KR100929152B1 - 퀵 커넥터, 이를 갖는 기판 처리장치 및 기판 처리장치정비 방법 - Google Patents
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Abstract
퀵 커넥터는 제1 및 제2 연결단, 및 내부 압력을 조절하는 압빼기 나사를 구비한다. 제1 연결단과 제2 연결단 결합시, 압빼기 나사를 풀어 제1 연결단과 제2 연결단 간의 압력차를 해소한다. 이에 따라, 퀵 커넥터는 조립성 및 작업의 능률성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 발명은 반도체 소자를 제조하는 장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 화학기상증착 방법을 이용하여 반도체 소자를 제조하는 기판 처리장치용 퀵 커넥터, 이를 갖는 기판 처리장치 및 기판 처리장치 정비방법에 관한 것이다.
화학기상증착(Chemical Vapor Deposition : CVD) 장치는 반도체 소자를 제조하는 장치 중 하나로서, 기판 표면에 소정의 박막을 형성한다.
고밀도 플라스마 화학기상 증착장치(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition apparatus : 이하, 'HDP CVD 장치')는 화학기상증착 장치의 일종으로, 공정 가스를 고주파(RF:Radio Frequency)에 의해 여기시켜 저온에서 박막을 기판 표면에 증착시킨다.
화학기상증착 공정은 그 과정에서 고열이 발생하며, 이로 인해 기판 및 기판이 안착되는 정전척의 온도가 상승한다. 이를 방지하기 위해, 정전척에 냉각 유체를 제공한다. 일반적으로 냉각 유체를 이송하는 라인들은 퀵 커넥터에 의해 연결된 다.
HDP CVD 장치 정비시, 냉각 유체의 공급을 중단하고, 퀵 커넥터를 분리한다. HDP CVD 장치 정비가 완료되면, 다시 퀵 커넥터를 결합한다. 이때, 냉각 유체로 인해 퀵 커넥터의 공급단과 상기 출력단 간의 압력차가 발생하고, 이로 인해, 퀵 커넥터의 연결이 용이하지 못하다. 이를 방지하기 위해, 퀵 커넥터와 공급라인을 연결시키는 너트를 풀어 이를 조절하나, 이러한 경우 잦은 작업으로 인해 너트가 파손될 수 있다.
본 발명의 목적은 조립성을 향상시킬 수 있는 퀵 커넥터를 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 상기한 퀵 커넥터의의 연결 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 상기한 퀵 커넥터를 구비하는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 퀵 커넥터는 제 및 제2 연결단과 압빼기 나사로 이루어진다.
구체적으로, 제1 연결단은 유체가 이동하는 제1 라인과 연결되고, 상기 제1 라인으로부터 상기 유체를 공급받는다. 제2 연결단은 입력단에 상기 제1 연결단이 삽입되고, 출력단이 제2 라인에 연결되며, 상기 제1 연결단을 통해 상기 유체를 공급받아 상기 제2 라인에 제공한다. 압빼기 나사는 상기 제1 연결단과 상기 제2 연결단 중 적어도 어느 하나에 결합되고, 상기 제1 및 제2 연결단의 내부 압력을 조절한다.
또한, 상기 제1 및 제2 연결단 중 상기 압빼기 나사와 결합된 연결단은 상기 압빼기 나사가 삽입되는 결합홀이 형성된다.
또한, 퀵 커넥터는, 상기 압빼기 나사가 삽입되고, 링 형상을 가지며, 상기 결합홀을 통해 상기 유체가 누설되는 것을 방지하는 실링 부재를 더 포함한다.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리장치는 지지부재, 유체 공급부, 제1 라인, 제2 라인, 및 퀵 커넥터로 이루어진다.
지지부재는 기판이 안착되고, 내부에 냉각 유로가 형성된다. 유체 공급부는 냉각 유체를 공급한다. 제1 라인은 상기 유체 공급부와 연결되고, 상기 유체 공급부로부터 상기 냉각 유체가 배출된다. 제2 라인은 상기 지지부재의 상기 냉각 유로와 연결되고, 상기 제1 라인으로부터 상기 냉각 유체를 공급받아 상기 냉각 유로에 제공한다. 퀵 커넥터는 상기 제1 및 상기 제2 라인을 연결하고, 상기 제1 라인으로부터의 상기 냉각 유체를 상기 제2 라인에 공급하고, 내부 압력을 조절하기 위한 압빼기 나사를 구비한다.
또한, 상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 하나의 특징에 따른 기판 처리장치의 정비방법은 다음과 같다.
먼저, 상기 지지부재로의 상기 냉각 유체 공급을 중단한다. 상기 제1 연결단과 상기 제2 연결단을 서로 분리하고, 상기 기판 처리 장치를 정비한다. 이어, 상기 퀵 커넥터의 압빼기 나사를 풀고, 상기 제1 연결단과 상기 제2 연결단을 다시 결합한다. 이어, 상기 지지부재로 상기 냉각 유체를 다시 공급한다.
상술한 본 발명에 따르면, 퀵 커넥터 재 결합시 압빼기 나사를 통해 퀵 커넥터의 내부 압력을 조절한다. 이에 따라, 퀵 커넥터는 조립성 및 작업의 능률을 향상시킨다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 장치(700)는 웨이퍼를 처리하는 반도체 공정을 수행한다. 이하에서는, 상기 반도체 공정으로 고밀도 플라스마 화학 기상 증착(High Density Plasma Chemical Vapor Deposition : HDP CVD) 공정을 일례로 하여 설명한다.
상기 기판 처리 장치(700)는 반응유닛(100), 제1 가스 공급유닛(200), 결합 플레이트(300), 커버(400), 플라스마 생성유닛(500), 및 제2 가스 공급유닛(600)을 포함한다.
상기 반응유닛(100)은 챔버(110), 척킹부재(CU), 유체 공급부(160), 제1 및 제2 퀵 커넥터(170a, 170b), 및 배기라인(180)을 포함한다. 구체적으로, 상기 챔버(110)는 웨이퍼를 처리하기 위한 실질적인 증착 공정이 이루어지는 공정 공간(PS)을 제공한다. 본 발명의 일례로 상기 챔버(110)는 원기둥 형상을 갖고, 상부가 개방된다.
상기 공정 공간(PS)에는 상기 웨이퍼가 안착되는 상기 척킹부재(CU)가 설치된다. 상기 척킹부재(CU)는 상기 웨이퍼를 척킹하고, 상기 웨이퍼의 온도를 적정 온도로 유지시킨다. 상기 척킹부재(CU)에 대한 구체적인 설명은 후술하는 도 2 내지 도 4에서 구체적으로 하기로 한다.
상기 척킹부재(CU)는 제1 공급라인(151)과 제2 공급라인(151)을 통해 상기 유체 공급부(160)와 연결되고, 상기 유체 공급부(160)는 상기 척킹부재(CU)를 냉각시키기 위한 냉각 유체를 상기 제1 및 제2 공급라인(151, 153)을 통해 제공한다. 또한, 상기 유체 공급부(160)는 상기 척킹부재(CU)에 유입된 냉각 유체를 제1 및 제2 회수라인(155, 157)을 통해 회수할 수도 있다. 상기 제1 공급라인(151)과 상기 제2 공급라인(153)은 상기 제1 퀵 커넥터(170a)에 의해 연결되고, 상기 제1 및 제2 회수라인(155, 157)은 상기 제2 퀵 커넥터(170b)에 의해 연결된다. 상기 제1 및 제2 퀵 커넥터(170a, 170b)의 구성에 대한 구체적인 설명은 후술하는 도 5에서 하기로 한다.
상기 배기라인(180)은 상기 챔버(110)의 아래에 구비되어 상기 공정 공간(PS) 안의 가스를 배기하고, 상기 공정 공간(PS)의 압력을 조절한다. 즉, 상기 배기라인(180)은 상기 챔버(110)의 바닥면에 형성된 배기홀(111)과 연결되고, 외부의 펌프(미도시)와 연결된다. 공정시, 상기 챔버(110)의 공정 공간(PS)에 충진된 가스와 반응 부산물 등은 상기 배기홀(111)을 경유하여 상기 배기 라인(130)을 통해 외부로 배출된다. 또한, 상기 배기라인(180)은 상기 챔버(110) 내부의 가스를 외부로 배출하여 상기 챔버(110) 내부를 진공 상태로 유지시킨다. 상기 배기라인(180)에는 상기 배기라인(180)을 통한 가스 및 반응 부산물의 배출을 조절하는 조절 밸브(181)가 설치될 수 있다.
한편, 상기 챔버(110)의 일측에는 상기 챔버(110)의 측벽에 형성된 통로(113)를 개폐하는 도어(191)가 설치된다. 즉, 상기 웨이퍼는 상기 통로(113)를 통해 상기 공정공간(PS)으로 인입되고, 상기 통로(113)를 통해 상기 공정공간(PS)으로부터 인출된다. 상기 도어(191)는 상기 통로(113)와 인접하게 위치하고, 도어 구동기(193)의 구동에 의해 상기 통로(113)를 개폐한다.
상기 챔버(110)의 상부에는 상기 증착 공정에 필요한 반응 가스를 제공하는 상기 제1 가스 공급유닛(200)이 구비된다. 상기 제1 가스 공급유닛(200)은 상기 반응 가스의 이동 경로를 제공하는 가스 분배링(210), 상기 반응 가스를 분사하는 다수의 제1 및 제2 사이드 노즐(220, 230)을 포함한다.
구체적으로, 상기 가스 분배링(210)은 상기 챔버(110)의 상단에 구비되고, 링 형상을 가지며, 상기 척킹 부재(CU)를 둘러싼다. 상기 가스 분배링(210)에는 상기 반응가스가 이동하는 제1 및 제2 가스 유로(211, 215)가 형성된다. 상기 제1 가스 유로(211)는 상기 가스 분배링(210)이 연장된 방향으로 형성되어 상기 가스 분배링과 동일한 링 형상을 갖는다. 본 발명의 일례로, 상기 제1 가스 유로(211)에 유입되는 반응가스로는 실란(silane)(SiH4)을 포함하는 실리콘-함유(silicon-containing) 가스가 사용될 수 있다.
한편, 상기 제2 가스 유로(215)는 상기 제1 유로(211)로부터 이격되어 위치하고, 상기 제1 유로(211)를 둘러싼다. 본 발명의 일례로, 상기 제2 가스 유로(215)에 유입되는 반응가스로는 산소-포함(oxygen-containing) 가스가 이용될 수 있다.
상기 가스 분배링(210)의 내측에는 상기 다수의 제1 및 제2 사이드 노 즐(220, 230)이 결합된다. 상기 제1 및 제2 사이드 노즐(220, 230)은 상기 가스 분배링(210)으로부터 상기 반응가스를 공급받아 상기 반응가스를 분사한다. 구체적으로, 상기 가스 분배링(210)에는 상기 제1 가스 유로(211) 및 상기 제1 사이드 노즐(220)과 연결되는 제1 연결 유로(213)가 형성된다. 상기 제1 가스 유로(211)에 유입된 반응가스는 상기 제1 연결 유로(213)를 통해 상기 제1 사이드 노즐(220)에 제공된다. 또한, 상기 가스 분배링(210)에는 상기 제2 가스 유로(215) 및 상기 제2 사이드 노즐(230)과 연결되는 제2 연결 유로(217)가 형성된다. 상기 제2 가스 유로(215)에 유입된 반응가스는 상기 제2 연결 유로(217)를 통해 상기 제2 사이드 노즐(230)에 제공된다.
한편, 상기 제1 가스 공급유닛(200)과 상기 챔버(110)와의 사이에는 상기 결합 플레이트(300)가 구비된다. 상기 결합 플레이트(300)는 상기 챔버(110)의 상단부 및 상기 제1 가스 공급유닛(200)과 결합한다. 상기 결합 플레이트(300)는 상기 제1 가스 공급유닛(201)의 제1 및 제2 가스 유로(211, 215)를 밀폐하여 상기 제1 및 제2 가스 유로(211, 215)로부터 상기 반응 가스가 누설되는 것을 방지한다.
상기 제1 가스 공급유닛(201)의 상부에는 상기 커버(400)가 구비된다. 상기 커버(400)는 상기 챔버(110)의 바닥면과 마주하고, 상기 제1 가스 공급유닛(201)과 결합하여 상기 챔버(110)의 공정 공간(PS)을 밀폐한다.
상기 커버(400)의 상부에는 상기 챔버(100) 내부로 공급되는 상기 반응 가스를 플라스마 상태로 만들기 위한 상기 플라스마 생성부재(500)가 구비된다. 상기 플라스마 생성부재(500)는 상기 커버(400)의 상면에 구비되어 전자기장을 형성하는 코일(510), 및 상기 코일(510)을 고정하는 고정체(520)를 구비한다. 상기 코일(510)에는 고주파전원(미도시)이 연결된다. 본 발명의 일례로, 상기 커버(400)는 고주파 에너지가 전달되는 절연체 물질, 예컨대, 산화 알루미늄 또는 세라믹 재질로 만들어진다.
한편, 상기 제2 가스 공급유닛(600)은 상기 커버(400)의 중앙부에 설치되어 상기 반응 가스 및 상기 챔버(110)를 세정하는 세정 가스를 공급한다. 구체적으로, 상기 제2 가스 공급유닛(600)은 제1 및 제2 가스 공급관(610, 620) 및 탑 노즐(640)을 구비한다. 상기 제1 가스 공급관(610)은 커버(400)의 중앙에 연결되며, 제1 가스라인(631)을 통하여 공급된 세정 가스를 상기 챔버(110)의 내부로 공급한다.
제2 가스 공급관(620)은 제1 가스 공급관(610)의 내부에 설치되며, 제2 가스라인(633)을 통하여 공급된 소스 가스를 상기 탑 노즐(640)에 제공한다. 상기 탑 노즐(640)은 상기 제2 가스 공급관(620)의 출력단에 결합되고, 상기 제2 가스 공급관(620)으로부터의 소스 가스를 상기 공정 공간(PS)에 분사한다. 상기 탑 노즐(640)은 상기 커버(400)의 내측에 설치되고, 상기 척킹부재(CU)의 상부에서 상기 척킹부재(CU)와 마주한다.
상기 제1 및 제2 가스라인(631, 633)에는 각각 상기 제1 및 제2 가스라인(631, 633)의 가스량을 조절하는 밸브(631a, 633a)가 설치된다.
상기 증착 공정시, 상기 반응 가스는 상기 제1 및 제2 가스 공급유닛(200, 600) 모두를 통해 상기 공정 공간(PS)에 제공될 수도 있고, 상기 제1 및 제2 가스 공급유닛(201, 600) 중 어느 하나를 통해서만 제공될 수도 있다.
이하, 도면을 참조하여 상기 척킹부재(CU)의 구성에 대해 구체적으로 설명한다.
도 2는 도 1에 도시된 척킹부재를 나타낸 사시도이고, 도 3은 도 2에 도시된 척킹부재를 나타낸 단면도이며, 도 4는 도 3의 절단선 I-I'에 따른 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 척킹부재(CU)는 지지 플레이트(120), 구동축(130), 구동기(140) 및 제어기(170)를 포함한다.
구체적으로, 상기 웨이퍼는 상기 지지 플레이트(120)의 상부에 상기 지지 플레이트(120)와 나란하게 놓여진다. 상기 지지 플레이트(120)의 하부에는 상기 구동축(130)의 일단이 결합되고, 구동축(130)의 상기 구동기(140)에 연결된다. 상기 구동기(140)는 회전력을 발생하여 상기 구동축(130)을 회전시키고, 상기 구동축(130)의 회전에 의해 상기 지지 플레이트(120)가 회전한다. 상기 구동기(140)는 상기 제어기(170)에 연결되고, 제어기(170)는 구동기(140)의 동작을 제어한다. 제어기(170)는 구동기(140)의 회전속도, 회전량, 회전방향을 포함한 구동기(140)의 동작을 모두 제어할 수 있다.
상기 지지 플레이트(120)의 구성을 살펴보면 다음과 같다. 상기 지지 플레이트(120)는 하부 플레이트(121), 상부 플레이트(123), 및 다수의 리프트 핀을 포함한다.
구체적으로, 상기 하부 플레이트(121)는 알루미늄 재질로 이루어지고, 내부 에 제1 냉각 유로와 제2 냉각 유로(121d)가 형성된다.
상기 제1 냉각 유로는 상기 웨이퍼의 배면에 냉각가스를 공급하고, 상기 웨이퍼는 냉각가스에 의하여 기설정된 온도로 냉각된다. 즉, 고밀도 플라스마 화학기상증착과 같은 반도체 공정은 고온의 열이 발생한다. 이로 인해, 웨이퍼의 온도가 상승할 수 있으며, 이를 방지 하기 위해, 상기 척킹 부재(CU)는 상기 냉각 가스를 이용하여 상기 웨이퍼를 냉각시킨다.
제1 냉각 유로는 메인 유로(121a), 분배 유로(121b), 및 다수의 분기홀(121c)을 포함한다. 메인 유로(121a)는 상기 하부 플레이트(121)의 중심에 형성되며, 메인 유로(121a)의 입력단은 상기 구동축(130)의 중심에 형성된 냉각가스 유로(131)의 출력단과 연결된다. 냉각가스 유로(131)의 입력단은 냉각가스 라인(159)에 연결되고, 상기 냉각가스 라인(159)으로부터 상기 냉각가스를 공급받아 상기 메인 유로(121a)에 제공한다. 여기서, 상기 냉각 가스는 헬륨과 같은 불활성 기체(inert gas)를 포함한다.
상기 분배 유로(121b)는 상기 메인 유로(121a)로부터 상기 하부 플레이트(121)의 측면 측으로 연장된다. 상기 분기홀들(121c)은 상기 하부 플레이트(121)의 상면에 형성되어 상기 분배 유로(121b)와 연결된다.
냉각 가스라인(181)을 통하여 상기 메인 유로(121a)에 공급된 냉각가스는 상기 분배라인(121b)을 통해 각 분기홀(121c)에 공급되고, 상기 분기홀(121c)을 통해 웨이퍼의 배면에 공급된다. 이에 따라, 상기 웨이퍼가 냉각된다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 제2 냉각 유로(121d)는 상기 분배 유 로(121b)의 아래에 위치하고, 상기 메인 유로(121a)를 감싸도록 나선 형상으로 이루어진다. 제2 냉각 유로(121d)는 냉각 유체가 이동하는 유로를 제공하여 상기 하부 플레이트(121)의 온도를 기설정된 온도로 냉각한다. 즉, 상기 지지 플레이트(120)는 증착 공정, 특히 고밀도 플라스마 화학기상증착공정에서 발생한 고온의 열로 인하여 온도가 상승할 수 있다. 상기 제2 냉각 유로(121d)는 상기 냉각 유체를 상기 하부 플레이트(121) 내부로 확산시켜 상기 지지 플레이트(120)를 냉각시킨다.
상기 제2 냉각 유로(121d)의 입력단은 제1 공급라인(151)에 연결되고, 출력단은 제2 회수라인(157)에 연결된다. 상기 제1 공급라인(151)은 상기 유체 공급부(160)(도 1 참조)로부터의 냉각 유체를 상기 제2 냉각 유로(121d)에 제공한다.
제2 냉각 유로(121d)에 유입된 냉각 유체는 제2 냉각 유로(121d)를 따라 이동하여 상기 지지 플레이트(120)를 기 설정된 온도로 냉각시킨다. 이후, 상기 제2 냉각 유로(121d) 안의 냉각 유체는 상기 제2 회수라인(157)을 통해 상기 유체 공급부(160)로 회수된다. 상기 유체 공급부(160)에 회수된 냉각 유체는 일정 온도로 냉각된 후, 다시 상기 제1 공급라인(151)을 통해 상기 지지 플레이트(120)에 재공급될 수도 있다.
다시, 도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 하부 플레이트(121)의 상부에는 상기 상부 플레이트(123)가 구비되고, 상기 상부 플레이트(123)에는 상기 웨이퍼가 안착된다. 상기 하부 플레이트(121)는 알루미늄과 같이 금속 재질로 이루어지므로, 이로 인해 웨이퍼 상에 형성된 패턴과 반응할 가능성이 있다. 이를 방지하기 위해, 상기 하부 플레이트(123)는 세라믹 재질, 예컨대, 산화알루미늄(aluminium oxide : Al2O3)으로 이루어진다. 상기 상부 플레이트(123)에는 상기 하부 플레이트(121)로부터 제공되는 냉각 가스를 상기 웨이퍼의 배면에 제공하기 위해 다수의 홀(123a)이 형성된다.
한편, 상기 리프트 핀들(125)은 승강 기능을 갖고, 상기 상부 플레이트(123)의 상측으로 돌출되어 상기 웨이퍼를 상기 상부 플레이트(123)로부터 이격시킨다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 제2 냉각 유로(123d)에 연결된 제1 공급라인(151)은 상기 제1 퀵 커넥터(170a)를 통해 상기 제2 공급라인(153)과 연결되고, 상기 제2 공급라인(153)은 일단이 상기 유체 공급부(160)에 연결된다. 이에 따라, 상기 유체 공급부(160)로부터 상기 제2 공급라인(153)에 배출된 냉각 유체는 상기 제1 퀵 커넥터(170a)를 통해 상기 제1 공급라인(151)에 제공된다.
한편, 상기 제2 냉각 유로(123d)에 연결된 제2 회수라인(157)은 상기 제2 퀵 커넥터(170b)를 통해 상기 제1 회수라인(155)에 제공되고, 상기 제1 회수라인(155)의 일단은 제2 회수라인(157)에 연결된다. 이에 따라, 상기 하부 플레이트(121)로부터 상기 제2 회수라인(157)에 출력된 냉각 유체는 상기 제2 퀵 커넥터(170b)를 통해 상기 제1 회수라인(155)에 제공되고, 상기 제1 회수라인(155)을 통해 상기 유체 공급부(160)에 회수된다.
이 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 퀵 커넥터(170a, 170b)는 동일한 구성을 가지므로, 이하, 상기 제1 퀵 커넥터(170a)를 일례로 하여 상기 제1 및 제2 퀵 커넥터(170a, 170b)의 구성에 대해 설명한다.
도 5는 도 1에 도시된 제1 퀵 커넥터를 나타낸 도면이고, 도 6은 도 5의 압빼기 나사와 제1 연결단과의 결합 관계를 나타낸 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 제1 퀵 커넥터(170a)는 상기 제2 공급라인(153)과 연결된 제1 연결단(171), 상기 제1 공급라인(151)과 연결된 제2 연결단(173), 및 압빼기 나사(175)를 포함한다. 상기 제1 및 제2 연결단(171, 173)은 내부에 상기 냉각 유체가 흐를수 있는 유로가 형성된다. 상기 제1 연결단(171)은 출력단이 상기 제2 연결단(173)의 입력단에 삽입되고, 이에 따라, 상기 제1 연결단(171)과 상기 제2 연결단(173)이 결합된다.
상기 압빼기 나사(175)는 상기 제1 연결단(171)에 결합되어 상기 제1 퀵 커넥터(170a)의 내부 압력을 감소시킨다. 즉, 상기 제1 연결단(171)의 입력단측에 결합홀(171a)을 형성하고, 상기 압빼기 나사(175)를 상기 결합홀(171a)에 체결한다. 작업자는 필요에 따라 상기 압빼기 나사(175)를 풀어 상기 제1 퀵 커넥터(170a)의 내부 압력을 감소시킨다.
즉, 상기 기판처리장치(700) 정비시 상기 제1 퀵 커넥터(170a)의 제1 연결단(171)과 제2 연결단(173)을 분리한 후, 정비가 완료되면 다시 제1 연결단(171)과 제2 연결단(173)을 결합한다. 이때, 상기 냉각 유체로 인해 상기 제1 연결단(171)과 상기 제2 연결단(173) 간의 압력차가 발생하고, 이로 인해, 상기 제1 연결단(171)을 상기 제2 연결단(173)에 삽입하기 어렵다. 이러한 경우, 상기 압빼기 나사(175)를 풀어 상기 제1 퀵 커넥터(170a)의 내부 압력을 조절한다.
이와 같이, 상기 제1 퀵 커넥터(170a)는 압빼기 나사(175)를 이용하여 내부 압력을 손쉽게 조절할 수 있으므로, 조립성을 향상시키고, 작업의 능률을 향상시킨다.
이 실시예에 있어서, 상기 압빼기 나사(175)는 상기 제1 연결단(171)과 결합하나, 상기 제2 연결단(173)과 결합할 수도 있다. 또한, 상기 제1 퀵 커넥터(170a)는 하나의 압빼기 나사(175)를 구비하나, 두 개 이상의 압빼기 나사(175)를 구비하여 상기 제1 연결단(171)과 제2 연결단(173) 각각에 압빼기 나사가 결합될 수도 있다.
또한, 상기 제1 퀵 커넥터(170a)는 상기 결합홀(171a)을 통해 상기 냉가 유체가 누설되는 것을 방지하기 위해 실링 부재(177)를 더 포함한다. 상기 실링 부재(177)는 상기 압빼기 나사(175)의 헤드부와 상기 제1 연결단(171) 사이에 구비되고, 링 형상을 가지며, 수지 재질로 이루어진다.
이하, 도 7을 참조하여 상기 제1 퀵 커넥터(170a)의 내부 압력을 조절하는 과정을 구체적으로 설명한다.
도 7은 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 정비하는 과정을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5 및 도 7을 참조하면, 먼저, 상기 유체 공급부(160)로부터의 상기 냉각 유체 공급을 중단하고(단계 S110), 상기 제1 퀵 커넥터(170a)의 제1 연결단(171)과 제2 연결단(173)을 서로 분리한다(단계 S120).
이어, 상기 기판 처리 장치(700)를 정비한다(단계 S130).
상기 기판 처리 장치(700)의 정비가 완료되면, 상기 제1 연결단(171)에 결합된 상기 압빼기 나사(175)를 푼다(단계 S140).
이어, 상기 제1 연결단(171)과 상기 제2 연결단(173)을 결합한다(단계 S150). 이때, 상기 제1 퀵 커넥터(170a)의 내부 압력은 상기 압빼기 나사(175)가 풀린 상기 결합홀(171a)을 통해 조절되어 제1 연결단(171)과 상기 제2 연결단(173)의 압력차가 조절된다.
이어, 상기 유체 공급부(160)는 상기 냉각 유체를 다시 상기 지지 플레이트(120)에 공급한다(단계 S160)
이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 척킹부재를 나타낸 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 척킹부재를 나타낸 단면도이다.
도 4는 도 3의 절단선 I-I'에 따른 단면도이다.
도 5는 도 1에 도시된 제1 퀵 커넥터를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 5의 압빼기 나사와 제1 연결단과의 결합 관계를 나타낸 단면도이다.
도 7은 도 1에 도시된 기판 처리 장치를 정비하는 과정을 설명하기 위한 흐름도이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
100 : 반응 유닛 200 : 제1 가스 공급유닛
300 : 결합 플레이트 400 : 커버
500 : 플라스마 생성유닛 600 : 제2 가스 공급유닛
700 : 기판 처리 장치
Claims (8)
- 유체가 이동하는 제1 라인과 연결되고, 상기 제1 라인으로부터 상기 유체를 공급받는 제1 연결단;입력단에 상기 제1 연결단이 삽입되고, 출력단이 제2 라인에 연결되며, 상기 제1 연결단을 통해 상기 유체를 공급받아 상기 제2 라인에 제공하는 제2 연결단; 및상기 제1 연결단과 상기 제2 연결단 중 적어도 어느 하나에 결합되고, 상기 제1 및 제2 연결단의 내부 압력을 조절하는 압빼기 나사를 포함하며,상기 제1 및 제2 연결단 중 상기 압빼기 나사와 결합된 연결단은 상기 압빼기 나사가 삽입되는 결합홀이 형성된 것을 특징으로 하는 퀵 커넥터.
- 삭제
- 제1항에 있어서, 상기 압빼기 나사가 삽입되고, 링 형상을 가지며, 상기 결합홀을 통해 상기 유체가 누설되는 것을 방지하는 실링 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 퀵 커넥터.
- 기판이 안착되고, 내부에 냉각 유로가 형성된 지지부재;냉각 유체를 공급하는 유체 공급부;상기 유체 공급부와 연결되고, 상기 유체 공급부로부터 상기 냉각 유체가 배출되는 제1 라인;상기 지지부재의 상기 냉각 유로와 연결되고, 상기 제1 라인으로부터 상기 냉각 유체를 공급받아 상기 냉각 유로에 제공하는 제2 라인; 및상기 제1 및 상기 제2 라인을 연결하고, 상기 제1 라인으로부터의 상기 냉각 유체를 상기 제2 라인에 공급하고, 내부 압력을 조절하기 위한 압빼기 나사를 구비하는 퀵 커넥터를 포함하며,상기 퀵 커넥터는,상기 제1 라인과 연결된 제1 연결단; 및입력단에 상기 제1 연결단이 삽입되고, 출력단이 상기 제2 라인에 연결되며, 상기 제1 연결단을 통해 상기 냉각 유체를 공급받아 상기 제2 라인에 제공하는 제2 연결단을 포함하고,상기 압빼기 나사는 상기 제1 연결단과 상기 제2 연결단 중 적어도 어느 하나에 결합되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 삭제
- 제4항에 있어서, 상기 퀵 커넥터는,상기 압빼기 나사가 삽입되고, 링 형상을 가지며, 상기 압빼기 나사가 삽입되는 결합홀을 통해 상기 냉각 유체가 누설되는 것을 방지하는 실링 부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
- 유체 공급부로부터의 냉각 유체를 이송하는 제1 라인과 연결된 제1 연결단, 및 상기 냉각 유체를 기판이 안착되는 지지부재에 제공하는 제2 라인과 연결된 제2 연결단을 갖는 퀵 커넥터를 구비하는 기판 처리 장치의 정비 방법에 있어서,상기 지지부재로의 상기 냉각 유체 공급을 중단하는 단계;상기 제1 연결단과 상기 제2 연결단을 서로 분리하는 단계;상기 기판 처리 장치를 정비하는 단계;상기 퀵 커넥터의 압빼기 나사를 푸는 단계;상기 제1 연결단과 상기 제2 연결단을 다시 결합하는 단계; 및상기 지지부재로 상기 냉각 유체를 다시 공급하는 단계를 포함하며,상기 제1 및 제2 연결단 결합시, 상기 퀵 커넥터의 내부 압력은 상기 압빼기 나사가 풀린 홀을 통해 조절되는 것을 특징으로 하는 기판 처리장치 정비방법.
- 삭제
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| KR1020070138655A KR100929152B1 (ko) | 2007-12-27 | 2007-12-27 | 퀵 커넥터, 이를 갖는 기판 처리장치 및 기판 처리장치정비 방법 |
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|---|---|---|---|---|
| KR20220150565A (ko) | 2021-05-04 | 2022-11-11 | 주식회사 아토즈 | 초저온 진공배관용 퀵 커넥터 |
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| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
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Payment date: 20121123 Year of fee payment: 4 |
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| FPAY | Annual fee payment |
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| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |