KR100886974B1 - 엑스레이 디텍터 - Google Patents

엑스레이 디텍터 Download PDF

Info

Publication number
KR100886974B1
KR100886974B1 KR1020020045653A KR20020045653A KR100886974B1 KR 100886974 B1 KR100886974 B1 KR 100886974B1 KR 1020020045653 A KR1020020045653 A KR 1020020045653A KR 20020045653 A KR20020045653 A KR 20020045653A KR 100886974 B1 KR100886974 B1 KR 100886974B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transparent electrode
data line
pixel
line
thin film
Prior art date
Application number
KR1020020045653A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040012210A (ko
Inventor
임병천
Original Assignee
하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 하이디스 테크놀로지 주식회사 filed Critical 하이디스 테크놀로지 주식회사
Priority to KR1020020045653A priority Critical patent/KR100886974B1/ko
Publication of KR20040012210A publication Critical patent/KR20040012210A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100886974B1 publication Critical patent/KR100886974B1/ko

Links

Images

Classifications

    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
    • A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
    • A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
    • A61B6/42—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05G—X-RAY TECHNIQUE
    • H05G1/00—X-ray apparatus involving X-ray tubes; Circuits therefor
    • H05G1/08—Electrical details
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Medical Informatics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Radiology & Medical Imaging (AREA)
  • Heart & Thoracic Surgery (AREA)
  • Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Biomedical Technology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Molecular Biology (AREA)
  • Surgery (AREA)
  • Animal Behavior & Ethology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Veterinary Medicine (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

본 발명은 엑스레이 디텍터에 관한 것으로, 절연기판; 상기 절연기판 상면에 교차 배열되어 단위 화소를 한정하는 게이트 라인과 데이터 라인; 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차부에 배치된 박막트랜지스터; 상기 단위 화소에 형성된 제1투명전극; 상기 데이터 라인과 실질적으로 평행 배열하는 공통전극 라인; 상기 데이터 라인의 소오스와 일부 중첩되지 않도록 하는 홀과 상기 데이터 라인의 드레인과 일부 중첩되지 않도록 하는 절곡형태를 지닌 제2투명전극; 및 상기 제2투명전극과 상기 제1투명전극 사이에 형성된 유전막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하며, 박막트랜지스터를 덮고 있는 전극의 모양을 변경함으로써 머쉬룸 구조를 유지하면서도 데이터 라인에 걸리는 캐패시턴스를 감소시켜 고품위를 이룰 수 있는 효과가 있는 것이다.

Description

엑스레이 디텍터{X-RAY DETECTOR}
도 1은 본 발명의 실시예1에 따른 엑스레이 디텍터를 도시한 평면도.
도 2는 본 발명의 실시예2에 따른 엑스레이 디텍터를 도시한 평면도.
도 3은 본 발명의 실시예3에 따른 엑스레이 디텍터를 도시한 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100; 절연기판 110; 게이트 라인
120; 데이터 라인 130; 박막트랜지스터
140; 공통전극 라인 150; 제1투명전극
160; 제2투명전극 170; 콘택홀
180; 홀 190; 절곡 패턴
본 발명은 엑스레이 디텍터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 데이터 라인에 걸리는 캐패시턴스를 감소시켜 화면품위를 향상시킬 수 있는 엑스레이 디텍터에 관한 것이다.
일반적으로, 의료용으로 광범위하게 사용되고 있는 필름 인화 방식의 엑스레 이(이하,X-ray) 촬영법은 필름 촬영후 인화 과정을 거쳐야 하기 때문에 일정시간이 흐른 후 그 결과물을 인지할 수 있다는 단점이 존재하였으며, 촬영후 필름의 보관 및 보존에 있어서 많은 문제점이 있었다.
종래에는 이러한 단점을 보완하기 위하여 박막트랜지스터 어레이를 이용한 디지털 X-ray 디텍터(DXD: Digital X-ray Detector)가 연구 개발되었다.
종래 기술에 따른 디지털 X-ray 디텍터는, 절연기판, 외부에서 인가되는 X-ray에 의해서 발생된 전하(charge)를 충전할 수 있는 캐패시터, 캐패시터에 충전된 전하를 외부의 리드아웃(read out) 집적회로로 보내기 위한 박막트랜지스터(Thin Film Transistor,이하 TFT), X-ray를 캐패시터에 충전시킬 수 있는 전하로 변환시키는 광변환부, 광변환부에서 발생한 전하를 모을 수 있는 전하채집전극(Chage Collecting Electrode, 이하 CCE), 광변환부에서 발생한 전하를 캐패시터로 이동시키기 위하여 전압을 인가하는 고압직류장치, 고압직류장치로부터 고압이 인가되는 도전전극 및 보호막을 포함하여 구성되어 있다.
종래 기술에 따른 디지털 X-ray 디텍터는 다음과 같이 동작한다.
먼저, X-ray 신호가 외부에서 인가되면 광변환부에서 전자-정공쌍이 형성된다. 이렇게 형성된 전자-정공쌍은 고압직류장치에 의해서 각각의 방향으로 분리되어, CCE를 통해 캐패시터에 저장된다. 캐패시터에 저장된 전하는 TFT에 의해 집적회로부로 이동되고, 집적회로부에서는 전달된 전하를 영상신호로 변환시켜 X-ray 촬영 결과를 표시하게 되는 것이다.
이와 같이 X-ray 디텍터는 TFT를 스위칭 소자로 이용하여 X-ray 촬영후 바로 그 결과물을 확인할 수 있으며, 디스털 신호로 결과물이 출력되기 때문에 보관이 용이하며 반영구적으로도 보존할 수 있다는 장점이 있다.
그러나, 종래 기술에 따른 엑스레이 디텍터에 있어서는 다음과 같은 문제점이 있다.
종래 기술에 있어서는, CCE를 사용하여 광변환부에서 발생하는 전하를 채집하는데 CCE가 형성되지 못한 부분의 광변환부에서 발생하는 전하들이 CCE를 통하여 외부 집적회로로 이동되지 못하여 광변환부내에 포획(trap)된다. 이렇게 포획된 전하는 지속적인 X-ray 촬영에 따라 점점 증가하여 TFT부 배면에 쌓여 TFT의 오프 전류(Ioff: off curent)를 증가시키는 문제점이 있었다.
따라서, 이를 방지하기 위해서 CCE를 TFT 상부까지 확장시켜 TFT 상부에 존재하는 전하들까지 외부의 집적회로로 빠져 나갈 수 있게 하는 이른바 머쉬룸(mush room; 미합중국특허 제5,498,880호) 구조가 제안된 바 있었다.
그러나, 이러한 머쉬룸 구조는 지속적인 전하 포획(charge trapping)은 방지할 수 있었으나, CCE에 연결된 머쉬룸과 TFT 사이에 기생캐패시터(parasitic capacitor) 용량이 커서 TFT가 오프 상태일지라도 누설전류를 증대시키고 스위칭 동작을 열화시키는 문제점이 있었다.
즉, TFT의 소오스 상부는 CCE에 의해 전면적으로 덮혀 있고, TFT의 소오스/드레인의 좌우 대칭성을 유지하기 위하여 드레인 상부에 형성되는 CCE는 공정 CD 마진과 오버레이 마진을 고려하여 데이터 라인 상부까지 덮도록 형성된다. 이때 TFT의 드레인과 인접하는 데이터 라인과의 오버랩 캐패시턴스를 나타내게 되며, 이는 데이터 라인의 캐패시턴스를 과도하게 증가시켜 엑스레이 디텍터의 패널의 품질을 떨어뜨리게 되는 것이다.
이러한 문제점을 해결하기 위해 CCE와 TFT의 백채널(back channel) 사이에 보호막(passivation layer)을 두껍게 형성하는 구조가 대한민국 특허출원 제10-1999-0011516호에 의해 제안된 바 있었다.
하지만, 이러한 구조에 있어서는 캐패시터 충전용량을 확보하기 위하여 투명전극이 추가로 형성되어야 하며, TFT를 구동하여 캐패시터에 충전된 전하를 집적회로로 이동시킬 때 CCE의 전위가 변하기 때문에 TFT의 오프 전류(Ioff)를 일률적으로 제어하기 어렵다는 문제점이 있었다.
이에 본 발명은 상기한 종래 기술상의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 머쉬룸 구조에서 박막트랜지스터를 덮고 있는 전극의 형태를 변경하여 데이터 라인에 걸리는 캐패시턴스를 감소시킬 수 있는 엑스레이 디텍터를 제공함에 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예1에 따른 엑스레이 디텍터는, 절연기판; 상기 절연기판 상면에 교차 배열되어 단위 화소를 한정하는 게이트 라인과 데이터 라인; 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차부에 배치된 박막트랜지스터; 상기 단위 화소에 형성된 제1투명전극; 상기 데이터 라인과 실질적으로 평행 배열하는 공통전극 라인; 상기 데이터 라인의 소오스와 일부 중첩되지 않도록 하는 홀과 상기 데이터 라인의 드레인과 일부 중첩되지 않도록 하는 절곡형태를 지닌 제2투명전극; 및 상기 제2투명전극과 상기 제1투명전극 사이에 형성된 유전막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예2에 따른 엑스레이 디텍터는, 절연기판; 상기 절연기판 상면에 교차 배열되어 자단 화소를 한정하는 게이트 라인과 데이터 라인; 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차부에 배치된 박막트랜지스터; 상기 자단 화소에 형성된 제1투명전극; 상기 데이터 라인과 실질적으로 평행 배열하는 공통전극 라인; 후단 화소의 박막트랜지스터 상부까지 연장되어 형성되고 상기 후단 화소에 대응되는 데이터 라인의 소오스와 드레인과는 일부 중첩하지 않도록 하는 절곡 패턴을 지닌 자단 화소의 제2투명전극; 전단 화소에서 연장되어 자단 화소의 박막트랜지스터 상부까지 형성되고 상기 자단 화소에 대응되는 데이터 라인의 소오스와 드레인과는 일부 중첩하지 않도록 하는 절곡 패턴을 지닌 전단 화소의 제2투명전극; 및 상기 자단 화소의 제2투명전극과 상기 제1투명전극 사이에 형성된 유전막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예3에 따른 엑스레이 디텍터는, 절연기판; 상기 절연기판 상면에 교차 배열되어 단위 화소를 한정하는 게이트 라인과 데이터 라인; 상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차부에 배치된 박막트랜지스터; 상기 단위 화소에 형성되고 상기 데이터 라인의 소오스와 드레인과는 일부 중첩하지 않도록 하는 절곡 패턴을 지닌 제1투명전극; 상기 데이터 라인과 실질적으로 평행 배열하는 공통전극 라인; 상기 박막트랜지스터 및 제1투명전극을 덮는 제2 투명전극; 및 상기 제2투명전극과 상기 제1투명전극 사이에 형성된 유전막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 박막트랜지스터를 덮고 있는 전극의 모양을 변경함으로써 머쉬룸 구조를 유지하면서도 데이터 라인에 걸리는 캐패시턴스를 감소시킬 수 있다.
이하, 본 발명에 따른 엑스레이 디텍터를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예1에 따른 엑스레이 디텍터를 도시한 평면도이고, 도 2는 본 발명의 실시예2에 따른 엑스레이 디텍터를 도시한 평면도이고, 도 3은 본 발명의 실시예3에 따른 엑스레이 디텍터를 도시한 평면도이다.
본 발명의 실시예1에 따른 엑스레이 디텍터는, 도 1에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 절연기판(100) 상면에 실질적으로 수직 교차 배열되어 단위 화소를 한정하도록 게이트 라인(110)은 횡방향으로 데이터 라인(120)은 종방향으로 배열되어 있다.
상기 단위 화소를 한정하는 게이트 라인(110)과 데이터 라인(120)의 교차부에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(130)가 형성되어 있다.
상기 단위 화소에는 제1투명전극(150)이 형성되어 있으며, 또한 상기 데이터 라인(120)과 실질적으로 평행 배열하는 공통전극 라인(140)이 형성되어 있다. 여기서, 상기 제1투명전극(150)은 상기 공통전극 라인(140)과 전기적으로 콘택되어 있고, 상기 공통전극 라인(140)은 상기 제1투명전극(150)으로 공통신호를 계속적으로 인가하는 역할을 담당한다.
또한, 상기 단위 화소내에는 상기 데이터 라인(120)의 소오스와 일부 중첩되지 않도록 하는 홀(180)과 상기 데이터 라인(120)의 드레인과 일부 중첩되지 않도록 하는 절곡형태(190)를 지닌 전하채집전극(CCE)인 제2투명전극(160)이 형성되어 있다.
상기 제2투명전극(160)은 상기 데이터 라인(120)과 중첩하는 드레인 부분과는 절곡 패턴을 지니고 있기 때문에 데이터 라인과의 겹침이 줄어든다. 또한, 상기 데이터 라인(120)의 드레인과 반대에 있는 소오스와는 홀(180)에 의해 일부 중첩하지 않으므로 박막트랜지스터(130) 상부의 소오스/드레인과는 대칭성을 계속적으로 유지한다.
상기 제2투명전극(160)은 상기 박막트랜지스터(130) 상의 소오스와 콘택홀(170)에 의해 전기적으로 콘택되어 있다.
한편, 도1에는 도시하지 않았지만 상기 제2투명전극(160)과 상기 제1투명전극(150) 사이에는 실리콘질화막, 실리콘산화막, 실리콘옥시질화막 또는 이들의 결합 등으로 구성된 유전막(미도시)이 형성되어 있다.
또한, 상기 절연기판(100)상에는 셀레늄(Se)과 같은 감광성 물질이 도포되어 광변환부를 이루고 있으며, 상기 광변환부 상면에는 외부에서 인가되는 엑스레이(X-ray)가 통과되도록 하는 투명한 도전전극이 형성되어 있다.
상기와 구성을 갖는 엑스레이 디텍터는 다음과 같이 동작한다.
외부로 입사되는 엑스레이가 광변환부를 구성하는 물질에 도달하면 입사되는 엑스레이의 노출광의 세기에 따라 감광성 물질 내부에 전자 및 전자쌍이 생성된다. 생성된 전자 및 전자쌍은 투명한 도전전극에 의해 상기 제2투명전극(160)에 전하(Charge)의 형태로 포획(Trap) 되고, 포획된 전자는 상기 제2투명전극(160)과 제1투명전극(150) 및 유전막(미도시)으로 이루어진 캐패시터에 축적된다.
축적된 전하는 박막트랜지스터(130)의 스위칭 동작에 의해 상기 데이터 라인(120)의 소오스/드레인과 전기적으로 콘택되는 상기 제2투명전극(160)을 통해 소정의 외부회로로 이동하여 영상으로 표현된다.
한편, 상기 제2투명전극(160)은 홀(180)과 절곡 패턴(190)에 의해 상기 데이터 라인(120)과의 중첩이 줄어들어 데이터 라인(120)에 걸리는 캐패시턴스가 과도하게 증가되지 않는다는 것은 상기한 바와 같다. 따라서, 상기 박막트랜지스터(130)가 오프 상태일지라도 누설전류가 증대되지 아니하고 스위칭 동작이 열화되지 않는다.
본 발명의 실시예2에 따른 엑스레이 디텍터는, 도 2에 도시된 바와 같이, 절연기판(200) 상면에 수직하여 교차 배열하도록 게이트 라인(210)이 횡방향으로, 데이터 라인(220)은 종방향으로 신장되어 배치되어 있다.
여기서, 한 쌍의 게이트 라인(210)과 데이터 라인(220)은 어느 일단의 화소를 한정한다. 특히, 본원에서는 설명의 편의상 상기 게이트 라인(210)과 데이터 라인(220)으로 정의된 화소를 자단 화소, 상기 자단 화소의 상하부 화소를 각각 전단 화소 및 후단 화소라고 정의하도록 한다.
상기 자단 화소를 한정하는 상기 게이트 라인(210)과 데이터 라인(220)은 그 수직 교차부에 스위칭 소자인 박막트랜지스터(230)를 포함하고 있다.
상기 자단 화소에는 제1투명전극(250)이 형성되어 있으며, 상기 제1투명전극(250)는 상기 데이터 라인(220)과 평행 배열하는 공통전극 라인(240)과 전기적으로 콘택되어 있다. 여기서, 상기 공통전극 라인(240)은 상기 제1투명전극(250)에 공통신호를 계속적으로 인가하는 역할을 한다.
상기 자단 화소에는 후단 화소의 박막트랜지스터(미도시) 상부까지 연장되어 형성되고 상기 후단 화소에 대응되는 데이터 라인(220)의 소오스와 드레인과는 일부 중첩하지 않도록 하는 절곡 패턴(290)를 지닌 자단 화소의 제2투명전극(260a)이 전하채집전극(CCE)로서 형성되어 있다.
그리고, 상기 자단 화소에는 전단 화소에서 연장되어 자단 화소의 박막트랜지스터(230) 상부까지 형성되고 상기 자단 화소에 대응되는 데이터 라인(220)의 소오스와 드레인과는 일부 중첩하지 않도록 하는 절곡 패턴(290)를 지닌 전단 화소의 제2투명전극(260b)의 일부도 전하채집전극(CCE)으로서 형성되어 있다.
여기서, 상기 자단 화소의 제2투명전극(260a)은 상기 자단 화소의 데이터 라인(220)의 소오스와 콘택홀(270)에 의해 전기적으로 콘택되어 있다.
상기 전단 화소의 제2투명전극(260b)에서 상기 데이터 라인(120)의 소오스와 드레인 부분과 중첩하는 부위는 절곡 패턴(290)를 지니고 있기 때문에 데이터 라인과의 겹침이 줄어든다. 이때, 절곡 패턴(290)는 소오스와 드레인 양쪽에서 서로 대칭되는 형태이다. 또한, 전하채집전극으로서의 제2투명전극은 각각 전단 화소의 제2투명전극(260b)과 자단 화소의 제2투명전극(260a)으로 분리되어 있는 구조이므 로 소오스와 중첩하는 부위는 홀이 형성되는 것이 아니라 드레인과 중첩하는 부위와 마찬가지로 절곡형을 이룬다.
상기 제1투명전극(250)과 자단 화소의 제2투명전극(260a) 사이에는 유전층 역할을 하는 유전막(미도시)이 개재되어 있는데, 상기 유전막(미도시)은 실리콘질화막, 실리콘산화막, 실리콘옥시질화막 또는 이들의 결합으로 구성되어 있다.
한편, 도 2에는 도시하지 않았지만, 상기 절연기판(200)상에는 셀레늄(Se)과 같은 감광성 물질이 도포되어 광변환부를 이루고 있다. 또한, 상기 광변환부 상면에는 외부에서 인가되는 엑스레이(X-ray)가 통과되도록 하는 투명한 도전전극이 형성되어 있다.
상기와 같은 구성을 갖는 엑스레이 디텍터는 본 발명의 실시예1과 같은 동작을 하는데, 특히 상기 제2투명전극(260a)(260b)중에서 전단 화소에서 연장되어 형성된 전단 화소의 제2투명전극(260b)에 포획된 전하들은 전단 화소가 구동될 때 모두 외부로 빠져나가 버리게 되므로, 자기단 화소의 박막트랜지스터(230)에 영향을 미치지 않게 된다. 따라서, 자단 화소의 박막트랜지스터(230) 상부에는 전하포획(Charge Trapping)이 없게 되며, 전단 화소의 스토리지 캐패시터에 충전된 전하가 리드아웃(Readout)된 후에는 바닥상태의 전위(Ground Potential)로 작용하여 자단 화소의 박막트랜지스터(230) 작용시 누설전류 영향이 크지 않게 된다.
본 발명의 실시예3에 따른 엑스레이 디텍터는, 도 3에 도시된 바와 같이, 유리와 같은 절연기판(300) 상면에 실질적으로 수직 교차 배열되어 단위 화소를 한정하도록 게이트 라인(310)은 횡방향으로 데이터 라인(320)은 종방향으로 배열되어 있다.
상기 게이트 라인(310)과 데이터 라인(320)의 교차부에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(330)가 배치되어 있다.
상기 단위 화소에는 제1투명전극(350)이 형성되어 있는데, 상기 제1투명전극(350)에는 상기 데이터 라인의 소오스와 드레인과는 일부 중첩하지 않도록 하는 절곡 패턴을 지니고 있다. 그리고, 상기 제1투명전극(250)은 상기 데이터 라인(320)과 실질적으로 평행 배열하는 공통전극 라인(340)과 콘택된다.
또한, 상기 단위 화소내에는 상기 박막트랜지스터(330) 및 제1투명전극(350)을 덮는 제2투명전극(360)이 형성되어 있으며, 콘택홀(370)에 의해 상기 데이터 라인(320)의 소오스와 전기적으로 콘택되어 있다.
한편, 도 3에는 도시하지 않았지만, 상기 제2투명전극(360)과 상기 제1투명전극(350) 사이에는 실리콘질화막, 실리콘산화막, 실리콘옥시질화막 또는 이들의 결합으로 구성된 유전막(미도시)이 형성되어 있다.
또한, 상기 절연기판(300)상에는 셀레늄(Se)과 같은 감광성 물질이 도포되어 광변환부를 이루고 있다. 또한, 상기 광변환부 상면에는 외부에서 인가되는 엑스레이(X-ray)가 통과되도록 하는 투명한 도전전극이 형성되어 있다.
상기와 같은 구성을 갖는 엑스레이 디텍터의 동작은 본 발명의 실시예1과 동일하므로 여기서의 자세한 설명은 생략하기로 한다.
본 발명의 원리와 정신에 위배되지 않는 범위에서 여러 실시예는 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 뿐만 아니라 용이하게 실시할 수 있다. 따라서, 본원에 첨부된 특허청구범위는 이미 상술된 것에 한정되지 않으며, 하기 특허청구범위는 당해 발명에 내재되어 있는 특허성 있는 신규한 모든 사항을 포함하며, 아울러 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해서 균등하게 처리되는 모든 특징을 포함한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 엑스레이 디텍터에 있어서는 다음과 같은 효과가 있다.
본 발명에 있어서는, 박막트랜지스터를 덮고 있는 전극의 모양을 변경함으로써 머쉬룸 구조를 유지하면서도 데이터 라인에 걸리는 캐패시턴스를 감소시켜 고품위를 이룰 수 있는 효과가 있다.

Claims (12)

  1. 절연기판;
    상기 절연기판 상면에 교차 배열되어 단위 화소를 한정하는 게이트 라인과 데이터 라인;
    상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차부에 배치된 박막트랜지스터;
    상기 단위 화소에 형성된 제1투명전극;
    상기 데이터 라인과 실질적으로 평행 배열하는 공통전극 라인;
    상기 데이터 라인의 소오스와 일부 중첩되지 않도록 하는 홀과 상기 데이터 라인의 드레인과 일부 중첩되지 않도록 하는 절곡형태를 지닌 제2투명전극; 및
    상기 제2투명전극과 상기 제1투명전극 사이에 형성된 유전막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 유전막은 실리콘질화막, 실리콘산화막, 실리콘옥시질화막 또는 이들의 결합인 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1투명전극은 상기 공통전극 라인과 전기적으로 콘택되어 있는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2투명전극은 상기 소오스와 콘택홀에 의해 전기적으로 콘택되어 있는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터.
  5. 절연기판;
    상기 절연기판 상면에 교차 배열되어 자단 화소를 한정하는 게이트 라인과 데이터 라인;
    상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차부에 배치된 박막트랜지스터;
    상기 자단 화소에 형성된 제1투명전극;
    상기 데이터 라인과 실질적으로 평행 배열하는 공통전극 라인;
    후단 화소의 박막트랜지스터 상부까지 연장되어 형성되고 상기 후단 화소에 대응되는 데이터 라인의 소오스와 드레인과는 일부 중첩하지 않도록 하는 절곡 패턴을 지닌 자단 화소의 제2투명전극;
    전단 화소에서 연장되어 자단 화소의 박막트랜지스터 상부까지 형성되고 상기 자단 화소에 대응되는 데이터 라인의 소오스와 드레인과는 일부 중첩하지 않도록 하는 절곡 패턴을 지닌 전단 화소의 제2투명전극; 및
    상기 자단 화소의 제2투명전극과 상기 제1투명전극 사이에 형성된 유전막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 유전막은 실리콘질화막, 실리콘산화막, 실리콘옥시질화막 또는 이들의 결합인 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1투명전극은 상기 공통전극 라인과 전기적으로 콘택되어 있는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 자단 화소의 제2투명전극은 상기 자단 화소의 데이터 라인의 소오스와 콘택홀에 의해 전기적으로 콘택되어 있는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터.
  9. 절연기판;
    상기 절연기판 상면에 교차 배열되어 단위 화소를 한정하는 게이트 라인과 데이터 라인;
    상기 게이트 라인과 데이터 라인의 교차부에 배치된 박막트랜지스터;
    상기 단위 화소에 형성되고 상기 데이터 라인의 소오스와 드레인과는 일부 중첩하지 않도록 하는 절곡 패턴을 지닌 제1투명전극;
    상기 데이터 라인과 실질적으로 평행 배열하는 공통전극 라인;
    상기 박막트랜지스터 및 제1투명전극을 덮는 제2투명전극; 및
    상기 제2투명전극과 상기 제1투명전극 사이에 형성된 유전막을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 유전막은 실리콘질화막, 실리콘산화막, 실리콘옥시질화막 또는 이들의 결합인 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1투명전극은 상기 공통전극 라인과 전기적으로 콘택되어 있는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제2투명전극은 상기 소오스와 콘택홀에 의해 전기적으로 콘택되어 있는 것을 특징으로 하는 엑스레이 디텍터.
KR1020020045653A 2002-08-01 2002-08-01 엑스레이 디텍터 KR100886974B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020045653A KR100886974B1 (ko) 2002-08-01 2002-08-01 엑스레이 디텍터

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020020045653A KR100886974B1 (ko) 2002-08-01 2002-08-01 엑스레이 디텍터

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040012210A KR20040012210A (ko) 2004-02-11
KR100886974B1 true KR100886974B1 (ko) 2009-03-04

Family

ID=37320217

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020045653A KR100886974B1 (ko) 2002-08-01 2002-08-01 엑스레이 디텍터

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100886974B1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000019853A (en) * 1998-09-16 2000-04-15 Lg Philips Lcd Co Ltd Device for sensing x-ray video and manufacturing method thereof
KR20000024969A (ko) * 1998-10-07 2000-05-06 구본준, 론 위라하디락사 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법
KR20000061397A (ko) * 1999-03-25 2000-10-16 구본준 엑스레이 영상 감지소자

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000019853A (en) * 1998-09-16 2000-04-15 Lg Philips Lcd Co Ltd Device for sensing x-ray video and manufacturing method thereof
KR20000024969A (ko) * 1998-10-07 2000-05-06 구본준, 론 위라하디락사 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법
KR20000061397A (ko) * 1999-03-25 2000-10-16 구본준 엑스레이 영상 감지소자

Also Published As

Publication number Publication date
KR20040012210A (ko) 2004-02-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100630880B1 (ko) 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
JP3936758B2 (ja) フラットパネル放射線イメージング装置
KR100577410B1 (ko) 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
CN101944550B (zh) 光电转换装置以及射线成像装置
JP4017204B2 (ja) 固体放射線イメージング装置
JP2022062089A (ja) デジタル撮像システムにおける放射線検出のための装置
JPH09503351A (ja) イメージ検出器
US6060714A (en) Large area imager with photo-imageable interface barrier layer
JP4022276B2 (ja) パターン形成した共通電極を有するフラット・パネル放射線撮像装置
JP2023083279A (ja) デジタル撮像システムにおける放射線検出のための装置
KR100443902B1 (ko) 엑스레이 영상 감지소자 및 그 제조방법
US5895936A (en) Image capture device using a secondary electrode
KR100463337B1 (ko) 엑스레이영상감지소자및그제조방법
KR100514108B1 (ko) 2차원 화상검출기
JP6743181B2 (ja) 固体撮像素子
CA2455319C (en) Active-matrix substrate and electromagnetic wave detector
KR100886974B1 (ko) 엑스레이 디텍터
KR100524081B1 (ko) 엑스레이 영상 감지소자
JP4217443B2 (ja) 放射線画像撮影装置及びその製造方法並びに撮像回路基板
US20050082492A1 (en) Image detector with tandem-gate TFT
KR100520382B1 (ko) 엑스레이 디텍터 및 그 제조방법
KR100476054B1 (ko) 엑스레이 디텍터
KR100852516B1 (ko) 엑스레이 디텍터의 제조방법
KR100577794B1 (ko) 디지털 엑스레이 디텍터
US20220359589A1 (en) Architecture for and Method of Operating a Metal Oxide Based Sensor

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130107

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140116

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150116

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170119

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180118

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200128

Year of fee payment: 12