KR100881286B1 - Plasma Torch and Scrubber System using the Same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 토치 및 이를 이용한 스크러버 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 공정에서 사용되어 배출되는 폐가스가 분사되는 분사구와 플라즈마 공급 가스가 분사되는 분사구를 서로 달리하여 플라즈마 공급 가스가 분사되는 분사구가 폐가스에 포함되어 있는 이물 입자에 의하여 막히는 것을 방지하고, 폐가스의 처리 효율을 높일 수 있는 플라즈마 토치 및 이를 이용한 스크러버 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma torch and a scrubber system using the same, and more particularly, the injection hole in which the plasma supply gas is injected is different from the injection hole in which the waste gas discharged and discharged from the plasma supply gas is injected. The present invention relates to a plasma torch and a scrubber system using the same to prevent clogging by foreign particles contained in waste gas and to increase the treatment efficiency of waste gas.

반도체 공정, 스크러버 시스템, 플라즈마 토치  Semiconductor Process, Scrubber System, Plasma Torch

Description

플라즈마 토치 및 이를 이용한 스크러버 시스템{Plasma Torch and Scrubber System using the Same} Plasma Torch and Scrubber System using the Same}

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 스크러버 시스템의 정면도를 나타낸다.1 shows a front view of a scrubber system according to an embodiment of the present invention.

도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 토치의 정면도를 나타낸다.2A illustrates a front view of a plasma torch in accordance with an embodiment of the present invention.

도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 토치의 단면도를 나타낸다.2B illustrates a cross-sectional view of a plasma torch in accordance with an embodiment of the present invention.

도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 토치의 폐가스 유입부에 대한 평면도이다. Figure 2c is a plan view of the waste gas inlet of the plasma torch according to an embodiment of the present invention.

도 2d는 도 2c의 A-A 단면도이다.FIG. 2D is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 2C.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 스크러버 시스템을 구성하는 연소 탱크의 단면도를 나타낸다.3 is a cross-sectional view of a combustion tank constituting a scrubber system according to an embodiment of the present invention.

도 4a는 본 발명의 실시예에 따른 스크러버 시스템을 구성하는 수조탱크의 평면도를 나타낸다.Figure 4a shows a plan view of a tank tank constituting a scrubber system according to an embodiment of the present invention.

도 4b는 도 4a의 B-B 단면도를 나타낸다.4B is a sectional view taken along the line B-B in FIG. 4A.

도 4c는 도 4a의 수조탱크의 측면도를 나타낸다.4C shows a side view of the tank of FIG. 4A.

< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>

10 - 스크러버 시스템10-scrubber system

100 - 플라즈마 토치100-plasma torch

110 - 음극 전극 120 - 파이롯 전극110-cathode electrode 120-pilot electrode

130 - 제1양극 전극 140 - 제2양극 전극130-first positive electrode 140-second positive electrode

150 - 폐가스 유입부150-waste gas inlet

200 - 연소 탱크200-combustion tank

210 - 외부 하우징 220 - 내부 하우징210-Outer Housing 220-Inner Housing

230 - 하부 하우징 240 - 연결관230-lower housing 240-connector

300 - 수조 탱크300-tank tank

310 - 수조 하우징 320 - 가스 유도관310-Bath Housing 320-Gas Guide Tube

330 - 입자 유도판 340 - 제1필터330-Particle guide plate 340-First filter

350 - 제2필터 360 - 유동 방지판350-Second Filter 360-Flow Block

400 - 습식 타워400-wet tower

본 발명은 플라즈마 토치 및 이를 이용한 스크러버 시스템에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 반도체 공정에서 사용되어 배출되는 폐가스가 분사되는 분사구와 플라즈마 공급 가스가 분사되는 분사구를 서로 달리하여 플라즈마 공급 가스가 분사되는 분사구가 폐가스에 포함되어 있는 이물 입자에 의하여 막히는 것을 방지하고, 폐가스의 처리 효율을 높일 수 있는 플라즈마 토치 및 이를 이용한 스크러버 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma torch and a scrubber system using the same, and more particularly, the injection hole in which the plasma supply gas is injected is different from the injection hole in which the waste gas discharged and discharged from the plasma supply gas is injected. The present invention relates to a plasma torch and a scrubber system using the same to prevent clogging by foreign particles contained in the waste gas and to increase the treatment efficiency of the waste gas.

화학 공정이나 반도체 제조 공정 등에서 배출되는 배기 가스는 유독성, 폭발성 및 부식성이 강하기 때문에 인체에 유해할 뿐만 아니라 그대로 대기 중으로 방출될 경우에는 환경 오염을 유발하는 원인이 되기도 한다. 따라서, 이러한 배기 가스는 유해성분의 함량을 허용 농도 이하로 낮추는 정화처리과정이 반드시 필요하며, 이와 같은 독성물질을 제거하는 정화처리 과정을 거친 무해 가스만이 대기 중으로 배출되도록 법적으로 의무화되어 있다.Exhaust gases emitted from chemical processes or semiconductor manufacturing processes are toxic, explosive and corrosive, and therefore are not only harmful to the human body but also cause environmental pollution when released into the atmosphere. Therefore, the exhaust gas must be purged to lower the content of harmful components below the allowable concentration, and it is legally mandated to discharge only harmless gases that have undergone the purification process to remove such toxic substances into the atmosphere.

반도체 제조 공정 등에서 배출되는 유해성 가스를 처리하는 스크러버 시스템은 버닝(burning) 방식과 습식(Wetting) 방식이 있다. 상기 버닝 방식은 주로 수소기 등을 함유한 발화성 가스를 고온의 연소실에서 분해, 반응 또는 연소시켜 배기 가스를 처리하는 방식이고, 습식 방식은 주로 수용성 가스를 수조에 저장된 물을 통과시키는 동안 물에 용해하여 배기 가스를 처리하는 방식이다.There are two types of scrubber systems for treating harmful gases emitted from semiconductor manufacturing processes, such as burning and wetting. The burning method is mainly a method of treating exhaust gas by decomposing, reacting or burning a ignitable gas containing a hydrogen group in a high temperature combustion chamber, and the wet method mainly dissolves water in water while passing a water gas stored in the tank. By treating the exhaust gas.

상기 버닝 방식 스크러버 시스템중의 하나는 플라즈마를 이용하여 폐가스들을 연소시켜 무해한 가스로 만들어 배출하게 된다. 상기 플라즈마를 이용한 스크러버 시스템은 플라즈마 토치를 이용하여 플라즈마를 발생시키고 플라즈마에 폐가스를 유입시켜 폐가스를 연소시키게 된다. 일반적인 플라즈마 토치는 플라즈마 형성을 위한 플라즈마 공급 가스와 폐가스를 동일한 분사구를 통하여 내부로 공급하게 되며 폐가스에 포함되어 있는 이물 입자에 의하여 분사구가 막히는 현상이 발생된다. 상기 플라즈마 공급 가스가 분사되는 분사구가 막히게 되면 플라즈마 토치를 분해하여 이물 입자를 제거해야 하므로 폐가스의 처리 효율이 감소되는 문제가 있다. One of the burning type scrubber systems burns waste gases using plasma and discharges them into harmless gases. The scrubber system using the plasma generates a plasma using a plasma torch and injects waste gas into the plasma to burn the waste gas. In general, the plasma torch supplies the plasma supply gas and the waste gas for plasma formation to the inside through the same injection hole, and the injection hole is clogged by foreign particles contained in the waste gas. When the injection port to which the plasma supply gas is injected is clogged, the plasma torch is decomposed to remove foreign particles, thereby reducing the efficiency of treating waste gas.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명은 반도체 공정에서 사용되어 배출되는 폐가스가 분사되는 분사구와 플라즈마 공급 가스가 분사되는 분사구를 서로 달리하여 플라즈마 공급 가스가 분사되는 분사구가 폐가스에 포함되어 있는 이물 입자에 의하여 막히는 것을 방지하고, 폐가스의 처리 효율을 높일 수 있는 플라즈마 토치 및 이를 이용한 스크러버 시스템을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.The present invention for solving the above problems is different from the injection hole for injection of the waste gas discharged and used in the semiconductor process and the injection hole for the plasma supply gas is injected from the foreign matter particles that the injection of the plasma supply gas is contained in the waste gas It is an object of the present invention to provide a plasma torch and a scrubber system using the same, which can prevent clogging and increase treatment efficiency of waste gas.

또한, 본 발명은 수조 하우징의 내부로 유입되는 연소가스를 직접 물과 접촉되도록 함으로써 연소가스에 포함되어 있는 수용성 가스를 보다 효과적으로 물에 용해시켜 포집할 수 있는 스크러버 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다.In addition, an object of the present invention is to provide a scrubber system capable of dissolving and collecting the water-soluble gas contained in the combustion gas more effectively by bringing the combustion gas flowing into the tank housing directly into water.

상기와 같은 과제를 해결하기 위해서 안출된 본 발명의 플라즈마 토치는 상부에 위치하는 음극 전극과, 상기 음극 전극의 하부에 위치하며 내부에 상부에서 하부로 관통되는 제1관통홀을 구비하는 제1양극 전극과, 상기 제1양극 전극의 하부에 위치하며 내부에 상부에서 하부로 관통되며 상기 제1관통홀과 연결되는 제2관통홀 및 측면에서 상기 제2관통홀로 관통되는 폐가스 유입홀을 구비하는 제2양극 전극을 포함하며, 상기 음극 전극과 제1양극 전극 사이에 플라즈마 공급 가스가 공급되도록 형성되는 것을 특징으로 한다. In order to solve the above problems, the plasma torch of the present invention is provided with a first electrode having a cathode electrode positioned at an upper portion, and a first through hole penetrating from an upper portion to a lower portion located below the cathode electrode. An electrode having a second through-hole penetrating from the top to the bottom and connected to the first through-hole, and a waste gas inlet through the second through-hole from the side; And a two anode electrode, wherein the plasma supply gas is supplied between the cathode electrode and the first anode electrode.

또한, 본 발명에서 상기 음극 전극은 내부에 상부에서 하부로 관통되는 음극홀을 구비하는 음극 몸체와, 하부에 단자홈이 형성되며 상기 음극홀에 결합되는 음극봉 및 상기 단자홈에 결합되는 음극 단자를 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 상 기 음극 전극은 상기 음극 몸체의 외면에 도전코일이 권취되는 외면홈이 형성되며, 전기적 절연체로 형성되며, 상기 음극 몸체의 상면과 측면을 전체적으로 감싸는 음극 케이스를 더 포함하여 형성될 수 있다. In addition, in the present invention, the cathode electrode has a cathode body having a cathode hole penetrating from the top to the bottom therein, a terminal groove is formed at the bottom and the cathode rod coupled to the cathode hole and the cathode terminal coupled to the terminal groove It may be formed to include. In addition, the cathode electrode may be formed on the outer surface of the cathode body is formed with an outer groove in which the conductive coil is wound, is formed of an electrical insulator, and further includes a cathode case covering the top and side of the cathode body as a whole. .

또한, 본 발명에서 상기 플라즈마 토치는 내부에 상부에서 하부로 관통하여 제1관통홀과 연결되는 파이롯 관통홀을 구비하며, 상기 음극 전극과 제1양극 전극 사이에 위치하여 상기 음극 전극과의 사이에 플라즈마 공급 가스를 공급하는 제1가스공급구와 상기 제1양극 전극 사이에 플라즈마 공급 가스를 공급하는 제2가스공급구를 형성하는 파이롯 전극을 더 포함하여 형성될 수 있다. 또한, 상기 파이롯 전극은 측면에 냉각수가 흐르는 파이롯 외면홈을 구비하며, 전기적 절연체로 형성되며, 상기 음극 단자의 측면 하부와 상기 파이롯 전극의 측면 상부를 전체적으로 감싸는 파이롯 케이스를 포함하여 형성될 수 있다. In addition, in the present invention, the plasma torch has a pilot through hole penetrating from the top to the bottom to be connected to the first through hole, and is located between the cathode electrode and the first anode electrode, and between the cathode electrode and the cathode electrode. And a pilot electrode forming a second gas supply port for supplying a plasma supply gas between the first gas supply port for supplying a plasma supply gas to the first anode electrode. In addition, the pilot electrode is provided with a pilot outer surface groove through which the coolant flows and is formed of an electrical insulator, and includes a pilot case covering the lower side of the negative electrode terminal and the upper side of the pilot electrode as a whole. Can be.

또한, 본 발명에서 상기 제1양극 전극은 상기 제1관통홀이 하부 방향으로 갈수록 외면으로 경사지도록 형성되고, 외면에 냉각수가 흐르는 제1외면홈을 구비하며, 상기 파이롯 전극의 외면 하부와 상기 제1외면홈을 포함하는 상기 제1양극 전극의 측면을 감싸면서 상기 제1양극 전극과 상기 파이롯 전극이 서로 이격되어 상기 제2가스공급구를 형성하도록 지지하는 제1양극 케이스를 더 포함하여 형성될 수 있다. In addition, in the present invention, the first anode electrode is formed to be inclined toward the outer surface as the first through-hole goes toward the lower direction, and has a first outer groove in which cooling water flows on the outer surface, and the lower outer surface of the pilot electrode and the And a first anode case surrounding the side of the first anode electrode including a first outer surface groove and supporting the first cathode electrode and the pilot electrode to be spaced apart from each other to form the second gas supply hole. Can be formed.

또한, 본 발명에서 상기 제2양극 전극의 폐가스 유입홀은 상기 제2양극 전극의 상부에 적어도 2개로 형성되고, 상기 제2양극 전극의 제2관통홀은 상기 제2양극 전극의 상단에서 상기 폐가스 유입홀까지 점진적으로 넓어지고 상기 폐가스 유입홀 부터 상기 제2양극 전극의 하단까지 점진적으로 좁아지도록 형성될 수 있다. In addition, in the present invention, at least two waste gas inlet holes of the second anode electrode are formed in the upper portion of the second cathode electrode, and the second through-holes of the second cathode electrode are formed at the upper end of the second cathode electrode. It may be formed to gradually widen to the inlet hole and gradually narrow from the waste gas inlet hole to the lower end of the second anode electrode.

또한, 본 발명에서 상기 제2양극 전극은 측면에 제2외면홈이 형성되며, 상기 제2외면홈을 포함하는 측면을 감싸는 제2양극 케이스를 더 포함하여 형성될 수 있다.In addition, in the present invention, the second anode electrode may have a second outer groove formed on a side thereof, and may further include a second anode case surrounding the side including the second outer groove.

또한, 본 발명에서 상기 플라즈마 토치는 상기 제2양극 전극의 폐가스 유입홀을 전체적으로 감싸는 유입 케이스와 상기 유입 케이스에 상기 폐가스 유입홀에 대응되는 수로 형성되는 폐가스 유입관을 구비하는 폐가스 유입부를 포함하며, 상기 폐가스 유입관은 상기 폐가스 유입홀과 연결되는 부분에서 상기 폐가스 유입관의 축방향인 중심축(X_154)이 폐가스 유입홀(143)에서 제2양극 전극(140)의 외측 방향을 보았을 때 상기 폐가스 유입홀이 형성되는 상기 제2양극 전극의 상하 방향과 평행한 방향인 수직방향을 기준으로 상기 폐가스 유입홀의 중심에서 원주 방향에 수직인 상기 폐가스 유입홀의 중심축(X_143)보다 상부로 향하며, 상기 제2양극 전극의 상하 방향과 수직인 방향인 수평방향을 기준으로 상기 폐가스 유입홀의 중심축(X_143)보다 제2양극 전극의 중심으로부터 외측으로 향하도록 형성될 수 있다.In addition, the plasma torch in the present invention includes a waste gas inlet having an inlet case which covers the waste gas inlet hole of the second anode electrode as a whole and a waste gas inlet tube formed in the inlet case with a number corresponding to the waste gas inlet hole, The waste gas inlet pipe is the waste gas when the central axis (X_154) in the axial direction of the waste gas inlet pipe in the portion connected to the waste gas inlet hole when the outward direction of the second anode electrode 140 in the waste gas inlet hole (143) It is directed upward from the center axis of the waste gas inlet hole (X_143) perpendicular to the circumferential direction from the center of the waste gas inlet hole on the basis of the vertical direction parallel to the vertical direction of the second anode electrode in which the inlet hole is formed. The second positive electrode of the second positive electrode may be larger than the central axis X_143 of the waste gas inlet hole with respect to the horizontal direction which is perpendicular to the vertical direction of the positive electrode. It may be formed to face outward from the center.

또한, 본 발명에 따른 스크러버 시스템은 플라즈마 토치와 연소 탱크와 수조 탱크와 습식 타워를 포함하며 반도체 공정에서 발생되는 폐가스를 처리하는 스크러버 시스템으로 상기 플라즈마 토치는 상기와 같은 플라즈마 토치로 형성될 수 있다. In addition, the scrubber system according to the present invention includes a plasma torch, a combustion tank, a tank tank and a wet tower, and a scrubber system for treating waste gas generated in a semiconductor process. The plasma torch may be formed of the plasma torch as described above.

또한, 본 발명에서 상기 수조 탱크는 상기 연소 탱크의 하부에 위치하며 일측에 연소가스가 유입되는 연소가스 유입구와 연소가스가 유출되는 연소가스 유출구를 구비하는 수조 하우징과, 상부에서 하부로 개방된 통 형상이며 상기 연소가스 유입구와 상기 연소가스 유출구가 내부에 위치하도록 상기 수조 하우징의 상부에 결합되는 가스 유도관을 포함하여 형성될 수 있다.In addition, in the present invention, the tank tank is located in the lower portion of the combustion tank and a tank housing having a combustion gas inlet for the combustion gas flows in one side and a combustion gas outlet for the combustion gas outflow on one side, and the top opened from the top to the bottom The shape may include a gas induction pipe coupled to the upper portion of the tank housing so that the combustion gas inlet and the combustion gas outlet are located therein.

또한, 본 발명에서 상기 수조 하우징은 상기 가스 유도관이 형성되는 영역의 상기 수조 하우징의 하부에 상기 수조 하우징의 포집 영역을 향하도록 경사지게 형성되는 입자 유도판과, 상기 가스 유도관이 형성된 영역과 상기 수조 하우징의 후측 사이에 형성되는 제1필터와 상기 제1필터를 지지하는 제1분리판, 상기 제1필터와 상기 수조 하우징의 후측 사이에 설치되는 제2필터와 상기 제2필터를 지지하는 제2분리판을 포함하여 형성될 수 있다. In addition, in the present invention, the water tank housing is a particle guide plate which is formed to be inclined toward the capture area of the water tank housing in the lower portion of the water tank housing in the area where the gas guide pipe is formed, the area where the gas guide pipe is formed and the A first filter formed between the rear side of the water tank housing and a first separation plate for supporting the first filter, a second filter installed between the first filter and the rear side of the water tank housing, and a second support for the second filter. It may be formed, including two separation plates.

또한, 본 발명에서 상기 수조 탱크는 상기 포집 영역에 하부공간을 갖는 "∩"형상으로 형성되는 유동 방지판을 더 포함하며, 상기 유동 방지판은 상기 수조 하우징의 포집 영역에서 상기 수조 하우징의 물을 배수하기 위한 배수관과 하부공간이 연결되도록 형성될 수 있다.In addition, the tank in the present invention further comprises a flow preventing plate is formed in the "∩" shape having a lower space in the collection area, the flow preventing plate is the water of the tank housing in the collection area of the tank housing. The drain pipe for draining and the lower space may be formed to be connected.

한, 본 발명에서 상기 가스 유도관은 하단이 상기 수조 하우징의 물 수위(W)보다 낮게 되도록 형성될 수 있다.In the present invention, the gas induction pipe may be formed so that the lower end is lower than the water level (W) of the tank housing.

이하에서, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 통하여 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 토치 및 이를 이용한 스크러버 시스템에 대하여 보다 상세히 설명한다.Hereinafter, a plasma torch and a scrubber system using the same will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 스크러버 시스템의 정면도를 나타낸다. 도 2a는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 토치의 정면도를 나타낸다. 도 2b는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 토치의 단면도를 나타낸다. 도 2c는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 토치의 폐가스 유입부에 대한 평면도이다. 도 2d는 도 2c의 A-A 단면도이다. 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 스크러버 시스템을 구성하는 연소 탱크의 단면도를 나타낸다. 도 4a는 본 발명의 실시예에 따른 스크러버 시스템을 구성하는 수조탱크의 평면도를 나타낸다. 도 4b는 도 4a의 B-B 단면도를 나타낸다. 도 4c는 도 4a의 수조탱크의 측면도를 나타낸다.1 shows a front view of a scrubber system according to an embodiment of the present invention. 2A illustrates a front view of a plasma torch in accordance with an embodiment of the present invention. 2B illustrates a cross-sectional view of a plasma torch in accordance with an embodiment of the present invention. Figure 2c is a plan view of the waste gas inlet of the plasma torch according to an embodiment of the present invention. FIG. 2D is a cross-sectional view taken along the line A-A of FIG. 2C. 3 is a cross-sectional view of a combustion tank constituting a scrubber system according to an embodiment of the present invention. Figure 4a shows a plan view of a tank tank constituting a scrubber system according to an embodiment of the present invention. 4B is a sectional view taken along the line B-B in FIG. 4A. 4C shows a side view of the tank of FIG. 4A.

본 발명의 실시예에 따른 스크러버 시스템(10)은, 도 1을 참조하면, 플라즈마 토치(100)와 연소 탱크(200)와 수조 탱크(300)와 습식 타워(400)를 포함하여 형성된다. 상기 스크러버 시스템(10)은 플라즈마를 이용하여 반도체 제조 공정에 발생되는 유해 가스를 포함하는 폐가스를 연소시켜 연소 가스로 만들게 되며 수조 탱크(300)와 습식 타워(400)에서 연소 가스에 포함되어 있는 수용성 유해 가스와 이물 입자를 포집한 후에 무해 가스만을 외부로 유출하게 된다. Referring to FIG. 1, a scrubber system 10 according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plasma torch 100, a combustion tank 200, a water tank 300, and a wet tower 400. The scrubber system 10 burns waste gas containing noxious gas generated in a semiconductor manufacturing process using plasma to make a combustion gas, and the water-soluble water contained in the combustion gas in the tank tank 300 and the wet tower 400. After collecting harmful gases and foreign particles, only harmful gases flow out.

상기 플라즈마 토치(100)는, 도 2a 내지 도 2d를 참조하면, 음극 전극(110)과 제1양극 전극(130)과 제2양극 전극(140) 및 폐가스 유입부(150)를 포함하여 형성된다. 또한, 상기 플라즈마 토치(100)는 음극 전극(110)과 제1양극 전극(130) 사이에 위치하는 파이롯 전극(120)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 플라즈마 토치(100)는 양극 전극이 제1양극 전극(130)과 제2양극 전극(140)으로 분리되어 형성되며, 음극 전극(110)과 제1양극 전극(130) 및 제2양극 전극(140)이 상부에서 순차적으로 배치되도록 형성된다. 상기 플라즈마 토치(100)는 반도체 공정에서 사용되어 배출되는 폐가스가 유입되는 유입홀과 플라즈마 공급 가스가 분사되는 분사구가 서로 다른 위치에 형성되어 플라즈마 공급 가스가 분사되는 분사구가 폐가스에 포함되어 있는 이물 입자에 의하여 막히는 것을 방지하게 된다. 즉, 상기 플라즈마 토치(100)는 음극 전극(110)과 제1양극 전극(130)(또는 파이롯 전극(120)) 사이와 파이롯 전극(120)과 제1양극 전극(130) 사이에서 플라즈마 공급 가스가 공급되는 공급구(126, 137)가 형성되고, 제2양극 전극(140)에 폐가스가 유입되는 폐가스 유입홀(143)이 형성될 수 있다. 따라서, 상기 플라즈마 토치(100)는 폐가스에 혼합되어 있는 이물 입자가 플라즈마 공급 가스를 공급하는 공급구(126, 137)를 막는 것을 방지할 수 있게 된다. 상기 플라즈마 공급 가스는 아르곤(Ar) 또는 질소(N2)와 같은 불활성 가스가 사용된다. 2A to 2D, the plasma torch 100 includes a cathode electrode 110, a first anode electrode 130, a second cathode electrode 140, and a waste gas inlet 150. . In addition, the plasma torch 100 may further include a pilot electrode 120 positioned between the cathode electrode 110 and the first anode electrode 130. The plasma torch 100 is formed by separating the anode electrode into the first cathode electrode 130 and the second anode electrode 140, and the cathode electrode 110, the first cathode electrode 130, and the second cathode electrode ( 140 is formed to be disposed sequentially from the top. The plasma torch 100 has an inlet hole into which waste gas discharged and used in a semiconductor process is introduced, and a spray hole for injecting plasma supply gas is formed in a different position, and thus, foreign matter particles in which the spray gas is injected into the waste gas are included in the waste gas. To prevent clogging. That is, the plasma torch 100 has a plasma between the cathode electrode 110 and the first anode electrode 130 (or the pilot electrode 120) and between the pilot electrode 120 and the first anode electrode 130. Supply ports 126 and 137 through which the supply gas is supplied may be formed, and a waste gas inlet hole 143 through which the waste gas is introduced may be formed in the second anode electrode 140. Accordingly, the plasma torch 100 may prevent foreign particles mixed in the waste gas from blocking the supply ports 126 and 137 supplying the plasma supply gas. As the plasma supply gas, an inert gas such as argon (Ar) or nitrogen (N 2) is used.

상기 음극 전극(110)은 음극 몸체(112)와 음극봉(114) 및 음극 단자(116)를 포함하여 형성된다. 또한, 상기 음극 전극(110)은 음극 케이스(118)를 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 음극 전극(110)은 외부의 직류 전원의 음극과 전기적으로 연결되며, 양극 전극들과 방전을 일으키게 된다. The negative electrode 110 includes a negative electrode body 112, a negative electrode rod 114, and a negative electrode terminal 116. In addition, the cathode electrode 110 may further include a cathode case 118. The cathode electrode 110 is electrically connected to an anode of an external direct current power source and causes discharge with the cathode electrodes.

상기 음극 몸체(112)는 원통형상으로 형성되며 내부에 상부에서 하부로 관통되는 음극홀(112a)을 구비하여 형성된다. 또한, 상기 음극 몸체(112)는 외면에 도전 코일이 권취되는 외면홈(112b)이 형성된다. 상기 도전 코일은 직류 전원(도면에 도시하지 않음)의 음극과 전기적으로 연결되어 음극 전극(110)에 전기를 공급하며, 공급되는 전류에 의하여 자장을 형성하게 된다.The cathode body 112 is formed in a cylindrical shape and is provided with a cathode hole 112a penetrating from the top to the bottom therein. In addition, the cathode body 112 is formed with an outer groove 112b in which a conductive coil is wound on an outer surface thereof. The conductive coil is electrically connected to a cathode of a DC power supply (not shown) to supply electricity to the cathode electrode 110 and to form a magnetic field by the supplied current. do.

상기 음극봉(114)은 원기둥 형상으로 형성되며 하부에 단자홈(114a)이 형성된다. 상기 음극봉(114)은 상면이 노출되면서 음극 몸체(112)의 음극홀(112a)에 분리가 가능하도록 결합된다. 예를 들면, 상기 음극봉(114)은 외면에 나사가 형성되며, 음극홀(112a)에 나사 결합에 의하여 결합될 수 있다. 또한, 상기 음극봉(114)은 상면에서 하면으로 형성되어 단자홈(114a)으로 연결되는 냉각수 통로(117)를 적 어도 2개를 포함하여 형성된다. 상기 음극봉(114)의 냉각수 통로(117)는 상부에 결합되는 냉각수 공급관(119)으로부터 공급되는 냉각수를 음극 단자(116)의 상면으로 공급하게 된다. 또한, 상기 음극봉(114)의 냉각수 통로(117)는 음극 단자(116)의 상면과 접촉한 냉각수를 외부로 배출하게 된다. 따라서, 상기 음극 전극(110)은 음극봉(114)과 음극 단자(116)가 냉각수에 직접 접촉하게 되면서 냉각된다.The cathode rod 114 is formed in a cylindrical shape, the terminal groove 114a is formed at the bottom. The negative electrode rod 114 is coupled to the upper surface is exposed to the negative electrode hole 112a of the negative electrode body 112 to be separated. For example, the cathode rod 114 has a screw formed on the outer surface, it can be coupled to the cathode hole 112a by screwing. In addition, the cathode rod 114 is formed to include at least two coolant passages 117 formed on the lower surface and connected to the terminal grooves 114a. The cooling water passage 117 of the cathode rod 114 supplies the cooling water supplied from the cooling water supply pipe 119 coupled to the upper surface of the cathode terminal 116. In addition, the cooling water passage 117 of the cathode rod 114 discharges the cooling water in contact with the upper surface of the cathode terminal 116 to the outside. Therefore, the negative electrode 110 is cooled while the negative electrode 114 and the negative electrode terminal 116 are in direct contact with the cooling water.

상기 음극 단자(116)는 원기둥 형상으로 형성되며, 음극봉(114) 및 음극 몸체(112)와 전기적으로 연결된다. 이때, 상기 음극 단자(116)는 음극봉(114)의 단자홈(114a)에 결합되며 상면이 단자홈(114a)의 하면과 이격되도록 형성된다. 즉, 상기 음극단자(116)의 상면은 단자홈(114a)의 하면 사이에는 냉각수가 유입되는 공간이 형성된다. 따라서, 상기 음극봉(114)으로 공급되는 냉각수가 음극 단자(116)의 상면에 접촉되어 음극 단자(116)를 직접 냉각시키게 된다. 또한, 상기 음극 단자(116)는 음극봉(114)의 단자홈(114a)에 하면이 플라즈마 토치(100) 내부의 방전 공간으로 노출되도록 결합되어 양극 전극(120, 130, 140)들과 방전을 일으키게 된다. 상기 음극 단자(116)는 방전 과정에서 재료의 소모가 적은 텅스텐과 같은 금속으로 이루어진다. 상기 음극 단자(116)는 방전 과정에서 소모되면 음극봉(114)과 함께 음극 몸체(112)로부터 분리되며, 음극봉(114)으로부터 분리되거나, 음극봉(114)과 함께 교체된다. 따라서, 상기 음극 전극(110)은 소모된 음극 단자(116)를 보다 용이하게 교체할 수 있게 된다.The negative electrode terminal 116 is formed in a cylindrical shape, and is electrically connected to the negative electrode rod 114 and the negative electrode body 112. At this time, the negative electrode terminal 116 is coupled to the terminal groove 114a of the negative electrode rod 114 and is formed so that the upper surface is spaced apart from the lower surface of the terminal groove 114a. That is, the upper surface of the negative electrode terminal 116 is formed between the lower surface of the terminal groove 114a is a space in which the coolant flows. Therefore, the coolant supplied to the cathode rod 114 contacts the upper surface of the anode terminal 116 to directly cool the cathode terminal 116. In addition, the negative electrode terminal 116 is coupled to the lower surface of the terminal groove 114a of the negative electrode rod 114 to be exposed to the discharge space inside the plasma torch 100 to discharge the positive electrode 120, 130, 140. Will be raised. The negative electrode terminal 116 is made of a metal such as tungsten, which consumes less material during the discharge process. The negative electrode terminal 116 is separated from the negative electrode body 112 together with the negative electrode rod 114 when it is consumed in the discharge process, separated from the negative electrode rod 114, or replaced with the negative electrode rod 114. Accordingly, the negative electrode 110 may replace the exhausted negative electrode terminal 116 more easily.

상기 음극 케이스(118)는 전기적 절연체로 형성되며, 음극 몸체(112)의 상면과 외면의 외면홈(112b)을 포함하는 영역을 전체적으로 감싸도록 형성된다. 상기 음극 케이스(118)는 음극 전극(110)과 도전 코일을 외부와 전기적으로 절연시키게 된다.The negative electrode case 118 is formed of an electrical insulator, and is formed to completely surround an area including the upper and outer surface grooves 112b of the negative electrode body 112. The cathode case 118 electrically insulates the cathode electrode 110 and the conductive coil from the outside.

상기 파이롯 전극(120)은 파이롯 몸체(122)와 파이롯 관통홀(122a)과 파이롯 외면홈(122b) 및 파이롯 케이스(124)를 구비하여 형성된다. 상기 파이롯 전극(120)은 직류 전원의 양극과 전기적으로 연결되며 음극 전극(110)과 초기의 방전을 일으키게 된다. 따라서, 상기 파이롯 전극(120)은 다른 양극 전극에 비하여 고전압이 인가된다. 상기 파이롯 전극(120)은 제1양극 전극(130)이 음극 전극(110)과 방전을 일으키도록 형성되는 경우에는 형성되지 않을 수 있다. 상기 파이롯 전극(120)은 상면과 음극 전극(110)의 하면 사이에 제1가스공급구(126)가 형성되도록 상면이 음극 전극(110)의 하면과 이격되어 형성된다. 상기 파이롯 전극(120)은 음극 전극(110)과 전기적으로 절연되도록 형성된다.The pilot electrode 120 includes a pilot body 122, a pilot through hole 122a, a pilot outer groove 122b, and a pilot case 124. The pilot electrode 120 is electrically connected to the positive electrode of the direct current power source and causes initial discharge with the negative electrode 110. Therefore, the pilot electrode 120 is applied with a higher voltage than other anode electrodes. The pilot electrode 120 may not be formed when the first cathode electrode 130 is formed to cause discharge with the cathode electrode 110. The pilot electrode 120 is formed so that the upper surface is spaced apart from the lower surface of the cathode electrode 110 so that the first gas supply hole 126 is formed between the upper surface and the lower surface of the cathode electrode 110. The pilot electrode 120 is formed to be electrically insulated from the cathode electrode 110.

상기 파이롯 몸체(122)는 원통형 형상으로 형성되며, 직류 전원의 양극과 전기적으로 연결되어 전기를 공급받게 된다. 또한, 상기 파이롯 몸체(122)는 내부에 상하로 관통되는 파이롯 관통홀(122a)과 외면에 수평방향을 따라 홈 형상으로 형성되는 파이롯 외면홈(122b)을 구비한다. 또한, 상기 파이롯 몸체(122)는 음극전극(110)과의 사이에 제1가스 공급구(126)가 형성되도록 음극 전극(110)과 서로 상하 방향으로 이격되어 지지된다.The pilot body 122 is formed in a cylindrical shape, and is electrically connected to the anode of the DC power supply to receive electricity. In addition, the pilot body 122 includes a pilot through hole 122a penetrating up and down therein and a pilot outer groove 122b formed in a groove shape along a horizontal direction on an outer surface thereof. In addition, the pilot body 122 is supported to be spaced apart from the cathode electrode 110 in the vertical direction so that the first gas supply port 126 is formed between the cathode electrode 110 and.

상기 파이롯 관통홀(122a)은 파이롯 전극(120)의 내부에 상부에서 하부로 관통되어 형성된다. 또한, 상기 파이롯 관통홀(122a)은 하부에 단차가 형성되어 상부 보다 넓게 형성될 수 있다. 상기 파이롯 관통홀(122a)은 제1가스공급구(126)로부터 공급되는 플라즈마 공급 가스를 상부에서 하부로 흐르도록 한다.The pilot through hole 122a is formed to penetrate from the top to the bottom of the pilot electrode 120. In addition, the pilot through hole 122a may have a step formed at a lower portion thereof, and thus may be wider than the upper portion thereof. The pilot through hole 122a allows the plasma supply gas supplied from the first gas supply port 126 to flow from top to bottom.

상기 파이롯 외면홈(122b)은 파이롯 몸체(122)의 외면에 원주 방향을 따라 형성되며, 파이롯 케이스(124)와 냉각수 통로를 형성하게 된다. 상기 파이롯 몸체(122)는 방전 과정에서 열이 발생되므로 냉각수로 공급되는 냉각수에 의하여 냉각된다.The pilot outer groove 122b is formed along the circumferential direction on the outer surface of the pilot body 122 and forms a pilot case 124 and a coolant passage. The pilot body 122 is cooled by the coolant supplied to the coolant because heat is generated during the discharge process.

상기 파이롯 케이스(124)는 전기적 절연체로 형성되며 음극 전극(110)의 외면 하부와 파이롯 몸체(122)의 외면 상부를 전체적으로 감싸도록 형성된다. 상기 파이롯 케이스(124)는 파이롯 몸체(122)를 외부와 전기적으로 절연시키게 된다. The pilot case 124 is formed of an electrical insulator and is formed to completely surround the lower outer surface of the cathode electrode 110 and the upper outer surface of the pilot body 122. The pilot case 124 electrically insulates the pilot body 122 from the outside.

또한, 상기 파이롯 케이스(124)는 음극 몸체(110)와 파이롯 몸체(122) 사이에 제1가스 공급구(126)가 형성되도록 음극 몸체(110)와 파이롯 몸체(122)를 서로 상하 방향으로 이격시켜 지지하는 역할을 하게 된다. In addition, the pilot case 124 vertically up and down the cathode body 110 and the pilot body 122 such that a first gas supply port 126 is formed between the cathode body 110 and the pilot body 122. Spaced in the direction to support.

또한, 상기 파이롯 케이스(124)는 제1가스공급구(126)의 위치에 대응되는 위치에 형성되는 제1가스공급관(127)이 결합된다. 상기 제1가스공급관(127)은 제1가스공급구에 플라즈마 공급가스를 공급하게 된다. 상기 제1가스공급관(127)은 플라즈마 공급 가스가 제1가스공급구(126)로 공급될 때 와류를 형성하도록 파이롯 케이스(124)의 중심방향을 기준으로 외면 방향으로 기울어져 형성된다.In addition, the pilot case 124 is coupled to the first gas supply pipe 127 is formed at a position corresponding to the position of the first gas supply port 126. The first gas supply pipe 127 supplies a plasma supply gas to the first gas supply port. The first gas supply pipe 127 is formed to be inclined toward the outer surface with respect to the center direction of the pilot case 124 to form a vortex when the plasma supply gas is supplied to the first gas supply port 126.

또한, 상기 파이롯 케이스(124)는 파이롯 외면홈(122b)과 함께 냉각수 통로를 형성하게 된다. 상기 파이롯 몸체(122)는 방전 과정에서 열이 발생되므로, 냉각수 통로로 공급되는 냉각수에 의하여 냉각된다.In addition, the pilot case 124 forms a coolant passage along with the pilot outer groove 122b. Since the pilot body 122 generates heat during the discharge process, the pilot body 122 is cooled by the coolant supplied to the coolant passage.

상기 제1양극 전극(130)은 제1양극 몸체(132)와 제1관통홀(132a)및 제1외면홈(132b)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 제1양극 전극(130)은 제1양극 케이스(134)를 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 제1양극 전극(130)은 음극 전극(110) 또는 파이롯 전극(120)의 하부에 형성된다. 한편, 상기 제1양극 전극(130)은 플라즈마 토치(100)에 파이롯 전극(120)이 형성되지 않는 경우에 음극 전극(110)의 하면과 이격되어 플라즈마 공급 가스가 공급되는 가스 공급구(도면에 도시하지 않음)를 형성하게 된다. 또한, 상기 제1양극 전극(130)은 음극 전극(110)과 방전을 일으키게 되며, 공급되는 플라즈마 공급 가스를 사용하여 플라즈마를 형성하게 된다. 상기 제1양극 전극(130)은 음극 전극(110) 또는 파이롯 전극(120)과 전기적으로 절연되도록 형성된다.The first positive electrode 130 includes a first positive electrode body 132, a first through hole 132a, and a first outer groove 132b. In addition, the first positive electrode 130 may further include a first positive electrode case 134. The first positive electrode 130 is formed under the negative electrode 110 or the pilot electrode 120. Meanwhile, when the pilot electrode 120 is not formed in the plasma torch 100, the first anode electrode 130 is spaced apart from the lower surface of the cathode electrode 110 to supply a plasma supply gas (FIG. Not shown). In addition, the first positive electrode 130 causes discharge with the negative electrode 110 and forms a plasma using the supplied plasma supply gas. The first positive electrode 130 is formed to be electrically insulated from the negative electrode 110 or the pilot electrode 120.

상기 제1양극 몸체(132)는 전체적으로 원기둥 형상으로 형성되며, 직류 전원의 양극과 전기적으로 연결되어 전기를 공급받게 된다. 또한, 상기 제1양극 몸체(132)는 내부에 상하로 관통되는 제1관통홀(132a)과 외면에 원주 방향으로 형성되는 제1외면홈(132b)을 구비한다. 상기 제1양극 몸체(132)는 파이롯 몸체(122)의 하면과 상하 방향으로 이격되어 지지되어 플라즈마 공급 가스가 공급되는 제2가스공급구(137)를 형성하게 된다. The first anode body 132 is formed in a cylindrical shape as a whole, and is electrically connected to the anode of the DC power supply to receive electricity. In addition, the first positive electrode body 132 includes a first through hole 132a penetrating up and down therein and a first outer surface groove 132b formed in an circumferential direction on an outer surface thereof. The first positive electrode body 132 is spaced apart from the lower surface of the pilot body 122 in an up and down direction to form a second gas supply hole 137 through which a plasma supply gas is supplied.

상기 제1관통홀(132a)은 제1양극 몸체(132)의 내부에 상부에서 하부로 관통되도록 형성된다. 상기 제1관통홀(132a)은 제1가스공급구(126) 또는 제2가스공급구(137)로부터 공급되는 플라즈마 공급 가스가 흐르게 되며, 플라즈마가 내부에 형 성된다. 또한, 상기 제1관통홀(132a)은 하부 방향으로 갈수록 점진적으로 넓어지도록 형성된다. 즉, 상기 제1관통홀(132a)은 하부 방향으로 갈수록 외면으로 경사지도록 형성되어 수평 단면적이 점차적으로 넓어지도록 형성된다. 따라서, 상기 제1관통홀(132a)의 내부에 형성되는 플라즈마는 하부로 갈수록 형성되는 영역이 넓어지게 된다.The first through hole 132a is formed to penetrate from the top to the bottom of the first cathode body 132. In the first through hole 132a, a plasma supply gas supplied from the first gas supply port 126 or the second gas supply port 137 flows, and a plasma is formed therein. In addition, the first through hole 132a is formed to gradually widen in a downward direction. That is, the first through hole 132a is formed to be inclined toward the outer surface toward the lower direction, so that the horizontal cross-sectional area is gradually widened. Therefore, the plasma formed inside the first through hole 132a is widened to the lower portion.

상기 제1외면홈(132b)은 제1양극 몸체(132)의 측면에 원주 방향으로 형성되며, 제1양극 케이스(134)와 함께 냉각수 통로를 형성하게 된다. 상기 제1양극 몸체(132)는 방전 과정에서 열이 발생되므로 냉각수 통로로 공급되는 냉각수에 의하여 냉각된다. The first outer groove 132b is formed in the circumferential direction on the side of the first anode body 132 and forms a cooling water passage together with the first anode case 134. The first positive electrode body 132 is cooled by the coolant supplied to the coolant passage because heat is generated during the discharge process.

상기 제1양극 케이스(134)는 전기적 절연체로 형성되며 파이롯 몸체(122)의 하부 외면과 제1양극 몸체(132)의 외면 및 제2양극 전극(140)의 상부 외면을 감싸도록 형성된다. 상기 제1양극 케이스(134)는 제1양극 몸체(132)과 파이롯 몸체(122)의 하부 및 제2양극 전극(140)의 상부를 외부와 전기적으로 절연시키게 된다. 또한, 상기 제1양극 케이스(134)는 제1외면홈(132b)과 함께 냉각수 통로를 형성하여 냉각수가 제1양극 몸체(132)의 측면을 흐르도록 한다.The first cathode case 134 is formed of an electrical insulator and is formed to surround the lower outer surface of the pilot body 122, the outer surface of the first anode body 132, and the upper outer surface of the second anode electrode 140. The first cathode case 134 electrically insulates the lower portion of the first anode body 132 and the pilot body 122 and the upper portion of the second anode electrode 140 from the outside. In addition, the first cathode case 134 forms a cooling water passage together with the first outer groove 132 b so that the cooling water flows through the side surface of the first anode body 132.

한편, 상기 제1양극 케이스(134)는 제1양극 상부 케이스(134a)와 제1양극 하부 케이스(134b)로 구분되어 형성될 수 있다. 상기 제1양극 케이스(134)는 제1양극 몸체(132) 및 파이롯 몸체(122)와의 조립을 위하여 상부 케이스(134a)와 하부 케이스(134b)로 분리되어 형성될 수 있다. The first positive electrode case 134 may be divided into a first positive electrode upper case 134a and a first positive electrode lower case 134b. The first cathode case 134 may be separated into an upper case 134a and a lower case 134b for assembling the first anode body 132 and the pilot body 122.

상기 제1양극 상부 케이스(134a)는 제1양극 몸체(132)의 상면과 파이롯 몸 체(122)의 하면이 서로 이격되도록 지지하여, 제1양극 몸체(132)와 파이롯 몸체(122) 사이에 제2가스공급구(137)가 형성되도록 형성된다. 상기 제1양극 상부 케이스(134a)는 제1양극 몸체(132)와 파이롯 몸체(122) 사이의 위치에 대응되는 위치에서 내면으로부터 돌출되는 상부 지지블럭(135a)을 포함하여 형성된다. 상기 상부 지지블럭(135a)은 파이롯 외면홈(122b)의 하부와 제1외면홈(132b)의 상부 사이에 결합되어 제1양극 몸체(132)와 파이롯 몸체(122)가 서로 이격되도록 지지하게 된다.The first anode upper case 134a supports the upper surface of the first anode body 132 and the lower surface of the pilot body 122 so as to be spaced apart from each other, such that the first anode body 132 and the pilot body 122 are separated from each other. The second gas supply port 137 is formed therebetween. The first anode upper case 134a is formed to include an upper support block 135a protruding from an inner surface at a position corresponding to a position between the first anode body 132 and the pilot body 122. The upper support block 135a is coupled between the lower portion of the pilot outer groove 122b and the upper portion of the first outer groove 132b to support the first cathode body 132 and the pilot body 122 to be spaced apart from each other. Done.

상기 제1양극 하부 케이스(134b)는 제1양극 전극(130)과 제2양극 전극(140) 사이의 위치에 대응되는 위치에서 내면으로부터 돌출되는 하부 지지블럭(135b)을 포함하여 형성된다. 상기 하부 지지블럭(135b)은 제1양극 전극(130)의 하부와 제2양극 전극(140)의 상부에 결합되어 제1양극 전극(130)과 제2양극 전극(140)이 서로 이격되도록 지지하게 된다.The first anode lower case 134b is formed to include a lower support block 135b protruding from an inner surface at a position corresponding to a position between the first anode electrode 130 and the second cathode electrode 140. The lower support block 135b is coupled to the lower portion of the first positive electrode 130 and the upper portion of the second positive electrode 140 to support the first positive electrode 130 and the second positive electrode 140 to be spaced apart from each other. Done.

또한, 상기 제1양극 케이스(134)는 제2가스공급구(137)에 플라즈마 공급 가스를 공급하는 제2가스공급관(138)이 제2가스 공급구(137)의 형성 영역에 대응되는 영역에 형성된다. 상기 제2가스공급관(138)은 제1양극 케이스(134)의 제1양극 상부 케이스(134a)에 형성된다. 상기 제2가스공급관(138)은 플라즈마 공급 가스가 제2가스공급구(137)로 공급될 때 와류를 형성하도록 제1양극 케이스(134)의 중심방향을 기준으로 외면 방향으로 기울어져 형성된다.In addition, the first cathode case 134 may include a second gas supply pipe 138 for supplying a plasma supply gas to the second gas supply hole 137 in a region corresponding to a region where the second gas supply hole 137 is formed. Is formed. The second gas supply pipe 138 is formed in the first anode upper case 134a of the first cathode case 134. The second gas supply pipe 138 is formed to be inclined toward the outer surface with respect to the center direction of the first cathode case 134 so as to form a vortex when the plasma supply gas is supplied to the second gas supply port 137.

또한, 상기 제1양극 상부 케이스(134a)와 제1양극 하부 케이스(134b)는 제1양극 몸체(132)의 외면에 형성되는 제1외면홈(132b)을 감싸게 된다. 상기 제1양극 상부 케이스(134a)는 제1외면홈(132b)으로 냉각수를 공급하는 냉각수공급관(139)이 형성된다.In addition, the first anode upper case 134a and the first anode lower case 134b surround the first outer groove 132b formed on the outer surface of the first anode body 132. The first anode upper case 134a is formed with a cooling water supply pipe 139 for supplying cooling water to the first outer groove 132b.

한편, 상기 제1양극 케이스(134)는 이하에서 설명하는 폐가스 유입부가 결합될 수 있도록 결합 단차(134c)가 형성된다. On the other hand, the first cathode case 134 has a coupling step 134c is formed to be coupled to the waste gas inlet described below.

상기 제2양극 전극(140)은 제2양극 몸체(142)와 제2관통홀(142a)과 폐가스 유입홀(143)을 구비하여 형성된다. 또한, 상기 제2양극 전극(140)은 외면에 제2외면홈(142b)을 포함하여 형성될 수 있다. 상기 제2양극 전극(140)은 제1양극 전극(130)의 하부에 형성되며, 제1양극 전극(130)과 전기적으로 절연되도록 형성된다. 또한, 상기 제2양극 전극(140)은 음극 전극(110)과 방전을 일으키게 되며, 공급되는 플라즈마 공급 가스를 사용하여 플라즈마를 형성하게 된다. 상기 제2양극 전극(140)은 내부에 형성되는 플라즈마를 이용하여 폐가스 유입홀(143)로 유입되는 폐가스를 연소시키게 된다.The second positive electrode 140 is formed with a second positive electrode body 142, a second through hole 142a, and a waste gas inlet hole 143. In addition, the second positive electrode 140 may be formed to include a second outer surface groove 142b on an outer surface thereof. The second positive electrode 140 is formed under the first positive electrode 130 and is electrically insulated from the first positive electrode 130. In addition, the second positive electrode 140 generates a discharge with the negative electrode 110 and forms a plasma using the supplied plasma supply gas. The second positive electrode 140 burns the waste gas introduced into the waste gas inlet hole 143 using a plasma formed therein.

상기 제2양극 몸체(142)는 전체적으로 원기둥 형상으로 형성되며, 직류 전원의 양극과 전기적으로 연결되어 전기를 공급받게 된다. 또한, 상기 제2양극 몸체(142)는 내부에 상하로 관통되는 제2관통홀(142a)과 외면에서 제2관통홀(142a)로 관통되는 폐가스 유입홀(143)을 구비하여 형성된다. 또한, 상기 제2양극 몸체(142)는 외면에 원주 방향으로 형성되는 제2외면홈(142b)을 더 포함하여 형성된다. 상기 제2양극 몸체(142)는 제1양극 몸체(132)의 하면과 상하 방향으로 이격되어 전기적으로 절연되어 형성하게 된다. The second cathode body 142 is formed in a cylindrical shape as a whole, and is electrically connected to the anode of the DC power supply to receive electricity. In addition, the second cathode body 142 is formed with a second through hole 142a penetrating up and down inside and a waste gas inlet hole 143 penetrating from the outer surface to the second through hole 142a. In addition, the second positive electrode body 142 is formed to further include a second outer surface groove 142b formed in the circumferential direction on the outer surface. The second positive electrode body 142 is spaced apart from the lower surface of the first positive electrode body 132 in the vertical direction to be electrically insulated.

상기 제2관통홀(142a)은 제2양극 몸체(142)의 내부에 상부에서 하부로 관통되도록 형성된다. 상기 제2관통홀(142a)은 상부로부터 공급되는 플라즈마 공급 가스가 흐르게되며, 플라즈마가 내부에 형성된다. The second through hole 142a is formed to penetrate from the top to the bottom of the second cathode body 142. In the second through hole 142a, a plasma supply gas supplied from an upper portion flows, and a plasma is formed therein.

또한, 상기 제2관통홀(142a)은 내면이 제2양극 몸체(142)의 상단에서 상기 폐가스 유입홀(143)까지 점진적으로 넓어지게 형성된다. 즉, 상기 제2관통홀(142a)은 상단으로부터 하부 방향으로 갈수록 제2양극 몸체(142)의 외면으로 경사지도록 형성되어 수평 단면적이 점차적으로 넓어지도록 형성된다. 이때, 상기 제2관통홀(142a)의 내면은 제1관통홀(132a)의 내면과 동일한 각도로 경사지게 형성되어 제1관통홀(132a)의 내면으로부터 연장되는 면과 같이 형성된다. 따라서, 상기 제1관통홀(132a)로부터 형성되는 플라즈마는 간섭되지 않고 제2관통홀(142a)로 연장되어 형성된다. In addition, the second through hole 142a may have an inner surface gradually widened from an upper end of the second anode body 142 to the waste gas inlet hole 143. That is, the second through hole 142a is formed to be inclined toward the outer surface of the second cathode body 142 from the top to the downward direction, so that the horizontal cross-sectional area is gradually widened. At this time, the inner surface of the second through hole 142a is formed to be inclined at the same angle as the inner surface of the first through hole 132a and is formed like a surface extending from the inner surface of the first through hole 132a. Therefore, the plasma formed from the first through hole 132a is formed to extend to the second through hole 142a without interference.

또한, 상기 제2관통홀(142a)은 폐가스 유입홀(143)부터 상기 제2양극 전극(140)의 하단까지 점진적으로 좁아지도록 형성된다. 즉, 상기 제2관통홀(142a)은 폐가스 유입홀(143)로부터 하부 방향으로 갈수록 내면으로 경사지도록 형성되어 수평 단면적이 점차적으로 좁아지도록 형성된다. 상기 제2관통홀(142a)의 내부에 형성되는 플라즈마는 하부로 갈수록 좁은 영역에 형성된다. 즉, 상기 제2관통홀(142a)은 내부에 형성된 플라즈마를 점점 좁아지는 공간으로 유도하여 플라즈마를 강화시키게 된다. 따라서 상기 제2관통홀(142a)은 폐가스 유입홀(143)로부터 유입되는 폐가스를 보다 효과적으로 연소시키게 된다.In addition, the second through hole 142a is formed to gradually narrow from the waste gas inlet hole 143 to the lower end of the second positive electrode 140. That is, the second through hole 142a is formed to be inclined toward the inner surface from the waste gas inlet hole 143 toward the lower direction, so that the horizontal cross-sectional area is gradually narrowed. Plasma formed inside the second through hole 142a is formed in a narrower area toward the lower portion. In other words, the second through hole 142a guides the plasma formed therein into the narrowing space to strengthen the plasma. Therefore, the second through hole 142a burns the waste gas introduced from the waste gas inlet hole 143 more effectively.

상기 폐가스 유입홀(143)은 제2양극 몸체(142)의 상부 외면에서 제2관통 홀(142a)로 관통되어 형성되며 적어도 2개로 형성된다. 상기 폐가스 유입홀(143)은 제2양극 몸체(142)의 원주 방향으로 동일한 각도로 이격되어 형성되며 바람직하게는 4개로 형성된다. 따라서, 상기 폐가스 유입홀(143)은 제2양극 몸체(142)의 원주 방향으로 90도 간격으로 형성된다. 상기 폐가스 유입홀(143)은 폐가스가 보다 원활하게 유입될 수 있도록 제2양극 몸체(142)의 원주 방향으로 가능하면 크게 형성된다. 또한, 상기 폐가스 유입홀(143)은 폐가스가 원활하게 유입될 수 있도록 적정한 높이로 형성된다. The waste gas inlet hole 143 is formed to penetrate through the second through-hole 142a from the upper outer surface of the second cathode body 142 and is formed of at least two. The waste gas inlet hole 143 is spaced apart at the same angle in the circumferential direction of the second cathode body 142 and is preferably formed in four. Therefore, the waste gas inlet hole 143 is formed at intervals of 90 degrees in the circumferential direction of the second cathode body 142. The waste gas inlet hole 143 is formed as large as possible in the circumferential direction of the second cathode body 142 so that the waste gas can be more smoothly introduced. In addition, the waste gas inlet hole 143 is formed at an appropriate height so that the waste gas can be smoothly introduced.

한편, 상기 폐가스 유입홀(143)은 폐가스 유입홀(143)의 하부에 제2양극 케이스(144)가 제2양극 몸체(142)에 결합될 때 제2양극 몸체(142)의 외면이 노출되는 노출 영역(143a)이 형성된다. 상기 노출 영역(143a)은 이하에서 설명하는 바와 같이 외부에서 유입되는 폐가스의 전체가 직접 폐가스 유입홀(143)로 유입되지 않고 폐가스의 일부가 노출 영역(143a)에 부딪친 후 폐가스 유입홀(143)로 유입되도록 한다.On the other hand, the waste gas inlet hole 143 is exposed to the outer surface of the second cathode body 142 when the second cathode case 144 is coupled to the second cathode body 142 in the lower portion of the waste gas inlet hole 143 The exposed area 143a is formed. As described below, the exposed region 143a does not directly enter the waste gas inlet hole 143 as the entirety of the waste gas introduced from the outside, but a portion of the waste gas strikes the exposed region 143a and then the waste gas inlet hole 143. To get into

상기 제2외면홈(142b)은 제2양극 몸체(142)의 외면에 원주 방향으로 형성되며, 제2양극 케이스(144)와 함께 냉각수 통로를 형성하게 된다. 상기 제2외면홈(142b)은 폐가스 유입홀(143)의 하부 방향에 형성된다. 상기 제2양극 몸체(142)는 방전 과정에서 열이 발생되므로, 냉각수 통로로 공급되는 냉각수에 의하여 냉각된다.The second outer surface groove 142b is formed in the outer surface of the second cathode body 142 in the circumferential direction, and forms a cooling water passage along with the second cathode case 144. The second outer surface groove 142b is formed in a lower direction of the waste gas inlet hole 143. Since the second cathode body 142 generates heat during the discharge process, the second cathode body 142 is cooled by the cooling water supplied to the cooling water passage.

상기 제2양극 케이스(144)는 전기적 절연체로 형성되며 제2외면홈(142b)을 포함하는 제2양극 전극(140)의 외면을 감싸도록 형성된다. 다만, 상기 제2양극 케 이스(144)는 폐가스 유입홀(143)이 형성된 영역을 제외한 영역을 감싸게 되며, 폐가스 유입홀(143)이 외부로 노출되도록 형성된다. 상기 제2양극 케이스(144)는 제2양극 전극(140)을 외부와 전기적으로 절연시키게 된다. 또한, 상기 제2양극 케이스(144)는 제2외면홈(142b)과 함께 냉각수 통로를 형성하여 냉각수가 제2양극 전극(140)의 측면을 흐르도록 한다. 또한, 상기 제2양극 케이스(144)는 제2외면홈(142b)으로 냉각수를 공급하는 냉각수 공급관(149)이 형성된다. 한편, 상기 제2양극 케이스(144)는 제1양극 전극(130)과의 조립을 위하여 상부 케이스(144a)와 하부 케이스(144b)로 분리되어 형성될 수 있다.The second cathode case 144 is formed of an electrical insulator and is formed to surround the outer surface of the second anode electrode 140 including the second outer groove 142b. However, the second cathode case 144 surrounds an area excluding the region where the waste gas inlet hole 143 is formed, and is formed such that the waste gas inlet hole 143 is exposed to the outside. The second cathode case 144 electrically insulates the second cathode electrode 140 from the outside. In addition, the second cathode case 144 forms a cooling water passage along with the second outer groove 142b to allow the cooling water to flow to the side surface of the second positive electrode 140. In addition, the second cathode case 144 has a coolant supply pipe 149 for supplying coolant to the second outer groove 142b. Meanwhile, the second cathode case 144 may be separated into an upper case 144a and a lower case 144b for assembling with the first anode electrode 130.

한편, 상기 제2양극 케이스(144)는 이하에서 설명하는 폐가스 유입부가 결합될 수 있도록 결합 단차(146b)가 형성된다.On the other hand, the second cathode case 144 has a coupling step 146b is formed to be coupled to the waste gas inlet described below.

상기 폐가스 유입부(150)는 유입 케이스(152)와 폐가스 유입관(154)을 포함하여 형성된다. 상기 폐가스 유입부(150)는 반도체 공정 장비로부터 배출되는 폐가스를 플라즈마 토치(100)의 제2양극 전극(140)으로 유입시키게 된다. 상기 폐가스 유입부(150)는 폐가스가 제2양극 전극(140)으로 유입될 때 와류를 형성하도록 하여 보다 효과적으로 연소될 수 있도록 한다. 또한, 상기 폐가스 유입부(150)는 폐가스가 폐가스 유입홀(143)을 통하여 유입될 때 먼저 제2양극 몸체의 노출 영역(143a)에 충돌한 후에 폐가스 유입홀(143)의 내부로 유입되도록 형성된다. 따라서, 상기 폐가스는 폐가스 유입부(150)에 유입될 때 보다 작은 압력으로 제2양극 전극(140)의 내부에서 흐르게 되며 보다 효과적으로 연소될 수 있게 된다. The waste gas inlet 150 is formed to include an inlet case 152 and a waste gas inlet pipe 154. The waste gas inlet 150 allows the waste gas discharged from the semiconductor processing equipment to flow into the second anode electrode 140 of the plasma torch 100. The waste gas inlet unit 150 forms a vortex when the waste gas flows into the second anode electrode 140 so that the waste gas can be burned more effectively. In addition, the waste gas inlet 150 is formed to be introduced into the waste gas inlet hole 143 after first colliding with the exposed area 143a of the second anode body when the waste gas is introduced through the waste gas inlet hole 143. do. Therefore, the waste gas flows inside the second anode electrode 140 at a lower pressure when it enters the waste gas inlet 150 and can be burned more effectively.

상기 유입 케이스(152)는 내부가 중공인 원통형으로 형성되며, 제2양극 몸체(142)의 폐가스 유입홀(143)이 형성된 영역이 외부와 밀폐되도록 제2양극 몸체(142)의 외면을 감싸도록 결합된다. 또한, 상기 유입 케이스(152)는 제2양극 몸체(142)의 외면 사이에 공간이 형성되도록 제2양극 몸체(142)의 외면과 이격되어 형성된다. 따라서, 상기 유입케이스(152)는 반도체 공정 장비로부터 배출되는 폐가스가 와류를 일으키며 유입될 수 있도록 형성된다. 상기 유입 케이스(152)는 제1양극 케이스(134)와 제2양극 케이스(144) 사이에 설치된다. 보다 상세하게는 상기 유입 케이스는 제1양극 케이스(134)의 하부에 형성되는 결합 단차(134c)와 제2양극 케이스(144)의 상부에 형성되는 결합 단차(146b) 사이에 지지되어 결합된다.The inflow case 152 is formed in a cylindrical shape with a hollow inside, so as to surround the outer surface of the second cathode body 142 so that the area where the waste gas inlet hole 143 of the second cathode body 142 is formed is sealed with the outside. Combined. In addition, the inflow case 152 is formed to be spaced apart from the outer surface of the second cathode body 142 so that a space is formed between the outer surfaces of the second cathode body 142. Therefore, the inflow case 152 is formed so that the waste gas discharged from the semiconductor processing equipment can be introduced while causing a vortex. The inflow case 152 is installed between the first cathode case 134 and the second cathode case 144. In more detail, the inflow case is supported and coupled between the coupling step 134c formed at the bottom of the first cathode case 134 and the coupling step 146b formed at the top of the second cathode case 144.

상기 폐가스 유입관(154)은 폐가스 유입홀(143)에 대응되는 수로 유입 케이스(152)에 지지되어 형성된다. 도 2b와 도 2d를 참조하면, 상기 폐가스 유입관(154)은 폐가스 유입홀(143)과 연결되는 부분에서 폐가스 유입관(154)의 축방향인 중심축(X_154)이 폐가스 유입홀(143)에서 제2양극 전극(140)의 외측 방향을 보았을 때 상기 폐가스 유입홀(143)이 형성되는 제2양극 전극(140)의 상하 방향과 평행한 방향인 수직방향을 기준으로 폐가스 유입홀(143)의 중심에서 원주 방향에 수직인 폐가스 유입홀(143)의 중심축(X_143)보다 상부로 향하도록 형성된다. 또한, 도 2b와 도 2c를 참조하면, 상기 폐가스 유입관(154)은 중심축(X_154)이 폐가스 유입홀(143)이 형성되는 제2양극 전극(140)의 상하 방향과 수직인 방향인 수평방향을 기준으로 폐가스 유입홀(143)의 중심축(X_143)보다 제2양극 전극(140)의 중심으로부터 외측으로 향하도록 형성된다.
따라서, 상기 폐가스 유입관(154)은 폐가스가 와류를 일으키며 유입 케이스(152)의 내부로 유입되도록 한다. 또한, 상기 폐가스 유입관(154)은 유입 케이스(152)의 내부로 유입되는 폐가스가 폐가스 유입홀(143)의 외부에 먼저 충돌될 수 있도록 형성된다. 즉, 상기 폐가스 유입관(154)의 중심축이 폐가스 유입홀(143)의 노출 영역(143a)과 만나도록 형성된다. The waste gas inlet pipe 154 is formed to be supported by the channel inlet case 152 corresponding to the waste gas inlet hole 143. 2B and 2D, the waste gas inlet pipe 154 has a central axis X_154 in the axial direction of the waste gas inlet pipe 154 at a portion connected to the waste gas inlet hole 143. When looking at the outer direction of the second anode electrode 140 in the waste gas inlet hole 143 on the basis of the vertical direction parallel to the vertical direction of the second anode electrode 140 in which the waste gas inlet hole 143 is formed It is formed to face upward from the central axis (X_143) of the waste gas inlet hole 143 perpendicular to the circumferential direction from the center of the. Also, referring to FIGS. 2B and 2C, the waste gas inlet pipe 154 has a horizontal axis in which a central axis X_154 is perpendicular to the vertical direction of the second anode electrode 140 in which the waste gas inlet hole 143 is formed. It is formed to face outward from the center of the second positive electrode 140 than the central axis (X_143) of the waste gas inlet hole 143 based on the direction.
Thus, the waste gas inlet pipe 154 causes the waste gas to vortex and flow into the inlet case 152. In addition, the waste gas inlet pipe 154 is formed so that the waste gas flowing into the inlet case 152 may first collide with the outside of the waste gas inlet hole 143. That is, the central axis of the waste gas inlet pipe 154 is formed to meet the exposed area 143a of the waste gas inlet hole 143.

상기 연소 탱크(200)는, 도 3을 참조하면, 외부 하우징(210)과 내부 하우징(220) 및 하부 하우징(230)을 포함하며, 플라즈마 토치(100)의 하부에 결합된다. 또한, 상기 연소 탱크(200)는 하부에 연결관(240)을 더 포함하여 형성될 수 있다. 상기 연소 탱크(200)는 플라즈마에 의하여 연소되는 폐가스가 계속적으로 연소될 수 있도록 공간을 형성하게 된다. 다만, 도 3에 도시되어 있는 연소 탱크(200)는 예시이며 다양한 구조를 갖는 연소 탱크로 이루어질 수 있다.3, the combustion tank 200 includes an outer housing 210, an inner housing 220, and a lower housing 230, and is coupled to a lower portion of the plasma torch 100. In addition, the combustion tank 200 may be formed by further comprising a connection pipe 240 in the lower portion. The combustion tank 200 forms a space so that the waste gas combusted by the plasma can be continuously burned. However, the combustion tank 200 shown in FIG. 3 is an example and may be composed of a combustion tank having various structures.

상기 외부 하우징(210)은 원통형으로 형성되어 연소 탱크(200)의 외형을 이루게 되며, 연소가 이루어지는 내부 하우징(220)의 외부와 분리되도록 한다. 상기 외부 하우징(210)은 필요에 따라 다수 개로 분리되어 형성될 수 있다. 즉, 상기 외부 하우징(210)은 제1외부 하우징(210a)과 제2외부 하우징(210b) 및 제3외부 하우징(210c)으로 구분되어 형성될 수 있다. The outer housing 210 is formed in a cylindrical shape to form an outer shape of the combustion tank 200, and is separated from the outside of the inner housing 220 in which combustion occurs. The outer housing 210 may be separated into a plurality of if necessary. That is, the outer housing 210 may be divided into a first outer housing 210a, a second outer housing 210b, and a third outer housing 210c.

상기 내부 하우징(220)은 외부 하우징(210)의 내부에 원통형으로 이루어지며, 제2양극 전극(140)의 제2관통홀(142a)과 공간적으로 연결되도록 형성된다. 따라서, 상기 내부 하우징(220)은 제2관통홀(142a)에서 플라즈마에 의하여 연소되는 폐가스가 유입되도록 형성된다. 상기 내부 하우징(220)의 상부에서는 제2관통홀(142a)로부터 발생된 플라즈마가 형성될 수 있으며 추가적으로 폐가스가 연소될 수 있다.The inner housing 220 has a cylindrical shape inside the outer housing 210, and is formed to be spatially connected to the second through hole 142a of the second positive electrode 140. Therefore, the inner housing 220 is formed so that the waste gas combusted by the plasma flows in the second through hole 142a. The plasma generated from the second through hole 142a may be formed at an upper portion of the inner housing 220, and additionally, waste gas may be combusted.

상기 내부 하우징(220)은 외부 하우징(210)과 마찬가지로 다수 개로 분리되어 형성될 수 있다. 즉, 상기 내부 하우징(220)은 상부에 위치하는 제1내부 하우징(220a)과 제2내부 하우징(220b)과 제3내부 하우징(220c)으로 구분되어 형성될 수 있다. 이때, 상기 제1내부 하우징(220a)은 플라즈마 토치(100)로부터 폐가스가 원활하게 유입될 수 있도록 상부가 점진적으로 넓어지도록 형성된다. 또한, 상기 제3내부 하우징(220c)은 연소된 연소 가스가 원활하게 수조 탱크(300)로 유입될 수 있도록 하부가 점진적으로 좁아지도록 형성된다. 즉, 상기 제3내부 하우징(220c)은 깔대기 모양으로 형성된다.The inner housing 220 may be separated into a plurality of like the outer housing 210. That is, the inner housing 220 may be divided into a first inner housing 220a, a second inner housing 220b, and a third inner housing 220c positioned at an upper portion thereof. In this case, the first inner housing 220a is formed such that the upper portion thereof gradually widens so that the waste gas can be smoothly introduced from the plasma torch 100. In addition, the third inner housing 220c is formed such that the lower portion thereof is gradually narrowed so that the burned combustion gas smoothly flows into the tank tank 300. That is, the third inner housing 220c is formed in a funnel shape.

상기 하부 하우징(230)은 내부 하우징(220)의 하부 형상, 즉, 제3내부 하우징(220c)에 대응되는 형상으로 형성되며, 제3내부 하우징(220c)의 하부와 이격되어 설치된다. 즉, 상기 하부 하우징(230)은 상부가 깔대기 형상으로 형성된다. 따라서, 상기 하부 하우징(230)은 내부 하우징(220)과의 사이에 이송가스 분사구(235)를 형성하게 된다. 상기 이송가스 분사구(235)는 외부로부터 공급되는 이송가스를 내부로 분사하게 되며, 내부 하우징(220)으로부터 하부 하우징(230)의 내부로 유입되는 연소가스의 흐름을 촉진하게 된다.The lower housing 230 is formed in a lower shape of the inner housing 220, that is, a shape corresponding to the third inner housing 220c, and is spaced apart from the lower part of the third inner housing 220c. That is, the lower housing 230 has an upper portion formed in a funnel shape. Accordingly, the lower housing 230 forms a transport gas injection hole 235 between the lower housing 230 and the inner housing 220. The transfer gas injection hole 235 may inject the transfer gas supplied from the outside into the inside, and promote the flow of the combustion gas introduced into the lower housing 230 from the inner housing 220.

상기 연결관(240)은 하부 하우징(230)을 하부에 설치되는 수조 탱크(300)와 연결하여 연소가스가 수조 탱크(300)로 유입되도록 한다. 상기 연결관(240)은 스크러버 시스템(10)의 구조에 따라 하부 하우징(230)과 일체로 형성될 수 있으며, 다수 개로 구분되어 형성될 수 있다. The connection pipe 240 connects the lower housing 230 with the tank tank 300 installed at the bottom to allow the combustion gas to flow into the tank tank 300. The connection pipe 240 may be integrally formed with the lower housing 230 according to the structure of the scrubber system 10, may be divided into a plurality of.

상기 수조 탱크(300)는, 도 4 내지 도 6을 참조하면, 수조 하우징(310)과 가스 유도관(320)을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 수조 탱크(300)는 입자 유도판(330)과 제1필터(340) 및 제2필터(350)를 구비하여 형성될 수 있다. 4 to 6, the tank tank 300 is formed to include a tank housing 310 and a gas induction pipe 320. In addition, the tank tank 300 may be formed with a particle guide plate 330, the first filter 340 and the second filter 350.

상기 수조 탱크(300)는 연소 탱크(200)의 하부에 위치하며, 상부의 연소 탱크(200)로부터 유입되는 연소가스가 물에 접촉되도록 하여 연소가스에 포함되어 있는 수용성 유해가스를 제거하게 된다. 또한, 상기 수조 탱크(300)는 수용성 유해가스가 제거된 연소가스를 습식 타워(400)로 유출하게 된다. 또한, 상기 수조 탱크(300)는 플라즈마 토치(100)와 연소 탱크(200)에서 폐가스가 연소되면서 발생하는 이물 입자가 낙하되도록 하여 연소가스와 이물 입자가 분리되도록 한다. 또한, 상기 수조 탱크(300)는 습식 타워(400)의 내부로 분사되는 물을 공급하게 되며, 습식 타워(400)로부터 회수되는 물을 필터링하여 습식 타워(400)의 내부로 다시 분사될 수 있도록 공급하게 된다.The tank tank 300 is located below the combustion tank 200, and the combustion gas flowing from the upper combustion tank 200 to contact the water to remove the water-soluble harmful gas contained in the combustion gas. In addition, the tank tank 300 flows the combustion gas from which the water-soluble harmful gas is removed to the wet tower 400. In addition, the tank tank 300 allows the foreign matter particles generated while the waste gas is burned in the plasma torch 100 and the combustion tank 200 to fall so that the combustion gas and the foreign matter particles are separated. In addition, the tank tank 300 is supplied to the water sprayed into the interior of the wet tower 400, to filter the water recovered from the wet tower 400 to be injected back into the interior of the wet tower (400). Will be supplied.

상기 수조 하우징(310)은 박스 형상으로 형성되며 스크러버 시스템(10)에 사용되는 물을 저장하게 된다. 즉, 상기 수조 하우징(310)은 전측벽(310a)과 후측벽(310b)과 일측벽(310c)과 타측벽(310d)과 상판(310e) 및 바닥판(310f)을 구비하여 형성된다. 상기 수조 하우징(310)은 연소가스 유입구(312)와 연소가스 유출구(314)를 포함하여 형성된다. 또한, 상기 수조 하우징(310)은 배수관(316)을 더 포함하여 형성될 수 있다.The tank housing 310 is formed in a box shape and stores water used for the scrubber system 10. That is, the water tank housing 310 is formed with a front wall 310a, a rear wall 310b, one side wall 310c, the other side wall 310d, an upper plate 310e, and a bottom plate 310f. The tank housing 310 includes a combustion gas inlet 312 and a combustion gas outlet 314. In addition, the tank housing 310 may be formed by further including a drain pipe (316).

상기 수조 하우징(310)은 내부가 제1필터(340)에 의하여 구분되는 제1영역(310g)과 제1필터(340)와 제2필터(350)에 의하여 구분되는 제2영역(310h) 및 제2필터(350)에 의하여 구분되는 제3영역(310j)으로 이루어질 수 있다. 여기서, 상기 수조 하우징(310)의 전측은 연소가스 유입구(312)와 연소가스 유출구(314)가 형성 되는 방향을 의미하며, 후측은 그 반대 방향을 의미한다. 또한, 상기 수조 하우징(310)의 일측은 연소가스 유입구(312)가 형성되는 방향을 의미하며, 타측은 그 반대방향인 연소가스 유출구(314)가 형성되는 방향을 의미한다.The water tank housing 310 may include a first region 310g whose interior is divided by the first filter 340, a second region 310h which is divided by the first filter 340, and the second filter 350. The third region 310j may be divided by the second filter 350. Here, the front side of the tank housing 310 means the direction in which the combustion gas inlet 312 and the combustion gas outlet 314 is formed, the rear side means the opposite direction. In addition, one side of the tank housing 310 means the direction in which the combustion gas inlet 312 is formed, the other side means the direction in which the combustion gas outlet 314 is formed in the opposite direction.

상기 연소가스 유입구(312)는 연소 탱크(200)와 연결되도록 수조 하우징(310) 일측의 상판(310e)에 형성된다. 따라서, 상기 연소 탱크(200)의 연소가스가 연소가수 유입구(312)를 통하여 수조 하우징(310)의 내부로 유입된다. 상기 연소가스 유입구(312)는 제1영역(310g)에 형성된다. The combustion gas inlet 312 is formed in the upper plate 310e on one side of the tank housing 310 to be connected to the combustion tank 200. Accordingly, the combustion gas of the combustion tank 200 is introduced into the tank housing 310 through the combustion singer inlet 312. The combustion gas inlet 312 is formed in the first region 310g.

상기 연소가스 유출구(314)는 습식 타워(400)와 연결되도록 수조 하우징(310) 타측의 상판(310e)에 형성된다. 따라서, 상기 수조 하우징(310) 내부로 유입된 연소가스가 연소가스 유출구(314)를 통하여 습식 타워(400)로 유출된다. 상기 연소가스 유출구(314)는 제1영역(310g)에 형성된다.The combustion gas outlet 314 is formed on the upper plate 310e of the other side of the tank housing 310 to be connected to the wet tower 400. Therefore, the combustion gas introduced into the tank housing 310 is discharged to the wet tower 400 through the combustion gas outlet 314. The combustion gas outlet 314 is formed in the first region 310g.

상기 배수관(316)은 수조 하우징(310)의 일측벽(310c)에 형성되어 수조 하우징(310)에 저장되어 있는 물과 이물 입자를 외부로 방출하게 된다. 상기 배수관(316)은 아래에서 설명하는 이물 입자가 모이는 포집 영역(a)에 형성된다.The drain pipe 316 is formed on one side wall 310c of the tank housing 310 to discharge water and foreign particles stored in the tank housing 310 to the outside. The drain pipe 316 is formed in the collection area a where foreign particles are described below.

상기 가스 유도관(320)은 상부에서 하부로 개방된 통 형상이며 연소가스 유입구(312)와 연소가스 유출구(314)가 내부에 위치하도록 수조 하우징(310)의 상판(310e) 하부에 결합되어 형성된다. 따라서, 상기 가스 유도관(320)은 수조 하우징(310)의 제1영역(310g)에 형성된다. The gas induction pipe 320 is formed in a tubular shape that is open from the top to the bottom and is coupled to the bottom of the upper plate 310e of the tank housing 310 so that the combustion gas inlet 312 and the combustion gas outlet 314 are located therein. do. Therefore, the gas guide tube 320 is formed in the first region 310g of the tank housing 310.

상기 가스 유도관(320)은 하단이 수조 하우징(310)의 물 수위(W)보다 낮게 되도록 형성된다. 따라서, 상기 연소가스 유입구(312)로 유입된 연소가스는 가스 유도관(320)과 수조 하우징(310) 상부와 물에 의하여 형성되는 공간 내에서 물과 직접 접촉된다. 상기 가스 유도관(320)은 연소가스 유입구(312)로부터 유입되는 연소가스가 직접 물에 접촉되도록 유도하여 연소가스에 포함되어 있는 수용성 유해가스가 보다 효과적으로 물에 용해될 수 있도록 한다. 또한, 상기 가스 유도관(320)은 연소가스가 수조 하우징(310)의 내부에서 다른 영역으로 흐르지 않도록 한다.The gas induction pipe 320 is formed so that the lower end is lower than the water level (W) of the tank housing (310). Therefore, the combustion gas introduced into the combustion gas inlet 312 is in direct contact with water in the space formed by the gas induction pipe 320 and the tank housing 310 and the water. The gas induction pipe 320 induces the combustion gas flowing from the combustion gas inlet 312 to be in direct contact with water so that the water-soluble harmful gas contained in the combustion gas can be dissolved in water more effectively. In addition, the gas induction pipe 320 prevents the combustion gas from flowing into the other region inside the tank housing 310.

상기 입자 유도판(330)은 판상으로 이루어지며, 연소가스 유입구(312)와 연소가스 유출구(314)가 형성되는 영역을 포함하는 영역의 수조 하우징(310)의 하부에 수조 하우징(310)의 어느 하나의 구석을 향하도록 경사지게 형성된다. 즉, 상기 입자 유도판(330)은 수조 하우징(310)에서 제1영역(310g)에 형성된다. 상기 입자 유도판(330)은 이물 입자를 수조 하우징(310)의 구석으로 모으기 위한 다양한 형상으로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 입자 유도판(330)은 타측벽(310d)과 제1필터로부터 전측벽(310a)과 일측벽(310c) 사이의 구석 방향으로 경사지게 형성될 수 있다. 또한, 상기 입자 유도판(330)은 전측벽(310a)과 타측벽(310d) 사이의 구석 방향으로 경사지도록 형성될 수 있다.The particle guide plate 330 is formed in a plate shape, any of the tank housing 310 in the lower portion of the tank housing 310 of the region including the region where the combustion gas inlet 312 and the combustion gas outlet 314 is formed. It is formed to be inclined to face one corner. That is, the particle guide plate 330 is formed in the first region 310g in the tank housing 310. The particle guide plate 330 may be formed in various shapes to collect foreign particles into the corner of the tank housing 310. For example, the particle guide plate 330 may be formed to be inclined in the corner direction between the front side wall 310a and the side wall 310c from the other side wall 310d and the first filter. In addition, the particle guide plate 330 may be formed to be inclined in the corner direction between the front wall (310a) and the other side wall (310d).

상기 입자 유도판(330)은 제1경사판(332)과 제2경사판(334)으로 구분되어 형성될 수 있다. 상기 제1경사판(332)은 수조 하우징(310)의 타측벽(310d)으로부터 일측벽(310e)으로 경사지게 설치된다. 또한, 상기 제2경사판(334)은 수조 하우징(310)의 제1필터(340) 방향에서 전측벽(310a) 방향으로 경사지게 형성될 수 있다.The particle guide plate 330 may be divided into a first inclined plate 332 and a second inclined plate 334. The first inclined plate 332 is installed to be inclined from the other side wall 310d of the water tank housing 310 to one side wall 310e. In addition, the second inclined plate 334 may be formed to be inclined toward the front wall 310a in the direction of the first filter 340 of the tank housing 310.

상기 입자 유도판(330)은 수조 하우징(310)의 바닥판(310f)과 접촉하게 되며, 전측벽(310a)과 일측벽(310c)과 이격되도록 바닥판(310f)과 결합된다. 예를 들면, 상기 제1경사판(332)은 일측벽(310c)과 이격되어 바닥판(310f)과 접촉되도록 형성된다. 또한, 상기 제2경사판(334)은 전측벽(310a)과 이격되어 바닥판(310f)과 접촉되도록 형성된다. 따라서, 상기 수조 하우징(310)의 바닥판(310f)에는 상면에 이물 입자가 모이는 포집 영역(a)이 형성된다.The particle guide plate 330 is in contact with the bottom plate 310f of the tank housing 310 and is coupled to the bottom plate 310f so as to be spaced apart from the front side wall 310a and the one side wall 310c. For example, the first inclined plate 332 is formed to be in contact with the bottom plate 310f spaced apart from one side wall 310c. In addition, the second inclined plate 334 is formed to be in contact with the bottom plate 310f spaced apart from the front wall 310a. Therefore, a collecting region a in which foreign particles are collected is formed on an upper surface of the bottom plate 310f of the tank housing 310.

상기 제1필터(340)는 입자를 필터링할 수 있는 일반적인 필터로 형성된다. 상기 제1필터(340)는 가스 유도관(320)이 형성된 제1영역(310g)과 제2영역(310h)의 사이에 수직으로 형성된다. 그리고, 상기 제1필터(340)은 제1영역(310g)에서 제2영역(310h)으로 흘러가는 물에 포함되어 있는 이물 입자를 필터링하게 된다. 따라서, 상기 수조 하우징(310)의 제2영역(310h)에 있는 물은 제1영역(310g)의 물에 비하여 상대적으로 이물 입자의 수가 작게 된다.The first filter 340 is formed of a general filter that can filter the particles. The first filter 340 is vertically formed between the first region 310g and the second region 310h in which the gas induction pipe 320 is formed. In addition, the first filter 340 filters the foreign particles contained in the water flowing from the first region 310g to the second region 310h. Accordingly, the water in the second region 310h of the tank housing 310 has a smaller number of foreign particles than the water of the first region 310g.

상기 제1필터(340)는 제1분리판(342)에 의하여 지지되며, 제1분리판(342)에 형성되는 제1장착홈(344)에 결합되어 지지된다. 상기 제1필터(340)는 제1분리판(342)에 형성되는 제1장착홈(344)의 수에 대응되는 수로 형성된다. 예를 들면, 상기 제1필터(340)는 수조 하우징(310)의 일측과 타측 방향으로 2개로 형성될 수 있다.The first filter 340 is supported by the first separation plate 342 and is coupled to and supported by the first mounting groove 344 formed in the first separation plate 342. The first filter 340 is formed in a number corresponding to the number of the first mounting grooves 344 formed in the first separation plate 342. For example, two first filters 340 may be formed at one side and the other side of the tank housing 310.

상기 제1분리판(342)은 판상으로 수조 하우징(310)의 일측판(310c) 및 타측벽(310d)과 결합되어 지지된다. 또한, 상기 제1분리판(342)은 하부가 입자 유도 판(330)과 결합된다. 따라서, 상기 제1분리판(342)은 수조 하우징(310)의 내부를 가스 유도관(320)이 형성된 제1영역(310g)과 다른 영역으로 구분하게 된다. 따라서, 상기 수조 하우징(310)은 연소가스 유입구(312)로부터 유입되는 연소가스에 포함되어 있는 이물 입자들이 다른 영역으로 흘러가지 않고 제1영역(310g)의 하부로 가라않게 한다. 상기 수조 하우징(310)의 하부로 가라않은 이물 입자는 입자 유도판(330)을 통하여 배수관(316) 주위로 모이게 되며, 보다 용이하게 수조 하우징(310)의 외부로 제거할 수 있게 된다.The first separating plate 342 is supported by being coupled to one side plate 310c and the other side wall 310d of the tank housing 310 in a plate shape. In addition, a lower portion of the first separator 342 is combined with the particle guide plate 330. Accordingly, the first separation plate 342 divides the interior of the water tank housing 310 into a region different from the first region 310g in which the gas induction tube 320 is formed. Therefore, the water tank housing 310 prevents foreign particles contained in the combustion gas flowing from the combustion gas inlet 312 so as not to flow to the lower portion of the first region 310g without flowing to other regions. The foreign particles that do not go to the lower portion of the tank housing 310 are collected around the drain pipe 316 through the particle guide plate 330, and can be easily removed to the outside of the tank housing 310.

또한, 상기 제1분리판(342)은 제1필터(340)가 장착되는 제1장착홈(344)을 적어도 1개로 구비하게 된다. 따라서, 상기 제1분리판(342)은 제1장착홈(344)에 결합되는 제1필터(340)를 지지하게 된다.In addition, the first separation plate 342 includes at least one first mounting groove 344 on which the first filter 340 is mounted. Therefore, the first separation plate 342 supports the first filter 340 coupled to the first mounting groove 344.

상기 제2필터(350)는 입자를 필터링할 수 있는 일반적인 필터로 형성된다. 상기 제2필터(350)는 제2영역(310h)과 제3영역(310j)의 사이에 수직으로 형성된다. 상기 제2필터(350)는 제2영역(310h)에서 제3영역(310j)으로 흐르는 물에 포함되어있는 이물 입자를 다시 한번 필터링하게 된다. 따라서, 상기 수조 하우징(310)의 제3영역(310j)에 있는 물은 제1영역(310g)과 제2영역(310h)의 물에 비하여 상대적으로 이물 입자의 수가 작게 된다. 따라서, 상기 수조 하우징(310)은 상대적으로 이물 입자가 적은 물을 습식 타워(400)로 공급할 수 있게 된다. The second filter 350 is formed of a general filter capable of filtering particles. The second filter 350 is vertically formed between the second region 310h and the third region 310j. The second filter 350 once again filters foreign particles contained in the water flowing from the second region 310h to the third region 310j. Accordingly, the water in the third region 310j of the tank housing 310 has a smaller number of foreign particles than the water of the first region 310g and the second region 310h. Therefore, the water tank housing 310 can supply water having relatively few foreign particles to the wet tower 400.

상기 제2필터(350)는 제2분리판(352)에 의하여 지지되며, 제2분리판(352)에 형성되는 제2장착홈(354)에 결합되어 지지된다. 상기 제2필터(330)는 제2분리 판(352)에 형성되는 장착홈(354)의 수에 대응되는 수로 형성된다. The second filter 350 is supported by the second separation plate 352 and is coupled to and supported by the second mounting groove 354 formed in the second separation plate 352. The second filter 330 is formed in a number corresponding to the number of mounting grooves 354 formed in the second separation plate 352.

상기 제2분리판(352)은 판상으로 하단이 수조 하우징(310)의 일측판(310c)과 타측벽(310d) 및 바닥판(310f)과 결합되어 지지된다. 따라서, 상기 제2분리판(352)은 수조 하우징(310)의 내부를 제2영역(310h)과 제3영역(310j)으로 구분하게 된다. The second separation plate 352 is supported by being combined with one side plate 310c, the other side wall 310d and the bottom plate 310f of the tank housing 310 in a plate shape. Accordingly, the second separation plate 352 divides the inside of the tank housing 310 into a second region 310h and a third region 310j.

또한, 상기 제2분리판(352)은 제2필터(350)가 장착되는 제2장착홈(354)을 적어도 1개로 구비하게 된다. 따라서, 상기 제2분리판(352)은 제2필터(350)를 지지하게 된다.In addition, the second separator 352 is provided with at least one second mounting groove 354 on which the second filter 350 is mounted. Therefore, the second separator 352 supports the second filter 350.

미설명 부호인 358은 제2영역(320h)을 통하여 물을 배수하기 위한 제2배수관이다. 상기 제2배수관(358)은 제2영역(320h)의 하부에 포집되는 이물 입자를 제거하는데 사용될 수 있다. 상기 제2배수관(358)은 반드시 형성되어야 하는 것은 아니다.Reference numeral 358, which is not described, is a second drain pipe for draining water through the second region 320h. The second drain pipe 358 may be used to remove foreign matter particles collected under the second region 320h. The second drain pipe 358 is not necessarily formed.

상기 유동 방지판(360)은 하부에 공간이 형성되도록 "∩"형상으로 형성되며, 포집 영역(a)이 형성되는 하우징(310)의 바닥판(310f)에 형성된다. 따라서, 상기 유동 방지판(360)의 하부에는 상부에서 떨어지는 이물 입자들이 모이는 공간을 제공하게 되며, 물이 요동하는 경우에 이물 입자들이 다시 상승하는 것을 방지하게 된다. 또한, 상기 유동 방지판(360)의 하부 공간은 배수관(316)과 연결된다. 즉, 상기 배수관(316)이 수조 하우징(310)의 일측벽(310c)을 통하여 유동 방지판(360)의 하부 공간에 연결된다. 따라서, 상기 유동 방지판(360)의 하부 공간에 모여 있는 이물 입자는 배수관(316)을 통하여 용이하게 제거될 수 있다. The flow preventing plate 360 is formed in a "∩" shape so that a space is formed at the bottom, and is formed on the bottom plate 310f of the housing 310 in which the collecting region a is formed. Accordingly, the lower portion of the flow preventing plate 360 provides a space for collecting foreign particles falling from the upper portion, and prevents foreign particles from rising again when the water is shaken. In addition, the lower space of the flow preventing plate 360 is connected to the drain pipe 316. That is, the drain pipe 316 is connected to the lower space of the flow preventing plate 360 through one side wall 310c of the tank housing 310. Therefore, the foreign particles collected in the lower space of the flow preventing plate 360 can be easily removed through the drain pipe (316).

또한, 미설명 부호인 380은 습식타워로 물을 공급하기 위한 공급관이다. 상 기 공급관은 별도의 펌프(도면에 도시하지 않음)와 펌프에 연결되는 배관(도면에 도시하지 않음)을 통하여 습식타워에 연결되며 습식타워로 물을 공급하게 된다. 상기 공급관은 수조 하우징(310)의 제3영역(310j)으로 연장되어 형성되며, 제3영역(310j)의 물이 펌프로 공급되도록 한다. 상기 펌프는 일반적으로 사용되는 다양한 펌프가 사용될 수 있으며 여기서 상세한 설명은 생략한다. 상기 펌프와 연결되는 배관은 펌프와 습식 타워(400)의 노즐(도면에 도시하지 않음)을 연결하여 펌프가 습식타워(400)로 물을 공급할 수 있도록 한다.In addition, reference numeral 380 is a supply pipe for supplying water to the wet tower. The supply pipe is connected to the wet tower through a separate pump (not shown) and pipes (not shown) connected to the pump to supply water to the wet tower. The supply pipe is formed to extend to the third region 310j of the tank housing 310, and the water of the third region 310j is supplied to the pump. The pump may be used a variety of commonly used pumps and the detailed description thereof will be omitted. The pipe connected to the pump connects the pump and the nozzle (not shown) of the wet tower 400 so that the pump can supply water to the wet tower 400.

상기 습식 타워(400)는 수조 하우징(310)의 타측 상부에 설치되며, 연소가스 유출구(314)와 연결되도록 형성된다. 상기 습식 타워(400)는 내부에 수조 하우징(310)으로부터 상승하는 연소가스에 포함되어 있는 미세한 이물 입자를 제거하기 위하여 하부 방향으로 물을 분사하는 다수의 노즐을 포함하여 형성된다. 또한, 상기 습식 타워(400)는 내부에 이물 입자를 필터링 하기 의한 다수의 필터층이 형성된다. 상기 습식 타워(400)는 내부의 구조에 대하여 구체적으로 도시하지 않았지만 노즐과 필터층이 다양하게 조합되어 형성될 수 있다. 상기 습식 타워(400)는 스크러버 시스템(10)에서 일반적으로 많이 사용되고 있으므로 여기서 상세한 구조와 작용에 대한 설명은 생략한다. The wet tower 400 is installed on the other side of the water tank housing 310 and is formed to be connected to the combustion gas outlet 314. The wet tower 400 is formed to include a plurality of nozzles for spraying water in the downward direction in order to remove the fine foreign particles contained in the combustion gas rising from the tank housing 310 therein. In addition, the wet tower 400 is formed with a plurality of filter layers by filtering foreign particles therein. The wet tower 400 may be formed by various combinations of nozzles and filter layers, although not illustrated in detail. Since the wet tower 400 is generally used in the scrubber system 10, the detailed structure and operation thereof will be omitted here.

다음은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 토치 및 이를 이용한 스크러버 시스템의 작용에 대하여 설명한다.Next will be described the operation of the plasma torch and the scrubber system using the same according to an embodiment of the present invention.

반도체 공정 라인으로부터 폐가스가 스크러버 시스템(10)으로 유입되기 전에, 플라즈마 토치(100)의 제1공급가스 유입구(126)를 통하여 플라즈마 공급 가스가 유입되며, 음극 전극(110)과 파이롯 전극(120)사이에서 초기 방전이 일어나며 플라즈마가 형성된다. 다음으로 제2공급가스 유입구(137)(제1양극 전극(130)과 제2양극 전극(140)으로 분리되어 형성된 경우)로 플라즈마 공급 가스가 유입되며 플라즈마가 제2양극 전극(140)의 하부로 확장된다. 상기 제2양극 전극(140)에 형성되어 있는 폐가스 유입홀(143)로 폐가스가 유입되며 플라즈마에 의하여 연소되어 연소가스로 된다. 상기 플라즈마는 반도체 공정 중에 발생된 다양한 유해 가스와 이물 입자를 포함하는 폐가스를 무해한 연소가스로 연소시키게 되며, 일부 열분해 반응을 통하여 이물 입자를 형성하게 된다. 상기 플라즈마 토치(100)는 플라즈마 형성을 위한 플라즈마 공급 가스가 공급되는 공급구(126, 137)와 폐가스가 유입되는 폐가스 유입홀(143)을 별도로 형성하여 폐가스에 혼합되어 있는 이물 입자에 의하여 플라즈마 공급 가스를 공급하는 공급구(126, 137)가 막히는 것을 방지하게 된다. 또한, 상기 플라즈마 토치(100)는 내부에 형성되는 플라즈마에 직접 폐가스가 유입되도록 함으로써 보다 효과적으로 폐가스가 연소될 수 있도록 한다. Before the waste gas enters the scrubber system 10 from the semiconductor processing line, the plasma supply gas is introduced through the first supply gas inlet 126 of the plasma torch 100, and the cathode electrode 110 and the pilot electrode 120 are introduced. The initial discharge takes place between the plasma and the plasma is formed. Next, the plasma supply gas flows into the second supply gas inlet 137 (when it is formed by separating the first anode electrode 130 and the second cathode electrode 140) and the plasma is lower than the second anode electrode 140. Is extended to. Waste gas flows into the waste gas inlet hole 143 formed in the second anode electrode 140 and is combusted by plasma to form combustion gas. The plasma burns waste gases including various harmful gases and foreign particles generated during the semiconductor process into harmless combustion gases, and forms foreign particles through some pyrolysis reactions. The plasma torch 100 forms a supply port 126 and 137 through which a plasma supply gas for plasma formation is supplied and a waste gas inlet hole 143 through which the waste gas is introduced to supply plasma by foreign particles mixed in the waste gas. The supply ports 126 and 137 for supplying the gas are prevented from being blocked. In addition, the plasma torch 100 allows waste gas to be more effectively combusted by allowing the waste gas to flow directly into the plasma formed therein.

또한, 상기 플라즈마 토치(100)에서 연소되는 폐가스는 연소 탱크(200)로 유입되면서 연소가 진행된다. 상기 연소 탱크(200)로 유입된 연소가스와 이물 입자는 냉각되면서 하부의 연소가스 유입구(312)를 통하여 수조 하우징(310)의 내부로 유입된다. 상기 수조 하우징(310)은 내부로 유입되는 연소가스가 가스 유도관(320)의 내부를 통하여 흐르면서 물과 접촉되도록 한다. 특히, 상기 수조 하우징(310)은 물 의 수위를 가스 유도관(320)의 하단보다 높게 되도록 유지함으로써, 연소가스 유입구(312)로부터 유입된 연소가스가 가스 유도관(320)과 수조 하우징(310) 상부와 물에 의하여 형성되는 공간 내에서 물과 접촉하게 되며 수조 하우징(310)의 다른 영역으로 흘러가지 않게 한다. 상기 수조 하우징(310)은 연소가스가 물과 접촉되도록 함으로써, 연소가스에 포함되어 있는 수용성 가스를 물에 용해시켜 포집하게 된다. In addition, the waste gas combusted by the plasma torch 100 flows into the combustion tank 200 while the combustion proceeds. The combustion gas and the foreign particles introduced into the combustion tank 200 are cooled and flow into the tank housing 310 through the combustion gas inlet 312 below. The water tank housing 310 allows the combustion gas introduced into the gas contact with water while flowing through the gas induction pipe 320. In particular, the water tank housing 310 maintains the water level higher than the lower end of the gas induction pipe 320, so that the combustion gas introduced from the combustion gas inlet 312, the gas induction pipe 320 and the water tank housing 310 It is in contact with the water in the space formed by the top and the water and does not flow to other areas of the tank housing (310). The tank housing 310 allows the combustion gas to come into contact with water, thereby dissolving and collecting the water-soluble gas contained in the combustion gas in water.

또한, 상기 수조 하우징(310)의 연소가스 유출구(314)를 통하여 연소가스가 유출되며, 상부에 형성되어 있는 습식 타워(400)로 흐르게 된다. 상기 습식 타워(400)는 하부로부터 흐르는 연소가스에 물을 분사하여 연소가스에 포함되어 있는 이물 입자를 낙하시켜 제거하게 된다.In addition, the combustion gas flows out through the combustion gas outlet 314 of the tank housing 310, and flows to the wet tower 400 formed at the upper portion. The wet tower 400 is sprayed with water to the combustion gas flowing from the bottom to drop and remove foreign particles contained in the combustion gas.

한편, 연소가스에 포함되어 있던 이물 입자들이 수조 하우징(310)의 물로 떨어지면, 입자 유도판(330)이 이물 입자들을 유동 방지판(360)이 형성된 영역으로 유도하게 된다. 따라서, 유동 방지판(360)은 하부 공간으로 유입된 이물 입자들이 물의 흔들림에 따라 유동되어 다시 상승하는 것을 방지하게 된다. 또한, 상기 유동 방지판(360)은 이물 입자가 수조 하우징(310)의 바닥판(310f)에서 유동되는 것을 방지하여, 이물 입자는 배수관(316)으로 용이하게 제거될 수 있다. On the other hand, when the foreign particles contained in the combustion gas falls into the water of the tank housing 310, the particle guide plate 330 guides the foreign particles to the area where the flow preventing plate 360 is formed. Therefore, the flow preventing plate 360 prevents foreign particles introduced into the lower space from flowing and rising again as the water shakes. In addition, the flow preventing plate 360 prevents foreign particles from flowing in the bottom plate 310f of the tank housing 310, the foreign matter particles can be easily removed by the drain pipe (316).

이상 설명한 바와 같이, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형의 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 특허청구범위 기재의 범위 내에 있 게 된다.As described above, the present invention is not limited to the specific preferred embodiments described above, and any person having ordinary skill in the art to which the present invention pertains without departing from the gist of the present invention claimed in the claims. Various modifications are possible, of course, and such changes are within the scope of the claims.

본 발명에 따른 스크러버 시스템은 플라즈마 토치에서 플라즈마 형성을 위한 플라즈마 공급 가스가 공급되는 공급구와 폐가스가 유입되는 폐가스 유입홀을 별도로 형성함으로써 폐가스에 혼합되어 있는 이물 입자에 의하여 플라즈마 공급 가스를 공급하는 공급구가 막히는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.In the scrubber system according to the present invention, a supply port for supplying the plasma supply gas by foreign particles mixed in the waste gas is formed by separately forming a supply port through which the plasma supply gas for plasma formation is formed in the plasma torch and a waste gas inlet hole through which the waste gas is introduced. There is an effect that can prevent the clogging.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 스크러버 시스템은 플라즈마 토치의 내부에 형성되는 플라즈마에 직접 폐가스가 유입되도록 함으로써 보다 효과적으로 폐가스를 연소시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, the scrubber system has an effect that the waste gas can be more effectively combusted by allowing the waste gas to flow directly into the plasma formed inside the plasma torch.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 스크러버 시스템은 수조 하우징의 내부로 유입되는 연소가스를 직접 물과 접촉되도록 함으로써 연소가스에 포함되어 있는 수용성 가스를 보다 효과적으로 물에 용해시켜 포집할 수 있는 효과가 있다.In addition, according to the present invention, the scrubber system has an effect that can effectively collect and dissolve the water-soluble gas contained in the combustion gas in water by bringing the combustion gas flowing into the tank housing directly contact with water.

또한, 본 발명에 따르면, 상기 스크러버 시스템은 연소가스에 포함되어 있던 이물 입자들이 수조 하우징으로 떨어지면, 입자 유도판에 의하여 이물 입자들이 유동 방지판의 하부 공간으로 유도됨으로써, 이물 입자들이 물의 흔들림에 따라 유동되어 다시 상승되는 것을 방지되며, 배수관을 통하여 용이하게 제거될 수 있는 효과가 있다. In addition, according to the present invention, when the foreign matter particles contained in the combustion gas falls into the tank housing, the scrubber system is introduced into the lower space of the flow preventing plate by the particle guide plate, so that the foreign matter particles as the water shakes The flow is prevented to rise again, there is an effect that can be easily removed through the drain pipe.

Claims (14)

반도체 공정에서 발생되는 폐가스를 처리하는 스크러버 시스템에 사용되는 플라즈마 토치에 있어서,In the plasma torch used in the scrubber system for processing the waste gas generated in the semiconductor process, 상기 플라즈마 토치는 The plasma torch 상부에 위치하는 음극 전극과The cathode electrode on the top 상기 음극 전극의 하부에 위치하며 내부에 상부에서 하부로 관통되는 제1관통홀을 구비하는 제1양극 전극과A first anode electrode positioned below the cathode electrode and having a first through hole penetrating from the top to the bottom thereof; 상기 제1양극 전극의 하부에 위치하며 내부에 상부에서 하부로 관통되며 상기 제1관통홀과 연결되는 제2관통홀 및 측면에서 상기 제2관통홀로 관통되는 폐가스 유입홀을 구비하는 제2양극 전극을 포함하며, A second anode electrode disposed below the first anode electrode and having a second through hole penetrating from the top to the bottom and connected to the first through hole and a waste gas inlet hole from the side to the second through hole; Including; 상기 음극 전극과 제1양극 전극 사이로 플라즈마 공급 가스가 공급되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치.And a plasma supply gas is supplied between the cathode electrode and the first anode electrode. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 음극 전극은The cathode electrode 내부에 상부에서 하부로 관통되는 음극홀을 구비하는 음극 몸체와A cathode body having a cathode hole penetrating from top to bottom therein; 하부에 단자홈이 형성되며 상기 음극홀에 결합되는 음극봉 및A terminal groove is formed in the lower portion and the cathode rod coupled to the cathode hole and 상기 단자홈에 결합되는 음극 단자를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치.And a negative electrode terminal coupled to the terminal groove. 제 2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 음극 전극은 The cathode electrode 상기 음극 몸체의 외면에 도전코일이 권취되는 외면홈이 형성되며,An outer groove is formed on the outer surface of the cathode body in which the conductive coil is wound. 전기적 절연체로 형성되며, 상기 음극 몸체의 상면과 측면을 전체적으로 감싸는 음극 케이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치.A plasma torch, which is formed of an electrical insulator and includes a cathode case covering the upper and side surfaces of the cathode body as a whole. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 내부에 상부에서 하부로 관통하여 제1관통홀과 연결되는 파이롯 관통홀을 구비하며,The inside has a pilot through hole penetrating from the top to the bottom and connected to the first through hole, 상기 음극 전극과 제1양극 전극 사이에 위치하여Located between the cathode electrode and the first anode electrode 상기 음극 전극과의 사이에 플라즈마 공급 가스를 공급하는 제1가스공급구와A first gas supply port for supplying a plasma supply gas between the cathode electrode and the cathode electrode; 상기 제1양극 전극 사이에 플라즈마 공급 가스를 공급하는 제2가스공급구를 형성하는 파이롯 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치.And a pilot electrode forming a second gas supply hole for supplying a plasma supply gas between the first anode electrodes. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 파이롯 전극은 측면에 냉각수가 흐르는 파이롯 외면홈을 구비하며,The pilot electrode has a pilot outer groove in which cooling water flows on the side surface, 전기적 절연체로 형성되며, 상기 음극 단자의 측면 하부와 상기 파이롯 전극의 측면 상부를 전체적으로 감싸는 파이롯 케이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치.And a pilot case formed of an electrical insulator, the pilot case surrounding the lower side of the cathode terminal and the upper side of the pilot electrode. 제 4항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 제1양극 전극은The first anode electrode 상기 제1관통홀이 하부 방향으로 갈수록 외면으로 경사지도록 형성되고,The first through hole is formed to be inclined toward the outer surface toward the lower direction, 외면에 냉각수가 흐르는 제1외면홈을 구비하며,It has a first outer groove in which the coolant flows on the outer surface, 상기 파이롯 전극의 외면 하부와 상기 제1외면홈을 포함하는 상기 제1양극 전극의 측면을 감싸면서 상기 제1양극 전극과 상기 파이롯 전극이 서로 이격되어 상기 제2가스공급구를 형성하도록 지지하는 제1양극 케이스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치.The first anode electrode and the pilot electrode are spaced apart from each other to surround the side surface of the first anode electrode including the lower outer surface of the pilot electrode and the first outer groove so as to form the second gas supply hole. The plasma torch further comprises a first anode case. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2양극 전극의 폐가스 유입홀은 상기 제2양극 전극의 상부에 적어도 2개로 형성되고,At least two waste gas inlet holes of the second anode electrode are formed on the second anode electrode. 상기 제2양극 전극의 제2관통홀은 상기 제2양극 전극의 상단에서 상기 폐가스 유입홀까지 점진적으로 넓어지고 상기 폐가스 유입홀부터 상기 제2양극 전극의 하단까지 점진적으로 좁아지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치.The second through hole of the second anode electrode is formed to gradually widen from the upper end of the second anode electrode to the waste gas inlet hole and gradually narrowed from the waste gas inlet hole to the lower end of the second anode electrode. Plasma torch. 제 7항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 제2양극 전극은 측면에 제2외면홈이 형성되며, 상기 제2외면홈을 포함하는 측면을 감싸는 제2양극 케이스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치.The second anode electrode has a second outer groove is formed on the side, the plasma torch further comprises a second anode case surrounding the side including the second outer groove. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제2양극 전극의 폐가스 유입홀을 전체적으로 감싸는 유입 케이스와An inflow case surrounding the waste gas inlet hole of the second anode electrode as a whole; 상기 유입 케이스에 상기 폐가스 유입홀에 대응되는 수로 형성되어 상기 폐가스 유입홀에 연결되는 폐가스 유입관을 구비하는 폐가스 유입부를 포함하며,A waste gas inlet formed in the inflow case corresponding to the waste gas inlet hole and having a waste gas inlet pipe connected to the waste gas inlet hole, 상기 폐가스 유입관은 상기 폐가스 유입홀과 연결되는 부분에서 상기 폐가스 유입관의 축방향인 중심축(X_154)이 폐가스 유입홀(143)에서 제2양극 전극의 외측 방향을 보았을 때 상기 폐가스 유입홀이 형성되는 상기 제2양극 전극의 상하 방향과 평행한 방향인 수직방향을 기준으로 상기 폐가스 유입홀의 중심에서 원주 방향에 수직인 상기 폐가스 유입홀의 중심축(X_143)보다 상부로 향하며, 상기 제2양극 전극의 상하 방향과 수직인 방향인 수평방향을 기준으로 상기 폐가스 유입홀의 중심축(X_143)보다 제2양극 전극의 중심으로부터 외측으로 향하도록 형성되는 되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 토치. The waste gas inlet pipe is the waste gas inlet hole when the central axis (X_154), the axial direction of the waste gas inlet pipe, is viewed from the waste gas inlet hole (143) to the outside direction of the second anode electrode at a portion connected to the waste gas inlet hole. The second anode electrode is directed upward from the center axis of the waste gas inlet hole (X_143) perpendicular to the circumferential direction from the center of the waste gas inlet hole with respect to the vertical direction, which is a direction parallel to the vertical direction of the second anode electrode. The plasma torch, characterized in that it is formed to face outward from the center of the second anode electrode than the central axis (X_143) of the waste gas inlet hole with respect to the horizontal direction that is perpendicular to the vertical direction of the. 플라즈마 토치와,With plasma torch, 상기 플라즈마 토치의 하부에 결합되어 플라즈마에 의하여 연소되는 폐가스가 계속적으로 연소될 수 있도록 공간을 형성하는 연소 탱크와,A combustion tank coupled to a lower portion of the plasma torch to form a space for continuously burning the waste gas combusted by the plasma; 상기 연소 탱크의 하부에 위치하여 상기 연소 탱크로부터 유입되는 연소가스가 유입되어 물에 접촉되도록 하는 수조 탱크 및A tank tank positioned below the combustion tank to allow the combustion gas introduced from the combustion tank to be in contact with water; 상기 수조 탱크의 상부에 설치되어 상기 수조 탱크로부터 상승하는 연소가스에 포함되어 있는 미세한 이물 입자를 제거하는 습식 타워를 포함하며,It is installed on the top of the tank tank and includes a wet tower for removing the fine foreign particles contained in the combustion gas rising from the tank tank, 상기 플라즈마 토치는 The plasma torch 제 1항 내지 제 9항 중 어느 하나의 항에 따른 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 스크러버 시스템.A scrubber system, characterized in that formed in a structure according to any one of claims 1 to 9. 제 10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 수조 탱크는 The tank tank 전측벽과 후측벽과 일측벽과 타측벽과 상판 및 바닥판을 구비하는 박스 형상으로 형성되며, 상기 상판의 일측에 형성되어 연소가스가 유입되는 연소가스 유입구와, 상기 상판의 타측에 형성되어 연소가스가 유출되는 연소가스 유출구를 구비하는 수조 하우징과It is formed in a box shape having a front wall, a rear wall, one side wall, the other side wall, the top plate and the bottom plate, and is formed on one side of the top plate and the combustion gas inlet through which the combustion gas flows, and formed on the other side of the top plate A water tank housing having a combustion gas outlet through which gas is discharged; 상부에서 하부로 개방된 통 형상이며 상기 연소가스 유입구와 상기 연소가스 유출구가 내부에 위치하도록 상기 수조 하우징의 상부에 결합되는 가스 유도관을 포함하는 것을 특징으로 하는 스크러버 시스템.And a gas guide tube coupled to an upper portion of the tank housing so that the combustion gas inlet and the combustion gas outlet are located therein. 제 11항에 있어서,The method of claim 11, 상기 수조 하우징은The tank housing 상기 가스 유도관이 형성되는 영역에 대응되는 상기 수조 하우징의 바닥판 상면의 영역이며 이물 입자가 모이는 포집 영역을 향하도록 경사지게 형성되는 입자 유도판과A particle guide plate that is an area of an upper surface of the bottom plate of the water tank housing corresponding to an area where the gas guide pipe is formed, and is formed to be inclined toward a collection area where foreign particles collect; 상기 가스 유도관이 형성된 영역과 상기 수조 하우징의 후측벽 사이에 형성되는 제1필터와 상기 제1필터를 지지하는 제1분리판, 상기 제1필터와 상기 수조 하우징의 후측 사이에 설치되는 제2필터와 상기 제2필터를 지지하는 제2분리판을 포함하는 것을 특징으로 하는 스크러버 시스템.A first filter formed between an area where the gas induction pipe is formed and a rear side wall of the tank housing, a first separation plate supporting the first filter, and a second installed between the first filter and a rear side of the tank housing And a second separator for supporting the filter and the second filter. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 수조 탱크는 The tank tank 상기 포집 영역에 하부공간을 갖는 "∩"형상으로 형성되는 유동 방지판을 더 포함하며,It further comprises a flow preventing plate is formed in the "∩" shape having a lower space in the collecting region, 상기 유동 방지판은 상기 수조 하우징의 포집 영역에서 상기 수조 하우징의 물을 배수하기 위한 배수관과 하부공간이 연결되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 스크러버 시스템.The flow preventing plate is a scrubber system, characterized in that the drain pipe and the lower space for draining the water of the tank housing in the collection area of the tank housing is connected. 제 12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 가스 유도관은 하단이 상기 수조 하우징의 물 수위(W)보다 낮게 되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 스크러버 시스템.The gas induction pipe is scrubber system, characterized in that the lower end is formed to be lower than the water level (W) of the water tank housing.
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