KR100864432B1 - 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버 및 그를 이용한반도체 소자 제조방법 - Google Patents

반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버 및 그를 이용한반도체 소자 제조방법 Download PDF

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박용근
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Abstract

본 발명은 반도체 소자를 테스트 조건에 상응하는 온도로 조절하기 위한 유체의 온도를 조절하는 온도조성부; 상기 온도조성부에 유체를 공급하는 송풍부; 상기 온도조성부로부터 온도가 조절된 유체를 공급받아, 상기 반도체 소자에 제공하는 공급부; 및 테스트장치에 결합되는 테스트연결부를 포함하는 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버 및 그를 이용한 반도체 소자 제조방법에 관한 것으로서,
본 발명에 따르면, 반도체 소자를 테스트 조건에 상응하는 온도로 조절하여 테스트를 수행함으로써, 테스트의 정확성을 향상시킬 수 있고, 그에 따라 테스트 과정에서 발생될 수 있는 오류를 줄임으로써 향상된 품질을 갖춘 반도체 소자를 제조할 수 있다.
반도체, 챔버, 테스트

Description

반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버 및 그를 이용한 반도체 소자 제조방법{Chamber for Semiconductor Temperature Control and method of manufacturing semiconductor using the same}
도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버의 사시도
도 2는 도 1의 개략적인 A-A 단면도
도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버의 분해사시도
도 4는 본 발명의 배출부를 도시한 평면도
도 5는 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버의 저면 사시도
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*
1 : 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버 2 : 송풍부 3 : 온도조성부
4 : 공급부 5 : 회수부 6 : 테스트연결부 7 : 덮개부 8 : 테스트장치
21 : 송풍유닛 22 : 동력원 23 : 회수공 31 : 연결공 32 : 공급공
33 : 유로형성부 41 : 유입구 42 : 배출부 51 : 유량조절부 52 : 탄성부
61 : 결합부 62 : 밀봉구 71 : 잠금장치 211 : 회전날개 212 : 회전축
331 : 곡면체 421 : 배출공 511 : 유량조절공
본 발명은 온도 조절용 챔버에 관한 것으로서, 상세하게는 반도체 소자에 대한 테스트시 테스트 온도를 조절할 수 있는 테스트 온도 조절용 챔버에 관한 것이다.
일반적으로, 메모리 혹은 비메모리 반도체 소자 및 이들을 적절히 하나의 기판상에 회로적으로 구성한 모듈 아이씨 등(이하, '반도체 소자'라 함)은 여러가지 테스트 과정을 거쳐 개발된다.
우선 반도체 소자를 제조하고, 수요자가 요구하는 사양에 부합하는 특성을 갖추었는지 여부를 테스트하며, 테스트 과정에서 발견되는 오류를 수정, 개량함으로써 새로운 반도체 소자를 개발 및 제조하는 것이다.
상기와 같은 테스트를 거친 결과, 반도체 소자가 일정한 성능을 갖춘 것으로 판별되면, 해당 반도체 소자를 대량생산(Mass Production)하게 된다.
대량생산 공정을 통해 제조되는 다량의 반도체 소자들은 균일한 성능을 가지도록 제조되는 것이 바람직하나, 실질적으로는 각각 상이한 성능으로 제조될 수밖에 없다. 즉, 반도체 소자들 중 일부는 불량품으로 제조될 수도 있고, 양품이더라도 성능에 따라 상이한 품질을 갖춘 반도체 소자로 제조될 수 있다.
따라서, 대량생산 공정을 통해 제조된 반도체 소자들은 일정한 조건 하에서 테스트 공정, 및 테스트 결과에 따른 분류 공정을 거쳐야 한다. 이러한 일정한 조건을 부여하기 위한 것으로서 테스트 소프트웨어가 사용되고, 이는 상술한 반도체 소자를 개발하는 단계에서 함께 개발되어, 테스트 공정 및 분류 공정에 적용된다.
또한, 이미 개발 완료된 반도체 소자라 하더라도 품질관리(Quality Control) 목적으로 샘플 테스트를 수행할 수 있다. 이는 더 향상된 기능 및 사양을 갖춘 반도체 소자로 개량하여, 경쟁력을 확보하기 위해 필요한 과정이다
여기서, 반도체 소자는 사용환경에 따라 상온에서만 사용될 수 있으나, 고온 또는 저온의 극한 상태에서 사용될 수 있다.
따라서, 상온 조건에서만 테스트하여 정상적으로 작동되는 것으로 판별된 경우라도, 실제 사용시 사용환경에 따라 오작동되는 경우가 발생할 수 있다. 이 경우 이미 대량생산되어 판매된 반도체 소자들의 품질에 대한 수요자의 신뢰가 떨어지게 되고, 시간 및 비용을 투자하여 새로운 반도체 소자를 개발한 의미가 퇴색된다.
따라서, 상기와 같은 테스트 또한, 상온 상태에서의 테스트 뿐만 아니라, 고온 또는 저온의 극한 상태에서도 이루어져야 한다. 즉, 반도체 소자가 실제로 사용되는 환경에 상응하는 조건을 부여하여 테스트를 수행할 수 있는 장치의 개발이 시급한 실정이다.
본 발명은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하고자 안출된 것으로서,
본 발명의 목적은 반도체 소자의 실제 사용환경에 상응하는 조건으로 테스트를 수행할 수 있도록 구현하여, 더 정확한 테스트를 수행할 수 있는 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버 및 그를 이용한 반도체 소자 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해서, 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버 및 그를 이용한 반도체 소자 제조방법은 하기와 같은 구성을 포함한다.
본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버는 반도체 소자를 테스트 조건에 상응하는 온도로 조절하기 위한 유체의 온도를 조절하는 온도조성부; 상기 온도조성부에 유체를 공급하는 송풍부; 상기 온도조성부로부터 온도가 조절된 유체를 공급받아, 상기 반도체 소자에 제공하는 공급부; 및 테스트장치에 결합되는 테스트연결부를 포함한다.
본 발명에 따른 반도체 소자 제조방법은 반도체 소자를 준비하는 단계; 상기 준비된 반도체 소자를 테스트장치의 콘택소켓에 접속시키고, 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버를 이용하여 상기 반도체 소자를 테스트 조건에 상응하는 온도로 조절하는 단계; 및 상기 반도체 소자를 테스트하는 단계를 포함한다.
따라서, 온도조성부에 의해 반도체 소자를 테스트 조건에 상응하는 온도로 조절하여 테스트를 수행함으로써, 더 정확한 테스트를 수행할 수 있다. 또한, 테스트 과정에서 발생될 수 있는 오류를 줄임으로써 실제 사용시 오작동을 최소화할 수 있는 반도체 소자를 제조할 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버의 구성에 대한 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버의 사시도, 도 2는 도 1의 개략적인 A-A 단면도, 도 3은 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버의 분해사시도, 도 4는 본 발명의 배출부를 도시한 평면도, 도 5는 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버의 저면 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버(1)는 송풍부(2), 온도조성부(3), 공급부(4), 회수부(5), 테스트연결부(6), 및 덮개부(7)를 포함한다.
상기 송풍부(2)는 유체를 상기 온도조성부(3)로 공급하고, 상기 회수부(5)로부터 유체를 공급받으며, 송풍유닛(21), 동력원(22), 및 회수공(23)을 포함한다.
상기 송풍유닛(21)은 복수개의 회전날개(211)를 포함하여, 상기 회전날개(211)가 회전축(212)을 중심으로 회전하면서, 상기 회수부(5)로부터 유체를 흡입하고, 흡입된 유체를 상기 온도조성부(3)로 공급한다.
이 경우, 흡입되는 유체는 상기 공급부(4)를 통해 배출되어 반도체 소자의 온도를 조절하고 난 후의 유체가 포함될 수 있다. 이러한 유체는 반도체 소자의 온도를 조절하면서 온도가 변화되었더라도, 온도조성부(3)에 의해 이미 온도가 조절되었던 유체이므로, 상대적으로 온도 조절이 용이하다.
따라서, 이미 온도가 조절되었던 유체를 회수하여 이용함으로써, 더 효율적인 테스트 온도 조절이 가능하다.
상기 동력원(22)은 회전축(212)에 결합되어, 상기 회전축(212)을 통해 상기 회전날개(211)를 회전시키며, 모터가 사용될 수 있다.
상기 회수공(23)은 회수부(5)로부터 유체를 공급받는 통로로서, 상기 송풍부(2)의 저면에 형성되는 것이 바람직하다.
도 2 및 도 3을 참고하면, 상기 온도조성부(3)는 송풍부(2)로부터 유체를 공급받고, 공급받은 유체를 소정의 온도로 가열 또는 냉각하며, 연결공(31), 공급공(32), 및 유로형성부(33)를 포함한다.
한편, 상기 유체는 반도체 소자를 테스트 조건에 상응하는 온도(이하, '테스트 온도'라 함)로 조절할 수 있는 온도로 가열 또는 냉각되는 것이 바람직하다. 또한, 상기 온도조성부(3)는 전열히터 또는 액화질소분사시스템 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하여 이루어지는 것이 바람직하다.
상기 연결공(31)은 송풍부(2) 및 온도조성부(3) 상호간을 연통시키고, 상기 송풍부(2)로부터 유체를 공급받는 유로이다. 또한, 상기 연결공(31)은 송풍부(2) 및 온도조성부(3)가 동일 수평선상에서 인접되게 형성되는 경우(도 2에 도시됨), 양 구성 상호간을 구획하는 측벽(A, 도 3에 도시됨)에 형성되는 것이 바람직하다.
상기 공급공(32)은 온도조성부(3)의 저면에 형성되는 관통공이고, 상기 온도조성부(3) 및 공급부(4)를 연통시켜 유체가 이동할 수 있도록 한다.
또한, 상기 공급공(32)은 온도조성부(3)의 저면 중앙에 형성되고, 상기 연결공(31)이 형성되지 않은 측벽(A, 도 3에 도시됨)에 근접되게 형성되는 것이 바람직하다. 따라서, 유체가 충분한 온도로 조절된 후에 상기 공급공(32)으로 배출되도록 할 수 있다.
상기 유로형성부(33)는 연결공(31)을 통해 공급되는 유체의 순환을 유도하고, 그에 따라 유체가 순환하면서 가열 또는 냉각된 후에 상기 공급공(32)을 통해 상기 공급부(4)로 이동하도록 한다.
또한, 상기 유로형성부(33)는 유체의 순환을 유도하기 위한 곡면체(331)를 포함하여 이루어지고, 상기 온도조성부(3)의 외측을 따라 복수개(33a, 33b, 33c)가 구비되는 것이 바람직하다.
한편, 상기 송풍부(2) 및 온도조성부(3)는 회수부(5)의 내측에 결합되는데, 바람직하게는 상기 회수부(5)와의 결합면 사이로 유체가 누설되는 것을 방지할 수있도록 밀착되게 결합된다.
또한, 상기 송풍부(2) 및 온도조성부(3)는 회수부(5)의 내측에 밀착되게 결합되는 플레이트(B)상에서 측벽(A)에 의해 구획되어 형성되는 것이 바람직하다. 이경우, 상기 플레이트(B)는 송풍부(2) 및 온도조성부(3)의 저면으로 형성되고, 상기 회수공(23) 및 공급공(32)이 형성된다.
상기 공급부(4)는 온도조성부(3)로부터 온도가 조절된 유체를 공급받고, 공급받은 유체를 반도체 소자에 제공하며, 유입구(41) 및 배출부(42)를 포함한다.
또한, 상기 공급부(4)는 회수부(5) 내측에 수용되고, 상기 공급부(4)의 외면이 회수부(5)의 내측으로부터 일정 거리 이격되도록 상기 회수부(5)보다 작은 크기로 형성되는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 공급부(4)는 그 외면 및 상기 회수부(5)의 내측 사이를 회수공간(C)으로 규정하면서 형성되고, 상기 회수공간(C)을 통해 유체가 이동할 수 있도록 한다.
한편, 상기 공급부(4)는 바람직하게는, 중공의 직방체(4a)와, 상기 직방체(4a)의 외면으로부터 점감되면서 일정 길이 연장되어 형성되는 중공의 사다리꼴입방체(4b)가 결합된 형태로 형성될 수 있다. 이는 유체가 용이하게 이동할 수 있 도록 더 큰 회수공간(C)을 확보하기 위함이다.
상기 유입구(41)는 온도조성부(3)로부터 온도가 조절된 유체를 공급받는 통로이고, 상기 공급공(32)과 연통되게 연결된다. 한편, 상기 유입구(41)는 바람직하게는, 상기 사다리꼴입방체(4b)의 일측에서 돌출되면서 중공의 원통형상으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 유입구(41)는 온도조성부(3)의 저면 중앙에 형성되는 상기 공급공(32)과 대략 일치하는 위치에 형성되는 것이 바람직하다.
도 3 및 도 4를 참고하면, 상기 배출부(42)는 공급부(4)의 내측에 밀착되게 결합되고, 상기 유입구(41)로부터 공급되는 유체를 복수개의 반도체 소자에 나누어 제공하며, 배출공(421)을 포함한다.
상기 배출공(421)은 유체가 상기 반도체 소자로 이동하는 통로이고, 일정 간격으로 이격되어 복수개가 형성되며, 그에 따라 유체가 복수개의 반도체 소자에 나누어 공급될 수 있도록 한다.
또한, 상기 배출공(421)은 각 반도체 소자들에 균일한 유량의 유체가 공급될 수 있도록 동일한 간격으로 이격되면서 복수개가 형성되는 것이 바람직하다.
한편, 상기 배출공(421) 중에서 상기 유입구(41) 및 공급공(32)과 동일선상 영역(D)에 형성되는 배출공(421)은 다른 영역에 형성된 배출공(421)보다 작은 크기로 형성되는 것이 바람직하다.
이는 상기 영역(D)에 형성되는 배출공(421)은 유입구(41)로부터 공급되는 유체를 가장 짧은 이동거리로 전달받기 때문에, 다른 영역에 형성되는 배출공(421)보다 상대적으로 큰 유량의 유체가 통과될 수 있다. 이에 따라, 상기 영역(D)에 형성 되는 배출공(421)에 의해 온도가 조절되는 반도체 소자는 더 큰 온도범위로 조절될 수 있다. 따라서, 이를 방지하기 위해 상기 영역(D)에 형성되는 배출공(421)의 크기를 다른 영역에 형성되는 배출공(421)보다 작게 형성하는 것이다.
또한, 상기 영역(D)은 배출부(42)의 중앙이며, 상기 유입구(41) 및 공급공(32)과 동일선상에 형성되는 것이 바람직하다. 이는 상기 유입구(41)를 통해 공급되는 유체가 상기 배출부(42)의 외측영역(E)에 고르게 전달되도록 하기 위함이다.
따라서, 상기 배출부(42)의 외측영역(E)에 배치되는 반도체 소자의 온도를 용이하게 조절할 수 있으며, 그에 따라 반도체 소자를 전체적으로 균일하게 테스트 온도로 조절할 수 있다.
도 2, 도 3, 및 도 5를 참고하면, 상기 회수부(5)는 공급부(4)에서 배출되는 유체가 상기 송풍부(2)로 공급되는 유로인 회수공간(C)을 가지며, 유량조절부(51) 및 탄성부(52)를 포함한다.
또한, 상기 회수부(5)는 전체적으로 일측이 개방된 직방체 형상으로 형성되고, 내측에 상기 송풍부(2), 온도조성부(3), 및 공급부(4)를 수용한다. 이 경우 상기 송풍부(2) 및 온도조성부(3)는 회수부(5)의 내측에 밀착되게 결합되고, 상기 공급부(4)는 회수부(5)의 내측으로부터 일정 거리 이격되게 형성된다.
한편, 상기 회수공간(C)은 공급부(4)의 내측 및 송풍부(2)의 회수공(23)과 연통되며, 그에 따라 공급부(4)로부터 배출되는 유체가 상기 송풍유닛(21)에 의해 흡입되어 상기 회수공(23)으로 공급되도록 한다.
상기 유량조절부(51)는 회수공간(C)의 개방 정도를 조절하고, 그에 따라 상기 공급부(4)의 내측에 온도가 조절된 유체가 머무르는 시간을 제어함으로써 반도체 소자의 온도를 조절한다. 바람직하게는, 상기 공급부(4)의 내측 및 회수공간(C)이 연통되는 영역, 즉 공급부(4) 및 테스트장치(8)가 이격되는 거리를 조절함으로써, 회수공간(C)의 개방 정도를 조절할 수 있다. 또한, 상기 유량조절부(51)는 공급부(4)의 내측 또는 외측에 결합될 수 있다.
한편, 상기 유량조절부(51)는 유량조절공(511)을 포함하여 이루어질 수 있고, 상기 유량조절공(511)을 통해 상기 공급부(4)에 이동 가능하게 결합될 수 있다. 이 경우, 상기 유량조절공(511)은 유량조절부(51)가 이동 가능한 방향으로 장공형태로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 유량조절부(51)는 복수개가 구비될 수 있고, 상기 공급부(4)에 각각 개별적으로 이동 가능하게 결합된다. 이에 따라, 상기 복수개의 유량조절부(51)는 공급부(4)에 결합되는 위치별로 회수공간(C)의 개방 정도를 조절할 수 있다.
따라서, 상기 유량조절부(51)는 복수개의 반도체 소자가 부분적으로 온도 차이가 발생한 경우에도, 위치별로 회수공간(C)의 개방 정도를 조절함으로써, 반도체 소자를 전체적으로 균일하게 테스트 온도로 조절할 수 있다.
도 1 내지 도 3을 참고하면, 상기 탄성부(52)는 일측은 상기 회수부(5)가 밀착되게 결합되고, 타측은 테스트시 상기 테스트연결부(6)에 밀착되도록 결합된다. 그에 따라 반도체 소자의 테스트가 이루어지는 공간을 밀폐시킴으로써 열손실을 방 지할 수 있을 뿐만 아니라, 반도체 소자를 테스트 온도로 용이하게 조절할 수 있다.
상기 테스트연결부(6)는 테스트장치(8)에 결합되고, 테스트시 상기 탄성부(52)가 밀착되며, 결합부(61) 및 밀봉구(62)를 포함한다.
상기 결합부(61)는 테스트장치(8) 및 테스트연결부(6)의 밀착 정도를 조절할 수 있고, 그에 따라 반도체 소자의 테스트가 이루어지는 공간을 밀폐시키는 정도를 조절할 수 있다.
또한, 상기 결합부(61)는 테스트장치(8)와의 결합 정도를 조절할 수 있도록 제1고정부(611), 체결구(612), 및 제2고정부(613)를 포함하여 이루질 수 있다.
상기 제1고정부(611)는 테스트연결부(6)에 고정되고, 상기 제2고정부(613)는 체결구(612)를 통해 상기 제1고정부(611)로부터 일정 거리 이격되어 연결되며, 테스트장치(8)는 테스트연결부(6) 및 제2고정부(613) 사이에 게재된다.
이 상태에서, 상기 체결구(612)가 체결됨에 따라 상기 제1고정부(611) 및 제2고정부(613)의 이격 거리가 짧아지면서 테스트연결부(6) 및 테스트장치(8)가 강하게 밀착된다. 즉, 상기 체결구(612)의 체결 정도에 따라 상기 테스트연결부(6) 및 테스트장치(8)의 밀착 정도를 조절할 수 있다.
상기 밀봉구(62)는 테스트연결부(6)가 상기 탄성부(52)와 밀착되는 일면에 형성되고, 그에 따라 상기 테스트연결부(6) 및 탄성부(52) 사이에서 유체가 누설되는 것을 방지한다. 상기 밀봉구(62)는 바람직하게는 오링이 사용될 수 있으며, 복수개가 구비될 수 있다.
상기 덮개부(7)는 테스트연결부(6)에 개폐 가능하게 결합되고, 바람직하게는 상기 테스트연결부(6)에 힌지 결합되며, 잠금장치(71)를 포함한다. 또한, 상기 덮개부(7)는 회수부(5)의 탄성부(52)를 가압할 수 있도록 형성된다.
한편, 상기 덮개부(7)는 회수부(5)가 결합되고, 바람직하게는 개폐시 상기 회수부(5)가 함께 이동하도록 결합된다.
이에 따라, 사용자는 복수개의 반도체 소자에 대한 테스트가 완료되면, 상기 테스트장치(8)와의 결합을 해제하지 않고 상기 덮개부(7)를 개방시킨 후에, 다른 반도체 소자들을 테스트장치(8)에 접속시켜 테스트를 수행할 수 있다. 따라서, 사용자는 반도체 소자를 용이하게 교체하면서 테스트를 수행할 수 있다.
또한, 상기 덮개부(7)는 테스트연결부(6)와 가스스프링 또는 공기스프링으로 연결되어, 개폐시 용이함을 구현할 수 있다.
상기 잠금장치(71)는 탄성부(52) 및 테스트연결부(6)의 밀착력을 보조하는 구성으로서, 잠금시 상기 덮개부(7)가 탄성부(52)를 가압하도록 하여 상기 탄성부(52) 및 테스트연결부(6)를 강하게 밀착시킨다. 따라서, 상기 탄성부(52) 및 테스트연결부(6) 사이에서 유체가 누설되는 것을 완벽하게 차단할 수 있다.
한편, 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버(1)는, 도시되지는 않았지만, 센서부 및 제어부를 더 포함할 수 있다.
상기 센서부는 반도체 소자가 테스트 온도로 조절되었는지 여부를 감지하고, 바람직하게는 온도센서가 사용될 수 있다. 또한, 상기 센서부는 반도체 소자를 직접 센싱하거나, 회수공간(C)에 설치되어 반도체 소자의 온도를 조절한 후에 회수되 는 유체의 온도를 센싱할 수도 있는 등 다양한 방식에 의해 반도체 소자가 테스트 온도로 조절되었는지를 감지할 수 있다.
한편, 상기 센서부는 온도조성부(3)에 추가로 설치될 수도 있으며, 바람직하게는 공급공(32)에 근접하게 설치되어 유체의 온도가 조절된 정도를 센싱할 수 있다.
상기 제어부는 센서부로부터 온도정보를 수신하여, 상기 유량조절부(51)를 통해 회수공간(C)의 개방 정도를 조절함으로써, 반도체 소자의 온도를 조절한다. 이 경우 유량조절부(51)가 복수개가 구비되면, 상기 제어부는 유량조절부(51)를 개별적으로 제어하여 위치별로 반도체 소자의 온도를 조절할 수 있도록 한다.
이하에서는 본 발명에 따른 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버의 작동관계에 대한 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 3을 참고하여 유체의 흐름에 따라 작동관계를 설명하면(화살표는 유체의 이동방향을 개략적으로 표시한 것임), 동력원(22)에 전원이 인가됨에 따라 상기 송풍유닛(21)이 작동하게 된다.
상기 송풍유닛(21)이 작동하면, 유체는 상기 회수공(23)을 통해 상기 송풍부(2)로 흡입된다. 이 경우, 상기 회수공(23)을 통해 흡입되는 유체는 상기 공급부(4)에서 배출되어 반도체 소자의 온도를 조절하고 난 후의 유체가 포함될 수 있다. 따라서, 이미 온도가 조절되었던 유체를 회수하여 이용함으로써, 더 효율적인 테스트 온도 조절이 가능하다.
흡입된 유체는 상기 송풍유닛(21)에 의해 상기 연결공(31)을 거쳐 상기 온도 조성부(3)로 이동한다.
상기 온도조성부(3)로 공급된 유체는 유로형성부(33)에 유도되어 순환하면서 가열 또는 냉각되어 온도가 조절된다.
온도가 조절된 유체는 상기 공급공(32) 및 유입구(41)를 거쳐 공급부(4)로 이동하고, 배출부(42)의 배출공(421)을 통해 나뉘면서, 반도체 소자로 이동한다.
반도체 소자로 이동한 유체는 반도체 소자의 온도를 조절한 후에, 회수공간(C)으로 이동한다. 이 경우, 상기 유량조절부(51)에 의해 회수공간(C)의 개방 정도를 조절함으로써, 유체가 반도체 소자의 온도를 조절하는 시간을 제어할 수 있고, 그에 따라 반도체 소자의 정확한 온도 조절이 가능하다.
반도체 소자의 온도를 조절한 후 회수공간(C)으로 이동한 유체는 상기 송풍장치(21)에 의해 흡입되어 상기 송풍부(2)로 이동한다.
상기와 같은 과정을 통해 반도체 소자를 전체적으로 균일하게 테스트 온도로 조절할 수 있다.
이하에서는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조방법에 대한 바람직한 실시예를 상세히 설명한다.
우선, 반도체 소자를 준비한다. 상기 반도체 소자는 메모리 또는 비메모리 반도체 소자, 모듈아이씨 등을 포함한다. 또한, 상기 반도체 소자는 새로운 반도체 소자의 개발단계에서 제조된 것일 수 있고, 품질관리 목적으로 제조된 샘플일 수도 있다.
다음, 준비된 반도체 소자를, 도 3에 도시된 바와 같은 테스트장치(8)의 콘 택소켓(81)에 접속시키고, 상술한 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버(1)를 이용하여 상기 반도체 소자를 테스트 조건에 상응하는 온도로 조절한다. 이 공정은, 도 3에서 알 수 있듯이, 복수개의 반도체 소자에 대하여 이루어질 수 있다.
다음, 반도체 소자를 테스트한다. 이 공정은 콘택소켓(81)에 접속된 복수개의 반도체 소자가 전체적으로 균일하게 테스트 온도로 조절된 후에 이루어지는 것이 바람직하다.
이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
본 발명은 앞서 본 구성 및 작동관계에 의해 다음과 같은 효과를 도모할 수 있다.
본 발명은 반도체 소자를 테스트 조건에 상응하는 온도로 조절하여 테스트를 수행함으로써, 테스트의 정확성을 향상시킬 수 있고, 그에 따라 테스트 과정에서 발생될 수 있는 오류를 줄임으로써 향상된 품질을 갖춘 반도체 소자를 제조할 수 있는 효과를 가진다.
본 발명은 반도체 소자의 온도를 조절하고 난 후의 유체를 회수하여, 다시 반도체 소자의 온도를 조절하는데 이용함으로써, 테스트 온도 조절의 효율성을 향상시킬 수 있는 효과를 이룰 수 있다.
본 발명은 반도체 소자들의 온도 조절시 부분적으로 온도 차이가 발생한 경우에도, 위치별로 유체의 유량을 조절함으로써 반도체 소자를 전체적으로 균일하게 테스트 온도로 조절할 수 있어 테스트의 정확성을 향상시킬 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명은 반도체 소자에 대한 테스트가 완료되면, 테스트장치와의 결합을 해제함이 없이, 테스트할 다음 반도체 소자들로 용이하게 교체할 수 있도록 구현함으로써, 테스트 작업의 편리함 및 효율성을 향상시킬 수 있는 효과를 도모할 수 있다.
본 발명은 테스트장치 및 각 구성간의 결합면 사이로 온도가 조절된 유체가 누설되는 것을 방지함으로써, 열손실을 최소화할 수 있고, 그에 따라 반도체 소자를 테스트 온도로 용이하게 조절할 수 있는 효과를 가진다.

Claims (15)

  1. 반도체 소자를 테스트 조건에 상응하는 온도로 조절하기 위한 유체의 온도를 조절하는 온도조성부;
    상기 온도조성부에 유체를 공급하는 송풍부;
    상기 온도조성부로부터 온도가 조절된 유체를 공급받아, 상기 반도체 소자에 제공하는 공급부; 및
    테스트장치에 결합되는 테스트연결부를 포함하고;
    상기 공급부는 복수개의 반도체 소자들에 온도가 조절된 유체를 나누어 제공하는 배출부를 포함하되, 상기 배출부는 복수개의 배출공을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버는
    상기 공급부에서 배출되는 유체가 상기 송풍부로 공급되는 회수공간을 가지는 회수부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 송풍부 및 상기 온도조성부는 상기 회수부의 내측에 밀착되게 결합되고;
    상기 공급부는 상기 회수부의 내측으로부터 일정 거리 이격되게 형성되어 회수공간을 규정하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 송풍부는 상기 회수공간으로부터 유체를 흡입하고, 흡입된 유체를 상기 온도조성부로 공급하는 송풍유닛을 포함하며;
    상기 온도조성부는 상기 송풍부로부터 공급받은 유체의 순환을 유도하는 유로형성부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버.
  5. 제 2 항에 있어서, 상기 회수부는 상기 회수공간의 개방 정도를 조절하는 유량조절부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 유량조절부는 장공형태로 형성되는 유량조절공을 포함하여서, 상기 유량조절공을 통해 상기 공급부에 이동 가능하게 결합되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버는
    반도체 소자가 테스트 조건에 상응하는 온도로 조절되었는지 감지하는 센서부; 및
    상기 센서부로부터 온도정보를 수신하여, 상기 유량조절부를 통해 상기 회수공간의 개방 정도를 조절하는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 유량조절부는 복수개가 구비되고;
    상기 제어부는 상기 복수개가 구비되는 유량조절부를 개별적으로 제어하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버.
  9. 삭제
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 배출공은 동일한 간격으로 이격되어 복수개가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버.
  11. 제 1 항에 있어서, 상기 공급부는 상기 온도조성부로부터 온도가 조절된 유체를 공급받는 유입구를 포함하고;
    상기 배출공 중에서 상기 유입구와 동일선상에 형성되는 배출공은 다른 배출공보다 작은 크기로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 유입구는 상기 배출부의 중앙과 동일선상에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버.
  13. 제 2 항에 있어서, 상기 회수부는 테스트시 상기 테스트연결부에 밀착되는 탄성부를 포함하고;
    상기 테스트연결부는 테스트장치와의 밀착 정도를 조절할 수 있는 결합부를 포함하며;
    상기 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버는 상기 회수부가 결합되고, 상기 테스트연결부에 개폐 가능하게 결합되는 덮개부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버.
  14. 제 13 항에 있어서, 상기 덮개부는 상기 테스트연결부에 결합되는 잠금장치를 포함하여서, 테스트시 상기 탄성부를 가압하여 상기 탄성부 및 테스트연결부를 밀착시키고;
    상기 테스트연결부는 상기 탄성부와의 밀착면 사이에 게재되는 밀봉구를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 테스트 온도 조절용 챔버.
  15. 반도체 소자를 준비하는 단계;
    상기 준비된 반도체 소자를 테스트장치의 콘택소켓에 접속시키고, 상기 제1항 내지 제8항, 제10항 내지 제14항 중 어느 하나의 챔버를 이용하여 상기 반도체 소자를 테스트 조건에 상응하는 온도로 조절하는 단계; 및
    상기 반도체 소자를 테스트하는 단계를 포함하는 반도체 소자의 제조방법.
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