KR100905255B1 - 케미컬 제공 방법 및 장치 - Google Patents

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이상진
김동호
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세메스 주식회사
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Abstract

케미컬 제공 방법이 개시된다. 집적 회로 소자 제조용 케미컬을 저장 챔버의 내부로 저장한다. 이어, 케미컬이 저장된 저장 챔버를 일정한 압력으로 수축하여 케미컬을 압축한다. 이어, 저장 챔버에 저장되어 일정한 압력으로 압축된 케미컬을 저장 챔버의 외부로 일정하게 배출시킨다. 따라서, 저장 챔버의 내부에 채워진 케미컬의 내부 압력을 일정하게 유지하여 일정한 압력으로 케미컬을 배출할 수 있다.

Description

케미컬 제공 방법 및 장치{METHOD AND APPARATUS FOR PROVIDING A CHEMICAL}
본 발명은 케미컬 제공 방법 및 장치에 관한 것으로써, 더욱 상세하게는 집적 회로 소자 제조에 사용되는 케미컬을 제공하는 방법 및 상기 방법을 적용한 제공 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 집적 회로 소자 중의 하나인 반도체 소자는 실리콘(silicon)을 기초로 한 웨이퍼(wafer)와 같은 반도체 기판으로부터 제조된다. 구체적으로, 상기 반도체 소자는 증착 공정, 포토리소그래피 공정, 식각 공정, 이온 주입 공정, 세정 공정, 검사 공정 등을 포함하여 제조된다.
상기와 같은 공정들 중 식각 및 세정 공정은 일예로, 상기 기판을 서로 다른 케미컬로 채워진 다수의 처리조들에 딥핑시키거나, 상기 케미컬을 상기 기판에 분사함으로써, 진행된다.
여기서, 상기 케미컬은 상기 공정들을 진행하기 전에, 별도의 케미컬 제공 장치를 통하여 제공된다. 상기 케미컬 제공 장치는 상기 케미컬을 저장하는 저장 챔버 및 상기 케미컬을 상기 저장 챔버로부터 상기 공정들을 진행하는 장소로 제공하기 위하여 상기 케미컬에 압력을 제공하는 압력 제공부를 포함한다. 여기서, 상 기 압력 제공부는 상기 저장 챔버의 내부로 에어를 공급함으로써, 상기 압력을 제공한다. 상기 에어는 일예로, 질소(N2)로 이루어질 수 있다.
그러나, 상기 압력 제공부로부터 제공되는 상기 에어의 압력을 조절하기 위한 장치가 부재하여 상기 에어의 압력이 변하게 될 경우, 상기 공정들을 진행하는 장소로 제공되는 상기 케미컬의 제공 압력도 변하게 됨으로써, 상기 기판에 상기 케미컬이 균일하게 적용되지 못하는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 목적은 저장된 케미컬을 일정한 압력으로 배출시켜 제공할 수 있는 케미컬 제공 방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 케미컬 제공 방법을 적용한 케미컬 제공 장치를 제공하는 것이다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 케미컬 제공 방법이 개시된다. 집적 회로 소자 제조용 케미컬을 저장 챔버의 내부로 저장한다. 이어, 상기 케미컬이 저장된 저장 챔버를 일정한 압력으로 수축하여 상기 케미컬을 압축한다. 이어, 상기 저장 챔버에 저장되어 상기 일정한 압력으로 압축된 케미컬을 상기 저장 챔버의 외부로 일정하게 배출시킨다.
상기 케미컬을 상기 저장 챔버의 내부로 저장하는 단계는 상기 케미컬을 상기 저장 챔버의 내부로 분사하는 단계 및 상기 분사하는 케미컬을 분산시키는 단계를 포함한다.
상술한 본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 일 특징에 따른 케미컬 제공 장치는 저장 챔버, 구동부 및 압력 유지부를 포함한다. 상기 저장 챔버는 집적 회로 소자용 케미컬을 저장하고, 상기 케미컬을 외부로 배출할 때 수축한다. 상기 구동부는 상기 저장 챔버와 연결되고, 상기 저장 챔버를 수축시키는 구동력을 제공 한다. 상기 압력 유지부는 상기 구동부와 연결되고, 상기 저장 챔버로부터 상기 케미컬을 외부로 배출할 때 상기 케미컬이 일정하게 배출되도록 상기 구동부를 일정 압력으로 유지시킨다.
상기 압력 유지부는 상기 구동부를 수축시키기 위한 일정한 수축 압력을 상기 구동부에 제공한다. 이에, 상기 구동부는 실린더를 포함하고, 상기 압력 유지부는 상기 실린더에 상기 일정한 수축 압력을 갖는 에어 또는 오일을 제공한다.
상기 저장 챔버는 상기 케미컬이 주입되는 주입부, 상기 케미컬이 배출되는 제1 배출부 및 상기 케미컬과 같이 주입되는 에어를 배출하는 제2 배출부를 포함한다.
이에, 상기 주입부는 상기 저장 챔버의 내부로 상기 케미컬을 분사하는 분사부 및 상기 분사부의 단부에 설치되고, 상기 분사부로부터 분사되는 케미컬을 분산시키는 분산부를 포함한다. 한편, 상기 저장 챔버는 벨로우즈(bellow) 구조를 가질 수 있다.
이러한 케미컬 제공 방법 및 장치에 따르면, 저장 챔버에 저장된 케미컬에 압력 유지부를 통해 일정한 수축 압력을 제공함으로써, 상기 케미컬을 상기 저장 챔버로부터 일정하게 배출할 수 있다. 즉, 상기 케미컬을 상기 저장 챔버로부터 집적 회로 소자의 제조에 사용되는 기판을 처리하는 장소로 제공할 때, 상기 케미컬을 일정하게 배출하여 상기 기판에 상기 케미컬을 균일하게 적용시킴으로써, 상기 기판의 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 케미컬을 상기 저장 챔버로부터 배출할 때 상기 저장 챔버에 연결된 구동부를 통해 상기 저장 챔버를 수축함으로써, 상기 저장 챔버에 저장된 상기 케미컬에 에어가 용존하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 용존하는 상기 에어를 제거하기 위한 탈포 공정을 제거하여, 전체적인 제조 공정수를 감소시킬 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 케미컬 제공 방법 및 장치에 대해 상세히 설명한다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르 게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 케미컬 제공 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 케미컬 제공 장치(1000)는 저장 챔버(100), 구동부(200) 및 압력 유지부(300)를 포함한다.
상기 저장 챔버(100)는 집적 회로 소자를 제조하는데 사용되는 기판을 처리하기 위한 장소인 공정 챔버에 제공하기 위한 케미컬(CM)을 저장한다. 여기서, 상기 기판은 일예로, 반도체 소자를 제조하기 위한 반도체 기판이거나, 평판표시장치 중 액정표시장치의 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor; TFT) 기판 또는 컬러 필터(Color Filter; CF) 기판일 수 있다.
이에, 상기 공정 챔버에서는 상기 기판을 대상으로 세정 공정 또는 식각 공정 등이 이루어질 수 있다. 이럴 경우, 상기 케미컬(CM)은 일 예로, 황산(H2SO4), 염산(HCl), 불산(HF), 과산화 수소 용액(H2O2), 탈이온수(H2O) 등으로 이루어질 수 있다.
상기 저장 챔버(100)는 상하 방향으로 수축 및 팽창이 가능한 구조를 갖는다. 이를 위하여, 상기 저장 챔버(100)는 상판(110), 상기 상판(110)과 마주하는 하판(120) 및 상기 상판(110)과 상기 하판(120)의 사이에 형성되어 상하 방향으로 수축과 팽창이 가능한 주름판(130)을 포함한다. 즉, 상기 저장 챔버(100)는 벨로우즈(bellow) 구조로 이루어질 수 있다.
한편, 상기 저장 챔버(100)는 상기 케미컬(CM)이 그 내부로 주입되는 주입부(140), 상기 케미컬(CM)을 상기 공정 챔버로 배출하는 제1 배출부(150) 및 상기 케미컬(CM)과 같이 주입되는 에어를 외부로 배출하는 제2 배출부(160)를 포함한다. 이와 같은 상기 주입부(140), 상기 제1 배출부(150) 및 제2 배출부(160)에는 각각 이들을 개폐하기 위한 밸브들이 설치될 수 있다.
이하, 상기 주입부(140)는 도 2를 추가적으로 참조하여 보다 상세하게 설명하고자한다.
도 2는 도 1의 A부분을 확대한 도면이다.
도 2를 추가적으로 참조하면, 상기 주입부(140)는 분사부(142) 및 분산부(144)를 포함한다.
상기 분사부(142)는 외부로부터 상기 저장 챔버(100)의 내부로 연장되어 상기 케미컬(CM)을 상기 저장 챔버(100)의 내부로 분사한다. 상기 분사부(142)는 특정 분사각을 가지면서 상기 케미컬(CM)을 분사하는 분사 노즐을 포함할 수 있다.
상기 분산부(144)는 상기 케미컬(CM)이 분사되는 상기 분사부(142)의 단부에 설치된다. 상기 분산부(144)는 상기 분사부(142)로부터 분사되는 상기 케미컬(CM)을 사방으로 분산시키는 역할을 한다.
이에, 상기 분산부(144)는 상기 저장 챔버(100)의 내벽으로부터 연장되어 상기 분사부(142)로부터 분사되는 상기 케미컬(CM)을 진행 경로를 차단하는 구조를 가질 수 있다. 이와 달리, 상기 분산부(144)는 상기 분사부(142)의 단부에 매우 촘촘한 메쉬를 갖는 망 구조를 가질 수 있다.
이와 같이, 상기 주입부(140)가 상기 케미컬(CM)을 상기 저장 챔버(100)의 내부로 주입할 때, 상기 분산부(144)에 의해서 상기 케미컬(CM)을 분산시킴으로써, 주입되는 상기 케미컬(CM) 내에 남아 있는 기포를 제거할 수 있다.
이로써, 상기 저장 챔버(100)에 저장되는 상기 케미컬(CM)에 기포가 발생되는 것을 방지함으로써, 추후 상기 공정 챔버로 제공되는 상기 케미컬(CM)의 품질을 향상시켜 상기 공정 챔버에서의 공정이 보다 신뢰적으로 진행되도록 할 수 있다.
상기 제1 배출부(150)는 실질적으로, 상기 공정 챔버와 연결된다. 여기서, 상기 주입부(140)와 상기 제1 배출부(150)는 기본적으로, 상기 케미컬(CM)과 반응하지 않는 재질로 이루어진다. 상기 제2 배출부(160)는 외부 대기로 노출된 구조를 가질 수 있다.
상기 구동부(200)는 상기 저장 챔버(100)와 연결된 구조를 갖는다. 구체적으로, 상기 구동부(200)는 상기 저장 챔버(100)의 하판(120)에 연결된 구조를 가질 수 있다. 이럴 경우, 상기 저장 챔버(100)의 상판(110)은 외부 프레임에 고정 설치되고, 상기 하판(120)은 유동이 가능하게 설치된다.
상기 구동부(200)는 직선 운동하는 실린더(cylinder)를 포함한다. 즉, 상기 구동부(200)는 실린더 몸체(210) 및 상기 실린더 몸체(210)로부터 연장되어 상기 저장 챔버(100)의 하판(120)에 연결되고 직선 운동하는 실린더 로드(220)를 포함한다.
한편, 상기 구동부(200)는 상기 실린더 로드(220)의 직선 운동을 가능하게 위하여 상기 실린더 몸체(210)의 양 단부에는 외부의 에어를 공급하는 에어 공급부(10)와 연결된 제1 및 제2 공급 라인(230, 240)을 더 포함한다.
여기서, 상기 에어 공급부(10)는 상기 실린더 몸체(210)가 공압 실린더일 경우에 해당하며, 만약 상기 실린더 몸체(210)가 유압 실린더일 경우에, 상기 제1 및 제2 공급 라인(230, 240)은 상기 에어 공급부(10) 대신 오일 공급부와 연결될 수 있다.
이에 따라, 상기 구동부(200)는 상기 에어 공급부(10)로부터 에어를 상기 제1 및 제2 공급 라인(230, 240) 중 어느 하나를 통해 선택적으로 공급 받아 상기 실린더 로드(220)를 직선 운동시킨다. 이를 위해, 상기 제1 및 제2 공급 라인(230, 240)과 상기 에어 공급부(10) 사이에는 상기 제1 및 제2 공급 라인(230, 240)으로 에어를 선택적으로 공급하기 위하여 솔레노이드(solenoid) 밸브가 설치될 수 있다.
예를 들어, 상기 구동부(200)는 상기 솔레노이드 밸브를 통하여 상기 저장 챔버(100)를 수축하고자할 경우에는 에어를 상기 제1 공급 라인(230)을 통해 공급 받고, 상기 저장 챔버(100)를 팽창하고자할 경우에는 상기 제2 공급 라인(240)을 통해 에어를 공급 받는다.
결과적으로, 상기 실린더 로드(220)의 직선 운동에 의하여 상기 하판(120)이 상하 방향을 움직여서 상기 저장 챔버(100)가 수축 및 팽창하게 되는 것이다. 이때, 상기 실린더 로드(220)는 상기 하판(120)의 하부에서 연결될 수도 있고, 상기 케미컬 제공 장치(1000)의 공간적 활용을 위하여 상기 저장 챔버(100)의 주름판(130) 측부에서 상기 하판(120)과 연결될 수 있다.
상기 압력 유지부(300)는 상기 구동부(200)에 연결된다. 구체적으로, 상기 압력 유지부(300)는 상기 구동부(200)와 연결된 상기 제1 공급 라인(230)에 설치된다. 이하, 상기 압력 유지부(300)의 기능을 도 3을 추가적으로 참조하여 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 3은 도 1의 제1 공급 라인에서의 에어의 압력을 나타낸 도면이다.
도 3을 추가적으로 참조하면, 상기 압력 유지부(300)는 상기 저장 챔버(100)에 저장된 상기 케미컬(CM)의 내부 압력을 일정하게 유지되도록 상기 구동부(200)에 일정한 압력을 제공한다.
구체적으로, 상기 압력 유지부(300)는 상기 에어 공급부(10)로부터 상기 제1 공급 라인(230)을 통해 공급되는 에어를 그 압력, 즉 공압을 일정하게 유지시켜 상기 구동부(200)의 실린더 몸체(210)에 제공한다. 이와 달리, 상기 압력 유지 부(300)는 상기 실린더 몸체(210)가 유압 실린더일 경우, 외부의 상기 오일 공급부로부터 공급되는 오일을 그 압력, 즉 유압을 일정하게 유지시켜 상기 실린더 몸체(210)에 제공할 수 있다.
이에, 상기 제1 공급 라인(230)은 상기 압력 유지부(300)를 기준으로 상기 에어 공급부(10) 방향으로는 상기 공압이 변화하는 가변 영역(NCOA)이 형성되고, 상기 실린더 몸체(210) 방향으로는 상기 공압이 일정한 정압 영역(COA)이 형성된다. 이와 같은 상기 압력 유지부(300)는 레귤레이터(regulator) 밸브를 포함할 수 있다.
따라서, 상기 저장 챔버(100)의 내부에 저장된 상기 케미컬(CM)에 상기 압력 유지부(300)를 통해 일정한 수축 압력을 제공함으로써, 상기 케미컬(CM)을 상기 공정 챔버로 제공할 때 상기 케미컬(CM)을 일정한 압력으로 배출하여 제공할 수 있다. 즉, 상기 케미컬(CM)을 상기 기판에 균일하게 적용시킴으로써, 상기 기판의 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 상기 케미컬(CM)을 상기 공정 챔버에 제공하기 위한 압력을 상기 저장 챔버(100)에 연결된 상기 구동부(200)를 통해 제공하고, 상기 케미컬(CM)을 주입할 때 상기 분산부(144)를 통해 분산시킴으로써, 상기 저장 챔버(100)에 저장된 상기 케미컬(CM)에 에어가 용존하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 용존하는 상기 에어를 제거하기 위한 탈포 공정을 제거하여, 전체적인 제조 공정수를 감소시킬 수 있다.
이하, 상기 케미컬 제공 장치(1000)를 이용하여 상기 케미컬(CM)을 배출하여 상기 공정 챔버에 제공하는 방법을 도 4를 참조하여 상세하게 설명하고자 한다.
도 4는 도 1에 도시된 케미컬 제공 장치를 이용하여 케미컬을 제공하는 방법을 나타낸 순서도이다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 케미컬(CM)을 제공하는 방법은 먼저, 외부로부터 상기 케미컬(CM)을 저장 챔버(100)의 내부로 주입부(140)를 통해 저장한다(S10).
이때, 상기 케미컬(CM)은 상기 주입부(140)의 분사부(142)를 통해 먼저 상기 저장 챔버(100)의 내부로 분사하고, 이어 분사되는 케미컬(CM)을 상기 주입부(140)의 분산부(144)를 통해 사방으로 분산시킨다. 이로써, 주입되는 상기 케미컬(CM)에 남아 있는 기포를 상기 케미컬(CM)을 분산시키면서 제거할 수 있다.
이어, 상기 저장 챔버(100)에 저장된 상기 케미컬(CM)을 압력 유지부(300)로부터 제공되는 일정한 압력으로 압축한다(S20). 여기서, 상기 케미컬(CM)의 수축은 구동부(200)에 의한 상기 저장 챔버(100)의 수축을 통해 이루어진다.
이어, 상기 압력 유지부(300)를 통하여 일정한 압력으로 수축된 상기 케미컬(CM)을 기판을 처리하기 위한 공정 챔버로 배출하여 제공한다(S30). 즉, 상기 케미컬(CM)을 상기 공정 챔버로 일정한 압력으로 제공한다.
이로써, 상기 케미컬(CM)을 상기 기판에 균일하게 적용시킴으로써, 상기 공정 챔버에서 공정을 수행한 상기 기판의 품질을 향상시킬 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
상술한 본 발명은 저장 챔버에 저장된 케미컬을 일정한 압력으로 구동부를 통해 압축하여 상기 케미컬을 기판을 대상으로 공정을 수행하는 상기 공정 챔버로 일정한 압력으로 제공하고자 하는 장치에 이용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 케미컬 제공 장치를 나타낸 개략적인 구성도이다.
도 2는 도 1의 A부분을 확대한 도면이다.
도 3은 도 1의 제1 공급 라인에서의 에어의 압력을 나타낸 도면이다.
도 4는 도 1에 도시된 케미컬 제공 장치를 이용하여 케미컬을 제공하는 방법을 나타낸 순서도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
CM : 케미컬 100 : 저장 챔버
140 : 주입부 142 : 분사부
144 : 분산부 200 : 구동부
300 : 압력 유지부 1000 : 케미컬 제공 장치

Claims (8)

  1. 집적 회로 소자 제조용 케미컬을 저장 챔버의 내부로 저장하는 단계;
    상기 케미컬이 저장된 저장 챔버를 일정한 압력으로 수축하여 상기 케미컬을 압축하는 단계; 및
    상기 저장 챔버에 저장되어 상기 일정한 압력으로 압축된 케미컬을 상기 저장 챔버의 외부로 일정하게 배출시키는 단계를 포함하고,
    상기 케미컬을 상기 저장 챔버의 내부로 저장하는 단계는,
    상기 케미컬을 상기 저장 챔버의 내부로 분사하는 단계; 및
    상기 분사하는 케미컬을 분산시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 케미컬 제공 방법.
  2. 삭제
  3. 집적 회로 소자용 케미컬을 저장하고, 상기 케미컬을 외부로 배출할 때 수축하는 저장 챔버;
    상기 저장 챔버와 연결되고, 상기 저장 챔버를 수축시키는 구동력을 제공하는 구동부; 및
    상기 구동부와 연결되고, 상기 저장 챔버로부터 상기 케미컬을 외부로 배출할 때 상기 케미컬이 일정하게 배출되도록 상기 구동부를 일정 압력으로 유지시키는 압력 유지부를 포함하고,
    상기 저장 챔버는
    상기 케미컬이 주입되는 주입부;
    상기 케미컬이 배출되는 제1 배출부; 및
    상기 케미컬과 같이 주입되는 에어를 배출하는 제2 배출부를 포함하는 것을 특징으로 하는 케미컬 제공 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 압력 유지부는 상기 구동부를 수축시키기 위한 일정한 수축 압력을 상기 구동부에 제공하는 것을 특징으로 하는 케미컬 제공 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 구동부는 실린더를 포함하고, 상기 압력 유지부는 상기 실린더에 상기 일정한 수축 압력을 갖는 에어 또는 오일을 제공하는 것을 특징으로 하는 케미컬 제공 장치.
  6. 삭제
  7. 제3항에 있어서, 상기 주입부는
    상기 저장 챔버의 내부로 상기 케미컬을 분사하는 분사부; 및
    상기 분사부의 단부에 설치되고, 상기 분사부로부터 분사되는 케미컬을 분산시키는 분산부를 포함하는 것을 특징으로 하는 케미컬 제공 장치.
  8. 제3항에 있어서, 상기 저장 챔버는 벨로우즈(bellow) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 케미컬 제공 장치.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11111662A (ja) 1997-10-07 1999-04-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理システム
JP2002141460A (ja) 2000-11-02 2002-05-17 Seiko Instruments Inc 集積回路及び電子部品の実装構造
JP2006026546A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Tokyo Electron Ltd 処理液供給システム
KR100768326B1 (ko) 2007-04-13 2007-10-17 주식회사 케이씨텍 케미컬 공급장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11111662A (ja) 1997-10-07 1999-04-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理システム
JP2002141460A (ja) 2000-11-02 2002-05-17 Seiko Instruments Inc 集積回路及び電子部品の実装構造
JP2006026546A (ja) * 2004-07-16 2006-02-02 Tokyo Electron Ltd 処理液供給システム
KR100768326B1 (ko) 2007-04-13 2007-10-17 주식회사 케이씨텍 케미컬 공급장치

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102666438B1 (ko) * 2021-12-27 2024-05-17 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 처리액 탈기 방법

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