KR20000075849A - 적어도 하나의 브래그-격자 구조를 가지는 광 파장 선택 소자 - Google Patents

적어도 하나의 브래그-격자 구조를 가지는 광 파장 선택 소자 Download PDF

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KR20000075849A
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Abstract

본 발명은 적어도 하나의 MMI-도파관과 적어도 하나의 브래그-격자 구조를 포함하는 광 소자에 관한 것이다. 적어도 하나의 액세스 도파관이 상기 MMI-도파관의 제1 측에 설치되어 있고 적어도 하나의 액세스 도파관이 상기 MMI-도파관의 제2 측에 설치되어 있으며, 상기 제1 측 및 제2 측은 상기 MMI-도파관의 단측이다. 상기 액세스 도파관은 이른바 테이퍼 구조를 가지며 MMI-도파관에는 브래그-격자 구조가 설치되어 있다.

Description

적어도 하나의 브래그-격자 구조를 가지는 광 파장 선택 소자{Optical Wavelength Selective Device Including At Least One Bragg-Grating Structure}
네트워크에서 기존의 광섬유의 용량을 증가시키는 많은 방법들이 이 기술 분야의 사람들에게 알려져 있다. 그 중 하나의 방법으로 광 네트워크의 광섬유에 사용될 수 있는 대역폭의 사용 범위를 개선하기 위해 파장 분할(wavelength division) 멀티플렉싱(WDM)이 사용된다. 그러나, 상기 기술은 광 네트워크에서 이른바 다른 광 반송 파장(optical carrier wavelengths)에 놓여 있는 전송 채널을 멀티플렉스 및 디멀티플렉스할 수 있는 수단이 준비될 것을 필요로 한다.
이른바 버스 네트워크(bus network) 또는 링 네트워크(ring network)에 관해서 특별히 관심있는 멀티플렉싱의 한 형태가 애드/드롭 멀티플렉싱인데, 즉 상기한 반송 파장 위에 설치된 이른바 하나 이상의 정보 채널이 정보 흐름(information flow)으로부터 떨어지거나 더해지는 프로세스(process)이다.
본 발명은 광 파장 선택 소자(optical wavelength selective device)에 관한 것으로, 특히 애드/드롭 멀티플렉스(add/drop multiplexor)와 같은 광 네트워크에서 광 전송 채널(optical transmission channel)을 멀티플렉싱/디멀티플렉싱 (multiplexing/demultiplexing)하는 소자에 관한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 광 파장 선택 소자의 실시예를 나타내는 도면,
도 2는 본 발명의 광 파장 선택 소자의 다른 실시예를 나타내는 도면,
도 3은 본 발명의 광 파장 선택 소자의 또 다른 실시예를 나타내는 도면,
도 4는 본 발명의 광 파장 선택 소자의 또 다른 실시예를 나타내는 도면,
도 5는 본 발명의 광 파장 선택 소자의 또 다른 실시예를 나타내는 도면,
도 6은 본 발명의 광 파장 선택 소자의 또 다른 실시예를 나타내는 도면,
광 전송 시스템의 용량은 여러 가지 방법으로 증가시킬 수 있는 것으로 알려져 있다. 예를 들면, 파장 멀티플렉싱에서, 전송 채널은 정보 흐름을 획득하도록 다른 반송 파장으로 멀티플렉스되고 디멀티플렉스된다.
애드/드롭 채널 모두와 전송 채널에 대한 높은 전력 손실은 기존의 기술이 직면한 문제점의 하나이다.
또 다른 문제는 만족할 만한 크로스토크 레벨(cross-talk level)을 유지하는 것이다.
본 발명은 적어도 하나의 MMI-구조, 적어도 하나의 브래그-격자(Bragg-grating), 및 외부 광소자 또는 광섬유와 접속하는 적어도 2 개의 이른바 액세스 도파관(access waveguide)을 포함하는 광 소자로 상기한 문제를 해결하고자 한다.
상기한 MMI-구조(Multi Mode Interference)는 MMI-구조의 입력 중 하나에서의 광 강도 분포(light intensity distribution)가 상기 MMI-구조의 모든 출력에 비추어지는 것이 가능하도록 할 수 있다. 그러므로 MMI-구조는 빛을 쪼개는데 사용될 수 있다. 본 발명의 경우에 있어서, MMI도파관의 길이는 1:1 이미징(imaging)을 얻도록 선택되는데, 다시 말해 최적의 경우에서 MMI 도파관에 주어진 제1 액세스 도파관으로부터 입력되는 모든 빛이 제1 액세스 도파관에 대해 반대편에 놓인 제2 액세스 도파관 상에 초점이 맞는다는 것이다. MMI-구조의 보다 기본적인 이론은 솔다노 등의 특허 명세서 DE 2506272(L.B. Soldano and E.C.M. Pennings, "Optical Multi Mode Interference Device Based on Self-Imaging: Principles and Application", J. Lightwave Technology. Vol. 13(4), pp.615∼627, 1995)에서 다루고 있다.
브래그-격자는 빛을 필터링하는데 사용된다. 필터링 프로세서(filtering process)는 다른 파장의 빛은 반사하는 반면 특정 파장의 빛만 격자를 통과하도록 하는 것을 의미한다. 브래그-격자는 어떤 형태의 파장 선택 미러(wavelength selective mirror)를 구성한다고 할 수도 있다. 특정 파장의 반사는 여러 가지 방법으로 구현할 수 있다. 그러나, 도파관에서의 이른바 물질 지수(material index)를 주기적으로 변화시킴으로서 반사가 생기도록 하는 방법이 전형적인 것이다.
본 발명 소자는 또한 이른바 위상 제어 요소(phase control element)를 포함한다. 위상 제어 요소는 이른바 도파관에서의 광 파장에 영향을 준다. 이것은 도파관에 외부 신호를 인가함으로서 초래된다.
상기한 위상 제어를 실현하는 하나의 방법은 도파관에서 실효 굴절률을 변화시키는 전기장에 도파관이 종속되도록 하는 것이다.
위상 제어는 또한 열 변화(thermal change)에 도파관이 종속되도록 함으로서 실현될 수 있다.
도파관에서 상기 굴절률을 영구적으로 변화시키는 한 가지 방법은 도파관을 자외선에 노출시키는 것이다. 이것은 대개 UV-기록된(written) 도파관으로 불리어진다. 이른바 UV-기록이라는 이 기술은 주기적인 굴절률 변화를 실현하기 위해 가장 자주 사용되는 기술이다. 이 기술은 또한 조절과 트리밍(trimming) 목적으로도 사용될 수 있다.
상기한 필터 방법과 도파관에서의 효과적인 위상 제어 방법은 단지 일례로서 주어진 것이므로 본 발명에 대해 언급되지 않은 방법의 적용을 배제하는 것은 아니다.
본 발명은 브래그-격자가 설치된 MMI-구조를 포함한다. 브래그-격자는 MMI-구조의 중심에 설치하는 것이 바람직하다. 액세스 도파관은 MMI-구조 위에 제공된다. 이러한 MMI-구조 위의 액세스 도파관의 설치는 광 소자의 기능에 결정적인 것이다. 본 발명은 한편으로는 MMI-구조에 대한 다른 한편으로는 브래그-격자를 가지는 액세스 도파관에 대한 많은 여러 가지 실시예를 통해 상기한 문제점을 해결한다.
본 발명의 목적은 기존의 기술에 비해 서로 다른 전송 채널 사이에서 전력 손실이 작고, 채널 크로스토크가 낮으며 전력 변화가 적은 광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명이 주는 장점은 기존의 소자에 비해 더욱 컴팩트한 소자라는 것이다.
본 발명의 또 다른 장점은 광 소자를 상대적으로 저렴하게 생산할 수 있다는 것이다.
본 발명은 다음의 실시예와 첨부한 도면을 참조하여 더욱 상세하게 설명될 것이다.
도 1은 본 발명의 광 파장 선택 소자의 실시예를 나타낸다. 광 파장 선택 소자는 브래그-격자(50)와 MMI-도파관을 포함한다. 브래그-격자(50)는 그 중심선이 MMI-도파관의 중심선과 일치하도록 MMI-도파관에 설치될 수도 있다. 도 1에서 알 수 있듯이, 브래그-격자는 또한 MMI-도파관의 한 단측(short side)으로부터 L/2+Lphc의 거리에 설치될 수도 있으며, 여기서 Lphc는 상기한 MMI-도파관의 중심으로부터의 변위를 나타낸다. Lphc는 양수이거나 또는 음수일 수 있다. 이와 달리 브래그-격자는 상기 장치의 기능을 악화시킬 수 있는 모드-종속 위상 쉬프트(mode-dependent phase shift)의 보상을 위해 MMI-도파관 중심으로부터 벗어나 있다. 브래그-격자는 LBg라는 정해진 폭을 가진다. MMI-도파관은 정해진 길이를 가지는데 도 1에서 L로 표시되어 있다.
이른바 액세스 도파관(1, 2, 3, 4)은 MMI-도파관의 단측에 제공될 수 있다. 도 1의 실시예는 4 개의 액세스 도파관, 즉 각 단측에 2 개씩의 액세스 도파관을 포함한다. 액세스 도파관의 수는 실시예에 따라 변하고, 광 파장 선택 소자의 사용 목적에 따른다. 액세스 도파관의 중심선(10, 20, 30, 40)이 도면에 나타나 있다. MMI-도파관의 장측(long side)으로부터 액세스 도파관(1)의 중심선(10)까지의 거리는 도 1에 a로 표시되어 있다. 상기 MMI-도파관의 동일한 장측으로부터 액세스 도파관(2)의 중심선(20)까지의 거리는 도 1에 b로 표시되어 있다. 마찬가지로, 상기 MMI-도파관의 장측으로부터 나머지 액세스 도파관(3, 4)까지의 거리는 각각 c와 d로 표시되어 있다. 거리 a와 c는 동일할 수 있고, 또한 거리 b와 d도 동일할 수 있다. 거리 a, b, c 및 d는 MMI 도파관의 실효폭(We), 이미지(image) 수 및 관련된 MMI-도파관의 형태에 따라 결정될 것이다. 다른 MMI-도파관에 대한 깊은 이론은 피에르 등의 논문(Pierre A. Besse et al, entitled Optical Bandwidth and Fabrication Tolerances of Multimode Interference Couplers, J. Lightwave Technology, Vol. 12(4), pp.1004∼1009, 1994)에 다루어져 있다.
MMI-도파관의 실효폭(We)은 파장 λ, MMI-도파관에서의 굴절률 스텝(refractive index step), MMI-도파관의 물리적 폭 및 빛의 편광에 따른다. MMI-도파관의 길이는 상기 도파관의 실효폭(We)과 요구 전력에 의존한다.
도 1의 실시예에서, 액세스 도파관은 자유단(free end) 보다 MMI-도파관에 접속된 곳이 더 넓다. 이러한 구조는 보통 테이퍼 구조(tapered structure)라 한다. 이러한 구조는 곧은 액세스 도파관에 비해 광 필드가 변화되는 효과가 있다. 이것은 결국 액세스 도파관의 오류 정정에 있어서 큰 오류 내성(error tolerance)을 나타낸다. 또한, 이러한 효과는 브래그-격자가 반사된 채널에 대해 모드-종속 위상 쉬프트되게 하기 때문에 유용한 낮은 순위 모드(lower order mode)에서 더욱 크게 나타난다.
도시된 광 파장 선택 소자는 또한 위상 제어 요소를 포함한다. 이 위상 제어 요소는 여러 가지 방법 중의 한 방법으로 설치될 수 있다. 위상 제어 요소를 설치하는데 있어 생각할 수 있는 여러 가지 방법은 본 발명의 상세한 설명 부분에서 다루었고, 이 분야의 전문가에게는 잘 알려져 있어서, 여기에 더 상세히 기재하지 않아도 될 것으로 생각된다.
도 2는 본 발명의 광 파장 선택 소자의 다른 실시예를 나타내고 있다. 이전의 실시예에서와 같이, 도 2의 실시예도 브래그-격자(50)와 MMI-도파관을 포함한다. 브래그-격자의 폭은 LBg로 표시한다. MMI-도파관은 앞에서의 실시예와 마찬가지로 L로 표시한다. 본 실시예와 첫 번째 실시예의 차이는 MMI-도파관의 형태에 있다. 상기 도파관은 액세스 도파관(1, 2, 3, 4)과 마찬가지로 테이핑되어 있다. MMI-도파관의 장측은 양쪽 모두가 브래그-격자 주위의 짧은 거리에서 MMI-도파관의 길이 방향으로 서로 평행하고, MMI-도파관의 길이 방향으로 있는 가상적인 중심선에 직교한다. 브래그-격자에 직접적으로 인접한 MMI-도파관의 폭은 W2로 표시하였다. MMI-도파관의 단측의 폭은 W1로 표시하였으며, 여기서 W1〈W2이다.
도 2로부터 명백하듯이, MMI-도파관은 L3의 길이를 가지는 종단 부분(final part)을 포함한다. 또 다른 실시예에서, 길이 L3은 영일 수도 있다. 이러한 구조는 MMI-도파관의 폭 W1과 W2 사이가 테이핑되어 있다. 테이퍼 구조는 선형적이거나 포물선 형태(parabolic) 또는 다른 모양이 될 수 있다. 도시한 경우에서, 테이퍼 구조의 목적은 전파 모드(propagation) 사이의 차이를 감소시키고 격자에서 반사된 모드의 이른바 실효 침투 깊이(effective penetration depth)의 차이를 감소시키는 것이다.
액세스 도파관(1, 2, 3, 4)은 MMI-도파관의 단측에 설치되어 있다. 도 2의 실시예에서, 2 개의 이러한 액세스 도파관이 각 단측에 설치되어 있다. 각 액세스 도파관(1, 2, 3, 4)의 중심선(10, 20, 30, 40)은 이전의 실시예에서 도시된 것과 마찬가지로 도면에 나타나 있다. 상기 단측의 한 끝단으로부터 액세스 도파관(1)의 중심선(10)까지의 거리는 a로 표시되어 있다. 상기 단측의 같은 한 끝단으로부터 액세스 도파관(2)의 중심선(20)까지의 거리는 b로 표시되어 있다. 마찬가지로, 다른 단측으로부터의 나머지 액세스 도파관까지의 거리는 c와 d로 표시되어 있다. 거리 a와 c는 동일하고, 거리 b와 d도 동일하다. 이전의 실시예에서 언급된 것과 같이, 브래그-격자는 MMI-도파관의 중심에 설치되거나 또는 상기 중심에서 약간 벗어나게 설치될 수 있다. 이전의 실시예에서 언급한 것과 같은 이유, 즉 임의의 모드-종속 위상 쉬프트를 보상하기 위해, 브래그-격자는 도파관의 중심으로부터 벗어나 있다.
도 3은 본 발명의 광 파장 선택 소자의 또 다른 실시예를 나타낸다. 본 실시예와 도 2의 실시예의 유일한 차이는 이른바 다수의 액세스 도파관에 광 경로길이(pathlength)가 있다는 것이다. 도 3의 실시예에서, MMI-도파관의 외부 투사 부분(outwardly projecting part)에 액세스 도파관을 설치함으로서 광 경로길이는 액세스 도파관(2, 3)에 대해서 확장된다. 이러한 외부 투사 부분의 폭은 도 3에서 각각 e와 f로 표시되어 있다. e와 f의 거리는 요구하는 결과에 따라 같을 수도 있고 다를 수도 있다. 물론 광 경로길이를 변화시키는 MMI-도파관 위의 어떤 형태의 수단으로 임의의 액세스 도파관을 하나 또는 그 이상 설치하는 것도 가능하다. 주어진 액세스 도파관의 경로길이를 변화시키는 목적은 모드-종속 위상 쉬프트를 보상하기 위한 것이다. 만일 MMI-도파관의 길이 L이 이른바 크로스-모드(cross-mode)에 대응한다고 하면, MMI-도파관의 길이를 2L로 증가시킴으로서 이른바 바-모드(bar-mode)를 얻는 것이 가능하다. 상기한 것에서 추론되는 것과 같이, 크로스-모드는 MMI-도파관의 한 쪽으로부터 입력되는 적어도 하나의 파장 채널이, 신호를 여기(exited)시키는 액세스 도파관에 대해 옆으로 벗어나 있는 MMI-도파관의 다른 쪽의 액세스 도파관에 초점이 맞도록, MMI-도파관을 통해 전송되는 모드를 의미한다. 크로스-모드의 일례로 파장 채널이 액세스 도파관(10)으로부터 전송되고 액세스 도파관(40)에 초점이 맞는 경우가 있다. 바-모드는 파장 채널이 MMI-도파관의 한 쪽의 액세스 도파관으로부터 전송되고 상기 MMI-도파관의 다른 쪽에 있는 대응하는 액세스 도파관에 초점을 맞추어지는 것을 의미한다. 바-모드의 일례로 파장 채널이 액세스 도파관(10)으로부터 전송되고 액세스 도파관(30)에 초점이 맞는 경우가 있다.
도 4에 본 발명의 광 파장 선택 소자의 또 다른 실시예를 나타내었다. 이 실시예에서는, 2 개의 MMI-도파관이 차례로 설치되어 있다. 상기 MMI-도파관들은 도파관 또는 광섬유에 의해 서로 결합된다. 각각의 MMI-도파관 구조는 서로가 결합된 끝단을 제외하고 도 2에 나타낸 구조와 기본적으로 유사하다. 도 4로부터 상기 끝단은 하나의 액세스 도파관만을 포함하고 있음을 알 수 있다. 또한, 각 단측의 일부분인 p, q는 액세스 도파관의 중심선과 직교하지 않게 놓여 있다. 이것은 MMI-도파관에서 불필요한 빛이 상기 구조의 이 부분에서 굴절되어 없어지도록 하기 위한 것이다. 직렬로 연속해서 설치된 2 개의 MMI-도파관은 크로스-토크를 감소시키는 효과가 있다. 또한, 본 발명의 상세한 설명에서 언급한 종류의 위상 제어 요소를 본 실시예에 포함시킬 수 있도록 해 준다. 비록 액세스 도파관이 한 쪽에 2 개 반대쪽인 다른 쪽에 2 개인 것이 바람직하지만, 필요한 임의로 수만큼의 액세스 도파관이 2 개의 MMI-도파관에 설치될 수 있다. 도면으로부터 명백하듯이, 브래그-격자는 MMI-도파관의 중심선으로부터 벗어나 있거나, 상기 도파관의 중심에 설치될 수 있다.
도 5는 2개의 MMI-도파관이 직접 결합된 본 발명의 광 파장 선택 소자의 또 다른 실시예를 나타낸다.
도 5로부터 알 수 있듯이, 본 실시예의 MMI-도파관은 액세스 도파관이 설치된 한 쪽만 테이핑되어 있다. MMI-도파관의 장측 각각은 2 개의 브래그 격자 사이에서 서로 평행하다. 하나의 MMI-도파관의 중심선은 다른 MMI-도파관의 중심선에 대해 평행하게 옆으로 벗어나 있다. MMI-도파관에서의 불필요한 광 반사를 제거하기 위해서, 부분 p와 q는 각 MMI-도파관에 비스듬히 형성되고, 상기 부분은 말하자면 상기한 중심선의 옆으로 평행한 변위에 남는다. 이 실시예는 또한 본 발명의 상세한 설명에서 언급한 종류의 위상 제어 소자를 포함할 수 있다. 요구되는 임의의 수만큼의 액세스 도파관이 각 MMI-도파관의 자유단에 설치될 수 있으며, 이러한 수에 대한 실제적인 한계는 MMI-도파관의 크기에 의해 좌우된다.
상기한 외부 투사 부분에 액세스 도파관을 설치하는 다른 방법으로, 동일한 효과를 구현하면서 MMI-도파관의 굴절률을 적절한 액세스 도파관과 관련하여 변화시킬 수 있는데, 즉 모드-종속 위상 쉬프트를 보상하기 위해 MMI-도파관 내의 광 경로길이를 변화시키는 것을 말한다. 이러한 방법은 도 6에 나타나 있다. 본 실시예에서는, MMI-도파관의 굴절률은 장방형 영역(60)에서 증가되는데, 상기 장방형 영역은 각 액세스 도파관의 중심선과 상기 장방형 영역의 길이 방향 중심선이 일치하는 한 쌍의 액세스 도파관에 가까이 인접해 있다. 이러한 굴절률에 있어서의 변화는 UV 기록에 의해 MMI-도파관에 존재하는 물질을 변환시킴으로서 실현될 수 있다. 예를 들어, 상기 굴절률 변화의 형태와 크기는 이러한 효과를 실현할 수 있게 해 준다.
본 발명의 소자는 석영(SiO2), 중합 물질(polymeric), 일종의 반도체 시스템 또는 니오브산 리튬(lithiumniobate: LiNbO3) 등의 재료로 적절히 생산될 수 있으나, 석영이 가장 바람직하다.
상기한 설명과 실시예에 의해 본 발명이 제한되지 않으며, 첨부한 청구 범위 내에서 여러 가지 수정된 발명이 만들어질 수도 있다.

Claims (14)

  1. 적어도 하나의 MMI-도파관과 적어도 하나의 브래그-격자 구조를 포함하는 광 소자에 있어서,
    적어도 하나의 액세스 도파관이 상기 MMI-도파관의 제1 측에 설치되어 있고 적어도 하나의 액세스 도파관이 상기 MMI-도파관의 제2 측에 설치되어 있으며, 상기 제1 측 및 제2 측은 상기 MMI-도파관의 단측이고,
    상기 액세스 도파관은 테이퍼 구조로 설치되고,
    상기 브래그-격자 구조는 상기 MMI-도파관에 설치되는 것을 특징으로 하는 광 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 브래그-격자는 상기 MMI-도파관의 중심에 설치되는 것을 특징으로 하는 광 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 브래그-격자는 상기 MMI-도파관의 중심에서 벗어나 있는 것을 특징으로 하는 광 소자.
  4. 제2항 또는 제3항에 있어서, 열적으로, 광학적으로, 또는 전기적으로 동작하는 위상 제어 요소를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광 소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 MMI-도파관은 상기 브래그-격자 구조의 각 측에 테이퍼 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 광 소자.
  6. 제5항에 있어서, 상기 MMI-도파관에서의 테이퍼 구조는 선형적인 것을 특징으로 하는 광 소자.
  7. 제5항에 있어서, 상기 MMI-도파관에서의 테이퍼 구조는 포물선 형태인 것을 특징으로 하는 광 소자.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서, 적어도 하나의 액세스 도파관의 경로길이가 나머지 액세스 도파관의 경로길이와 다르게 되도록 상기 MMI-도파관의 상기 한 측에 상기 적어도 하나의 액세스 도파관을 설치하는 것을 특징으로 하는 광 소자.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서, 적어도 하나의 액세스 도파관의 경로 길이는 나머지 액세스 도파관의 경로길이와 다르게 되도록 상기 MMI-도파관의 상기 제1 및 제2 측에 상기 적어도 하나의 액세스 도파관을 설치하는 것을 특징으로 하는 광 소자.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서, 상기 제1 MMI-도파관에 있는 액세스 도파관은 상기 제2 MMI-도파관에 있는 액세스 도파관과 결합되는 것을 특징으로 하는 광 소자.
  11. 제10항에 있어서, 상기 MMI-도파관에서 적어도 하나의 액세스 도파관에 인접한 부분은 상기 MMI-도파관의 나머지 부분의 굴절률과 다른 굴절률을 가지는 것을 특징으로 하는 광 소자.
  12. 제11항에 있어서, 상기 광 소자는 적어도 2 개의 MMI-도파관과 적어도 2 개의 브래그-격자를 포함하고, 적어도 하나의 액세스 도파관은 제1 MMI-도파관의 제1 측에 설치되고 적어도 하나의 액세스 도파관은 제2 MMI-도파관의 제2 측에 설치되며, 상기 제1 및 제2 측은 상기 MMI-도파관의 단측이고,
    상기 제1 MMI-도파관의 제2 단측과 상기 제2 MMI-도파관의 제1 측은 서로 결합되고,
    상기 액세스 도파관은 테이퍼 구조를 가지며,
    브래그 격자 구조는 상기 MMI-도파관에 설치되는 것을 특징으로 하는 광 소자.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1 MMI-도파관의 상기 제2 측과 상기 제2 MMI-도파관의 제1 측은 서로에 대해 옆으로 벗어나 있는 것을 특징으로 하는 광 소자.
  14. 제13항에 있어서, 상기 MMI-도파관은 상기 브래그-격자 구조의 각 측에 테이퍼 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 광 소자.
KR10-1999-7007926A 1997-03-07 1998-03-05 적어도 하나의 브래그-격자 구조체를 포함하는 광 파장 선택 디바이스 KR100520027B1 (ko)

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