KR100914178B1 - 포토레지스트 분사 노즐 교체 방법 및 포토레지스트 코팅방법 - Google Patents

포토레지스트 분사 노즐 교체 방법 및 포토레지스트 코팅방법 Download PDF

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Abstract

포토레지스트 분사 노즐 교체 방법은 제1 웨이퍼에 대해 포토레지스트 분사 공정, 스핀 드라이 공정 및 에지 비드 제거 공정이 순차적으로 이루어지는 스핀 코팅 공정을 수행한다. 스핀 코팅 공정을 수행하는 동안 포토레지스트를 분사하기 위한 제1 노즐의 교체 명령을 저장한다. 스핀 코팅 공정 중 포토레지스트 분사 공정의 완료 여부를 확인한다. 포토레지스트 분사 공정이 완료되면, 제1 노즐과 후속하는 제2 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 제2 노즐의 동일 여부를 확인한다. 제1 노즐과 제2 노즐이 다른 경우, 제1 노즐을 제2 노즐로 교체한다.

Description

포토레지스트 분사 노즐 교체 방법 및 포토레지스트 코팅 방법{Method of exchanging a photoresist spray nozzle and method of coating photoresist}
본 발명은 포토레지스트 분사 노즐 교체 방법 및 포토레지스트 코팅 방법에 관한 것으로, 웨이퍼를 향해 포토레지스트를 분사하는 노즐을 교체하는 포토레지스트 분사 노즐 교체 방법 및 포토레지스트 코팅 방법을 제공한다.
일반적으로 반도체 소자는 웨이퍼 상에 막을 형성하기 위한 증착 공정과, 상기 막을 평탄화하기 위한 화학적 기계적 연마 공정과, 상기 막 상에 포토레지스트 패턴을 형성하기 위한 포토리소그래피 공정과, 상기 포토레지스트 패턴을 이용하여 상기 막을 전기적인 특성을 갖는 패턴으로 형성하기 위한 식각 공정과, 웨이퍼의 소정 영역에 특정 이온을 주입하기 위한 이온 주입 공정과, 웨이퍼 상의 불순물을 제거하기 위한 세정 공정과, 상기 막 또는 패턴이 형성된 웨이퍼의 표면 또는 상기 막의 성분 및 농도 등을 검사하기 위한 검사 공정 등을 반복하여 포함한다.
상기 포토리소그래피 공정은 웨이퍼 상에 포토레지스트 막을 형성하기 위한 스핀 코팅 공정, 상기 포토레지스트 막을 선택적으로 노광하는 노광 공정 및 상기 선택적으로 노광된 포토레지스트 막을 현상하는 공정을 포함한다.
상기 스핀 코팅 공정은 노즐을 이용하여 포토레지스트를 웨이퍼 상으로 분사한다. 상기 웨이퍼의 종류가 달라지는 경우, 상기 포토레지스트를 분사하는 노즐의 종류도 달라질 수 있다.
종래 기술에 따르면, 제1 노즐이 사용되는 제1 웨이퍼에 대한 스핀 코팅 공정이 진행 중인 상태에서 연속하여 상기 제1 노즐과 다른 제2 노즐이 사용되는 제2 웨이퍼에 대한 스핀 코팅을 진행하는 경우, 상기 제1 노즐을 상기 제2 노즐로 교체하는 시간이 필요하다.
상기 제1 노즐을 상기 제2 노즐로 교체하기 위해서는 상기 제1 웨이퍼에 대한 스핀 코팅 공정이 완료된 후, 상기 제2 웨이퍼의 투입을 중지하고 상기 제1 노즐을 상기 제2 노즐로 교체한다. 이후, 상기 제2 웨이퍼를 투입하여 스핀 코팅 공정을 수행한다. 그러므로, 상기 노즐 교체로 인해 상기 스핀 코팅 공정이 지연되어 공정 효율이 저하된다.
본 발명은 포토레지스트 분사 노즐의 교체로 인한 시간 지연을 방지할 수 있는 포토레지스트 분사 노즐 교체 방법을 제공한다.
본 발명은 포토레지스트 분사 노즐의 교체로 인한 시간 지연을 방지할 수 있는 포토레지스트 코팅 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 포토레지스트 분사 노즐 교체 방법은 제1 웨이퍼에 대해 포토레지스트 분사 공정, 스핀 드라이 공정 및 에지 비드 제거 공정이 순차적으로 이루어지는 스핀 코팅 공정을 수행하는 단계와, 상기 스핀 코팅 공정을 수행하는 동안 상기 포토레지스트를 분사하기 위한 제1 노즐의 교체 명령을 저장하는 단계와, 상기 스핀 코팅 공정 중 포토레지스트 분사 공정의 완료 여부를 확인하는 단계와, 상기 포토레지스트 분사 공정이 완료되면, 상기 제1 노즐과 후속하는 제2 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 제2 노즐의 동일 여부를 확인하는 단계 및 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐이 다른 경우, 상기 제1 노즐을 상기 제2 노즐로 교체하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 노즐의 교체 명령을 저장하는 단계는 웨이퍼들에 각각 대해 스핀 코팅 공정이 수행될 때마다 이루어질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 노즐을 상기 제2 노즐로 교체하는 단계는 상기 스핀 드라이 공정 또는 상기 에지 비드 제거 공정 중에 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 분사 노즐 교체 방법은 제1 웨이퍼에 대해 포토레지스트 분사 공정, 스핀 드라이 공정 및 에지 비드 제거 공정이 순차적으로 이루어지는 스핀 코팅 공정을 수행하는 단계와, 상기 스핀 코팅 공정이 수행되는 동안 상기 제1 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 위한 제1 노즐과 후속하는 제2 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 제2 노즐의 동일 여부를 확인하는 단계와, 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐이 다른 경우 포토레지스트를 분사하기 위한 노즐의 교체 명령을 저장하는 단계와, 상기 스핀 코팅 공정 중 포토레지스트 분사 공정의 완료 여부를 확인하는 단계 및 상기 포토레지스트 분사 공정이 완료되면, 상기 제1 노즐을 상기 제2 노즐로 교체하는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 제1 노즐을 상기 제2 노즐로 교체하는 단계는 상기 스핀 드라이 공정 또는 상기 에지 비드 제거 공정 중에 이루어질 수 있다.
본 발명에 따른 포토레지스트 코팅 방법은 제1 웨이퍼에 대해 포토레지스트 분사 공정, 스핀 드라이 공정 및 에지 비드 제거 공정이 순차적으로 이루어지는 제1 스핀 코팅 공정을 수행하는 단계와, 상기 제1 스핀 코팅 공정이 완료되기 전에 상기 포토레지스트를 분사하는 노즐을 교체하는 단계 및 상기 제1 스핀 코팅 공정이 완료된 후 상기 교체된 노즐을 이용하여 제2 웨이퍼에 대해 제2 스핀 코팅 공정을 수행하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 포토레지스트 분사가 완료된 후 상기 스핀 드라이 공정 또는 상기 에지 비드 제거 공정 중에 상기 노즐을 교체할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따르면, 상기 제1 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 위한 노즐과 상기 제2 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 위한 노즐이 다른 경우 상기 포토레지스트 분사 노즐을 교체할 수 있다.
본 발명에 따르면 포토레지스트 분사 공정, 스핀 드라이 공정 및 에지 비드 제거 공정이 순차적으로 이루어지는 스핀 코팅 공정 중 상기 포토레지스트 분사 공정이 완료된 후 상기 스핀 드라이 공정 또는 상기 에지 비드 제거 공정이 수행되는 동안 포토레지스트 분사 노즐의 교체가 이루어진다. 따라서, 시간 지연없이 후속하는 웨이퍼에 대해 스핀 코팅 공정을 수행할 수 있다. 따라서, 상기 스핀 코팅 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 포토레지스트 분사 노즐 교체 방법 및 포토레지스트 코팅 방법에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 분사 노즐 교체 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 우선 제1 웨이퍼에 대해 포토레지스트 막을 형성하기 위한 스핀 코팅 공정을 수행한다.(S110).
상기 스핀 코팅 공정은 포토레지스트 분사 공정, 스핀 드라이 공정 및 에지 비드 제거 공정을 순차적으로 수행하여 이루어진다.
구체적으로, 제1 웨이퍼를 회전척 상에 올려놓은 다음, 상기 제1 웨이퍼 상의 중심 부위에 상기 제1 노즐을 통해 포토레지스트 용액을 공급하고, 상기 제1 웨이퍼를 회전시킨다. 상기 제1 웨이퍼 상의 중심 부위에 공급된 포토레지스트 용액이 원심력에 의해 외주 방향으로 분산되어 상기 제1 웨이퍼 상에 균일하게 도포되는 포토레지스트 분사 공정을 수행한다. 이후, 상기 포토레지스트 막이 형성된 제1 웨이퍼를 회전시키면서 상기 포토레지스트 막을 건조시키는 스핀 드라이 공정을 수행한다. 다음으로, 상기 포토레지스트 막이 형성된 제1 웨이퍼를 회전시키면서 상기 제1 웨이퍼의 에지 부위에 시너(thinner)를 분사하여 상기 에지 부위의 포토레지스트 막을 제거하는 에지 비드 제거(edge bead removal, EBR) 공정을 수행한다. 상기 에지 비드 제거 공정은 상기 제1 웨이퍼의 에지 부위에 형성된 포토레지스트 막이 후속 공정에서 박리되어 오염 물질로 작용하는 것을 방지한다.
다음으로, 상기 스핀 코팅 공정이 수행되는 동안 상기 스핀 코팅 공정이 수행되는 동안 상기 포토레지스트를 분사하는 제1 노즐의 교체 명령을 저장한다(S120).
상기 스핀 코팅 공정이 수행되는 동안 상기 제1 웨이퍼로 상기 포토레지스트를 분사하기 위한 제1 노즐을 후속하는 제2 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 제2 노즐로 교체하는 명령을 저장한다. 상기 제1 노즐의 교체 명령은 실제로 상기 제1 노즐의 교체 여부와 상관없이 저장된다.
일 예로, 상기 제1 노즐의 교체 명령은 웨이퍼들 각각에 대해 스핀 코팅 공정이 수행될 때마다 저장될 수 있다. 다른 예로, 상기 제1 노즐의 교체 명령은 웨이퍼들의 종류가 달라질 때마다 저장될 수 있다. 구체적으로, 25매의 웨이퍼로 구성되는 로트(lot)가 교체될 때마다 상기 제1 노즐의 교체 명령이 저장될 수 있다.
다음으로, 상기 스핀 코팅 공정 중 포토레지스트 분사 공정의 완료 여부를 확인한다(S130).
상기 제1 노즐을 통한 포토레지스트 분사 공정이 진행 중인 경우 상기 제1 노즐을 교체할 수 없다. 따라서, 상기 포토레지스트 분사 공정이 완료될 때까지 상기 스핀 코팅 공정을 계속 수행한다.
상기 포토레지스트 분사 공정이 완료되면, 상기 제1 노즐과 후속하는 제2 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 제2 노즐의 동일 여부를 확인한다(S140).
상기 제1 노즐과 후속하는 스핀 코팅 공정에서 포토레지스트를 분사하는 제2 노즐을 비교한다. 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐이 동일한 경우, 상기 포토레지스트의 분사에 동일한 노즐이 사용되므로 상기 제1 노즐을 상기 제2 노즐로 교체할 필요가 없다. 따라서, 상기 포토레지스트 분사 노즐 교체 공정을 종료한다.
상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐이 다른 경우, 상기 제1 노즐을 상기 제2 노 즐로 교체한다(S150).
상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐이 다른 경우, 상기 제1 노즐을 포토레지스트 분사 장치로부터 분리하고 상기 제2 노즐을 상기 포토레지스트 분사 장치에 장착한다.
상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐의 교체는 상기 스핀 코팅 공정 중 상기 제1 노즐이 사용되지 않는 상기 스핀 드라이 공정 또는 상기 에지 비드 제거 공정 중에 이루어진다. 상기 스핀 코팅 공정 중에 상기 노즐들의 교체가 이루어지므로 후속하는 스핀 코팅 공정이 연속하여 이루어질 수 있다. 따라서, 상기 스핀 코팅 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토레지스트 분사 노즐 교체 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2를 참조하면, 우선 제1 웨이퍼에 대해 포토레지스트 막을 형성하기 위한 스핀 코팅 공정을 수행한다(S210).
상기 스핀 코팅 공정의 수행에 대한 구체적인 설명은 도 1을 참조한 스핀 코팅 공정 수행(S110)에 대한 설명과 실질적으로 동일하다.
다음으로, 상기 스핀 코팅 공정이 수행되는 동안 상기 제1 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 위한 제1 노즐과 후속하는 제2 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 제2 노즐의 동일 여부를 확인한다(S220).
상기 제1 노즐과 후속하는 스핀 코팅 공정에서 포토레지스트를 분사하는 제2 노즐을 비교한다. 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐이 동일한 경우, 상기 포토레지스 트의 분사에 동일한 노즐이 사용되므로 상기 제1 노즐을 상기 제2 노즐로 교체할 필요가 없다. 따라서, 상기 포토레지스트 분사 노즐 교체 공정을 종료한다.
상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐이 다른 경우 상기 포토레지스트를 분사하는 제1 노즐의 교체 명령을 저장한다(S230).
상기 제1 웨이퍼로 상기 포토레지스트를 분사하기 위한 제1 노즐을 후속하는 제2 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 제2 노즐로 교체하는 명령을 저장한다. 상기 제1 노즐의 교체 명령은 상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐이 다른 경우에만 저장된다.
다음으로, 상기 스핀 코팅 공정 중 포토레지스트 분사 공정의 완료 여부를 확인한다(S240).
상기 제1 노즐을 통한 포토레지스트 분사 공정이 진행 중인 경우 상기 제1 노즐을 교체할 수 없다. 따라서, 상기 포토레지스트 분사 공정이 완료될 때까지 상기 스핀 코팅 공정을 계속 수행한다.
상기 포토레지스트 분사 공정이 완료되면, 상기 제1 노즐을 상기 제2 노즐로 교체한다(S250).
상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐이 다른 경우, 상기 제1 노즐을 포토레지스트 분사 장치로부터 분리하고 상기 제2 노즐을 상기 포토레지스트 분사 장치에 장착한다.
상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐의 교체는 상기 스핀 코팅 공정 중 상기 제1 노즐이 사용되지 않는 상기 스핀 드라이 공정 또는 상기 에지 비드 제거 공정 중에 이루어진다. 상기 스핀 코팅 공정 중에 상기 노즐들의 교체가 이루어지므로 후속하는 스핀 코팅 공정이 연속하여 이루어질 수 있다. 따라서, 상기 스핀 코팅 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 코팅 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3을 참조하면, 제1 웨이퍼에 대해 포토레지스트 분사 공정, 스핀 드라이 공정 및 에지 비드 제거 공정이 순차적으로 이루어지는 제1 스핀 코팅 공정을 수행한다(S310).
상기 스핀 코팅 공정은 포토레지스트 분사 공정, 스핀 드라이 공정 및 에지 비드 제거 공정을 순차적으로 수행하여 이루어진다.
구체적으로, 제1 웨이퍼 상의 중심 부위에 제1 노즐을 통해 포토레지스트 용액을 공급하고 상기 제1 웨이퍼를 회전시켜 상기 포토레지스트 용액을 상기 제1 웨이퍼 상에 균일하게 도포하는 포토레지스트 분사 공정을 수행한다. 이후, 상기 포토레지스트 막이 형성된 제1 웨이퍼를 회전시키면서 상기 포토레지스트 막을 건조시키는 스핀 드라이 공정을 수행한다. 다음으로, 상기 포토레지스트 막이 형성된 제1 웨이퍼를 회전시키면서 상기 제1 웨이퍼의 에지 부위에 시너(thinner)를 분사하여 상기 에지 부위의 포토레지스트 막을 제거하는 에지 비드 제거(edge bead removal, EBR) 공정을 수행한다.
상기 제1 스핀 코팅 공정이 완료되기 전에 상기 포토레지스트를 분사하는 노즐을 교체한다(S320).
상기 노즐 교체에 대한 구체적인 설명은 도 1 및 도 2를 참조한 포토레지스트 분사 노즐 방법과 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 제1 스핀 코팅 공정이 완료된 후 상기 포토레지스트 분사 노즐을 교체하는 경우, 상기 노즐 교체에 소요되는 시간만큼 후속하는 스핀 코팅 공정이 지연된다. 따라서, 상기 노즐 교체는 상기 제1 스핀 코팅 공정 중에 이루어진다. 상기 포토레지스트 분사 공정시 상기 노즐이 사용되므로, 상기 포토레지스트 분사 공정이 완료된 후 상기 스핀 드라이 공정 또는 상기 에지 비드 제거 공정 중에 상기 노즐을 교체한다. 상기 스핀 드라이 공정 또는 상기 에지 비드 제거 공정 중에는 상기 노즐이 사용되지 않으므로 용이하게 교체할 수 있다.
상기 제1 스핀 코팅 공정이 완료된 후 상기 교체된 노즐을 이용하여 제2 웨이퍼에 대해 제2 스핀 코팅 공정을 수행한다(S330).
상기 제2 스핀 코팅 공정에 대한 구체적인 설명은 상기 제1 스핀 코팅 공정(S310)과 실질적으로 동일하다.
상기 제2 스핀 코팅 공정은 상기 제1 스핀 코팅 공정이 완료된 후 시간 지연없이 바로 수행될 수 있다.
한편, 상기 노즐의 교체는 상기 제1 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 위한 노즐과 상기 제2 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 위한 노즐이 다른 경우에 이루어진다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 포토레지스트 분사 공정, 스핀 드라이 공정 및 에지 비드 제거 공정이 순차적으로 이루어지는 스핀 코팅 공정 중 상기 포토레지스트 분사 공정이 완료된 후 상기 스핀 드라이 공정 또는 상기 에지 비드 제거 공정이 수행되는 동안 포토레지스트 분사 노즐의 교체가 이루어진다. 따라서, 후속하는 웨이퍼에 대해 스핀 코팅 공정을 시간 지연없이 바로 수행할 수 있다. 따라서, 상기 스핀 코팅 공정의 효율을 향상시킬 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 분사 노즐 교체 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토레지스트 분사 노즐 교체 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토레지스트 코팅 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.

Claims (8)

  1. 제1 웨이퍼에 대해 포토레지스트 분사 공정, 스핀 드라이 공정 및 에지 비드 제거 공정이 순차적으로 이루어지는 스핀 코팅 공정을 수행하는 단계;
    상기 스핀 코팅 공정을 수행하는 동안 상기 포토레지스트를 분사하기 위한 제1 노즐의 교체 명령을 저장하는 단계;
    상기 스핀 코팅 공정 중 포토레지스트 분사 공정의 완료 여부를 확인하는 단계;
    상기 포토레지스트 분사 공정이 완료되면, 상기 제1 노즐과 후속하는 제2 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 제2 노즐의 동일 여부를 확인하는 단계; 및
    상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐이 다른 경우, 상기 제1 노즐을 상기 제2 노즐로 교체하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 분사 노즐 교체 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1 노즐의 교체 명령을 저장하는 단계는 웨이퍼들에 각각 대해 스핀 코팅 공정이 수행될 때마다 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 분사 노즐 교체 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1 노즐을 상기 제2 노즐로 교체하는 단계는 상기 스핀 드라이 공정 또는 상기 에지 비드 제거 공정 중에 이루어지는 것을 특징으로 하 는 포토레지스트 분사 노즐 교체 방법.
  4. 제1 웨이퍼에 대해 포토레지스트 분사 공정, 스핀 드라이 공정 및 에지 비드 제거 공정이 순차적으로 이루어지는 스핀 코팅 공정을 수행하는 단계;
    상기 스핀 코팅 공정이 수행되는 동안 상기 제1 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 위한 제1 노즐과 후속하는 제2 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 제2 노즐의 동일 여부를 확인하는 단계;
    상기 제1 노즐과 상기 제2 노즐이 다른 경우 포토레지스트를 분사하기 위한 노즐의 교체 명령을 저장하는 단계;
    상기 스핀 코팅 공정 중 포토레지스트 분사 공정의 완료 여부를 확인하는 단계; 및
    상기 포토레지스트 분사 공정이 완료되면, 상기 제1 노즐을 상기 제2 노즐로 교체하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 분사 노즐 교체 방법.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1 노즐을 상기 제2 노즐로 교체하는 단계는 상기 스핀 드라이 공정 또는 상기 에지 비드 제거 공정 중에 이루어지는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 분사 노즐 교체 방법.
  6. 제1 웨이퍼에 대해 포토레지스트 분사 공정, 스핀 드라이 공정 및 에지 비드 제거 공정이 순차적으로 이루어지는 제1 스핀 코팅 공정을 수행하는 단계;
    상기 제1 스핀 코팅 공정이 완료되기 전에 상기 포토레지스트를 분사하는 노즐을 교체하는 단계; 및
    상기 제1 스핀 코팅 공정이 완료된 후 상기 교체된 노즐을 이용하여 제2 웨이퍼에 대해 제2 스핀 코팅 공정을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 코팅 방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 포토레지스트 분사가 완료된 후 상기 스핀 드라이 공정 또는 상기 에지 비드 제거 공정 중에 상기 노즐을 교체하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 코팅 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 제1 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 위한 노즐과
    상기 제2 웨이퍼로 포토레지스트를 분사하기 위한 노즐이 다른 경우 상기 포토레지스트 분사 노즐을 교체하는 것을 특징으로 하는 포토레지스트 코팅 방법.
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KR20050013687A (ko) * 2003-07-29 2005-02-05 삼성전자주식회사 포토레지스트 공급시스템
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