KR100867573B1 - Power module package improved heat radiating capability and method for manufacturing the same - Google Patents

Power module package improved heat radiating capability and method for manufacturing the same Download PDF

Info

Publication number
KR100867573B1
KR100867573B1 KR1020020020779A KR20020020779A KR100867573B1 KR 100867573 B1 KR100867573 B1 KR 100867573B1 KR 1020020020779 A KR1020020020779 A KR 1020020020779A KR 20020020779 A KR20020020779 A KR 20020020779A KR 100867573 B1 KR100867573 B1 KR 100867573B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lead frame
power module
module package
heat sink
power
Prior art date
Application number
KR1020020020779A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20020095053A (en
Inventor
전기영
박성민
이주상
임승원
전오섭
이병옥
김영길
양귀견
Original Assignee
페어차일드코리아반도체 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 페어차일드코리아반도체 주식회사 filed Critical 페어차일드코리아반도체 주식회사
Priority to US10/167,067 priority Critical patent/US7061080B2/en
Publication of KR20020095053A publication Critical patent/KR20020095053A/en
Priority to US10/974,357 priority patent/US7208819B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100867573B1 publication Critical patent/KR100867573B1/en
Priority to US12/565,274 priority patent/US20100013070A1/en
Priority to US12/730,294 priority patent/US8890310B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 발명의 전력용 모듈 패키지는, 전력용 회로 부품, 제어 회로 부품, 리드 프레임, 히트 싱크 및 봉합 수지를 포함하여 구성된다. 제어 회로 부품은 전력용 회로 부품과 연결되어 전력용 회로 부품 내의 칩들을 제어한다. 그리고 리드 프레임은, 가장자리에는 외부 연결 단자들이 형성되고 상기 외부 연결 단자들 사이에 형성된 다운셋을 갖는다. 그리고 전력용 회로 부품 및 제어 회로 부품이 부착되는 제1 표면 및 열방출 경로로 이용되는 제2 표면을 갖는데, 특히 전력용 회로 부품은 다운셋에 부착된다. 히트 싱크는 리드 프레임의 제2 표면 중 다운셋에 접착제를 통해 밀착되도록 부착된다. 그리고 봉합 수지는 전력용 회로 부품, 제어 회로 부품, 리드 프레임 및 히트 싱크를 감싸되, 리드 프레임의 외부 연결 단자 및 히트 싱크의 일면을 노출시킨다.

Figure R1020020020779

The power module package of the present invention includes a power circuit component, a control circuit component, a lead frame, a heat sink, and a sealing resin. The control circuit component is connected with the power circuit component to control the chips in the power circuit component. The lead frame has an external connection terminal formed at an edge thereof and a downset formed between the external connection terminals. And a first surface to which the power circuit component and the control circuit component are attached and a second surface used as a heat dissipation path, in particular the power circuit component is attached to the downset. The heat sink is attached to be in close contact with the adhesive to the downset of the second surface of the lead frame. The encapsulation resin encloses a power circuit part, a control circuit part, a lead frame, and a heat sink, and exposes an external connection terminal of the lead frame and one surface of the heat sink.

Figure R1020020020779

Description

열방출 능력이 개선된 전력용 모듈 패키지 및 그 제조 방법{Power module package improved heat radiating capability and method for manufacturing the same}Power module package improved heat radiating capability and method for manufacturing the same

도 1은 종래 기술에 의한 전력용 모듈 패키지의 일 예를 나타내 보인 단면도이다.1 is a cross-sectional view showing an example of a power module package according to the prior art.

도 2는 본 발명에 따른 전력용 모듈 패키지의 일 실시예를 나타내 보인 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a power module package according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 전력용 모듈 패키지의 다른 실시예를 나타내 보인 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing another embodiment of a power module package according to the present invention.

도 4는 본 발명에 따른 전력용 모듈 패키지의 또 다른 실시예를 나타내 보인 단면도이다.Figure 4 is a cross-sectional view showing another embodiment of a power module package according to the present invention.

도 5는 본 발명에 따른 전력용 모듈 패키지의 제조 방법에 사용되는 몰딩 장비의 하부 몰드 다이의 구조를 나타내 보인 단면도이다.5 is a cross-sectional view showing the structure of the lower mold die of the molding equipment used in the manufacturing method of the power module package according to the present invention.

도 6은 본 발명에 따른 전력용 모듈 패키지의 제조 방법 중의 밀봉 공정을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도이다.Figure 6 is a cross-sectional view shown for explaining the sealing step in the manufacturing method of the power module package according to the present invention.

도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전력용 모듈 패키지의 제조 방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.7A to 7D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a power module package according to another embodiment of the present invention.

본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 열 방출 효과를 개선한 전력용 모듈 패키지(power module package)에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor package, and more particularly, to a power module package having an improved heat dissipation effect.

일반적으로 반도체 패키지는 하나 혹은 다수개의 반도체 칩을 리드 프레임 내에 있는 칩 패드(chip pad) 위에 탑재한 후, 봉합 수지(EMC : Epoxy Moding Compound)로 밀봉하여 내부를 보호한 후, 인쇄 회로 기판(print cicuit board)에 실장하여 사용한다.Generally, a semiconductor package mounts one or more semiconductor chips on a chip pad in a lead frame, seals them with an epoxy modulating compound (EMC) to protect the inside, and then prints a printed circuit board. It is mounted on a cicuit board).

그러나 최근 들어 전자 기기의 고속도화, 대용량화 및 고집적화가 급진전되면서 자동차, 산업 기기 및 가전 제품에 적용되는 전력 소자(power device) 역시 저 비용으로 소형화 및 경량화를 달성해야 하는 요구에 직면하고 있다. 이와 동시에 전력용 소자는 저발열과 고신뢰를 달성하여야 하기 때문에 하나의 반도체 패키지에 다수개의 반도체 칩을 탑재하는 전력용 모듈 패키지가 일반화되고 있다.However, in recent years, as high speed, high capacity, and high integration of electronic devices are rapidly progressing, power devices applied to automobiles, industrial devices, and home appliances are also faced with the demand for miniaturization and light weight at low cost. At the same time, since power devices must achieve low heat generation and high reliability, power module packages for mounting a plurality of semiconductor chips in one semiconductor package have become common.

도 1은 종래 기술에 의한 전력용 모듈 패키지를 나타내 보인 단면도이다. 이 전력용 모듈 패키지는 미합중국 특허번호 제5,703,399호(Date: 15 May, 1996, Title : Semiconductor power module)에 개시된 전력용 모듈 패키지이다.1 is a cross-sectional view showing a power module package according to the prior art. This power module package is a power module package disclosed in US Pat. No. 5,703,399 (Date: 15 May, 1996, Title: Semiconductor power module).

도 1을 참조하면, 상기 전력용 모듈 패키지는, 전력용 회로(9)와 제어 회로(8)를 구성하는 복수개의 반도체 칩을 리드 프레임(3) 위에 탑재하는 구조를 갖는다. 도면에서 참조 부호 "1"은 히트 싱크(heat sink)를 나타내고, "2"는 열전 도성이 우수한 봉합 수지를 나타내며, 그리고 "4a"는 전력용 회로 칩을 나타낸다. 또한 참조 부호 "5a"는 제어 회로 칩을, "5b"는 저항 성분을, "6a"는 알루미늄 와이어를, "6b"는 골드 와이어를, 그리고 "7"은 절연성 봉합 수지를 각각 나타낸다.Referring to FIG. 1, the power module package has a structure in which a plurality of semiconductor chips constituting the power circuit 9 and the control circuit 8 are mounted on the lead frame 3. In the drawing, reference numeral "1" denotes a heat sink, "2" denotes a sealing resin excellent in thermal conductivity, and "4a" denotes a power circuit chip. In addition, reference numeral "5a" denotes a control circuit chip, "5b" denotes a resistance component, "6a" denotes an aluminum wire, "6b" denotes a gold wire, and "7" denotes an insulating sealing resin.

이와 같은 구조의 전력용 모듈 패키지는, 리드 프레임(3) 하부에 열 전도성이 우수한 봉합 수지(2)를 사용하고, 구리(copper)를 재질로 하여 만든 히트 싱크(1)를 리드 프레임(3) 아래에 약간 이격시킴으로써, 전력용 회로 칩(4a)에서 발생되는 열을 외부로 효과적으로 방출시킬 수 있다는 이점을 제공한다. 그러나 상술한 종래 기술은 다음과 같은 문제점을 나타낸다.The power module package having such a structure uses a sealing resin (2) having excellent thermal conductivity under the lead frame (3) and uses a heat sink (1) made of copper as the lead frame (3). By slightly spaced below, it provides the advantage of effectively dissipating heat generated in the power circuit chip 4a to the outside. However, the above-described prior art presents the following problems.

첫 번째로, 리드 프레임(3)의 배면(backside)과 구리로 된 히트 싱크(1) 사이에는, 절연 특성을 유지하기 위하여, 여전히 봉합 수지로 채워지기 때문에 전력용 회로 칩(4a)에서 발생하는 열을 전력용 모듈 패키지 외부로 완전히 방출하는데 한계가 있다. 두 번째로, 한 개의 전력용 모듈 패키지에 특성이 다른 두 개의 봉합 수지를 사용하기 때문에 전력용 모듈 패키지의 제조 공정이 복잡하게 되며, 전력용 모듈 패키지의 제조 공정을 자동화하기가 어렵다. 그리고 세 번째로, 구리로 된 히트 싱크(1)를 사용하고, 제조 공정이 복잡하기 때문에 제조 원가가 증가하게 된다.First, between the backside of the lead frame 3 and the heat sink 1 made of copper, in order to maintain the insulating properties, it is still filled with a sealing resin, which is generated in the power circuit chip 4a. There is a limit to completely dissipate heat out of the power module package. Second, since two sealing resins having different characteristics are used in one power module package, the manufacturing process of the power module package is complicated and it is difficult to automate the manufacturing process of the power module package. And thirdly, since the heat sink 1 made of copper is used and the manufacturing process is complicated, the manufacturing cost increases.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 전력용 회로 칩으로부터 발생하는 열에 대하여 열 방출 효과를 개선하고, 공정을 단순화하며, 그리고 제조 원가를 낮출 수 있는 전력용 모듈 패키지를 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in an effort to provide a power module package capable of improving heat dissipation effects, simplifying processes, and lowering manufacturing costs for heat generated from power circuit chips.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 상기 전력용 모듈 패키지의 제조 방법을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing the power module package.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 전력용 모듈 패키지는, 전력용 회로 부품; 상기 전력용 회로 부품과 연결되어 상기 전력용 회로 부품 내의 칩들을 제어하기 위한 제어 회로 부품; 가장자리에는 외부 연결 단자들이 형성되고 상기 외부 연결 단자들 사이에는 다운셋이 형성되며, 상기 전력용 회로 부품 및 제어 회로 부품이 부착되는 제1 표면 및 열방출 경로로 이용되는 제2 표면을 갖되, 상기 전력용 회로 부품은 상기 다운셋에 부착된 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 제2 표면 중 상기 다운셋에 접착제를 통해 밀착되도록 부착된 히트 싱크; 및 상기 전력용 회로 부품, 제어 회로 부품, 리드 프레임 및 히트 싱크를 감싸되, 상기 리드 프레임의 외부 연결 단자 및 상기 히트 싱크의 일면을 노출시키는 봉합 수지를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above technical problem, the power module package according to an embodiment of the present invention, power circuit components; A control circuit component connected to the power circuit component for controlling chips in the power circuit component; An external connection terminal is formed at an edge and a downset is formed between the external connection terminals, and has a first surface to which the power circuit component and the control circuit component are attached and a second surface used as a heat dissipation path. The power circuit component includes a lead frame attached to the downset; A heat sink attached to the downset of the second surface of the lead frame to be in close contact with an adhesive; And a sealing resin surrounding the power circuit component, the control circuit component, the lead frame, and the heat sink, and exposing an external connection terminal of the lead frame and one surface of the heat sink.

상기 전력용 회로 부품은 전력용 회로 칩들 및 상기 전력용 회로 칩들과 상기 리드 프레임을 연결하는 알루미늄 와이어를 포함하는 것이 바람직하다.The power circuit component preferably includes power circuit chips and an aluminum wire connecting the power circuit chips and the lead frame.

상기 알루미늄 와이어는 250-500㎛의 직경을 갖는 것이 바람직하다.Preferably, the aluminum wire has a diameter of 250-500 μm.

상기 제어 회로 부품은 제어 회로 칩들 및 상기 제어 회로 칩들과 상기 리드 프레임을 연결하는 골드 와이어를 포함하는 것이 바람직하다.The control circuit component preferably includes control circuit chips and a gold wire connecting the control circuit chips and the lead frame.

상기 리드 프레임 및 상기 히트 싱크를 부착시키는 접착제는 고온 테이프인 것이 바람직하다. 이 경우 상기 고온 테이프는 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미 늄(AlN), 실리콘 산화물(SiO2) 및 베릴늄 산화물(BeO) 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한 상기 고온 테이프는 10-20㎛의 두께를 갖는 것이 바람직하다.The adhesive for attaching the lead frame and the heat sink is preferably a high temperature tape. In this case, the high temperature tape may include any one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ), and berylnium oxide (BeO). In addition, the high temperature tape preferably has a thickness of 10-20 μm.

상기 리드 프레임 및 상기 히트 싱크를 부착시키는 접착제는 고온용 솔더인 것이 바람직하다. 이 경우 상기 고온용 솔더는 Pb/Sn, Sn/Ag, Pb/Sn/Ag의 금속 재질로 이루어질 수 있다.The adhesive for attaching the lead frame and the heat sink is preferably a high temperature solder. In this case, the high temperature solder may be made of a metal material of Pb / Sn, Sn / Ag, and Pb / Sn / Ag.

상기 리드 프레임 및 상기 히트 싱크를 부착시키는 접착제는 고열의 액상 에폭시인 것이 바람직하다. 이 경우 상기 고열의 액상 에폭시의 두께는 3-7㎛인 것이 바람직하다.The adhesive for attaching the lead frame and the heat sink is preferably a high temperature liquid epoxy. In this case, the thickness of the high-temperature liquid epoxy is preferably 3-7 μm.

상기 히트 싱크는 플라스틱 또는 세라믹을 재질로 만들어진 것이 바람직하다. 이 경우 상기 플라스틱 또는 세라믹 재질의 히트 싱크는, 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 실리콘 산화물(SiO2) 및 베릴늄 산화물(BeO) 중에서 어느 하나를 포함할 수 있다. 또한 상기 플라스틱 또는 세라믹 재질의 히트 싱크는, 1-3㎜의 두께를 갖는 것이 바람직하다.The heat sink is preferably made of plastic or ceramic material. In this case, the plastic or ceramic heat sink may include any one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ), and berylnium oxide (BeO). In addition, the plastic or ceramic heat sink preferably has a thickness of 1-3 mm.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 다른 실시예에 따른 전력용 모듈 패키지는, DBC 기판; 상기 DBC 기판 위에 부착된 전력 소자; 상기 DBC 기판의 일단에 연결된 리드 프레임; 상기 리드 프레임 위에 부착된 제어 소자; 상기 전력 소자 및 제어 소자와 상기 리드 프레임을 전기적으로 연결시키는 와이어; 및 상기 DBC 기판의 배면 및 리드 프레임의 일부만을 노출시키고 나머지를 완전히 덮은 봉합 수지를 포함하는 것을 특징으로 한다. In order to achieve the above technical problem, a power module package according to another embodiment of the present invention, DBC substrate; A power device attached to the DBC substrate; A lead frame connected to one end of the DBC substrate; A control element attached to the lead frame; A wire electrically connecting the power device and the control device with the lead frame; And a sealing resin exposing only a part of the rear surface and the lead frame of the DBC substrate and completely covering the rest.                     

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 전력용 모듈 패키지의 제조 방법은, 가장자리에는 외부 연결 단자들이 형성되고 상기 외부 연결 단자들 사이에는 다운셋이 형성된 리드 프레임을 준비하는 단계; 상기 리드 프레임의 제1 표면에 전력용 회로 및 제어 회로 기능을 수행하는 복수개의 칩들을 부착하는 단계; 와이어 본딩 공정을 수행하여 상기 칩들을 상기 리드 프레임을 통해 상호 연결시키는 단계; 히트 싱크가 고정된 몰드 장비 내에 상기 와이어 본딩 공정을 끝낸 리드 프레임을 위치시키는 단계; 상기 리드 프레임의 상기 제1 표면과 반대면인 제2 표면 중 상기 다운셋의 제2 표면에 고온 테이프를 통해 상기 히트 싱크를 밀착하여 부착시키는 단계; 및 상기 히트 싱크가 부착된 리드 프레임을 봉합 수지를 사용하여 봉합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above another technical problem, a method of manufacturing a power module package according to an embodiment of the present invention, preparing a lead frame having an external connection terminal is formed on the edge and the downset between the external connection terminal; step; Attaching a plurality of chips to the first surface of the lead frame to perform power circuit and control circuit functions; Performing a wire bonding process to interconnect the chips through the lead frame; Positioning a lead frame that has completed the wire bonding process in a mold apparatus to which a heat sink is fixed; Attaching the heat sink in close contact with the second surface of the downset, the second surface of the second surface opposite to the first surface of the lead frame; And sealing the lead frame to which the heat sink is attached using a sealing resin.

상기 와이어 본딩 공정은 웨지 본딩 또는 볼 본딩 기법을 사용하여 수행하는 것이 바람직하다.The wire bonding process is preferably performed using wedge bonding or ball bonding techniques.

상기 와이어 본딩 공정에 알루미늄 와이어 또는 골드 와이어를 사용하되, 상기 알루미늄 와이어는 상기 전력용 회로 기능을 수행하기 위한 칩들에 사용하고, 상기 골드 와이어는 상기 제어 회로 기능을 수행하기 위한 칩들에 사용하는 것이 바람직하다.An aluminum wire or a gold wire is used in the wire bonding process, wherein the aluminum wire is used for chips for performing the power circuit function, and the gold wire is used for chips for performing the control circuit function. Do.

상기 알루미늄 와이어 본딩 공정을 한 후에 상기 골드 와이어 본딩 공정을 수행하는 것이 바람직하다.It is preferable to perform the gold wire bonding process after the aluminum wire bonding process.

상기 고온 테이프는 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 실리콘 산화 물(SiO2) 및 베릴늄 산화물(BeO) 중에서 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.The high temperature tape preferably includes any one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ), and berylnium oxide (BeO).

상기 고온 테이프는 10-20㎛의 두께를 갖는 것이 바람직하다.The hot tape preferably has a thickness of 10-20 μm.

상기 고온 테이프는 열 및 압력에 의한 융해 작용에 의해 상기 리드 프레임 및 상기 히트 싱크를 부착시키는 것이 바람직하다. 이 경우 상기 고온 테이프를 융해시키는 열 및 압력은 각각 160-220℃ 및 30㎏/㎠인 것이 바람직하다.It is preferable that the high temperature tape adheres the lead frame and the heat sink by melting action by heat and pressure. In this case, the heat and pressure for melting the high temperature tape are preferably 160-220 ° C. and 30 kg / cm 2, respectively.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 전력용 모듈 패키지의 제조 방법은, 가장자리에는 외부 연결 단자들이 형성되고 상기 외부 연결 단자들 사이에는 다운셋이 형성된 리드 프레임을 준비하는 단계; 상기 리드 프레임의 제1 표면에 전력용 회로 및 제어 회로 기능을 수행하는 복수개의 칩들을 부착하는 단계; 와이어 본딩 공정을 수행하여 상기 칩들을 상기 리드 프레임을 통해 상호 연결시키는 단계; 히트 싱크가 고정된 몰드 장비 내에 상기 와이어 본딩 공정을 끝낸 리드 프레임을 위치시키는 단계; 상기 리드 프레임의 상기 제1 표면과 반대면인 제2 표면 중 상기 다운셋의 제2 표면에 고열의 액상 에폭시를 통해 상기 히트 싱크를 밀착하여 부착시키는 단계; 및 상기 히트 싱크가 부착된 리드 프레임을 봉합 수지를 사용하여 봉합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above another technical problem, a method of manufacturing a power module package according to the present invention comprises the steps of: preparing a lead frame having an external connection terminal formed on the edge and a downset between the external connection terminals; Attaching a plurality of chips to the first surface of the lead frame to perform power circuit and control circuit functions; Performing a wire bonding process to interconnect the chips through the lead frame; Positioning a lead frame that has completed the wire bonding process in a mold apparatus to which a heat sink is fixed; Attaching the heat sink in close contact with a second surface of the downset, the second surface of the second surface opposite to the first surface of the lead frame through a high temperature liquid epoxy; And sealing the lead frame to which the heat sink is attached using a sealing resin.

상기 고열의 액상 에폭시는 3-7㎛의 두께를 갖는 것이 바람직하다.The high temperature liquid epoxy preferably has a thickness of 3-7 μm.

상기 다른 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 전력용 모듈 패키지의 제조 방법은, DBC 기판을 준비하는 단계; 상기 DBC 기판 위에 전력 소자를 부착시키는 단계; 상기 DBC 기판의 일단에 리드 프레임을 연결시키는 단계; 상기 리드 프레임 위에 제어 소자를 부착시키는 단계; 상기 전력 소자 및 제어 소자와 상기 리드 프레임을 전기적으로 연결시키는 와이어를 형성하는 단계; 및 봉합 수지로 상기 DBC 기판의 배면 및 리드 프레임의 일부만을 노출시키고 나머지를 완전히 덮도록 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above another technical problem, a method of manufacturing a power module package according to another embodiment of the present invention, preparing a DBC substrate; Attaching a power device over the DBC substrate; Connecting a lead frame to one end of the DBC substrate; Attaching a control element over the lead frame; Forming a wire electrically connecting the power device and the control device with the lead frame; And exposing only a portion of the back frame and the lead frame of the DBC substrate with a sealing resin to completely cover the rest.

이하 첨부 도면을 참조하면서, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 본 명세서에서 설명되는 전력용 회로 부품 및 제어 회로 부품의 배열과, 리드 플레임의 구조 및 히트 싱크의 구조는 예시적으로 나타낸 것이며, 도면에 나타낸 바와 같은 특정 형상만을 한정하는 것이 아니라는 것은 이 기술 분야에서 통상의 지식을 갖는 자에게는 당연할 것이다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The arrangement of the power circuit components and control circuit components described herein, the structure of the lead frame and the structure of the heat sink are shown by way of example and it is not intended to limit the specific shapes as shown in the drawings. It will be natural for those of ordinary knowledge.

도 2는 본 발명에 따른 전력용 모듈 패키지의 일 실시예를 나타내 보인 단면도이다.2 is a cross-sectional view showing an embodiment of a power module package according to the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 전력용 모듈 패키지(200)는, 리드 프레임(210), 전력용 회로 부품(power circuit element)(220), 제어 회로 부품(control circuit element)(230), 히트 싱크(250) 및 봉합 수지(270)를 포함하여 구성된다. 전력용 회로 부품(220)은 전력용 회로 칩(221) 및 알루미늄 와이어(222)를 포함한다. 알루미늄 와이어(222)는 높은 정격 전류에 견딜 수 있도록 대략 250-500㎛의 직경을 갖는다. 제어 회로 부품(230)은 제어 회로 칩(231) 및 골드 와이어(232)를 포함한다. 알루미늄 와이어(222) 및 골드 와이어(232)는 전력용 회로 칩(221)과 제어 회로 칩(231)을 적절히 연결시켜준다.2, a power module package 200 according to an embodiment of the present invention may include a lead frame 210, a power circuit element 220, and a control circuit element. 230, a heat sink 250, and a sealing resin 270. The power circuit component 220 includes a power circuit chip 221 and an aluminum wire 222. The aluminum wire 222 has a diameter of approximately 250-500 μm to withstand high rated currents. The control circuit component 230 includes a control circuit chip 231 and a gold wire 232. The aluminum wire 222 and the gold wire 232 properly connect the power circuit chip 221 and the control circuit chip 231.

상기 리드 프레임(210)은 회로 부품들이 부착되는 제1 표면(211) 및 그 반대면인 제2 표면(212)을 가지며, 그 중앙부에는 다운셋(downset)(240)이 형성된다. 상기 다운셋(240)은 양쪽에 대칭인 정 중앙에 위치할 수도 있지만, 일측에 치우쳐서 형성될 수도 있다. 리드 프레임(210)의 제1 표면(211)에는 전력용 회로 부품(220) 및 제어 회로 부품(230)이 부착된다. 특히 많은 열을 발생시키는 전력용 회로 부품(220)은 리드 프레임(210)의 다운셋(240) 제1 표면(211)에 부착된다.The lead frame 210 has a first surface 211 to which circuit components are attached and a second surface 212 on the opposite side thereof, and a downset 240 is formed at the center thereof. The downset 240 may be located at the center of symmetry on both sides, but may be formed to be biased to one side. The power circuit component 220 and the control circuit component 230 are attached to the first surface 211 of the lead frame 210. In particular, the power circuit component 220 that generates a lot of heat is attached to the first surface 211 of the downset 240 of the lead frame 210.

리드 프레임(210)의 다운셋(240) 제2 표면(212)에는 고온 테이프(high temperature tape)(260)에 의해 히트 싱크(250)가 부착되는데, 이 히트 싱크(250)의 일 면은 전력용 모듈 패키지(200) 외부로 완전히 노출된다. 경우에 따라서는 고온 테이프(260) 대신에 고온용 솔더(solder)를 사용할 수 있다. 상기 솔더는 Pb/Sn, Sn/Ag, Pb/Sn/Ag의 금속 재질로 이루어진 것을 사용하는 것이 바람직하다.The heat sink 250 is attached to the second surface 212 of the downset 240 of the lead frame 210 by a high temperature tape 260, and one side of the heat sink 250 is a power source. The module package 200 is completely exposed to the outside. In some cases, a high temperature solder may be used instead of the high temperature tape 260. The solder is preferably made of a metal material of Pb / Sn, Sn / Ag, Pb / Sn / Ag.

상기 히트 싱크(250)는 대략 1-3㎜의 두께를 가지며, 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 실리콘 산화물(SiO2) 및 베릴늄 산화물(BeO) 중에서 어느 하나를 포함하도록 제작할 수 있다. 예를 들면, 세라믹 히트 싱크(150)인 경우에는, 세라믹을 구성하는 재질에 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 실리콘 산화물(SiO2) 및 베릴늄 산화물(BeO) 중 어느 하나를 포함하여 히트 싱크(160)를 만든다. 플라스틱 히트 싱크(250)인 경우에는, 플라스틱을 구성하는 충진재 중에 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 실리콘 산화물(SiO2) 및 베릴늄 산화물(BeO) 중 어느 하나를 포함시키면 된다. 한편 상기 고온 테이프 대신에 솔더를 사용할 경우, 상기 히트 싱크(250)는 리드 프레임(210)과 접착될 면에 금속이 형성된 것을 사용한다. 마찬가지로, 고온 테이프(260)도 또한 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 실리콘 산화물(SiO2) 및 베릴늄 산화물(BeO) 중에서 어느 하나를 포함하도록 제작할 수 있으며, 적어도 대략 10-20㎛의 두께를 갖도록 하여 리드 프레임(210)과 히트 싱크(250)가 완전히 부착되도록 한다.The heat sink 250 has a thickness of approximately 1-3 mm and includes any one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ), and berylnium oxide (BeO). Can be made to For example, in the case of the ceramic heat sink 150, any one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ), and berylnium oxide (BeO) may be used as the material of the ceramic. Including one to make the heat sink 160. In the case of the plastic heat sink 250, any one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ) and berylnium oxide (BeO) may be included in the filler constituting the plastic. do. Meanwhile, when solder is used instead of the high temperature tape, the heat sink 250 uses a metal formed on a surface to be bonded to the lead frame 210. Similarly, high temperature tape 260 can also be fabricated to include any one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ) and berylnium oxide (BeO), at least approximately 10 The lead frame 210 and the heat sink 250 are completely attached by having a thickness of −20 μm.

이와 같은 구조의 전력용 모듈 패키지에 의하면, 히트 싱크(250)과 리드 프레임(210)의 다운셋(240) 사이의 공간이 전혀 없기 때문에 열 방출 효과가 증대된다.According to the power module package having such a structure, since there is no space between the heat sink 250 and the downset 240 of the lead frame 210, the heat dissipation effect is increased.

도 5 및 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 전력용 모듈 패키지의 제조 방법을 설명하기 위하여 나타낸 도면들이다. 구체적으로 도 5는 상기 제조 방법에 사용되는 몰딩 장비의 하부 몰드 다이의 구조를 나타내 보인 단면도이고, 도 6은 상기 제조 방법 중의 밀봉 공정을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도이다.5 and 6 are diagrams for explaining the manufacturing method of the power module package according to an embodiment of the present invention. Specifically, FIG. 5 is a cross-sectional view showing the structure of the lower mold die of the molding equipment used in the manufacturing method, and FIG. 6 is a cross-sectional view showing the sealing process in the manufacturing method.

먼저, 중앙에 다운셋(240)이 만들어진 리드 프레임(210)을 준비한다. 그리고 전력용 회로 칩(221) 및 제어 회로 칩(231)을 칩 장착 공정(die attach prodess)을 통하여 리드 프레임(210)의 제1 표면(211)에 부착한다. 이때 전력용 회로 칩(221)은 리드 프레임(210)의 다운셋(240) 부분에 부착되도록 한다. 다음에 와이어 본딩 공정을 진행하여 전력용 회로 칩(221) 및 제어 회로 칩(231)을 적절하게 연결시킨다. 제어 회로 칩(231)을 위한 와이어로는 골드 와이어(232)를 사용하고, 전력용 회로 칩(221)을 위한 와이어로는 알루미늄 와이어(222)를 사용한다. 알루미늄 와이어(222)는 높은 정격 전류에 충분히 견딜 수 있도록 대략 250-500㎛의 직경을 갖는 것을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 와이어 본딩 공정을 수행하는데 있어서, 본딩 방식은 웨지 본딩(wedge bonding) 및 볼 본딩(ball bonding) 방식을 모두 사용할 수 있다. 원활한 와이어 본딩 작업을 위해서는 먼저 알루미늄 와이어(232)를 본딩하고, 이어서 골드 와이어(222)를 본딩하는 것이 적절하다.First, a lead frame 210 having a downset 240 is prepared in the center. The power circuit chip 221 and the control circuit chip 231 are attached to the first surface 211 of the lead frame 210 through a die attach process. In this case, the power circuit chip 221 is attached to the downset 240 of the lead frame 210. Next, the wire bonding process is performed to properly connect the power circuit chip 221 and the control circuit chip 231. A gold wire 232 is used as the wire for the control circuit chip 231, and an aluminum wire 222 is used as the wire for the power circuit chip 221. The aluminum wire 222 is preferably used having a diameter of approximately 250-500 μm to sufficiently withstand the high rated current. In performing the wire bonding process, the bonding method may use both a wedge bonding and a ball bonding method. For smooth wire bonding, it is appropriate to first bond the aluminum wire 232 and then bond the gold wire 222.

다음에 하부 몰드 다이(도 5의 520)의 히트 싱크 블록(522) 위에 형성된 홈(524)에 히트 싱크(250)를 고정시킨다. 히트 싱크(250)는 대략 1-3㎜의 두께를 가지며, 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 실리콘 산화물(SiO2) 및 베릴늄 산화물(BeO) 중에서 어느 하나를 포함하도록 제작할 수 있다. 예를 들면, 세라믹 히트 싱크(250)인 경우에는, 세라믹을 구성하는 재질에 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 실리콘 산화물(SiO2) 및 베릴늄 산화물(BeO) 중 어느 하나를 포함하여 히트 싱크(260)를 만든다. 플라스틱 히트 싱크(250)인 경우에는, 플라스틱을 구성하는 충진재 중에 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 실리콘 산화물(SiO2) 및 베릴늄 산화물(BeO) 중 어느 하나를 포함시키면 된다.Next, the heat sink 250 is fixed to the groove 524 formed on the heat sink block 522 of the lower mold die 520 of FIG. 5. The heat sink 250 has a thickness of approximately 1-3 mm and includes one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ), and berylnium oxide (BeO). I can make it. For example, in the case of the ceramic heat sink 250, any one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ), and berylnium oxide (BeO) may be used as the material of the ceramic. Including one makes the heat sink 260. In the case of the plastic heat sink 250, any one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ) and berylnium oxide (BeO) may be included in the filler constituting the plastic. do.

다음에 와이어 본딩 공정이 끝난 리드 프레임(210)을 몰드 장비로 위치시킨다. 이때 하부 몰드 다이(520)에는 이미 히트 싱크(250)가 홈(524)에 고정된 상태이다. 계속해서 고온 테이프(260)를 용해시켜서 히트 싱크(250)와 리드 프레임(210)의 다운셋(240) 제2 표면(212)이 완전히 접착되도록 한다. 이때 고온 테이프(260)를 용해시키는 온도는 대략 160-220℃이고, 압력은 대략 30㎏/㎠이다. 상기 고온 테이프(260)는, 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 실리콘 산화물(SiO2) 및 베릴늄 산화물(BeO) 중에서 어느 하나를 포함하도록 제작할 수 있으며, 적어도 대략 10-20㎛의 두께를 갖는다.Next, the lead frame 210 after the wire bonding process is positioned with the mold equipment. At this time, the heat sink 250 is already fixed to the groove 524 in the lower mold die 520. The hot tape 260 is then dissolved to allow the heat sink 250 and the second surface 212 of the downset 240 of the lead frame 210 to fully bond. At this time, the temperature for dissolving the high temperature tape 260 is approximately 160-220 ° C., and the pressure is approximately 30 kg / cm 2. The high temperature tape 260 may be manufactured to include any one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ), and berylnium oxide (BeO), and at least approximately 10 − It has a thickness of 20 μm.

다음에 상부 몰드 다이(510)를 내리고, 게이트(530)를 통해 봉합 수지(EMC)(270)를 흘려 보낸다. 이때 상기 봉합 수지(270)는 열과 압력에 의해 액체로 변한 상태이다. 따라서 봉합 수지는 화살표 방향으로 흐르면서 몰드(500) 내부의 공간을 균일하게 채운다. 몰딩 장비는 다수의 게이트 및 러너(gate and runner)가 있는 트랜스퍼(transfer) 몰딩 장비를 이용할 수 있으며, 밀봉(sealing)이 이루어지는 온도는 대략 160-170℃가 적절하다.Next, the upper mold die 510 is lowered and a sealing resin (EMC) 270 is flowed through the gate 530. At this time, the sealing resin 270 is changed to a liquid by heat and pressure. Therefore, the sealing resin flows in the direction of the arrow to uniformly fill the space inside the mold 500. The molding equipment may use transfer molding equipment with a plurality of gates and runners, and the sealing temperature is suitably about 160-170 ° C.

다음에 밀봉이 완료된 리드 프레임, 즉 전력용 모듈 패키기(200)를 몰딩 장비에서 언로딩하면, 히트 싱크(250)가 고온 테이프(260)에 의해 리드 프레임(210)의 다운셋(240) 제2 표면(212)에 완전히 부착되게 된다. 이어서 트림(trim) 및 포밍(forming) 공정을 포함하는 통상의 후속 공정은 진행한다.Next, when the sealed lead frame, that is, the power module packager 200, is unloaded from the molding equipment, the heat sink 250 is made of the downset 240 of the lead frame 210 by the high temperature tape 260. 2 will be completely attached to the surface (212). This is followed by conventional subsequent processes, including trim and forming processes.

도 3은 본 발명에 따른 전력용 모듈 패키지의 다른 실시예를 나타내 보인 단면도이다.3 is a cross-sectional view showing another embodiment of a power module package according to the present invention.

도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 전력용 모듈 패키지(300)는, 리드 프레임(310), 전력 소자(power device)(320), 제어 소자(control device)(330), 히트 싱크(350) 및 봉합 수지(370)를 포함하여 구성된다. 전력 소자(320)는 전력용 회로 칩(321) 및 알루미늄 와이어(322)를 포함한다. 제어 소자(330)은 제어 회로 칩 및 골드 와이어(미도시)를 포함한다. 상기 리드 프레임(310)은 대략 0.5-1.0㎜의 두께를 가지며, 그 중앙부에 형성된 다운셋(340)을 포함된다. 리드 프레임(310)의 일 표면에는 전력 소자(320) 및 제어 소자(330)가 부착된다. 특히 많은 열을 발생시키는 전력 소자(320)은 리드 프레임(310)의 다운셋(340)에 부착된다.Referring to FIG. 3, the power module package 300 according to the present embodiment includes a lead frame 310, a power device 320, a control device 330, and a heat sink 350. ) And the sealing resin 370. The power device 320 includes a power circuit chip 321 and an aluminum wire 322. The control element 330 includes a control circuit chip and a gold wire (not shown). The lead frame 310 has a thickness of approximately 0.5-1.0 mm and includes a downset 340 formed at the center thereof. The power element 320 and the control element 330 are attached to one surface of the lead frame 310. In particular, the power device 320 that generates a lot of heat is attached to the downset 340 of the lead frame 310.

리드 프레임(310)의 다운셋(340)의 반대 표면에는 고열의 액상 에폭시(high thermal liquid epoxy)(360)에 의해 히트 싱크(350)가 부착되는데, 이 히트 싱크(350)의 일 면은 전력용 모듈 패키지(300) 외부로 완전히 노출된다. 상기 고열의 액상 에폭시(360)는 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 실리콘 산화물(SiO2) 및 베릴늄 산화물(BeO) 중 어느 하나를 포함하는 충진제를 에폭시 수지에 첨가시킴으로써 만들 수 있다. 상기 고열의 액상 에폭시(360)의 두께는 대략 3-7㎛로서, 대략 1.5℃/W 이하의 열 저항값을 나타내므로, 에폭시 몰딩 화합물이 사용되는 종래의 패키지에 비해 향상된 열 전도성을 나타낸다.A heat sink 350 is attached to the opposite surface of the downset 340 of the lead frame 310 by a high thermal liquid epoxy 360, one side of which is a power source. The module package 300 is completely exposed to the outside. The high temperature liquid epoxy 360 may be prepared by adding a filler including any one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ), and berylnium oxide (BeO) to an epoxy resin. I can make it. The high-temperature liquid epoxy 360 has a thickness of approximately 3-7 μm, and exhibits a thermal resistance value of approximately 1.5 ° C./W or less, thus exhibiting improved thermal conductivity compared to a conventional package in which an epoxy molding compound is used.

도 7a 내지 도 7d는 본 발명의 다른 실시예에 따른 전력용 모듈 패키지의 제조 방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.7A to 7D are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a power module package according to another embodiment of the present invention.

먼저 도 7a를 참조하면, 대략 0.5-1.0㎜ 두께의 리드 프레임(310)을 준비한다. 그리고 전력용 회로 칩(321) 및 제어 회로 칩(330)을 칩 장착 공정(die attach prodess)을 통하여 리드 프레임(310)의 표면에 부착한다. 전력용 회로 칩(321)은 리드 프레임(310)의 다운셋(340) 부분에 부착되도록 한다. 상기 칩 장착 공정은 솔더를 사용하여 수행할 수 있고, 또는 은(Ag) 에폭시를 사용하여 수행 할 수 있다. 접착제로서 솔더를 사용할 경우, 대략 350-380℃의 온도 및 대략 3-5kg/㎠의 압력과, 그리고 수소 분위기에서 칩 장착 공정을 수행한다. 접착제로서 은 에폭시를 사용할 경우, 실온에서 대략 1-2kg/㎠의 압력하에서 칩 장착 공정을 수행한다.First, referring to FIG. 7A, a lead frame 310 having a thickness of about 0.5-1.0 mm is prepared. In addition, the power circuit chip 321 and the control circuit chip 330 are attached to the surface of the lead frame 310 through die attach processes. The power circuit chip 321 is attached to a portion of the downset 340 of the lead frame 310. The chip mounting process may be performed using solder, or may be performed using silver (Ag) epoxy. When solder is used as the adhesive, the chip mounting process is carried out in a temperature of approximately 350-380 ° C., a pressure of approximately 3-5 kg / cm 2, and in a hydrogen atmosphere. When using silver epoxy as the adhesive, the chip mounting process is carried out at a pressure of approximately 1-2 kg / cm 2 at room temperature.

다음에 도 7b를 참조하면, 대략 1-3㎜ 두께의 세라믹 히트 싱크(350) 상부 표면에 고열의 액상 에폭시(360)를 부착시킨다. 상기 고열의 액상 에폭시(360)는 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 실리콘 산화물(SiO2) 및 베릴늄 산화물(BeO) 중 어느 하나를 포함하는 충진제를 에폭시 수지에 첨가시킴으로써 만들 수 있다.Next, referring to FIG. 7B, a high temperature liquid epoxy 360 is attached to an upper surface of the ceramic heat sink 350 having a thickness of about 1-3 mm. The high temperature liquid epoxy 360 may be prepared by adding a filler including any one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ), and berylnium oxide (BeO) to an epoxy resin. I can make it.

다음에 도 7c를 참조하면, 상기 고열의 액상 에폭시(360)를 접착제로 하여 세라믹 히트 싱크(350)와, 전력용 회로 칩(321)이 부착된 리드 프레임(310)을 부착시킨다. 상기 부착 공정은 대략 150-180℃의 온도 및 대략 0.5-1.0㎏/㎠의 압력 조건에서 대략 3-5분 동안 수행한다.Next, referring to FIG. 7C, the ceramic heat sink 350 and the lead frame 310 to which the power circuit chip 321 are attached are attached using the high-temperature liquid epoxy 360 as an adhesive. The attachment process is carried out for approximately 3-5 minutes at temperatures of approximately 150-180 ° C. and pressure conditions of approximately 0.5-1.0 kg / cm 2.

다음에 도 7d를 참조하면, 알루미늄(Al) 와이어 본딩 공정 및 골드(Au) 와이어 본딩 공정을 수행하여 전력용 회로 칩(321)과 리드 프레임(310) 사이, 전력용 회로 칩(321)들 사이, 그리고 제어 회로 칩(330)과 리드 프레임(310) 사이를 전기적으로 연결시킨다. 통상적으로 제어 회로 칩(330)을 위한 와이어로는 골드 와이어를 사용하고, 전력용 회로 칩(321)을 위한 와이어로는 알루미늄 와이어를 사용한다. 알루미늄 와이어 본딩 공정은, 웨지 본딩(wedge bonding) 방법을 사용하여 수행하고, 골드 와이어 본딩 공정은, 볼 본딩(ball boding) 방법을 사용하여 수행한 다.Next, referring to FIG. 7D, an aluminum (Al) wire bonding process and a gold (Au) wire bonding process may be performed to between the power circuit chip 321 and the lead frame 310 and between the power circuit chips 321. And electrically connect the control circuit chip 330 to the lead frame 310. Typically, a gold wire is used as the wire for the control circuit chip 330, and an aluminum wire is used as the wire for the power circuit chip 321. The aluminum wire bonding process is performed using a wedge bonding method, and the gold wire bonding process is performed using a ball boding method.

다음에는, 도 3에 도시된 바와 같이, 봉합 수지(370)로 세라믹 히트 싱크(350)의 하부면과 리드 프레임(310)의 단부만 노출되도록 엔캡슐레이션(encapsulation) 공정을 수행하고, 통상의 트림(trim) 및 포밍(forming) 공정을 수행한다.Next, as shown in FIG. 3, an encapsulation process is performed so that only the bottom surface of the ceramic heat sink 350 and the end of the lead frame 310 are exposed with the sealing resin 370. Trim and forming processes are performed.

도 4는 본 발명에 따른 전력용 모듈 패키지의 또 다른 실시예를 나타내 보인 단면도이다. 본 실시예에 따른 전력용 모듈 패키지는, DBC(Direct Bonding Copper) 기판을 사용하는 점에서, 히트 싱크를 사용한 이전 실시예에 따른 전력용 모듈 패키지들과는 상이하다.Figure 4 is a cross-sectional view showing another embodiment of a power module package according to the present invention. The power module package according to the present embodiment is different from the power module packages according to the previous embodiment using the heat sink in that a direct bonding copper (DBC) substrate is used.

도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 전력용 모듈 패키지(400)는, 리드 프레임(410), 전력 소자(420), 제어 소자(430), DBC 기판(450) 및 봉합 수지(470)를 포함하여 구성된다. 전력 소자(420)는 전력용 회로 칩(421) 및 알루미늄 와이어(422)를 포함한다. 제어 소자(430)은 제어 회로 칩 및 골드 와이어(미도시)를 포함한다. DBC 기판(450)은, 중앙의 세라믹(451)과 이 세라믹(451)의 상부면에 부착된 상부 구리층(452)과 하부면에 부착된 하부 구리층(453)을 포함하여 구성된다. 전력용 회로 칩(421)은 DBC 기판(450)의 상부 구리층(452) 표면 위에 부착된다. DBC 기판(450)의 상부 구리층(452)에는 리드 프레임(410)도 또한 연결된다. 제어 소자(430)는 리드 프레임(410) 위에 부착된다.Referring to FIG. 4, the power module package 400 according to the present embodiment includes a lead frame 410, a power device 420, a control device 430, a DBC substrate 450, and a sealing resin 470. It is configured to include. The power device 420 includes a power circuit chip 421 and an aluminum wire 422. The control element 430 includes a control circuit chip and a gold wire (not shown). The DBC substrate 450 includes a central ceramic 451, an upper copper layer 452 attached to an upper surface of the ceramic 451, and a lower copper layer 453 attached to a lower surface. The power circuit chip 421 is attached over the surface of the upper copper layer 452 of the DBC substrate 450. The lead frame 410 is also connected to the upper copper layer 452 of the DBC substrate 450. The control element 430 is attached over the lead frame 410.

이와 같은 전력용 모듈 패키지(400)는, 열 전도성이 상대적으로 높은 DBC 기판을 사용하므로 향상된 열 방출 능력을 갖는다. Since the power module package 400 uses a DBC substrate having a relatively high thermal conductivity, it has an improved heat dissipation capability.                     

상기 전력용 모듈 패키지(400)를 제조하기 위해서는, 먼저 리드 프레임(410)과 DBC 기판(450)을 부착시킨다. 이 부착 공정은, 솔더 또는 열적 테이프(thermal tape)와 같은 부착제를 사용하거나, 레이저 또는 스팟(spot)을 이용한 웰딩(welding)을 사용하거나, 또는 은(Ag) 또는 은/주석(Sn) 플레이팅을 이용한 열적 압착 방법을 사용하여 수행할 수 있다. 다음에 리드 프레임(410) 위에 칩(421, 430)을 부착시킨다. 이 칩 부착 공정은, 솔더 및 은 에폭시를 이용하여 수행할 수 있다. 전력용 회로 소자(421) 부착에는 솔더를 이용하는데 이 경우, 대략 330-360℃의 온도에서 부착 공정을 수행한다. 제어 소자(430) 부착에는 은 에폭시를 이용하는데 이 경우, 실온(room temperature)에서 부착 공정을 수행한다. 다음에 와이어 본딩 공정을 수행하여 칩들(421, 430)과 리드 프레임(410)을 상호 전기적으로 연결시킨다. 전력용 회로 칩(421)에 대해서는 알루미늄 와이어를 사용하고, 제어 소자(430)에 대해서는 골드 와이어를 사용한다. 다음에 봉합 수지(470)를 사용하여 엔캡슐레이션을 수행하고, 이어서 통상의 트림 및 포밍 공정을 수행한다.In order to manufacture the power module package 400, first, the lead frame 410 and the DBC substrate 450 are attached. This deposition process uses an adhesive such as solder or thermal tape, welding with a laser or spot, or silver (Ag) or silver / tin (Sn) play. It can be carried out using a thermal compression method using a casting. Next, the chips 421 and 430 are attached to the lead frame 410. This chip | tip adhesion process can be performed using a solder and silver epoxy. Solder is used to attach the power circuit element 421. In this case, the attach process is performed at a temperature of approximately 330-360 ° C. Silver epoxy is used to attach the control element 430. In this case, the attachment process is performed at room temperature. Next, the wire bonding process is performed to electrically connect the chips 421 and 430 to the lead frame 410. Aluminum wire is used for the power circuit chip 421 and gold wire is used for the control element 430. Encapsulation is then performed using the suture resin 470, followed by a conventional trimming and forming process.

이상의 설명에서와 같이, 본 발명에 따른 전력용 모듈 패키지 및 그 제조 방법에 의하면 다음과 같은 효과가 있다.As described above, according to the power module package and the manufacturing method according to the present invention has the following effects.

첫째로 히트 싱크가 리드 프레임의 다운셋 배면에 고온 테이프를 통하여 직접 부착되므로, 전력용 모듈 패키지의 동작 중에 발생되는 열을 효과적으로 방출할 수 있어서 전력용 모듈 패키지의 신뢰성이 증대된다. 일 예로, 동일한 조건의 전력용 모듈 패키지에서 히트 싱크의 구조 및 재질을 본 발명과 같이 변경하였을 때, 기존 방식은 전력용 모듈 패키지의 열 전달 특성인 RΘjc(junction case)가 0.19℃/Watt일 때, 본 발명에 다른 전력용 모듈 패키지의 RΘjc는 0.15℃/Watt로서 대략 20-30%의 열 방출 개선 효과가 나타난 것이 확인되었다. 참고로, RΘjc(junction case)는 전력용 회로 칩(121)의 PN 접합에서부터 몰드 라인인 케이스(case) 까지의 온도 차이를 나타내는 지수이다. 마찬가지로 상기 고온 테이프 대신에 고열의 액상 에폭시를 사용하는 경우에도 RΘjc가 0.15℃/Watt로 측정되었다.First, since the heat sink is directly attached to the downset rear surface of the lead frame through the high temperature tape, it is possible to effectively dissipate heat generated during the operation of the power module package, thereby increasing the reliability of the power module package. For example, when the structure and material of the heat sink in the power module package under the same conditions are changed as in the present invention, the conventional method is that RΘ jc (junction case), which is a heat transfer characteristic of the power module package, is 0.19 ° C / Watt. At this time, the RΘ jc of the power module package according to the present invention was 0.15 ° C./Watt, and it was confirmed that the heat dissipation improvement effect was about 20-30%. For reference, RΘ jc (junction case) is an index indicating a temperature difference from a PN junction of the power circuit chip 121 to a case which is a mold line. Similarly, RΘ jc was measured at 0.15 ° C./Watt even when high-temperature liquid epoxy was used instead of the high temperature tape.

둘째로, 동일한 특성을 갖는 봉합 수지를 이용하여 한 번에 전력용 모듈 패키지에 대한 밀봉 공정을 수행함으로써 공정을 단순화시킬 수 있고 공정을 자동화시키기에 유리하다.Secondly, it is possible to simplify the process and to automate the process by performing the sealing process for the power module package at one time using the sealing resin having the same characteristics.

그리고 셋째로, 금속이 아닌 저가의 히트 싱크를 이용하여 전력용 모듈 패키지를 만들고 공정을 단순화함으로써 전력용 모듈 패키지의 제조 단가를 경감시킬 수 있다.And third, it is possible to reduce the manufacturing cost of the power module package by using a low-cost heat sink rather than a metal to create a power module package and simplify the process.

Claims (26)

전력용 회로 부품;Power circuit components; 상기 전력용 회로 부품과 연결되어 상기 전력용 회로 부품 내의 칩들을 제어하기 위한 제어 회로 부품;A control circuit component connected to the power circuit component for controlling chips in the power circuit component; 가장자리에는 외부 연결 단자들이 형성되고 상기 외부 연결 단자들 사이에는 다운셋이 형성되며, 상기 전력용 회로 부품 및 제어 회로 부품이 부착되는 제1 표면 및 열방출 경로로 이용되는 제2 표면을 갖되, 상기 전력용 회로 부품은 상기 다운셋에 부착된 리드 프레임;An external connection terminal is formed at an edge and a downset is formed between the external connection terminals, and has a first surface to which the power circuit component and the control circuit component are attached and a second surface used as a heat dissipation path. The power circuit component includes a lead frame attached to the downset; 상기 리드 프레임의 제2 표면 중 상기 다운셋에 접착제를 통해 밀착되도록 부착된 히트 싱크; 및A heat sink attached to the downset of the second surface of the lead frame to be in close contact with an adhesive; And 상기 전력용 회로 부품, 제어 회로 부품, 리드 프레임 및 히트 싱크를 감싸되, 상기 리드 프레임의 외부 연결 단자 및 상기 히트 싱크의 일면을 노출시키는 봉합 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지.And a sealing resin surrounding the power circuit component, the control circuit component, the lead frame, and the heat sink, and exposing an external connection terminal of the lead frame and one surface of the heat sink. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 전력용 회로 부품은 전력용 회로 칩들 및 상기 전력용 회로 칩들과 상기 리드 프레임을 연결하는 알루미늄 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지.The power circuit component comprises a power circuit chip and a power module package, characterized in that it comprises an aluminum wire connecting the power circuit chips and the lead frame. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 알루미늄 와이어는 250-500㎛의 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지.The aluminum wire is a power module package, characterized in that having a diameter of 250-500㎛. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제어 회로 부품은 제어 회로 칩들 및 상기 제어 회로 칩들과 상기 리드 프레임을 연결하는 골드 와이어를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지.The control circuit component includes a control circuit chip and the power module package, characterized in that it comprises a gold wire connecting the control circuit chips and the lead frame. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 리드 프레임 및 상기 히트 싱크를 부착시키는 접착제는 고온 테이프인 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지.The adhesive for attaching the lead frame and the heat sink is a power module package, characterized in that the high temperature tape. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 고온 테이프는 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 실리콘 산화물(SiO2) 및 베릴늄 산화물(BeO) 중에서 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지.The high temperature tape includes any one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ) and berylnium oxide (BeO). 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 고온 테이프는 10-20㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지.The high temperature tape has a power module package, characterized in that having a thickness of 10-20㎛. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 리드 프레임 및 상기 히트 싱크를 부착시키는 접착제는 고온용 솔더인 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지.The adhesive for attaching the lead frame and the heat sink is a power module package, characterized in that the high temperature solder. 제8항에 있어서,The method of claim 8, 상기 고온용 솔더는 Pb/Sn, Sn/Ag, Pb/Sn/Ag의 금속 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지.The high temperature solder is Pb / Sn, Sn / Ag, Pb / Sn / Ag The power module package, characterized in that made of a metallic material. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 리드 프레임 및 상기 히트 싱크를 부착시키는 접착제는 고열의 액상 에폭시인 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지.The adhesive for attaching the lead frame and the heat sink is a power module package, characterized in that the high-temperature liquid epoxy. 제10항에 있어서,The method of claim 10, 상기 고열의 액상 에폭시의 두께는 3-7㎛인 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지.The module module for power is characterized in that the thickness of the high-temperature liquid epoxy is 3-7㎛. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 히트 싱크는 플라스틱 또는 세라믹을 재질로 만들어진 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지.The heat sink is a power module package, characterized in that made of plastic or ceramic material. 제12항에 있어서,The method of claim 12, 상기 플라스틱 또는 세라믹 재질의 히트 싱크는, 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 실리콘 산화물(SiO2) 및 베릴늄 산화물(BeO) 중에서 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지.The plastic or ceramic heat sink includes any one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ), and berylnium oxide (BeO). Modular package. 제13항에 있어서,The method of claim 13, 상기 플라스틱 또는 세라믹 재질의 히트 싱크는, 1-3㎜의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지.The plastic or ceramic heat sink is a power module package, characterized in that having a thickness of 1-3mm. 가장자리에는 외부 연결 단자들이 형성되고 상기 외부 연결 단자들 사이에는 다운셋이 형성된 리드 프레임을 준비하는 단계;Preparing a lead frame having external connection terminals formed at an edge thereof and having a downset formed between the external connection terminals; 상기 리드 프레임의 제1 표면에 전력용 회로 및 제어 회로 기능을 수행하는 복수개의 칩들을 부착하는 단계;Attaching a plurality of chips to the first surface of the lead frame to perform power circuit and control circuit functions; 와이어 본딩 공정을 수행하여 상기 칩들을 상기 리드 프레임을 통해 상호 연결시키는 단계;Performing a wire bonding process to interconnect the chips through the lead frame; 히트 싱크가 고정된 몰드 장비 내에 상기 와이어 본딩 공정을 끝낸 리드 프레임을 위치시키는 단계;Positioning a lead frame that has completed the wire bonding process in a mold apparatus to which a heat sink is fixed; 상기 리드 프레임의 상기 제1 표면과 반대면인 제2 표면 중 상기 다운셋의 제2 표면에 접착제에 의해 상기 히트 싱크를 밀착하여 부착시키는 단계; 및Attaching the heat sink in close contact with an adhesive to a second surface of the downset, a second surface opposite the first surface of the lead frame; And 상기 히트 싱크가 부착된 리드 프레임을 봉합 수지를 사용하여 봉합하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지의 제조 방법.And suturing the lead frame with the heat sink using a sealing resin. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 와이어 본딩 공정은 웨지 본딩 또는 볼 본딩 기법을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지의 제조 방법.The wire bonding process is a method of manufacturing a power module package, characterized in that performed using the wedge bonding or ball bonding technique. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 와이어 본딩 공정에 알루미늄 와이어 또는 골드 와이어를 사용하되, 상기 알루미늄 와이어는 상기 전력용 회로 기능을 수행하기 위한 칩들에 사용하고, 상기 골드 와이어는 상기 제어 회로 기능을 수행하기 위한 칩들에 사용하는 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지의 제조 방법.Aluminum wire or gold wire is used in the wire bonding process, wherein the aluminum wire is used for chips for performing the power circuit function, and the gold wire is used for chips for performing the control circuit function. The manufacturing method of the power module package made into. 제17항에 있어서,The method of claim 17, 상기 알루미늄 와이어 본딩 공정을 한 후에 상기 골드 와이어 본딩 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지의 제조 방법.And the gold wire bonding process is performed after the aluminum wire bonding process. 제15항에 있어서,The method of claim 15, 상기 접착제는 고온 테이프, 고온용 솔더 또는 고열의 액상 액폭시인 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지의 제조 방법. The adhesive is a method of manufacturing a power module package, characterized in that the hot tape, hot solder or high temperature liquid liquefied. 제19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 고온 테이프는 산화 알루미늄(Al2O3), 질화 알루미늄(AlN), 실리콘 산화물(SiO2) 및 베릴늄 산화물(BeO) 중에서 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지의 제조 방법.The high temperature tape includes any one of aluminum oxide (Al 2 O 3 ), aluminum nitride (AlN), silicon oxide (SiO 2 ) and berylnium oxide (BeO). 제19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 고온 테이프는 10-20㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지의 제조 방법.The high temperature tape has a thickness of 10-20㎛ manufacturing method of a power module package. 제19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 고온 테이프는 열 및 압력에 의한 융해 작용에 의해 상기 리드 프레임 및 상기 히트 싱크를 부착시키는 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지의 제조 방법.And the hot tape attaches the lead frame and the heat sink to each other by a melting action by heat and pressure. 제19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 고온 테이프를 융해시키는 열 및 압력은 각각 160-220℃ 및 30㎏/㎠인 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지의 제조 방법.The heat and pressure for melting the high-temperature tape is 160-220 ° C and 30 kg / ㎠ the manufacturing method of the power module package. 제19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 고열의 액상 에폭시는 3-7㎛의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지의 제조 방법.The high temperature liquid epoxy is a method of manufacturing a power module package, characterized in that having a thickness of 3-7㎛. 제19항에 있어서,The method of claim 19, 상기 고온용 솔더는 Pb/Sn, Sn/Ag, Pb/Sn/Ag의 금속 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 전력용 모듈 패키지의 제조 방법.The high temperature solder is Pb / Sn, Sn / Ag, Pb / Sn / Ag manufacturing method of the power module package, characterized in that made of a metallic material. 삭제delete
KR1020020020779A 2001-06-11 2002-04-17 Power module package improved heat radiating capability and method for manufacturing the same KR100867573B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/167,067 US7061080B2 (en) 2001-06-11 2002-06-10 Power module package having improved heat dissipating capability
US10/974,357 US7208819B2 (en) 2001-06-11 2004-10-26 Power module package having improved heat dissipating capability
US12/565,274 US20100013070A1 (en) 2001-06-11 2009-09-23 Power module package having excellent heat sink emission capability and method for manufacturing the same
US12/730,294 US8890310B2 (en) 2001-06-11 2010-03-24 Power module package having excellent heat sink emission capability and method for manufacturing the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20010032489 2001-06-11
KR1020010032489 2001-06-11

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080050508A Division KR100867575B1 (en) 2001-06-11 2008-05-29 Power module package improved heat radiating capability and method for manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20020095053A KR20020095053A (en) 2002-12-20
KR100867573B1 true KR100867573B1 (en) 2008-11-10

Family

ID=27708532

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020020020779A KR100867573B1 (en) 2001-06-11 2002-04-17 Power module package improved heat radiating capability and method for manufacturing the same
KR1020080050508A KR100867575B1 (en) 2001-06-11 2008-05-29 Power module package improved heat radiating capability and method for manufacturing the same

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080050508A KR100867575B1 (en) 2001-06-11 2008-05-29 Power module package improved heat radiating capability and method for manufacturing the same

Country Status (1)

Country Link
KR (2) KR100867573B1 (en)

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101239117B1 (en) * 2011-04-15 2013-03-06 (주)엔하이앤시 Power semiconductor package and method for fabricating the same
KR102196397B1 (en) 2020-05-13 2020-12-30 제엠제코(주) Metal post and semiconductor including the same and method of fabricating the same
KR102196385B1 (en) 2020-05-04 2020-12-30 제엠제코(주) Semiconductor package
KR20210022271A (en) 2019-08-20 2021-03-03 제엠제코(주) Semiconductor package having exposed heat sink for high thermal conductivity and manufacturing method thereof
KR20210131139A (en) 2020-04-23 2021-11-02 제엠제코(주) Method for fabricating semiconductor having double-sided substrate
KR102341396B1 (en) 2021-05-04 2021-12-21 제엠제코(주) Semiconductor package and metal bridge
KR102405129B1 (en) 2021-05-21 2022-06-07 제엠제코(주) Semiconductor package having exposed heat sink and method for fabricating the same
WO2022164073A1 (en) * 2021-02-01 2022-08-04 박수재 Semiconductor package including bonding wire coated with oxide insulation, electronic system including same, and battery module including same
KR20220167484A (en) 2021-06-14 2022-12-21 제엠제코(주) Clip structure for semiconductor package and semiconductor package including the same
KR20230146183A (en) 2022-04-11 2023-10-19 제엠제코(주) Semiconductor package module having vertical terminal
KR20240110322A (en) 2023-01-06 2024-07-15 제엠제코(주) Semiconductor package
KR20240115549A (en) 2023-01-19 2024-07-26 제엠제코(주) Semiconductor package and method of fabricating the same

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100473414B1 (en) * 2001-08-10 2005-03-09 스테코 주식회사 Smt mounted tab package structure
KR100751890B1 (en) * 2004-08-05 2007-08-23 옵티멈 케어 인터내셔널 테크 인코포레이티드 The manufacturing method for a modularized leadframe
KR101489325B1 (en) 2007-03-12 2015-02-06 페어차일드코리아반도체 주식회사 Power module with stacked flip-chip and method of fabricating the same power module
EP2680305A3 (en) 2012-06-29 2014-02-26 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd Semiconductor package
KR101963271B1 (en) 2014-01-28 2019-07-31 삼성전기주식회사 Power module package and the method of manufacturing thereof
KR20150090616A (en) 2014-01-29 2015-08-06 삼성전기주식회사 Leadless package type power semiconductor module
KR20200059399A (en) 2018-11-21 2020-05-29 정건우 Tumbler with adjustable length
KR20200098131A (en) 2019-02-12 2020-08-20 동명대학교산학협력단 height-adjustable threaded tumbler
CN115206958B (en) * 2022-09-16 2022-12-30 四川奥库科技有限公司 IPM packaging system and method based on DBC/DPC substrate and lead frame

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5057906A (en) * 1989-05-22 1991-10-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Plastic molded type semiconductor device
US5466969A (en) * 1991-11-07 1995-11-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Intelligent power device module
US5703399A (en) * 1995-11-15 1997-12-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor power module
JPH10135380A (en) * 1996-10-31 1998-05-22 Hitachi Ltd Semiconductor device

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19522172C1 (en) 1995-06-19 1996-11-21 Siemens Ag Power semiconductor module with pins
JP3429921B2 (en) 1995-10-26 2003-07-28 三菱電機株式会社 Semiconductor device
US5710695A (en) 1995-11-07 1998-01-20 Vlsi Technology, Inc. Leadframe ball grid array package

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5057906A (en) * 1989-05-22 1991-10-15 Kabushiki Kaisha Toshiba Plastic molded type semiconductor device
US5466969A (en) * 1991-11-07 1995-11-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Intelligent power device module
US5703399A (en) * 1995-11-15 1997-12-30 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor power module
JPH10135380A (en) * 1996-10-31 1998-05-22 Hitachi Ltd Semiconductor device

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101239117B1 (en) * 2011-04-15 2013-03-06 (주)엔하이앤시 Power semiconductor package and method for fabricating the same
KR20210022271A (en) 2019-08-20 2021-03-03 제엠제코(주) Semiconductor package having exposed heat sink for high thermal conductivity and manufacturing method thereof
KR102231769B1 (en) 2019-08-20 2021-04-01 제엠제코(주) Semiconductor package having exposed heat sink for high thermal conductivity and manufacturing method thereof
US11127663B2 (en) 2019-08-20 2021-09-21 Jmj Korea Co., Ltd. Semiconductor package having exposed heat sink for high thermal conductivity
KR20210131139A (en) 2020-04-23 2021-11-02 제엠제코(주) Method for fabricating semiconductor having double-sided substrate
US11631627B2 (en) 2020-04-23 2023-04-18 Jmj Korea Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor having double-sided substrate
KR102196385B1 (en) 2020-05-04 2020-12-30 제엠제코(주) Semiconductor package
US11798864B2 (en) 2020-05-13 2023-10-24 Jmj Korea Co., Ltd. Semiconductor package with metal post having non-vertical structure
KR102196397B1 (en) 2020-05-13 2020-12-30 제엠제코(주) Metal post and semiconductor including the same and method of fabricating the same
WO2022164073A1 (en) * 2021-02-01 2022-08-04 박수재 Semiconductor package including bonding wire coated with oxide insulation, electronic system including same, and battery module including same
KR102341396B1 (en) 2021-05-04 2021-12-21 제엠제코(주) Semiconductor package and metal bridge
US11908824B2 (en) 2021-05-04 2024-02-20 Jmj Korea Co., Ltd. Semiconductor package, method of manufacturing the same and metal bridge applied to the semiconductor package
KR102405129B1 (en) 2021-05-21 2022-06-07 제엠제코(주) Semiconductor package having exposed heat sink and method for fabricating the same
KR20220167484A (en) 2021-06-14 2022-12-21 제엠제코(주) Clip structure for semiconductor package and semiconductor package including the same
KR20230146183A (en) 2022-04-11 2023-10-19 제엠제코(주) Semiconductor package module having vertical terminal
KR20240110322A (en) 2023-01-06 2024-07-15 제엠제코(주) Semiconductor package
KR20240115549A (en) 2023-01-19 2024-07-26 제엠제코(주) Semiconductor package and method of fabricating the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR100867575B1 (en) 2008-11-10
KR20020095053A (en) 2002-12-20
KR20080064771A (en) 2008-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100867575B1 (en) Power module package improved heat radiating capability and method for manufacturing the same
US7208819B2 (en) Power module package having improved heat dissipating capability
KR100370231B1 (en) Power module package having a insulator type heat sink attached a backside of leadframe & manufacturing method thereof
US8890310B2 (en) Power module package having excellent heat sink emission capability and method for manufacturing the same
KR100342589B1 (en) Semiconductor power modules and methods for manufacturing the same
JP3027512B2 (en) Power MOSFET
US5710695A (en) Leadframe ball grid array package
US7598603B2 (en) Electronic component having a power switch with an anode thereof mounted on a die attach region of a heat sink
WO1994005038A1 (en) Metal electronic package incorporating a multi-chip module
JP2982126B2 (en) Semiconductor device and manufacturing method thereof
JP3685659B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
US6876067B2 (en) Semiconductor device
WO2019116910A1 (en) Semiconductor device and method for producing semiconductor device
JP3243920B2 (en) Semiconductor device
JPH07176664A (en) Semiconductor device and fabrication thereof
JP3314574B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device
KR101008534B1 (en) Power semiconductor mudule package and method for fabricating the same
JP3680812B2 (en) Manufacturing method of resin-encapsulated semiconductor device
JP3446829B2 (en) Semiconductor device
JP3614386B2 (en) Power MOSFET
JP3995661B2 (en) Method for manufacturing power MOSFET
KR20210131139A (en) Method for fabricating semiconductor having double-sided substrate
JP2002124614A (en) Power mosfet
JP2002124613A (en) Method for manufacturing power mosfet
JP2005050950A (en) Hollow package and semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121022

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130917

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140925

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151014

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160927

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181031

Year of fee payment: 11