KR100897198B1 - 편광 소자의 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

편광 소자의 제조 방법이 개시되어 있다. 편광 소자의 제조를 위하여, 기판 상에 포토레지스트층을 형성한 후, 포토레지스트층을 패터닝하여 기판이 노출되도록 스트라이프 형상의 홀들이 형성된 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이후, 포토레지스트 패턴이 형성된 기판 상에 금속층을 증착한 후, 등방성 식각을 통해 포토레지스트 패턴을 식각하여 와이어 그리드 패턴을 형성한다. 포토레지스트 패턴을 형성하기 위하여, 스트라이프 형상의 돌기들이 일정한 간격으로 형성된 스템퍼를 이용하여 포토레지스트층에 스템핑한 후, 스템핑된 포토레지스트층을 애싱하여 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 포토레지스트층의 애싱 공정은 대기압 하에서 진행할 수 있다. 따라서, 편광 소자의 제조 비용을 절감시키고, 대형 제품을 용이하게 제작할 수 있다.

Description

편광 소자의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING POLARIZER}
본 발명은 편광 소자의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 입사되는 광 중에서 특정 방향의 편광만을 투과시키는 편광 소자의 제조 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정을 이용하여 영상을 표시하는 액정표시패널의 양면에는 편광판이 사용된다. 편광판은 백라이트 유닛으로부터 공급되는 광 중에서 특정 방향의 편광만을 투과시키며, 이론적으로 최대 50% 정도의 광만을 투과시킨다. 그러나, 실질적으로는 편광판 자체의 광 손실에 의해 광 투과율이 더욱 낮아지는 문제가 있다. 또한, 액정표시패널의 제작 비용 중에서 편광판의 재료비가 약 30% 정도를 차지하여 전체적인 제조 비용을 증가시키는 문제가 있다.
이러한 문제를 해결하기 위하여, 최근에는 기판 상에 나노 스케일의 금속 패턴을 스트라이프 형태로 형성한 와이어 그리드 편광판(Wire Grid Polarizer : WGP)에 대한 개발이 진행되고 있다.
종래의 와이어 그리드 편광판을 제조하는 방법으로는 나노 스케일의 포토리소그라피(photolithography) 공정을 적용하는 방법을 대표적인 예로 들수 있다.
그러나, 포토리소그라피 공정을 적용하는 경우에는 알루미늄, 크롬 등으로 이루어진 금속 스트라이프 패턴은 비교적 손쉽게 형성할 수 있으나, 제조 비용이 증가되고, 대형 제품에 적용하기 어렵다는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명은 편광 소자의 제조 비용을 절감시키고, 대형화에 유리한 편광 소자의 제조 방법을 제공한다.
본 발명의 일 특징에 따른 박막 트랜지스터의 제조 방법에 따르면, 기판 상에 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트층을 패터닝하여 상기 기판이 노출되도록 스트라이프 형상의 홀들이 형성된 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이후, 상기 포토레지스트 패턴이 형성된 상기 기판 상에 금속층을 증착한 후, 등방성 식각을 통해 상기 포토레지스트 패턴을 식각하여 와이어 그리드 패턴을 형성한다.
상기 포토레지스트 패턴을 형성하기 위하여, 스트라이프 형상의 돌기들이 일정한 간격으로 형성된 스템퍼를 이용하여 상기 포토레지스트층에 스템핑한 후, 스템핑된 상기 포토레지스트층을 애싱하여 상기 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 스템퍼는 실리콘 웨이퍼를 가공하여 상기 돌기들을 형성한 것일 수 있다. 또한, 상기 스템퍼는 복수의 상기 실리콘 웨이퍼들이 측면 결합되어 대형으로 제작될 수 있다.
상기 포토레지스트층의 애싱 공정은 산소(O2)를 이용하여 대기압 하에서 진행할 수 있다.
상기 금속층은 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 알루미늄 몰리브덴 옥사이드(AMO) 를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 특징에 따른 편광 소자의 제조 방법에 따르면, 기판 상에 포토레지스트층을 형성한 후, 상기 포토레지스트층을 패터닝하여 상기 기판이 노출되도록 스트라이프 형상의 홀들이 형성된 포토레지스트 패턴을 형성한다. 이후, 상기 홀들에 와이어 그리드 패턴을 형성한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 제거한다.
상기 포토레지스트 패턴을 형성하기 위하여, 스트라이프 형상의 돌기들이 일정한 간격으로 형성된 스템퍼를 이용하여 상기 포토레지스트층에 스템핑한 후, 스템핑된 상기 포토레지스트층을 애싱하여 상기 포토레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 상기 포토레지스트층의 애싱 공정은 산소(O2)를 이용하여 대기압 하에서 진행할 수 있다.
상기 와이어 그리드 패턴을 형성하기 위하여, 일 예로, 상기 홀들에 도전성의 나노 입자를 채운 후, 상기 나노 입자를 용융시킨 후 응고시켜 상기 와이어 그리드 패턴을 형성할 수 있다. 상기 나노 입자들이 상기 홀들에 고르게 채워질 수 있도록 상기 기판에 초음파를 가하여 미세하게 흔들어줄 수 있다. 상기 홀들에 채워진 상기 나노 입자는 인덕션 히터를 이용하여 용융시킬 수 있다. 이와 달리, 상기 홀들에 채워진 상기 나노 입자는 적외선 램프를 이용하여 용융시킬 수 있다.
상기 와이어 그리드 패턴을 형성하기 위하여, 다른 예로, 상기 홀들에 액상의 금속물질을 채운 후, 상기 액상의 금속물질을 응고시켜 상기 와이어 그리드 패턴을 형성할 수 있다. 상기 액상의 금속물질이 상기 홀들에 빠르게 채워질 수 있도록 상기 기판의 상부에서 에어를 불어줄 수 있다. 또한, 상기 액상의 금속물질이 상기 홀들에 빠르게 채워질 수 있도록 상기 기판에 초음파를 가하여 미세하게 흔들어줄 수 있다.
상기 포토레지스트 패턴은 산소(O2)를 이용하여 대기압 하에서 애싱 공정을 통해 제거할 수 있다.
이와 같은 편광 소자의 제조 방법에 따르면, 스탬핑 공정과 애싱 공정 등의 비교적 간단한 공정을 통해 편광 소자를 제조함으로써, 포토리소그라피 공정에 비하여 제조 비용을 줄이고 대형 제품을 용이하게 제조할 수 있다.
상술한 본 발명의 특징 및 효과는 첨부된 도면과 관련한 다음의 상세한 설명을 통하여 보다 분명해 질 것이며, 그에 따라 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 본 발명은 하기의 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구현될 수도 있다. 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 보다 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 기술적 사상과 특징이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공된다. 도면들에 있어서, 각 장치 또는 막(층) 및 영역들의 두께는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 과장되게 도시되었으며, 또한 각 장치는 본 명세서에서 설명되지 아니한 다양한 부가 장치들을 구비할 수 있으며, 막(층)이 다른 막(층) 또는 기판 상에 위치하는 것으로 언급되는 경우, 다른 막(층) 또는 기판 상에 직접 형성되거나 그들 사이에 추가적인 막(층)이 개재될 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조된 편광 소자를 나타낸 사시도이며, 도 2는 도 1에 도시된 편광 소자의 단면을 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 편광 소자(100)는 기판(110) 및 기판(110) 상에 형성된 와이어 그리드 패턴(120)을 포함한다.
기판(110)은 투명한 유리로 형성될 수 있다. 또한, 기판(110)은 예를 들어, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 합성 수지를 통해 필름 형태로 형성될 수 있다.
와이어 그리드 패턴(120)은 기판(110)의 일면 상에 형성된다. 와이어 그리드 패턴(120)은 일방향으로 길게 연장되는 스트라이프(stripe) 형태의 격자선들(122)이 일정한 간격으로 배열된 구조를 갖는다.
와이어 그리드 패턴(120)은 광반사율이 높은 금속 또는 금속 산화물로 형성된다. 예를 들어, 와이어 그리드 패턴(120)은 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au) 및 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni) 등의 단일 금속 또는 이들의 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 와이어 그리드 패턴(120)은 상기한 단일 금속 또는 합금이 복수의 층으로 적층된 다층 구조로 형성될 수 있다. 또한, 와이어 그리드 패턴(120)은 반사율이 높고 가공성이 우수한 알루미늄 몰리브덴 옥사이드(AMO)로 형성될 수 있다. 바람직하게, 와이어 그리드 패턴(120)은 우수한 광반사율과 낮은 광흡수율을 갖는 알루미늄(Al), 은(Ag) 또는 알루미늄 몰리브덴 옥사이드(AMO)로 형성된다.
일반적으로, 와이어 그리드 패턴(120)의 편광기능은 격자선들(122) 중심 간의 간격으로 정의되는 피치(P), 격자선(122)의 선폭(W) 및 높이(H)에 영향을 받는다. 와이어 그리드 패턴(120)이 편광자 기능을 하기 위해서는 격자선들(122) 간의 피치(P)가 입사광의 파장보다 작아야 한다. 만약, 피치(P)가 입사광의 파장보다 크면, 와이어 그리드 패턴(120)은 편광자보다는 회절격자의 기능을 하여 입사광을 회절시킨다.
액정표시패널을 포함하는 표시 장치는 가시광선을 이용하여 영상을 표시하므로, 편광 소자(100)를 액정표시장치에 적용하기 위해서는 와이어 그리드 패턴(120)이 가시광선에 대하여 우수한 편광도를 갖는 것이 바람직하다. 가시광선의 파장이 약 400㎚ ~ 700㎚ 임을 고려하면, 와이어 그리드 패턴(120)의 피치(P)는 400㎚ 이하로 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 가시광선에 대한 보다 확실한 편광을 위하여, 와이어 그리드 패턴(120)의 피치(P)는 약 100㎚ ~ 200㎚로 설계되고, 격자선(122)의 선폭(W)은 피치(P)의 약 0.5배인 50㎚ ~ 100㎚ 정도로 설계될 수 있다.
한편, 편광 소자(100)의 편광투과율은 편광 소자(100)에 입사된 광량에 대해 편광투과된 광량의 비율로 정의된다. 편광 소자(100)의 편광투과율은 피치(P) 및 선폭(W)보다는 격자선(122)의 높이(H)에 더 큰 영향을 받는다. 예를 들어, 편광 소자(100)의 편광투과율을 높이기 위하여, 격자선(122)의 높이(H)는 피치(P)와 약 1:1의 비율로 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 격자선(122)은 약 100㎚ ~ 200㎚의 높이(H)로 형성된다.
이하, 도 1 및 도 2에 도시된 편광 소자의 제조 방법에 대하여 도면을 참고 하여 설명하기로 한다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 편광 소자의 제조 방법을 나타낸 공정도들이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 편광 소자(100)를 제조하기 위하여, 기판(110) 상에 포토레지스트층(130)을 형성한다. 포토레지스트층(130)은 스핀 도핑 등의 방법을 통해 기판(110)의 상부에 전체적으로 균일한 두께로 형성된다. 포토레지스트층(130)은 열 또는 광에 의해 경화되는 물질로써, 경화 전에는 어느 정도의 점성을 갖는 액체 상태를 유지한다.
도 4를 참조하면, 포토레지스트층(130)을 형성한 후, 스템퍼(200)를 이용하여 포토레지스트층(130)을 스템핑한다.
스템퍼(200)는 스트라이프 형상의 돌기들(210)이 일정한 간격으로 형성된 구조를 갖는다. 예를 들어, 스템퍼(200)는 실리콘 웨이퍼의 표면을 가공하여 돌기들(210)을 형성한 것일 수 있다. 한편, 실리콘 웨이퍼의 크기는 한정되어 있으므로, 대형의 편광 소자를 제조하기 위해서, 돌기들(210)이 형성된 복수의 실리콘 웨이퍼들을 측면 결합하여 대형의 스템퍼(200)를 제작할 수 있다. 이때, 실리콘 웨이퍼들의 측면 결합은 레이저를 이용하여 실리콘 웨이퍼들의 측면을 순간적으로 녹였다가 붙이는 방식으로 진행될 수 있다.
스템퍼(200)를 돌기들(210)이 형성된 면이 포토레지스트층(130)과 마주보도록 배치한 상태에서, 스템퍼(200)를 압착시켰다 떨어뜨리면, 포토레지스트층(130)에 돌기들(210)에 대응되는 스트라이프 형상의 홀들(132)이 형성된다. 그러나, 스 템퍼(200)의 스템핑시, 아무리 정교하게 스템핑을 한다 하여도 돌기들(210)에 대응되는 영역의 포토레지스트가 완전히 없어지지 않고 어느 정도의 포토레지스트가 기판(110) 상에 남아 있게 된다.
한편, 스트라이프 형상의 패턴 홈들(132)이 형성된 포토레지스트층(140)의 형상을 유지시키기 위하여, 열 또는 광을 가하여 포토레지스트층(130)을 경화시킬 수 있다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 홀들(132)이 형성된 영역에 잔존하는 포토레지스트를 완전히 제거하기 위하여, 스템핑된 포토레지스트층(130)을 애싱(ashing)하여 홀들(132) 영역에서 기판(110)이 완전히 노출되도록 스트라이프 형상의 홀들(132)이 형성된 포토레지스트 패턴(134)을 형성한다. 이때, 포토레지스트층(130)의 애싱 공정은 산소(O2)를 이용하여 대기압 하에서 진행될 수 있다. 이처럼, 대기압 하에서 애싱 공정을 진행하면 별도의 진공 설비 없이도 간단하게 홀들(132)이 형성된 포토레지스트 패턴(134)을 형성할 수 있다. 이와 달리, 포토레지스트층(130)의 애싱 공정은 진공 챔버 내에서 진행될 수도 있다.
도 6을 참조하면, 포토레지스트 패턴(134)이 형성된 기판(110) 상에 금속층(140)을 증착한다. 금속층(140)의 증착 두께를 포토레지스트 패턴(134)의 두께보다 낮게 형성하면, 금속층(140)은 홀들(132) 내부와 포토레지스트 패턴(134)의 상부에 소정 두께로 형성된다. 이때, 홀들(132) 내부에 형성된 금속층(140)과 포토레지스트 패턴(134)의 상부에 형성된 금속층(140)은 서로 연결되지 않으므로, 포토레지스트 패턴(134)의 상부 영역이 외부로 노출된다.
금속층(140)은 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au) 및 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni) 등의 단일 금속 또는 이들의 합금으로 형성되거나, 또는 상기한 단일 금속 또는 합금이 복수의 층으로 적층된 다층 구조로 형성될 수 있다. 또한, 금속층(140)은 알루미늄 몰리브덴 옥사이드(AMO) 등의 금속 산화물로 형성될 수 있다.
이후, 등방성 식각 즉, 습식 식각을 통해 포토레지스트 패턴(134)을 식각하여 포토레지스트 패턴(134) 및 포토레지스트 패턴(134) 상에 존재하는 금속층(140)을 제거한다. 즉, 포토레지스트 패턴(134)을 식각할 수 있는 식각 용액에 도 6에 도시된 기판(110)을 담그게 되면, 포토레지스트 패턴(134)이 식각되면서 그 위에 있던 금속층(140)도 같이 제거되고, 기판(110) 상에 존재하는 금속층(140) 만이 남게 된다. 이러한 리프트 오프(lift off) 공정을 통해 도 2에 도시된 편광 소자(100)의 제조가 완료된다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 편광 소자의 제조 방법을 나타낸 공정도들이다. 본 실시예에서, 기판(110) 상에 스트라이프 형상의 홀들(132)이 형성된 포토레지스트 패턴(134)을 형성하는 과정까지는 도 3 내지 도 5에 도시된 것과 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 5 및 도 7을 참조하면, 도 5에 도시된 바와 같이 스트라이프 형상의 홀들(132)이 형성된 포토레지스트 패턴(134)을 형성한 후, 홀들(132)에 도전성의 나노 입자들(150)을 채워 넣는다. 도전성의 나노 입자(150)는 홀(132)에 채워질 수 있도록 홀(132)의 폭 및 높이보다 작은 크기인 수 ㎚에서 수십 ㎚의 크기로 형성된 다. 도전성의 나노 입자(150)는 예를 들어, 알루미늄(Al), 은(Ag), 구리(Cu), 금(Au), 몰리브덴(Mo) 및 니켈(Ni) 등의 금속 입자로 형성될 수 있다.
한편, 도전성의 나노 입자들(150)을 홀들(132)에 채우는 것은 다양한 방법을 통해 가능하나, 특히, 도전성의 나노 입자들(150)을 포토레지스트 패턴(134)이 형성된 기판(110) 상에 뿌린 상태에서, 기판(110)에 초음파를 가하여 미세하게 흔들어줌으로써, 나노 입자들(150)을 홀들(132) 내에 고르게 채울 수 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 도전성의 나노 입자들(150)을 홀들(132)에 채워 넣은 후, 나노 입자들(150)을 용융시킨 후 응고시켜 와이어 그리드 패턴(122)을 형성한다. 홀들(132)에 채워진 나노 입자들(150)은 예를 들어, 인덕션 히터(induction heater, 160)를 통해 용융시킬 수 있다. 즉, 인덕션 히터(160)의 내부 코일에 교류전류를 통과시키면 코일에는 시간에 따라 방향이 변하는 교류자기장이 형성된다. 이때 도체로 이루어진 나노 입자(150)에 교류자력이 가해지게 되며 나노 입자(150)에는 전자기유도 현상에 의해 소용돌이 전류(와전류)가 발생되고, 이러한 와전류로 인해 발생되는 줄열에 의해 나노 입자(150)가 가열되어 용융된다. 이와 같이, 도체만 가열하는 인덕션 히터(160)를 사용함으로써, 기판(110) 및 포토레지스트 패턴(134)에 가해질 수 있는 스트레스를 최소화시킬 수 있다. 한편, 인덕션 히터(160)는 도면과는 달리 기판(110)의 상부에 배치될 수도 있다.
도 9는 나노 입자를 용융시키는 다른 실시예를 나타낸 도면이다.
도 9를 참조하면, 홀들(132)에 채워진 나노 입자들(150)은 적외선 램프(180)를 통해 용융시킬 수 있다. 예를 들어, 기판(110)의 상부에 설치된 적외선 램 프(180)를 일 방향으로 스캔하면서 적외선 램프(180)로부터 공급되는 열을 통해 나노 입자들(150)을 용융시킬 수 있다. 이 외에도, 기판(110)을 가열시키는 방법 등의 다양한 방법을 통해 나노 입자들(150)을 용융시킬 수도 있다.
이후, 기판(110) 상에 남아 있는 포토레지스트 패턴(134)을 제거함으로써, 도 2에 도시된 편광 소자(100)의 제조가 완료된다. 포토레지스트 패턴(134)의 제거는 애싱 공정을 통해 진행할 수 있다. 이때, 포토레지스트 패턴(134)을 제거하기 위한 애싱 공정은 도 5에서와 마찬가지로, 산소(O2)를 이용하여 대기압 하에서 진행하거나, 진공 챔버 내에서 진행할 수 있다. 특히, 대기압 하에서 애싱 공정을 진행하면 별도의 진공 설비 없이 간단하게 포토레지스트 패턴(134)을 제거할 수 있어 제조 비용을 절감할 수 있다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 편광 소자의 제조 방법을 나타낸 공정도이다. 본 실시예에서, 기판(110) 상에 스트라이프 형상의 홀들(132)이 형성된 포토레지스트 패턴(134)을 형성하는 과정까지는 도 3 내지 도 5에 도시된 것과 동일하므로, 이에 대한 설명은 생략하기로 한다.
도 5 및 도 10을 참조하면, 도 5에 도시된 바와 같이 스트라이프 형상의 홀들(132)이 형성된 포토레지스트 패턴(134)을 형성한 후, 홀들(132)에 액상의 금속물질(170)을 채워 넣는다. 액상의 금속물질(170)을 홀들(132)에 채우는 방법은 다양하게 이루어질 수 있다. 예를 들어, 홀들(132)이 스트라이프 형상을 가지므로, 홀들(132)의 일단에 액상의 금속물질(170)을 투입하여 홀들(132)의 타단까지 흘러하게 하는 방법과, 액상의 금속물질(170)을 전체적으로 도포한 후 블레이드 등으로 포토레지스트 패턴(134)의 상부를 긁어내는 방법 등을 예로 들수 있다. 또한, 기판(110)을 기울이거나, 에어를 가해주거나, 또는 초음파를 가해주는 방법 등을 통해 액상의 금속물질(170)을 빠른 시간 내에 균일하게 채울 수 있다.
이후, 액상의 금속물질(170)을 응고시킨 후, 앞선 실시예와 동일하게 포토레지스트 패턴(134)을 제거하면, 도 2에 도시된 바와 같이 와이어 그리드 패턴(122)이 형성된 편광 소자(100)의 제조가 완료된다.
이와 같은 편광 소자의 제조 방법에 따르면, 스탬핑 공정과 애싱 공정 등의 비교적 간단한 공정을 통해 편광 소자를 제조함으로써, 포토리소그라피 공정에 비하여 제조 비용을 줄이고 대형 제품을 용이하게 제조할 수 있다.
앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조된 편광 소자를 나타낸 사시도이며,
도 2는 도 1에 도시된 편광 소자의 단면을 나타낸 단면도이다.
도 3 내지 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 편광 소자의 제조 방법을 나타낸 공정도들이다.
도 7 및 도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 편광 소자의 제조 방법을 나타낸 공정도들이다.
도 9는 나노 입자를 용융시키는 다른 실시예를 나타낸 도면이다.
도 10은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 편광 소자의 제조 방법을 나타낸 공정도이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
100 : 편광 소자 110 : 기판
120 : 와이어 그리드 패턴 130 : 포토레지스트층
132 : 홀 134 : 포토레지스트 패턴
140 : 금속층 150 : 도전성 나노 입자
200 : 스템퍼

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  7. 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트층을 패터닝하여 상기 기판이 노출되도록 스트라이프 형상의 홀들이 형성된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 홀들에 도전성의 나노 입자를 채우는 단계;
    상기 기판에 초음파를 가하여 미세하게 흔들어주는 단계;
    상기 나노 입자를 용융시킨 후 응고시켜 와이어 그리드 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 편광 소자의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계는,
    스트라이프 형상의 돌기들이 일정한 간격으로 형성된 스템퍼를 이용하여 상기 포토레지스트층에 스템핑하는 단계; 및
    스템핑된 상기 포토레지스트층을 애싱하여 상기 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 편광 소자의 제조 방법.
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  16. 기판 상에 포토레지스트층을 형성하는 단계;
    상기 포토레지스트층을 패터닝하여 상기 기판이 노출되도록 스트라이프 형상의 홀들이 형성된 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
    상기 홀들에 액상의 금속물질을 채우는 단계;
    상기 액상의 금속물질을 응고시켜 와이어 그리드 패턴을 형성하는 단계; 및
    상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 편광 소자의 제조 방법.
  17. 제16항에 있어서, 상기 홀들에 액상의 금속물질을 채우는 단계에서,
    상기 기판의 상부에서 에어를 불어주는 것을 특징으로 하는 편광 소자의 제조 방법.
  18. 제16항에 있어서, 상기 홀들에 액상의 금속물질을 채우는 단계에서,
    상기 기판에 초음파를 가하여 미세하게 흔들어주는 것을 특징으로 하는 편광 소자의 제조 방법.
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