KR100903823B1 - 이머젼 리소그래피를 위한 후드 - Google Patents
이머젼 리소그래피를 위한 후드 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100903823B1 KR100903823B1 KR1020070043651A KR20070043651A KR100903823B1 KR 100903823 B1 KR100903823 B1 KR 100903823B1 KR 1020070043651 A KR1020070043651 A KR 1020070043651A KR 20070043651 A KR20070043651 A KR 20070043651A KR 100903823 B1 KR100903823 B1 KR 100903823B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- fluid
- heating element
- retention module
- fluid retention
- module
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
- H01L21/0274—Photolithographic processes
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
- G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70341—Details of immersion lithography aspects, e.g. exposure media or control of immersion liquid supply
Abstract
Description
Claims (11)
- 리소그래피 장치에 있어서,이미징 렌즈 모듈(imaging lens module);상기 이미징 렌즈 모듈 아래에 위치되고, 기판을 보유(hold)하도록 구성된 기판 테이블;상기 이미징 렌즈 모듈과 기판 스테이지 상의 기판 사이의 공간에 유체를 보유하도록 구성된 유체 보유 모듈; 및상기 유체 보유 모듈에 통합되고, 상기 공간에 인접한 가열 소자;를 포함하고,상기 가열 소자는;상기 가열 소자가 상기 유체에 용해되지 않는 밀폐제(sealant)로 상기 유체 보유 모듈에서 밀폐되도록 구성되는 상기 밀폐제;상기 가열 소자가 밀폐된 개구(sealed opening)를 갖는 상기 유체 보유 모듈에서 밀폐되도록 구성되는 상기 밀폐된 개구로서, 상기 유체 보유 모듈의 상부 또는 측부에 구성되는, 상기 밀폐된 개구; 및동작가능하게 그리고 국부적으로 온도를 제어하도록 설계된 상기 가열 소자의 복수의 부분들; 중 적어도 하나를 포함하는, 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 밀폐된 개구는 1mm와 10mm 사이의 범위에 걸치는 치수를 갖는, 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 가열 소자는 상기 유체 보유 모듈의 직경 폭의 1/15보다 작은 벽 두께를 갖는, 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 가열 소자는, 상기 유체 보유 모듈 내에 형성되고, 복수의 세그먼트들로 구성되는, 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 가열 소자는 원, 곡선, 직선 및 아크(arc)로 구성되는 군에서 선택된 어느 하나의 요소를 적어도 포함하는, 리소그래피 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 가열 소자는, 상기 유체 보유 모듈 내에 형성되고, 2개 또는 4개의 세그먼트들로 구성되는, 리소그래피 장치.
- 이머션 리소그래피 장치에 통합된 이머션 후드(immersion hood)에 있어서,이머션 리소그래피 공정을 위한 유체를 제공하도록 구성된 유체 보유 모듈; 및상기 유체 보유 모듈에 구성된 가열 소자;를 포함하고,상기 가열 소자는,상기 유체 보유 모듈 내의 상기 가열 소자를 밀폐하기 위한, 상기 유체에 용해되지 않는 밀폐제;상기 유체 보유 모듈 내의 상기 가열 소자를 밀폐하기 위해 상기 유체 보유 모듈의 상부 및 측부 중 하나에 구성되는 밀폐된 개구; 및상기 가열 소자로 구성된 불균일 온도 보상 장치; 중 적어도 하나를 포함하는, 이머션 후드.
- 제 7 항에 있어서,상기 유체 보유 모듈은, 제 1 유체와 제 2 유체를 각각 제공하는데 있어, 상기 유체 보유 모듈의 바닥 부분에 부분적으로 구성된 제 1 유체 공급 유닛 및 제 2 유체 공급 유닛을 포함하는, 이머션 후드.
- 제 7 항에 있어서,상기 가열 소자는 코일, 유체 및 램프로 구성된 군에서 선택된 어느 하나의 메커니즘을 적어도 포함하는, 이머션 후드.
- 제 7 항에 있어서,상기 가열 소자는 불균일 온도 보상을 제공하기 위해 제어가능하게 설계된 복수의 부분들을 포함하는, 이머션 후드.
- 함께 통합된 가열 소자 및 유체 보유 모듈을 갖는 리소그래피 장치를 제공하는 단계로서, 상기 가열 소자는,상기 유체에 용해되지 않는 밀폐제로 상기 유체 보유 모듈에서 밀폐되는 가열 소자;상기 유체 보유 모듈의 상부 및 측부 중 하나에 구성되는 밀폐된 개구를 갖는 상기 유체 보유 모듈에서 밀폐되는 가열 소자; 및국부적으로 온도를 제어할 수 있도록 설계된 복수의 부분들을 갖는 가열 소자; 중 적어도 하나를 포함하는, 상기 리소그래피 장치 제공 단계;이미징 렌즈 모듈과 패턴화된 기판 사이의 공간에 이머션 유체를 흘리는 단계,상기 가열 소자를 제어함으로써 상기 이머션 유체와 상기 기판을 가열하는 단계; 및상기 이머션 유체를 통해 상기 기판에 노출 공정을 수행하는 단계;를 포함하는, 이머션 리소그래피 방법.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US79744306P | 2006-05-04 | 2006-05-04 | |
US60/797,443 | 2006-05-04 | ||
US11/427,434 | 2006-06-29 | ||
US11/427,434 US7675604B2 (en) | 2006-05-04 | 2006-06-29 | Hood for immersion lithography |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070108085A KR20070108085A (ko) | 2007-11-08 |
KR100903823B1 true KR100903823B1 (ko) | 2009-06-25 |
Family
ID=38660880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070043651A KR100903823B1 (ko) | 2006-05-04 | 2007-05-04 | 이머젼 리소그래피를 위한 후드 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7675604B2 (ko) |
KR (1) | KR100903823B1 (ko) |
NL (1) | NL2000625C2 (ko) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2131241B1 (en) * | 2008-05-08 | 2019-07-31 | ASML Netherlands B.V. | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP2136250A1 (en) * | 2008-06-18 | 2009-12-23 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
SG166747A1 (en) | 2009-05-26 | 2010-12-29 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method |
NL2004808A (en) | 2009-06-30 | 2011-01-12 | Asml Netherlands Bv | Fluid handling structure, lithographic apparatus and device manufacturing method. |
NL2009272A (en) * | 2011-08-31 | 2013-03-04 | Asml Netherlands Bv | A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method. |
EP2602663A1 (en) | 2011-12-09 | 2013-06-12 | Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | System and method for overlay control |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050085236A (ko) * | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP2005268742A (ja) | 2003-07-28 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
KR20060124906A (ko) * | 2005-06-01 | 2006-12-06 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이머젼 리소그라피 장치 |
KR20070047132A (ko) * | 2005-11-01 | 2007-05-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이머젼 리소그래피의 기포 제거방법 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6686570B2 (en) | 2000-02-10 | 2004-02-03 | Tokyo Electron Limited | Hot plate unit |
KR100585476B1 (ko) | 2002-11-12 | 2006-06-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피 장치 및 디바이스 제조방법 |
EP1510867A1 (en) * | 2003-08-29 | 2005-03-02 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
EP1524558A1 (en) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP2006013130A (ja) * | 2004-06-25 | 2006-01-12 | Nikon Corp | 露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法 |
US7304715B2 (en) * | 2004-08-13 | 2007-12-04 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US20070209433A1 (en) * | 2006-03-10 | 2007-09-13 | Honeywell International Inc. | Thermal mass gas flow sensor and method of forming same |
-
2006
- 2006-06-29 US US11/427,434 patent/US7675604B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-05-03 NL NL2000625A patent/NL2000625C2/nl active Search and Examination
- 2007-05-04 KR KR1020070043651A patent/KR100903823B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20050085236A (ko) * | 2002-12-10 | 2005-08-29 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 |
JP2005268742A (ja) | 2003-07-28 | 2005-09-29 | Nikon Corp | 露光装置及びデバイス製造方法、並びに露光装置の制御方法 |
KR20060124906A (ko) * | 2005-06-01 | 2006-12-06 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 이머젼 리소그라피 장치 |
KR20070047132A (ko) * | 2005-11-01 | 2007-05-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 이머젼 리소그래피의 기포 제거방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20070108085A (ko) | 2007-11-08 |
US7675604B2 (en) | 2010-03-09 |
NL2000625C2 (nl) | 2009-02-25 |
US20070258060A1 (en) | 2007-11-08 |
NL2000625A1 (nl) | 2007-11-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100903823B1 (ko) | 이머젼 리소그래피를 위한 후드 | |
JP6240714B2 (ja) | 熱調整ユニット、及びリソグラフィ装置 | |
US8133661B2 (en) | Superimpose photomask and method of patterning | |
JP4642726B2 (ja) | 液浸リソグラフィ方法及びそのシステム | |
US8089608B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method | |
TWI394011B (zh) | 微影裝置及器件製造方法 | |
US8264662B2 (en) | In-line particle detection for immersion lithography | |
US8125611B2 (en) | Apparatus and method for immersion lithography | |
WO2006101120A1 (ja) | 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法 | |
TW200527153A (en) | Lithographic apparatus and device manufacturing method | |
US7666576B2 (en) | Exposure scan and step direction optimization | |
JP5225335B2 (ja) | 流体温度制御ユニットおよび方法、デバイス製造方法 | |
US20080304025A1 (en) | Apparatus and method for immersion lithography | |
TWI514088B (zh) | 微影裝置及修改微影裝置內輻射光束的方法 | |
US7319505B2 (en) | Exposure apparatus and device fabrication method | |
JP2011086804A (ja) | 液浸部材、露光装置、露光方法、及びデバイス製造方法 | |
CN100552877C (zh) | 蚀刻装置、浸润槽及蚀刻方法 | |
JP2008235620A (ja) | 液浸露光装置 | |
US20080212050A1 (en) | Apparatus and methods for removing immersion liquid from substrates using temperature gradient | |
JP2010267926A (ja) | 基板処理装置及びデバイスの製造方法 | |
TWI410754B (zh) | 用於遮蔽弧燈之一部份之蓋、弧燈、及微影裝置 | |
JP2009010079A (ja) | 露光装置 | |
JP2001023890A (ja) | 露光装置およびこれを用いたデバイス製造方法 | |
TW202340867A (zh) | 微影設備、照明系統、及具有防護罩之連接密封裝置 | |
US20080117402A1 (en) | Lithographic apparatus and method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130524 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140527 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150526 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170530 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180529 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190531 Year of fee payment: 11 |