KR100917169B1 - Ｉｇｂｔ 모듈을 이용한 스위칭 방법 및 이를 위한ｉｇｂｔ 구동 회로 - Google Patents

Ｉｇｂｔ 모듈을 이용한 스위칭 방법 및 이를 위한ｉｇｂｔ 구동 회로 Download PDF

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Abstract

본 발명의 IGBT 모듈을 이용한 스위칭 방법은, 제1 IGBT 및 제2 IGBT가 병렬로 연결된 IGBT 모듈을 이용한 스위칭 방법에 관한 것으로서, 제1 IGBT의 게이트 구동 신호와 제2 IGBT의 게이트 구동 신호를 교대로 인가하여 제1 IGBT와 제2 IGBT를 교대로 턴 온 및 턴 오프 시키는 것을 특징으로 한다.

Description

ＩＧＢＴ 모듈을 이용한 스위칭 방법 및 이를 위한 ＩＧＢＴ 구동 회로{Switching method using IGBT module and IGBT driving circuit for implementing the method}
도 1은 종래의 스위칭 회로 시스템의 일 예를 나타내 보인 회로도이다.
도 2는 도 1의 제1 IGBT의 제1 게이트 단자 및 제2 IGBT의 제2 게이트 단자에 인가되는 게이트 구동 신호들을 나타내 보인 파형도이다.
도 3은 종래의 스위칭 회로 시스템의 다른 예를 나타내 보인 회로도이다.
도 4는 도 3의 제1 IGBT의 제1 게이트 단자 및 제2 IGBT의 제2 게이트 단자에 인가되는 게이트 구동 신호들을 나타내 보인 파형도이다.
도 5는 본 발명에 따른 스위칭 방법을 채용한 스위칭 회로 시스템의 일 예를 나타내 보인 회로도이다.
도 6은 도 5의 제1 IGBT의 제1 게이트 단자 및 제2 IGBT의 제2 게이트 단자에 인가되는 게이트 구동 신호들을 나타내 보인 파형도이다.
도 7은 본 발명에 따른 스위칭 방법을 위한 IGBT 모듈의 일 예를 나타내 보인 도면이다.
도 8은 도 7의 IGBT 모듈 내의 구동 IC의 회로 구성의 일 예를 나타내 보인 회로도이다.
도 9는 도 8의 구동 IC의 구성 요소들에 대한 입출력 신호를 나타내 보인 타이밍도이다.
도 10은 본 발명에 따른 스위칭 방법을 적용하였을 때의 도 5의 스위칭 시스템의 각 구성 요소들의 측정된 전력 소모량을 나타내는 표이다.
도 11은 스위칭 소자로서 하나의 IGBT를 사용한 경우에서의 스위칭 주파수에 대한 전력 소모를 나타내 보인 그래프이다.
도 12는 스위칭 소자로서 두 개의 IGBT를 사용하여 본 발명에 따른 스위칭 방법을 적용하는 경우에서의 스위칭 주파수에 대한 IGBT 한 개의 전력 소모를 나타내 보인 그래프이다.
본 발명은 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 모듈을 이용한 스위칭 방법 및 이를 위한 IGBT 구동 회로에 관한 것이다.
일반적으로 전력용 반도체 소자들을 채용한 전력 시스템에서, 정격 파워 및 스위칭 주파수가 높아지면 스위칭용 전력 반도체 소자의 파워 소비도 증가하게 된다. 스위칭용 전력 반도체 소자의 파워 소비가 증가함에 따라 그 소자의 접합 온도(junction temperature)도 또한 증가하게 되어 소자의 신뢰성을 열악하게 하는 원인이 된다. 따라서 최근에는 두 개의 전력 반도체 소자를 병렬로 연결하고 두 개의 전력 반도체 소자의 게이트 구동 신호를 동기로(synchronously) 인가하거나 또는 일정한 위상차로 인가하는 스위칭 시스템들이 제안되고 있다.
도 1은 이와 같은 스위칭 시스템의 일 예를 나타내 보인 회로도이다. 그리고 도 2는 도 1의 제1 IGBT의 제1 게이트 단자 및 제2 IGBT의 제2 게이트 단자에 인가되는 게이트 구동 신호들을 나타내 보인 파형도이다.
먼저 도 1을 참조하면, 제1 IGBT(110) 및 제2 IGBT(120)는 상호 병렬로 연결된다. 그리고 제1 IGBT(110) 및 제2 IGBT(120)의 컬렉터 단자에는 인덕터(L) 및 고속 복구 다이오드(FRD; Fast Recovery Diode)(DFR)가 각각 직렬로 연결된다.
이와 같은 스위칭 시스템에서, 상기 제1 IGBT(110)의 제1 게이트 단자(G1) 및 제2 IGBT(120)의 제2 게이트 단자(G2)에 인가되는 게이트 구동 신호(PWMG1, PWMG2)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 일정한 주기(T)를 갖고 그 폭은 변조된, 즉 펄스 폭 변조(Pulse Width Modulation)된 동일한 펄스들이다. 따라서 제1 IGBT(110)와 제2 IGBT(120)는 동시에 턴 온 되거나 턴 오프된다. 이와 같은 스위칭 회로 시스템은, 그 구성이 간단하여 비용이 저렴하고, 발열 분담으로 인해 높은 전력 회로 시스템에 채용될 수 있다는 이점들을 제공한다. 또한 제1 IGBT(110)와 제2 IGBT(120)는 동일하게 턴 온 되므로 전류가 분지되어 흐르고, 이에 따라 정격 전류가 반으로 줄어들어 전력 손실을 감소시킬 수 있다는 장점도 제공한다. 그러나 동일한 게이트 구동 신호(PWMG1, PWMG2)가 인가되지만 실제로 제1 IGBT(110)와 제2 IGBT(120)는 제조 과정 등의 원인으로 인해 동일한 특성을 갖지 못하는 경우가 대부분이며, 이에 따라 제1 IGBT(110)와 제2 IGBT(120)에 분지되어 흐르는 전류가 동 일하지 않게 되며, 심할 경우 열적 불균형(thermal unbalance)에 의해 소자가 파괴되는 문제가 발생할 수 있다.
도 3은 종래의 스위칭 회로 시스템의 다른 예를 나타내 보인 회로도이다. 그리고 도 4는 도 3의 제1 IGBT의 제1 게이트 단자 및 제2 IGBT의 제2 게이트 단자에 인가되는 게이트 구동 신호들을 나타내 보인 파형도이다.
먼저 도 3을 참조하면, 제1 IGBT(210)와 제2 IGBT(220)가 별도의 라인으로 배치된다. 각 라인에는 제1 인덕터(L1) 및 제2 인덕터(L2)가 각각 연결되고, 마찬가지로 제1 FRD(DFR1) 및 제2 FRD(DFR2)가 각각 연결된다. 도면에 나타내지는 않았지만, 제1 인덕터(L1) 및 제2 인덕터(L2)는 정류 회로를 통해 교류 전원과 연결되고, 제1 FRD(DFR1) 및 제2 FRD(DFR2)는 부하단으로 연결된다. 경우에 따라서 정류 회로가 생략되고 직접 직류 전원에 연결될 수도 있다.
이와 같은 스위칭 시스템에서, 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제1 IGBT(210)의 제1 게이트 단자(G1) 및 제2 IGBT(220)의 제2 게이트 단자(G2)에는 모두 일정한 주기(T)를 갖지만 상호 반주기(T/2)의 위상차를 가지며, 그 폭은 변조된, 즉 펄스 폭 변조(Pulse Width Modulation)된 펄스들이 각각 게이트 구동 신호(PWMG1, PWMG2)로서 인가된다. 이와 같은 회로 시스템에 있어서, 전체 열 저항 또한 감소되는 효과를 제공하여, 발열을 분담시키므로 높은 전력 시스템에 채용될 수 있다. 그러나 추가되는 인덕터와 같은 여분의 수동 소자와, 추가되는 FRD와 같 은 여분의 능동 소자가 더 요구되므로 전체적인 회로 시스템이 복잡해진다는 단점이 있다. 또한 제1 IGBT(210)와 제2 IGBT(220)의 특성이 동일하지 않고, 제1 인덕터(L1)와 제2 인덕터(L2)도 동일하지 않으므로 병렬로 연결된 2개의 셀에 분지되어 흐르는 전류를 동일하게 흐르게 하기 위해서는 전류 제어(current sharing)을 위한 부가적인 회로가 요구된다는 문제가 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 병렬로 사용되는 두 개의 IGBT에 각각 분지되어 흐르는 전류의 불균형으로 인해 IGBT가 파괴되는 문제를 해결할 수 있는 IGBT 모듈을 이용한 스위칭 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는, 상기 스위칭 방법을 위한 IGBT 구동 회로를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 IGBT 모듈을 이용한 스위칭 방법은, 제1 IGBT 및 제2 IGBT가 병렬로 연결된 IGBT 모듈을 이용한 스위칭 방법에 있어서, 상기 제1 IGBT의 게이트 구동 신호와 상기 제2 IGBT의 게이트 구동 신호를 교대로 인가하여 상기 제1 IGBT와 상기 제2 IGBT를 교대로 턴 온 시키는 것을 특징으로 한다.
상기 제1 IGBT 게이트 구동 신호와 상기 제2 IGBT 게이트 구동 신호는 동일한 제1 주기를 갖되 상기 제1 주기의 1/2에 해당하는 위상차를 가지며, 상기 제1 IGBT 게이트 구동 신호의 상승 에지와 상기 제2 IGBT 게이트 구동 신호의 상승 에지는 상기 위상차와 동일한 위상차를 갖는 것이 바람직하다.
상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 IGBT 구동 회로는, 제1 IGBT 및 제2 IGBT가 병렬로 연결된 스위칭 시스템의 상기 제1 IGBT 및 제2 IGBT로의 게이트 구동 신호를 인가하기 위한 IGBT 구동 회로에 있어서, 입력되는 클락 펄스에 의해 제1 출력 단자에서의 제1 출력 신호 및 상기 제1 출력 신호와 반대인 제2 출력 단자에서의 제2 출력 신호가 토글되도록 하는 트리거 플립 플랍; 상기 스위칭 시스템의 전체 스위칭 펄스 신호와 상기 제1 출력 신호를 입력받아 AND 연산 후 상기 제1 IGBT의 게이트 단자로 출력시키는 제1 AND 게이트; 및 상기 스위칭 시스템의 전체 스위칭 펄스 신호와 상기 제2 출력 신호를 입력받아 AND 연산 후 상기 제2 IGBT의 게이트 단자로 출력시키는 제2 AND 게이트를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 트리거 플립 플랍은 J 단자와 K 단자가 연결된 J-K 플립 플랍인 것이 바람직하다. 이 경우 상호 연결된 상기 J 단자 및 K 단자에는 항상 하이 신호가 입력되는 것이 바람직하다.
상기 제1 출력 신호 및 제2 출력 신호의 토글은 상기 클락 펄스의 하강 에지 시점에서 이루어지는 것이 바람직하다.
이하 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예들로 인해 한정되어지는 것으로 해석되 어져서는 안된다.
도 5는 본 발명에 따른 스위칭 방법을 채용한 스위칭 회로 시스템의 일 예로서 역률 보정기(PFC; Power Factor Corrector)를 나타내 보인 회로도이다. 그리고 도 6은 도 5의 제1 IGBT의 제1 게이트 단자 및 제2 IGBT의 제2 게이트 단자에 인가되는 게이트 구동 신호들을 나타내 보인 파형도이다.
먼저 도 5를 참조하면, 교류 전원(AC)은 정류 회로를 구성하는 정류 다이오드들(D1, D2, D3, D4)과 연결된다. 또한 상기 교류 전원(AC)은 정류 회로를 거쳐 인덕터(L)와 직렬로 연결되고, 제1 IGBT(510), 제2 IGBT(520) 및 커패시터(C)와는 병렬로 연결된다. 즉 제1 IGBT(510) 및 제2 IGBT(520)의 컬렉터 단자와 정류 회로 사이에는 인덕터(L)가 배치되고, 제1 IGBT(510) 및 제2 IGBT(520)의 컬렉터 단자와 커패시터(C) 사이에는 FRD(Fast Recovery Diode)(DFR)가 직렬로 연결된다.
상기 교류 전원(AC)은 정류 다이오드들(D1, D2, D3, D4)에 의해 직류 전원으로 정류되어 전달된다. 상기 인덕터(L)는 제1 IGBT(510) 및 제2 IGBT(520)가 턴 온 됨에 따라 에너지를 저장한다. 그리고 상기 커패시터(C)는 충전된 에너지, 즉 단자 전압 VDC를 ab단에 연결되는 부하(미도시)로 전달하고, 제1 IGBT(510) 및 제2 IGBT(520)가 턴 오프 되는 동안 다시 충전된다. 한편 FRD(DFR)는 전체 회로 시스템에서 IGBT가 턴 온 되는 동안 커패시터로부터의 전류의 역류를 방지하기 위하여 사용된다.
이와 같은 PFC 회로 시스템에서, 상기 제1 IGBT(510)의 제1 게이트 단자(G1) 및 제2 IGBT(520)의 제2 게이트 단자(G2)에는, 도 6에 도시된 바와 같이, 각각의 게이트 구동 신호들(PWMG1, PWMG2)을 교대로 인가시킨다. 즉 전체적으로 스위칭 하고자 하는 주기(T) 내의 펄스 신호(PWM)를 번갈아가면서 각 게이트 단자에 인가시킨다. 따라서 제1 게이트 단자(G1)에 인가되는 펄스 신호(PWMG1)는 결과적으로 2T의 주기를 갖고, 마찬가지로 제2 게이트 단자(G2)에 인가되는 펄스 신호(PWMG2)도 2T의 주기를 갖게 된다. 제1 게이트 단자(G1)와 제2 게이트 단자(G2)에 게이트 입력 펄스 신호들(PWMG1, PWMG2)이 동시에 인가되는 경우는 존재하지 않는다. 결국 제1 IGBT(510)와 제2 IGBT(520)가 동시에 턴 온 상태가 되지 않고 번갈아가면서 턴 온 되도록 한다.
이와 같은 게이트 구동 신호 인가 방식에 의해 스위칭하는 경우, 제1 IGBT(510) 및 제2 IGBT(520)가 동시에 턴 온 되는 경우가 발생하지 않으므로 전류가 분지되는 경우도 발생하지 않게 된다. 또한 발열도 제1 IGBT(510) 및 제2 IGBT(520)로 분산되므로 높은 입력 파워(AC)를 채용할 수 있게 된다. 더욱이 별도의 외부 로직 회로가 불필요하므로 회로 시스템이 간단하고 비용도 저렴하다.
도 7은 본 발명에 따른 스위칭 방법을 위한 IGBT 모듈의 일 예를 나타내 보인 도면이다.
도 7을 참조하면, 상기 IGBT 모듈(700)은, 제1 IGBT(510), 제2 IGBT(520), 구동 IC(Integrated Circuit)(530) 및 FRD(540)를 포함하여 구성된다. IGBT 모듈(700)의 외부 단자는 구동 IC 입력 단자와 제1 IGBT(510) 및 제2 IGBT(520)의 컬렉터 단자 및 에미터 단자에 연결된 라인 단자가 포함된다. IGBT 모듈(700) 내에서 구동 IC(530)의 출력은 제1 IGBT(510)의 제1 게이트 단자(G1)와 제2 IGBT(520)의 제2 게이트 단자(G2)에 각각 입력된다. FRD(540)의 애노드 단자는 제1 IGBT(510) 및 제2 IGBT(520)의 컬렉터 단자에 연결되며, 캐소드 단자는 IGBT 모듈(700)의 외부 출력 단자에 연결된다.
도 8은 도 7의 IGBT 모듈 내의 구동 IC의 회로 구성의 일 예를 나타내 보인 회로도이다. 그리고 도 9는 도 8의 구동 IC의 구성 요소들에 대한 입출력 신호를 나타내 보인 타이밍도이다.
먼저 도 8을 참조하면, 상기 구동 IC(도 7의 530)는 트리거 플립 플랍(Trigger flip-flop)(531), 제1 AND 게이트(533) 및 제2 AND 게이트(535)를 포함하여 구성된다. 상기 트리거 플립 플랍(531)은 클락 J-K 플립 플랍의 J 단자와 K 단자를 연결시킴으로써 구현할 수 있다. 이 트리거 플립 플랍(531)의 J 단자와 K 단자에는 항상 "1"이 입력되며, 이에 따라 클락 펄스(CP)가 입력될 때마다 Q 단자의 출력 신호는 항상 토글(toggle)된다. 특히 이 토글은 클락 펄스(CP)의 하강 에지(falling edge) 시점에 이루어진다. 상기 클락 펄스(CP)로서는, 전체적으로 스위칭 하고자 하는 주기(T) 내의 펄스 신호(PWM)를 사용하며, 이 펄스 신호(PWM)는 제1 AND 게이트(533) 및 제2 AND 게이트(535)의 입력 단자로 입력된다. 상기 제1 AND 게이트(533)의 다른 입력 단자에는 트리거 플립 플랍(531)의 Q 출력 단자와 연결되며, 제2 AND 게이트(535)의 다른 입력 단자에는 트리거 플립 플랍(531)의 Q' 출력 단자와 연결된다.
이와 같은 구동 IC에 있어서, 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 트리거 플립 플랍(531)의 J 단자 및 K 단자는 항상 "1"이 입력되고, 클락 펄스(CP)로서 펄스 신호(PWM)가 입력된다. 따라서 트리거 플립 플랍(531)의 Q 출력 단자의 출력 신호는 클락 펄스(CP)의 하강 에지 시점마다 토글되며, Q' 출력 단자의 출력 신호 또한 마찬가지로 클락 펄스(CP)의 하강 에지 시점마다 Q 출력 단자의 출력 신호와 반대값을 가지면서 토글된다. 제1 AND 게이트(533)에는 펄스 신호(PWM)와 트리거 플립 플랍(531)의 Q 출력 단자의 출력 신호가 입력되며, AND 연산 후에 출력되는 출력 신호(PWMG1)는 펄스 신호(PWM) 중 격 주기에 해당하는 신호가 된다. 마찬가지로 제2 AND 게이트(535)에는 펄스 신호(PWM)와 트리거 플립 플랍(531)의 Q' 출력 단자의 출력 신호가 입력되며, AND 연산 후에 출력되는 출력 신호(PWMG2)는 펄스 신호(PWM) 중 격 주기에 해당하면서 제1 AND 게이트(533)의 출력 신호와는 중복되지 않는 출력 신호가 된다. 즉 펄스 신호(PWM)는 제1 AND 게이트(533)와 제2 AND 게이트(535)를 통해 한 주기씩 번갈아가면서 출력된다. 이 제1 AND 게이트(533)의 출력 신호는 제1 IGBT(도 7의 510)의 제1 게이트 단자(G1)에 구동 신호로서 입력되고, 제2 AND 게이트(535)의 출력 신호는 제2 IGBT(도 7의 520)의 제2 게이트 단자(G2)에 구동 신호로서 입력된다.
도 10은 본 발명에 따른 스위칭 방법을 적용하였을 때의 도 5의 스위칭 시스템의 각 구성 요소들의 측정된 전력 소모량을 나타내는 표이다. 측정을 위해 사용 된 환경은, 입력 전원(AC)이 176-264V, 커패시터(C) 양단에 인가되는 전압(VDC)이 400V, 스위칭 주파수(fs)가 25kHz, 그리고 입력 파워(PIN)가 3kW이다.
도 10에 나타낸 바와 같이, 정류 다이오드(D1, D2, D3, D4)의 전력 소모는 7.6×4W이고, 고속 복구 다이오드(DFR)의 전력 소모는 12.8W이며, 그리고 IGBT(510, 520)의 경우 컨덕션 손실(conduction loss)과 스위칭 손실(switching loss) 모두 합하면 (8.5×2)+(12.4×2)W가 된다. 정류 다이오드(D1, D2, D3, D4)와 고속 복구 다이오드(DFR)의 경우 IGBT의 사용 개수와 무관하게 측정된다. 그러나 종래의 경우에서와 같이 전류 정격이 2배인 하나의 IGBT만을 사용할 경우 IGBT의 전력 소모는 13.4+24.8W이다. 따라서 두 개의 IGBT(510, 520)를 사용하고 본 발명에 따른 스위칭 방법을 사용할 경우 두 개의 IGBT(510, 520)에서의 전력 소모는 한 개의 IGBT를 사용한 종래의 경우보다 다소 증가하는 것은 사실이지만, 본 측정값 정도의 증가분은 무시할 수 있을 정도이다.
도 11은 스위칭 소자로서 하나의 IGBT를 사용한 경우에서의 스위칭 주파수에 대한 전력 소모를 나타내 보인 그래프이다. 그리고 도 12는 스위칭 소자로서 두 개의 IGBT를 사용하여 본 발명에 따른 스위칭 방법을 적용하는 경우에서의 스위칭 주파수에 대한 전력 소모를 나타내 보인 그래프이다.
상기 측정을 위한 환경 변수들 중에서 전력 소모에 가장 큰 영향을 끼치는 것은 스위칭 주파수(fs)이다. 즉 도 11에 도시된 바와 같이, 하나의 IGBT를 사용한 경우 스위칭 주파수(fs)가 25kHZ인 경우 IGBT의 전력 소모량은 38.2W이다. 그러나 도 12에 도시된 바와 같이, 두 개의 IGBT를 사용하여 본 발명에 따른 스위칭 방법을 적용하는 경우 각 IGBT의 전력 소모량은 20.9W이다. 따라서 각각의 IGBT에 대한 전력 소모량을 감소시킬 수 있으며, 단지 두 개의 IGBT의 총 전력 소모량은 41.8W로서 다소 증가하지만, 앞서 설명한 바와 같이, 이 정도 증가분은 무시할 정도이다.
이상 본 발명을 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.
이상의 설명에서와 같이, 두 개의 IGBT를 번갈아가면서 구동시키는 방식으로 스위칭 함으로써 두 개의 IGBT가 동시에 턴 온 되는 경우가 발생하지 않으므로 전류가 분지되는 경우에 발생하는 전류 배분 문제를 고려하지 않아도 된다는 이점을 제공한다. 또한 발열도 두 개의 IGBT에 각각 분산되므로 높은 입력 파워를 채용할 수 있게 되며, 더욱이 별도의 외부 로직 회로가 불필요하므로 회로 시스템이 간단하고 비용도 저렴하다는 이점도 제공한다.

Claims (6)

  1. 제1 IGBT 및 제2 IGBT가 병렬로 연결된 IGBT 모듈을 이용한 스위칭 방법에 있어서,
    상기 제1 IGBT의 게이트 구동 신호와 상기 제2 IGBT의 게이트 구동 신호를 교대로 인가하여 상기 제1 IGBT와 상기 제2 IGBT를 교대로 턴 온 시키고,
    상기 제1 IGBT 게이트 구동 신호와 상기 제2 IGBT 게이트 구동 신호는 동일한 제1 주기를 갖되 상기 제1 주기의 1/2에 해당하는 위상차를 가지며, 상기 제1 IGBT 게이트 구동 신호의 상승 에지와 상기 제2 IGBT 게이트 구동 신호의 상승 에지는 상기 위상차와 동일한 위상차를 갖는 것을 특징으로 하는 스위칭 방법.
  2. 삭제
  3. 제1 IGBT 및 제2 IGBT가 병렬로 연결된 스위칭 시스템의 상기 제1 IGBT 및 제2 IGBT로의 게이트 구동 신호를 인가하기 위한 IGBT 구동 회로에 있어서,
    입력되는 클락 펄스에 의해 제1 출력 단자에서의 제1 출력 신호 및 상기 제1 출력 신호와 반대 논리값을 갖는 제2 출력 단자에서의 제2 출력 신호가 토글되도록 하는 트리거 플립 플랍;
    상기 스위칭 시스템의 전체 스위칭 펄스 신호와 상기 제1 출력 신호를 입력받아 AND 연산 후 상기 제1 IGBT의 게이트 단자로 출력시키는 제1 AND 게이트; 및
    상기 스위칭 시스템의 전체 스위칭 펄스 신호와 상기 제2 출력 신호를 입력받아 AND 연산 후 상기 제2 IGBT의 게이트 단자로 출력시키는 제2 AND 게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 IGBT 구동 회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 트리거 플립 플랍은 J 단자와 K 단자가 연결된 J-K 플립 플랍인 것을 특징으로 하는 IGBT 구동 회로.
  5. 제4항에 있어서,
    상호 연결된 상기 J 단자 및 K 단자에는 항상 하이 신호가 입력되는 것을 특징으로 하는 IGBT 구동 회로.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 제1 출력 신호 및 제2 출력 신호의 토글은 상기 클락 펄스의 하강 에지 시점에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 IGBT 구동 회로.
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