
    형성될 인덕터의 윤곽을 따라 상기 실리콘 기판 내에 공동(26)-상기 공동의 단면은 그 폭에 비해 깊다-을 형성하고;
    상기 실리콘 기판 내에 상기 공동에 인접하게 다공성 실리콘 영역(27)을 형성한 다음 상기 다공성 실리콘 영역을 산화시켜, 상기 인덕터의 절연 영역을 형성하며; 그리고
    상기 공동을 전도성 재료(28)로 채우는 일련의 단계들을 포함하는 것을 특징으로 하는 인덕터 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 공동은 그 폭 보다 5-10배 더 깊은 것을 특징으로 하는 인덕터 제조 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 공동의 단면은 10μm 이상의 두께 및 1-2μm의 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 인덕터 제조 방법.
  4. 상부면이 평평한 실리콘 기판을 포함하는 모놀리식 회로에 형성되는 인덕터에 있어서,
    상기 인덕터는 상기 실리콘 기판의 공동 내에 적어도 부분적으로 하우징되어 있고, 상기 공동의 단면은 그 폭에 비해 깊고, 상기 실리콘 기판의 상기 상부면과 동일 높이이며, 상기 인덕터는 산화된 다공성 실리콘 영역으로 된 절연 영역에 의해 상기 기판으로부터 절연되어 있는 것을 특징으로 하는 인덕터.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0318146D0 (en) * 2003-08-02 2003-09-03 Zetex Plc Bipolar transistor with a low saturation voltage
JP5574639B2 (ja) * 2009-08-21 2014-08-20 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US8697574B2 (en) 2009-09-25 2014-04-15 Infineon Technologies Ag Through substrate features in semiconductor substrates
US8368174B1 (en) * 2010-07-09 2013-02-05 Altera Corporation Compensation network using an on-die compensation inductor
CN102376693B (zh) 2010-08-23 2016-05-11 香港科技大学 单片磁感应器件
US10134671B1 (en) 2017-05-02 2018-11-20 Micron Technology, Inc. 3D interconnect multi-die inductors with through-substrate via cores
US20180323369A1 (en) 2017-05-02 2018-11-08 Micron Technology, Inc. Inductors with through-substrate via cores
US10121739B1 (en) 2017-05-02 2018-11-06 Micron Technology, Inc. Multi-die inductors with coupled through-substrate via cores
US10872843B2 (en) 2017-05-02 2020-12-22 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices with back-side coils for wireless signal and power coupling
US20180323253A1 (en) * 2017-05-02 2018-11-08 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices with through-substrate coils for wireless signal and power coupling

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303037A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Fuji Electric Co Ltd 薄膜積層型磁気誘導素子およびその製造方法
KR19990063549A (ko) * 1997-12-29 1999-07-26 윌리엄 비. 켐플러 무선 주파수 애플리케이션에서의 부품 분리를 위해 다공성실리콘을 이용하는 집적 회로 및 방법
KR19990074900A (ko) * 1998-03-16 1999-10-05 이장무 반도체 장치의 인덕터 및 그 제조방법
JP2000353617A (ja) * 1999-05-18 2000-12-19 Memscap マイクロインダクタやマイクロトランスといったタイプのマイクロ素子ならびにそのようなマイクロ素子の製造方法
WO2001004955A1 (en) * 1999-07-12 2001-01-18 Robert Bruce Davies Monolithic low dielectric constant platform for passive components and method

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3415679A (en) * 1965-07-09 1968-12-10 Western Electric Co Metallization of selected regions of surfaces and products so formed
US5363080A (en) * 1991-12-27 1994-11-08 Avx Corporation High accuracy surface mount inductor
US5545916A (en) * 1994-12-06 1996-08-13 At&T Corp. High Q integrated inductor
US5736749A (en) * 1996-11-19 1998-04-07 Lucent Technologies Inc. Integrated circuit device with inductor incorporated therein
US6211073B1 (en) * 1998-02-27 2001-04-03 Micron Technology, Inc. Methods for making copper and other metal interconnections in integrated circuits
JP2001168289A (ja) * 1999-12-13 2001-06-22 Seiko Epson Corp インダクタ、半導体装置、半導体装置の製造方法
US6531945B1 (en) * 2000-03-10 2003-03-11 Micron Technology, Inc. Integrated circuit inductor with a magnetic core
US6417755B1 (en) * 2000-08-25 2002-07-09 Conexant Systems, Inc. Method for fabrication of high inductance inductors and related structure

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10303037A (ja) * 1997-04-23 1998-11-13 Fuji Electric Co Ltd 薄膜積層型磁気誘導素子およびその製造方法
KR19990063549A (ko) * 1997-12-29 1999-07-26 윌리엄 비. 켐플러 무선 주파수 애플리케이션에서의 부품 분리를 위해 다공성실리콘을 이용하는 집적 회로 및 방법
KR19990074900A (ko) * 1998-03-16 1999-10-05 이장무 반도체 장치의 인덕터 및 그 제조방법
JP2000353617A (ja) * 1999-05-18 2000-12-19 Memscap マイクロインダクタやマイクロトランスといったタイプのマイクロ素子ならびにそのようなマイクロ素子の製造方法
WO2001004955A1 (en) * 1999-07-12 2001-01-18 Robert Bruce Davies Monolithic low dielectric constant platform for passive components and method

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