KR100892262B1 - 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템 및 이를 이용한 산출방법 - Google Patents

프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템 및 이를 이용한 산출방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템 및 이를 이용한 산출 방법에 관한 것으로서, 프로빙 검사장치의 가동상태를 수집하여 기 설정된 항목별로 분류하는 가동상태 수집모듈; 상기 가동상태를 상기 항목별로 저장하는 가동상태 데이터베이스; 및 상기 가동상태 데이터베이스에 저장된 각 가동상태의 지속시간이 상기 전체 가동상태의 지속시간에서 차지하는 비율을 산출하는 가동률 산출모듈;을 포함하되, 상기 가동상태는 '가동' 및 '비가동'으로 구별되고, 상기 '가동'이 '검사' 및 '검사준비'로 구별되며, 상기 가동률 산출모듈은, 상기 가동상태 '검사'의 지속시간이 상기 전체 가동상태의 지속시간에서 차지하는 비율인 '검사시간 비율'을 산출한다.
본 발명의 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템 및 이를 이용한 산출 방법을 이용하면, 프로빙 검사장치의 가동상태를 세부적인 작동 항목에 따라 분류 관리하고 각 작동사이클 별 검사시간 비율을 작업자에게 제공함으로써 작업자가 이를 즉각 개선할 수 있도록 하여 시간당 생산량(Unit per hour; UPH)을 향상시킬 수 있고, 작업자는 세부적인 가동상태 별 작동시간 정보를 실시간으로 확인할 수 있어 설비에 대한 신뢰성을 확보할 수 있다.
프로빙 검사장치, 가동률, 산출, 시스템

Description

프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템 및 이를 이용한 산출 방법 {Computing system for operation ratio of probing tester and computing method thereby}
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템의 구성을 개략적으로 보여주는 도면,
도 2는 본 발명의 한 실시예에 따른 프로빙 검사장치 가동률 산출 방법을 개략적으로 보여주는 순서도,
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로빙 검사장치 가동률 산출 방법을 개략적으로 보여주는 순서도이다.
＊ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ＊
100 : 가동상태 수집모듈 200 : 가동상태 데이터베이스
300 : 가동률 산출모듈 400 : 에러신호 발생모듈
500 : 가동상태 표시모듈 PT : 프로빙 검사장치
본 발명은 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템 및 이를 이용한 산출 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 프로빙 검사장치의 가동상태를 세부적인 작동 항 목에 따라 분류 관리하고 각 작동사이클 별 검사시간 비율을 작업자에게 제공할 수 있는 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템 및 이를 이용한 산출 방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자의 후공정은 크게 반도체소자들이 형성된 웨이퍼(Wafer)의 불량을 체크하는 원자재 검사, 웨이퍼를 절단하여 낱개로 분리한 반도체칩을 리드 프레임(Lead frame)의 탑재판에 부착시키는 다이본딩(Die bonding)공정, 반도체칩 상에 구비된 칩 패드와 리드 프레임의 리드를 와이어로 연결시켜주는 와이어본딩(Wire bonding)공정, 반도체칩의 내부회로와 그 외의 구성부품을 보호하기 위하여 봉지재로 외부를 감싸는 몰딩(Molding)공정, 리드와 리드를 연결하고 있는 댐바를 커팅하는 트림공정 및 리드를 원하는 형태로 구부리는 포밍(Foaming)공정, 및 상기 공정을 거쳐 완성된 반도체소자의 양부를 검사하는 테스트공정으로 이루어진다.
여기서 상기 원자재 검사에 있어서 상기 웨이퍼 상에 형성된 반도체소자들 중에서 불량을 제외한 양품만을 선택하기 위해 상기 반도체소자에 프로브 카드의 탐침(Probe)을 접촉시켜 그 양부를 검사하는 프로빙 검사장치가 널리 이용된다. 이러한 상기 프로빙 검사장치는 대한민국 특허등록번호 제665407호에 그 일례가 상세히 기술되어 있다.
상기 프로빙 검사장치의 동작시간은 크게 장비가 작동하는 가동시간과 장비가 중지해 있는 비가동시간으로 구분된다. 상기 가동시간은 상기 웨이퍼 상에 형성된 반도체소자의 전기적 양부를 검사하거나 상기 웨이퍼와 검사장비를 준비하기 위 해 상기 프로빙 검사장치가 작동하는 시간이다.
상기 비가동시간은 공정별 에러발생, 장비의 고장, 검사자재공급, 검사정보입력 등으로 인해 상기 프로빙 검사장치가 작동 중지되거나 검사자재의 부재로 인해 대기하는 시간이다.
종래의 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템은 상기 프로빙 검사장치의 전체 동작시간에 대한 상기 가동시간의 비율인 가동률을 산출하여, 그 값을 작업자에게 제공하였다. 상기 프로빙 검사장치의 각 사이클별로 상기 가동률이 평균적인 수치에 비하여 허용된 범위를 초과하여 미달인 경우, 외부의 작업자는 해당 프로빙 검사장치를 한 사이클 동안 동작시키면서 비효율적인 공정을 찾아내 이를 정비하였다.
이와 같이, 종래의 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템은 작업자에게 상기 가동률만을 제공하므로 작업자가 상기 프로빙 검사장치의 비효율 상태의 원인을 인식하기 어려운 문제점이 있다.
즉, 작업자가 문제가 있음을 인지한 경우, 세부적으로 어떤 공정에 문제가 있는지 알 수 없으므로, 상기 프로빙 검사장치를 동작시키면서 비효율적인 공정을 찾아내야하는 번거로움이 있다.
또한, 종래의 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템이 제공하는 상기 가동률도 상기 가동시간에 상기 웨이퍼와 검사장비를 준비하는 시간이 포함되어 있어, 상기 웨이퍼와 검사장비를 준비하는 시간에 문제가 발생한 경우 작업자가 이를 인지하기 어려운 문제점이 있다.
즉, 종래의 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템은 상기 웨이퍼와 검사장비를 준비하는 공정에 문제가 발생하여 그 공정시간 길어지더라도 이는 상기 가동시간으로 분류되어 가동률은 높은 것으로 표시한다. 따라서, 작업자는 상기 웨이퍼와 검사장비를 준비하는 공정에 발생한 문제를 쉽게 인지할 수 없는 것이다.
상기한 바와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 하나의 목적은, 프로빙 검사장치의 작동시간을 세부적인 작동 항목에 따라 분류 관리하고 각 작동사이클 별 검사시간 비율을 작업자에게 제공함으로써 작업자가 이를 즉각 개선할 수 있도록 하여 시간당 생산량(UPH)을 향상시킬 수 있고, 설비에 대한 신뢰성을 확보할 수 있도록 하는 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템 및 이를 이용한 산출 방법을 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 프로빙 검사장치의 세부 항목별 작동시간 비율을 각 사이클별로 관리하여 특정 항목의 작동시간 비율이 허용된 범위를 초과하여 공정에 비효율 상태가 발견된 경우 이를 즉각 작업자에게 알려주고 해당 비효율 상태를 세부적인 공정별로 확인 가능하도록 제공함으로써, 작업자가 이를 즉각 개선할 수 있도록 하는 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템 및 이를 이용한 산출 방법을 제공하는 데 있다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명의 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템은, 웨이퍼 상의 반도체소자들을 프로브카드의 탐침들과 접촉시켜 검사하는 프로빙 검사장치의 가동률을 산출하는 시스템에 관한 것으로서, 상기 프로빙 검사장치의 가동상태를 수집하여 기 설정된 항목별로 분류하는 가동상태 수집모듈; 상기 가동상태를 상기 항목별로 저장하는 가동상태 데이터베이스; 및 상기 가동상태 데이터베이스에 저장된 각 가동상태의 지속시간이 상기 전체 가동상태의 지속시간에서 차지하는 비율을 산출하는 가동률 산출모듈;을 포함하되, 상기 가동상태는 '가동' 및 '비가동'으로 구별되고, 상기 '가동'이 '검사' 및 '검사준비'로 구별되며, 상기 가동률 산출모듈은, 상기 가동상태 '검사'의 지속시간이 상기 전체 가동상태의 지속시간에서 차지하는 비율인 '검사시간 비율'을 산출한다.
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상기 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템은 상기 산출된 '검사시간 비율'이 기 설정된 허용 비율에 미달하는 경우 에러신호를 발생시키는 에러신호 발생모듈을 더 포함할 수 있다.
상기 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템에 있어서, 상기 가동상태 '검사준비'가 검사 대상인 상기 웨이퍼를 검사위치에 로딩하는 웨이퍼 로딩, 상기 웨이퍼의 위치를 정렬하는 웨이퍼 정렬, 상기 반도체소자들과 접촉되는 상기 프로브카드의 탐침을 정렬하는 탐침 정렬, 상기 웨이퍼를 검사 전에 예열하는 예열, 상기 웨이퍼를 상기 검사위치로부터 언로딩하는 웨이퍼 언로딩, 및 검사 후 상기 웨이퍼와 장비를 클리닝하는 클리닝의 세부 상태를 포함하도록 구비될 수 있다.
또한, 상기 가동상태 '비가동'이 상기 웨이퍼 또는 상기 프로브카드가 공급되지 않은 대기; 에러발생, 상기 반도체소자와 상기 탐침의 접촉위치확인, 검사정보 인쇄, 검사온도조절, 및 장비고장으로 인해 정지해 있는 정지; 및 상기 웨이퍼와 상기 프로브카드를 상기 프로빙 검사장치에 공급하거나, 이에 따른 검사정보를 입력하는 공급;의 세부 상태를 포함하도록 구비될 수 있다.
상기 가동률 산출모듈은 상기 가동상태 '검사준비' 또는 '비가동'의 세부 상태 각각에 대한 지속시간이 상기 전체 가동상태의 지속시간에서 차지하는 비율을 각각 산출하도록 구비될 수 있다.
상기 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템은 상기 산출된 가동상태 '검사준비' 또는 '비가동'의 세부 상태 각각에 대하여 산출된 비율이 각각 기 설정된 허용 범위를 벗어나는 경우 에러신호를 발생시키는 에러신호 발생모듈을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 프로빙 검사장치용 가동률 산출 방법은, 웨이퍼 상의 반도체소자들을 프로브카드의 탐침들과 접촉시켜 검사하는 프로빙 검사장치의 가동률을 산출하는 방법에 관한 것으로서, (a) 가동상태 수집모듈이 상기 프로빙 검사장치의 가동상태를 수집하는 단계; (b) 상기 가동상태 수집모듈이 상기 가동상태를 기 설정된 항목별로 분류하는 단계; (c) 상기 가동상태 수집모듈이 상기 가동상태를 상기 항목별로 가동상태 데이터베이스에 저장하는 단계; 및 (d) 상기 가동상태 데이터베이스에 저장된 각 가동상태의 지속시간이 상기 전체 가동상태의 지속시간에서 차지하는 비율을 가동률 산출모듈이 산출하는 단계;를 포함한다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며, 그 범위가 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
이하, 첨부된 도 1을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템의 구성 및 작용효과를 구체적으로 설명한다. 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템은 웨이퍼 상에 형성된 반도체소자를 프로브카드의 탐침과 접촉시켜 전기적 양부를 검사하는 프로빙 검사장치의 가동상태를 체크하여 세부적으로 기설정된 항목 별 비율을 산출하는 시스템이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따른 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템은 가동상태 수집모듈(100), 가동상태 데이터베이스(200), 가동률 산출모듈(300), 에러신호 발생모듈(400), 및 가동상태 표시모듈(500)을 포함한다.
상기 가동상태 수집모듈(100)은 네트워크로 연결되어 있는 다수개의 프로빙 검사장치(Probing tester; PT)로부터 각각의 가동상태 정보를 수집한다. 상기 가동상태 수집모듈(100)은 수집한 가동상태 정보로부터 각 공정 별 시간 정보를 각 프로빙 검사장치(PT) 별로 산출한다.
상기 가동상태 수집모듈(100)은 산출된 각 공정별 시간정보를 상기 가동상태 데이터베이스(200)에 기록한다. 이때, 상기 가동상태 수집모듈(100)은 상기 시간 정보를 기 설정된 항목 별로 분류하여 기록한다.
예를 들어, 하나의 프로빙 검사장치(PT)가 12시부터 12시 30분까지 A공정을 수행하고 12시 30분부터 12시 37분까지 B공정을 수행했다는 가동상태 정보를 수집하면, 상기 가동상태 수집모듈(100)이 A공정 시간정보는 30분, B공정 시간 정보는 7분으로 산출하고, AㆍB 공정을 구분하여 상기 가동상태 데이터베이스(200)에 기록하는 것이다.
여기서 상기 프로빙 검사장치(PT)의 가동상태는 상기 프로빙 검사장치(PT)의 작동사이클 중 특정 상태를 나타내는 바, 이하 그 지속시간이 기 설정된 항목 별로 분류되는 상기 가동상태를 자세히 설명한다.
상기 프로빙 검사장치(PT)의 가동상태는 크게 '가동'과 '비가동'으로 구별될 수 있다. 상기 '가동'은 상기 프로빙 검사장치(PT)가 상기 웨이퍼 상에 형성된 반도체소자의 전기적 양부를 검사하거나, 이를 위해 상기 웨이퍼를 준비하는 동작을 수행하는 상태이다. 상기 '비가동'은 상기 프로빙 검사장치(PT)가 대기하거나 동작을 수행하지 않고 정지해 있는 상태이다.
여기서, 상기 '가동'은 '검사'와 '검사준비'로 구분된다. 상기 '검사'는 상기 프로빙 검사장치(PT)가 상기 웨이퍼 상에 형성된 반도체소자의 전기적 양부를 검사하는 상태이다. 상기 '검사준비'는 상기 검사를 위해 상기 웨이퍼와 상기 프로브카드를 준비하거나, 검사 후 상기 웨이퍼를 청소하고 정리하는 상태이다.
또한, 상기 '검사준비'는 '웨이퍼 로딩', '웨이퍼 정렬, '탐침 정렬', '예열', '웨이퍼 언로딩', '클리닝' 등으로 구분된다. 상기 '웨이퍼 로딩'은 검사 대상인 상기 웨이퍼를 검사위치에 로딩하는 상태이다. 상기 웨이퍼는 상기 프로빙 검사장치(PT)에 구비된 척(Chuck)의 상면에 안착되는데, 상기 '웨이퍼 로딩'은 상기 웨 이퍼가 이 척에 안착되는 상태이다.
상기 '웨이퍼 정렬'과 상기 '탐침 정렬'은 상기 반도체소자의 전기적 양부 검사를 위해 상기 웨이퍼 상에 형성된 반도체소자와 상기 탐침이 접촉되는데, 이렇게 접촉될 때, 에러가 발생하지 않도록 그 접촉위치에 부합되도록 상기 웨이퍼와 상기 탐침을 각각 정렬하는 공정이 수행되는 상태이다.
상기 '예열'은 상기 반도체소자를 가열하여 고온상태에서 검사하기 위해 상기 웨이퍼를 가열하는 상태이다. 상기 '웨이퍼 언로딩'은 검사가 완료된 후 검사위치 즉, 상기 척으로부터 상기 웨이퍼를 언로딩하는 공정이 수행되는 상태이다.
상기 '클리닝'은 검사가 완료된 후, 상기 반도체소자와 상기 탐침 간의 접촉에 의해 발생한 미세 조각 등의 분진을 프로브카드의 탐침으로부터 클리닝(Cleaning)하는 상태이다.
한편, 전술되어진 '비가동'은 크게 '대기', '정지', 및 '공급'으로 구별될 수 있다. 상기 '대기'는 상기 프로빙 검사장치(PT)가 상기 웨이퍼 또는 상기 프로브카드가 공급되지 않아 작동하지 않고 대기하고 있는 상태이다.
상기 '정지'는 공정별 에러발생, 상기 웨이퍼와 상기 탐침의 접촉위치확인, 상기 반도체소자에 대한 검사정보 인쇄위치확인, 검사온도 조절, 및 장비고장으로 인해 상기 프로빙 검사장치(PT)가 정지해 있는 상태이다. 즉, 상기 '정지'는 '에러발생', '접촉위치확인', '검사정보 인쇄', '검사온도 조절', 및 '고장' 등으로 세분되는 것이다.
상기 '공급'은 상기 웨이퍼와 상기 프로브 카드를 상기 프로빙 검사장치(PT) 에 공급하거나, 이에 따른 검사정보를 상기 프로빙 검사장치에 입력하는 공정이 수행되는 상태이다. 따라서, 상기 '공급'은 상기 웨이퍼를 상기 프로빙 검사장치(PT)에 공급하는 '웨이퍼 공급', 상기 프로브 카드를 상기 프로빙 검사장치(PT)에 공급하는 '프로브카드 공급', 및 '검사정보 입력' 등으로 세분될 수 있다.
상기 가동상태 수집모듈(100)은 다수개의 프로빙 검사장치(PT)로부터 수집한 각각의 가동상태 정보로부터 상술한 바와 같이 각 공정 별 시간정보를 산출하고 상기의 세분된 기설정된 항목 별로 분류하여 상기 가동상태 데이터베이스(200)에 기록한다.
상기 가동상태 데이터베이스(200)는 상기 가동상태 수집모듈(100)에 의해 상기 프로빙 검사장치(PT)의 각 공정 별 시간정보가 각 작동사이클 별로 기록되는 곳이다. 상기 가동상태 테이터베이스(200)는 저장된 각 공정 별 시간정보를 상기 가동률 산출모듈(300)에 제공한다.
상기 가동률 산출모듈(300)은 상기 가동상태 데이터베이스(200)에 기록된 상기 시간정보를 이용하여 하나의 작동사이클의 총 소요시간에서 검사 공정의 소요시간이 차지하는 비율인 검사시간 비율을 산출한다.
예를 들어, 하나의 작동사이클의 총 소요시간이 100분이고 검사 공정의 소요시간이 40분이라고 가정하면, 상기 검사 항목에 대한 비율인 검사시간 비율은 40%가 된다. 이러한 검사시간 비율이 높을수록 프로빙 검사장치(PT)가 시간당 많은 수의 웨이퍼를 검사하는 것이고, 따라서 시간당 생산량(UPH)이 높은 것이다.
뿐만 아니라, 상기 가동률 산출모듈(300)은 상술한 기설정된 모든 항목에 대 하여 작동사이클의 총 소요시간에서 각 공정 별 소요시간이 차지하는 시간 비율을 각각 산출한다.
또한, 상기 가동률 산출모듈(300)은 각 작동사이클 별로 상기 검사시간 비율의 값을 비교하여, 다른 작동사이클의 검사시간 비율의 값에 비해 당해 작동사이클의 검사시간 비율의 값이 기 설정된 허용값 미만인 경우 이를 인지하여 상기 에러신호 발생모듈(400)을 통해 에러신호를 발생시킨다.
그리고, 상기 가동률 산출모듈(300)은 상기 가동상태 표시모듈(500)을 이용하여 작업자의 요청에 따라 각 공정 별 시간 비율들을 각 작동사이클별 및 각 항목별로 분류하여 작업자에게 제공한다. 따라서 작업자는 각 프로빙 검사장치(PT) 작동의 효율성을 용이하게 검색 또는 조회해 볼 수 있다.
따라서, 외부의 작업자는 상술한 바와 같은 에러신호를 통해 상기 프로빙 검사장치(PT)의 작동에 있어서 비효율 상태가 발생했음을 즉시 감지할 수 있고, 상기 가동상태 표시모듈(500)을 통해 세부적인 항목 별로 시간 비율을 확인하여 어떤 공정에 문제가 발생했는지 알 수 있다. 따라서 작업자가 해당 공정과 관련된 자재 및 장비를 체크함으로써 상기 프로빙 검사장치(PT)가 높은 효율을 유지할 수 있도록 한다.
상기 에러신호 발생모듈(400)은 상기 가동률 산출모듈(300)의 신호를 받아 에러신호를 발생시킨다. 이러한 에러신호는 경고음과 같은 소리, 경광등과 같은 불빛 등, 여러 종류의 신호 중 하나 또는 여러 종류의 신호의 조합으로 이루어질 수 있다.
상기 가동상태 표시모듈(500)은 상기 가동률 산출모듈(300)이 산출한 검사시간 비율을 각 작동사이클 별로 표시한다. 따라서, 작업자는 상기 가동상태 표시모듈(500)을 통해 상기 검사시간 비율에 대한 데이터를 상기 가동률 산출모듈(300)로부터 제공받을 수 있는 것이다.
본 발명의 바람직한 실시예에 있어서, 상기 가동률 산출모듈(300)은 각 프로빙 검사장치(PT)의 검사시간 비율의 값을 각 작동사이클 별로 비교하여 기 설정된 허용값 미만인 경우 상기 에러신호 발생모듈(400)을 통해 에러신호를 발생시키도록 구비되었으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
예를 들어, 상기 가동률 산출모듈(300)은 상기 검사시간 비율에 대해서 뿐만 아니라, 각 작동사이클 별로 동일한 시간 비율의 값을 비교하여 다른 작동사이클의 해당 시간 비율의 값에 비해 당해 작동사이클의 해당 시간 비율의 값이 허용된 범위를 초과하는 경우, 이를 인지하여 상기 에러신호 발생모듈(400)을 통해 에러신호를 발생시키도록 구비될 수도 있다.
이와 같은 경우, 상기 프로빙 검사장치(PT)의 작동에 있어서 어떤 공정에 비효율 상태가 발생하든지 작업자는 에러신호를 통해 이를 즉시 감지할 수 있고, 상기 가동상태 표시모듈(500)을 통해 세부적인 항목 별 시간 비율을 확인한 후, 문제가 발생한 공정을 신속하게 찾을 수 있다. 그리고, 작업자는 해당 공정과 관련된 자재 및 장비를 체크함으로써 상기 프로빙 검사장치(PT)가 높은 효율을 유지할 수 있도록 할 수 있는 것이다.
이하, 도 2를 참조하여 본 발명의 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템의 동작인 본 발명의 하나의 실시예에 따른 프로빙 검사장치 가동률 산출 방법을 구체적으로 설명한다.
먼저, 가동상태 수집모듈(100)이 프로빙 검사장치(PT)의 가동상태 정보를 각 작동사이클 별로 수집한다.(s100) 그리고, 상기 가동상태 수집모듈(100)이 상기 가동상태 정보로부터 각 공정 별 소요시간을 산출하고, 이와 같은 시간 정보를 기 설정된 항목 별로 분류한다.(s200) 즉, 상기 프로빙 검사장치(PT)의 각 공정 별 소요시간은 각 항목 별로 구분되어 상기 가동상태 수집모듈(100)에 전달되는데, 상기 가동상태 수집모듈(100)이 각 공정 별 소요시간를 해당 항목에 따라 분류하는 것이다.
그리고, 분류된 상기 시간 정보는 상기 가동상태 수집모듈(100)에 의해 가동상태 데이터베이스(200)에 기록된다.(s300) 이후, 가동률 산출모듈(300)이 상기 가동상태 데이터베이스(200)에 기록된 상기 시간 정보로부터, 하나의 작동사이클 총 소요시간에서 상기 기설정된 항목들의 소요시간이 차지하는 시간 비율을 각각 산출한다.(s400)
이후, 상기 가동률 산출모듈(300)에 의해 산출된 상기 시간 비율은 가동상태 표시모듈(500)을 통해 기 설정된 항목 별로 분류되어 작업자에게 제공된다.(s500) 이때, 이러한 시간 비율은 작업자의 요구에 따라 선택된 각 작동사이클 별로 정리되어 작업자에게 제공될 수도 있다.
이하, 도 3을 참조하여 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로빙 검사장치 가동 률 산출 방법을 구체적으로 설명한다. 본 발명의 다른 실시예에 따른 프로빙 검사장치 가동률 산출 방법은 상술한 하나의 실시예에 따른 프로빙 검사장치 가동률 산출 방법과 비교하여 상기 가동률 산출모듈이 각 공정 별 시간 비율을 산출하는 단계(s400)까지는 동일하다. 따라서, 그 이전의 단계에 대한 설명은 생략하고 그 이후의 단계에 대해 설명한다.
그 후, 상기 가동률 산출모듈(300)이 해당 작동사이클에서 검사 공정이 차지하는 시간 비율인 검사시간 비율의 값이 기 설정된 허용값 미만인지 분석한다.(s430) 예를 들어, 기 설정된 허용값이 45%라고 가정할 경우, 작동사이클의 총 소요시간이 100분이고 검사시간이 40분이라면, 검사시간 비율은 40%이므로 기 설정된 허용값 미만으로 판정되는 것이다.
다음, 해당 작동사이클의 검사시간 비율이 기 설정된 허용값 미만으로 판정된 경우 에러신호 발생모듈(400)이 에러신호를 발생시킨다.(s460) 상술한 예의 경우 검사시간 비율이 40%로 기 설정된 허용값이 45% 미만이므로 에러신호 발생모듈(400)이 에러신호를 발생시키게 된다.
한편, 상기 가동률 산출모듈(300)에 의해 산출된 각 공정 별 시간 비율은 상기 가동상태 표시모듈(500)을 통해 기 설정된 항목 별로 분류되어 작업자에게 제공된다.(s500) 이때, 이러한 시간 비율은 작업자의 요구에 따라 선택된 작동사이클 별로 정리되어 작업자에게 제공될 수도 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 프로빙 검사장치 가동률 산출 방법은, 상기 가동률 산출모듈(300)이 검사시간 비율의 값과 기 설정된 허용값을 비교하여 에러 신호를 발생하도록 구비되었으나, 이에 한정되지 않는다.
예를 들어, 상기 가동률 산출모듈(300)이 해당 사이클의 시간 비율 중 어느 하나가 이전 작동사이클의 대응되는 시간 비율과 비교하여 기 설정된 허용 범위를 벗어나는 경우, 에러신호를 발생하도록 구비될 수도 있다.
즉, 예를 들어 기 설정된 허용 범위가 10%하고 가정할 경우, 작동사이클의 총 소요시간이 100분이고 예열시간이 30분이라면 예열시간 비율은 30%가 되고, 기 설정된 허용 범위는 30±3%가 된다. 따라서 상기 가동률 산출모듈(300)은 상기 예열시간 비율이 27%미만, 또는 33%초과의 경우 상기 에러신호 발생모듈(400)을 통해 에러신호를 발생시키는 것이다.
따라서, 작업자는 각 공정별 소요시간 중 어느 하나라도 비효율 상태가 발생하게 되면 이를 즉각 인지할 수 있게 되고, 해당 공정의 장비를 체크하여 비효율 상태를 개선할 수 있는 것이다.
이상 살펴본 바와 같이, 본 발명의 프로빙 검사장치 작동 관리시스템 및 이를 이용한 관리방법에 의하면, 프로빙 검사장치의 가동상태를 세부적인 작동 항목에 따라 분류 관리하고 각 작동사이클 별 검사시간 비율을 작업자에게 제공함으로써 작업자가 이를 즉각 개선할 수 있도록 하여 시간당 생산량(Unit per hour; UPH)을 향상시킬 수 있다.
또한, 작업자는 상기 에러신호 및 제공되는 세부 공정 별 시간 비율을 통해 비효율 상태를 확인하여 해당 공정을 즉각 개선할 수 있으므로 시간당 생산량을 향 상시킬 수 있다.
뿐만 아니라, 상기 시간 비율이 작업자의 요구에 따라 선택된 세부 공정 별 또는 선택된 작동사이클 별로 정리하여 제공될 수 있어, 설비에 대한 신뢰성을 확보할 수 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만, 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부되어 있는 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.

Claims (10)

  1. 웨이퍼 상의 반도체소자들을 프로브카드의 탐침들과 접촉시켜 검사하는 프로빙 검사장치의 가동률을 산출하는 시스템에 있어서,
    상기 프로빙 검사장치의 가동상태를 수집하여 기 설정된 항목별로 분류하는 가동상태 수집모듈;
    상기 가동상태를 상기 항목별로 저장하는 가동상태 데이터베이스; 및
    상기 가동상태 데이터베이스에 저장된 각 가동상태의 지속시간이 상기 전체 가동상태의 지속시간에서 차지하는 비율을 산출하는 가동률 산출모듈;을 포함하되,
    상기 가동상태는 '가동' 및 '비가동'으로 구별되고, 상기 '가동'이 '검사' 및 '검사준비'로 구별되며, 상기 가동률 산출모듈은, 상기 가동상태 '검사'의 지속시간이 상기 전체 가동상태의 지속시간에서 차지하는 비율인 '검사시간 비율'을 산출하는 것을 특징으로 하는 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제1항에 있어서,
    상기 산출된 '검사시간 비율'이 기 설정된 허용 비율에 미달하는 경우 에러신호를 발생시키는 에러신호 발생모듈;
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 가동상태 '검사준비'가,
    검사 대상인 상기 웨이퍼를 검사위치에 로딩하는 웨이퍼 로딩;
    상기 웨이퍼의 위치를 정렬하는 웨이퍼 정렬;
    상기 반도체소자들과 접촉되는 상기 프로브카드의 탐침을 정렬하는 탐침 정렬;
    상기 웨이퍼를 검사 전에 예열하는 예열;
    상기 웨이퍼를 상기 검사위치로부터 언로딩하는 웨이퍼 언로딩; 및
    검사 후 상기 웨이퍼와 장비를 클리닝하는 클리닝;
    의 세부 상태를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 가동상태 '비가동'이
    상기 웨이퍼 또는 상기 프로브카드가 공급되지 않은 대기;
    에러발생, 상기 반도체소자와 상기 탐침의 접촉위치확인, 검사정보 인쇄, 검사온도조절, 및 장비고장으로 인해 정지해 있는 정지; 및
    상기 웨이퍼와 상기 프로브카드를 상기 프로빙 검사장치에 공급하거나, 이에 따른 검사정보를 입력하는 공급;
    의 세부 상태를 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 가동률 산출모듈은,
    상기 가동상태 '검사준비' 또는 '비가동'의 세부 상태 각각에 대한 지속시간이 상기 전체 가동상태의 지속시간에서 차지하는 비율을 각각 산출하는 것을 특징으로 하는 상기 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 산출된 가동상태 '검사준비' 또는 '비가동'의 세부 상태 각각에 대하여 산출된 비율이 각각 기 설정된 허용 범위를 벗어나는 경우 에러신호를 발생시키는 에러신호 발생모듈;
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 상기 프로빙 검사장치 가동률 산출 시스템.
  10. 웨이퍼 상의 반도체소자들을 프로브카드의 탐침들과 접촉시켜 검사하는 프로빙 검사장치의 가동률을 산출하는 방법에 있어서,
    (a) 가동상태 수집모듈이 상기 프로빙 검사장치의 가동상태를 수집하는 단계;
    (b) 상기 가동상태 수집모듈이 상기 가동상태를 기 설정된 항목별로 분류하는 단계;
    (c) 상기 가동상태 수집모듈이 상기 가동상태를 상기 항목별로 가동상태 데이터베이스에 저장하는 단계; 및
    (d) 상기 가동상태 데이터베이스에 저장된 각 가동상태의 지속시간이 상기 전체 가동상태의 지속시간에서 차지하는 비율을 가동률 산출모듈이 산출하는 단계;
    를 포함하는 프로빙 검사장치 가동률 산출 방법.
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08114646A (ja) * 1994-10-18 1996-05-07 Sony Corp Ｉｃ用テスタの稼働情報収集方法
KR19980063512A (ko) * 1996-12-10 1998-10-07 사와무라시꼬 검사 시스템

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6246250B1 (en) * 1998-05-11 2001-06-12 Micron Technology, Inc. Probe card having on-board multiplex circuitry for expanding tester resources
TWI332521B (en) * 2000-03-31 2010-11-01 Hitachi Chemical Co Ltd Adhesive films for semiconductor
JP4357134B2 (ja) * 2001-03-29 2009-11-04 株式会社日立製作所 検査システムと検査装置と半導体デバイスの製造方法及び検査プログラム
US7412639B2 (en) * 2002-05-24 2008-08-12 Verigy (Singapore) Pte. Ltd. System and method for testing circuitry on a wafer
JP4570446B2 (ja) * 2004-11-16 2010-10-27 パナソニック株式会社 半導体ウェハーおよびその検査方法
WO2006096814A2 (en) * 2005-03-08 2006-09-14 Akrion, Inc. Method and system for processing substrates with sonic energy that reduces or eliminates damage to semiconductor devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08114646A (ja) * 1994-10-18 1996-05-07 Sony Corp Ｉｃ用テスタの稼働情報収集方法
KR19980063512A (ko) * 1996-12-10 1998-10-07 사와무라시꼬 검사 시스템

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