KR100928020B1 - Synthetic substrate loading method in cassette - Google Patents

Synthetic substrate loading method in cassette Download PDF

Info

Publication number
KR100928020B1
KR100928020B1 KR1020070100174A KR20070100174A KR100928020B1 KR 100928020 B1 KR100928020 B1 KR 100928020B1 KR 1020070100174 A KR1020070100174 A KR 1020070100174A KR 20070100174 A KR20070100174 A KR 20070100174A KR 100928020 B1 KR100928020 B1 KR 100928020B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
cassette
substrate
composite substrate
support
synthetic substrate
Prior art date
Application number
KR1020070100174A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090035100A (en
Inventor
심재원
황진태
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020070100174A priority Critical patent/KR100928020B1/en
Publication of KR20090035100A publication Critical patent/KR20090035100A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100928020B1 publication Critical patent/KR100928020B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6732Vertical carrier comprising wall type elements whereby the substrates are horizontally supported, e.g. comprising sidewalls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/67346Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders characterized by being specially adapted for supporting a single substrate or by comprising a stack of such individual supports
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735Closed carriers
    • H01L21/67369Closed carriers characterised by shock absorbing elements, e.g. retainers or cushions
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

본 발명은 탄소나노튜브 생성에 사용되는 카세트에 관한 것으로, 본 발명의 카세트는 수직하게 설치되는 수직축들; 상기 수직축들에 합성기판들이 적층되어 보관되도록 합성기판을 지지하는 지지부들을 포함하되; 상기 지지부 각각은 합성기판의 가장자리 부분을 지지하는 그리고 합성기판이 놓여질 때 발생되는 충격을 완화시켜주는 완충블럭을 갖는 지지부재들을 포함한다.The present invention relates to a cassette used for producing carbon nanotubes, the cassette of the present invention includes vertical axes installed vertically; Comprising a support for supporting a composite substrate so that the composite substrate is stacked and stored on the vertical axis; Each of the supports includes support members having a buffer block for supporting an edge portion of the composite substrate and for mitigating an impact generated when the composite substrate is placed.

Description

카세트에서의 합성기판 로딩 방법{SYNTHESIZING SUBSTRATE LOADING METHOD FOR CASSETTE}SYNTHESIZING SUBSTRATE LOADING METHOD FOR CASSETTE

도 1은 본 발명의 탄소 나노 튜브 생산 시스템의 일 예를 개략적으로 보여주는 구성도이다. 1 is a schematic view showing an example of a carbon nanotube production system of the present invention.

도 2는 도 1의 기판 보관부와 제 1이송장치를 보여주는 평면도이다. FIG. 2 is a plan view illustrating the substrate storage unit and the first transfer device of FIG. 1.

도 3은 기판 보관부의 측면도이다. 3 is a side view of the substrate storage portion.

도 4는 기판 보관부의 카세트를 보여주는 사시도이다. 4 is a perspective view showing a cassette of the substrate storage portion;

도 5는 제2지지부의 지지부재를 확대하여 보여주는 요부확대도이다. 5 is an enlarged view illustrating a main part of the support member of the second support part in an enlarged manner.

도 6a 및 도 6b는 카세트에 합성기판이 놓여지는 과정을 설명하기 위한 도면들이다. 6A and 6B are views for explaining a process in which a composite substrate is placed on a cassette.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* * Explanation of symbols for the main parts of the drawings *

100 : 반응 챔버100: reaction chamber

200 : 스테이션부200: station

300 : 제 1이송장치300: first transfer device

400 : 기판 보관부400: substrate storage

420 : 카세트420: cassette

500 : 촉매 도포부500: catalyst coating unit

600 : 회수부600: recovery unit

700 : 제 2이송장치700: second transfer device

본 발명은 탄소 나노 튜브의 대량 생산을 위한 탄소나노튜브 생산 자동화 설비에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로는 탄소나노튜브 생성에 사용되는 카세트에서의 합성기판 로딩 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a carbon nanotube production automation facility for mass production of carbon nanotubes, and more particularly, to a method for loading a composite substrate in a cassette used for producing carbon nanotubes.

탄소 나노 튜브(Carbon Nano tubes)는 하나의 탄소 원자에 이웃하는 세 개의 탄소 원자가 결합되어 육각 환형을 이루고, 이러한 육각 환형이 벌집 형태로 반복된 평면이 말려 원통형 또는 튜브를 이룬 형태를 가진다. Carbon nanotubes (carbon nanotubes) is formed by combining three carbon atoms adjacent to one carbon atom to form a hexagonal ring, and the hexagonal ring is a honeycomb-shaped plane is rolled to form a cylindrical or tube.

탄소 나노 튜브는 그 구조에 따라 금속적인 도전성 또는 반도체적인 도전성을 나타낼 수 있는 성질을 가진다. 재료로서 여러 기술 분야에 폭넓게 응용될 수 있어 미래의 신소재로 각광을 받고 있다. 예컨대, 탄소 나노 튜브는 이차 전지, 연료 전지 또는 수퍼 커패서티와 같은 전기 화학적 저장 장치의 전극, 전자파 차폐, 전계 방출 디스플레이, 또는 가스 센서 등에 적용 가능하다.Carbon nanotubes have properties that can exhibit metallic conductivity or semiconductor conductivity depending on their structure. As a material, it can be widely applied to various technical fields, and it is attracting attention as a new material of the future. For example, carbon nanotubes can be applied to electrodes of electrochemical storage devices such as secondary cells, fuel cells or supercapacitors, electromagnetic shielding, field emission displays, or gas sensors.

이러한 탄소 나노 튜브는 합성기판상에 합성되는데, 합성기판을 이송하는 과정에서 발생되는 충격으로 합성기판에 합성되어 있는 탄소나노튜브가 이탈되는 등의 손실이 발생되고 있다. The carbon nanotubes are synthesized on a synthetic substrate, and the loss of carbon nanotubes synthesized on the synthetic substrate is caused by an impact generated during the transfer of the synthetic substrate.

본 발명은 카세트와 합성기판의 충격을 완화할 수 있는 탄소나노튜브 생성에 사용되는 카세트에서의 합성기판 로딩 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a method for loading a composite substrate in a cassette used to produce carbon nanotubes that can mitigate the impact of the cassette and the composite substrate.

본 발명은 탄소나노튜브의 손실을 최소화할 수 있는 탄소나노튜브 생성에 사용되는 카세트에서의 합성기판 로딩 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to provide a method for loading a synthetic substrate in a cassette used for producing carbon nanotubes which can minimize the loss of carbon nanotubes.

본 발명은 생산성을 향상시킬 수 있는 탄소나노튜브 생성에 사용되는 카세트에서의 합성기판 로딩 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.An object of the present invention is to provide a method for loading a composite substrate in a cassette used for producing carbon nanotubes which can improve productivity.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 의하면, 탄소나노튜브 생성에 사용되는 카세트는 수직하게 설치되는 수직축들; 상기 수직축들에 합성기판들이 적층되어 보관되도록 합성기판을 지지하는 지지부들을 포함하되; 상기 지지부 각각은 합성기판의 가장자리 부분을 지지하는 그리고 합성기판이 놓여질 때 발생되는 충격을 완화시켜주는 완충블럭을 갖는 지지부재들을 포함한다.According to a feature of the present invention for achieving the above object, the cassette used for producing carbon nanotubes are vertical axis is installed vertically; Comprising a support for supporting a composite substrate so that the composite substrate is stacked and stored on the vertical axis; Each of the supports includes support members having a buffer block for supporting an edge portion of the composite substrate and for mitigating an impact generated when the composite substrate is placed.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 지지부재는 상기 수직축에 고정되는 고정블럭과; 상기 완충블럭을 사이에 두고 상기 고정블럭에 설치되는 지지블럭을 더 포함한다.According to an embodiment of the present invention, the support member includes a fixed block fixed to the vertical axis; And a support block installed in the fixed block with the buffer block therebetween.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 완충블럭은 우레탄이나 고무와 같은 충격완화 물질이다.According to an embodiment of the present invention, the buffer block is a shock absorbing material such as urethane or rubber.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 카세트는 상기 합성기판이 로딩될 때 상기 합성기판이 로딩되는 속도보다 느린 속도로 하강한다.According to an embodiment of the present invention, the cassette is lowered at a speed slower than the speed at which the synthetic substrate is loaded when the synthetic substrate is loaded.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 지지부를 갖는 카세트에서의 합성기판 로딩 방법은 상기 합성기판이 반송로봇에 의해 수평이동되어 상기 카세트의 지지부 상부에 위치되는 단계; 상기 지지부 상부에 위치된 합성기판이 상기 반송로봇에 의해 수직 하강되어 상기 카세트의 지지부에 로딩되는 단계를 포함하되; 상기 합성기판이 상기 카세트의 지지부에 로딩되기 직전에 상기 카세트가 상기 합성기판의 수직 하강 속도보다 느린 속도로 수직 하강한다.According to another aspect of the present invention for achieving the above object, a method for loading a composite substrate in a cassette having a support portion is the synthetic substrate is horizontally moved by a carrier robot is located on the support of the cassette; Comprising a synthetic substrate positioned above the support portion is vertically lowered by the carrier robot is loaded on the support portion of the cassette; Immediately before the synthetic substrate is loaded on the support of the cassette, the cassette is vertically lowered at a slower speed than the vertical descending speed of the synthetic substrate.

상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 특징에 의하면, 카세트에서의 합성기판 로딩 방법은 합성기판이 상기 카세트의 지지부 상부로 수평이동되는 단계; 상기 합성기판이 상기 지지부에 로딩되도록 수직 하강되는 단계를 포함하되; 상기 합성기판이 내려오는 속도보다 느리게 상기 카세트가 수직 하강된다.According to another aspect of the present invention for achieving the above object, a synthetic substrate loading method in a cassette comprises the steps of horizontally moving the composite substrate to the upper portion of the support of the cassette; Vertically descending the composite substrate to be loaded onto the support; The cassette is lowered vertically slower than the synthetic substrate descends.

본 발명의 실시예에 따르면, 상기 합성기판은 탄소 나노 튜브의 합성이 이루어지는 기저판(base plate)이다.According to an embodiment of the present invention, the synthetic substrate is a base plate (base plate) through which the synthesis of carbon nanotubes.

예컨대, 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공된 것이다. 따라서, 도면에서의 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.For example, embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited by the embodiments described below. This example is provided to more completely explain the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shapes of elements in the drawings and the like are exaggerated to emphasize clearer explanations.

이하, 본 발명의 실시예를 첨부된 도면 도 1 내지 도 6b를 참조하면서 보다 상세히 설명한다. 본 발명은 자동화 및 대량 생산이 가능한 탄소 나노 튜브 생산 시스템(1)을 제공한다. Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 6B. The present invention provides a carbon nanotube production system 1 capable of automated and mass production.

도 1은 본 발명의 탄소 나노 튜브 생산 시스템의 일 예를 개략적으로 보여주는 구성도이다. 1 is a schematic view showing an example of a carbon nanotube production system of the present invention.

도 1을 참조하면, 시스템(1)은 합성기판(10), 반응 챔버(100), 그리고 전후처리실를 갖는다. Referring to FIG. 1, the system 1 has a composite substrate 10, a reaction chamber 100, and a post-process chamber.

합성기판(10)은 탄소 나노 튜브(도 7의 30)의 합성이 이루어지는 기저판(base plate)으로서 사용된다. 탄소 나노 튜브(30)가 합성되는 합성기판(10)으로는 실리콘 웨이퍼(silicon wafer), ITO(Induim Tin Oxide) 기판, 코팅된 유리(ITO-coated glass), 소다라임 유리, 코닝 유리, 전이금속, 알루미나 등이 사용될 수 있다. 그러나 탄소 나노 튜브(30)를 합성(성장,생성)시키기에 충분한 강성을 가진다면 합성 기판은 상술한 종류의 기판 외에 다양한 종류가 사용될 수 있다.The synthetic substrate 10 is used as a base plate on which carbon nanotubes (30 in FIG. 7) are synthesized. The composite substrate 10 on which the carbon nanotubes 30 are synthesized includes a silicon wafer, an induim tin oxide (ITO) substrate, coated glass (ITO-coated glass), soda-lime glass, corning glass, and transition metal. , Alumina and the like can be used. However, if the carbon nanotube 30 has sufficient rigidity for synthesizing (growing, producing), various kinds of synthetic substrates may be used in addition to the above-described substrates.

반응 챔버(100)는 합성 기판(10) 상에 탄소 나노 튜브(30)를 생성하는 공정을 수행하고, 전후처리실은 반응 챔버(100)로/로부터 로딩/언로딩되는 합성기판(10)에 대한 전처리 공정 및 후처리 공정을 수행한다. 전처리 공정 및 후처리 공정은 기판에 촉매(20)를 도포하는 공정, 또는 합성 기판 상에 생성된 탄소 나노 튜브(30)를 회수하는 공정 등을 포함한다. 전후처리실은 스테이션부(200), 제 1이송장치(300), 기판 보관부(400), 촉매 도포부(500), 회수부(600), 그리고 제 2이송장치(700)를 가진다. The reaction chamber 100 performs a process of generating carbon nanotubes 30 on the composite substrate 10, and the pre- and post-processing chambers are used for the composite substrate 10 loaded / unloaded from / to the reaction chamber 100. Pretreatment and post-treatment processes are carried out. The pretreatment step and the post-treatment step include a step of applying the catalyst 20 to the substrate, a step of recovering the carbon nanotubes 30 generated on the synthetic substrate, and the like. The pre- and post-processing chamber includes a station unit 200, a first transfer device 300, a substrate storage unit 400, a catalyst coating unit 500, a recovery unit 600, and a second transfer device 700.

스테이션부(200)는 반응 챔버(100)로부터 언로딩되는 합성기판(10)이 대기 중에 노출되는 것을 방지한다. 제 1이송장치(300)는 반응 챔버(100)로/로부터 합성기판을 로딩/언로딩한다. 기판 보관부(400)는 반응 챔버(100)로/로부터 로딩되거나 언로딩되는 합성기판을 저장한다. 촉매 도포부(500)는 합성기판(10)이 반응 챔버(100)로 로딩되기 전에 합성기판(10) 상에 촉매(20)를 도포하는 공정을 수행한다. 회수부(600)는 반응 챔버(100)로부터 언로딩된 합성 기판(10) 상에 생성된 탄소 나노 튜브(30)를 합성 기판(10)으로부터 회수하는 공정을 수행한다. 제 2이송장치(700)는 기판 보관부(400), 촉매 도포부(500), 그리고 회수부(600) 간에 합성기판(10)을 이송한다. The station unit 200 prevents the composite substrate 10 unloaded from the reaction chamber 100 from being exposed to the atmosphere. The first transfer device 300 loads / unloads the composite substrate into / from the reaction chamber 100. Substrate storage 400 stores a composite substrate that is loaded or unloaded into / from reaction chamber 100. The catalyst applicator 500 performs a process of applying the catalyst 20 on the synthetic substrate 10 before the synthetic substrate 10 is loaded into the reaction chamber 100. The recovery unit 600 performs a process of recovering the carbon nanotubes 30 generated on the synthetic substrate 10 unloaded from the reaction chamber 100 from the synthetic substrate 10. The second transfer device 700 transfers the synthetic substrate 10 between the substrate storage unit 400, the catalyst application unit 500, and the recovery unit 600.

일 예에 의하면, 스테이션부(200)는 반응 챔버(100)의 일측에 반응 챔버(100)와 나란하게 배치된다. 스테이션부(200)는 제 1영역(240)과 제 2영역(260)을 가진다. 제 1영역(240)은 반응 챔버(100)와 인접하게 배치되며, 제 1영역(240)에는 기판 저장부(400)가 위치된다. 제 2영역(260)은 제 1영역(240)을 기준으로 반응 챔버(100)와 반대 방향에 제공되며 제 1이송장치(300)가 위치된다. 반응 챔버(100)와 제 2영역(260)은 제 1방향(42)으로 동일 선상에 위치되도록 배치된다. 제 1영역(240)은 상부 영역(242)와 하부 영역(244)를 가진다. 상부 영역(242)는 반응 챔버(100) 및 제 2영역(260)과 동일 선상에 위치되는 영역이고, 하부 영역(244)는 상부 영역(244)로부터 제 1방향(42)과 수직한 제 2방향(44)으로 연장되는 영역이다. 제 1영역(240)과 제 2영역(260)은 각각 대체로 직사각의 형상을 가진다. 상술한 구조로 인해, 스테이션부(200)는 전체적으로 대체로 '??'자 형상을 가진다. 촉매 도포부(500)와 회수부(600), 그리고 제 2이송장치(400)는 스테이션부(200)와 인접하게 위치되며, 제 1영역(240)의 상부 영역(242)을 기준으로 하부 영역(244)과 반대되는 위치에 제 1방향(42)과 평행한 방향으로 나란하게 배치된다. 제 2이송장치(400)는 스테이션부(200)의 제 1영역(240)과 대향되는 위치에 배치된다. 또한, 제 2이송장치(400)는 촉매 도포부(500)와 회수부(600) 사이에 위치된다.According to an example, the station unit 200 is disposed side by side with the reaction chamber 100 on one side of the reaction chamber 100. The station unit 200 has a first area 240 and a second area 260. The first region 240 is disposed adjacent to the reaction chamber 100, and the substrate storage 400 is positioned in the first region 240. The second region 260 is provided in a direction opposite to the reaction chamber 100 with respect to the first region 240 and the first transfer device 300 is located. The reaction chamber 100 and the second region 260 are disposed in the same direction in the first direction 42. The first region 240 has an upper region 242 and a lower region 244. The upper region 242 is a region located on the same line as the reaction chamber 100 and the second region 260, and the lower region 244 is a second perpendicular to the first direction 42 from the upper region 244. It is an area extending in the direction 44. The first region 240 and the second region 260 are generally rectangular in shape. Due to the structure described above, the station 200 has a generally '??' shape. The catalyst applicator 500, the recovery part 600, and the second transfer device 400 are positioned adjacent to the station part 200, and have a lower area based on the upper area 242 of the first area 240. It is disposed side by side in a direction parallel to the first direction 42 at a position opposite to the (244). The second transfer device 400 is disposed at a position opposite to the first area 240 of the station unit 200. In addition, the second transfer device 400 is located between the catalyst applicator 500 and the recovery unit 600.

도 2는 도 1의 기판 보관부와 제 1이송장치를 보여주는 평면도이다. 도 3은 기판 보관부의 측면도이다. 도 4는 기판 보관부의 카세트를 보여주는 사시도이다. FIG. 2 is a plan view illustrating the substrate storage unit and the first transfer device of FIG. 1. 3 is a side view of the substrate storage portion. 4 is a perspective view showing a cassette of the substrate storage portion;

도 2 내지 도 4를 참조하면, 기판 보관부(400)는 합성기판(10)을 보관하는 카세트(420), 수직 레일들(442), 수평 레일(444), 그리고 이동 프레임들(446)을 가진다. 2 to 4, the substrate storage unit 400 includes a cassette 420 for storing the composite substrate 10, vertical rails 442, horizontal rails 444, and moving frames 446. Have

수직 레일들(442)은 제 1영역(240)의 모서리 부분에 각각 배치된다. 수직 레일들(442)은 상하 방향으로 긴 로드 형상을 가지며, 이동 프레임(446)의 상하 이동을 안내한다. 각각의 수직 레일(442)에는 수직 레일(442)을 따라 수직 구동부(도시되지 않음)에 의해 상하로 이동되는 브라켓(448)이 결합된다. 각각의 이동 프레임(446)은 제 1방향(42)을 따라 길게 제공되며, 서로 대향되도록 배치된다. 이동 프레임(446)은 브라켓(448)에 고정결합되어 브라켓(448)과 함께 수직 레일(442)을 따라 상하로 직선이동된다. The vertical rails 442 are disposed at corners of the first region 240, respectively. The vertical rails 442 have a long rod shape in the vertical direction and guide the vertical movement of the moving frame 446. Each vertical rail 442 is coupled with a bracket 448 that is moved up and down by a vertical drive (not shown) along the vertical rail 442. Each moving frame 446 is provided long along the first direction 42 and is disposed to face each other. The moving frame 446 is fixedly coupled to the bracket 448 and linearly moves up and down along the vertical rail 442 together with the bracket 448.

각각의 이동 프레임(446)의 양단은 각각 제 1방향(42)으로 서로 대향되는 브라켓들에 고정 설치되며, 이동 프레임들(446)은 브라켓(448)과 함께 상하로 이동된다. 이동 프레임(446) 상에는 수평 레일(444)이 고정 설치된다. 각각의 수평 레 일(444)은 제 2방향(44)을 따라 길게 제공되며, 수평 레일들(444)은 서로 대향되도록 배치된다. 수평 레일(444)은 제 1영역(240) 전체 영역에 걸쳐 제공되며, 수평 레일(444) 상에는 수평 레일(444)을 따라 제 2방향(44)으로 이동 가능하도록 카세트(420)가 장착된다. Both ends of each moving frame 446 are fixedly installed on brackets facing each other in the first direction 42, and the moving frames 446 are moved up and down together with the bracket 448. The horizontal rail 444 is fixedly installed on the moving frame 446. Each horizontal rail 444 is provided long along the second direction 44, and the horizontal rails 444 are disposed to face each other. The horizontal rail 444 is provided over the entire area of the first region 240, and the cassette 420 is mounted on the horizontal rail 444 to be movable in the second direction 44 along the horizontal rail 444.

도 2에 도시된 바와 같이, 카세트(420)는 점선으로 표시된 대기위치와 실선으로 표시된 로딩/언로딩 위치(X2)(반응 챔버와 연결되는 제 1게이트 밸브(222) 바로 앞) 사이에서 수평 이동되고, 또한 상하로 직선 이동된다. 대기 위치(X1)는 제 1영역(240)의 하부 영역(244) 내 위치이고 로딩/언로딩 위치(X2)는 제 1영역(240)의 상부 영역(242) 내 위치이다. 카세트(420)는 반응 챔버(100)로/로부터 합성기판(10)을 로딩/언로딩할 때와 제 2이송장치(700)에 의한 합성기판(10) 이송시 로딩/언로딩 위치(X2)로 이동되며, 합성기판(10)의 온도를 낮추기 위해 대기할 때에는 대기위치(X1)로 이동한다. As shown in Fig. 2, the cassette 420 is moved horizontally between the standby position indicated by the dotted line and the loading / unloading position X2 indicated by the solid line (just before the first gate valve 222 connected to the reaction chamber). It also moves linearly up and down. The standby position X1 is a position in the lower region 244 of the first region 240 and the loading / unloading position X2 is a position in the upper region 242 of the first region 240. The cassette 420 is loaded / unloaded position (X2) when loading / unloading the composite substrate 10 into / from the reaction chamber 100 and when transferring the composite substrate 10 by the second transfer device 700. Is moved to, and when waiting to lower the temperature of the composite substrate 10 is moved to the standby position (X1).

도 3은 카세트(420)의 사시도이다. 반응 챔버(100)로 로딩될 합성기판(10) 및 반응 챔버(100)로부터 언로딩된 합성기판들(10)은 카세트(420)에 보관된다. 도 3을 참조하면, 카세트(420)는 지지부들(422), 상판(424) 및 하판(426), 그리고 수직축들(428)을 가진다. 상판(424)과 하판(426)은 대체로 직사각 형상으로 제공되며 상하로 서로 마주보도록 배치된다. 수직축들(428)은 상판(424)과 하판(426)의 서로 마주보는 모서리 영역을 연결하며 4개가 제공된다. 수직축(428)에는 합성기판(10)이 카세트(420)에 적층되어 보관되도록 합성기판(10)을 지지하는 지지부들(422)이 설치된다. 3 is a perspective view of the cassette 420. The composite substrate 10 to be loaded into the reaction chamber 100 and the composite substrates 10 unloaded from the reaction chamber 100 are stored in the cassette 420. Referring to FIG. 3, the cassette 420 has supports 422, an upper plate 424 and a lower plate 426, and vertical axes 428. The upper plate 424 and the lower plate 426 are generally provided in a rectangular shape and are disposed to face each other up and down. The vertical axes 428 connect four corner portions of the upper plate 424 and the lower plate 426 facing each other. Support portions 422 supporting the composite substrate 10 are installed on the vertical axis 428 so that the composite substrate 10 is stacked and stored in the cassette 420.

지지부들(422)은 2개의 그룹으로 그룹지어진다. 제 1그룹에 속하는 지지부들(422a, 이하 제 1지지부)은 반응 챔버(100)로 로딩될 합성기판(10)들을 지지하며, 제 2그룹에 속하는 지지부들(422b, 이하 제 2지지부)은 반응 챔버(100)로부터 언로딩된 합성기판(10)들을 지지한다. 일 예에 의하면, 제 1지지부(422a) 및 제 2지지부(422b)는 각 4개씩 제공되며, 제 1지지부들(422a)은 제 2지지부들(422b)의 상부에 위치되도록 제공된다.The supports 422 are grouped into two groups. The supports 422a (hereinafter referred to as the first support) belonging to the first group support the composite substrates 10 to be loaded into the reaction chamber 100, and the supports 422b (hereinafter referred to as the second support) belonging to the second group react. The unloaded composite substrates 10 are supported from the chamber 100. In an example, four first support parts 422a and four second support parts 422b are provided, and the first support parts 422a are provided to be positioned above the second support parts 422b.

제 2지지부들(422b) 간의 상하 간격은 제 1지지부들(422a) 간의 상하 간격보다 넓게 제공된다. 상술한 구조로 인해 카세트(420) 전체 높이는 줄이면서 반응 챔버(100)로부터 언로딩된 합성기판(10)의 상면에 생성된 탄소 나노 튜브(30)(CNT)가 인접한 합성기판(10)과 접촉되지 않도록 하는 공간을 충분히 제공할 수 있다.The vertical space between the second supports 422b is wider than the vertical space between the first supports 422a. Due to the structure described above, the carbon nanotubes 30 (CNT) generated on the upper surface of the unloaded synthetic substrate 10 from the reaction chamber 100 are in contact with the adjacent composite substrate 10 while reducing the overall height of the cassette 420. It can provide enough space to prevent it.

카세트(420)의 제 1지지부(422)들에 보관중인 합성기판(10)들은 제 1이송장치(300)에 의해 반응 챔버(100) 내부로 로딩된다. 반응 챔버(100)의 보트(160)에는 4장의 합성기판(10)들이 놓여지게 된다. 제 1이송장치(300)는 합성기판을 하나씩 순차적으로 반응 챔버(100)로/로부터 로딩하고 언로딩한다. 합성기판(10)들의 로딩이 완료되면, 반응 챔버(100)에서 탄소 나노 튜브(30) 생성을 위한 공정이 진행된다. 반응 챔버(100)에서 공정이 진행되는 동안, 또 다른 4장의 합성기판(10)들은 촉매 도포부(500)에서 촉매 도포 후 카세트(420)의 제 1지지부(422)들에서 대기하게 된다. 반응 챔버(100)에서 탄소 나노 튜브(30)의 생성 공정이 완료되면, 고온 상태의 합성기판(10)은 제 1이송장치(300)에 의해 반응 챔버(100)로부터 언로딩되어 카세트(420)의 제 2지지부(422b)에 수납되며, 고온의 합성기판(10)은 제 2지지 부(422b)에서 일정시간 동안 냉각 과정을 거친다. 냉각은 자연 냉각 방식에 의해 이루어진다. 선택적으로 냉각수 등과 같은 냉각 수단을 사용하여 강제 냉각할 수 있다. The composite substrates 10 stored in the first support portions 422 of the cassette 420 are loaded into the reaction chamber 100 by the first transfer device 300. Four synthetic substrates 10 are placed in the boat 160 of the reaction chamber 100. The first transfer device 300 sequentially loads and unloads the composite substrate into / from the reaction chamber 100 one by one. When the loading of the synthetic substrates 10 is completed, a process for generating the carbon nanotubes 30 is performed in the reaction chamber 100. During the process in the reaction chamber 100, another four composite substrates 10 are waiting for the first support portion 422 of the cassette 420 after applying the catalyst in the catalyst coating portion 500. When the production process of the carbon nanotubes 30 in the reaction chamber 100 is completed, the synthetic substrate 10 in a high temperature state is unloaded from the reaction chamber 100 by the first transfer device 300 to draw the cassette 420. The second support part 422b is stored in the high temperature synthetic substrate 10 and undergoes a cooling process for a predetermined time in the second support part 422b. Cooling is achieved by natural cooling. Optionally, forced cooling may be achieved using cooling means such as cooling water.

탄소 나노 튜브(30)가 생성된 합성기판(10)들은 일정온도 이하로 떨어질 때까지 카세트(420)의 제 2지지부(422b)들에서 대기하게 된다. 합성기판(10)들이 대기하는 카세트(420)는 스테이션부(200) 내부에 위치된다. 스테이션부(200)의 내부는 불활성가스로 채워져 있기 때문에, 카세트(420)에서 대기 중인 합성기판(10)들은 외부의 공기(특히 산소)와 접촉되지 않는다. 예컨대, 반응 챔버(100)에서 공정을 마친 합성기판(10)이 일정 온도 이하로 떨어진 상태에서는 상관없지만, 합성기판(10)이 고온 상태에서 상온의 대기 중에 노출되면, 합성기판(10) 표면에 생성된 탄소 나노 튜브(30)가 대기중의 산소와 반응하면서 변형을 일으키게 된다. 본 발명에서는 이러한 문제를 예방하기 위해 반응 챔버(100)에서 언로딩된 합성기판(10)들이 산소와의 접촉되지 않도록 상술한 바와 같이 불활성가스로 채워진 스테이션부(200)를 제공하였다. The composite substrates 10 on which the carbon nanotubes 30 are formed are waited at the second support portions 422b of the cassette 420 until they fall below a predetermined temperature. The cassette 420 on which the synthetic substrates 10 are located is located inside the station unit 200. Since the inside of the station part 200 is filled with inert gas, the synthetic substrates 10 waiting in the cassette 420 are not in contact with outside air (especially oxygen). For example, the synthesis substrate 10 that has been processed in the reaction chamber 100 may not be in a state where the temperature falls below a predetermined temperature. The produced carbon nanotubes 30 react with oxygen in the atmosphere to cause deformation. In the present invention, in order to prevent such a problem, the unloaded synthetic substrate 10 in the reaction chamber 100 is provided with a station part 200 filled with an inert gas as described above so as not to come into contact with oxygen.

한편, 카세트(420)의 제 2지지부(422b)들에서 일정시간 동안 대기한 합성기판(10)들은 제 2게이트 밸브(224)를 통해 제 2이송장치(700)에 의해 회수부(600)로 옮겨진다. 그리고, 회수부(600)에서 탄소 나노 튜브(30)의 회수를 마친 합성기판(10)은 촉매 도포부(500)에서 촉매(20)를 도포한 후 다시 카세트(420)의 제 1지지부(422a)에 수납된다. Meanwhile, the composite substrates 10 waited for a predetermined time in the second support parts 422b of the cassette 420 are transferred to the recovery part 600 by the second transfer device 700 through the second gate valve 224. Transferred. After the carbon nanotubes 30 have been recovered from the recovery part 600, the synthetic substrate 10 is coated with the catalyst 20 from the catalyst applicator 500, and again, the first support part 422a of the cassette 420. ) Is stored.

도 5는 제2지지부의 지지부재를 확대하여 보여주는 요부확대도이다. 5 is an enlarged view illustrating a main part of the support member of the second support part in an enlarged manner.

도 5에 도시된 바와 같이, 카세트(420)의 제2지지부(422b)는 합성기판(10)의 가장자리 부분을 지지하는 4개의 지지부재(423)를 가진다. 지지부재(423)는 수직축(428)에 고정되는 고정블럭(423a)과, 고정블럭(423a)상에 설치되는 완충블럭(423b) 그리고 완충블럭(423b)상에 설치되는 지지블럭(423c)을 포함한다. 지지블럭(423c)은 합성기판의 가장자리 부분이 안정적으로 놓여지도록 안착홈(423d)이 형성되어 있다. 그리고 완충블럭(423b)은 합성기판(10)이 지지부재(423)에 놓여질 때 발생되는 충격을 완화시켜주기 위해 탄성력을 갖는 우레탄 또는 고무 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 이처럼, 지지부재(423)는 합성기판(10)이 놓여질 때 발생되는 충격이 완충블럭(423b)에 의해 완화됨으로써, 합성기판(10)에 합성된 탄소나노튜브의 일부가 충격에 의해 이탈(떨어져나가)되는 것을 방지할 수 있다. As shown in FIG. 5, the second support portion 422b of the cassette 420 has four support members 423 supporting the edge portion of the composite substrate 10. The support member 423 includes a fixed block 423a fixed to the vertical shaft 428, a buffer block 423b installed on the fixed block 423a, and a support block 423c installed on the buffer block 423b. Include. The support block 423c is provided with a mounting groove 423d so that the edge portion of the composite substrate can be stably placed. And the buffer block 423b is preferably made of a urethane or rubber material having an elastic force to mitigate the impact generated when the composite substrate 10 is placed on the support member 423. As described above, the support member 423 is mitigated by the shock absorbing block 423b when the composite substrate 10 is placed, so that a part of the carbon nanotubes synthesized on the composite substrate 10 is separated from the impact (isolated). I can prevent that).

특히, 카세트(420)는 제 1이송장치(300)(반송로봇)에 의해 반응 챔버(100)로부터 인출된 합성기판(10)이 제2지지부(422b)의 지지부재(423)에 로딩될 때 합성기판이 로딩되는 속도(하강하는 속도)보다 느린 속도로 함께 하강하기 때문에 합성기판(10)이 카세트(420)의 제2지지부(422b)에 보다 안정적으로 놓여지게 된다. 이러한 방법은 제1이송장치(300)의 하강 스피드를 늦추는 것과 동일한 효과를 기대할 수 있다. In particular, when the cassette 420 is loaded on the support member 423 of the second support 422b, the composite substrate 10 withdrawn from the reaction chamber 100 by the first transfer device 300 (transfer robot) is loaded. Since the composite substrate descends together at a slower speed than the loading speed (falling speed), the composite substrate 10 is more stably placed on the second support portion 422b of the cassette 420. This method can expect the same effect as slowing the falling speed of the first transfer device (300).

도 6a 및 도 6b는 카세트에 합성기판이 놓여지는 과정을 설명하기 위한 도면들이다. 6A and 6B are views for explaining a process in which a composite substrate is placed on a cassette.

카세트의 지지부에 합성기판이 로딩되는 과정을 살펴보면 다음과 같다.Looking at the process of loading the synthetic substrate on the support of the cassette as follows.

우선, 제1이송장치(300)가 반응 챔버(100)로부터 탄소나노튜브가 합성된 합 성기판(10)을 인출한다. 그리고 그 인출한 합성기판(10)을 카세트(420)의 제2지지부(422b) 상부로 위치시키기 위해 수평 이동된다. 합성기판(10)이 카세트(420)의 제2지지부(422b) 상부에 위치되면, 합성기판(10)은 제1이송장치(300)에 의해 수직 하강되어 카세트의 제2지지부(422b)에 놓여지게 된다. 이때 카세트(420)는 합성기판(100이 제2지지부(422b)에 로딩되기 직전에 합성기판(10)의 수직 하강 속도보다 느린 속도로 하강하게 된다. 즉, 카세트(420)는 합성기판(10)이 놓여질 때 발생되는 충격을 줄이기 위해 합성기판(10)의 이동 속도보다 느린 속도로 이동하게 되고, 결국 합성기판(10)은 카세트(420)의 제2지지부(422b)에 큰 충격 없이 안정적으로 놓여지게 된다.First, the first transfer device 300 withdraws the synthetic substrate 10 synthesized with carbon nanotubes from the reaction chamber 100. Then, the extracted synthetic substrate 10 is horizontally moved to position the second support portion 422b of the cassette 420 above. When the composite substrate 10 is positioned above the second support portion 422b of the cassette 420, the composite substrate 10 is vertically lowered by the first transfer device 300 to be placed on the second support portion 422b of the cassette. You lose. At this time, the cassette 420 is lowered at a slower speed than the vertically lowered speed of the synthetic substrate 10 just before the composite substrate 100 is loaded on the second support 422b. In order to reduce the shock generated when is placed) is moved at a speed slower than the moving speed of the composite substrate 10, the composite substrate 10 is stably without a large impact on the second support portion 422b of the cassette 420 To be placed.

본 발명에 의하면 합성기판이 카세트에 로딩될 때 완충블럭에 의해 충격이 완화됨으로써 합성기판에 합성되어 있는 탄소나노튜브가 충격에 의해 이탈되는 것을 예방할 수 있다. According to the present invention, when the synthetic substrate is loaded into the cassette, the impact is alleviated by the buffer block, thereby preventing the carbon nanotubes synthesized from the synthetic substrate from being separated by the impact.

또한, 본 발명은 카세트가 합성기판이 놓여질 때 발생되는 충격을 줄이기 위해 합성기판의 이동 속도보다 느린 속도로 이동하게 되고, 결국 합성기판은 카세트에 큰 충격 없이 안정적으로 놓여지게 됨으로써 합성기판에 합성되어 있는 탄소나노튜브가 충격에 의해 이탈되는 것을 예방할 수 있다. In addition, the present invention is to move the cassette at a slower speed than the movement speed of the composite substrate in order to reduce the impact generated when the composite substrate is placed, the composite substrate is synthesized to the composite substrate by being placed stably without a large impact on the cassette The carbon nanotubes can be prevented from being separated by the impact.

또한, 본 발명은 탄소나노튜브의 손실을 최소화할 수 있다. In addition, the present invention can minimize the loss of carbon nanotubes.

Claims (7)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 지지부를 갖는 카세트에서의 합성기판 로딩 방법에 있어서:A method for loading a composite substrate in a cassette having a support portion: 상기 합성기판이 반송로봇에 의해 수평이동되어 상기 카세트의 지지부 상부에 위치되는 단계;The composite substrate being horizontally moved by a carrier robot and positioned above the support of the cassette; 상기 지지부 상부에 위치된 합성기판이 상기 반송로봇에 의해 수직 하강되어 상기 카세트의 지지부에 로딩되는 단계를 포함하되;Comprising a synthetic substrate positioned above the support portion is vertically lowered by the carrier robot is loaded on the support portion of the cassette; 상기 합성기판이 상기 카세트의 지지부에 로딩되기 직전에 상기 카세트가 상기 합성기판의 수직 하강 속도보다 느린 속도로 수직 하강하는 것을 특징으로 하는 카세트에서의 합성기판 로딩 방법.And the cassette is vertically lowered at a slower speed than the vertically lowered speed of the synthetic substrate immediately before the synthetic substrate is loaded on the support of the cassette. 카세트에서의 합성기판 로딩 방법에 있어서:In the synthetic substrate loading method in the cassette: 합성기판이 상기 카세트의 지지부 상부로 수평이동되는 단계;Moving the composite substrate horizontally above the support of the cassette; 상기 합성기판이 상기 지지부에 로딩되도록 수직 하강되는 단계를 포함하되;Vertically descending the composite substrate to be loaded onto the support; 상기 합성기판이 내려오는 속도보다 느리게 상기 카세트가 수직 하강되는 것을 특징으로 하는 카세트에서의 합성기판 로딩 방법.The method of loading a composite substrate in a cassette, characterized in that the cassette is lowered vertically slower than the synthetic substrate descends. 제6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 합성기판은 탄소 나노 튜브의 합성이 이루어지는 기저판(base plate)인 것을 특징으로 하는 카세트에서의 합성기판 로딩 방법.The synthetic substrate is a synthetic substrate loading method in a cassette, characterized in that the base plate (base plate) is made of the synthesis of carbon nanotubes.
KR1020070100174A 2007-10-05 2007-10-05 Synthetic substrate loading method in cassette KR100928020B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070100174A KR100928020B1 (en) 2007-10-05 2007-10-05 Synthetic substrate loading method in cassette

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070100174A KR100928020B1 (en) 2007-10-05 2007-10-05 Synthetic substrate loading method in cassette

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090035100A KR20090035100A (en) 2009-04-09
KR100928020B1 true KR100928020B1 (en) 2009-11-24

Family

ID=40760617

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070100174A KR100928020B1 (en) 2007-10-05 2007-10-05 Synthetic substrate loading method in cassette

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100928020B1 (en)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060077960A (en) * 2004-12-30 2006-07-05 삼성전자주식회사 Reticle library cassette
KR20070073397A (en) * 2006-01-05 2007-07-10 세메스 주식회사 Substrate transfer apparatus and system producting carbon nano tube with it

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20060077960A (en) * 2004-12-30 2006-07-05 삼성전자주식회사 Reticle library cassette
KR20070073397A (en) * 2006-01-05 2007-07-10 세메스 주식회사 Substrate transfer apparatus and system producting carbon nano tube with it

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090035100A (en) 2009-04-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100705846B1 (en) Substrate transporting apparatus, substrate transporting method and vacuum processing apparatus
KR101428522B1 (en) System for vacuum processing, buffer module therefor, and method for transferring tray therefor
CN1618716B (en) Loading lock and loading lock chamber therewith
KR101205416B1 (en) Substrate transfer apparatus and substrate transfer method
US9011075B2 (en) Substrate processing method
US20110262252A1 (en) Substrate Processing System and Substrate Transferring Method
US20130004267A1 (en) Gate valve and substrate processing system using same
JP2012256645A (en) Opening/closing device of substrate transfer container, opening/closing device of lid and semiconductor manufacturing device
US8845262B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium storing substrate processing program
KR100928020B1 (en) Synthetic substrate loading method in cassette
JP3589839B2 (en) Substrate transfer device with pitch conversion
TWI483336B (en) Processing device
KR100781942B1 (en) Batch type boat for display panel manufacturing system
JP2001230304A (en) Apparatus for centering substrate
CN101752173A (en) Vacuum processing apparatus, vacuum processing system and processing method
KR101761597B1 (en) Substrate processing apparatus
KR102592575B1 (en) Replacement jig system of substrate transfer robot and method of replacing substrate transfer robot
CN218918810U (en) Device for improving edge shielding repeatability and semiconductor precipitation equipment
WO2004005592A1 (en) Thin sheet manufacturing apparatus and thin sheet manufacturing method
KR101386297B1 (en) Substrate processing system and substrate transferring method
CN219180487U (en) Silicon wafer loading and unloading device and photovoltaic processing equipment
CN220999803U (en) Adsorption device for transparent substrate evaporation, evaporation machine alignment system and evaporation machine
CN215103544U (en) Bearing support and cavity for PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) equipment
JP7539993B2 (en) Substrate tray transport system for substrate processing equipment - Patents.com
JP2005142480A (en) Cassette device and thin substrate transfer system using it

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121109

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20131101

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141119

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151102

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161101

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee