KR100868530B1 - 질화물 반도체 발광 소자 - Google Patents
질화물 반도체 발광 소자 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100868530B1 KR100868530B1 KR1020070046618A KR20070046618A KR100868530B1 KR 100868530 B1 KR100868530 B1 KR 100868530B1 KR 1020070046618 A KR1020070046618 A KR 1020070046618A KR 20070046618 A KR20070046618 A KR 20070046618A KR 100868530 B1 KR100868530 B1 KR 100868530B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- grown
- doped
- diffusion layer
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 67
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 57
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 95
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 14
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical group [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 13
- 239000003574 free electron Substances 0.000 abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 9
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000004047 hole gas Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000000370 acceptor Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
- H01L33/18—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light emitting region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자는 우르짜이트 격자구조를 갖는 Ga-face로 성장된 질화물 반도체로 구성된 발광 소자에 있어서, 기판 상에 완충층, 제 1 p-형 컨택층, 제 2 p-형 컨택층, 제 1 정공확산층, 제 2 정공확산층, 발광활성 영역, 제 2 전자확산층, 제 1 전자확산층, 제 2 n-형 컨택층 및 제 1 n-형 컨택층이 순차적으로 적층된 구조이다.
이와 같은 구조는 통상적으로 Ga-face로 성장된 우르짜이트 격자 구조에서 발생하는 자발 분극 및 삐에조 전기적 분극 현상으로 인해 이종접합 계면에 형성되는 준2차원 자유전자 및 자유정공 기체를 효과적으로 이용할 수 있어, 발광 소자의 발광면에서 발광의 균일도를 개선하고, 그 결과 소자의 전체 발광면에서 발광 효율을 높인다.
질화물 반도체, 발광 소자
Description
도 1a는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 질화물 반도체 기반의 발광 소자 구조를 나타낸 단면도이다.
도 1b는 도 1a에서 p-형 금속의 위치를 달리한 질화물 반도체 기반의 발광 소자 구조를 나타낸 단면도이다.
도 1c는 도 1a에서 p-형 금속의 위치를 달리한 질화물 반도체 기반의 발광 소자 구조를 나타낸 단면도이다.
도 1d는 도 1a에서 p-형 금속의 위치를 달리한 질화물 반도체 기반의 발광 소자 구조를 나타낸 단면도이다.
도 1e는 도 1a에서 p-형 금속의 위치를 달리한 질화물 반도체 기반의 발광 소자 구조를 나타낸 단면도이다.
도 2a는 도 1a 내지 도 1e의 실시예의 질화물 반도체 기반의 발광소자에 대해 외부전압이 인가되지 않을 경우 전도띠 (conduction band) 및 원자가띠 (valence band) 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 2b는 도 1a 내지 도 1e의 실시예의 질화물 반도체 기반의 발광소자에 대 해 발광 동작을 위해 순방향(forward)으로 외부 전압이 인가되는 경우 전도띠 (conduction band) 및 원자가띠 (valence band) 구조를 개략적으로 나타낸 도면이다.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110 : 기판 120 : 도핑되지 않은 GaN 완충 (buffer) 층
130a : 제 1 p-형 컨택 층 130b : 제 2 p-형 컨택 층
140a : 제 1 정공확산층 140b : 제 2 정공확산층
150a : 제 1 양자우물벽층 150b : 양자우물층
150c : 제 2 양자우물벽층 160a : 제 2 전자확산층
160b : 제 1 전자확산층 170a : 제 2 n-형 컨택층
170b : 제 1 n-형 컨택층 180 : n-형 금속전극
190 : p-형 금속전극
201 : 발광소자의 전도띠 끝단 (conduction-band edge)
202 : 발광소자의 원자가띠 끝단 (valence-band edge)
203 : 발광 동작시 페르미 에너지 준위 (Fermi energy level)
204 : 제 1 전자확산층(160b)에 형성되는 준 2차원 전자기체의 버금띠 (subband) 에너지 준위
205 : 제 1 정공확산층(140a)에 형성되는 준 2차원 정공기체의 버금띠 에너지 준위
206 : n-형 금속전극의 페르미 에너지 준위
207 : p-형 금속전극의 페르미 에너지 준위
208 : 양자우물층 (150b)에 속박된 전자의 버금띠 에너지 준위
209 : 양자우물층 (150b)에 속박된 전공의 버금띠 에너지 준위
본 발명은 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이고, 보다 상세하게는 기판 위에 통상적으로 Ga-face로 성장된 우르짜이트 격자 구조에서 발생하는 자발 분극 및 삐에조 전기적 분극 현상으로 인한 이종접합 계면에 형성되는 준 2차원 자유전자 및 자유정공 기체를 효과적으로 이용할 수 있는 구조를 갖는 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
질화물 반도체 (Al,In,Ga)N는 조성비에 따라 약 0.7 eV로부터 약 6.2 eV 에 이르는 넓은 에너지 영역의 밴드갭을 가지므로, 이 물질들로 구성된 이종접합구조는 가시광선 영역과 자외선 영역에서 발광하는 발광소자에 많이 응용되고 있다.
이 분야의 종래 기술은 대개 기판 위에 순차적으로 도너(donor)가 도핑된 n-형 반도체, 의도적으로 불순물로 도핑되지 않은 i-형 활성층 및 어셉터(acceptor)가 도핑된 p-형 반도체 구조가 성장된 n-i-p 구조를 이용하여 왔다.
반도체 기반의 발광소자가 높은 발광효율을 가지기 위해서는 여러 가지 중요한 요구들이 있지만, 우선적으로 n-전극으로부터 투입되는 전자와 p-전극으로부터 투입된 정공이 각기 n-형 반도체와 p-형 반도체 안에서 균일하게 확산되어 이들 두 층 사이에 형성된 활성층에서 광 전이를 통해 재결합하는 것이 필수적이다.
대부분의 질화물 반도체의 정공은 전자보다 이동도(mobility)가 낮기 때문에, 질화물 반도체 기반의 발광소자의 발광 특성을 향상시키기 위해서는 p-형 질화물 반도체 안에서 정공의 확산도를 높이는 것이 중요한 요구 사항들 중 하나이다. p-형 질화물 반도체의 정공의 확산도는 정공의 농도, 정공의 유효질량, 정공의 산란 센터로 작용하는 불순물의 농도 등 여러 요인들에 의존한다.
p-형 질화물 반도체 안에서 정공의 확산도를 높이기 위한 종래 기술은 주로 p-형 반도체의 정공의 농도를 높이는 방법이다. GaN 반도체의 경우 통상적으로 마그네슘 원자를 도핑하여 열처리하면 마그네슘 불순물이 어셉터(acceptor)로 전환되면서 자유 정공을 만들게 되어 GaN는 p-형이 된다. 이런 방법으로 통상적으로 얻을 수 있는 정공의 농도는 GaN의 경우 현재 세계최고 수준은 5 x 1017 cm-3 정도이다.
반면 n-형 GaN 반도체는 도너(donor) 역할을 하는 실리콘 원자를 도핑하여 제작할 수 있으며 이런 방법을 통해 얻을 수 있는 자유 전자의 농도 수준은 1 x 1018cm-3 정도이다. 그러므로 n-형 GaN 반도체의 전자와 정공의 전하 농도를 비교할 때, 현재의 수준보다 발광 효율이 높은 질화물 반도체 발광소자를 구현하기 위해서는 정공의 농도를 더욱 높이거나, 정공의 이동도를 높이는 새로운 구조 개발이 요구된다.
이에 본 발명자들은 발광 효율이 높은 질화물 반도체 발광 소자를 개발하기 위한 연구를 수행하면서, 기판 위에 통상적으로 Ga-face로 성장된 우르짜이트 격자 구조를 갖는 질화물 반도체 발광 소자에 있어서, 발생되는 자발분극 및 삐에로 전기적 분극 현상으로 인해 이종접합 계면에 형성되는 준 2차원 자유전자 및 자유정공 기체가 p-형 반도체 위에 n-형 반도체를 성장시키는 발광 소자 구조인 경우에 전류 확산에 효과적으로 이용될 수 있음을 발견하고 본 발명을 완성하였다.
따라서, 본 발명에 따른 기술적 과제는 발광의 균일도를 개선하여 소자의 전체 발광면에서의 발광 효율을 높일 수 있도록 기판 위에 통상적으로 Ga-face로 성장된 우르짜이트 격자 구조에서 발생하는 자발 분극 및 삐에조 전기적 분극 현상으로 인해 이종접합 계면에 형성되는 준 2차원 자유전자 및 자유정공 기체를 효과적으로 이용할 수 있는 발광 구조를 갖는 질화물 반도체 발광 소자를 제공하는 것이다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 Ga-face로 성장된 우르짜이트 격자 구조를 갖는 질화물 반도체 발광 소자에 있어서,
기판;
상기 기판 상에 성장되는 완충층;
상기 완충층 위에 성장되는 1 p-형 컨택층;
상기 제 1 p-형 컨택층 상에 성장되는 제 2 p-형 컨택층;
상기 제 2 p-형 컨택층 상에 성장되는 제 1 정공확산층:
상기 제 1 정공확산층 상에 성장되는 제 2 정공확산층;
상기 제 2 정공확산층 상에 성장되는 발광활성 영역;
상기 발광활성 영역 상에 성장되는 제 2 전자확산층;
상기 제 2 전자확산층 상에 성장되는 제 1 전자확산층;
상기 제 1 전자 확산층 상에 성장되는 제 2 n-형 컨택층; 및
상기 제 2 n-형 컨택층 상에 성장되는 제 1 n-형 컨택층;을 포함하는 Ga-face로 성장된 우르짜이트 격자구조를 갖는 질화물 반도체 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자에서, 상기 제 2 p-형 컨택층은 마그네슘 원자를 1 x 1018 ㎝-3 이상의 농도로 도핑한 AlxGa1 - xN(0.1≤ x ≤0.5)의 조성을 갖는 물질로 성장된 것이고, 상기 제 1 정공확산층은 의도적으로 p-도핑되거나 도핑되지 않은 InyGa1 -yN((0≤ y ≤0.05)의 조성을 갖는 물질로 성장되며, 의도적으로 p- 도핑되는 경우 마그네슘 원자를 1 x 1018 ㎝-3 이하의 농도로 도핑한 것이 바람직하다.
또한, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자에서, 상기 제 1 전자확산층은 의도적으로 n-도핑되거나 도핑되지 않은 InyGa1 - yN(y는 제 2 정공확산층의 인듐 조성비와 성장기술 오차 범위 내에 있음)의 조성을 갖는 물질로 성장되며, 의도적으로 n-도핑되는 경우 실리콘 원자를 1 x 1018 ㎝-3 이하의 농도로 도핑한 것이고, 상기 제 2 n-형 컨택층은 실리콘 원자를 1 x 1018 ㎝-3 이상의 농도로 도핑한 AlxGa1 - xN(x는 제 2 p-형 컨택층의 알루미늄 조성비와 성장기술 오차범위 내에 있음)의 조성을 갖는 물질로 성장된 것이 바람직하다.
이하, 본 발명을 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1a는 Ga-face로 성장된 우르짜이트 격자구조를 갖는 질화물 반도체를 이용하는 본 발명의 일실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자의 단면도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 1a을 참조하면, 본 발명의 질화물 반도체 발광 소자는 기판(110), 완충층(120), 제 1 p-형 컨택층(130a), 제 2 p-형 컨택층(130b), 제 1 정공확산층(140a), 제 2 정공확산층(140b), 제 1 양자우물벽층(150a), 양자우물층(150b), 제 2 양자우물벽층(150c), 제 2 전자확산층(160a), 제 1 전자확산층(160b), 제 2 n-형 컨택층(170a) 및 제 1 n-형 컨택층(170b)이 순차적으로 형성되며, n-형 컨택층 위에 n-형 금속전극(180)이 접촉되고, p-형 금속전극(190)은 제 2 정공확산층(140b)에 접촉시킨 구조이다.
상기 도 1a를 참조하여, 각 층에 대해 상세히 설명한다.
상기 기판(110)으로는 통상적으로 사용되는 사파이어, 실리콘카바이트 또는 GaN 기판이 사용될 수 있다.
상기 기판(110) 상에 도핑되지 않은 GaN 완충층(120)을 성장시킬 수 있다. GaN 완충층(120)은 0.5㎛ 내지 3㎛의 두께로 성장되는 것이 바람직하며, GaN 완충층이 격자 상수가 다른 기판을 사용할 경우 성장 온도가 낮은 저온성장 완충층과 성장온도가 상대적으로 높은 고온성장 완충층 접합구조로 구성될 수 있다.
상기 GaN 완충층(120) 위에 제 1 p-형 컨택층(130a)을 성장시킨다.
상기 제 1 p-형 컨택층(130a)은 마그네슘 원자를 1 x 1018 cm-3 이상의 농도, 바람직하게는 1 x 1018 cm-3 내지 1 x 1019 cm-3의 농도로 도핑한 GaN를 이용하여 0.5 ㎛ 내지 3 ㎛의 두께로 성장하는 것이 바람직하다.
상기 제 1 p-형 컨택층(130a) 위에 제 2 p-형 컨택층(130b)을 성장시킨다.
상기 제 2 p-형 컨택층(130b)은 마그네슘 원자를 1 x 1018 cm-3 이상의 농도, 바람직하게는 1 x 1018 cm-3 내지 1 x 1019 cm-3로 도핑한 AlxGa1 - xN(0.1≤ x ≤0.5)의 조성을 갖는 물질을 사용하여 5 nm 내지 50 nm의 두께로 성장되는 것이 바람직하다.
상기 제 2 p-형 컨택층(130b) 위에 제 1 정공확산층(140a)을 성장시킨다.
상기 제 1 정공확산층(140a)은 의도적으로 p-도핑되거나 도핑되지 않은 InyGa1 -yN((0≤ y ≤0.05)의 조성을 갖는 물질을 이용하여 0.1 nm 내지 20 nm의 두께 로 성장하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 1 정공확산층(140a)을 의도적으로 p-도핑하는 경우, 도핑은 마그네슘을 1 x 1018 cm-3 이하의 농도로 도핑하는 것이 바람직하다.
이어서, 제 1 정공확산층(140a) 위에 제 2 정공확산층(140b)을 성장시킨다.
상기 제 2 정공확산층(140b)은 마그네슘 원자를 1 x 1017 cm-3 내지 1 x 1018 cm-3의 농도로 도핑한 InzGa1 - zN(0≤z≤0.05)의 조성을 갖는 물질을 이용하여 5 nm 내지 100 nm의 두께로 성장되는 것이 바람직하다.
상기 제 2 정공확산층(140b) 위에 발광활성 영역(150)이 성장한다. 상기 발광활성 영역(150)은 제 1 양자우물벽층(150a), 양자우물층(150b) 및 제 2 양자우물벽층(150c)으로 구분되어 성장되는 것이 바람직하다.
즉, 제 2 정공확산층(140b) 위에 제 1 양자우물벽층(150a)을 성장시킨다.
상기 제 1 양자우물벽층(150a)는 5 nm 내지 20 nm의 두께로 성장하며, 제 2 정공확산층(140b)와 같은 InzGa1 - zN의 조성을 갖는 물질을 사용하되 의도적으로 도핑하지 않거나 또는 마그네슘 원자를 1 x 1017 cm-3 이하의 농도로 p-도핑하는 것이 바람직하다.
상기 제 1 양자우물벽층(150a) 위에 양자우물층(150b)을 성장시킨다.
상기 양자우물층(150)은 0.5 nm 내지 10 nm의 두께로 성장되며, 의도적으로 도핑하지 않은 InxGa1 -xN으로 구성하되 InxGa1 - xN의 밴드갭이 상기 제 1 양자우물벽층(150a) 보다 작으며, 이에 따라 인듐조성비 x의 범위는 0.05≤x≤1.0에서 한정된다.
상기 양자우물층(150b) 위에 상기 제 2 양자우물벽층(150c)을 성장시킨다.
상기 제 2 양자우물벽층(150c)는 제 1 양자우물벽층(150a)과 같은 인듐 조성비를 갖는 InzGa1 - zN 물질 및 같은 두께로 성장한다. 상기 제 2 양자우물벽층은 의도적으로 도핑하지 않거나 또는 실리콘 원자를 1 x 1017 cm-3 이하의 농도로 n-도핑한다.
한편, 제 1 양자우물벽층(150a), 양자우물층(150b) 및 제 2 양자우물벽층(150c)으로 구성되는 단일양자우물이 1개 내지 10개의 범위 내에서 복수로 구성되는 발광활성 영역을 가질 수도 있다.
상기 제 2 양자우물벽층(150c) 위에 제 2 전자확산층(160a)을 성장시킨다.
상기 제 2 전자확산층(160a)은 실리콘 원자를 1 x 1017 cm-3 내지 1 x 1018 cm-3 의 농도로 도핑한 InzGa1 - zN의 조성을 가진 물질을 사용하여 5nm 내지 100 nm의 두께로 성장되는 것이 바람직하다. 아울러, 상기 제 2 전자확산층(160a)의 구성물질의 인듐 조성비 z는 상기 제 2 정공확산층(140b)의 인듐의 조성비와 수치적으로 성장기술 오차 범위 내에서 동일하다.
상기 제 2 전자확산층(160a) 위에 제 1 전자확산층(160b)을 성장시킨다.
상기 제 1 전자확산층(160b)는 의도적으로 n-도핑되거나 또는 도핑되지 않은 InyGa1-yN의 조성을 갖는 물질을 이용하여 0.1 nm 내지 20 nm의 두께로 성장되는 것이 바람직하며, 인듐의 조성비 y는 상기 제 1 정공확산층(140a)의 인듐 조성비와 수치적으로 성장기술 오차 범위 내에서 동일하다. 상기 제 1 전자확산층을 의도적으로 n-도핑할 경우, 도핑은 실리콘 원자를 이용하여 1 x 1018 cm-3 이하의 농도로 한다.
상기 제 1 전자확산층(160b) 위에 제 2 n-형 컨택층(170a)을 성장시킨다.
상기 제 2 n-형 컨택층(170a)는 실리콘 원자를 1 x 1018 cm-3 이상의 농도, 바람직하게는 1 x 1018 cm-3 내지 1 x 1019 cm-3의 농도로 도핑한 Alx Ga1 - xN의 조성을 갖는 물질을 이용하여 5㎚ 내지 50㎚의 두께로 성장되는 것이 바람직하다. 이 구성 물질의 알루미늄의 조성비 x는 상기 제 2 p-형 컨택층(130b)의 알루미늄 조성비와 수치적으로 성장기술 오차 범위 내에서 동일하다.
상기 제 2 n-형 컨택층(170a) 위에 제 1 n-형 컨택층(170b)을 성장시킨다.
상기 제 2 n-형 컨택층(170b)은 실리콘 원자를 1 x 1018 cm-3 이상의 농도, 바람직하게는 1 x 1018 cm-3 내지 1 x 1019 cm-3의 농도로 도핑한 GaN를 이용하여 10 nm 내지 1 ㎛의 두께로 성장되는 것이 바람직하다.
한편, 상기 각 층들의 성장 방법은 이 분야에 일반적인 방법으로 성장될 수 있으며, 특별히 제한되지 않는다.
상기와 같은 구조의 본 발명에 따른 발광 소자는 n-형 전극(180) 및 p-형 전극(190)을 포함하며, n-형 전극(180)은 상기 제 1 n-형 컨택층(170b) 위에 접촉하며, p-형 전극(190)은 제 2 정공확산층(140a), 제 1 정공확산층(140b), 제 2 p-형 컨택층(130b) 및 제 1 p-형 컨택층(130a) 중 임의의 층을 p-전극 접촉면으로 이용할 수 있다. 또한, p-형 전극은 기판 및 GaN 완층층을 제거하여 제 1 p-형 컨택층 하부에 접촉할 수 있다. 한편, p-형 전극 접촉을 위해 성장된 구조를 통상적인 식각 방법을 통해 식각한다.
도 1b의 구조는 도 1a의 구조에서 p-형 전극(190)의 접촉면으로 제 1 정공확산층(140a)을 이용한 경우이고, 도 1c의 구조는 도 1a의 구조에서 p-형 전극(190)의 접촉면으로 제 2 p-형 컨택층(130b)을 이용한 경우이고, 도 1d의 구조는 도 1a의 구조에서 p-형 전극(190)의 접촉면으로 제 1 p-형 컨택층(130a)을 이용한 경우이다.
한편, 도 1e에서 제시한 구조는 도 1a의 구조에서, 기판(110)과 GaN 완충층(120)을 제거한 후, 상기 p-형 전극(190)이 제 1 p-형 컨택층(130a) 하부에 접촉한 경우를 나타낸 것이다.
본 발명에 따른 도 1a 내지 1e의 구조를 갖는 질화물 반도체 발광소자의 외부전압이 인가되지 않을 경우의 전도띠(conduction band) 및 원자가띠(valence band)의 구조 및 외부전압이 인가되었을 경우의 전도띠 및 원자가띠의 구조를 각각 하기 도 2a 및 도 2b에 나타내었다.
도 2a를 참조하면, 번호(201) 및 (202)로 지칭되는 것은 각각 본 발명에 따른 발광 소자의 전도띠 끝단과, 원자가띠 끝단을 나타내며, 번호(203)이 발광동작시 페르미 준위를 나타낸다. 상기 페르미 준위(203)은 제 1 p-형 컨택층의 원자가띠 끝단(202) 근방과 제 1 n-형 컨택층의 전도띠 끝단(201)을 통과해야 하는 경계조건이며, 이에 따라 밴드 모양이 결정된다. 한편, 번호(206)과 (207)로 지칭되는 것은 각각 n-형 금속전극의 페르미 에너지 준위 및 p-형 금속전극의 페르미 에너지 준위이다. 그런데, 통상적으로 사용되는 Ga-face로 성장된 우르짜이트 격자 구조를 갖는 질화물 반도체 물질을 사용하는 경우, 제 2 p-형 컨택층(130b)으로 사용되는 AlxGa1 - xN의 조성을 갖는 물질 위에 InyGa1 - yN의 조성을 갖는 물질이 성장하게 되면, 이들 두 물질 간의 삐에조 전기적 분극과 자발 분극의 차이로 인하여 이들 물질의 접합 계면 근방에 정공을 속박하는 버금띠(205)를 갖는 삼각 모양의 1차원 양자우물구조를 성장 축 방향으로 형성시킬 수 있고, 이 양자우물의 버금띠(205)에 속박된 정공은 성장축과 수직한 평면에서 자유롭게 움직이는 준 2차원 자유 정공 기체가 되고, 이 기체는 상대적으로 작은 산란의 효과로 인해 벌크 구조 안의 정공보다 그 이동도가 비약적으로 향상된다. 따라서, 제2 p-형 컨택층(130b) 위에 성장된 InyGa1 - yN층은 정공이 평면상에서 확산하는 것으로 도모하므로 제 1 정공확산층(140a)이 된다.
한편, 통상적으로 사용되는 Ga-face로 성장된 우르짜이트 격자 구조를 갖는 질화물 반도체 물질을 사용하는 경우, InyGa1 - yN의 조성을 갖는 물질 위에, AlxGa1 - xN 의 조성을 갖는 물질이 성장하게 되면, 이들 두 물질 간의 삐에조 전기적 분극과 자발 분극의 차이로 인하여 이들 물질의 접합 계면 근방에 전자를 속박하는 버금띠(204)를 갖는 삼각 모양의 1차원 양자우물구조가 성장 축 방향으로 형성되고, 이 양자우물의 버금띠(204)에 속박된 전자는 성장축과 수직한 평면에서 자유롭게 움직이는 준 2차원 자유 전자 기체가 되고, 이 기체는 상대적으로 작은 산란의 효과로 인해 벌크 구조안의 전자보다 그 이동도가 비약적으로 향상된다. 따라서, 제 2 n-형 컨택층(170a)과 접하고, 먼저 이 층보다 앞서 성장된 InyGa1 - yN층은 전자가 평면 상에서 확산하는 것을 도모하므로 제 1 전자확산층(160b)이 된다.
도 2b를 참조하면, 본 발명의 도 1a 내지 도 1e의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광 소자에 대해 발광동작을 위해 순방향으로 외부전압을 인가했을 때 전도띠 및 원자가띠 구조를 나타낸 것이다. 본 발명의 도 1a 내지 도 1e의 실시예에 제시된 구조는 순방향으로 외부 전압이 인가되는 경우, 제 1 양자우물벽층, 양자우물층 및 제 2 양자우물벽층으로 구성되는 발광활성 영역에서 페르미 에너지 준위의 변화가 크게 나타나는 반면, 그외 다른 영역들, 즉 제 1 p-형 컨택층, 제 2 p-형 컨택층, 준 2차원 자유 정공 기체가 속박된 제 1 정공확산층, p-형의 제 2 정공확산층, n-형의 제 2 전자확산층, 준2차원 자유 전자 기체가 속박된 제 1 전자 확산층, 제 2 n-형 컨택층 및 제 1 n-형 컨택층안에서는 페르미 에너지 준위의 변화가 크지 않음을 확인할 수 있다. 이는 제 1 정공확산층과 제 1 전자확산층에 속박된 준 2차원 전하들의 밀도가 발광 동작을 위해 인가된 외부 전압에 대해 거의 의존하 지 않음을 보여주고 있다.
본 발명에 따른 발광 소자의 발광 동작을 설명하면, p-형 전극으로부터 투입된 정공이 제 1 정공확산층에서 성장축과 수직한 평면상에서 높은 이동성을 가지고 확산된 후, 제 2 정공확산층을 통과한 후, 발광활성 영역으로 유입되고, n-형 전극으로부터 나온 전자는 제 1 전자확산층에서 성장축과 수직한 평면상에서 높은 이동성을 가지고 확산된 후, 제 2 전자확산층을 통과한 후 발광활성 영역으로 유입되어, 발광활성 영역에서 광학적으로 재결합되어 발광하게 된다. 따라서, 본 발명의 발광 소자 구조는 발광면에서 발광의 균일도를 개선하여 소자의 전체 발광면에서 발광 효율을 개선한다.
한편, N-face를 가지며 성장되는 질화물 반도체 구조를 이용할 경우, 본 발명에서 도 1a 내지 도 1e의 실시예와 반대순서로 성장된 구조, 즉, n-형 컨택층들이 먼저 성장하고, 그 후 순차적으로 발광활성 층들과 p-형 컨택층들이 성장한 구조를 이용함으로써 본 발명의 효과와 비슷한 결과를 얻을 수 있다.
반면, Ga-face를 가지며 성장되는 질화물 반도체 구조에서, 본 발명에서 도 a 내지 도 1e의 실시예와 반대순서로 성장된 구조를 이용하는 경우, 이종접합구조상에서 분극 특성이 본 발명의 구조에서의 분극 특성과 다르기 때문에 본 발명의 효과와 같은 효과를 얻을 수 없다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자 구조는 기판 위에 통상적으로 Ga-face로 성장된 우르짜이트 격자 구조에서 발생하는 자발 분극 및 삐에조 전기적 분 극 현상으로 인해 이종접합 계면에 형성되는 준 2차원 자유전자 및 자유정공 기체를 효과적으로 이용하는 발광 구조로서, 전극을 통해 주입된 전자와 정공이 각각의 확산층에서 높은 이동성을 가지고 성장축 방향과 수직한 평면상에서 높은 이동성을 가지고 확산하게 함으로써, 발광 소자의 발광면에서 발광의 균일도를 개선하고, 그 결과 소자의 전체 발광면에서 발광 효율을 높인다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자 구조는 준 2차원의 자유정공기체와 자유전자기체가 형성되는 제 1 정공확산층과 제 1 전자확산층이 발광활성 영역에 인접하므로, 발광동작을 위해 순방향으로 외부전압을 인가할 때, 제 2 정공확산층과 제 2 전자확산층를 통하여 발광활성 영역으로 용이하게 전하를 공급하여 발광의 효율을 높인다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 준 2차원 자유 정공 기체가 상시 있는 제 1 정공확산층과 준 2차원 자유 전자 기체가 상시 있는 제 1 전자확산층이 발광활성영역에 인접한 곳에 있으므로 발광에 참여하지 못한 전자들이 제 1 정공 확산층을 넘어가서 소멸되는 비광학적으로 전이를 감소시킴으로써 발광의 효율을 높인다.
Claims (18)
- Ga-face로 성장된 우르짜이트 격자구조를 갖는 질화물 반도체 발광 소자에 있어서,기판;상기 기판 상에 성장되는 완충층;상기 완충층 위에 도핑된 GaN 물질로 성장되는 제 1 p-형 컨택층;상기 제 1 p-형 컨택층 상에 도핑된 AlxGa1-xN(0.1≤ x ≤0.5)의 조성을 갖는 물질로 성장되는 제 2 p-형 컨택층;상기 제 2 p-형 컨택층 상에 InyGa1-yN(0≤ y ≤0.05)의 조성을 갖는 물질로 성장되는 제 1 정공확산층:상기 제 1 정공확산층 상에 도핑된 InzGa1-zN(0≤z≤0.05)의 조성을 갖는 물질로 성장되는 제 2 정공확산층;상기 제 2 정공확산층 상에 성장되는 발광활성 영역;상기 발광활성 영역 상에 도핑된 InzGa1-zN(z는 제 2 정공확산층의 인듐 조성비와 성장기술 오차 범위 내에 있음)의 조성을 갖는 물질로 성장되는 제 2 전자확산층;상기 제 2 전자확산층 상에 InyGa1-yN(y는 제 2 정공확산층의 인듐 조성비와 성장기술 오차 범위 내에 있음)의 조성을 갖는 물질로 성장되는 제 1 전자확산층;상기 제 1 전자 확산층 상에 도핑된 AlxGa1-xN(x는 제 2 p-형 컨택층의 알루미늄 조성비와 성장기술 오차범위 내에 있음)의 조성을 갖는 물질로 성장되는 제 2 n-형 컨택층; 및상기 제 2 n-형 컨택층 상에 도핑된 GaN으로 성장되는 제 1 n-형 컨택층;을 포함하는 Ga-face로 성장된 우르짜이트 격자구조를 갖는 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2 p-형 컨택층은 마그네슘 원자를 1 x 1018 ㎝-3 이상의 농도로 도핑한 AlxGa1 - xN(0.1≤ x ≤0.5)의 조성을 갖는 물질로 성장된 것이고, 상기 제 1 정공확산층은 의도적으로 p-도핑되거나 도핑되지 않은 InyGa1 -yN((0≤ y ≤0.05)의 조성을 갖는 물질로 성장되며, 의도적으로 p- 도핑되는 경우 마그네슘 원자를 1 x 1018 ㎝-3 이하의 농도로 도핑한 것인 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 전자확산층은 의도적으로 n-도핑되거나 도핑되지 않은 InyGa1 -yN(y는 제 2 정공확산층의 인듐 조성비와 성장기술 오차 범위 내에 있음)의 조성을 갖는 물질로 성장되며, 의도적으로 n-도핑되는 경우 실리콘 원자를 1 x 1018 ㎝-3 이하의 농도로 도핑한 것이고, 상기 제 2 n-형 컨택층은 실리콘 원자를 1 x 1018 ㎝-3 이상의 농도로 도핑한 AlxGa1 - xN(x는 제 2 p-형 컨택층의 알루미늄 조성비와 성장기술 오차범위 내에 있음)의 조성을 갖는 물질로 성장된 것인 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 p-형 컨택층은 마그네슘 원자를 1 x 1018 ㎝-3 이상의 농도로 도핑한 GaN 물질을 이용하여 0.5㎛ 내지 3㎛의 두께로 성장된 것인 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2 p-형 컨택층의 두께는 5㎚ 내지 50㎚인 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 정공확산층의 두께는 0.1㎚ 내지 20㎚인 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2 정공확산층은 마그네슘 원자를 1 x 1017 ㎝-3 내지 1 x 1018 ㎝-3의 농도로 도핑한 InzGa1 - zN(0≤z≤0.05)의 조성을 갖는 물질을 이용하여 5㎚ 내지 100㎚의 두께로 성장된 것인 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 발광활성 영역은 제 2 정공확산층 상에 순차적으로 제 1 양자 우물벽층, 양자우물층 및 제 2 양자우물벽층으로 구성된 단일양자우물이 성장된 것인 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 8항에 있어서,상기 제 1 양자우물벽층은 의도적으로 도핑되지 않거나, 마그네슘 원자를 1 x 1017 ㎝-3 이하의 농도로 p-도핑한 제 2 정공확산층과 같은 InzGa1 - zN의 조성을 갖는 물질을 이용하여 5㎚ 내지 20㎚의 두께로 성장된 것인 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 8항에 있어서,상기 양자우물층은 의도적으로 도핑되지 않은 InxGa1 - xN의 조성을 갖는 물질을 이용하여 0.5㎚ 내지 10㎚의 두께로 성장되며, 밴드갭이 제 1 양자우물벽층보다 작은 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 8항에 있어서,상기 제 2 양자우물벽층은 제 1 양자우물벽층과 같은 인듐 조성비를 갖는 InzGa1-zN 물질 및 같은 두께로 성장되며, 의도적으로 도핑되지 않거나 또는 실리콘 원자로 1 x 1017 ㎝-3 이하의 농도로 n-도핑되는 것인 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2 전자확산층은 실리콘 원자를 1 x 1017 ㎝-3 내지 1 x 1018 ㎝-3의 농도로 도핑한 InzGa1 - zN의 조성을 갖는 물질을 이용하여 5㎚ 내지 100㎚의 두께로 성장되며, 인듐 조성비 z는 상기 제 2 정공확산층의 인듐 조성비와 성장기술 오차 범위 내에 있는 것인 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 전자확산층의 두께는 0.1㎚ 내지 20㎚인 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2 n-형 컨택층의 두께는 5㎚ 내지 50㎚인 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 n-형 컨택층은 실리콘 원자로 1 x 1018 ㎝-3 이상의 농도로 도핑한 GaN을 이용하여 10㎚ 내지 1㎛의 두께로 성장된 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,제 1 n-형 컨택층과 접촉하는 n-형 금속전극, 및제 2 정공확산층, 제 1 정공확산층, 제 2 p-형 컨택층 또는 제 1 p-형 컨택층에 접촉하는 p-형 금속전극을 더 포함하는 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 1항에 있어서,제 1 n-형 컨택층과 접촉하는 n-형 금속전극, 및기판 및 완충층이 제거된 제 1 p-형 컨택층 하부에 접촉하는 p-형 금속 전극을 더 포함하는 질화물 반도체 발광 소자.
- 제 8항에 있어서,제 2 정공확산층 상에 성장된 발광활성 영역은 제 1 양자우물벽층, 양자우물층 및 제 2 양자우물벽층으로 구성되는 단일양자우물이 1 내지 10개의 복수로 구성되는 것인 질화물 반도체 발광 소자.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/446,513 US7964882B2 (en) | 2006-12-04 | 2007-10-02 | Nitride semiconductor-based light emitting devices |
| PCT/KR2007/004818 WO2008069422A1 (en) | 2006-12-04 | 2007-10-02 | Nitride semiconductor-based light emitting devices |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060121354 | 2006-12-04 | ||
| KR20060121354 | 2006-12-04 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080050942A KR20080050942A (ko) | 2008-06-10 |
| KR100868530B1 true KR100868530B1 (ko) | 2008-11-13 |
Family
ID=39806094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070046618A KR100868530B1 (ko) | 2006-12-04 | 2007-05-14 | 질화물 반도체 발광 소자 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7964882B2 (ko) |
| KR (1) | KR100868530B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013147552A1 (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Near uv light emitting device |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102009054564A1 (de) * | 2009-12-11 | 2011-06-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiodenanordnung |
| KR101051327B1 (ko) * | 2010-06-09 | 2011-07-22 | 우리엘에스티 주식회사 | 3족 질화물 반도체 발광소자 |
| KR101119943B1 (ko) * | 2010-07-08 | 2012-03-27 | 한국과학기술연구원 | 2형 양자우물을 포함하는 ｐ형 반도체 소자 및 그 제조 방법. |
| US8785904B2 (en) * | 2011-04-20 | 2014-07-22 | Invenlux Corporation | Light-emitting device with low forward voltage and method for fabricating the same |
| US8884268B2 (en) * | 2012-07-16 | 2014-11-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Diffusion barrier layer for group III nitride on silicon substrate |
| KR102075644B1 (ko) | 2013-06-14 | 2020-02-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 조명시스템 |
| KR20140146887A (ko) | 2013-06-18 | 2014-12-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| TWI577046B (zh) * | 2014-12-23 | 2017-04-01 | 錼創科技股份有限公司 | 半導體發光元件及其製作方法 |
| CN105914273B (zh) * | 2016-05-09 | 2018-07-31 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 一种红黄光发光二极管外延片及其制备方法 |
| JP7005890B2 (ja) * | 2016-10-14 | 2022-01-24 | 株式会社リコー | 半導体発光素子、照明装置、ヘッドライト、移動体、イルミネーション装置、映像装置、投射型映像装置及びプロジェクター。 |
| CN111466012B (zh) * | 2017-10-11 | 2023-09-29 | 阿卜杜拉国王科技大学 | 具有氮化铟镓三元合金层和第二iii族氮化物三元合金层的异质结的半导体器件 |
| CN109346583B (zh) * | 2018-08-31 | 2021-04-27 | 华灿光电（浙江）有限公司 | 一种发光二极管外延片及其制备方法 |
| US20220336765A1 (en) * | 2020-08-07 | 2022-10-20 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate and display device |
| CN113764554B (zh) * | 2021-07-19 | 2023-08-15 | 西安电子科技大学芜湖研究院 | 基于Si纳米线高浓度p型层的发光二极管及制备方法 |
| CN114447170B (zh) * | 2021-12-21 | 2023-09-19 | 华灿光电(苏州）有限公司 | 提高出光均匀程度的发光二极管外延片及制备方法 |
| CN116995169B (zh) * | 2023-09-26 | 2024-04-09 | 江西兆驰半导体有限公司 | 发光二极管外延片及其制备方法、led |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005276899A (ja) | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
| KR20060095689A (ko) * | 2005-02-28 | 2006-09-01 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2809691B2 (ja) * | 1989-04-28 | 1998-10-15 | 株式会社東芝 | 半導体レーザ |
| US5578839A (en) | 1992-11-20 | 1996-11-26 | Nichia Chemical Industries, Ltd. | Light-emitting gallium nitride-based compound semiconductor device |
| EP0772249B1 (en) | 1995-11-06 | 2006-05-03 | Nichia Corporation | Nitride semiconductor device |
| JP2001291895A (ja) * | 2000-04-06 | 2001-10-19 | Sharp Corp | 半導体発光素子 |
| KR20040049744A (ko) | 2002-12-07 | 2004-06-12 | 한국전자통신연구원 | 이종접합 전계효과 트랜지스터 |
| JP4393306B2 (ja) * | 2003-10-30 | 2010-01-06 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子およびその製造方法並びに半導体装置 |
| JP4178410B2 (ja) | 2003-11-26 | 2008-11-12 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光素子 |
| US7357367B1 (en) * | 2004-04-26 | 2008-04-15 | Honeywell International, Inc. | Embedded high temperature valve |
| KR100631746B1 (ko) | 2004-07-16 | 2006-10-09 | 라이프앤드엘이디 주식회사 | 질화물 반도체를 이용한 고휘도 발광 다이오드 제조 방법 |
-
2007
- 2007-05-14 KR KR1020070046618A patent/KR100868530B1/ko active IP Right Grant
- 2007-10-02 US US12/446,513 patent/US7964882B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005276899A (ja) | 2004-03-23 | 2005-10-06 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 発光素子 |
| KR20060095689A (ko) * | 2005-02-28 | 2006-09-01 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013147552A1 (en) * | 2012-03-29 | 2013-10-03 | Seoul Opto Device Co., Ltd. | Near uv light emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7964882B2 (en) | 2011-06-21 |
| KR20080050942A (ko) | 2008-06-10 |
| US20100187494A1 (en) | 2010-07-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100868530B1 (ko) | 질화물 반도체 발광 소자 | |
| US9190567B2 (en) | Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof | |
| US6881602B2 (en) | Gallium nitride-based semiconductor light emitting device and method | |
| US8471240B2 (en) | Semiconductor layer structure with superlattice | |
| US8937325B2 (en) | Semiconductor device, wafer, method for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing wafer | |
| CN100583577C (zh) | 氮化物半导体垂直腔面发射激光器 | |
| US8389305B2 (en) | Techniques of forming ohmic contacts on GaN light emitting diodes | |
| US20180076354A1 (en) | Ultraviolet light emitting diodes with tunnel junction | |
| KR100649496B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 | |
| Chang et al. | Nitride-based LEDs with textured side walls | |
| EP3776671B1 (en) | Nitride based light-emitting device | |
| US9269868B2 (en) | Semiconductor light emitting element and method for manufacturing semiconductor light emitting element | |
| CN113451349B (zh) | 光源组件、光传感器组件及制造其单元的方法 | |
| US20240266464A1 (en) | Buried contact layer for uv emitting device | |
| CN115485862A (zh) | 紫外led及其制作方法 | |
| KR100495824B1 (ko) | 반도체 엘이디 소자 | |
| KR20140102422A (ko) | 질화물계 반도체 발광소자 | |
| KR101471608B1 (ko) | 나노로드를 포함하는 질화물계 발광다이오드 및 이의 제조방법 | |
| KR102416148B1 (ko) | 최적화된 패시베이션층을 포함하는 마이크로 발광 다이오드 및 그 제조 방법 | |
| KR101134063B1 (ko) | 3족 질화물 반도체 발광소자 | |
| US10593839B2 (en) | Solid-state light source with small area contact | |
| KR102444467B1 (ko) | 발광 다이오드 | |
| KR101056754B1 (ko) | 3족 질화물 반도체 발광소자 | |
| KR101393914B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
| US20140353578A1 (en) | Light-emitting device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20111028 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120919 Year of fee payment: 19 |