KR100896074B1 - 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템 Download PDF

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KR100896074B1 KR1020080040071A KR20080040071A KR100896074B1 KR 100896074 B1 KR100896074 B1 KR 100896074B1 KR 1020080040071 A KR1020080040071 A KR 1020080040071A KR 20080040071 A KR20080040071 A KR 20080040071A KR 100896074 B1 KR100896074 B1 KR 100896074B1
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projection material
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임승룡
김성신
심민석
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(주)실파인
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Abstract

본 발명은 인쇄된 패턴이 불량인 반도체 웨이퍼를 재활용하고자 불량인 반도체 웨이퍼에 미세분말의 투사재를 투사하여 불량인쇄패턴을 제거하는 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 인쇄된 패턴이 불량인 반도체 웨이퍼를 공급받아 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치에서 반도체 웨이퍼의 일면의 인쇄패턴을 제거하고, 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치에서 배출되는 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼는 반도체 웨이퍼 반전장치로 반전(뒤집어)시켜 제2 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치에 공급하여 인쇄된 패턴이 불량인 반도체 웨이퍼의 양측면의 인쇄패턴을 제거하도록 하는 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템에 관한 것이다.
이러한 본 발명의 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템은, 컨베이어로 공급되는 반도체 웨이퍼의 일면에 미세입자의 투사재를 압축공기와 함께 분사하여 인쇄패턴을 제거하는 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치와; 상기 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치로부터 배출되는 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼를 공급받아 반전시키는 다수개의 컨베이어로 이루어진 반도체 웨이퍼 반전장치와; 상기 반도체 웨이퍼 반전장치로부터 반전되어 공급되는 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼를 공급받아 나머지 일면의 인쇄패턴을 제거하는 컨베이어로 반도체 웨이퍼를 이동시키고, 컨베이어로 공급되는 반도체 웨이퍼의 나머지 일면에 미세입자의 투사재를 압축공기와 함께 분사하여 인쇄패턴을 제거하는 제2 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치로 이루어진다.
상기 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치와 제2 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치는, 불량인쇄패턴 웨이퍼(W)를 이동시키되 제거된 패턴의 분진과 투사된 투사재가 통과할 수 있도록 이루어진 컨베이어와; 상기 컨베이어로 이송되는 웨이퍼(W)의 표면에 압축공기와 함께 미세입자의 투사재를 투사하여 웨이퍼(W)의 표면에 인쇄된 패턴을 제거하는 투사노즐과; 상기 미세분말 투사장치보다는 웨이퍼(W)의 이송방향으로 뒤쪽에 설치되어 패턴이 제거된 웨이퍼(W)의 표면에 압축공기를 분사하여 이물질을 제거해주는 이물질제거노즐과; 상기 컨베이어의 하부에 설치되어 웨이퍼(W)의 패턴을 제거하고 컨베이어를 통과한 투사재와 분진을 포집하는 분진포집통과; 상기 분진포집통으로 모여진 투사재와 분진을 원심분리방식에 의하여 일정크기의 이상과 이하로 분리하는 사이클론과; 상기 사이클론으로부터 일정크기 이상의 재활용 투사재로부터 이물질을 제거하여 투사노즐(2)에 공급하는 이물질제거장치와; 상기 사이클론으로부터 분리된 일정크기 이하의 투사재와 분진을 집진하는 집진기를 포함하도록 이루어지며,
상기 다수개의 컨베이어로 이루어진 반도체 웨이퍼 반전장치는, 상기 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치로부터 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼(W)를 공급받아 이동시키는 제1 이송용 컨베이어와; 상기 제1 이송용 컨베이어의 하측에 설치되고, 제1 이송용 컨베이어에서 떨어지는 반도체 웨이퍼(W)의 일측을 반도체 웨이퍼(W)의 진행방향과 반대 방향으로 이동시키도록 제1 이송용 컨베이어와 반대방향으로 회전하는 반전용 컨베이어와; 상기 반전용 컨베이어의 상측에 설 치되고, 제1 이송용 컨베이어와 이격되게 설치되며 제1 이송용 컨베이어와 동일한 방향으로 회전하여 반전용 컨베이어에 의하여 반전된 반도체 웨이퍼(W)를 이송시키는 제2 이송용 컨베이어로 이루어진다.
반도체 웨이퍼, 투사장치, 이물질제거장치, 투사재

Description

반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템{System to remove print pattern of semiconductor wafer}
본 발명은 인쇄된 패턴이 불량인 반도체 웨이퍼를 재활용하고자 불량인 반도체 웨이퍼에 미세분말의 투사재를 투사하여 불량인쇄패턴을 제거하는 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 인쇄된 패턴이 불량인 반도체 웨이퍼를 공급받아 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치에서 반도체 웨이퍼의 일면의 인쇄패턴을 제거하고, 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치에서 배출되는 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼는 반도체 웨이퍼 반전장치로 반전(뒤집어)시켜 제2 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치에 공급하여 인쇄된 패턴이 불량인 반도체 웨이퍼의 양측면의 인쇄패턴을 제거하도록 하는 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 원판이라고 할 수 있는 웨이퍼는 실리콘 원료를 원통형으로 성장시켜 이를 얇게 자른 후 이를 그라인딩하여 표면을 매끈하게 가공 하고 그 표면에 반도체 패턴을 인쇄하여 구성하게 된다.
이러한 웨이퍼의 패턴 인쇄공정은 먼저 웨이퍼를 고온의 석영관안에서 산소와 반응시켜 실리콘 산화막을 만든 후 포토레지스트를 그 위에 도포하고, 회로의 패턴이 형성된 포토마스크를 놓고 노광한 다음 현상하며, 현상된 웨이퍼의 표면에 에칭액을 뿌려 실리콘 산화막을 에칭한 후 포토레지스트를 제거하고 세정하면 된다.
이러한 반도체 웨이퍼는 원통형의 실리콘 시드로부터 각각의 단위 웨이퍼로 절단하는 공정, 표면을 연마하는 그라인딩공정, 패턴 인쇄공정 등의 많은 과정을 거쳐 완성되고, 특히 패턴 인쇄공정은 산화막 형성, 포토레지스트 도포, 노광, 현상, 식각, 포토레지스트 제거, 세정 등 많은 공정으로 이루어지므로 반도체 웨이퍼를 제조하는 과정에서 웨이퍼 표면의 이물질혼재, 마스크의 패턴 불량, 노광 불량, 식각 불량 등 여러 가지 원인에 의해 웨이퍼의 표면에 패턴이 제대로 인쇄되지 못할 경우가 있다.
상기와 같이 패턴 불량인 웨이퍼는 인쇄된 패턴을 제거하여 재활용을 하며, 패턴 불량인 웨이퍼의 불량 패턴을 제거할 수 있는 방법으로 웨이퍼의 표면에 콜로이드성 실리카를 뿌리고 세라믹 패드를 고속으로 회전시켜 화학적인 방법과 기계적인 방법을 동시에 적용하여 웨이퍼 표면을 평탄화하는 화학 기계적 처리방법(CMP : Chemical Mechanical Planarization)을 생각할 수 있다.
이러한 CMP공정에서는 연마시 사용되는 액상의 슬러리(콜로이드성 실리카)를 한번 사용하면 재사용이 불가능하여 연마재에 많은 비용이 소요됨은 물론 그 폐액 으로 인한 환경오염의 문제와 처리비용의 문제가 동시에 수반되고, 연마판(패드)을 자주 교체해주어야 하며, 장비가 고가이어서 전체적으로 반도체 웨이퍼를 새로이 생산하는 것보다 반도체 웨이퍼를 재처리하는 비용이 더 들게 되는 단점이 있어 사실상 패턴불량 웨이퍼는 폐기하고 있는 실정이다.
상기와 같은 문제점을 해결하고자 본 출원인에 의하여 특허등록 제545446호의 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴 제거방법 및 장치가 제시되었다.
상기 본 출원인에 의하여 제시되어 있는 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴 제거방법 및 장치는, 패턴불량인 웨이퍼의 표면이 상방향으로 향하도록 하여 이송컨베이어를 통해 이송하면서 상부로부터 미세 세라믹 파우더를 고압 압축공기와 함께 분사하여 그 충격을 통해 웨이퍼의 불량패턴을 제거토록 하고, 연마 과정에서 발생하는 미세 세라믹 파우더와 분진은 포집되고 포집된 미세 세라믹 파우더와 분진은 사이클론을 통해 미분말은 집진기로 빠져나가고 굵은 사이즈의 파우더는 다시 연마재로 이용될 수 있게 함으로써 웨이퍼의 불량 패턴을 적은 비용으로도 웨이퍼의 불량패턴을 효과적으로 제거할 수 있는 기술을 제시하였다.
그러나 본 출원인에 의하여 제시된 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴 제거장치는 사이클론에서 굵은 사이즈의 파우더(투사재)를 다시 투사노즐에 공급하여 다시 사용할 경우 포집된 미세 세라믹 파우더와 분진에는 웨이퍼조각과 같은 이물질을 포함하게 된다. 즉, 미세 세라믹 파우더를 고압 압축공기로 반도체 웨이퍼에 분사함으로써 반도체 웨이퍼는 충격으로 조각이 나는 경우가 발생한다. 이러한 이물질이 재생되는 파우더(투사재)와 함께 투사노즐에 공급되어 반도체 웨이퍼에 분사될 경우 재생되는 반도체 웨이퍼는 이물질에 의하여 깨지거나 흠집이 발생하여 파손되는 현상이 발생한다.
아울러 반도체 웨이퍼는 양측면에 패턴이 인쇄됨으로써 반도체 웨이퍼의 양측에 인쇄패턴을 제거할 경우 반도체 웨이퍼를 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴 제거장치에 공급하여 일면의 인쇄패턴을 제거한 후 나머지 일면의 인쇄패턴을 제거하기 위하여 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼를 뒤집어 반도체 웨이퍼를 다시 인쇄패턴 제거장치에 작업자가 공급하여야 한다.
본 발명은 상기와 같은 단점을 해결하고자 발명된 것으로, 패턴 불량인 반도체 웨이퍼를 재생할 수 있도록 양면의 인쇄패턴을 제거할 수 있는 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템을 제공하는데 목적이 있다.
즉, 패턴 불량인 반도체 웨이퍼의 양면의 인쇄패턴을 제거할 수 있도록 한쌍의 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치와 일면의 반도체 웨이퍼를 반전시키는 반전장치로 이루어진 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템을 제공하는데 목적이 있다.
상기 목적을 달성하고자 본 발명인 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템은, 컨베이어로 공급되는 반도체 웨이퍼의 일면에 미세입자의 투사재(세라믹 분말)를 압축공기와 함께 분사하여 인쇄패턴을 제거하는 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치와; 상기 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치로부터 배출되는 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼를 공급받아 반전시키는 다수개의 컨베이어로 이루어진 반도체 웨이퍼 반전장치와; 상기 반도체 웨이퍼 반전장치로부터 반전되어 공급되는 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼를 공급받아 나머지 일면의 인쇄패턴을 제거하는 컨베이어로 반도체 웨이퍼를 이동시키고, 컨베이어로 공급되는 반도체 웨이퍼의 나머지 일면에 미세입자의 투사재를 압축공기와 함께 분사하여 인쇄패턴을 제거하는 제2 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치로 이루어진다.
상기 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치는, 인쇄패턴을 제거하기 위하여 투사된 투사재를 재활용하도록 인쇄패턴을 제거하기 위하여 투사된 투사재를 포집하고, 포진된 투사재를 원심분리 방법으로 재활용할 수 있는 크기로 분리하고, 분리된 투사재로부터 이물질을 분리하여 투사노즐에 공급하도록 이루어진다.
즉, 상기 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치는, 불량인쇄패턴 웨이퍼(W)를 이동시키되 제거된 패턴의 분진과 투사된 투사재가 통과할 수 있도록 이루어진 컨베이어와; 상기 컨베이어로 이송되는 웨이퍼(W)의 표면에 압축공기와 함께 미세입자의 투사재를 투사하여 웨이퍼(W)의 표면에 인쇄된 패턴을 제거하는 투사노즐과; 상기 미세분말 투사노즐보다는 웨이퍼(W)의 이송방향으로 뒤쪽에 설치되어 패턴이 제거된 웨이퍼(W)의 표면에 압축공기를 분사하여 이물질을 제거해주는 이물질제거노즐과; 상기 컨베이어의 하부에 설치되어 웨이퍼(W)의 패턴을 제거하고 컨베이어를 통과한 투사재와 분진을 포집하는 분진포집통과; 상기 분진포집통으로 모여진 투사재와 분진을 원심분리방식에 의하여 일정크기의 이상과 이하로 분리하는 사이클론과; 상기 사이클론으로부터 일정크기 이상의 재활용 투사재로부터 이물질을 제거하여 투사노즐에 공급하는 이물질제거장치와; 상기 사이클론으로부터 분리된 일정크기 이하의 투사재와 분진을 집진하는 집진기를 포함하도록 이루어진다.
상기 이물질 제거장치는 다공의 거름망을 이용하여 재활용 투사재로부터 분리된 투사재와 이물질을 제거하되, 상기 거름망을 통과한 투사재는 투사재 배출구로 배출되고, 통과하지 못한 이물질은 이물질 배출구로 배출되도록 이루어지며, 상기 거름망은 경사지게 설치되고, 거름망에 진동을 재활용 투사재로부터 투사재와 이물질이 잘 분리되도록 진동장치가 설치된다.
상기 투사재 배출구의 하측에는 투사노즐에 신투사재와 재생투사재를 혼합하여 공급할 수 있는 투사재 혼합장치가 설치되며, 상기 투사재 혼합장치는 하측으로 공기를 유입하여 투사재를 비산시켜 혼합한 후, 혼합상태로 비산되어 있는 투사재를 투사노즐에 공급되도록 이루어진다.
상기 반도체 웨이퍼 반전장치는, 한 쌍의 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치의 사이에 설치되는 것으로, 상기 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치로부터 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼(W)를 공급받아 이동시키는 제1 이송용 컨베이어와; 상기 제1 이송용 컨베이어의 하측에 설치되고, 제1 이송용 컨베이어에서 떨어지는 반도체 웨이퍼(W)의 일측을 반도체 웨이퍼(W)의 진행방향과 반대 방향으로 이동시키도록 제1 이송용 컨베이어와 반대방향으로 회전하는 반전용 컨베이어와; 상기 반전용 컨베이어의 상측에 설치되고, 제1 이송용 컨베이어와 이격되게 설치되며 제1 이송용 컨베이어와 동일한 방향으로 회전하여 반전용 컨베이어에 의하여 반전된 반도체 웨이퍼(W)를 이송시키는 제2 이송용 컨베이어로 이루어진다.
상기와 같이 이루어진 본 발명은 패턴 불량인 반도체 웨이퍼를 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치에 공급하게 되면, 반도체 웨이퍼 일면의 인쇄 패턴을 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치에서 제거한 후 반도체 웨이퍼 반전장치에서 반전시켜 제2 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치에 나머지 일면의 인쇄 패턴을 제 거함으로써 불량 패턴의 반도체 웨이퍼에 대한 재생능률이 향상된다.
즉, 컨베이어로 반도체 웨이퍼가 이송됨으로써 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치에 공급되는 속도와 반도체 웨이퍼 반전장치에서 반전되어 제2 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치에 공급되고 배출되는 속도를 동일하게 할 수 있음으로 불량 패턴의 반도체 웨이퍼에 대한 재생능률이 향상된다.
아울러 작업자가 반도체 웨이퍼를 반전시키지 않음으로써 작업자의 피로누적에 따른 부 주위로 발생하는 작업오류를 줄일 수 있는 특징이 있다.
또한, 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치에는 재생되는 재생 투사재로부터 이물질을 제거하는 이물질 제거장치가 설치됨으로써 이물질에 의한 반도체 웨이퍼의 파손을 방지할 수 있다.
첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하도록 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형 예 들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1 과 도 2와 같이 본 발명의 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템은, 컨베이어로 공급되는 반도체 웨이퍼(W)의 일면에 미세입자의 투사재를 압축공기와 함께 분사하여 인쇄패턴을 제거하는 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(100)와; 상기 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(100)로부터 배출되는 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼(W)를 공급받아 반전시키는 다수개의 컨베이어로 이루어진 반도체 웨이퍼 반전장치(200)와; 상기 반도체 웨이퍼 반전장치(200)로부터 반전되어 공급되는 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼를 공급받아 나머지 일면의 인쇄패턴을 제거하는 컨베이어로 반도체 웨이퍼(W)를 이동시키고, 컨베이어로 공급되는 반도체 웨이퍼의 나머지 일면에 미세입자의 투사재를 압축공기와 함께 분사하여 인쇄패턴을 제거하는 제2 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(300)로 이루어진다.
상기 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(100)와, 제2 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(300)는 도 3 내지 도 5와 같이 크게 반도체 공정상에 발생하는 패턴불량 웨이퍼(W)를 연속적으로 이송해주는 컨베이어(1)와, 상기 컨베이어(1)에 설치되어 이송하는 웨이퍼(W)의 표면을 향해 압축공기와 함께 미세분말의 투사재를 투사하여 인쇄패턴을 제거해주는 투사재를 투사하는 다수의 투사노즐(2)과, 상기 미세분말 투사노즐(2)보다는 웨이퍼(W)의 이송방향으로 뒤쪽에 설치되어 패턴이 제거된 웨이퍼(W)의 표면에 압축공기를 분사하여 이물질을 제거해주는 이물질제거노즐(3)과, 상기 컨베이어(1)의 하부에 설치되어 웨이퍼(W)의 패턴을 제거하고 컨베 이어(1)를 통과한 투사재와 분진을 포집하는 분진포집통(4)과, 상기 분진포집통(4)으로 모여진 투사재와 분진을 이송하는 스크류축(5)과, 상기 스크류축(5)으로 공급되는 투사재와 분진을 이송하는 이송관(6)과 상기 이송관(6)으로 공급되는 투사재와 분진을 원심분리방식에 의하여 분리하는 사이클론(7)과, 상기 사이클론(7)으로부터 분리된 일정크기 이하의 투사재와 분진을 집진하는 집진기(9)와, 상기 사이클론(7)으로부터 일정크기 이상의 재활용 투사재로부터 이물질을 제거하는 이물질제거장치(8)와, 압축공기를 제공해주는 공기압축기(10)와, 새로운 신투사재가 저장되어 있는 투사재호퍼(11)와, 각각의 구성을 제어하는 제어기(미도시)로 구성된다.
상기 컨베이어(1)는 보통 투사노즐(2)로부터 투사되는 투사재에 의하여 제거된 패턴의 분진과 투사된 투사재가 통과할 수 있도록 구멍이 형성된 메쉬망의 컨베이어가 사용된다.
상기 투사재는 보통 평균 63㎛ 크기의 미세 세라믹 분말을 사용한다.
상기 투사노즐(2)은 압축기(9)로부터 제공되는 압축공기로 투사재를 고속으로 투사하여 웨이퍼(W)의 인쇄패턴을 제거하는 것으로 다수개가 배치된다.
상기 이물질제거노즐(3)은 압축기(9)로부터 압축공기를 제공받아 투사노즐(2)에서 투사된 투사재에 의하여 인쇄패턴이 제거된 웨이퍼(W)에 압축공기를 분사하여 인쇄패턴이 제거된 웨이퍼(W)의 표면의 이물질을 제거한다.
상기 분진포집통(4)은 컨베이어(1)의 하측에 설치되어 컨베이어(1)를 통과한 투사재와 분진을 포집한다.
상기 스크류축(5)은 스크류날개가 형성되어 분진포집통(4)에 포진된 투사재 와 분진을 이송관(6)으로 유도하는 것으로, 스크류 날개는 이송관(6)과 연결되어 있는 부분을 중심으로 대칭되게 형성된다.
상기 사이클론(7)은 이송관(6)으로 공급되는 투사재와 분진 중 투사재를 재활용하기 위하여 일정한 크기의 투사재만을 원심분리방법으로 분리하는 것으로, 보통 10㎛이상의 투사재와, 10㎛이하의 투사재와 분진으로 분리하여 10㎛이상의 투사재는 이물질 제거장치(8)로 유도하고, 10㎛이하의 투사재와 분진은 집진기(9)로 유도한다.
상기 이물질 제거장치(8)는 사이클론(7)에서 공급되는 재활용 투사재로부터 이물질을 제거하는 장치로 도 6 내지 도 8과 같이 이루어진다.
일반적으로 사이클론에서 분리되어 공급되는 재활용 투사재에는 인쇄패턴제거시 발생되는 웨이퍼 조각을 포함하게 된다. 상기 웨이퍼 조각을 포함하는 투사재를 다시 웨이퍼에 압축공기와 투사하게 되면 인쇄패턴을 제거하기 위하여 공급되는 웨이퍼(W)는 깨지거나 흠집이 발생하여 불량처리된다.
첨부된 도 5 내지 도 7과 같이 이물질제거장치(8)는 몸체(81)의 상측에 사이클론에서 분리되어 공급되는 재활용 투사재가 유입되는 투입구(81a)가 형성되고, 하측으로 이물질이 제거된 투사재를 배출하는 투사재배출구(81b)와, 이물질을 배출하는 이물질배출구(81c)가 형성되고, 몸체(81) 내부에는 상기 투입구(81a)로부터 유입되는 재활용 투사재로부터 이물질을 배출하는 거름망(82)이 경사지도록 설치된다.
상기 거름망(82)은 재활용 투사재는 통과하고, 입자가 큰 이물질은 통과하지 못하도록 다공의 망으로 형성된다.
상기 경사지도록 설치되는 거름망(82)은 몸체(81)에 형성된 받침대(85)와 탄성부재(84)에 의하여 지지되도록 설치되며, 상기 탄성부재(84)는 보통 스프링이 상용된다. 이는 거름망(82)에 진동을 가할 시 계속적으로 진동할 수 있도록 하기 위함이다.
상기 탄성부재(84)에 의하여 설치되어 있는 거름망(82)의 일측에는 거름망(82)에 진동을 가할 수 있도록 진동장치(83)가 설치된다.
상기 진동장치(83)는 보통 모터를 이용한 진동장치 또는 에어를 이용한 진동장치가 사용된다.
상기와 같이 이루어진 이물질제거장치(8)는 사이클론(7)으로부터 재활용 투사재가 투입구(81a)로 유입되고, 유입된 재활용 투사재는 거름망(82)에서 이물질은 거름망(82)을 따라 이물질배출구(81c)로 유도되어 배출되고, 투사재는 거름망(82)을 통과하여 투사재배출구(81b)로 배출된다.
상기 몸체(81)의 일측에는 내부를 확인할 수 있도록 확인창(87)이 설치된다.
상기 투사재배출구(81b)의 하측에는 투사재 호퍼(11) 새로운 신투사재와 투사재배출구(81b)로 유입되는 재생투사재를 혼합하여 혼합된 투사재를 투사노즐(2)에 공급하는 투사재 혼합장치(86)가 설치된다.
상기 투사재 혼합장치(86)는 유입되는 신투사재와 재생투사재를 혼합할 수 있도록 공간을 가지는 믹스 하우징(86-1)이 형성되고, 상기 믹스 하우징(86-1)의 하측으로 압축기(10)부터 압축공기가 유입되도록 공기유입구(86-3)이 형성되고, 상 기 믹스 하우징(86-1)의 일측면 또는 양측면에는 혼합된 투사재를 투사노즐에 공급하는 투사재 공급구(86-4)가 형성되며, 일측에는 신투사재가 공급되는 신투사재 유입구(85-5)가 형성된다.
상기 공기유입구(86-3)는 압축기(10)의 관(10a)과 연설되고, 상기 투사재 공급구(86-4)는 투사노즐(2)의 관(2a)과 연결되고, 상기 신투사재 유입구(85-5)는 투사재 호퍼(11)의 관(11a)과 연설된다.
또한, 상기 공기유입구(86-3)에는 유입되는 압축공기가 분산되어 유입될 수 있도록 다수의 관통공이 형성되어 있는 믹싱용 에어 플레이트(86-2)가 설치된다. 이는 압축공기가 분산되어 공급됨으로써 믹스 하우징(86-1)의 내측에 유입된 신투사재와 재생투사재를 비산시킬 수 있다.
상기와 같이 이루어진 투사재 혼합장치(86)는 투사재배출구(81b)를 통하여 유입되는 재생투사재와 신투사재 유입구(85-5)를 통하여 유입되는 신투사재를 하측의 공기유입구(86-3)로부터 유입되는 압축공기로 비산시켜 믹스 하우징(86-1)의 내부공간에서 혼합하고, 혼합되어 비산된 투사재는 투사재 공급구(86-4)로 유입되어 투사노즐(2)로 공급된다.
상기 투사재 공급구(86-4)는 다수개로 형성되어 다수개의 투사노즐(2)에 관(2a)으로 각각 연결되는 것이 바람직하다.
상기와 같이 이루어진 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(100)와 제2 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(300)는 도 9와 같이 사이클론(7), 이물질 제거장치(8), 집진기(9), 공기압축기(10) 및 투사재 호퍼(11)를 공동으로 사용할 수 있도 록 설치될 수도 있다.
즉, 투사재와 분진을 이송하는 이송관(6)을 서로 연결하여 하나의 사이클론(7)을 공동으로 사용하도록 함으로써 이물질 제거장치(8), 집진기(9), 공기압축기(10) 및 투사재호퍼(11)를 공동으로 사용하게 된다.
상기 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(100)와 제2 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(300의 사이에 설치되는 상기 반도체 웨이퍼 반전장치(200)는 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(100)에서 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼(W)를 공급받아 반전(뒤집어)시켜 제2 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(300)에 공급하는 장치이다.
이러한 상기 반도체 웨이퍼 반전장치(200)는 도 10과 같이 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(100)로부터 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼(W)를 공급받아 이동시키는 제1 이송용 컨베이어(210)와; 상기 제1 이송용 컨베이어(210)의 하측에 설치되고, 제1 이송용 컨베이어(210)에서 떨어지는 반도체 웨이퍼(W)의 일측을 반도체 웨이퍼의 진행방향과 반대 방향으로 이동시키도록 제1 이송용 컨베이어(210)와 반대방향으로 회전하는 반전용 컨베이어(220)와; 상기 반전용 컨베이어(120)의 상측에 설치되고, 제1 이송용 컨베이어(110)와 이격되게 설치되며 제1 이송용 컨베이어(110)와 동일한 방향으로 회전하여 반전용 컨베이어(120)에 의하여 반전된 반도체 웨이퍼(W)를 이송시키는 제2 이송용 컨베이어(130)로 이루어진다.
도 11과 도 14와 같이 상기 제1 이송용 컨베이어(210)의 양측에는 가이드대(212)가 설치되고, 상기 가이드대(212)에는 베이스(240)에 회동가능하도록 설치 된 지지대(211)가 체결부재로 설치된다.
상기와 같이 베이스(240)에 설치된 제1 이송용 컨베이어(210)는 회동가능하도록 설치된 지지대(211)에 의하여 회전되어 컨베이어의 경사를 조절할 수 있으며, 가이드대(212)에 의하여 좌우로 이송하며 임의의 위치에서 고정될 수 있다.
즉, 컨베이어의 경사각을 조절할 경우에는 상기 베이스(240)에 지지대(211)를 고정시키는 체결부재인 볼트와 너트의 조임력을 해제한 후 지지대(211)를 회전시켜 컨베이어의 경사각을 조절한 후 체결부재인 볼트와 너트를 조여 지지대(211)을 고정시킨다.
상기 제1 이송용 컨베이어(210)를 좌우로 이동시켜 위치를 설정할 경우에는 지지대(211)와 가이드대(212)에 있는 체결부재의 조임력을 해제한 후 제1 이송용 컨베이어(210)를 좌우로 이동시켜 위치를 설정한 후 있는 체결부재를 조여 위치를 고정시킨다.
도 12와 도 14와 같이 상기 반전용 컨베이어(220)의 양측에는 가이드대(222)가 설치되고, 상기 가이드대(222)에는 베이스(240)에 회동가능하도록 설치된 지지대(221)가 체결부재로 설치된다.
상기와 같이 베이스(240)에 설치된 반전용 컨베이어(220)는 회동가능하도록 설치된 지지대(221)에 의하여 회전되어 컨베이어의 경사를 조절할 수 있으며, 가이드대(222)에 의하여 좌우로 이송하며 임의의 위치에서 고정될 수 있다.
상기 반전용 컨베이어(220)의 경사각과 위치의 조절방법은 전술한 상기 제1 이송용 컨베이어(210)와 동일하다.
도 13과 도 14와 같이 상기 제2 이송용 컨베이어(230)의 양측에는 가이드대(232)가 설치되고, 상기 가이드대(232)에는 베이스(240)에 회동가능하도록 설치된 지지대(231)가 체결부재로 설치된다.
상기와 같이 베이스(240)에 설치된 제2 이송용 컨베이어(230)는 회동가능하도록 설치된 지지대(231)에 의하여 회전되어 컨베이어의 경사를 조절할 수 있으며, 가이드대(232)에 의하여 좌우로 이송하며 임의의 위치에서 고정될 수 있다.
상기 제2 이송용 컨베이어(230)의 경사각과 위치의 조절방법은 전술한 상기 제1 이송용 컨베이어(210)와 동일하다.
상기와 같이 제1 이송용 컨베이어(210)와 반전용 컨베이어(220) 및 제2 이송용 컨베이어(230)가 베이스(240)에 설치되되, 각각 컨베이어의 경사각을 조절할 수 있도록 설치되나, 컨베이어의 경사각의 조절할 수 없도록 고정설치될 수 있으며, 또한 각각 좌우로 이동시켜 위치를 조절할 수 있도록 설치되나, 조절할 수 없도록 고정설치될 수도 있으며, 또는 제1 이송용 컨베이어(210)와 제2 이송용 컨베이어(230) 중 어느 하나만 좌우로 이동시켜 위치를 조절할 수 있도록 설치될 수 있다. 이는 반도체 웨이퍼의 크기에 따라 제1 이송용 컨베이어(210)와 제2 이송용 컨베이어(230)의 이격 간격을 조절하기 위함이다.
상기 제1 이송용 컨베이어(210)와 반전용 컨베이어(220) 및 제2 이송용 컨베이어(230)는 각각 구동모터(M)를 설치하는 것이 바람직하나, 1개의 구동모터(M)를 설치하고 동력전달장치로 이용하여 제1 이송용 컨베이어(210)와 반전용 컨베이어(220) 및 제2 이송용 컨베이어(230)를 구동시킬 수도 있다
상기 제1 이송용 컨베이어(210)와 반전용 컨베이어(220) 및 제2 이송용 컨베이어(230)의 컨베이어 밸트는 반도체 웨이퍼(W)를 보호하며, 미끄럼(슬립)현상이 발생하지 않도록 고무와 우레탄 같은 탄성을 가지되 미끄럼이 발생하지 않는 재질로 이루어진다.
상기와 같이 이루어진 반도체 웨이퍼 반전장치(200)는 도 15와 같이 제1 이송용 컨베이어(210)가 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(100)로부터 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼(W)를 공급받아 이동시키고, 제1 이송용 컨베이어(210)에 의하여 이송되는 반도체 웨이퍼(W)는 반전용 컨베이어(220)로 떨어지되, 일측이 반전용 컨베이어(220)의 컨베이어 밸트에 접촉하여 반도체 웨이퍼(W)의 진행방향과 반대 방향으로 이동함으로써 반도체 웨이퍼(W)가 반전되면서, 인쇄패턴이 제거된 일면이 제2 이송용 컨베이어(230)의 컨베이어 밸트에 접촉하고, 일면이 제2 이송용 컨베이어(230)의 컨베이어 밸트에 접촉된 반도체 웨이퍼(W)는 제2 이송용 컨베이어(230)를 따라 제2 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(300)로 공급된다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템의 평면 구성도.
도 2는 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템의 정면 구성도.
도 3은 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치의 평면도.
도 4는 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치의 정면도.
도 5는 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치의 측면도.
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치의 이물질 제거장치의 정단면도.
도 7은 도 6의 좌측 단면도.
도 8은 도 6의 우측면도.
도 9는 본 발명의 바람직한 다른 실시예를 나타낸 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템의 평면도.
도 10은 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸 반도체 웨이퍼 반전장치의 사시도.
도 11은 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸 반도체 웨이퍼 반전장치의 제1 이송용 컨베이어 사시도.
도 12는 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸 반도체 웨이퍼 반전장치의 반전용 컨베이어 사시도.
도 13은 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸 반도체 웨이퍼 반전장치의 제2 이송용 컨베이어 사시도.
도 14는 본 발명의 바람직한 실시예를 나타낸 반도체 웨이퍼 반전장치의 정면도.
도 15는 본 발명의 반도체 웨이퍼 반전장치가 반도체 웨이퍼를 반전시키는 상태를 나타낸 상태도.
[도면의 주요부분에 대한 부호의 설명]
1 : 컨베이어 2 : 투사노즐
3 : 이물질제거노즐 4 : 분진포집통
5 : 스크류축 6 : 이송관
7 : 사이클론 8 : 이물질제거장치
9 : 집진기 10 : 공기압축기
11 : 투사재 호퍼
81 : 몸체 82 : 거름망
83 : 진동장치 84 : 탄성부재
85 : 받침대 86 : 투사재 혼합장치
87 : 투시창
100, 300 : 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치
200 : 반도체 웨이퍼 반전장치
210 : 제1 이송용 컨베이어
220 : 반전용 컨베이어
230 : 제2 이송용 컨베이어

Claims (6)

  1. 컨베이어로 공급되는 반도체 웨이퍼(W)의 일면에 미세입자의 투사재를 압축공기와 함께 분사하여 인쇄패턴을 제거하는 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(100)와;
    상기 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(100)로부터 배출되는 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼(W)를 공급받아 반전시키는 다수개의 컨베이어로 이루어진 반도체 웨이퍼 반전장치(200)와;
    상기 반도체 웨이퍼 반전장치(200)로부터 반전되어 공급되는 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼를 공급받아 나머지 일면의 인쇄패턴을 제거하는 컨베이어로 반도체 웨이퍼를 이동시키고, 컨베이어로 공급되는 반도체 웨이퍼(W)의 나머지 일면에 미세입자의 투사재를 압축공기와 함께 분사하여 인쇄패턴을 제거하는 제2 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(300)로 이루어지며,
    상기 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(100, 200)는,
    불량인쇄패턴 웨이퍼(W)를 이동시키되 제거된 패턴의 분진과 투사된 투사재가 통과할 수 있도록 이루어진 컨베이어(1)와; 상기 컨베이어로 이송되는 웨이퍼(W)의 표면에 압축공기와 함께 미세입자의 투사재를 투사하여 웨이퍼(W)의 표면에 인쇄된 패턴을 제거하는 투사노즐(2)과; 상기 미세분말 투사노즐(2)보다는 웨이퍼(W)의 이송방향으로 뒤쪽에 설치되어 패턴이 제거된 웨이퍼(W)의 표면에 압축공기를 분사하여 이물질을 제거해주는 이물질제거노즐(3)과; 상기 컨베이어(1)의 하부에 설치되어 웨이퍼(W)의 패턴을 제거하고 컨베이어(1)를 통과한 투사재와 분진을 포집하는 분진포집통(4)과; 상기 분진포집통(4)으로 모여진 투사재와 분진을 원심분리방식에 의하여 일정크기의 이상과 이하로 분리하는 사이클론(7)과; 상기 사이클론(7)으로부터 일정크기 이상의 재활용 투사재로부터 이물질을 제거하여 투사노즐(2)에 공급하는 이물질제거장치(8)와; 상기 사이클론(7)으로부터 분리된 일정크기 이하의 투사재와 분진을 집진하는 집진기(9)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템.
  2. 컨베이어로 공급되는 반도체 웨이퍼(W)의 일면에 미세입자의 투사재를 압축공기와 함께 분사하여 인쇄패턴을 제거하는 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(100)와;
    상기 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(100)로부터 배출되는 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼(W)를 공급받아 반전시키는 다수개의 컨베이어로 이루어진 반도체 웨이퍼 반전장치(200)와;
    상기 반도체 웨이퍼 반전장치(200)로부터 반전되어 공급되는 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼를 공급받아 나머지 일면의 인쇄패턴을 제거하는 컨베이어로 반도체 웨이퍼를 이동시키고, 컨베이어로 공급되는 반도체 웨이퍼(W)의 나머지 일면에 미세입자의 투사재를 압축공기와 함께 분사하여 인쇄패턴을 제거하는 제2 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(300)로 이루어지며,
    상기 반도체 웨이퍼 반전장치(200)는,
    상기 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(100)로부터 일면의 인쇄패턴이 제거된 반도체 웨이퍼(W)를 공급받아 이동시키는 제1 이송용 컨베이어(210)와; 상기 제1 이송용 컨베이어(210)의 하측에 설치되고, 제1 이송용 컨베이어(210)에서 떨어지는 반도체 웨이퍼(W)의 일측을 반도체 웨이퍼(W)의 진행방향과 반대 방향으로 이동시키도록 제1 이송용 컨베이어(210)와 반대방향으로 회전하는 반전용 컨베이어(220)와; 상기 반전용 컨베이어(220)의 상측에 설치되고, 제1 이송용 컨베이어(210)와 이격되게 설치되며 제1 이송용 컨베이어(210)와 동일한 방향으로 회전하여 반전용 컨베이어(220)에 의하여 반전된 반도체 웨이퍼(W)를 이송시키는 제2 이송용 컨베이어(230)로 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 제1 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(100)와 제2 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거장치(200)는, 인쇄패턴을 제거하기 위하여 투사된 투사재를 재활용하도록 인쇄패턴을 제거하기 위하여 투사된 투사재를 포집하고, 포진된 투사재를 원심분리 방법으로 재활용할 수 있는 크기로 분리하고, 분리된 투사재로부터 이물질을 분리하여 투사노즐(2)에 공급하도록 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 이물질 제거장치(8)는 다공의 거름망(82)을 이용하여 재활용 투사재로부터 분리된 투사재와 이물질을 제거하되, 상기 거름망(82)을 통과한 투사재는 투사재 배출구(81b)로 배출되고, 통과하지 못한 이물질은 이물질 배출구(81c)로 배출되도록 이루어지며,
    상기 거름망(82)은 경사지게 설치되고, 거름망(82)에 진동을 재활용 투사재로부터 투사재와 이물질이 잘 분리되도록 진동장치(83)가 설치됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 투사재 배출구(81b)의 하측에는 투사노즐(2)에 신투사재와 재생투사재를 혼합하여 공급할 수 있는 투사재 혼합장치(86)가 설치되며,
    상기 투사재 혼합장치(86)는 하측으로 공기를 유입하여 투사재를 비산시켜 혼합한 후, 혼합상태로 비산되어 있는 투사재를 투사노즐(2)에 공급되도록 이루어짐을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴제거 시스템.
  6. 삭제
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050038728A (ko) * 2003-10-22 2005-04-29 주식회사 유스테크코리아 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴 제거방법 및 장치
JP2005343586A (ja) * 2004-05-31 2005-12-15 Sony Corp プリント配線板等の薬液処理装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050038728A (ko) * 2003-10-22 2005-04-29 주식회사 유스테크코리아 반도체 웨이퍼의 인쇄패턴 제거방법 및 장치
JP2005343586A (ja) * 2004-05-31 2005-12-15 Sony Corp プリント配線板等の薬液処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103977983A (zh) * 2014-05-27 2014-08-13 昆山福烨电子有限公司 一种电阻器后处理装置

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