KR100611986B1

KR100611986B1 - 코드워드 배치 방법

Info

Publication number: KR100611986B1
Application number: KR1020040058842A
Authority: KR
Inventors: 짜오후이; 김진한; 심재성
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2004-07-27
Filing date: 2004-07-27
Publication date: 2006-08-11
Also published as: KR20060010216A

Abstract

본 발명에 따라 코드워드 배치 방법이 개시된다.

본 발명에 따른 코드워드 배치 방법은, 런 길이 조건에 맞는 코드워드를 생성하여, 런 길이 조건별로 코드워드를 그룹별로 분류하고, 상기 소스데이터에 대한 코드워드 열이 DC 제어 능력 및 RMTR 제어 능력을 갖도록 코드워드를 배치하는 단계를 포함한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 고밀도 광디스크 시스템을 구현하기 위한 코드워드 배치 방법을 제공할 수 있다.

Description

코드워드 배치 방법{Codeword arrangement method}

도 1은 본 발명에 따른 코드워드 생성 및 배치 방법의 흐름도,

도 2는 본 발명에 따른 메인코드 테이블의 일 예,

도 3은 본 발명에 따른 DC 제어 코드 테이블의 일 예,

도 4a 내지 도 4e는 본 발명에 따른 코드 테이블의 일 예,

도 5는 본 발명에 따라 EZ와 NCG의 관계를 설명하기 위한 참고도,

도 6은 본 발명에 따라 경계조건을 설명하기 위한 참고도,

도 7은 본 발명에 따른 경계 조건의 일 예.

본 발명은 DC 억압 능력을 갖는 RLL 코드 배치 방법에 관한 것으로, 좀더 구체적으로는, 고밀도 기록/재생을 요구하는 광디스크 기록/재생 장치를 위한 RLL(Run Length Limited) 코드에서 코드워드 스트림의 DC 성분을 효과적으로 억압하며, 연속되는 최소 런 길이의 수를 제한하는 (1,7,8,12) 코드를 생성해서 배치하는 방법에 관한 것이다.

(d,k,m,n)로 표현되는 RLL 코드에서 코드의 성능을 표현하는 요인 중에서 기 록 밀도의 측면과 코드의 DC 성분을 억압하는 능력을 보고 그 코드의 우수함을 평가한다. (d,k,m,n)에서, m은 변조 전의 데이터 워드의 비트 수, n은 변조 후의 코드워드 비트 수, d는 코드워드 내에서 '1'과 '1' 사이에 존재할 수 있는 연속되는 '0'의 최소 수, k는 코드워드 내에서 '1'과 '1' 사이에 존재할 수 있는 연속되는 '0'의 최대 수를 나타낸다. 변조 방법에서 기록 밀도를 향상시킬 수 있는 방법중의 하나는 d와 m은 주어진 조건으로 둔 채 코드워드의 비트 수 n을 줄이는 것이다. 코드워드 내에서 (d,k) 조건을 만족하면서 데이터 비트 수가 m이라고 할 때, RLL (d,k)를 만족하는 코드워드의 수는 2m 개 이상이면 된다.

그러나, 실제 이러한 코드를 사용하기 위해서는 코드워드와 코드워드가 연결되는 부분에서도 런 길이 제한 조건, 즉 RLL (d,k) 조건을 만족해야 하며, 광디스크 기록/재생 장치와 같이 코드의 DC 성분이 시스템 성능에 영향을 주는 경우에는 사용하고자 하는 변조코드가 DC 억압 능력을 가져야 한다. 이러한 RLL 변조된 코드스트림에서 DC 성분을 억압하는 가장 중요한 이유는 재생 신호가 서보 대역에 주는 영향을 최소화하기 위해서이다. DC 성분을 억압하는 방법을 이하에서는 DSV(Digital Sum Value) 제어 방식이라 부르기로 한다. DSV 제어 방식은 크게 두 가지가 있다. 하나는 코드워드 자체에 DSV를 제어할 수 있는 DSV 제어 코드를 갖고 있는 방식이고, 다른 하나는 DSV 제어 시점마다 머지(merge) 비트를 삽입하는 방식이다. EFM+(Eight Fourteen Modulation plus) 코드는 별도의 코드표를 사용해서 DSV 제어를 행하는 코드이고, EFM 코드나 RLL (1,7) PP(Parity Preserving) 코드는 머지 비트를 삽입하여 DSV 제어를 행하는 코드이다.

본 발명은 고밀도 광디스크 시스템을 구현하기 위한 코드워드 배치 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 하나의 특징은, 기록 매체에 기록할 소스데이터의 코드워드 배치 방법에 있어서, 런 길이 조건에 맞는 코드워드를 생성하여, 런 길이 조건별로 코드워드를 그룹별로 분류하고, 상기 소스데이터에 대한 코드워드 열이 DC 제어 능력 및 RMTR 제어 능력을 갖도록 코드워드를 배치하는 단계를 포함하는 것이다.

상기 배치 단계는, 상기 소스데이터 길이, 코드워드 길이 및 소정 런 길이 제한 조건을 만족하는 코드워드들을 생성하고, 런 길이 조건별로 코드워드들을 그룹별로 분류하고 RMTR 제어를 위한 주변환 코드워드 테이블을 생성하는 단계와, 상기 소정 런 길이 제한 조건을 만족하거나 상기 주변환 코드워드 테이블에서 필요하지 않은 코드워드들을 가져와 그룹별로 분류하여 DC 제어를 위한 DC 제어용 변환 코드워드 테이블을 생성하는 단계와, 상기 주변환 코드워드 테이블 및 상기 DC 제어용 코드워드 테이블을 하나의 코드워드 테이블로 통합하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.

상기 통합된 코드워드 테이블에는 상기 DC 제어를 위해 0 또는 1로 설정될 수 있는 DC 제어 비트를 포함하는 것이 바람직하다.

상기 DC 제어 비트는 연속되는 최소 런 길이의 반복 회수를 제한하기 위해 비트 값이 0으로 고정되거나, 또는 소정의 런 길이 제한 조건을 만족시키기 위해 비트 값이 1로 고정되어 사용될 수 있다.

상기 기록 매체에 기록될 소스 데이터에 대해 생성된 코드워드들을 나열시,

선행하는 코드워드 a와 뒤따르는 코드워드 b 사이에 연속되는 0의 수가 0일 때, 경계를 이루는 0의 개수가 1보다 크게 되도록 a 또는 b를 변환하고, a 또는 b를 변환할 때, DC 제어 용도나 RMTR을 제한하도록 상기 코드워드를 배치하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.

이제, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.

본 발명은 코드워드 내에 DSV 제어 비트를 포함하여 코드워드의 패리티가 반대가 되도록 하며 코드워드 자체로 DSV를 제어할 수 있는 런 길이 제한을 갖는 코드워드 및 연속되는 최소 런 길이 제한(Repeated Minimum Transition Run, RMTR)을 갖는 코드워드의 생성 및 배치 방법을 제공하고자 한다.

즉, 본 발명에서 사용되는 DSV 제어 비트는 런 길이 및 연속되는 최소 런 길이의 수를 제한하는 용도로도 사용된다. 본 발명에서 기록매체에 기록할 소스데이터에 대한 코드워드의 생성 및 배치 방법은 런 길이 및 RMTR 조건에 맞는 코드워드를 생성하고, 런 길이 조건 별로 그루핑(grouping)하고, 소스데이터에 대한 코드워드 열이 DC 제어 능력을 갖도록 코드워드들을 배치한다. 또한 코드워드 열의 코드워드 경계에서 런 길이 조건이 만족되지 않으면, 경계에서 런 길이 조건을 만족하면서 최초 코드워드 배치시 고려한 DC 제어 특성이 유지되도록 코드워드를 배치한 다. 또한, 코드워드 경계에서 연속되는 최소 런 길이(RMTR)의 수를 제한하도록 한다.

도 1은 본 발명에 따른 코드 생성 및 배치 방법의 흐름도이다.

도 1을 참조하면, 기록매체에 기록할 소스데이터의 코드워드 생성 및 배치 방법은 런 길이 조건에 맞는 코드워드를 생성하고 코드워드 내의 엔드 제로 수(EZ)와 코드워드 내의 리드 제로 수(LZ)에 의해 코드워드를 분류한다(10).

그리고, 코드 열이 연속되는 최소 런 길이(RMTR)의 반복 회수를 제한하도록 코드워드를 배치한다(20).

그리고 나서, 소스 데이터에 대한 코드워드 열이 DC 제어 능력을 갖도록 코드워드들을 배치한다(30).

그리고, 두 개의 코드워드 간의 경계에서 런 길이 조건이 만족되는지를 확인하여(40), 만족되지 않는 경우, 경계조건을 만족하는 코드워드로 대체하는데 이 때 최초 코드워드 배치시 고려한 DC 제어 특성 및 RMTR 의 제한 특성을 그대로 유지할 수 있도록 코드워드가 대체될 수 있게 한다(50).

소스데이터에 대해 변환될 코드워드의 코드 테이블은 크게 2가지 즉 주 변환 테이블과 DC 제어용 변환 테이블로 형성된다. 이제, 코드 테이블 생성 방법을 설명한다.

도 2는 주변환 테이블(Main Code Table)들의 여러 코드워드 그룹과 해당 코드워드 그룹의 특성을 표로 나타낸 것이다. (d,k,m,n)으로 표현되는 RLL 코드에서 코드워드의 LSB로부터 MSB 방향으로 연속하는 0의 수를 엔드제로(EZ(End Zero)), MSB로부터 LSB 방향으로 연속하는 0의 수를 리드제로(LZ(Lead Zero))라 할 때, (1,7,8,12), 0≤EZ≤5인 코드워드를 LZ의 조건에 따라 분류하면 다음과 같다.

1) 0≤EZ≤5, 1≤LZ≤7 를 만족하는 코드워드의 수 : 210개

2) 0≤EZ≤5, 0≤LZ≤4 를 만족하는 코드워드의 수 : 316개

3) 0≤EZ≤5, 0≤LZ≤2 를 만족하는 코드워드의 수 : 264개

m=8 인 소스데이터의 경우 변조될 코드워드의 수는 최소 256개 이상이어야 하지만 위 1)의 경우는 코드워드의 수가 256개에 미치지 못하므로 다른 LZ조건을 만족하는 코드워드 중에서 일부를 가져와 필요한 코드워드 수를 만족시키도록 할 수 있다. 이 경우 2)의 LZ조건을 만족하는 코드워드들 중에서 1010xxxxxxxx인 코드워드 51개를 가져와 1)의 그룹에 추가시킬 수 있다. 그리고, 각 그룹에서 010101010101인 코드워드와 RMTR 조건을 만족하지 않는 코드워드를 제거하면 각 그룹의 코드워드 수는 258개, 262개, 262개로 8비트의 소스 데이터에 대해 256개라는 변조 코드워드의 최소 개수를 만족시킬 수 있다.

이와 같이 주변환 테이블의 생성이 도 1에서 런길이 조건에 맞는 코드워드를 생성 및 분류하고(10), 코드열이 연속되는 최소런길이의 반복 회수를 제한하도록 코드워드를 배치하는 구성(20)에 대응된다.

도 3은 DC 제어용 변환 테이블(DC Control Code Table)의 여러 코드워드 그 룹과 해당 코드워드 그룹의 코드워드 특성을 표로 나타낸 것이다. (1,7,8,12)인 코드워드에서 6≤EZ≤7를 만족하는 코드워드와 주코드 변환 그룹(MCG)에서 남는 코드워드들과, 5≤LZ≤6, 또는 LZ=3인 코드워드들을 DC 제어 코드 그룹의 코드워드로서 사용한다. 이 코드워드의 생성 조건을 구체적으로 설명하면 다음과 같으며, 각 항목은 차례로 도 3의 DC 제어 변환 테이블의 이름인 DCG1, DCG2, DCG3로 나타내어지고 있다. DCG의 각 코드그룹에서 코드워드는 MCG의 코드워드와 1비트가 다르도록 하여 패리티가 서로 반대가 되도록 하며, DC 제어를 위해 사용된다.

1) 6≤EZ≤7, 1≤LZ≤7인 코드워드 8개 + MCG1에서 남는 코드워드 4개

+ 1010xxxxxxxx(6≤EZ≤7)인 코드워드 2개: 14개

2) 6≤EZ≤7, 6≤LZ≤7인 코드워드 12개 + 0≤EZ≤5, 5≤LZ≤6인 코드워드 21개

+ MCG2에서 남는 코드워드 8개 - 1010xxxxxxxx(6≤EZ≤7)인 코드워드 2개: 39개

3) 6≤EZ≤7, 6≤LZ≤7인 코드워드 10개 + 0≤EZ≤5, LZ=3인 코드워드 33개

+ MCG3에서 남는 코드워드 7개: 50개

이와 같이 DC 제어용 변환 테이블 생성이 도 1에 도시된 코드열이 DC 제어 능력을 가지도록 코드워드를 배치하는 구성(30)에 대응된다.

도 4a 내지 4e는 도 2에 도시된 주 변환 테이블과 도 3에 도시된 DC 제어 변환 테이블을 코드워드 그룹별로 정리하여 작성한 하나의 변환 테이블이다. 이 테이블은 RLL(1,7,8,12)이고, RMTR=8 로 제한한 경우이다.

도 4a 내지 도 4e에서 "*"은 DC 제어 비트로 코드워드의 DC 성분을 제어하는데 사용되며, 0 또는 1의 값을 가진다. 그리고, *와 함께 사용되는 #은 같은 코드워드 내에 있는 *의 값과 반대되는 값을 나타낸다. 즉, *이 0이면 #은 1이고, *이 1이면 #은 0의 값을 가진다. NCG는 현재 코드워드 다음에 올 코드워드의 상태(state)를 표현하며, 현재 코드워드의 EZ에 의해 결정되는데, 그 값은 도 5에 도시된 바와 같이 EZ=0이면 NCG=state 1, 1≤EZ≤3이면 NCG=state 2, 4≤EZ≤7이면 NCG=state 3을 나타낸다. 코드워드의 변조과정에서 현재 코드워드의 DC 제어 비트 * 은 이전 코드워드와 다음 코드워드와의 소정의 런 길이 제한 조건을 만족하거나 RMTR 제한 조건을 만족하면 0 또는 1의 값으로 사용하여 DC 성분을 제어하거나 RMTR을 제한하는 용도로 사용되고 그렇지 않은 경우는 0 또는 1중 하나의 값으로 고정하여 사용하게 된다.

다음은 DC 제어 비트 *의 사용에 관한 실시 예들이다.

실시 예 1 : RLL 조건을 만족하지 않는 경우(이전 코드워드와 현재 코드워드)

이전 코드워드와 현재 코드워드 사이에서 RLL 조건을 만족하지 않는 경우에는 RLL 조건을 만족하도록 * 의 값이 결정된다.

이전 코드워드 현재 코드워드 다음 코드워드

0001 0000 1000 0000 *010 0001 0000 1000 0100 → *=1

"*"는 0 또는 1의 값을 가지고, 0 또는 1 의 값을 대입해보아서 RLL 조건을 만족하는 값을 선택한다. 이 경우 * = 0이면 RLL=9 이고, *=1 이면 RLL=7이 되기 때문에 * 는 1로 결정된다.

실시 예 2 : RLL 조건을 만족하지 않는 경우(현재 코드워드와 다음 코드워드)

현재 코드워드와 다음 코드워드 사이에서 RLL 조건을 만족하지 않는 경우에는 RLL 조건을 만족하도록 * 의 값이 결정된다.

이전 코드워드 현재 코드워드 다음 코드워드

0001 0000 1000 0000 10*0 0000 0010 0000 0101 → *=1

이 경우 *=0 이면 RLL=9 이고, *=1 이면 RLL=7이 되기 때문에 * 는 1로 결정된다.

실시 예 3. RLL 조건을 만족하는 경우

RLL 조건을 만족하는 경우에는 DC 제어를 위한 값을 * 의 값이 결정될 수 있다.

이전 코드워드 현재 코드워드 다음 코드워드

0001 0000 0010 0000 *010 0001 0000 1000 0100 → *=0 or 1 (DC 제어)

이 경우 *=0 이면 RLL=7이고, *=1 이면 RLL=5로서, 어떤 값을 대입해도 RLL 조건은 만족되기 때문에 *는 DC 제어를 위한 값으로 0 또는 1이 결정된다.

실시 예 4. RLL 조건은 만족하지만 RMTR 조건을 만족하지 않는 경우

RLL 조건을 만족하지만, RMTR 조건을 만족하지 않는 경우에는 RMTR 조건을 만족하도록 * 의 값이 결정된다.

이전 코드워드 현재 코드워드 다음 코드워드

0010 0000 0101 000* 0101 0101 0*01 0101 0100

1) 현재 코드워드의 *=0 이고, 다음 코드워드의 *=1일 경우 : RMTR = 8

0010 0000 0101 0000 0101 0101 0101 0101 0100

2) 현재 코드워드의 *=1 이고, 다음 코드워드의 *=1일 경우 : RMTR = 9

0010 0000 0101 0001 0101 0101 0101 0101 0100

따라서, 현재 코드워드의 *=1 일 경우 다음 코드워드의 *=0을 사용한다(RMTR 조건).

실시 예 5. RLL 조건과 RMTR 조건을 함께 만족하는 경우 → DC 제어용으로 사용

RLL 조건과 RMTR 조건을 모두 만족하는 경우에는 DC 제어용도를 위해 * 의 값이 결정된다.

이전 코드워드 현재 코드워드 다음 코드워드

0010 0000 0101 000* 0101 0101 0101 0101 0010 → *=0 or 1(DC 제어)

이 경우 *=0 이면 RMTR=7이고, *=1이면 RMTR=8로서, 어떤 값을 대입해도 RLL 조건 및 RMTR 조건은 만족되기 때문에 *는 DC 제어를 위한 값으로 0 또는 1 이 결정된다.

이제 이하에서 설명하는 부분이 도 1에 도시된 경계조건을 만족하도록 코드열을 변환하여 코드워드를 배치하는 구성(40,50)에 대응된다.

도 4a 내지 도 4e에 도시된 바와 같은 코드 테이블에서 LSB가 1로 끝나는 코드워드의 다음 state는 코드그룹 1이 되는데, 코드워드 그룹1이 101xxxxxxxxx인 코드워드를 포함하고 있어서 코드워드의 경계에서 런 길이가 0인 경우가 발생하게 된다.

따라서, 도 7에 도시된 바와 같은 경계 조건을 두어서 d=0인 최소 런 길이를 d≥1이 되도록 하기 위해 사용된다. 경계 조건은 DC 제어 비트 *에 의해 코드워드의 패리티가 반대인 특징을 유지하고, 다음과 같은 특징을 갖는다.

도 6에서 코드워드의 경계인 A지점에서 EZ_a=xxxxxxxxx101 일 때, LZ_b1=101xxxxxxxxx 이면 LZ_b2=101xxxxxxxxx의 값을 가진다. 즉, LZ=101xxxxxxxxx인 모든 코드워드들은 MCG1과 DCG1 각각에서 같은 소스데이터에 대해 배치가 되어야 한다. 또한, EZ=xxxxxxxxx101인 모든 코드워드들은 같은 소스데이터에 대해 MCG1과 DCG1, MCG2과 DCG2, MCG3과 DCG3에 각각 배치되어야 경계 조건을 만족하게 된다. 그리고 경계 조건에서 이전 코드워드가 xxxxxxx01001이고 현재 코드워드가 101xxxxxxxxx인 경우에 이전 코드워드를 도 7에 도시된 바와 같이 xxxxxxx01000 또는 xxxxxxx01010로 변경할 수 있는데, 이 코드워드는 DC 제어 용도 또는 RMTR 제한 용도로 사용할 수 있다. 다음은 DC 제어 용도 및 RMTR을 제한하는 용도에 대한 각각의 실시 예이다.

실시 예 1: DC 제어 용도

경계조건에 관한 실시예 1은 경계조건을 만족시키도록 변환될 수 있는 코드 워드들중에서 DC 제어를 위한 코드워드를 선택하는 경우를 나타낸다.

이전 코드워드 현재 코드워드 경계 조건 적용 후

0001 0000 1001 1010 0000 1001 → 0001 0000 1000 1010 0000 1001

0001 0000 1010 1010 0000 1001

DC 제어 용도를 위해 0001 0000 1000 또는 0001 0000 1010 중에서 DSV값이 작은 코드워드 선택한다.

실시 예 2: RMTR ≤ 8로 제한하는 경우

경계조건에 관한 실시예 2는 경계조건을 만족시키도록 변환될 수 있는 코드워드들중에서 RMTR 제어를 위한 코드워드를 선택하는 경우를 나타낸다.

이전 코드워드 현재 코드워드 경계 조건 적용 후

0010 1010 1001 1010 1010 1001 → 0010 1010 1000 1010 1010 1001(RMTR=4)

0010 1010 1010 1010 1010 1001(RMTR=9)

RMTR 제어를 위해 0010 1010 1000의 코드워드로 변경한다.

이상 설명한 바와 같은 코드 생성 및 배치 방법은 또한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체에 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드로서 구현하는 것이 가능하다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 컴퓨터 시스템에 의하여 읽혀질 수 있는 데이터가 저장되는 모든 종류의 기록장치를 포함한다. 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체의 예로는 ROM, RAM, CD-ROM, 자기 테이프, 플로피디스크, 광 데이터 저장장치 등이 있 으며, 또한 캐리어 웨이브(예를 들어 인터넷을 통한 전송)의 형태로 구현되는 것도 포함한다. 또한 컴퓨터가 읽을 수 있는 기록매체는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템에 분산되어, 분산방식으로 컴퓨터가 읽을 수 있는 코드가 저장되고 실행될 수 있다. 그리고, 상기 코드생성 및 배치 방법을 구현하기 위한 기능적인(function) 프로그램, 코드 및 코드 세그먼트들은 본 발명이 속하는 기술분야의 프로그래머들에 의해 용이하게 추론될 수 있다.

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.

이상과 같은 본 발명에 따르면, 코드 테이블에 DC 제어 비트를 포함하는 코드워드를 두어서 DC 성분을 제어할 수 있으며, 경계 조건에 의하여 DC 성분을 제어하고 RMTR의 수를 제한하는 코드의 생성 및 배치 방법을 사용하여 고밀도 광디스크 시스템을 구현할 수 있다.

Claims

기록 매체에 기록할 소스데이터의 코드워드 배치 방법에 있어서,

런 길이 조건에 맞는 코드워드를 생성하여, 런 길이 조건별로 코드워드를 그룹별로 분류하고, 상기 소스데이터에 대한 코드워드 열이 DC 제어 능력 및 RMTR 제어 능력을 갖도록 코드워드를 배치하는 단계를 포함하며,

상기 배치 단계는,

상기 소스데이터 길이, 코드워드 길이 및 소정 런 길이 제한 조건을 만족하는 코드워드들을 생성하고, 런 길이 조건별로 코드워드들을 그룹별로 분류하고 RMTR 제어를 위한 주변환 코드워드 테이블을 생성하는 단계와,

상기 소정 런 길이 제한 조건을 만족하거나 상기 주변환 코드워드 테이블에서 필요하지 않은 코드워드들을 가져와 그룹별로 분류하여 DC 제어를 위한 DC 제어용 변환 코드워드 테이블을 생성하는 단계와,

상기 주변환 코드워드 테이블 및 상기 DC 제어용 코드워드 테이블을 하나의 코드워드 테이블로 통합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 코드워드 배치 방법.
삭제
제1항에 있어서,

상기 통합된 코드워드 테이블에는 상기 DC 제어를 위해 0 또는 1로 설정될 수 있는 DC 제어 비트를 포함하는 것을 특징으로 하는 코드워드 배치 방법.
제3항에 있어서,

상기 DC 제어 비트는 연속되는 최소 런 길이의 반복 회수를 제한하기 위해 비트 값이 0으로 고정되거나, 또는 소정의 런 길이 제한 조건을 만족시키기 위해 비트 값이 1로 고정되어 사용될 수 있는 것을 특징으로 하는 코드워드 배치 방법.
제1항에 있어서,

상기 기록 매체에 기록될 소스 데이터에 대해 생성된 코드워드들을 나열시,

선행하는 코드워드 a와 뒤따르는 코드워드 b 사이에 연속되는 0의 수가 0일 때, 경계를 이루는 0의 개수가 1보다 크게 되도록 a 또는 b를 변환하고, a 또는 b를 변환할 때, DC 제어 용도나 RMTR을 제한하도록 상기 코드워드를 배치하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 코드워드 배치 방법.