KR100871848B1 - 광기록매체상의 데이터 변조 방법 및 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 광기록매체상의 소스 데이터 변조 방법 및 장치에 관한 것으로서, 기록매체에 기록할 소스 데이터의 변조 방법은, 소스 데이터에 대응 가능한 제1코드워드들의 그룹을 생성하는 단계; 소스 데이터에 대응 가능하고, DC 성분을 억제하기 위해 제1코드워드를 대신해 배치될 수 있는 제2코드워드들의 그룹을 생성하는 단계; 및 제1코드워드와 제2코드워드를 사용해 소스 데이터에 대응되고 소정 런 길이 조건을 만족하는 코드스트림을 배치하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 코드스트림의 DC 억압 제어 수행시 런 길이 위반과 DC 억압 제어에 사용될 코드워드의 사용 회수를 제한함으로써 가능한 코드스트림의 경로를 줄일 수 있게 되어, 광기록매체 소스 데이터 변조를 위한 메모리 용량을 절감시킬 수 있다.

Description

광기록매체상의 데이터 변조 방법 및 장치{Data modulation method and apparatus on optical storage meduim}

도 1은 광기록매체상의 변조코드로서 사용될 변환 코드 그룹들의 예를 도시한 것이다.

도 2는 종래의 DC 억압 제어용 변환 코드워드를 이용한 코드 변환시, 런 길이 검사를 위한 코드스트림 저장용 메모리 패스의 예를 도시한 것이다.

도 3은 종래의 DC 억압 제어용 변환 코드워드를 이용한 코드 변환시, 런 길이 검사를 위한 코드스트림 저장용 메모리 패스의 다른 예를 도시한 것이다.

도 4는 주변환 테이블들의 여러 코드워드 그룹과 해당 코드그룹의 코드워드 특성을 표로 나타낸 것이다.

도 5는 DC 제어용 변환 테이블의 여러 코드워드 그룹과 해당 코드그룹의 코드워드 특성을 나타내는 표이다.

도 6은 보조 DC 제어용 변환 테이블의 여러 코드워드 그룹과 해당 코드그룹의 코드워드 특성을 나타낸 표이다.

도 7은 코드워드 a와 b가 연결될 때 구속장의 조건을 위해 고려해야 할 것을 보인 것이다.

도 8a~8e는 상술한 사항들을 고려하여 생성한 주변환 코드 테이블이다.

도 9a~9j는 상술한 사항들을 고려하여 생성한 DC 제어용 코드 변환 테이블이다.

도 10a~10b는 상술한 사항들을 고려하여 생성 및 배치한 보조 DC 제어용 코드 변환 테이블이다.

도 11은 도 7을 통해 설명한 구속장의 조건을 만족하지 못하는 경우가 발생하는 경우, 코드 변환 전과 후에 따른 INV의 변화 양상의 예를 나타낸 것이다.

도 12는 DC 억압 제어용 코드워드를 사용할 수 있는 필요 조건 중 하나를 설명하기 위한 도면이다.

도 13은 DC 억압 제어용 코드워드 연속 사용 회수를 1로 제한한 경우의 코드스트림의 일부의 예를 도시한 것이다.

도 14는 본 발명의 기록매체에 기록할 소스 데이터의 제1변조 방법의 개략적 흐름도를 도시한 것이다.

본 발명은 광기록매체에 기록할 소스 데이터의 변조 방법 및 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 소스코드의 변조 코드 배치시 구속장 조건과 사용 회수에 대한 제한 조건을 고려해 코드스트림의 코드열의 직류 성분을 억제하도록 변조되는 광기록매체상의 데이터 변조 방법 및 장치에 관한 것이다.

(d,k,m,n)으로 표현되는 RLL 코드에 있어서, 코드의 성능은 크게 기록 밀도 의 측면과 코드의 DC 성분을 억압하는 능력에 따라 그 우수함이 평가된다. 여기서, m은 데이터 비트수(일명 소스 데이터의 비트수, 정보 워드 비트수라고도 함), n은 변조후의 코드워드 비트수(일명 채널 비트수라고도 함), d는 코드워드내에서 1과 1사이에 존재할 수 있는 연속되는 0의 최소수, k는 코드워드내에서 1과 1사이에 존재할 수 있는 연속되는 0의 최대수이다. 코드워드내 비트 간격은 T로서 나타낸다.

변조 방법에서 기록 밀도를 향상시킬 수 있는 방법은, d와 m은 주어진 조건으로 둔채 코드워드의 비트수 n을 줄이는 것이다. 그러나, RLL 코드는 코드워드내에서 1과 1사이에 존재할 수 있는 연속되는 0의 최소수인 d와 연속되는 0의 최대수인 k를 만족해야 한다. 이 (d,k) 조건을 만족하면서 데이터 비트수가 m이라 할 때 RLL(d,k)를 만족하는 코드워드의 수는 2^m개 이상이면 된다. 또, 이러한 코드를 실질적으로 사용하기 위해서는 코드워드와 코드워드가 연결되는 부분에서도 일정한 런 길이가 유지되어야 한다.

광디스크 기록/재생 장치와 같이 코드의 DC 성분이 시스템 성능에 영향을 주는 경우에는 사용하고자 하는 코드가 DC 억압 능력을 가져야 한다. RLL 코드로 변조된 코드스트림에서 DC를 억압하는 가장 중요한 이유는 재생 신호가 서보 대역에 주는 영향을 최소화하기 위해서이다. DC를 억압하는 방법을 이하 DSV(Digital Sum Value) 제어 방식이라 부르기로 한다.

DSV 제어 방식은 크게 두 가지가 있다. 하나는 코드 자체에 DSV를 제어할 수 있는 DSV 제어 코드를 갖고 있는 방식이고, 다른 하나는 DSV 제어 시점마다 머지(merge) 비트를 삽입하는 방식이다. EFM+(Eight to Fourteen Modulation plus) 코드는 별도의 코드표를 사용해서 DSV 제어를 행하는 코드이고, EFM 코드나 (1,7) 코드는 머지 비트를 삽입하여 DSV 제어를 행하는 코드이다.

런 길이 조건을 만족하면서 코드 자체에 DC 억압 제어할 수 있는 종래의 변조용 코드는 도 1에 도시된 바와 같이, 주변환 코드 그룹들(코드 그룹 A ~ 코드 그룹 D)과 각각의 주변환 코드 그룹과 쌍을 이뤄 DC 억압 제어를 할 수 있도록 하는 DC 억압 제어용 코드 그룹들(코드 그룹 E ~ 코드 그룹 F)을 두는 형태로 구성되었다.

도 1의 주변환 코드 그룹은 리드 제로 개수(MSB-most significant bit로부터의 0의 개수)나 엔드 제로 개수(LSB-least significant bit로부터의 0의 개수)의 조건에 의해 코드워드들을 그루핑한 것이다. 각 그룹내 코드워드들의 개수는 소스 데이터의 비트 수가 m 일 때, 가능한 모든 소스 데이터에 대응할 수 있기 위해 2^m 개 이상이 있어야 한다.

도 1의 DC 억압 제어용 변환 코드 그룹 역시 리드 제로 개수와 엔드 제로 개수에 따라 그루핑한 코드워드들의 그룹이다. 한 DC 억압 제어용 변환 코드 그룹에는 하나의 소스 데이터에 대응 가능한 두 개의 코드워드들이 포함된다. 한 소스 데이터에 대응 가능한 두 코드워드들은 각각 1의 개수가 홀수인지 짝수인지를 구분하는 파라미터(INV)의 특징이 서로 반대로 된다. DC 억압 제어용 변환 코드 그룹은, DC 억압 제어를 위한 코드워드 선택시, 코드 스트림의 DC 성분을 억제하는 데 기여하는 코드워드를 택일할 수 있도록 한다. 한 DC 억압 제어용 변환 코드 그룹 은 소스 데이터의 비트 수가 m 일 때, 2x2^m 개 이상의 코드워드를 포함해야 한다.

도 1의 코드 그룹들을 이용해 코드 변환을 수행할 때 고려되어야 할 것은 DC 성분의 억압 뿐 아니라, 코드워드와 코드워드들이 나란히 배치되는 코드 스트림내에서 런 길이 위반이 발생하지 않도록 하는 것이다. 주변환 코드그룹내의 코드워드들은 서로 함께 배치될 때 런 길이 위반이 발생되지 않는다. 그러나, 이전 코드워드를 a, 현재 변조할 코드워드를 b, 다음 변조할 코드워드를 c라 할 때, a와 c가 주변환 코드 그룹내 코드워드들이고, b가 DC 억압 제어용 변환 코드 그룹 내 코드워드인 경우에는 a, b, c가 코드스트림내에서 나란히 배치될 때 런 길이를 반드시 위반하지 않는다고 말 할 수 없다.

도 2는 종래의 DC 억압 제어용 변환 코드워드를 이용한 코드 변환시, 런 길이 검사를 위한 코드스트림 저장용 메모리 패스의 예를 도시한 것이다.

가령 CW4_1이 주변환 코드 그룹내 코드워드이고, CW4_2가 DC 억압 제어용 코드워드인 경우를 가정하자. CW4_1과 CW3, CW5가 저장되는 것이 패스 1과 패스 3라고 할 때, CW4_1은 각각 주변환 코드 그룹에 속한 코드워드들인 CW3와 CW5와는 런 길이를 위반하지 않으므로 패스 1과 패스 3는 코드스트림으로서 유효한 메모리 패스라고 할 수 있다. 그러나, 코드워드 CW4_2의 경우, CW3 및 CW5와 런 길이를 만족할지의 여부는 체크를 해 봐야 알 수 있다. CW4_2가 CW3와 CW5와 런 길이를 위반하지 않으면 패스 2와 패스 4도 유효한 메모리 패스가 되지만, 런 길이를 위반하면 그들 패스는 유효하지 않게 된다.

도 3은 종래의 DC 억압 제어용 변환 코드워드를 이용한 코드 변환시, 런 길 이 검사를 위한 코드스트림 저장용 메모리 패스의 다른 예를 도시한 것이다.

어떤 코드워드 CW가

이면 그 코드워드는 주변환 코드 그룹에 속하고,

이면 그코드워드는 DC 억압 제어용 변환 코드 그룹에 속한다고 하자. 도 3은 DC 억압 제어용 코드워드를 연속해서 사용하는 경우의 코드스트림 저장용 메모리 패스들을 보인다. 도면에서와 같이, 주변환 코드워드 CW0 사용 후 연속해서 4회 DC 억압 제어용 코드워드를 선택할 수 있는 경우, 메모리 패스의 경우의 수는 2⁴=16이 된다. DC 억압 제어용 코드워드의 연속 사용 빈도가 p이면, 유효한 코드스트림을 판단하기 위해 필요한 메모리 패스의 개수는 2^p 개가 될 것이다. 도 3에서 16개의 메모리 패스 가운데 주변환 코드 그룹내 코드워드들로 이뤄진 코드스트림(CW0-CW1_1-CW2_1-CW3_1-CW4_1)을 제외하면, 어떤 메모리 패스가 코드스트림의 런 길이 위반 없이 유효한 것인가는 코드스트림을 이루는 마지막 코드워드까지의 런 길이 조건을 검사해 본 이후에나 알 수 있다. 따라서, 이론적으로 도 3과 같은 DC 억압 제어용 코드 변환 방식을 채용하는 코드 변조 방식에서는 가능한 코드스트림을 위한 메모리 패스가 무한대로 필요하게 된다.

본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는, 광기록매체상에 기록할 코드스트림의 DC 성분을 억제하고, 변조 코드를 위한 메모리 사용 용량을 절감할 수 있는 광기록매체상의 데이터 변조 방법 및 장치를 제공하는 데 있다.

상기 과제를 해결하기 위한, 기록매체에 기록할 소스 데이터의 변조 방법은 , 소스 데이터에 대응 가능한 제1코드워드들의 그룹을 생성하는 단계; 소스 데이터에 대응 가능하고, DC 성분을 억제하기 위해 제1코드워드를 대신해 배치될 수 있는 제2코드워드들의 그룹을 생성하는 단계; 및 제1코드워드와 제2코드워드를 사용해 소스 데이터에 대응되고 소정 런 길이 조건을 만족하는 코드스트림을 배치하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.

상기 코드스트림 배치시 소정 런 길이 조건이 만족하는지의 여부는, 제2코드워드 배치시에만 그 이전 코드워드와 다음 코드워드 사이에서 런 길이 조건이 만족되는지를 검사하는 것임이 바람직하다.

제2코드워드 배치시, 다음 코드워드가 제1코드워드일 때 제2코드워드와 제1코드워드 결합시 런 길이 위반이 발생하지 않으면, 다음 코드워드가 제2코드워드인 경우는 런 길이 조건 검사를 수행하지 않음이 바람직하다.

상기 제2코드워드는 소정 n 회로 규정된 회수만큼 최대한 연속적으로 배치 가능함이 바람직하다.

상기 과제를 해결하기 위한, 기록매체에 기록할 소스 데이터의 변조 방법은, 소스 데이터에 대응 가능한 제1코드워드들의 그룹을 생성하는 단계; 소스 데이터에 대응 가능하고, DC 성분을 억제하기 위해 제1코드워드를 대신해 배치될 수 있는 제2코드워드들의 그룹을 생성하는 단계; 및 소스 데이터에 대응하고 상기 제1코드워드와 제2코드워드로 조합된 코드스트림내에서 상기 제2코드워드의 연속 사용 회수를 소정 n 회로 제한하여 코드스트림을 생성함을 특징으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위한, 광기록매체용 데이터 변조 장치는, 소스 데이터에 대응 가능한 제1코드워드들과, DC 성분을 억제하기 위해 제1코드워드 대신 배치될 수 있는 제2코드워드들을 포함하는 제1메모리; 기록할 소스 데이터에 대응하는, 상기 제1메모리로부터 가져온 코드워드들로 조합 가능한 복수개의 코드스트림을 저장하는 제2메모리; 및 상기 제2메모리에 저장되는 코드스트림이 소정 런 길이 조건을 만족하도록 규정하는 제어부를 포함함을 특징으로 한다.

상기 제어부는, 상기 코드스트림에서 제2코드워드 배치시에만 그 이전 코드워드와 다음 코드워드 사이에서 런 길이 조건이 만족되는지를 판단함이 바람직하다.

상기 제어부는 제2코드워드 배치시, 다음 코드워드가 제1코드워드일 때 제2코드워드와 제1코드워드 결합시 런 길이 위반이 발생하지 않으면, 다음 코드워드가 제2코드워드인 경우는 런 길이 조건 검사를 수행하지 않음이 바람직하다.

상기 제어부는, 상기 제2코드워드의 연속 사용 회수를 소정 n 회로 제한함이 바람직하다.

상기 과제를 해결하기 위한, 광기록매체용 데이터 변조 장치는, 소스 데이터에 대응 가능한 제1코드워드들과, DC 성분을 억제하기 위해 제1코드워드 대신 배치될 수 있는 제2코드워드들을 포함하는 제1메모리; 기록할 소스 데이터에 대응하는, 상기 제1메모리로부터 가져온 코드워드들로 조합 가능한 복수개의 코드스트림을 저장하는 제2메모리; 및 소스 데이터에 대응하고 상기 제1코드워드와 제2코드워드로 조합된 코드스트림내에서 상기 제2코드워드의 연속 사용 회수를 소정 n 회로 제한 하여 코드스트림을 생성해 상기 제2메모리에 저장하는 제어부를 포함함을 특징으로 한다.

이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명하기로 한다.

광기록매체상에 기록될 소스 데이터에 대해 변환될 코드워드의 코드 테이블은 크게 3 가지 즉, 1) 주변환 테이블 2)직류(DC) 제어용 변환 테이블, 그리고 3) 보조 직류(DC) 제어용 변환 테이블로서 생성될 수 있다.

도 4는 주변환 테이블들의 여러 코드워드 그룹과 해당 코드그룹의 코드워드 특성을 표로 나타낸 것이다. 코드 또는 코드워드의 최소 런 길이(Minimum Run Length Limit)를 d, 최대 런 길이(Maximum Run length limit)를 k, 소스데이터의 비트수를 m, 변조 후의 코드워드의 비트 수를 n이라 하고 코드워드의 LSB로부터 MSB 방향으로 연속하는 0의 수를 EZ(End Zero), MSB로부터 LSB 방향으로 연속하는 0의 수를 LZ라 하자. 예를 들어, d=0, k=10, m=8, n=15, 0≤EZ≤8인 코드워드를 LZ의 조건에 따라 분류하면 다음과 같다:

1) 2≤LZ≤10을 만족하는 코드워드의 수 : 177개

2) 1≤LZ≤9를 만족하는 코드워드의 수 : 257개

3) 0≤LZ≤6을 만족하는 코드워드의 수 : 360개

4) 0≤LZ≤2를 만족하는 코드워드의 수 : 262개

m=8인 소스데이터이면, 변조될 코드워드의 수는 최소 256개 이상이어야 하지만, 위에서 1)의 경우 코드워드의 수가 256개에 미치지 못하므로 다른 LZ 조건을 만족하는 코드워드 중에서 일부를 가져와 필요한 코드워드 수를 만족시키도록 할 수 있다. 이 경우, 3)의 LZ 조건을 만족하는 코드워드들 중에 83개를 가져와 1)의 그룹에 추가시킬 수 있다. 그러면 1)과 2) 그룹에 속하는 코드워드는 각각 260개와 257개가 되고, 3)의 그룹은 360-83=277개, 4) 그룹의 코드워드는 262개로 각 조건에 해당하는 그룹의 코드워드 수가 8비트의 소스 데이터에 대해 256개라는 변조 코드워드의 최소 개수를 만족시킬 수 있다. 도 4의 표에서 MCG(Main Code Group)1은 상기 1)의 조건에 해당하는 코드워드들과 3)을 만족하는 그룹으로부터 가져온 일부(83개)의 코드워드들을 포함하는 코드 그룹의 명칭이고, MCG2, MCG3, MCG4는 각각 차례로 상기 2), 3)(상기 83개의 코드워드를 뺀 나머지 코드워드들을 포함하는), 4)의 조건에 해당하는 코드워드들을 포함하는 그룹의 명칭이며, 이들 주코드그룹(MCG1~MCG4)들 각각으로부터 256개의 코드워드들만이 소스코드에 대한 변환 코드들로서 사용될 수 있다.

도 5는 DC 제어용 변환 테이블의 여러 코드워드 그룹과 해당 코드그룹의 코드워드 특성을 나타내는 표이다. 예를 들어, d=2, k=10, m=8, n=17, 0≤EZ≤8이라고 할 때, DC 제어용 변환 코드 테이블은 LZ 조건에 따라 다음의 4가지 그룹(차례로 도 4의 DCG1, DCG2, DCG3, DCG4)을 포함할 수 있다:

1)2≤LZ≤10을 만족하는 코드워드의 수 :375개

2)1≤LZ≤9를 만족하는 코드워드의 수 :546개

3)0≤LZ≤6을 만족하는 코드워드의 수 :763개

4)0≤LZ≤2를 만족하는 코드워드의 수 :556개

DC 제어용 변환 테이블을 이루는 각 그룹은 동일한 소스데이터에 대해 선택적으로 대응되는 최소 2개의 코드워드들을 구비해야 하므로 8비트의 소스데이터에 대해 최소한 512개(2⁸ + 2⁸) 이상의 코드워드 개수를 가져야한다. 1)의 LZ 조건을 만족하는 코드워드들의 그룹 내 코드워드의 개수는 512 보다 작기 때문에 다른 LZ 조건을 만족하는 코드워드들의 그룹으로부터 잉여 코드워드들을 가져와 그룹 1)의 코드워드 최소 구비 개수를 만족시킬 수 있다. 예를 들어, 이 실시예에서는 3)의 조건을 만족하는 코드워드들로 된 그룹에서 177개의 코드워드를 가져와 1)의 코드그룹에 추가할 수 있으며, 따라서 1)의 코드그룹은 375+177=552 개의 코드워드를 가질 수 있게 된다.

도 6은 보조 DC 제어용 변환 테이블의 여러 코드워드 그룹과 해당 코드그룹의 코드워드 특성을 나타낸 표이다. 예를 들어, d=2, k=10, m=8, n=15인 코드워드 중, 9≤EZ≤10을 만족하는 코드워드와 주코드 변환 그룹(MCG)에서 남는 코드워드들과 LZ=7, 8 또는 LZ=4, 5인 코드워드들을 보조 DC 억압 제어 코드 그룹(ACG)의 코드워드로서 사용한다. 이 코드워드의 생성 조건을 구체적으로 설명하면 다음과 같으며, 각 항목은 차례로 도 5의 표에서 보조 DC제어용 보조 변환 테이블의 이름인 ACG1, ACG2, ACG3, ACG4로서 나타내어지고 있다:

1) 9≤EZ≤10이고 LZ≠0을 만족하는 코드워드 5개 + MCG1에서 남는 코드워드 4개= 9개

2)9≤EZ≤10이고 LZ≠0을 만족하는 코드워드 5개 + MCG2에서 남는 코드워드 1개= 6개

3)9≤EZ≤10이고 LZ≠1인 코드워드 5개 + MCG3에서 남는 코드워드 21개 + 7 ≤LZ≤8이고 0≤EZ≤8인 코드워드 15개 = 41개

4)9≤EZ≤10인 코드워드 7개 + MCG4에서 남는 코드워드 6개 + 3≤LZ≤5이고 0≤EZ≤8인 코드워드 85개 = 98개

코드워드 a와 코드워드 b가 연결될 때 연결되는 지점에서도 구속장 (d, k) 조건이 만족되어야 한다. 도 7은 코드워드 a와 b가 연결될 때 구속장의 조건을 위해 고려해야 할 것을 보인 것이다. 도 7에서 코드워드 a의 엔드 제로(EZ_a)와 코드워드 b의 리드 제로(LZ_b)를 더한 값이 최소 런 길이 d이상이고 최대 런 길이 k 이하여야 한다는 것이 구속장의 조건을 만족하는 것이라 할 수 있다.

도 8a~8e는 상술한 사항들을 고려하여 생성한 주변환 코드 테이블이다.

도 9a~9j는 상술한 사항들을 고려하여 생성한 DC 제어용 코드 변환 테이블이다.

도 10a~10b는 상술한 사항들을 고려하여 생성 및 배치한 보조 DC 제어용 코드 변환 테이블이다.

도 11은 도 7을 통해 설명한 구속장의 조건을 만족하지 못하는 경우가 발생하는 경우, 코드 변환 전과 후에 따른 INV의 변화 양상의 예를 나타낸 것이다. 코드워드 b는 선행하는 코드워드 a의 EZ에 따라 지정된 그룹으로부터 정해지는데, a나 b가 각각 주변환 테이블이나 DC 변환 테이블의 그룹 중 코드워드 수가 부족하여 다른 코드그룹들로부터 빌려 온 코드워드들을 포함하는 코드그룹에 속하는 경우, 상기 (d, k) 조건이 만족되지 않을 수 있다. 이 예에서 코드워드 a의 엔드 제로가 바뀌게 되는데 이렇게 구속장 조건을 만족하지 않아 코드워드 변화를 수행하는 것 을 경계 규칙이라 한다. 코드워드 스트림내의 비트 1의 수가 짝수인지 홀수인지를 나타내는 변수 INV는 경계규칙에 의해 코드 변화 전의 상태로부터 변할 가능성이 있다. 이런 특징 때문에 코드워드를 배치할 때 특히 DC 억압 제어가 가능한 코드 변환표끼리는 주의가 필요하다. 따라서, 본 발명에서는 DC 억압 제어용 코드워드의 사용시 다음과 같은 조건을 두어 런 길이 위반 여부를 검사한다.

먼저, DC 억압 제어용 코드워드의 사용 제한을 둔다. 즉, 이전 코드워드를 a, 현재 DC 억압 제어를 위해 사용될 코드워드를 b, 다음 코드워드를 c라고 할 때, a-b-c의 코드스트림내에서 런 길이 위반(구속장 조건 위반)이 이뤄지는지를 검사해야 한다.

도 12는 DC 억압 제어용 코드워드를 사용할 수 있는 필요 조건 중 하나를 설명하기 위한 도면이다. 도 12에서 억압 제어용 코드워드인 b 다음에 올 수 있는 코드워드가 주변환 코드 그룹에 속하는 코드워드 c1이라면, b와 c1이 조합될 때 그 경계 부분의 런 길이 위반 여부가 체크되어야 한다. b와 c1 사이에 런 길이 조건이 만족되면, b와 같은 DC 억압 제어용 코드 그룹 내 코드워드인 다음 코드워드 c2인 경우에 대해서는, b와 c2의 런 길이 위반 검사 결과에 상관없이 b를 사용할 수 있다.

본 발명에서 제안하는, DC 억압 제어용 코드워드의 다른 사용 조건은, 상기 코드워드의 연속 사용 회수를 제한한다는 것이다. 즉, 코드스트림내에서 DC 억압 제어용 코드 그룹에 속하는 코드워드들을 연속적으로 사용할 수 있는 최대 회수를 특정한 회수로 규정한다. 이는 소스 데이터에 대응하는 가능한 코드워드들의 패스(path), 즉 여러 경로로 된 코드스트림을 저장하는 메모리의 용량을 제한하기 위한 것이다.

도 13은 DC 억압 제어용 코드워드 연속 사용 회수를 1로 제한한 경우의 코드스트림의 일부의 예를 도시한 것이다. 주변환 코드 그룹내 코드워드인 b1과 그에 대체 가능한 DC 억압 제어용 코드워드 b2가 각각, 이전 코드워드인 a와 주변환 코드 그룹내 코드워드인 다음 코드워드 c1과 조합될 때 런 길이 위반이 발생하지 않으면, 다음 코드워드에 DC 억압 제어용 코드워드인 c2가 올 수 있다고 해도 c2를 사용하지 않는다. 결국, DC 억압 제어용 코드워드 연속 사용 회수를 1로 제한했을 때의 코드워드들의 경로는, a-b1-c1, a-b2-c2의 두 가지만 있으면 된다.

도 14는 본 발명의 기록매체에 기록할 소스 데이터의 제1변조 방법의 개략적 흐름도를 도시한 것이다.

먼저, 도 8의 테이블과 같이 소스 데이터에 대응하는 변조 코드들인 제1코드워드들로 이뤄진 주변환 코드 그룹을 생성한다(1400단계).

도 9의 테이블과 같이, DC 성분을 억제하기 위해 소스 데이터에 선택적으로 대응 가능한 한 쌍의 코드워드들을 포함해 제1코드워드 대신 배치될 수 있는 DC 억제 제어용 코드워드들인 제2코드워드들의 그룹을 생성한다(1410단계).

제1코드워드와 제2코드워드를 사용해 코드스트림을 생성하며, 이때 제2코드워드 사용에 대한 소정 제한 조건이 주어진다(1420단계).

소정 제한 조건 중 하나는, 코드워드들의 조합시 소정 런 길이 조건이 만족 하는지를 검사하는 것이다. 즉, DC 억압 제어용 코드워드인 제2코드워드 사용시, 그 이전 코드워드와 다음 코드워드 사이의 결합 부분에서 런 길이 위반이 발생하는지가 체크되어야 한다. 제2코드워드 배치시, 다음 코드워드가 제1코드워드일 때 제2코드워드와 제1코드워드 결합시 런 길이 위반이 발생하지 않으면, 다음 코드워드가 제2코드워드인 경우는 런 길이 조건 검사를 수행하지 않는다.

소정 제한 조건 중 나머지 하나는, 코드스트림 생성시 제2코드워드의 연속 사용 회수를 소정 n 회로 제한해 제2코드워드를 사용하는 것이다.

상술한 두 가지 제한 조건은 각자 사용되거나 동시에 주어질 수 있다.

광기록매체상의 코드 변조를 위한 변조 장치는 도 8~도 10의 테이블과 같은 변환 코드 워드를 저장하는 제1메모리와, 변조할 소스 데이터의 가능한 변조 코드스트림의 패스들을 저장하는 제2메모리를 포함할 수 있다. 제2메모리에 저장되는 코드스트림은 상술한 두 가지 조건에 의해 제한되며, 이러한 조건의 적용은 소정 제어 수단에 의해 수행된다. 즉, 소정 제어 수단(또는 제어부)은, DC 억압 제어용 코드워드를 코드스트림에 배치시, 이전 코드워드의 엔드 제로와 현재 배치할 DC 억압 제어용 코드워드의 리드 제로를 합한 값과 현재 배치할 코드워드의 엔드 제로와 다음에 올 코드워드의 리드제로를 합한 값이 각각 소정 런 길이 조건(구속장 조건)을 만족하도록 제어를 수행한다. 또한 제어 수단은, 코드스트림에 DC 억압 제어용 코드워드를 배치시 그 연속 사용 회수를 소정 회수로 제한할 수 있다.

상술한 DC 억압 제어용 코드워드 사용 조건을 적용하면, 소스 데이터에 대응 가능한 변조 코드스트림이 저장될 메모리 경로 중 유효한 경로만이 남을 수 있게 되어 메모리 용량을 절감하게 된다.

본 발명에 의하면, 코드스트림의 DC 억압 제어 수행시 런 길이 위반과 DC 억압 제어에 사용될 코드워드의 사용 회수를 제한함으로써 가능한 코드스트림의 경로를 줄일 수 있게 되어, 광기록매체 소스 데이터 변조를 위한 메모리 용량을 절감시킬 수 있다.

Claims (10)

1. 기록매체에 기록할 소스 데이터의 변조 방법에 있어서,

   소스 데이터에 대응 가능한 제1코드워드들의 그룹을 생성하는 단계;

   소스 데이터에 대응 가능하고, DC 성분을 억제하기 위해 제1코드워드를 대신해 배치될 수 있는 제2코드워드들의 그룹을 생성하는 단계; 및

   제1코드워드와 제2코드워드를 사용해 소스 데이터에 대응되고 소정 런 길이 조건을 만족하는 코드스트림을 배치하는 단계를 포함하고,

   상기 코드스트림 배치시 소정 런 길이 조건이 만족하는지의 여부는, 제2코드워드 배치시에만 그 이전 코드워드와 다음 코드워드 사이에서 런 길이 조건이 만족되는지를 검사하는 것임을 특징으로 하는 광기록매체의 데이터 변조 방법.
2. 삭제
3. 제1항에 있어서, 제2코드워드 배치시, 다음 코드워드가 제1코드워드일 때 제2코드워드와 제1코드워드 결합시 런 길이 위반이 발생하지 않으면, 다음 코드워드가 제2코드워드인 경우는 런 길이 조건 검사를 수행하지 않음을 특징으로 하는 광기록매체의 데이터 변조 방법.
4. 제1항에 있어서,

   상기 제2코드워드는 소정 n 회로 규정된 회수만큼 최대한 연속적으로 배치 가능함을 특징으로 하는 광기록매체의 데이터 변조 방법.
5. 기록매체에 기록할 소스 데이터의 변조 방법에 있어서,

   소스 데이터에 대응 가능한 제1코드워드들의 그룹을 생성하는 단계;

   소스 데이터에 대응 가능하고, DC 성분을 억제하기 위해 제1코드워드를 대신해 배치될 수 있는 제2코드워드들의 그룹을 생성하는 단계; 및

   소스 데이터에 대응하고 상기 제1코드워드와 제2코드워드로 조합된 코드스트림내에서 상기 제2코드워드의 연속 사용 회수를 소정 n 회로 제한하여 코드스트림을 생성함을 특징으로 하는 광기록매체의 데이터 변조 방법.
6. 광기록매체용 데이터 변조 장치에 있어서,

   소스 데이터에 대응 가능한 제1코드워드들과, DC 성분을 억제하기 위해 제1코드워드 대신 배치될 수 있는 제2코드워드들을 포함하는 제1메모리;

   기록할 소스 데이터에 대응하는, 상기 제1메모리로부터 가져온 코드워드들로 조합 가능한 복수개의 코드스트림을 저장하는 제2메모리; 및

   상기 제2메모리에 저장되는 코드스트림이 소정 런 길이 조건을 만족하도록 규정하고, 상기 코드스트림에서 제2코드워드 배치시에만 그 이전 코드워드와 다음 코드워드 사이에서 런 길이 조건이 만족되는지를 판단하는 제어부를 포함함을 특징으로 하는 광기록매체용 코드 변조 장치.
7. 삭제
8. 제6항에 있어서,

   상기 제어부는 제2코드워드 배치시, 다음 코드워드가 제1코드워드일 때 제2코드워드와 제1코드워드 결합시 런 길이 위반이 발생하지 않으면, 다음 코드워드가 제2코드워드인 경우는 런 길이 조건 검사를 수행하지 않음을 특징으로 하는 광기록매체의 데이터 변조 장치.
9. 제6항에 있어서,

   상기 제어부는, 상기 제2코드워드의 연속 사용 회수를 소정 n 회로 제한함을 특징으로 하는 광기록매체의 데이터 변조 장치.
10. 광기록매체용 데이터 변조 장치에 있어서,

    소스 데이터에 대응 가능한 제1코드워드들과, DC 성분을 억제하기 위해 제1코드워드 대신 배치될 수 있는 제2코드워드들을 포함하는 제1메모리;

    기록할 소스 데이터에 대응하는, 상기 제1메모리로부터 가져온 코드워드들로 조합 가능한 복수개의 코드스트림을 저장하는 제2메모리; 및

    소스 데이터에 대응하고 상기 제1코드워드와 제2코드워드로 조합된 코드스트림내에서 상기 제2코드워드의 연속 사용 회수를 소정 n 회로 제한하여 코드스트림을 생성해 상기 제2메모리에 저장하는 제어부를 포함함을 특징으로 하는 광기록매체의 데이터 변조 방법.

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