KR100855786B1 - 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름에 관한 것이다. 본 발명의 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름은 웨이퍼와 라미네이션되는 상부층 및 상기 상부층의 하부에 형성되며, 와이어 손상을 최소화하는 역할을 하는 하부층으로 이루어지되, 상기 상부층의 점도가 상기 하부층의 점도보다 큰 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 반도체 스택 패키지 공정에서 와이어 손상이 없으며, 상부 다이와 하부 다이 상의 와이어의 절연이 이루어져 스팩 패키지 스페이서로 사용하기에 적합한 장점이 있다.
다이 다이싱 필름, 스택 패키지, 스페이서, 점도, UV 개시제

Description

스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름 {Die dicing film for stacked package spacer}
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 실시예를 예시하는 것이며, 후술하는 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름의 단면도이다.
<도면의 주요 부호에 대한 설명>
100: 다이 다이싱 필름 110: 하부층
120: 상부층
본 발명은 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상부층의 점도가 하부층의 점도보다 큰 적층 구조를 갖는 2층 구조의 다이 다이싱 필름을 형성함으로써 반도체 스택 패키지 공정에서 와이어 손상이 없 으며, 상부 다이와 하부 다이 상의 와이어의 절연이 이루어져 스팩 패키지 스페이서로 사용하기에 적합한 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름에 관한 것이다.
반도체 업계에서 말하는 스택킹이란 적어도 2 개 이상의 반도체 칩을 수직하게 쌓아 올려 메모리 용량을 배가시키는 기술이다.
상기와 같은 스택킹에 의한 패키지의 전형적인 한 예를 개략적으로 설명하면 다음과 같다.
본딩 패드가 상부면에 배치된 반도체 칩에 리드 프레임의 인너 리드가 접착제로 부착되고, 이 인너 리드는 본딩 패드에 금속 와이어로 연결되어 있다. 전체가 봉지제로 볼딩되고, 리드 프레임의 아우터 리드가 봉지제의 양측으로 돌출되어 있다.
이러한 하나의 패키지 상에 동일 구조의 패키지가 적층된다. 즉, 상부에 적층되는 패키지의 아우터 리드가 하부 패키지의 리드 프레임 중간에 접합되어서 전기적 연결이 되어 있다.
그러나, 상기와 같은 일반적인 스택 패키지는 패키지의 전체 두께가 너무 두껍다는 단점이 있다. 또한, 상부 패키지의 신호 전달 경로가 상부 패키지의 아우터 리드를 통해서 하부 패키지의 리드 프레임을 거쳐야 하기 때문에 전기적인 신호 경로가 너무 길다는 단점도 있다. 특히, 상하부 패키지의 리드를 납땜으로 접합하는데 이 납땜 불량으로 접속 불량이 자주 야기되었다.
이러한 단점을 해소하기 위해 제시된 종래의 스택 패키지는 다음과 같다. 상하부 반도체 칩이 소정 간격을 두고 배치되고, 상하 반도체 칩이 밑면에 상부 리 드 프레임의 인너 리드가 부착되어, 금속 와이어에 의해 본딩 패드에 연결되어 있다. 또한, 하부 반도체 칩의 상부면에 하부 리드 프레임의 인너 리드가 부착되어, 금속 와이어에 의해 패드에 연결되어 있다. 즉, 상부 반도체 칩의 본딩 패드는 하부면에, 하부 반도체 칩의 본딩 패드는 상부면에 배치되어 각 반도체 칩은 대칭을 이루게 된다.
상부 리드 프레임의 아우터 리드는 하부 리드 프레임의 중간에 접착되어 있고, 하부 리드 프레임의 아우터 리드가 봉지제에서 노출되어 있다.
그러나, 상기 종래의 스택 패키지는 봉지제가 스택된 반도체 칩들의 상하부 전체를 둘러싸는 구조로 이루어지기 때문에 반도체 칩 크기에 대해 패키지의 크기가 너무 크다는 문제점이 있다.
따라서, 전술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 노력이 관련 업계에서 지속되어 왔으며, 이러한 기술적 배경하에서 본 발명이 안출되었다.
본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는, 반도체 스택 패키지 공정에서 와이어 손상이 없으며, 상부 다이와 하부 다이 상의 와이어의 절연이 이루어져 스팩 패키지 스페이서로 사용하기에 적합하게 함에 있으며, 이러한 기술적 과제를 달성할 수 있는 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름을 제공함에 본 발명의 목적이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제를 달성하기 위한 스택 패키지 스페이 서용 다이 다이싱 필름은, 웨이퍼와 라미네이션되는 상부층; 및 상기 상부층의 하부에 형성되며, 와이어 손상을 최소화하는 역할을 하는 하부층;으로 이루어지되, 상기 상부층의 점도가 상기 하부층의 점도보다 큰 적층 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.
상기 상부층의 점도는 1.1 내지 100 KPa.s인 것이 바람직하다.
상기 하부층의 점도는 0.001 내지 1 KPa.s인 것이 바람직하다.
또한 상기 상부층 및 하부층은, 범용 고상 및 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 분자량 50,000 이상인 고무 15 내지 30 중량부; 고무변성 에폭시 수지 15 내지 30 중량부; 및 경화제 1 내지 5 중량부;를 포함하여 이루어지며, 특히 각 층의 점도 조절을 위하여 상기 상부층에 UV 개시제를 다이 다이싱 필름을 이루는 총 성분 대비 1 내지 7 중량부로 더 포함하는 것이 바람직하다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
본 발명의 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름은 상부층에만 UV 개시제를 포함함으로써 다이 절단(sawing) 후 UV 타입 M/T(mount tape)의 UV 조사시 다이 다이싱 필름 상부층의 B-스태징(staging)을 구현할 수 있어, 하부층의 점도를 0.001 내지 1 KPa.s로 유지시킴과 동시에 상부층의 점도를 보다 높은 1 내지 100 KPa.s로 증가시킬 수 있다.
이하, 본 발명의 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름을 도 1을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 의한 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름을 나타낸 단면도이다. 도 1에 도시한 바와 같이, 본 발명의 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름(100)은, 웨이퍼와 라미네이션되는 상부층(120); 및 상기 상부층(120)의 하부에 형성되며, 와이어 손상을 최소화하는 역할을 하는 하부층(110);으로 이루어지되, 상기 상부층(120)의 점도가 상기 하부층(110)의 점도보다 큰 것이 바람직하다.
상기 상부층(120)은 웨이퍼와 라미네이션되는 층으로, 와이어와 상부 다이와의 절연을 유지할 수 있도록, 다이 접착시에 150∼160 ℃, 1.5∼2.0 sec, 0.1∼0.5 MPa의 저온 저압에서의 점도가 1 내지 100 KPa.s를 유지하는 것이 바람직하다. 상기 상부층(120)의 점도한정에 있어서, 상기 하한치 미만일 경우에는 상부 다이와 하부 다이 상의 와이어의 절연이 되지 않아 바람직하지 않으며, 상기 상한치를 초과할 경우에는 와이어 손상이 발생하여 바람직하지 않다.
상기 하부층(110)은 와이어의 눌림 또는 끊어짐과 같은 손상을 최소화할 수 있는 것이 바람직하며, 이를 위해 상기 하부층(110)은 다이 본딩 조건인 150∼160 ℃, 1.5∼2.0 sec, 0.1∼0.5 MPa의 저온 저압에서의 점도가 1.1 내지 100인 것이 바람직하다. 상기 하부층의 점도한정에 있어서, 상기 하한치 미만일 경우에는 오버-플로우(over-flow)가 발생하여 바람직하지 않으며, 상기 상한치를 초과할 경우에는 와이어 손상이 발생하여 바람직하지 않다.
상기와 같이 각각 점도가 다른 2 개의 층으로 이루어지는 본 발명의 다이 다이싱 필름은 범용 고상 및 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 분자량이 50,000 이상인 고무 15 내지 30 중량부, 고무변성 에폭시 수지 15 내지 30 중량부 및 경화제 1 내지 5 중량부를 포함하여 이루어지며, 상기 상부층에는 다이 다이싱 필름을 이루는 총 성분 대비 UV 개시제 1 내지 7 중량부를 더 포함한다.
상기 분자량 50,000 이상의 고무는 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 수소화된 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 글리시딜 아크릴레이트 고무, 또는 스타이렌 부타디엔 고무 등을 사용할 수 있으며, 바람직하게는 수소화된 아크릴로니트릴부타디엔 고무를 사용하는 것이다.
상기 분자량이 50,000 이상인 고무는 그 함량을 조절함으로써 필름의 점도를 조절할 수 있다. 따라서, 상기 분자량이 50,000 이상인 고무는 범용 고상 및 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 15 내지 30 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 분자량이 50,000 이상인 고무의 함량 범위에 있어서, 상기 하한치 미만일 경우에는 고무의 분자량이 적정수준보다 감소하여 신뢰성 및 공정성이 감소되어 바람직하지 않고, 상기 상한치를 초과할 경우에는 고무의 분자량이 적정수준보다 증가하 여 신뢰성 및 고정성이 감소되어 바람직하지 않다.
상기 고무변성 에폭시 수지는 고무와 에폭시 수지의 상용성 향상을 위해 첨가되는 성분으로, 에폭시-말단화된 부타디엔 고무(epoxy terminated butadiene rubber, ETBN) 또는 카르복실-말단화된 부타디엔 고무(carboxyl terminated butadiene rubber, CTBN)를 사용할 수 있다.
상기 고무변성 에폭시 수지는 범용 고상 및 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 15 내지 30 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 고무변성 에폭시 수지의 함량범위에 있어서, 상기 하한치 미만일 경우에는 수지내 에폭시 수지와 고무간 계면활성제로서의 역할을 하지 못하게 되어 상분리 현상이 발생하여 바람직하지 않으며, 상기 상한치를 초과할 경우에는 수지내 잔존하는 미반응 에폭시 및 고무로 인한 다이 접착 불량, 신뢰성 및 공정성 감소를 유발하여 바람직하지 않다.
상기 범용 고상 및 액상 에폭시 수지는 취급성을 위한 택성 조절과 가요성을 위해 사용되며, 고상 및 액상의 비율이 1.0 내지 3.0인 것이 바람직하다. 상기 고상 및 액상의 비율이 상기 범위를 벗어날 경우에는 수지 점도, 테크니스(tackness) 및 점착성이 다이 다이싱 필름의 신뢰성과 제조에 있어 적합하지 않아 바람직하지 않다.
상기 범용 고상 및 액상 에폭시 수지는 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 또는 페녹시계 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
상기 경화제는 잠재성 경화제로서, 아민계 경화제, 퍼옥사이드계 경화제, 또 는 페놀계 경화제를 사용할 수 있다.
상기 경화제는 범용 고상 및 에폭시 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 5 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 경화제의 함량범위에 있어서, 상기 하한치 미만일 경우에는 에폭시 당량에 못미치는 함량으로 경화율이 낮아지게 되면 신뢰성 저하가 발생되어 바람직하지 않으며, 상기 상한치를 초과할 경우에는 에폭시 당량을 초과하는 함량으로 다이 접착 불량 및 공정성 저하가 발생되어 바람직하지 않다.
또한, 상기 UV 개시제는 다이 절단 후 UV 타입 M/T(mount tape)의 UV 조사시 다이 다이싱 필름 상부층의 B-스태징(staging)을 구현하게 하는 작용을 한다.
상기 UV 개시제는 알파디메톡시-알파-페닐아세토페논(alphadimethoxy-alpha-phenylacetophenone), 메틸벤조일포메이트(methylbenzoylformate), 디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀 옥사이드(diphnyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phosphine oxide), 1-하이드록시-시클로헥실-페닐-케톤(1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone) 또는 비스92,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드(bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphineoxide) 등을 사용할 수 있다.
상기 UV 개시제는 다이 다이싱 필름을 이루는 총 성분 대비 1 내지 7 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 UV 개시제의 함량범위에 있어서, 상기 하한치 미만일 경우에는 B-스태징이 포화(saturation)되지 못하여 바람직하지 않으며, 상기 상한치를 초과할 경우에는 미반응 재료로 잔류하여 열처리 공정을 거치면서 신뢰성 불량의 원인이 되어 바람직하지 않다.
상기와 같은 성분으로 이루어지는 다이 다이싱 필름은 상기 성분 이외에 당업계에서 통상적으로 사용하는 유/무기필러, 경화촉진제, 경화저하제, 희석제 등의 성분을 더 포함할 수 있다.
상기와 같은 본 발명의 다이 다이싱 필름은 점도가 다른 2 개의 층으로 이루어지며, 웨이퍼와 라미네이션되는 상부층의 점도를 하부층보다 더 높게 적층함으로써 와이어와 상부 다이와의 절연효과를 나타낼 수 있으며, 점도가 가장 낮은 하부층에 의하여 와이어의 눌림 또는 끊어짐과 같은 손상을 최소화할 수 있게 되는 것이다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예와 이에 대비되는 비교예를 통하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
실시예 1
하부층을 제조하기 위하여, 아크릴로니트릴 고무 15 중량부, 에폭시-말단화된 부타디엔 고무(ETBN) 19 중량부, 페녹시 수지 25 중량부 및 고상/액상 비스페놀 A 수지 75 중량부를 메틸에틸케톤에 용해시켰다. 상기 혼합액을 균일하게 혼합한 후, 잠재성 아민계 경화제 3 중량부를 넣은 후, 이 혼합액을 PET 필름 위에 코팅하고 건조시켜 하부층이 코팅된 필름을 얻었다. 이때, 상기 건조는 60∼90 ℃에 걸쳐 단계적으로 실시하였으며, 하부층의 점도는 0.7 Kpa.s였다.
그 다음 상부층을 제조하기 위하여, 아크릴로니트릴 고무 15 중량부, 에폭시-말단화된 부타디엔 고무(ETBN) 19 중량부, 페녹시 수지 25 중량부 및 고상/액상 비스페놀 A 수지 75 중량부를 메틸에틸케톤에 용해시켰다. 상기 혼합액을 균일하 게 혼합한 후, UV 개시제인 메틸벤조일포메이트 3 중량부 및 잠재성 아민계 경화제 3 중량부를 넣은 후, 이 혼합액을 상기 제조한 하부층이 코팅된 필름 위에 코팅하고 건조시켜 3 개의 층으로 이루어진 다이 다이싱 필름을 얻었다. 이때, 상기 건조는 60∼90 ℃에 걸쳐 단계적으로 실시하였으며, 상부층의 점도는 75 Kpa.s였다.
상기 제조한 다이 다이싱 필름의 상부층이 실리콘 웨이퍼에 접착되도록 60 ℃에서 라미네이션하고, 절단(sawing) 과정을 통해 얻어진 8 ㎝ × 8 ㎝의 실리콘 칩을 15 ㎛의 단차를 가지는 PCB에 본딩하고, 175 ℃에서 1 시간 동안 접착제를 경화시켰다. 이때, 본딩 조건은 160 ℃, 2 sec, 2 ㎏f로 하였다.
그 후, 와이어에 발생한 손상 여부를 Decap.을 이용하여 확인하였으며, JEDEC 기준에 따라 MRT(Moisture resistance test) Level2의 신뢰성 평가를 실시하였다. 이때, 테스트 조건은 85 ℃, 85 % RH에서 7 일 동안 소킹(soaking)한 후, 260 ℃에서의 피크온도에서 리플로우하여 신뢰성을 평가하였다.
비교예 1∼2
상기 실시예 1의 상부층에 사용된 UV 개시제의 함량을 하기 표 1에 나타낸 조성비로 사용하고, 각 층의 점도를 달리하여 형성한 것을 제외하고는 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 실시하였다. 이때, 와이어 손상 여부와 MRT Level2의 신뢰성 평가는 상기 실시예 1에 기재한 바와 동일한 방법으로 측정하였다.
상기 실시예 1 및 비교예 1∼2를 이용하여 측정한 와이어 손상여부와 MRT Level2 신뢰성 평가 결과는 하기 표 1에 나타내었다.
Figure 112006093200251-pat00001
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명에 따라 상부층에 UV 개시제를 1∼7 중량부로 사용하여 상부층의 점도가 하부층의 점도보다 높은 구조로 적층된 다이 다이싱 필름이 사용된 실시예 1의 경우 와이어 손상이 없으며, MRT Level2의 신뢰성을 통과하였음을 확인할 수 있었다. 반면, UV 개시제의 함량을 적거나 많게 사용한 비교예 1 및 2의 경우에는 와이어 손상이 나타남을 확인할 수 있었다.
이상과 같이, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 이것에 의해 한정되지 않으며 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술사상과 아래에 기재될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형이 가능함은 물론이다.
본 발명에 따르면, 반도체 스택 패키지 공정에서 와이어 손상이 없으며, 상부 다이와 하부 다이 상의 와이어의 절연이 이루어져 스팩 패키지 스페이서로 사용하기에 적합하다.

Claims (11)

  1. 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름에 있어서,
    웨이퍼와 라미네이션되는 상부층; 및
    상기 상부층의 하부에 형성되며, 와이어 손상을 최소화하는 역할을 하는 하부층;으로 이루어지되, 상기 상부층의 점도가 상기 하부층의 점도보다 더 크며,
    상기 상부층은 범용 고상 및 액상 에폭시 수지, 분자량이 50,000 이상인 고무, 고무변성 에폭시 수지, 경화제 및 UV 개시제를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상부층은, 범용 고상 및 액상 에폭시 수지 100 중량부에 대하여
    분자량이 50,000 이상인 고무 15 내지 30 중량부;
    고무변성 에폭시 수지 15 내지 30 중량부;
    경화제 1 내지 5 중량부; 및
    UV 개시제를 1 내지 7 중량부; 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 상부층은, 150∼160 ℃, 1.5∼2.5 sec, 0.1∼0.5 MPa 조건에서의 점도가 1.1 내지 100 KPa.s인 것을 특징으로 하는 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 하부층은, 범용 고상 및 액상 에폭시 수지 100 중량부에 대하여
    분자량이 50,000 이상인 고무 15 내지 30 중량부;
    고무변성 에폭시 수지 15 내지 30 중량부; 및
    경화제 1 내지 5 중량부;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 하부층은, 150∼160 ℃, 1.5∼2.5 sec, 0.1∼0.5 MPa 조건에서의 점도가 0.001 내지 1 KPa.s인 것을 특징으로 하는 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름.
  6. 제2항 또는 제4항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,
    상기 분자량이 50,000 이상의 고무는, 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 수소화된 아크릴로니트릴부타디엔 고무, 글리시딜 아크릴레이트 고무 및 스타이렌 부타디엔 고무로 이루어지는 군으로부터 선택된 단일물 또는 이들 중 임의로 선택된 둘 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름.
  7. 제2항 또는 제4항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,
    상기 고무변성 에폭시 수지는, 에폭시-말단화된 부타디엔 고무(epoxy terminated butadiene rubber, ETBN), 카르복실-말단화된 부타디엔 고무(carboxyl terminated butadiene rubber, CTBN) 및 이들의 혼합물로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름.
  8. 제2항 또는 제4항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,
    상기 범용 고상 및 액상 에폭시 수지는, 비스페놀 A 에폭시 수지, 비스페놀 F 에폭시 수지, 크레졸 노볼락 에폭시 수지 및 페녹시계 에폭시 수지로 이루어지는 군으로부터 선택된 단일물 또는 이들 중 임의로 선택된 둘 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름.
  9. 제2항 또는 제4항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,
    상기 범용 고상 및 액상 에폭시 수지는, 고상 및 액상의 비율이 1.0 내지 3.0인 것을 특징으로 하는 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름.
  10. 제2항 또는 제4항 중 선택된 어느 한 항에 있어서,
    상기 경화제는, 아민계 경화제, 퍼옥사이드계 경화제 및 페놀계 경화제로 이루어지는 군으로부터 선택된 단일물 또는 이들 중 임의로 선택된 둘 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름.
  11. 제2항에 있어서,
    상기 UV 개시제는, 알파디메톡시-알파-페닐아세토페논(alphadimethoxy-alpha-phenylacetophenone), 메틸벤조일포메이트(methylbenzoylformate), 디페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀 옥사이드(diphnyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phosphine oxide), 1-하이드록시-시클로헥실-페닐-케톤(1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone) 및 비스92,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드(bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylphosphineoxide)로 이루어지는 군으로부터 선택된 단일물 또는 이들 중 임의로 선택된 둘 이상의 혼합물인 것을 특징으로 하는 스택 패키지 스페이서용 다이 다이싱 필름.
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