KR100858853B1 - 반송파 억압 광 펄스열 생성 방법 및 장치 그리고 그레이팅 장치 - Google Patents

반송파 억압 광 펄스열 생성 방법 및 장치 그리고 그레이팅 장치 Download PDF

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Abstract

광 펄스열을 생성하는 방법은, 소정의 펄스주기를 갖는 소스광 펄스열을 생성하는 단계; 실질적으로 동일한 브래그 파장를 갖는 복수의 균일 피치 그레이팅 도파로와
Figure 112002044002792-pat00001
위상 시프트 도파로를 교대로 광학적으로 결합하여 다중
Figure 112002044002792-pat00002
위상 시프트 그레이팅 도파로를 형성하는 단계; 다중
Figure 112002044002792-pat00003
위상 시프트 그레이팅 도파로의 일단으로부터 소스광 펄스열을 입사시키는 단계; 및 복수의 균일 피치 그레이팅 도파로에 의해 다중
Figure 112002044002792-pat00004
위상 시프트 그레이팅 도파로의 일단으로부터 반사 광 펄스들을 추출하는 단계를 포함한다.
광 펄스열

Description

반송파 억압 광 펄스열 생성 방법 및 장치 그리고 그레이팅 장치{METHOD AND APPARATUS FOR GENERATING CARRIER SUPPRESSED OPTICAL PULSE TRAIN AND GRATING DEVICE}
도 1 은 본 발명에 따른 위상-시프트 그레이팅이 적용되는 위상-시프트 파이버 그레이팅의 구조를 개략적으로 나타내는 사시도.
도 2 는 본 발명에 따른 위상-시프트 그레이팅 (PSBG) 의 구조 및 광파이버의 도파방향 (z-방향) 에 따른 굴절률 "n"의 변화를 개략적으로 나타내는 도면.
도 3 은
Figure 112002044002792-pat00005
위상 시프트 그레이팅의 반사 스펙트럼을 나타내는 도면.
도 4 는 위상-시프트 그레이팅 (PSBG) 의 UBG (1), UBG (2) 에 의한 입사광의 반사를 개략적으로 나타내는 도면.
도 5 는 입사광 펄스열 (Pin), UBG (1) 및 UBG (2) 로부터의 반사광 펄스열 (PU1, PU2) 및 위상 시프트 그레이팅 (PSBG) 로부터의 반사광 펄스열 (Pout) 을 나타내는 도면.
도 6 은 입사광 펄스열 (Pin) 과 UBG (1) 및 UBG (2) 로부터의 반사광 펄스 사이의 광강도의 관계를 개략적으로 나타내는 도면.
도 7a 내지 도 7c 는 입사광 펄스열 (Pin), UBG (1) 및 UBG (2) 로부터의 반 사광 펄스열 (PU1, PU2) 및 PSBG 로부터의 반사광 펄스열 (Pout) 을 각각 개략적으로 나타내는 도면.
도 8 은
Figure 112002044002792-pat00006
위상 시프트 파이버 그레이팅의 축방향의 굴절율 변조도를 개략적으로 나타내는 도면.
도 9 는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 아포다이즈된 그레이팅 (apodized grating) 으로 이루어지는
Figure 112002044002792-pat00007
위상 시프트 파이버 그레이팅의 축방향의 굴절율 변조도를 개략적으로 나타내는 도면.
도 10 은 UBG (1) 및 UBG (2) 에 의한 입사광 펄스열 (Pin) 의 다중반사를 개략적으로 나타내는 도면.
도 11 은 다중반사에 의한 광펄스의 간섭을 개략적으로 나타내는 도면.
도 12 는 본 발명의 제 4 실시예에 따른
Figure 112002044002792-pat00008
위상 시프트 그레이팅을 적용한 반송파 억압 CS-RZ 광신호 발생기의 구성을 나타내는 블럭도.
도 13 은
Figure 112002044002792-pat00009
위상 시프트부를 통해 순차적으로 결합된 복수의 균일한 그레이팅을 가지는
Figure 112002044002792-pat00010
위상 시프트 그레이팅의 구조를 나타내는 도면.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 :
Figure 112002044002792-pat00011
위상 시프트 파이버 그레이팅 11, 32, 34 : 광 파이버
12 : 클래드 14 : 코어
20 : 위상 시프트 브래그 그레이팅 21 : 균일 브래그 그레이팅 (1)
22 : 균일 브래그 그레이팅 (2) 23 : 위상 시프트부
31 : 광원 33 : 광 서큘레이터
35 : 광 증폭기 36 : 광 출력단
본 발명은 반송파 억압 광 펄스열 생성 방법 및 장치 그리고 그레이팅 장치에 관한 것이다.
최근에, 통신 트래픽 수요가 인터넷의 보급에 의해 급속히 증가하고, 전송 속도가 초당 1 테라비트 (1 Tbit/s = 1 ×1012 bit/s) 이상의 고속 및 대용량 전송 시스템이 상업적으로 실용화되고 있다. 테라비트급의 전송률을 구현하기 위해서는, WDM (wavelength division multiplexing) 기술이 필수적이다. 특히, 파장간격을 좁혀 광 반송파 (채널) 의 파장들을 조밀하게 배치한 DWDM (dense WDM) 시스템이 주목받고 있다. 그러나, DWDM 시스템은 인접채널들 사이의 스펙트럼 중첩 (크로스-토크), 상호 위상 변조 등과 같은 비선형 효과 등에 의해 전송특성들이 열화되는 문제를 수반한다.
이 문제를 해결하는 방법으로서 종래의 RZ (Return-to-Zero) 신호보다 좁은 스펙트럼 대역폭을 가지며, 비선형 효과에 대해서도 높은 내성을 나타내는 CS-RZ (carrier suppressed return-to-zero) 신호를 사용하는 전송 시스템이 주목받고 있다. 이러한 CS-RZ 신호는 예를 들어 Mach-Zender (MZ) 위상 변조기를 사용하는 방법, 즉 명칭이 "320 Gbit/s (8 ×40 Gbit/s) WDM Transmission over 367-km Zero-Dispersion-Flattened Line with 120-km Repeater Spacing Using Carrier-Suppressed Return-to-Zero Pulse Format”(OAA '99, PDP4, 1999) 으로 Y.미야모토 (Y.Miyamoto) 등에 의해 기고된 논문에 기재되어 있는 방법에 의해 생성된다. 또 다른 방법으로, CS-RZ 신호는 위상 시프터 및 지연 라인을 사용하는 방법, 예를 들어 명칭이 "Generation of Multi-Wavelength Carrier Suppressed RZ Signal with Supercontinuum Light Source" (IEICE Technical Report, Vol.101, No.394, OCS2001-69, 20010) 으로 코니시 등에 의해 기고된 논문에 기재되어 있는 방법에 의해 생성된다. 또한, 모드 록(mode-locked) 레이저를 사용하는 방법은 명칭이 "Mode-Locked Lasers for 43Gb/s Carrier Suppressed Return-to-Zero Pulse Generation"(ECOC'2001, 2001) 으로 K.사토 등에 의해 기고된 논문에 기재되어 있다.
그러나, 이러한 방법들에서는 장치의 삽입 손실이 크고, 구성이 복잡하며, 비용이 커지는 등의 문제가 있었다.
본 발명은 상술한 문제들을 해결하기 위하여 이루어진 것으로, 본 발명의 목적은 감소된 삽입 손실을 가질 뿐만 아니라 구성이 간단하고 비용이 저렴하며 고성능을 제공하는 반송파 억압 광 펄스열을 생성하는 방법 및 장치 그리고 그레이팅 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 형태에 따르면, 상기 목적을 달성하기 위하여, 소정의 펄스주기를 가지는 소스광 펄스열을 생성하는 단계; 실질적으로 동일한 브래그 (Bragg) 파장을 가지는 복수의 균일 피치 그레이팅 도파로와
Figure 112007016655510-pat00012
위상 시프트 도파로를 교대로 광학적으로 결합하여 다중
Figure 112007016655510-pat00013
위상 시프트 그레이팅 도파로를 형성하는 단계; 다중
Figure 112007016655510-pat00014
위상 시프트 그레이팅 도파로의 일단으로부터 소스광 펄스열을 입사시키는 단계; 및 다중
Figure 112007016655510-pat00015
위상 시프트 그레이팅 도파로의 일단으로부터 상기 복수의 균일 피치 그레이팅 도파로에 의한 반사광 펄스들을 추출하는 단계를 포함하는 광펄스열 생성 방법이 제공된다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면, 광 펄스열 생성기는 소정의 펄스주기를 갖는 소스광 펄스열을 생성하는 광 펄스원;
Figure 112007016655510-pat00016
위상 시프트부와, 상기
Figure 112007016655510-pat00017
위상 시프트부를 통하여 결합되며 실질적으로 동일한 브래그 파장을 가지는 제 1 및 제 2 균일 피치 그레이팅을 포함하는
Figure 112007016655510-pat00018
위상 시프트 그레이팅; 및
Figure 112007016655510-pat00019
위상 시프트 그레이팅의 길이방향에 따라 형성되고,
Figure 112007016655510-pat00020
위상 시프트 그레이팅의 일단으로부터 소스광 펄스열을 입사시키며
Figure 112007016655510-pat00021
위상 시프트 그레이팅으로부터의 반사광 펄스열을 도파하는 광도파로를 구비한다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면, 광도파로내에 광 그레이팅이 형성된 그레이팅 장치는,
Figure 112007016655510-pat00022
위상 시프트부와, 상기
Figure 112007016655510-pat00023
위상 시프트부를 통하여 결합되며 실질적으로 동일한 브래그 파장을 갖는 제 1 및 제 2 균일 피치 그레이팅을 포함하는
Figure 112007016655510-pat00024
위상 시프트 그레이팅이고, 여기서 제 1 및 제 2 균일 피치 그레이팅이 제 1 및 제 2 균일 피치 그레이팅의 브래그 파장에서, R1, R2 의 반사율을 각각 가질때, 반사율 (R1, R2) 은 실질적으로,
R1 / R2 = (1 - R1)2
을 만족한다.
본 발명의 또 다른 형태에 따르면, 광 펄스열 생성기는 소정의 펄스 주기를 갖는 소스광 펄스열을 생성하는 광 펄스원; 각각 소스광 펄스열을 반사하는 복수의 균일 피치 그레이팅 도파로와 교대로 광학적으로 결합되는
Figure 112007016655510-pat00025
위상 시프트 도파로를 갖는 다중
Figure 112007016655510-pat00026
위상 시프트 그레이팅 도파로; 및 다중
Figure 112007016655510-pat00027
위상 시프트 그레이팅 도파로의 일단으로부터 소스광 펄스열을 입사하고 상기 다중
Figure 112007016655510-pat00028
위상 시프트 그레이팅 도파로의 일단으로부터 복수의 균일 피치 그레이팅 도파로에 의한 반사광 펄스들을 출력하는 도파로를 구비한다.
이하, 본 발명의 실시예들을 첨부된 도면들을 참조하여 상세히 설명한다. 이하의 설명에 사용되는 도면에서, 실질적으로 등가의 구성요소들을 동일한 참조부호들로 나타낸다.
제 1 실시예
도 1 은 본 발명에 따른 위상-시프트 그레이팅이 적용된 위상-시프트 파이버 그레이팅 (10) 의 구조를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
위상 시프트 파이버 그레이팅 (10) 은 클래드 (12) 및 코어 (14) 로 이루어지는 광 파이버 (11); 위상 시프트 브래그 그레이팅 (PSBG ; phase-shifted Bragg grating, 이하 간단히 "위상 시프트 그레이팅"이라 함) (20) 을 구비한다. 특히, 광 파이버 (11) 의 코어 (14) 의 굴절률을 주기적으로 변경시킴으로써, 광 파이버 (11) 내에 브래그 회절격자가 형성되어 있다. 후술하는 바와 같이, 위상 시프트 그레이팅 (20) 은 위상 시프트부 (PS; phase shift) (23) 에 의해 소정의 간격을 두고 배치된 제 1 및 제 2 균일 피치 브래그 그레이팅 (이하, 단순히 "균일 그레이팅" 이라고도 함) UBG (1)(21), UBG (2)(22) 을 구비한다. 위상-시프트 그레이팅 (PSBG)(20) 은 위상-시프트 페이즈 마스크를 사용하여 형성된다.
도 2 는 위상 시프트 그레이팅 (PSBG)(20) 의 구조 및 광 파이버 (11) 의 길이 방향 즉, 도파 방향 (z-축 방향) 에서의 굴절율 (n) 의 변화를 개략적으로 나타낸다. 도면에 나타낸 바와 같이, 제 1 균일 그레이팅 UBG (1)(21) 은 LU1 의 길이와, 일정한 피치 또는 주기 (
Figure 112002044002792-pat00029
) (그레이팅 주기) 로 변화하는 굴절률 n = n(z) 을 가진다. 제 1 균일 그레이팅 UBG (1) (21) 은 브래그 조건을 만족하는 파장의 광만을 선택적으로 반사한다. 제 2 균일 그레이팅 UBG (2)(22) 은 LU2 의 길이와, 제 1 균일 그레이팅 (21) 과 유사한 일정한 주기 (
Figure 112002044002792-pat00030
) (그레이팅 주기) 로 변화하는 굴절률 n(z) 을 가진다. 위상 시프트 그레이팅 (PSBG) (20) 은 LPSBG 의 길이를 가진다.
제 1 균일 그레이팅 UBG (1) (21) 및 제 2 균일 그레이팅 UBG (2) (22) 은 위상 시프트부 (PS) (23) 에 의해 소정의 간격을 두고 배치되어 있다. 특히, 위상 시프트부 (PS) (23) 는 위상 시프트 그레이팅 (PSBG) (20) 이
Figure 112002044002792-pat00031
(1/4 파) 위상 시프트 구조를 구성하도록 규정되어 있는 길이 LPS 을 가진다. 즉, PSBG (20) 는
Figure 112002044002792-pat00032
위상 시프트 그레이팅으로 기능한다.
보다 구체적으로는, 위상 시프트부 (PS) 의 길이 LPS 은 아래식으로 표현되며,
Figure 112002044002792-pat00033
여기서,
Figure 112002044002792-pat00034
은 제 1 및 제 2 균일 그레이팅 UBG (1) (21), UBG (2) (22) 의 반사파장 (진공 중에서의 파장) 을 나타내고, neff 은 위상 시프트 그레이팅 (PSBG) (20) 이 형성된 파이버의 부분에서의 실효 굴절률을 나타내며, "k" 는 0 이상의 정수 (즉, k = 0, 1, 2,...) 이다. 여기서, 수학식 우변의
Figure 112002044002792-pat00035
은 도파로내 파장을 나타낸다.
도 2 에 나타낸 구조들에 대하여 더욱 상세하게 설명하면, 위상 시프트부 (PS)(23) 의 길이 LPS 는 제 1 및 제 2 균일 그레이팅 UBG (1) (21), UBG (2) (22) 의 가장 가까운 동일 위상 위치들 (굴절률 n(z) 의 "피크" 의 위치들 A, A') 사이의 거리로 주어진다.
이러한 위상 시프트 그레이팅 (PSBG) (20) 에, 진공 중에서 파장
Figure 112002044002792-pat00036
을 가진 광을 입사시킨 경우, 위상 시프트부 (PS) (23) 의 길이 (LPS) 를 변경시킴으로써 제 1 및 제 2 균일 그레이팅 UBG (1) (21), UBG (2) (22) 로부터의 반사광의 위상차를 조정할 수 있다. 상술한 바와 같이, 위상 시프트 그레이팅 (PSBG) (20) 을
Figure 112002044002792-pat00037
위상 시프트 구조로 설계함으로써, 위상차를 π로 설정할 수 있다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 이러한
Figure 112002044002792-pat00038
위상 시프트 구조를 갖는 그레이팅의 반사 스펙트럼은 브래그 파장에서 반사율이 급격히 저하하는 영역을 나타낸다.
균일 브래그 그레이팅 UBG (1) (21), UBG (2) (22) 가 1 차 그레이팅인 경우,
Figure 112002044002792-pat00039
의 위상 시프트는
Figure 112002044002792-pat00040
/2 (여기서,
Figure 112002044002792-pat00041
는 그레이팅 주기를 나타냄) 에 대응한다. 그러나, 그레이팅들은 1 차 그레이팅에 한정되지 않고, 고차의 그레이팅으로 구성될 수도 있다.
또한, 실시예에서, 제 1 및 제 2 균일 그레이팅 UBG (1) (21), UBG (2) (22) 이 도 2 에 나타낸 정현파 형상의 굴절률 프로파일을 갖는 경우에 대하여 설명하였다. 그러나, 굴절률 프로파일은 반드시 정현파 형상일 필요는 없다. 특히, UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 는 일정한 주기로 변화하는 굴절률을 가지며, 브래그 그레이팅으로서 기능해야 한다. 예를 들어, 이들은 방형파 형상의 프로파일, 삼각파 형상의 프로파일 등의 굴절률 분포를 가질 수 있다.
이하, 도 4 및 도 5 를 참조하여, 상기 위상 시프트 그레이팅 (PSBG) (20) 을 사용하여 반송파 억압 RZ (CS-RZ) 신호를 생성하는 원리에 대하여 설명한다. PSBG (20) 에 PSBG (20) 의 브래그 파장과 동일한 반송파 파장의 RZ 광펄스열이 입사된 경우, 광펄스열의 반송파 성분이 PSBG (20) 을 투과하므로, 반사파에는 반송파 성분이 포함되지 않는다. 따라서, 입사광 펄스열 (Pin) 은 UBG (1) (21) 에 의해 부분적으로 반사되고, 그 반사광 펄스열 (PU1) 은 입사광 펄스열 (Pin) 과 역방향으로 도파된다. UBG (1) (21) 를 투과한 입사광 펄스열 (Pin) 의 일부는 UBG (2) (22) 에 의해 반사된다. 그 반사광 펄스열 (PU2) 은 반사광 펄스열 (PU1) 과 동일방향으로 도파된다. 이 경우에, 도 5 에 나타낸 바와 같이, UBG (1) (21) 로부터의 반사광 펄스열 (PU1) 에 대하여, UBG (2) (22) 로부터의 반사 광펄스열 (PU2) 에는 위상차 및 전파지연이 생긴다. PSBG (20) 의 위상 시프트는
Figure 112002044002792-pat00042
(= π/2) 이기 때문에, 반사광 펄스열 (PU2) 이 도파되어 UBG (2)(22) 로부터 반사되는 경우에, 그 반사 광펄스열 (PU2) 은 π의 왕복 위상 시프트를 가진다. UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 각각의 반사 중심 위치 사이의 간격, 또는 UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 의 길이에 따라 전파 지연 시간을 조정할 수 있다. 그 전파 지연 시간을 입사광 펄스열 (Pin) 의 펄스 주기의 1/2 과 동일하게 하기 위해서는, 제 1 및 제 2 균일 그레이팅의 반사 중심 위치들 사이의 간격 (D) 은 아래의 식으로 표현된다.
D = cㆍTd/2neff
여기서, Td 는 전파 지연 시간이며, c 는 광속이다.
UBG (1) (21) 로부터의 반사광 펄스열과, 위상 시프트부 (PS) (23) 를 거쳐 UBG (2) (22) 로부터 반사되어 다시 위상 시프트부 (PS) (23) 를 통과하는 반사 광펄스열 (PU2) 의 결합은
Figure 112007016655510-pat00043
위상 시프트 그레이팅 (PSBG)(20) 로부터의 반사 광펄스열 (POUT) 이다. 수학식 2 에 의해 주어진 상기 조건을 만족시키기 위해 설계된 PSBG (20) 를 사용함으로써, 광펄스열 (POUT) 은 입사광 펄스열 (Pin) 의 비트 속도의 2 배의 비트 속도를 가지며, 또한 위상이 교대로 π만큼 시프트된 광펄스들을 가진다. 따라서, PSBG (20) 로부터의 반사광 펄스열 (POUT) 을 CS-RZ 광신호로서 사용할 수 있다.
다음으로, 20 Gbit/s 의 비트 속도의 RZ 광신호로부터 40 Gbit/s 의 CS-RZ 광신호를 생성하는 경우를 예로 하여 보다 상세히 설명한다. 도 6 은 위상 시프트 파이버 그레이팅 (10) 에 광펄스 (Pin) (진공 중에서의 파장 (
Figure 112007016655510-pat00044
)) 가 입력되었을 때의 입사광 펄스 (Pin) 와 UBG (1) 및 UBG (2) 로부터의 반사광 펄스 사이의 광 강도의 관계를 개략적으로 나타내고 있다. 균일 브래그 그레이팅의 반사율 (R) 은 그레이팅 길이 (L), 광의 파장 (λ), 브래그 파장 (
Figure 112007016655510-pat00045
) 과 입사광 파장 사이의 디튜닝(detuning) 량 (δ), 및 광과 그레이팅의 결합계수 (
Figure 112007016655510-pat00046
) 를 파라미터로 하여 결정된다. 파장 (λ) 이 브래그 그레이팅 중심파장과 동등할 때 (즉, 디튜닝량
Figure 112007016655510-pat00047
= 0), 반사율 (R) 은 아래의 식으로 표현된다.
Figure 112002044002792-pat00048
본 실시예에서는, 입사 광펄스열 (Pin) 의 파장 (
Figure 112007016655510-pat00049
)(진공 중에서의 파장) 을 1550 나노미터 (nm) 로 선택하고, UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 의 브래그 파장
Figure 112007016655510-pat00050
도 1550 nm 로 선택한다. 도 7a 에 나타낸 바와 같이, 광펄스 주기는 50 피코초 (ps) 이며, 광펄스폭 (전체 폭) 은 25 ps 이다. 위상 시프트부 PS (23) 를 포함하는 파이버의 실효 굴절률 (neff) 은 1.45 로 선택되고, 위상 시프트부 (PS) (23) 의 길이는 267.2 nm 로 선택된다. 또한, 전술한 바와 같이, UBG (2) (22) 로부터의 반사광 펄스들의 지연시간은 각각의 UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 의 반사 중심 위치들 사이의 간격으로 결정된다. 여기서, UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 의 길이 (LU1, LU2) 를 각각 2.5 미리미터 (mm) 로 선택하고 (도 2 를 참조), 반사 중심 위치들 사이의 간격을 2.5 mm 로 선택하였다. 또한, 길이 (LU1, LU2) 는 광펄스의 전체폭 (25 ps) 에 대응하는 광로 길이와 거의 동등하다.
도 8 은 위상 시프트 파이버 그레이팅 (10) 의 축방향의 굴절률 변조도 (
Figure 112002044002792-pat00051
) (no 는 그레이팅이 형성되어 있지 않은 광 파이버 부분의 굴절률을 나타낸다) 의 포락선을 나타내고 있다. 상기 굴절률 변조도에 따라 전술한 결합계수 (
Figure 112002044002792-pat00052
) 가 변화하기 때문에, UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 의 반사율을 변경시킬 수 있다. UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 는 아포다이즈되어 있지 않은 그레이 팅 (비-아포다이즈 그레이팅) 이다.
입사광 펄스 (Pin) 의 광 강도를 1 로 정규화하고, UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 의 입사광 펄스 (Pin) 에 대한 반사율을 각각 R1, R2 로 하였을 때, UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 로부터의 반사광 펄스 (PU1, PU2) 는 각각 R1, (1-R1)2 R2 로 표시되는 광강도를 가진다 (도 6 참조). 따라서, 반사율 (R1, R2) 이 아래의 수학식,
Figure 112002044002792-pat00053
를 만족하도록 전술한 파라미터를 선택함으로써, 반사광 펄스열 (PU1, PU2) 의 광강도를 동등하게 할 수 있다. 본 실시예에서는, 길이 (LU1, LU2) 를 동등하게 선택하고, UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 의 굴절률 변조도를 다르게 함으로써, 반사광 펄스열 (PU1, PU2) 의 광 강도를 동등하게 한다.
도 7b 에 나타낸 바와 같이, 위상 시프트 그레이팅 (PSBG) (20) 으로부터의 반사광 중, UBG (2) (22) 로부터의 반사광 펄스열 (PU2) (파선) 은 UBG (1) (21) 로부터의 반사광 펄스열 (PU1) (일점쇄선) 과 위상이 π만큼 어긋나 있는 반면에, 반사광 펄스열의 광 강도는 거의 동일하다. 각각의 광 펄스 사이의 간격은 실질적으로 일정 (25ps) 하다. 상기 반사광 펄스열 (PU1, PU2) 의 광 펄스의 펄스폭은 반사에 의해 증가되고, 부분적으로 서로 중첩하고 있다. 그러나, 인접하는 광 펄스들은 위상이 서로 π 만큼 어긋나 있기 때문에, 중첩하고 있는 광펄스들을 상쇄하여 도 7c 에 나타내는 바와 같은 중첩이 없는 광 펄스열 (Pout) 을 얻을 수 있다. 따라서, 광 펄스열 (Pout) 은 입사광 펄스열 (Pin) 의 비트 속도의 2 배의 비트 속도 (40 Gbit/s) 를 가지는 반송파 억압 RZ (CS-RZ) 광신호이다.
본 실시예에서는, 반사광 펄스열 (PU1, PU2) 의 광 강도가 동등해지도록, 서로 다른 반사율 (R1, R2) 을 가지는 UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 를 설계하였다. 그러나, 상기 반사율을 동일 (즉, R1 = R2) 하게 설계할 수도 있다.
제 2 실시예
도 9 는 본 발명의 제 2 실시예에 따른
Figure 112002044002792-pat00054
위상 시프트 그레이팅 (PSBG)(20) 의 굴절률 변조도의 포락선을 개략적으로 나타내고 있다. 특히, 균일 그레이팅 UBG (1) (21) 은 광 파이버 (11) 의 길이방향의 양단에서 저감된 굴절률 변조도를 가진다. 즉, UBG (1) (21) 는 아포다이즈된 그레이팅으로 되어 있다. 유사하게도, 균일 그레이팅 UBG (2) (22) 은 아포다이즈된 그레이팅으로 되어 있다. 상기 아포다이즈된 그레이팅에 의해 그레이팅의 반사펄스의 시간축 확산을 개선할 수 있다.
상술한 바와 같이, 균일 그레이팅 UBG (1) (21), UBG (2) (22) 을 아포다이즈하지 않은 경우에, 도 7b 에 나타내는 바와 같이, 인접하는 광 펄스들이 위상반전의 관계에 있기 때문에, 상기 펄스들이 서로 상쇄된다. 그러나, 광전력이 손 실된다. 이러한 전력손실을 방지하기 위하여 균일 그레이팅 UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 모두를 아포다이즈한다.
제 2 실시예에서는, 균일 그레이팅 UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 모두를 아포다이즈하였지만, 상기 그레이팅들 중 어느 하나만을 아포다이즈할 수도 있다.
또한, 입사광 펄스열 (Pin) 의 전체 광 펄스폭을 펄스주기의 1/2 이하, 또는 광 펄스의 FWHM (full width at half maximum) 을 펄스주기의 1/4 이하로 감소시켜, 상기 광 펄스의 중첩을 저감시킬 수 있다.
제 3 실시예
이하, 본 발명의 제 3 실시예를 설명한다. 위상 시프트 그레이팅은 파장선택 파브리-페로트 (Fabry-Perot) 공진기로서 동작하기 때문에, 다중반사가 발생한다. 도 10 은 UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 에 의한 입사광 펄스열 (Pin) 의 다중 반사를 나타내고 있다. 도 11 은 상기 다중반사에 의한 광 펄스의 간섭을 나타내고 있다. 도 10 에 나타낸 바와 같이, 광 펄스열 (Pin) 에 대한 다중반사에 의해 반사광 펄스열 (S1, S2, S3, S4,...) 이 발생한다. 광 펄스열 (Pin) 의 광 강도를 1 로 정규화하였을 때, 반사광의 강도는 S1 = R1, S2 = (1-R1)2R2, S3 = (1-R1)2R1R22,.... 으로 표시된다. 개별 광 펄스에 관하여 설명하면, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 광 펄스열 (Pin) 의 첫번째 광 펄스 (P-1) 에 대하여 다중 반사 광 펄스 (S1-1, S2-1, S3-1, S4-1,...) 로 이루어지는 다중반사 광 펄스열 (P-1') 이 생성된다. 또한, 광 펄스열 (Pin) 의 2 번째 광 펄스열 (P-2) 에 대하여 다중반사 광 펄스 (S1-2, S2-2, S3-2, S4-2,...) 로 이루어지는 다중 반사 광 펄스열 (P-2') 이 생성된다. 유사하게도, 광 펄스열 (Pin) 의 각각의 광 펄스 (P-3, P-4,.....) 에 대해서도 다중 반사 광 펄스가 생성된다. 이들 다중 반사 광 펄스가 서로 간섭하여 코히어런스 크로스 토오크가 발생한다. 이 코히어런스 크로스 토오크는 UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 의 반사율이 증가함에 따라 커진다. 따라서, 이러한 코히어런스 크로스 토오크가 전송특성에 영향을 주지 않도록 UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 의 반사율을 결정한다. 예를 들어, 전송 후의 전력 패널티(penalty)를 1 dB 이하로 제한하기 위해서는, 주신호 강도에 대한 간섭 신호 강도의 비가 -30 dB 이하로 되도록, 즉 아래의 수학식을 만족하도록 UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 의 반사율 (R1, R2) 을 결정할 수 있다.
Figure 112002044002792-pat00055
이 조건을 만족하도록 위상 시프트 그레이팅 (PSBG) (20) 을 형성함으로써, 높은 전송성능을 갖는 반송파 억압 광 펄스신호를 생성하기 위한 그레이팅장치를 제공할 수 있다.
제 4 실시예
도 12 는
Figure 112007016655510-pat00056
위상 시프트 그레이팅 (PSBG) (20) 을 적용한 본 발명의 제 4 실시예의 반송파 억압 광 캐리어 신호 (CS-RZ 신호) 생성기 (30) 의 구조를 나타내는 블럭도이다.
광원 (31) 은 소정의 펄스 주기를 가지는 광 펄스열 (RZ 신호) 을 생성한다. 광원 (31) 은 예를 들어, 모드 록 레이저 등을 사용하여 1550 nm 의 파장
Figure 112007016655510-pat00057
(진공 중에서의 파장), 12.5 ps 의 광 펄스폭 (FWHM), 및 20 Gbit/s 와 동일한 비트 속도를 가지는 RZ 광신호를 생성한다. 생성된 RZ 광신호는 광 파이버 (32) 를 통과하여 광 서큘레이터 (33) 의 제 1 포트에 공급된다. 상기 RZ 광신호는 광 서큘레이터 (33) 의 제 2 포트로부터 출력되어
Figure 112007016655510-pat00058
위상 시프트 파이버 그레이팅 (10) 에 공급된다.
Figure 112007016655510-pat00059
위상 시프트 파이버 그레이팅 (10) 에서, UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 는 1550 nm 의 브래그 파장 (
Figure 112007016655510-pat00060
) 을 가지며, UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 의 길이는 각각 2.5 mm 이다. 위상 시프트부 (PS) (23) 는 267.2 nm 의 길이를 갖는다.
위상 시프트 파이버 그레이팅 (10) 으로부터의 반사광 펄스열로서 40 Gbit/s 의 CS-RZ 광신호를 생성할 수 있다. 상기 CS-RZ 광신호는 광 서큘레이터 (33) 를 통하여 광 증폭기 (OA) (35) 에 공급되어 증폭된다. 예를 들어, 광 증폭기 (OA) (35) 는 에르븀 도프 파이버 앰프 등의 광 파이버 증폭기, 또는 반도체 증폭기 등의 각종 광 증폭기에 의해 구현될 수 있다. 광 증폭기 (OA) (35) 에 의해 소정의 신호 레벨로 증폭된 CS-RZ 광신호는 출력단 (36) 으로부터 출력된다. 이 CS-RZ 광신호를 반송파 억압 광신호로서 사용할 수 있다. 또한, WDM 용 캐리어 광원으로 기능하도록 다른 파장들을 가지는 복수의 CS-RZ 신호 생성기 (30) 를 제공할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예들에 관하여 상세히 설명하였다. 또한, 상기 실시예들을 2 개의 균일 그레이팅 UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 로 이루어지는
Figure 112002044002792-pat00061
위상 시프트 그레이팅 (20) 에 따라 설명하였지만, 본 발명은 이러한 특정 구성으로 한정되지 않는다. 도 13 에 나타내는 바와 같이,
Figure 112002044002792-pat00062
위상 시프트 그레이팅은 복수의 균일 그레이팅 UBG (1), UBG (2),..., UBG (n) 을 포함하도록 구성될 수 있다. 복수의 균일 피치의 그레이팅 도파로 및
Figure 112002044002792-pat00063
위상 시프트 도파로들을 교대로 광학적으로 결합한다. 즉, 복수의 균일 그레이팅 UBG (1), UBG (2),..., UBG (n) 은
Figure 112002044002792-pat00064
위상 시프트부들 및 도파로들을 통하여 순차적으로 결합되며, 여기서
Figure 112002044002792-pat00065
위상 시프트 도파로 각각을 인접한 균일 그레이팅들 사이에 제공하여 복수의
Figure 112002044002792-pat00066
위상 시프트 그레이팅 도파로를 형성한다.
위상 시프트 그레이팅(PSBG) 도파로는 광 파이버 그레이팅으로 이루어질 필요는 없다. 위상 시프트 그레이팅 도파로는 평면 채널 광 도파로 또는 PLC (planar lightwave circuit) 로 이루어질 수도 있다.
또한, 상기 실시예에서는 제 1 및 제 2 균일 그레이팅 UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 가 동일한 길이를 가지는 경우를 예를 들어 설명하였지만, 본 발명은 이러한 특정 구조로 한정되지 않는다. 전술한 바와 같이, UBG (2) (22) 로부터의 반사광 펄스열의 전파 지연 시간, 즉 펄스간격을 UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 각각의 반사 중심 위치들 사이의 간격에 따라 조정할 수 있다. 한편, 그레이팅 길이 (L) 와 결합계수 (
Figure 112002044002792-pat00067
) 와의 곱
Figure 112002044002792-pat00068
이 클수록 그레이팅의 반사율이 증가하기 때문에, 예를 들어 후단의 그레이팅 UBG (2) 을 광 입사측 가까이에 제공된 그레이팅 UBG (1) (21) 보다 더 길게 형성함으로써, UBG (2)(22) 의 반사율을 증가시킬 수 있다. 따라서, UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 의 반사율을 양자의 결합계수 (
Figure 112002044002792-pat00069
), 즉 굴절률 변조도를 변경시키지 않고 조정할 수 있다. 따라서, UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 를 동일한 결합계수 또는 굴절률 변조도를 가지도록 설계할 수 있다. 다른 방법으로는, UBG (1) (21) 및 UBG (2) (22) 를 서로 다른 굴절율 변조도 및 서로 다른 그레이팅 길이를 가지도록 설계할 수 있다. 또한, 광 펄스의 확산을 포함하는 광 펄스 파형 등을 고려하는 경우에는, 후단에 제공되는 그레이팅 UBG (2) (22) 의 길이를 광 입사측 가까이에 제공되는 그레이팅 UBG (1) (21) 의 길이보다 더 짧게 하여 펄스 파형의 열화를 방지할 수 있다.
상기 실시예에서는 1550 nm 대(帶)의 광 펄스를 생성하는 경우에 관하여 설명하였지만, 본 발명은 이 파장대로 한정되지 않는다. 예를 들어, 본 발명을 1310 nm 대 등의 어떤 파장대에 대해서도 적용할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 삽입손실이 작을 뿐만 아니라 구성이 간단한 저 제조비용의 고성능 그레이팅 장치, 반송파 억압 펄스열을 생성하는 방법 및 장치를 제공할 수 있다.
본 발명을 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였다. 당업자라면 상술 한 실시예들을 다양하게 변경 및 변형시킬 수 있음을 알 수 있다. 따라서, 첨부된 청구범위는 모든 이러한 변경 및 변형을 포함하는 것이다.

Claims (20)

  1. 소정의 펄스주기를 갖는 소스광 펄스열을 생성하는 단계;
    동일한 브래그 파장을 갖는 복수의 균일 피치 그레이팅 도파로와
    Figure 112008046396448-pat00070
    위상 시프트 도파로들을 교대로 광학적으로 결합하여, 다중
    Figure 112008046396448-pat00071
    위상 시프트 그레이팅 도파로를 형성하는 단계;
    상기 다중
    Figure 112008046396448-pat00072
    위상 시프트 그레이팅 도파로의 일단으로부터 상기 소스광 펄스열을 입사시키는 단계; 및
    상기 다중
    Figure 112008046396448-pat00073
    위상 시프트 그레이팅 도파로의 상기 일단으로부터, 상기 복수의 균일 피치 그레이팅 도파로에 의한 반사광 펄스들을 추출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 균일 피치 그레이팅 도파로는 상기 반사광 펄스들의 펄스 간격들이 일정하게 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 균일 피치 그레이팅 도파로의 반사율은 상기 반사광 펄스들이 동일한 광 강도를 가지도록 결정되는 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 균일 피치 그레이팅 도파로 각각은 상기 소스광 펄스열의 광 펄스 시간폭에 대응하는 광로 길이 이하의 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스광 펄스열은 소정의 펄스 주기의 1/2 이하인 전체 광펄스 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성 방법.
  6. 소정의 펄스주기를 갖는 소스광 펄스열을 생성하는 광 펄스원;
    동일한 브래그 파장을 갖는 제 1 및 제 2 균일 피치 그레이팅과
    Figure 112008046396448-pat00074
    위상 시프트부를 포함하는
    Figure 112008046396448-pat00075
    위상 시프트 그레이팅으로서, 상기 제 1 및 제 2 균일 피치 그레이팅은 상기
    Figure 112008046396448-pat00076
    위상 시프트부를 통하여 결합되는,
    Figure 112008046396448-pat00077
    위상 시프트 그레이팅; 및
    상기
    Figure 112008046396448-pat00078
    위상 시프트 그레이팅의 길이방향에 따라 형성되고, 상기 소스광 펄스열을 상기
    Figure 112008046396448-pat00079
    위상 시프트 그레이팅의 일단으로부터 입사시키고 상기
    Figure 112008046396448-pat00080
    위상 시프트 그레이팅으로부터의 반사광 펄스열을 도파하는 광도파로를 구비하는 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성기.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 균일 피치 그레이팅은 상기 반사광 펄스열의 펄스간격들이 일정하게 되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성기.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 균일 피치 그레이팅의 반사율은 상기 반사광 펄스열의 각각의 광 펄스가 동일한 광 강도를 가지도록 결정되는 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성기.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 균일 피치 그레이팅 각각은 상기 소스광 펄스열의 광 펄스 시간폭에 대응하는 광로 길이 이하의 길이를 가지는 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성기.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 소스광 펄스열은 소정의 펄스 주기의 1/2 이하인 전체 광 펄스폭을 가지는 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성기.
  11. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 균일 피치 그레이팅이 상기 소스광 펄스열에 대하여 각각 R1, R2 의 반사율을 가질 때, 상기 반사율 (R1, R2) 은,
    R1 / R2 = (1 - R1)2
    을 만족하는 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성기.
  12. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 균일 피치 그레이팅 중 적어도 하나는 아포다이즈된 그레이팅인 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성기.
  13. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 균일 피치 그레이팅이 상기 소스광 펄스열에 대하여 각각 R1, R2 의 반사율을 가질 때, 상기 반사율 (R1, R2) 의 곱은,
    R1 ×R2 ≤10-3
    을 만족하는 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성기.
  14. 제 6 항에 있어서,
    상기 광도파로는 광 파이버인 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성기.
  15. 제 6 항에 있어서,
    상기 광도파로는 평면 채널형 광도파로인 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성기.
  16. 광도파로 내에 광 그레이팅이 형성된 그레이팅 장치에 있어서,
    Figure 112008046396448-pat00081
    위상 시프트부와, 상기
    Figure 112008046396448-pat00082
    위상 시프트부를 통하여 결합되며 동일한 브래그 파장을 가지는 제 1 및 제 2 균일 피치 그레이팅을 포함하는
    Figure 112008046396448-pat00083
    위상 시프트 그레이팅을 구비하며,
    상기 제 1 및 제 2 균일 피치 그레이팅은, 상기 제 1 및 제 2 균일 피치 그레이팅의 브래그 파장에서, 각각 R1, R2 의 반사율을 가지며, 상기 반사율 (R1, R2) 은,
    R1 / R2 = (1 - R1)2
    을 만족하는 것을 특징으로 하는 그레이팅 장치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 광도파로는 광 파이버인 것을 특징으로 하는 그레이팅 장치.
  18. 제 16 항에 있어서,
    상기 광도파로는 평면 채널형 광도파로인 것을 특징으로 하는 그레이팅 장치.
  19. 소정의 펄스주기를 갖는 소스광 펄스열을 생성하는 광 펄스원;
    복수의 균일 피치 그레이팅 도파로와 교대로 광학적으로 결합되는
    Figure 112008046396448-pat00084
    위상 시프트 도파로들을 가지는 다중
    Figure 112008046396448-pat00085
    위상 시프트 그레이팅 도파로로서, 상기 복수의 균일 피치 그레이팅 도파로 각각은 상기 소스 광 펄스열을 반사하는, 다중
    Figure 112008046396448-pat00086
    위상 시프트 그레이팅 도파로; 및
    상기 다중
    Figure 112008046396448-pat00087
    위상 시프트 그레이팅 도파로의 일단으로부터 상기 소스광펄스열을 입력하고, 상기 다중
    Figure 112008046396448-pat00088
    위상 시프트 그레이팅 도파로의 상기 일단으로부터 상기 복수의 균일 피치 그레이팅 도파로에 의한 반사 광 펄스들을 출력하는 도파로를 구비하는 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성기.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 다중
    Figure 112002044002792-pat00089
    위상 시프트 그레이팅 도파로는 광 파이버로 구성되는 것을 특징으로 하는 광 펄스열 생성기.
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