TW202340867A - 微影設備、照明系統、及具有防護罩之連接密封裝置 - Google Patents

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徐牧晨
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Abstract

本發明提供一種微影設備，其包括：一照明系統，其照明一圖案化裝置之一圖案；及一投影系統，其將該圖案之一影像投影至一基板上。該照明系統包括：一第一外殼及一第二外殼；一密封裝置；及一保護裝置。該第一外殼圍封一第一環境且包括一第一開口及對應於該第一開口之第一連接。該第二外殼包括一第二連接結構，該第二連接結構耦接至該第一連接結構以防止該第一環境與該第一外殼及該第二外殼外之一第二環境之間之物質的混合。該密封裝置安置於該第一連接結構與該第二連接結構之間。該密封裝置之材料對該第一環境發生化學反應性。該保護裝置安置於接近該第一環境之該密封裝置上以將該密封裝置與該第一環境屏蔽開。

Description

微影設備、照明系統、及具有防護罩之連接密封裝置
本申請案係關於一種用於以防漏方式連接兩個結構的密封件。在一個例示性應用中，墊片密封件可用於密封兩個導管之間的連接。此類連接可存在於例如微影設備之EUV源中。
微影設備為將所要圖案塗佈至基板上(通常塗佈至基板之目標部分上)之機器。微影設備可用於例如積體電路(IC)之製造中。在彼情況下，圖案化裝置(其替代地稱作光罩或倍縮光罩)可用於產生待形成於IC之個別層上的電路圖案。此圖案可轉印至基板(例如，矽晶圓)上之目標部分(例如，包含一個或若干晶粒之部分)上。通常經由成像至提供於基板上之輻射敏感材料(抗蝕劑)層上來進行圖案之轉印。一般而言，單一基板將含有連續地經圖案化之鄰近目標部分之網路。已知的微影設備包括：所謂的步進器，其中藉由將整個圖案一次性曝光至目標部分上來輻照各目標部分；及所謂的掃描器，其中藉由在給定方向(「掃描」方向)上經由輻射光束來掃描圖案同時平行或反平行於此掃描方向而同步地掃描目標部分來輻照各目標部分。亦有可能藉由將圖案壓印至基板上來將圖案自圖案化裝置轉印至基板。
微影設備通常包括照明系統，該照明系統在由輻射源產生之輻射入射於圖案化裝置上之前調節該輻射。經圖案化之EUV光束可用於在基板上產生極小特徵。極紫外光(有時亦稱作軟x射線)通常定義為具有在約5至100 nm之範圍內之波長的電磁輻射。用於光微影之一個所關注特定波長出現於13.5 nm處。
產生EUV光之方法包括但不一定限於將源材料轉換為電漿狀態，該電漿狀態具有帶有在EUV範圍中之發射譜線之化學元素。此等元素可包括但不一定限於氙、鋰及錫。
在常常被稱為雷射產生電漿(「LPP」)之一種此類方法中，可藉由用雷射光束輻照例如呈小滴、串流或線之形式的源材料來產生所要電漿。在常常被稱為放電產生電漿(「DPP」)之另一方法中，可藉由將具有適當發射譜線之源材料定位於一對電極之間且使得放電發生於該等電極之間來產生所需電漿。
一種用於產生小滴之技術涉及使諸如錫之目標材料熔融，且接著迫使該目標材料在高壓下穿過相對較小直徑之孔口以產生小滴流，該小滴流與雷射互動以誘發產生EUV輻射之電漿。熔融小滴之熱量以及EUV腔室(EUV光子)之惡劣環境可腐蝕或以其他方式不利地影響敏感結構，諸如例如墊片連接。此外，此類問題可與任何一般應用有關(例如，除了EUV產生以外)，其中受控環境攻擊負責含有受控環境的結構。
因此，期望改良受暴露於腐蝕性或其他損害性環境之不利影響的連接設備。
在一些實施例中，一種微影設備包含：照明系統，其經組態以照明圖案化裝置之圖案；及投影系統，其經組態以將圖案之影像投影至基板上。照明系統包含：第一外殼及第二外殼；密封裝置；及保護裝置。第一外殼包含第一開口及對應於第一開口之第一連接結構。第一外殼經組態以圍封第一環境。第二外殼包含第二連接結構，該第二連接結構經組態以耦接至第一連接結構以防止第一環境與第一外殼及第二外殼外之第二環境之間之物質的混合。密封裝置經組態以安置於第一連接結構與第二連接結構之間以防止物質的混合。密封裝置之材料經組態以對第一環境及第二環境發生化學反應性。保護裝置經組態以安置於接近第一環境之密封裝置上以將密封裝置與第一環境屏蔽開。
在一些實施例中，一種系統包含：第一外殼及第二外殼；密封裝置；及保護裝置。第一外殼包含第一開口及對應於第一開口之第一連接結構。第一外殼經組態以圍封第一環境。第二外殼包含第二連接結構，該第二連接結構經組態以耦接至第一連接結構以防止第一環境與第一外殼及第二外殼外之第二環境之間之物質的混合。密封裝置經組態以安置於第一連接結構與第二連接結構之間以防止物質的混合。密封裝置之材料經組態以對第一環境及第二環境發生化學反應性。保護裝置經組態以安置於接近第一環境之密封裝置上以將密封裝置與第一環境屏蔽開。
在一些實施例中，照明系統包含：遠紫外線輻射源；第一外殼及第二外殼；密封裝置；及保護裝置。第一外殼包含第一開口及對應於第一開口之第一連接結構。第一外殼經組態以圍封第一環境。第二外殼包含第二連接結構，該第二連接結構經組態以耦接至第一連接結構以防止第一環境與第一外殼及第二外殼外之第二環境之間之物質的混合。密封裝置經組態以安置於第一連接結構與第二連接結構之間以防止物質的混合。密封裝置之材料經組態以對第一環境及第二環境發生化學反應性。保護裝置經組態以安置於接近第一環境之密封裝置上以將密封裝置與第一環境屏蔽開。
在下文參考隨附圖式詳細描述本發明之各種實施例之其他特徵。應注意，本發明不限於本文中所描述之特定實施例。本文僅出於說明性目的呈現此類實施例。基於本文中所含之教示，額外實施例對於熟習相關技術者將為顯而易見的。
本說明書揭示併有本發明之特徵之一或多個實施例。提供所揭示實施例作為實例。本發明之範疇不限於所揭示實施例。所主張之特徵由此處隨附之申請專利範圍界定。
所描述之實施例及本說明書中對「一個實施例」、「實施例」、「實例實施例」等之參考指示所描述之實施例可包括特定特徵、結構或特性，但每個實施例可能未必包括特定特徵、結構或特性。此外，此類片語未必指相同實施例。此外，當結合實施例描述特定特徵、結構或特性時，應理解，無論是否予以明確描述，結合其他實施例來實現此特徵、結構或特性皆係在熟習此項技術者之認識範圍內。
為易於描述，本文中可使用諸如「在…之下」、「在…下方」、「下部」、「在…上方」、「在…之上」、「上部」及類似者的空間相對術語，以描述如圖式中所說明之一個元件或特徵與另一或多個元件或特徵的關係。除圖中所描繪之定向外，空間相對術語亦意欲涵蓋裝置在使用或操作中之不同定向。設備可以其他方式定向(旋轉90度或處於其他定向)，且本文中所使用的空間相對描述詞可同樣相應地進行解譯。
在本文中可使用術語「約」指示可基於特定技術變化之給定數量的之值。基於特定技術，術語「約」可指示例如在值之10%至30%內(例如，值之±10%、±20%或±30%)變化之給定數量之值。
本發明之實施例可實施於硬體、韌體、軟體或其任何組合中。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可藉由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸以可由機器(例如，計算裝置)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁碟儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體裝置；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外信號、數位信號等)及其他者。此外，韌體、軟體、常式及/或指令可在本文中描述為進行某些動作。然而，應瞭解，此類描述僅僅出於方便起見，且此類動作事實上係由計算裝置、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等之其他裝置引起。
然而，在更詳細地描述此類實施例之前，具指導性的為呈現本發明之實施例可在其中實施的實例環境。
實例微影系統
圖1展示可供實施本發明之實施例之微影設備100。微影設備100包括以下各者：照明系統(照明器) IL，其經組態以調節輻射光束B (例如，深紫外線或極紫外線輻射)；支撐結構(例如，光罩台) MT，其經組態以支撐圖案化裝置(例如，光罩、倍縮光罩或動態圖案化裝置) MA且連接至經組態以準確地定位圖案化裝置MA之第一定位器PM；及基板台(例如，晶圓台) WT，其經組態以固持基板(例如，抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至經組態以準確地定位基板W之第二定位器PW。微影設備100亦具有投影系統PS，該投影系統PS經組態以將由圖案化裝置MA賦予至輻射光束B之圖案投影至基板W之目標部分(例如，包含一或多個晶粒) C上。在微影設備100中，圖案化裝置MA及投影系統PS為反射性的。
照明系統IL可包括用於導向、塑形或控制輻射光束B之各種類型之光學組件，諸如折射、反射、反射折射、磁性、電磁、靜電或其他類型之光學組件或其任何組合。照明系統IL亦可包括感測器ES，該感測器ES提供例如每脈衝能量、光子能、強度、平均功率及類似者中之一或多者之量測。照明系統IL可包括用於量測輻射光束B之移動之量測感測器MS及允許控制照明隙縫均一性之均一性補償器UC。量測感測器MS亦可安置於其他位置處。舉例而言，量測感測器MS可位於基板台WT上或附近。
支撐結構MT以取決於圖案化裝置MA相對於參考框架之定向、微影設備100之設計及其他條件(諸如，圖案化裝置MA是否固持於真空環境中)的方式來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可使用機械、真空、靜電或其他夾持技術來固持圖案化裝置MA。支撐結構MT可為例如框架或台，其可視需要而為固定或可移動的。藉由使用感測器，支撐結構MT可確保圖案化裝置MA例如相對於投影系統PS處於所要位置。
術語「圖案化裝置」MA應廣泛地解譯為係指可用於在輻射光束B之橫截面中向輻射光束B賦予圖案以便在基板W之目標部分C中產生圖案的任何裝置。賦予至輻射光束B之圖案可對應於產生於目標部分C中以形成積體電路之裝置中的特定功能層。
圖案化裝置MA可為反射性的。圖案化裝置MA之實例包括倍縮光罩、光罩、可程式化鏡面陣列或可程式化LCD面板。光罩在微影中為吾人所熟知，且包括諸如二元、交變相移及衰減相移之光罩類型，以及各種混合光罩類型。可程式化鏡面陣列之一實例採用小鏡面之矩陣配置，該等小鏡面中之各者可個別地傾斜，以便使入射輻射光束在不同方向上反射。傾斜鏡面在由小鏡面之矩陣反射之輻射光束B中賦予圖案。
術語「投影系統」PS可涵蓋如適於所使用之曝光輻射或適於諸如基板W上之浸潤液體之使用或真空之使用之其他因素的任何類型之投影系統，包括折射、反射、反射折射、磁性、電磁及靜電光學系統或其任何組合。真空環境可用於EUV或電子束輻射，此係由於其他氣體可吸收過多輻射或電子。因此，可藉助於真空壁及真空泵將真空環境提供至整個光束路徑。
微影設備100可屬於具有兩個(雙載物台)或更多個基板台WT (及/或兩個或更多個光罩台)之類型。在此類「多載物台」機器中，可並行地使用額外基板台WT，或可在一或多個台上進行預備步驟，同時將一或多個其他基板台WT用於曝光。在一些情形下，額外台可不為基板台WT。
微影設備亦可屬於以下類型：其中基板之至少一部分可由具有相對較高折射率之液體(例如，水)覆蓋，以便填充投影系統與基板之間的空間。亦可將浸潤液體施加至微影設備中之其他空間，例如光罩與投影系統之間的空間。浸潤技術在此項技術中已為吾人所熟知用於增加投影系統之數值孔徑。本文中所使用之術語「浸潤」並不意謂諸如基板之結構必須浸沒於液體中，而是僅意謂液體在曝光期間位於投影系統與基板之間。
照明器IL自輻射源SO接收輻射光束。舉例而言，當源SO為準分子雷射時，源SO及微影設備100可為單獨的物理實體。在此類情況下，並不認為源SO形成微影設備100之部分，且輻射光束B憑藉包括例如合適導向鏡面及/或光束擴展器之光束遞送系統BD (未展示)而自源SO傳遞至照明器IL。在其他情況下，例如，當源SO為汞燈時，源SO可為微影設備100之整體部分。源SO及照明器IL連同光束遞送系統BD (必要時)可稱作輻射系統。
為了不使圖式過於複雜，照明器IL可包括未展示之其他組件。舉例而言，照明器IL可包括用於調整輻射光束之角強度分佈之調整器。大體而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈的至少外部及/或內部徑向範圍(通常分別稱作「σ外部」及「σ內部」)。照明器IL可包含積光器及/或聚光器(未展示)。照明器IL可用於調節輻射光束B以在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈。可藉由使用均一性補償器來維持輻射光束B之所要均一性。均一性補償器包含可在輻射光束B之路徑中經調整以控制輻射光束B之均一性的複數個突起部(例如，指狀物)。感測器可用於監測輻射光束B之均一性。
輻射光束B入射於固持於支撐結構(例如，光罩台) MT上之圖案化裝置(例如，光罩) MA上，且由該圖案化裝置MA圖案化。在微影設備100中，自圖案化裝置(例如，光罩) MA反射輻射光束B。在自圖案化裝置(例如，光罩) MA反射之後，輻射光束B穿過投影系統PS，該投影系統PS將輻射光束B聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於第二定位器PW及位置感測器IF2 (例如，干涉量測裝置、線性編碼器或電容式感測器)，可準確地移動基板台WT (例如，以便將不同目標部分C定位於輻射光束B之路徑中)。相似地，第一定位器PM及另一位置感測器IF1可用於相對於輻射光束B之路徑來準確地定位圖案化裝置(例如，光罩) MA。可使用光罩對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2來對準圖案化裝置(例如，光罩) MA及基板W。
微影設備100可用於以下模式中之至少一者中：
1. 在步進模式下，在將賦予至輻射光束B之整個圖案一次性投影至目標部分C上(亦即，單次靜態曝光)時，支撐結構(例如，光罩台) MT及基板台WT基本上保持靜止。接著使基板台WT在X及/或Y方向上移位，使得可曝光不同目標部分C。
2. 在掃描模式下，在將賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上(亦即，單次動態曝光)時，同步地掃描支撐結構(例如，光罩台) MT及基板台WT。可藉由投影系統PS之(縮小)放大率及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構(例如，光罩台) MT之速度及方向。
3. 在另一模式下，支撐結構(例如，光罩台) MT實質上保持靜止固持可程式化圖案化裝置，且在將賦予至輻射光束B之圖案投影至目標部分C上時，移動或掃描基板台WT。可採用脈衝式輻射源SO，且在基板台WT之各移動之後或在掃描期間之連續輻射脈衝之間視需要更新可程式化圖案化裝置。此操作模式可易於應用於利用可程式化圖案化裝置(諸如可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可採用所描述使用模式之組合及/或變化或完全不同的使用模式。
在又一實施例中，微影設備100包括EUV輻射源，該EUV輻射源經組態以產生用於EUV微影之EUV輻射光束。大體而言，EUV輻射源經組態於輻射系統中，且對應照明系統經組態以調節EUV源之EUV輻射光束。
圖2A更詳細地展示根據一些實施例的包括源收集器設備SO、照明系統IL及投影系統PS之微影設備100 (例如，圖1)。源收集器設備SO經建構且經配置以使得可將真空環境維持於源收集器設備SO之圍封結構220中。可藉由放電產生電漿源而形成EUV輻射發射電漿210。可藉由氣體或蒸氣(例如Xe氣體、Li蒸氣或Sn蒸氣)來產生EUV輻射，其中產生極熱電漿210以發射在電磁光譜之EUV範圍內之輻射。藉由例如引起至少部分離子化電漿之放電來產生極熱電漿210。為了輻射之有效產生，可需要分壓為例如10 Pa之Xe、Li、Sn蒸氣或任何其他合適氣體或蒸氣。在一些實施例中，提供受激發錫(Sn)電漿(例如，經由雷射激發)以產生EUV輻射。
由熱電漿210發射之輻射經由定位於源腔室211中之開口中或後方之可選氣體障壁或污染物截留器230 (在一些情況下亦稱作污染物障壁或箔片截留器)而自源腔室211傳遞至收集器腔室212中。污染物截留器230可包括通道結構。污染物截留器230亦可包括氣體障壁，或氣體障壁與通道結構之組合。本文中進一步所指示之污染物截留器或污染物障壁230至少包括通道結構。
收集器腔室212可包括可為所謂掠入射收集器之輻射收集器CO。輻射收集器CO具有上游輻射收集器側251及下游輻射收集器側252。橫穿收集器CO之輻射可自光柵光譜濾光器240反射以聚焦於虛擬源點INTF中。虛擬源點INTF通常稱作中間焦點，且源收集器設備經配置以使得中間焦點INTF位於圍封結構220中之開口219處或附近。虛擬源點INTF為輻射發射電漿210之影像。光柵光譜濾光器240尤其用於抑制紅外(IR)輻射。
隨後，輻射橫穿照明系統IL，該照明系統IL可包括琢面化場鏡面裝置222及琢面化光瞳鏡面裝置224，該琢面化場鏡面裝置及琢面化光瞳鏡面裝置經配置以提供輻射光束221在圖案化裝置MA處之所要角度分佈以及在圖案化裝置MA處之輻射強度之所要均一性。當在由支撐結構MT固持之圖案化裝置MA處反射輻射光束221時，形成圖案化光束226且圖案化光束226經由反射元件228、229藉由投影系統PS成像至由晶圓載物台或基板台WT固持之基板W上。
比所展示之元件多的元件通常可存在於照明光學器件單元IL及投影系統PS中。取決於微影設備之類型，光柵光譜濾光器240可視情況存在。此外，可存在比圖2A中所展示之鏡面多的鏡面，例如相比於圖2A中所展示之反射元件，在投影系統PS中可存在一至六個額外反射元件。
在一些實施例中，照明光學器件單元IL可包括感測器ES，該感測器提供對例如每脈衝能量、光子能、強度、平均功率及類似者中之一或多者的量測。照明光學器件單元IL可包括用於量測輻射光束B之移動之量測感測器MS及允許控制照明隙縫均一性之均一性補償器UC。量測感測器MS亦可安置於其他位置處。舉例而言，量測感測器MS可位於基板台WT上或附近。
如圖2A中所說明之收集器光學器件CO描繪為具有掠入射反射器253、254及255之巢套式收集器，僅作為收集器(或收集器鏡面)之實例。掠入射反射器253、254及255安置成圍繞光軸O軸向地對稱，且此類型之收集器光學器件CO係較佳地與放電產生電漿源(常常稱為DPP源)組合使用。
圖2B展示根據一些實施例的微影設備100 (例如，圖1)之所選擇部分，但在源收集器設備SO中具有替代收集光學器件。應瞭解，圖2A中所展示的並未出現於圖2B中之結構(為了圖式清楚起見)仍可包括於參考圖2B之實施例中。圖2B中具有與圖2A中之參考編號相同參考編號的元件具有與參考圖2A所描述之相同或實質上相似的結構及功能。在一些實施例中，微影設備100可用於例如藉由經圖案化EUV光束曝光諸如抗蝕劑塗佈晶圓之基板W。在圖2B中，照明系統IL及投影系統PS表示為組合為使用來自源收集器設備SO之EUV光之曝光裝置256 (例如，積體電路微影工具，諸如步進器、掃描器、步進及掃描系統、系統、使用接觸及/或近接光罩之裝置等)。微影設備100亦可包括收集器光學器件258，該收集器光學器件將來自熱電漿210之EUV光沿著一路徑反射至曝光裝置256中以輻照基板W。收集器光學器件258可包含近正入射收集器鏡面，該近正入射收集器鏡面具有呈長橢球體(亦即，圍繞其長軸旋轉之橢圓)之形式之反射表面，該長橢球體具有例如具鉬及矽之交替層之分級多層塗層，且在一些情況下具有一或多個高溫擴散障壁層、平滑層、罩蓋層及/或蝕刻終止層。
圖3展示根據一或多個實施例的微影設備100 (例如，圖1、圖2A及圖2B)之一部分的詳細視圖。圖3中具有與圖1、圖2A及圖2B中之參考編號相同參考編號的元件具有與參考圖1、圖2A及圖2B所描述相同或實質上類似的結構及功能。在一些實施例中，微影設備100可包括源收集器設備SO，該源收集器設備具有LPP EUV光輻射器。如所展示，源收集器設備SO可包括雷射系統302，該雷射系統用於產生光脈衝串且將光脈衝遞送至光源腔室212中。對於微影設備100，光脈衝可自雷射系統302沿著一或多個光束路徑行進且到達腔室212中以照明輻照區304處之源材料，從而產生電漿(例如，熱電漿210在圖2B中所處之電漿區)，該電漿產生EUV光以供在曝光裝置256中進行基板曝光。
在一些實施例中，用於雷射系統302中之合適雷射可包括脈衝式雷射裝置，例如脈衝式氣體放電CO 2雷射裝置，其例如運用DC或RF激發而產生處於9.3 pm或10.6 pm之輻射，該雷射裝置在相對較高功率(例如，10 kW或更高)及較高脈衝重複率(例如，50 kHz或更大)下操作。在一些實施例中，雷射可為軸向流RF泵浦之CO 2雷射，其具有具多個放大階段之振盪器放大器組態(例如，主控振盪器/功率放大器(MOPA)或功率振盪器/功率放大器(POPA))且具有種子脈衝，該種子脈衝係由Q切換式振盪器以相對較低能量及較高重複率(例如，能夠進行100 kHz操作)起始。自該振盪器，可接著在雷射脈衝到達輻照區304之前將其放大、塑形及/或聚焦。連續泵浦式CO 2放大器可用於雷射系統302。替代地，雷射可經組態為所謂的「自定目標」雷射系統，其中小滴充當雷射之光學空腔之一個鏡面。
在一些實施例中，取決於應用，其他類型之雷射亦可係合適的，例如在高功率及高脈衝重複率下操作之準分子或分子氟雷射。一些實例包括例如具有光纖、桿、平板或圓盤形作用媒體之固態雷射，具有一或多個腔室(例如，振盪器腔室及一或多個放大腔室(其中放大腔室並聯或串聯))、主控振盪器/功率振盪器(MOPO)配置、主控振盪器/功率環放大器(MOPRA)配置或將一或多個準分子、分子氟接種之固態雷射或CO 2放大器或振盪器腔室的其他雷射架構可係合適的。可設想其他合適設計。
在一些實施例中，源材料可首先藉由預脈衝輻照，且此後藉由主脈衝輻照。預脈衝及主脈衝種子可由單一振盪器或兩個單獨振盪器產生。一或多個共同放大器可用於放大預脈衝種子及主脈衝種子兩者。在一些實施例中，單獨放大器可用於放大預脈衝種子及主脈衝種子。
在一些實施例中，微影設備100可包括光束調節單元306，該光束調節單元具有用於光束調節之一或多個光學器件，光束調節諸如在雷射系統302與輻照區304之間擴展、轉向及/或聚焦光束。舉例而言，可提供可包括一或多個鏡面、稜鏡、透鏡等之轉向系統，且該轉向系統經配置以使雷射焦斑轉向至腔室212中之不同位置。舉例而言，轉向系統可包括：第一平面鏡，其安裝於可在兩個維度中獨立移動該第一鏡面之頂傾致動器上；及第二平面鏡，其安裝於可在兩個維度中獨立移動該第二鏡面之頂傾致動器上。藉由所描述配置，轉向系統可以可控制地使焦斑在與光束傳播方向(光束軸線或光軸)實質上正交的方向上移動。
光束調節單元306可包括聚焦總成，該聚焦總成用以將光束聚焦至輻照區304且調整焦斑沿著光束軸線之位置。對於該聚焦總成，可使用諸如聚焦透鏡或鏡面之光學器件，其耦接至致動器以在沿著光束軸線之方向上移動以使焦斑沿著光束軸線移動。
在一些實施例中，源收集器設備SO亦可包括源材料遞送系統308，該源材料遞送系統例如將諸如液體錫小滴之源材料遞送至腔室212的內部中至輻照區304，其中小滴將與來自雷射系統302之光脈衝相互作用，從而最終產生電漿且產生EUV發射以在曝光裝置256中曝光諸如抗蝕劑塗佈晶圓之基板。可在例如2011年1月18日發佈之標題為「Systems and Methods for Target Material Delivery in a Laser Produced Plasma EUV Light Source」的美國專利第7,872,245號、2008年7月29日發佈之標題為「Method and Apparatus For EUV Plasma Source Target Delivery」的美國專利第7,405,416號、2008年5月13日發佈之標題為「LPP EUV Plasma Source Material Target Delivery System」的美國專利第7,372,056號，及2019年7月18日公佈之標題為「Apparatus for and Method of Controlling Coalescence of Droplets In a Droplet Stream」的國際申請案第WO 2019/137846號中發現關於各種小滴施配器組態之更多細節，該等專利及申請案中各者之全部內容係以引用方式併入本文中。
在一些實施例中，用於產生EUV光輸出以用於基板曝光之源材料可包括(但未必限於)包括錫、鋰、氙或其組合之材料。例如錫、鋰、氙等EUV發射元素可呈液體小滴及/或液體小滴內所含之固體粒子之形式。舉例而言，元素錫可作為錫化合物用作純錫，例如，SnBr 4、SnBr 2、SnH 4；用作錫合金，例如，錫-鎵合金、錫-銦合金、錫-銦-鎵合金或其組合。取決於所使用之材料，可在包括室溫或近室溫之各種溫度下將源材料呈現給輻照區(例如，錫合金、SnBr 4)、在高溫下將源材料呈現給輻照區(例如，純錫)或在低於室溫之溫度下將源材料呈現給輻照區(例如，SnH 4)。在一些情況下，材料可能相對易揮發，例如SnBr 4。
在一些實施例中，微影設備100亦可包括控制器310，該控制器亦可包括驅動雷射控制系統312，該驅動雷射控制系統用於控制雷射系統302中之裝置以藉此產生光脈衝以遞送至腔室212中，及/或用於控制光束調節單元306中之光學器件之移動。微影設備100亦可包括小滴位置偵測系統，該小滴位置偵測系統可包括一或多個小滴成像器314，該一或多個小滴成像器提供指示一或多個小滴例如相對於輻照區304之位置之輸出信號。小滴成像器314可將此輸出提供至小滴位置偵測回饋系統316，該小滴位置偵測回饋系統可例如計算小滴位置及軌跡，自該小滴位置及軌跡可計算小滴誤差，例如逐小滴地計算或平均計算。可接著將小滴誤差作為輸入提供至控制器310，該控制器可例如將位置、方向及/或時序校正信號提供至雷射系統302以控制雷射觸發時序及/或控制光束調節單元306中之光學器件之移動，例如以改變遞送至腔室212中之輻照區304的光脈衝之位置及/或焦度。亦針對源收集器設備SO，源材料輸送系統308可具有控制系統，該控制系統回應於來自控制器310之信號(其在一些實施中可包括以上所描述之小滴誤差，或自其導出之某量)而可操作，以例如修改釋放點、初始小滴串流方向、小滴釋放時序及/或小滴調變從而校正到達輻照區304的小滴之誤差。
在一些實施例中，微影設備100亦可包括收集器光學器件、氣體施配器裝置320。氣體施配器裝置320可在來自源材料遞送系統308之源材料之路徑(例如，輻照區304)中施配氣體。氣體施配器裝置320可包含噴嘴，所施配氣體可經由該噴嘴射出。氣體施配器裝置320可經結構化(例如，具有一孔隙)，使得當被置放於雷射系統302之光學路徑附近時，來自雷射系統302之光並未由氣體施配器裝置320阻擋且被允許到達輻照區304。諸如氫、氦、氬或其組合之緩衝氣體可被引入至腔室212中、被補給及/或自該腔室被移除。緩衝氣體在電漿放電期間可存在於腔室212中且可用以減慢電漿產生之離子，以減少光學器件之降級及/或提高電漿效率。替代地，磁場及/或電場(未展示)可單獨使用或與緩衝氣體組合使用，以減少快速離子損壞。
在一些實施例中，微影設備100亦可包括收集器光學器件258，諸如近正入射收集器鏡面，其具有呈長橢球體(亦即，圍繞其長軸旋轉之橢圓)之形式之反射表面，該長橢球體具有例如具鉬及矽之交替層之分級多層塗層，且在一些情況下具有一或多個高溫擴散障壁層、平滑層、罩蓋層及/或蝕刻終止層。收集器光學器件258可形成為具有孔隙以允許由雷射系統302產生之光脈衝穿過並到達輻照區304。相同或另一類似的孔隙可用於允許來自氣體施配器裝置320之氣體流入腔室212中。如所展示，收集器光學器件258可為例如長橢球體鏡面，其在輻照區304內或附近具有第一焦點且在所謂的中間區318處具有第二焦點，其中可自源收集器設備SO輸出EUV光且將EUV光輸入至利用EUV光之曝光裝置256，例如積體電路微影工具。應瞭解，可替代長橢球體鏡面使用其他光學器件，以用於收集光且將光導向至中間位置以供後續遞送至利用EUV光之裝置。亦可設想使用具有參考圖3所描述之結構及功能的收集器光學器件CO (圖2A)之實施例。
例示性微影製造單元
圖4展示根據一些實施例之微影製造單元(lithographic cell) 400，其有時亦稱作微影製造單元(lithocell)或群集。微影設備100可形成微影製造單元400之部分。微影製造單元400亦可包括用以對基板執行曝光前製程及曝光後製程之一或多個設備。習知地，此等包括用以沈積抗蝕劑層之旋塗器SC、用以使經曝光抗蝕劑顯影之顯影器DE、冷卻板CH及烘烤板BK。基板處置器或機器人RO自輸入/輸出埠I/O1、I/O2拾取基板、在不同製程設備之間移動基板且將基板遞送至微影設備100之裝載匣LB。常常統稱為塗佈顯影系統(track)之此等裝置係在自身由監督控制系統SCS控制之塗佈顯影系統控制單元TCU之控制下，該監督控制系統亦經由微影控制單元LACU來控制微影設備。因此，不同設備可經操作以最大化產出量及處理效率。
例示性機械密封及防護罩
所圍封環境(例如，圖2A之圍封結構220)可將潛在惡劣條件強加於機械結構。舉例而言，液體錫及/或氫可與密封墊片之材料相互化學作用，從而引起墊片之降解。高溫或較大溫度變化亦可引起氧化或密封裝置之降級。密封材料之腐蝕、熱氧化及/或熱降解之影響可使得密封裝置之壽命縮短。在某些應用中，組件之縮短的壽命可能會給使用者帶來很大成本。舉例而言，在微影應用中，替換經腐蝕墊片可引起微影設備數小時或數天不可操作。IC製造中損耗的生產時間可能為顯著的。
解決密封裝置之化學問題(例如，使用耐化學性材料)的溶液可能並不能夠解決熱氧化或熱降解問題。自另一視角，用於熱氧化或熱降解的溶液可能不解決化學問題。舉例而言，彈性體材料可視為對一些環境具有耐化學性。然而，彈性體密封件可能歸因於例如稱為「冷定型」之現象而在重複熱循環中失去接觸密封力。在可撓性材料(例如，彈性體)之內容背景中，術語「冷定型(cold set、cold setting)」或類似者可在本文中使用以指彈性之損失及隨時間恢復至原始形狀之能力。彈性損失可受例如熱-寒溫度循環之影響。
期望提供圍封環境的硬體裝置，其能夠承受來自圍封環境之攻擊，以例如增加硬體裝置之可使用壽命且降低與硬體之退化相關聯的修復或維護現象之頻率。本文中之實施例中所揭示的裝置及方法解決此等問題。
圖5展示根據一些實施例之連接裝置500。圖5提供連接裝置500之分解圖及橫截面圖兩者。在一些實施例中，連接裝置500可為較大系統之部分。舉例而言，連接裝置500可位於圍封系統中或圍封系統上。連接裝置500可安置於圍封結構220 (圖2A)上。圍封系統可用於維持給定環境及環境之參數(例如，真空、部分真空、正壓力、氣霧物質、流體物質或類似者)。
在一些實施例中，連接裝置500可包含外殼502 (例如，第一外殼)、外殼504 (例如，第二外殼)、密封裝置506及保護裝置508。
在一些實施例中，外殼502可包含連接結構510 (例如，第一連接結構)。連接結構510可為邊緣。外殼502亦可包含開口512 (例如，第一開口)。連接結構510可對應於開口512。替代地，外殼502可為罩蓋或封蓋(例如，不為開口)。
在一些實施例中，外殼504可包含連接結構514 (例如，第二連接結構)。連接結構514可為凸緣。外殼504亦可包含開口516 (例如，第二開口)。連接結構514可對應於開口516。替代地，外殼504可為罩蓋或封蓋(例如，不為開口)。
在一些實施例中，外殼502可圍封內部環境518 (例如，第一環境)。外殼504亦可圍封內部環境518。外殼502及/或504可經結構化以作為較大外殼/腔室之進入點。替代地，外殼502及/或504可用於連接至腔室或其他流體裝置(例如，真空泵、氫氣來源或類似者)之導管。開口512及/或516可提供進入及/或離開腔室之環境入口。開口512及/或516可提供進入及/或離開腔室之視線(例如，使用光學窗)。外殼502及/或504可包含光學窗(未展示)。光學窗可充當開口(例如，光學入口)及封蓋(例如，氣帽)兩者。
在一些實施例中，外殼502可耦接至外殼504。耦接將內部環境518與外部環境520隔離開。亦即，外殼502及/或504可用於防止內部環境518 (內部外殼502及/或504)與外部環境520 (外殼502及/或504之外)之間的物質之混合。熟習此項技術者將瞭解可使用固定耦接的任何合適之方法(例如，螺栓、夾具及/或類似者)。
在一些實施例中，密封裝置506亦可用以防止內部環境518與外部環境520之間的物質之混合。密封裝置506可安置於連接結構510與514之間。密封裝置506可包含墊片。密封裝置506之材料可包含彈性體。在一個實例中，隨時間而失去可撓性可使得彈性體密封裝置506之可使用壽命減少。
在一些實施例中，密封裝置506可包含金屬材料，例如金屬墊片。在此實例中，密封裝置506之金屬材料可為可延展的，使得當密封裝置506位於密封外殼502與504之間時，其可牢固地密封該等外殼之間的連接。舉例而言，密封裝置506之材料可包含銅，其可滿足密封之結構性需要(例如，適貼配合、很多接觸區域、間隔之存在減少及/或類似者)。在一些實例中，軟金屬可與某些物質(例如，液體錫、氫自由基及/或類似者)發生化學反應性。
在一些實施例中，密封裝置506之材料可包含耐火金屬。耐火金屬可能比銅更具耐化學性。在實例中，連接之結構性需要可嚴重限制可使用的金屬之類型。
在一些實施例中，密封墊片材料可比圍繞凸緣(連接結構)之材料更軟。在一些實施例中，當由兩個連接結構510與514之間的壓力包夾時，密封墊片可彎曲且其自身模製成形狀。在一個實例中，若密封裝置506的耐火金屬比連接結構510及514之材料(例如，不鏽鋼凸緣，但設想其他材料)更硬，則連接結構510及514可彎曲變形，使得連接結構510及514不可再使用。應瞭解，當挑選密封材料時，使用者將考慮此種情況。在一些實施例中，使用者可挑選預定柔軟度屬性，同時考慮由環境外加的耐化學性。
在一些實施例中，保護裝置508可用於屏蔽及保護密封裝置506之材料，尤其接近及/或暴露於環境518之密封裝置506之彼等部分。保護裝置508之材料可包含彈性體材料。彈性體材料可對環境518之物質(例如，熔融固體，諸如錫)具有耐化學性。由於密封裝置506可實現密封作用，對於保護裝置508之結構性限制可放寬——亦即，保護裝置508是否可保持密封可能不太重要。在一個實例中，現在可忽視彈性體冷定型之影響。
在一些實施例中，密封裝置506可具有環狀形狀(例如，環形、橢圓形環、矩形環、具有穿孔的平面結構或類似者)。保護裝置508可具有環狀形狀。且保護裝置508之形狀可貼合密封裝置506之形狀。環狀形狀不限於圓環。熟習此項技術者將瞭解墊片形狀可能受應用限制(例如，矩形開口)。
在一些實施例中，密封裝置506之環狀形狀之外圓周可接近環境520而安置。保護裝置508之環狀形狀之內圓周可接近環境518而安置。保護裝置508之環狀形狀之外圓周可接觸密封裝置506之環狀形狀之內圓周。儘管此處使用術語「圓周」，但術語並不將環狀形狀限制於正圓之形狀。亦即，環狀形狀可包含橢圓形形狀、矩形形狀或類似者，且在此內容背景中，術語「圓周」採用類似於「周長」或「邊界」之定義。
圖6展示根據一些實施例之連接裝置600。在一些實施例中，連接裝置600可表示連接裝置500 (圖5)之另一視圖。除非另外指出，否則圖5之元件的預先描述之結構及功能亦可適用於圖6之類似經編號元件(例如，共用兩個最右數字數位之參考編號)。圖6之元件之結構及功能應自圖5之對應元件之描述而顯而易見。
在一些實施例中，密封裝置606可包含耦接特徵622。耦接特徵622可用於將密封裝置606及保護裝置608耦接在一起。耦接特徵622可為安置於密封裝置606之內圓周處之突起部。匹配耦接特徵623可包含於保護裝置608上。匹配耦接特徵623可為安置於保護裝置608之外圓周處之凹部。在一個實例中，凹部用於配合密封裝置606上之突起部。
在一些實施例中，可針對連接結構610與614之間的連接執行檢漏。在一些實施例中，當考慮環境618之參數(例如，是否存在特定氣體、環境為熱或冷、是否存在熱熔融固體或類似者)時，檢漏應為可靠的。在實例情境中，在連接為冷的且密封裝置606及保護裝置608已處於使用中一段時間時，將執行檢漏。由於保護裝置608經塑形從而將密封裝置606與環境618屏蔽開，因此除了密封裝置606之密封作用(例如，環境618為熱的且引起保護裝置608擴展且形成密封)以外，保護裝置608亦可提供密封作用。在此情境中，若密封裝置606及保護裝置608兩者保持密封，則檢漏之結果將為不確定的。舉例而言，可能難以判定密封裝置606是否為標稱的或是否發生故障。在一些實施例中，當執行檢漏時，使用者可能想要阻止保護裝置608形成密封。
因此，在一些實施例中，保護裝置608可經設計從而在密封裝置606與圍封環境618的外殼之內部之間( 參見例如環境518及外殼502及/或504 (圖5))提供一或多個洩漏路徑624。此類洩漏路徑可另外允許保護裝置608與密封裝置606之間的較小孔隙空間之排空。此排空可增強泵回操作，在此期間將真空施加至環境618。空缺可幫助避免殘餘氣體截留於保護裝置608與密封裝置606之間的非所要情形。此類情形可引起「虛擬洩漏」，其中所截留氣體逐漸進入且污染已形成於環境618中之真空。舉例而言，設計可同時阻止第一環境618之物質進入洩漏路徑624，同時允許第二環境620之物質在測試期間或在泵回操作期間穿過洩漏路徑。舉例而言，一或多個洩漏路徑624可為窄的，從而允許檢漏氣體穿過(例如，氦)，但呈現推動環境618之物質的反作用力(例如，液體錫上之毛細管力)。此外，一或多個洩漏路徑624不限於準確地如圖6中所展示安置。舉例而言，一或多個洩漏路徑624可經設計為穿過保護裝置608之主體的通道。
在一些實施例中，一或多個洩漏路徑624可為溫度相關的。若舉例而言，環境618為熱的(例如，為了支援攜載熔融錫之顆粒或其他熱碎屑之氫氣之流動)，則可能並不呈現一或多個洩漏路徑624，從而升高保護裝置608之溫度且引起其擴展。但在室溫下(例如，約20℃)可存在一或多個洩漏路徑624。
圖7展示根據一些實施例之連接裝置700。在一些實施例中，連接裝置700可表示連接裝置500 (圖6)及/或600 (圖6)之另一視圖。除非另外指出，否則圖5及圖6之元件的預先描述之結構及功能亦可適用於圖7之類似經編號元件(例如，共用兩個最右數字數位之參考編號)。圖7之元件之結構及功能應自圖5及圖6之對應元件之描述而顯而易見。
在一些實施例中，可實施與溫度無關的洩漏路徑724。在一些實施例中，保護裝置708可包含結構708a及結構708b。結構708a可為用於向密封裝置706提供抗化學性屏蔽之彈性體結構。結構708b可為用於提供洩漏路徑724之金屬結構。結構708a可接近連接結構710或714中之一者而安置。結構708b可接近連接結構710或714中之另一者而安置，使得形成洩漏路徑724。如前所述，洩漏路徑724可經塑形從而拒絕環境718之物質，但允許用於檢漏之氣體通過。
儘管可在本文中特定地參考微影設備在IC製造中之使用，但是應理解，本文中所描述之微影設備可具有其他應用，諸如製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、LCD、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將瞭解，在此類替代應用之內容背景中，本文中對術語「晶圓」或「晶粒」之任何使用可視為分別與更一般術語「基板」或「目標部分」同義。在曝光之前或之後，可在(例如)塗佈顯影系統單元(通常將抗蝕劑層施加至基板且使經曝光抗蝕劑顯影之工具)、度量衡單元及/或檢測單元中處理本文中所提及之基板。適用時，可將本文中之本發明應用於此等及其他基板處理工具。此外，可將基板處理一次以上，例如以便產生多層IC，使得本文中所使用之術語基板亦可指已經含有多個經處理層之基板。
儘管上文可已特定地參考在光學微影之內容背景中之本發明之實施例的使用，但應瞭解，本發明可用於其他應用(例如壓印微影)中，且在內容背景允許的情況下不限於光學微影。在壓印微影中，圖案化裝置中之構形界定基板上所產生之圖案。可將圖案化裝置之構形壓入至經供應至基板之抗蝕劑層中，在基板上，抗蝕劑係藉由施加電磁輻射、熱、壓力或其組合而固化。在抗蝕劑固化之後，將圖案化裝置移出抗蝕劑，從而在其中留下圖案。
應理解，本文中之措詞或術語係出於描述而非限制之目的，使得本發明之術語或措詞待由熟習相關技術者按照本文中之教示予以解譯。
如本文中所使用之術語「輻射」、「光束」、「光」、「照明」或類似者可涵蓋所有類型之電磁輻射，例如紫外線(UV)輻射(例如，具有為365、248、193、157或126 nm之波長λ)、極紫外線(EUV或軟X射線)輻射(例如，具有在5至100 nm之範圍內，諸如(例如)13.5 nm之波長)，或在小於5 nm下工作之硬X射線，以及粒子束，諸如離子束或電子束。一般而言，具有為約400至約700 nm之間的波長之輻射被視為可見輻射；具有為約780至3000 nm(或更大)之間的波長之輻射被視為IR輻射。UV指具有大致100至400 nm之波長的輻射。在微影內，術語「UV」亦應用於可由汞放電燈產生之波長：G線436 nm；H線405 nm；及/或I線365 nm。真空UV或VUV (亦即，由氣體吸收之UV)指具有約100至200 nm之波長的輻射。深UV (DUV)通常指具有在126 nm至428 nm的範圍之間之波長的輻射，且在一些實施例中，準分子雷射可在微影設備內產生所使用的DUV輻射。應瞭解，具有在例如5至20 nm之範圍內的波長之輻射係關於具有某一波長帶之輻射，該波長帶的至少部分係在5至20 nm之範圍內。
如本文中所使用之術語「基板」描述其上添加有材料層的材料。在一些實施例中，基板自身可經圖案化，且添加於基板之頂部上之材料亦可經圖案化，或可保持不圖案化。
儘管可在本文中特定地參考根據本發明之設備及/或系統在IC製造中之使用，但應明確理解，此類設備及/或系統具有許多其他可能的應用。舉例而言，其可用於製造整合式光學系統、用於磁疇記憶體之導引及偵測圖案、LCD面板、薄膜磁頭等中。熟習此項技術者將瞭解，在此類替代應用之內容背景中，本文中之術語「倍縮光罩」、「晶圓」或「晶粒」之任何使用應視為分別由更一般術語「光罩」、「基板」及「目標部分」替代。
儘管上文已描述本發明之特定實施例，但應瞭解，可以與所描述之方式不同的其他方式來實踐本發明。描述不意欲限制本發明。
應瞭解，實施方式章節而非發明內容及摘要章節意欲用以解釋申請專利範圍。發明內容及摘要章節可闡述如由一或多個發明人所預期的本發明之一或多個而非所有例示性實施例，且因此，並不意欲以任何方式來限制本發明及隨附申請專利範圍。
上文已藉助於說明指定功能及其關係之實施的功能建置區塊來描述本發明。為了便於描述，本文已任意地定義此等功能建置區塊之邊界。只要適當地進行指定功能及該等功能之關係，便可界定替代邊界。
對特定實施例之前述描述將因此充分地揭示本發明之一般性質使得在不脫離本發明之一般概念的情況下，其他人可藉由應用熟習此項技術者所瞭解之知識針對各種應用而容易地修改及/或調適該等特定實施例，而無需進行不當實驗。因此，基於本文中所呈現之教示及導引，此等調適及修改意欲在所揭示之實施例之等效者的含義及範圍內。
受保護主題之廣度及範疇不應受上述例示性實施例中之任一者限制，但應僅根據以下申請專利範圍及其等效者予以界定。
可使用以下條項進一步描述實施例： 1.一種微影設備，其包含： 一照明系統，其經組態以照明一圖案化裝置之一圖案，其中該照明系統包含： 一第一外殼，其經組態以圍封一第一環境，其中該外殼包含一第一開口及對應於該第一開口之一第一連接結構； 一第二外殼，其包含一第二連接結構，其中該第二連接結構經組態以耦接至該第一連接結構以防止該第一環境與該第一外殼及該第二外殼外之一第二環境之物質的混合； 一密封裝置，其經組態以安置於該第一連接結構與該第二連接結構之間以防止該等物質的該混合，其中該密封裝置之一材料對該第一環境發生化學反應性；及 一保護裝置，其中該保護裝置經組態以安置於接近該第一環境之該密封裝置上以將該密封裝置與該第一環境屏蔽開；及 一投影系統，其經組態以將該圖案之一影像投影至一基板上。 2.如條項1之微影設備，其中： 該第二外殼進一步包含對應於該第二連接結構之一第二開口；且 該耦接使得該第一環境之一物質可在該第一外殼與該第二外殼之間轉移。 3.如條項1之微影設備，其中該保護裝置之一材料包含一彈性體。 4.如條項1之微影設備，其中該密封裝置包含一金屬墊片。 5.如條項4之微影設備，其中： 該金屬墊片具有一環狀形狀； 該金屬墊片之該環狀形狀之一外邊界經組態以接近該第二環境而安置；且 該保護裝置具有一環狀形狀； 該保護裝置之該環狀形狀之一內圓周經組態以接近該第一環境而安置；且 該保護裝置之該環狀形狀之一外圓周經組態以接近該金屬墊片之該環狀形狀之該內圓周而安置。 6.如條項1之微影設備，其中該保護裝置經組態以在該密封裝置與該第一外殼及/或該第二外殼之一內部之間提供一洩漏路徑，且防止該第一環境之一物質進入該洩漏路徑。 7.如條項6之微影設備，其中該洩漏路徑之一形狀與溫度相關，且該洩漏路徑存在於室溫下。 8.如條項7之微影設備，其中該保護裝置包含： 一彈性體結構，其經組態以接近該第一連接結構及該第二連接結構中之一者而安置；及 一金屬結構，其經組態以接近該第一連接結構及該第二連接結構中之另一者而安置，使得形成該洩漏路徑。 9.如條項1之微影設備，其中： 該第一環境包含一熔融固體，該熔融固體經組態以與該密封裝置之該材料發生化學反應性；且 該保護裝置之一材料經組態以對該熔融固體具有耐化學性。 10.如條項1之微影設備，其中該密封裝置包含經組態以耦接至該保護裝置之一耦接特徵。 11.一種系統，其包含： 一第一外殼，其經組態以圍封一第一環境，其中該外殼包含一第一開口及對應於該第一開口之一第一連接結構； 一第二外殼，其包含一第二連接結構，其中該第二連接結構經組態以耦接至該第一連接結構以防止該第一環境與該第一外殼及該第二外殼外之一第二環境之間之物質的混合； 一密封裝置，其經組態以安置於該第一連接結構與該第二連接結構之間以防止該等物質的該混合，其中該密封裝置之一材料對該第一環境發生化學反應性；及 一保護裝置，其中該保護裝置經組態以安置於接近該第一環境之該密封裝置上以將該密封裝置與該第一環境屏蔽開。 12.如條項11之系統，其中： 該第二外殼進一步包含對應於該第二連接結構之一第二開口；且 該耦接使得該第一環境可在該第一外殼與該第二外殼之間轉移。 13.如條項11之系統，其中該保護裝置之一材料包含一彈性體。 14.如條項11之系統，其中該密封裝置包含一金屬墊片。 15.如條項14之系統，其中： 該金屬墊片具有一環狀形狀； 該金屬墊片之該環狀形狀之一外邊界經組態以接近該第二環境而安置；且 該保護裝置具有一環狀形狀； 該保護裝置之該環狀形狀之一內圓周經組態以接近該第一環境而安置；且 該保護裝置之該環狀形狀之一外圓周經組態以接觸該金屬墊片之該環狀形狀之該內圓周。 16.如條項11之系統，其中該保護裝置經組態以在該密封裝置與該第一外殼及/或該第二外殼之一內部及該密封裝置之間提供一洩漏路徑，且防止該第一環境之一物質進入該洩漏路徑。 17.如條項16之系統，其中該洩漏路徑之一形狀經組態以與溫度相關，且該洩漏路徑存在於室溫下。 18.如條項17之系統，其中該保護裝置包含： 一彈性體結構，其經組態以接近該第一連接結構及該第二連接結構中之一者而安置；及 一金屬結構，其經組態以接近該第一連接結構及該第二連接結構中之另一者而安置，使得形成該洩漏路徑。 19.如條項11之系統，其中： 該第一環境包含一熔融固體，該熔融固體經組態以與該密封裝置之該材料發生化學反應性；且 該保護裝置之一材料經組態以對該熔融固體具有耐化學性。 20.一種照明系統，其包含： 一極紫外線輻射源； 一第一外殼，其經組態以圍封一第一環境，其中該外殼包含一第一開口及對應於該第一開口之一第一連接結構； 一第二外殼，其包含一第二連接結構，其中該第二連接結構經組態以耦接至該第一連接結構以防止該第一環境與該第一外殼及該第二外殼外之一第二環境之間之物質的混合； 一密封裝置，其經組態以安置於該第一連接結構與該第二連接結構之間以防止該等物質的該混合，其中該密封裝置之一材料經組態以對該第一環境發生化學反應性；及 一保護裝置，其中該保護裝置經組態以安置於接近該第一環境之該密封裝置上以將該密封裝置與該第一環境屏蔽開。
其他實施係在以下申請專利範圍之範疇內。
100:微影設備 210:EUV輻射發射電漿/極熱電漿 211:源腔室 212:收集器腔室 219:開口 220:結構 221:輻射光束 222:琢面化場鏡面裝置 224:琢面化光瞳鏡面裝置 226:圖案化光束 228:反射元件 229:反射元件 230:污染物截留器 240:光柵光譜濾光器 251:上游輻射收集器側 252:下游輻射收集器側 253:掠入射反射器 254:掠入射反射器 255:掠入射反射器 256:曝光裝置 258:收集器光學器件 302:雷射系統 304:輻照區 306:光束調節單元 308:源材料遞送系統 310:控制器 312:驅動雷射控制系統 314:小滴成像器 316:小滴位置偵測回饋系統 318:中間區 320:氣體施配器裝置 400:微影製造單元 500:連接裝置 502:外殼 504:外殼 506:密封裝置 508:保護裝置 510:連接結構 512:開口 514:連接結構 516:開口 518:內部環境 520:外部環境 600:連接裝置 606:密封裝置 608:保護裝置 610:連接結構 614:連接結構 618:第一環境 620:第二環境 622:耦接特徵 623:匹配耦接特徵 624:洩漏路徑 700:連接裝置 706:密封裝置 708:保護裝置 708a:結構 708b:結構 710:連接結構 714:連接結構 718:環境 724:洩漏路徑 B:輻射光束 BD:光束輸送系統 BK:烘烤板 C:目標部分 CH:冷卻板 CO:輻射收集器 DE:顯影器 ES:感測器 I/O1:輸入/輸出埠 I/O2:輸入/輸出埠 IF1:位置感測器 IF2:位置感測器 IL:照明系統 INTF:虛擬源點 LACU:微影控制單元 LB:裝載匣 M1:光罩對準標記 M2:光罩對準標記 MA:圖案化裝置 MS:量測感測器 MT:支撐結構 O:光軸 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PM:第一定位器 PS:投影系統 PW:第二定位器 RO:基板處置器 SC:旋塗器 SCS:監督控制系統 SO:輻射源 TCU:塗佈顯影系統控制單元 UC:均一性補償器 W:基板 WT:基板台
併入本文中且形成本說明書之部分的隨附圖式說明本發明，且連同描述進一步用以解釋本發明之原理且使熟習相關技術者能夠製造及使用本文中所描述之實施例。
圖1展示根據一些實施例之反射微影設備。
圖2A、圖2B及圖3展示根據一些實施例之反射微影設備之更多細節。
圖4展示根據一些實施例之微影單元。
圖5至圖7展示根據一些實施例之連接裝置。
本發明之特徵將自結合圖式在下文闡述之詳細描述變得顯而易見，在圖式中，相似參考標號貫穿全文標識對應元件。在該等圖式中，相似參考編號通常指示相同、功能上類似及/或結構上類似之元件。另外，大體而言，參考編號之最左數字標識首次出現該參考編號之圖式。除非另外指示，否則貫穿本發明提供之圖式不應解譯為按比例繪製。
500:連接裝置
502:外殼
504:外殼
506:密封裝置
508:保護裝置
510:連接結構
512:開口
514:連接結構
516:開口
518:內部環境
520:外部環境

Claims (20)

  1. 一種微影設備，其包含： 一照明系統，其經組態以照明一圖案化裝置之一圖案，其中該照明系統包含： 一第一外殼，其經組態以圍封一第一環境，其中該外殼包含一第一開口及對應於該第一開口之一第一連接結構； 一第二外殼，其包含一第二連接結構，其中該第二連接結構經組態以耦接至該第一連接結構以防止該第一環境與該第一外殼及該第二外殼外之一第二環境之物質的混合； 一密封裝置，其經組態以安置於該第一連接結構與該第二連接結構之間以防止該等物質的該混合，其中該密封裝置之一材料對該第一環境發生化學反應性；及 一保護裝置，其中該保護裝置經組態以安置於接近該第一環境之該密封裝置上以將該密封裝置與該第一環境屏蔽開；及 一投影系統，其經組態以將該圖案之一影像投影至一基板上。
  2. 如請求項1之微影設備，其中： 該第二外殼進一步包含對應於該第二連接結構之一第二開口；且 該耦接使得該第一環境之一物質可在該第一外殼與該第二外殼之間轉移。
  3. 如請求項1之微影設備，其中該保護裝置之一材料包含一彈性體。
  4. 如請求項1之微影設備，其中該密封裝置包含一金屬墊片。
  5. 如請求項4之微影設備，其中： 該金屬墊片具有一環狀形狀； 該金屬墊片之該環狀形狀之一外邊界經組態以接近該第二環境而安置；且 該保護裝置具有一環狀形狀； 該保護裝置之該環狀形狀之一內圓周經組態以接近該第一環境而安置；且 該保護裝置之該環狀形狀之一外圓周經組態以接近該金屬墊片之該環狀形狀之該內圓周而安置。
  6. 如請求項1之微影設備，其中該保護裝置經組態以在該密封裝置與該第一外殼及/或該第二外殼之一內部之間提供一洩漏路徑，且防止該第一環境之一物質進入該洩漏路徑。
  7. 如請求項6之微影設備，其中該洩漏路徑之一形狀與溫度相關，且該洩漏路徑存在於室溫下。
  8. 如請求項7之微影設備，其中該保護裝置包含： 一彈性體結構，其經組態以接近該第一連接結構及該第二連接結構中之一者而安置；及 一金屬結構，其經組態以接近該第一連接結構及該第二連接結構中之另一者而安置，使得形成該洩漏路徑。
  9. 如請求項1之微影設備，其中： 該第一環境包含一熔融固體，該熔融固體經組態以與該密封裝置之該材料發生化學反應性；且 該保護裝置之一材料經組態以對該熔融固體具有耐化學性。
  10. 如請求項1之微影設備，其中該密封裝置包含經組態以耦接至該保護裝置之一耦接特徵。
  11. 一種系統，其包含： 一第一外殼，其經組態以圍封一第一環境，其中該外殼包含一第一開口及對應於該第一開口之一第一連接結構； 一第二外殼，其包含一第二連接結構，其中該第二連接結構經組態以耦接至該第一連接結構以防止該第一環境與該第一外殼及該第二外殼外之一第二環境之間之物質的混合； 一密封裝置，其經組態以安置於該第一連接結構與該第二連接結構之間以防止該等物質的該混合，其中該密封裝置之一材料對該第一環境發生化學反應性；及 一保護裝置，其中該保護裝置經組態以安置於接近該第一環境之該密封裝置上以將該密封裝置與該第一環境屏蔽開。
  12. 如請求項11之系統，其中： 該第二外殼進一步包含對應於該第二連接結構之一第二開口；且 該耦接使得該第一環境可在該第一外殼與該第二外殼之間轉移。
  13. 如請求項11之系統，其中該保護裝置之一材料包含一彈性體。
  14. 如請求項11之系統，其中該密封裝置包含一金屬墊片。
  15. 如請求項14之系統，其中： 該金屬墊片具有一環狀形狀； 該金屬墊片之該環狀形狀之一外邊界經組態以接近該第二環境而安置；且 該保護裝置具有一環狀形狀； 該保護裝置之該環狀形狀之一內圓周經組態以接近該第一環境而安置；且 該保護裝置之該環狀形狀之一外圓周經組態以接觸該金屬墊片之該環狀形狀之該內圓周。
  16. 如請求項11之系統，其中該保護裝置經組態以在該密封裝置與該第一外殼及/或該第二外殼之一內部及該密封裝置之間提供一洩漏路徑，且防止該第一環境之一物質進入該洩漏路徑。
  17. 如請求項16之系統，其中該洩漏路徑之一形狀經組態以與溫度相關，且該洩漏路徑存在於室溫下。
  18. 如請求項17之系統，其中該保護裝置包含： 一彈性體結構，其經組態以接近該第一連接結構及該第二連接結構中之一者而安置；及 一金屬結構，其經組態以接近該第一連接結構及該第二連接結構中之另一者而安置，使得形成該洩漏路徑。
  19. 如請求項11之系統，其中： 該第一環境包含一熔融固體，該熔融固體經組態以與該密封裝置之該材料發生化學反應性；且 該保護裝置之一材料經組態以對該熔融固體具有耐化學性。
  20. 一種照明系統，其包含： 一極紫外線輻射源； 一第一外殼，其經組態以圍封一第一環境，其中該外殼包含一第一開口及對應於該第一開口之一第一連接結構； 一第二外殼，其包含一第二連接結構，其中該第二連接結構經組態以耦接至該第一連接結構以防止該第一環境與該第一外殼及該第二外殼外之一第二環境之間之物質的混合； 一密封裝置，其經組態以安置於該第一連接結構與該第二連接結構之間以防止該等物質的該混合，其中該密封裝置之一材料經組態以對該第一環境發生化學反應性；及 一保護裝置，其中該保護裝置經組態以安置於接近該第一環境之該密封裝置上以將該密封裝置與該第一環境屏蔽開。
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