KR100855602B1 - 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치 - Google Patents
선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100855602B1 KR100855602B1 KR1020070054677A KR20070054677A KR100855602B1 KR 100855602 B1 KR100855602 B1 KR 100855602B1 KR 1020070054677 A KR1020070054677 A KR 1020070054677A KR 20070054677 A KR20070054677 A KR 20070054677A KR 100855602 B1 KR100855602 B1 KR 100855602B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- probe
- ink
- line width
- fine pattern
- vary
- Prior art date
Links
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims abstract description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910017709 Ni Co Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003267 Ni-Co Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003286 Ni-Mn Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910003262 Ni‐Co Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/164—Manufacturing processes thin film formation
- B41J2/1642—Manufacturing processes thin film formation thin film formation by CVD [chemical vapor deposition]
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1303—Apparatus specially adapted to the manufacture of LCDs
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
본 발명은 탐침 탄력을 이용하여 탐침부가 기판에 접촉하는 힘에 따라 탐침부와 기판간의 접촉면을 조절함으로써, 다양한 선폭의 패턴을 형성할 수 있는 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치를 제공함에 목적이 있다.
본 발명에 따른 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치는 잉크를 보관하기 위한 제1잉크 보관부; 상기 제1잉크 보관부로부터 유입된 잉크를 기판에 전사하기 위한 홀과 홀을 개폐하기 위한 탐침으로 이루어진 탐침부; 상기 제1잉크 보관부 하부에 상기 탐침부를 고정하기 위한 탐침 지지부; 및 상기 탐침부의 위치와 가공상태를 확인하기 위한 CCD 카메라로 이루어진 광학부를 포함한다.
가변, 선폭, 전사, 탐침, 잉크
Description
도 1 및 도 2는 종래에 따른 미세 패턴 전사 장치,
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 미세 패턴 전사 장치의 구성도,
도 4는 본 발명에 따른 미세 패턴 전자 장치 중 탐침부의 구성도,
도 5 내지 도 7은 본 발명에 따른 미세 패턴 전사 장치 작동원리,
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 미세 패턴 전사 장치의 구성도.
*도면의 주요 부분에 대한 설명*
310: 탐침부 320: 제1잉크 보관부
330: 광학부 340: 잉크 전달부
350: 기판 410: 탐침
420: 탐침 지지대 430: 제2 잉크 보관부
440: 홀 450: 스프링 구조물
510: 잉크
본 발명은 미세 패턴을 형성하기 위한 장치에 관한 것으로, 보다 자세하게는 탐침 지지대와 탐침의 연결부의 탄력을 이용하여 기판과 탐침의 접촉면적을 제어함으로써, 선폭을 제어하면서 미세한 패턴을 기판상에 형성할 수 있는 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치에 관한 것이다.
액정표시장치에 있어서, 패널에 TFT와 배선을 형성하는 공정 중 발생하는 배선의 단락은 패널 전체를 불량으로 만들어 제품 수율에 영향을 준다.
도 1은 종래에 따른 배선을 복구하는 방법으로 레이저를 이용한 CVD(Chemical Vapour Deposition)를 도시한 것이다.
기판(110)상에 복구를 필요로 하는 배선 상부에 윈도우(120)를 위치시고 윈도우(120) 상부에 렌즈(130)와 레이저 발진기(140)를 위치시킨다. 윈도우(120)에는 레이저 발진기(140)에서 출력된 레이저 빔이 기판으로 조사될 수 있도록 투과 창(150)과 배선을 형성하기 위한 소스 가스 주입라인(160)이 구비되어 있다. 또한 퍼지와 배기를 위한 가스라인(170,180)이 구비되어 있다. 윈도우(120)의 위치가 고정되면, 소스 가스라인(160)을 통하여 소스 가스가 공급되고 레이저 발진기(140)를 작동시킨다. 레이저 발진기(140)로부터 출력된 레이저 빔은 배선이 단락된 영역에 국소적으로 열을 가함으로써, 공급된 소스 가스와 화학적 반응을 일으켜 전도성 물질을 증착시킴으로써, 단락된 배선을 복구한다. 그러나 레이저 빔을 이용하여 반응 가스를 전도성 물질로 변화하여 배선이 단락된 부분에 증착하는데 소요되는 시간이 길어 제품의 생산성이 저하되는 단점이 있다.
도 2a 내지 도 2b는 종래의 또 다른 배선을 형성하는 방법으로 탐침을 이용한 방법을 도시한 것이다.
미세한 크기의 탐침(210)과 전도성 소재를 포함한 잉크(220)를 사용하는 것으로 소위 딥펜(Dip-Pen) 공정을 이용하여 배선이 단락된 부분에 탐침을 접촉한 후 스캐닝하면 탐침으로부터 기판(230)으로 잉크가 전사되어 단락된 부분에 배선(240)이 형성된다. 그러나 형성되는 배선의 선폭이 제한적이어서, 다양한 형태와 크기의 패턴을 복구시 탐침의 반복적인 스캐닝이 필요하여 작업에 소요되는 시간이 증가하는 단점이 있다.
본 발명은 탐침부가 기판에 접촉하는 힘에 따라 탐침과 기판간의 접촉면을 조절함으로써, 다양한 선폭의 패턴을 형성할 수 있는 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치를 제공함에 목적이 있다.
본 발명에 따른 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치는 잉크를 보관하기 위한 제1잉크 보관부; 상기 제1잉크 보관부로부터 유입된 잉크를 기판에 전사하기 위한 홀과 홀을 개폐하기 위한 탐침으로 이루어진 탐침부; 상기 제1잉크 보관부 하부에 상기 탐침부를 고정하기 위한 탐침 지지부; 및 상기 탐침부의 위치와 가공상태를 확인하기 위한 CCD 카메라로 이루어진 광학부를 포함한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.
도 3 및 도 4는 본 발명에 따른 미세 패턴 전사장치의 구성도이다.
도시된 바와 같이 탐침부(310), 제1잉크 보관부(320), 광학부(330) 그리고 잉크 전달부(340)로 구성이 된다.
탐침부(310)는 탐침(410), 탐침 지지대(420), 그리고 원뿔형의 소형의 제2잉크 보관부(430)로 구성된다. 소형의 제2잉크 보관부(430)에는 패턴을 형성하는데 사용되는 전도성 소재가 포함된 잉크가 담겨져 있으며 제1잉크 보관부(320)로부터 잉크를 공급받기 위하여 잉크 전달부(340)가 연결되어 있다.
본 발명에 따른 탐침(410)은 MEMS 공정을 이용하여 형성한 도금 구조물로서, 탐침제작에 소비되는 비용을 저감할 수 있고, 탐침의 강도와 탄성을 향상시킬 수 있다. 그리고 친수성 부여와 탐침의 표면을 보호하기 위하여 탐침 표면에 보호층을 증착할 수 있다. 탐침의 소재는 Rh 및 Cr을 사용하거나 보다 강도를 향상시키기 위하여 서로 다른 소재를 혼합한 Ni-W, Ni-Co, Ni-Fe 및 Ni-Mn을 사용할 수 있다.
그리고 본 발명에 따른 탐침은 니켈 또는 니켈 합금으로 형성한 스프링 구조물(450)과 본딩되어 외부로부터 가해지는 힘의 방향으로 그 위치가 변화될 수 있다. 이러한 MEMS 공정을 이용하여 탐침을 이용할 경우, 다른 장치와 함께 집적화가 용이하다.
본 발명에 따르면, 잉크가 굳는 것을 막기 위해 잉크 전사시에만 제1잉크 보관부(320)에서 소형의 제2잉크 보관부(430)로 공급되도록 하며, 잉크 전사가 끝난 후에는 소형의 제2잉크 보관부(430)의 잉크는 다시 제1잉크 보관부(320)로 강제 흡수토록 한다. 또한 제1,2잉크 보관부(320,430)는 잉크를 일정 시간 간격으로 가열, 초음파 진동 혹은 강제 순환을 시켜 잉크가 굳는 것을 방치토록 한다.
제2잉크 보관부(430)를 포함하는 탐침부(310)의 일단 하단부에는 연속 도금공정 또는 레이저를 이용하여 형성된 홀(440)이 있다. 홀(440)은 탐침(410)에 의하여 닫혀 있어 잉크가 아래로 흐르지 않는다.
잉크 전사 방식은 다음과 같다. 기판(350)을 스테이지상에 고정한 다음, 광학부를 이용하여 기판(350)상에 배선을 형성하거나 복구하기 위한 곳을 검색한다. 잉크가 전사된 곳이 정해지면 CCD 카메라로 이루어진 광학부(330)를 이용하여 탐침부(310)의 위치를 확인하면서 정렬한 후, 기판(350)에 접근시킨다. 탐침부(310)가 기판(350)에 접촉하면 탐침(410)은 스프링 구조물(450)의 탄력성에 의하여 탐침부(310) 내부로 들어가면서 최단부의 홀(440)을 열어주게 되고, 홀(440)을 통하여 잉크가 기판(350)으로 전사된다. 즉, 잉크의 전사는 탐침(410)이 기판(350)과의 접촉 유무에 의하여 탐침부(310)의 최단부의 홀(440)을 개폐함에 따라 작동하는 것이다. 따라서 탐침(410)이 기판(350)에 접촉과 동시에 잉크가 전사되므로 공정의 속도가 빠르며 생산성이 향상된다.
본 발명에 따르면 탐침(410)이 홀(440)을 개폐하는 방법으로 탐침 지지부 상단에 압전소자(미도시)를 구비하여 전류를 인가시 압전소자의 변형에 의하여 탐침을 움직이게 함으로써 홀을 개폐할 수 있다. 그리고, 열팽창 또는 열팽창 계수를 이용하여 탐침을 움직일 수 있다.
도 5 내지 도 7은 본 발명에 따른 가변 선폭 구현 방법을 도시한 것이다.
탐침(410)이 탐침부(310)의 최단부에 형성된 홀(440)를 막고 있을 경우 잉크(510)는 전사되지 않는다(도 5). 그러나 탐침부(310)가 소정의 힘으로 기판(350)과 접촉하여 가압하게 되면, 탐침(410)이 탐침부(310)안으로 들어가게 된다. 이때 잉크는 탐침(410)과 탐침부(310) 최단부에 형성된 홀(440)을 통하여 기판(350)으로 전사되어 소정의 폭을 갖는 배선(520)이 형성된다(도 6). 만약 선폭을 증가시키기 위해서는 탐침부(310)를 보다 강한 힘으로 기판(350)을 가압함으로써, 탐침(410)이 탐침부(310) 내부로 더 깊이 들어가면, 탐침부(310) 최단부에는 더욱 큰 홀(440)이 형성된다. 홀(440)의 크기가 커지면 더 많은 잉크(510)가 기판(350)에 전사되므로 선폭이 커진 배선(520)을 형성할 수 있다(도 7).
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 미세 패턴 전사 장치의 구성도이다.
탐침부(310)에 복수의 홀(440), 탐침(410), 탐침 지지부(420)를 구비하여 보다 선폭이 큰 배선을 형성할 수 있다.
본 발명에 따르면, 복수의 탐침(410)이 보다 안정적이고 동일하게 움직이기 위하여 하나의 탐침 지지부(420)에 복수의 탐침을 구비하여 사용할 수 있다.
본 발명은 이상에서 살펴본 바와 같이 바람직한 실시예를 들어 도시하고 설명하였으나, 상기한 실시예에 한정되지 아니하며 본 발명의 정신을 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 변경과 수정이 가능할 것이다.
본 발명에 따르면, 다양한 선폭을 갖는 패턴을 형성할 수 있어, 단락된 배선을 보수하는데 소요되는 시간을 줄여 제품의 생산성을 향상할 수 있는 현저하고도 유리한 효과가 있다.
Claims (9)
- 잉크를 보관하기 위한 제1잉크 보관부;상기 제1잉크 보관부로부터 유입된 잉크를 기판에 전사하기 위한 홀과 홀을 개폐하기 위한 탐침으로 이루어진 탐침부;상기 제1잉크 보관부 하부에 상기 탐침부를 고정하기 위한 탐침 지지부; 및상기 탐침부의 위치와 가공상태를 확인하기 위한 CCD 카메라로 이루어진 광학부를 포함하는 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 탐침부는상기 제1잉크 보관부로부터 하기 제2잉크 보관부로 유입하기 위한 잉크 전달부;상기 잉크를 보관하고 일단에 홀이 형성된 제2잉크 보관부; 및상기 홀을 개폐하여 상기 잉크를 전사하기 위한 탐침을 포함하는 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치.
- 제2항에 있어서,상기 탐침은 기판과 접촉시 발생하는 압력, 압전효과 및 열팽창 중 어느 하나를 이용하여 상기 홀을 개폐하는 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치.
- 제2항에 있어서,상기 탐침은 친수성 부여 및 보호를 위하여 박막으로 코팅 처리된 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치.
- 제2항에 있어서,상기 탐침은 Rh, Cr, Ni-W, Ni-Co, Ni-Fe 및 Ni-Mn 중 어느 하나로 형성된 도금 구조물인 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치.
- 제2항에 있어서,상기 홀과 상기 탐침은 복수로 형성된 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치.
- 제2항에 있어서,상기 탐침은 니켈 또는 니켈을 포함하는 소재로 형성된 스프링 구조물과 본딩된 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치.
- 제2항에 있어서,상기 제1잉크 보관부 및 제2잉크 보관부는 잉크가 굳는 것을 막기 위하여 가열, 초음파 진동 및 강제 순환 중 어느 하나를 이용하는 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치.
- 제1항에 있어서,상기 잉크는 전도성 물질을 포함하는 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070054677A KR100855602B1 (ko) | 2007-06-04 | 2007-06-04 | 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070054677A KR100855602B1 (ko) | 2007-06-04 | 2007-06-04 | 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100855602B1 true KR100855602B1 (ko) | 2008-09-01 |
Family
ID=40022167
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070054677A KR100855602B1 (ko) | 2007-06-04 | 2007-06-04 | 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100855602B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100961974B1 (ko) | 2008-08-28 | 2010-06-08 | 한국과학기술원 | 초음파 가진을 이용한 전사 시스템 및 전사 방법 |
KR101168892B1 (ko) | 2010-11-01 | 2012-08-02 | (주) 엔피홀딩스 | 패턴 가공장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040100982A (ko) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 유체 도포장치 및 유체 도포방법, 및 플라즈마 디스플레이패널 |
-
2007
- 2007-06-04 KR KR1020070054677A patent/KR100855602B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20040100982A (ko) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 유체 도포장치 및 유체 도포방법, 및 플라즈마 디스플레이패널 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100961974B1 (ko) | 2008-08-28 | 2010-06-08 | 한국과학기술원 | 초음파 가진을 이용한 전사 시스템 및 전사 방법 |
KR101168892B1 (ko) | 2010-11-01 | 2012-08-02 | (주) 엔피홀딩스 | 패턴 가공장치 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101129624B1 (ko) | 프로브 카드 애플리케이션을 위한 재사용 가능한 기판 상의mems 프로브 제조 | |
US7883165B2 (en) | Droplet information measuring method and apparatus therefor, film pattern forming method, device manufacturing method, droplet discharge apparatus, electro-optical apparatus, and electronic apparatus | |
KR100855602B1 (ko) | 선폭을 가변할 수 있는 미세 패턴 전사 장치 | |
CN101566788A (zh) | 光刻胶图案的修补方法 | |
KR20190064586A (ko) | 전자부품의 제조 방법 및 장치 그리고 전자부품 | |
JP4600655B2 (ja) | 基板保持方法 | |
JP2008034569A (ja) | 半導体集積回路検査用プローブカードとその製造方法 | |
US7808606B2 (en) | Method for manufacturing substrate, liquid crystal display apparatus and method for manufacturing the same, and electronic device | |
KR20070033007A (ko) | 전자 소자 또는 기능 소자들의 제조 방법 | |
KR102074974B1 (ko) | 패턴 형성 장치 및 방법 | |
KR100469046B1 (ko) | 실크스크린을 이용한 프로브 핀 절연방법 | |
CN111819701A (zh) | 用于清洁印刷装置的装置和方法 | |
KR100812647B1 (ko) | 기판 고정 장치 | |
JP2006167650A (ja) | レジスト塗布方法 | |
KR100975668B1 (ko) | 패턴 간격을 조정가능한 전기수력학적 패터닝 장치 및 이를이용한 전기수력학적 패터닝 방법 | |
JP2010225732A (ja) | 液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置 | |
JP3719909B2 (ja) | 部品の製造方法 | |
KR102509522B1 (ko) | 성형물 또는 전기 전도성 접촉핀의 정렬 이송 방법 | |
JP2019534572A (ja) | 電子素子の遅延ビア形成 | |
Piqué et al. | Laser forward transfer for digital microfabrication | |
Liu | Thin-Film PZT on Polymer and Glass Substrates: Breaking the Rules | |
KR20090095733A (ko) | 기판처리장치 | |
KR101634682B1 (ko) | 노즐젯 헤드 모듈 및 그를 구비한 노즐젯 시스템 | |
KR20050030737A (ko) | 잉크젯 프린팅을 이용한 프로브 유니트의 절연장치 및 방법 | |
JP2005016959A (ja) | ディスプレイパネル検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20110720 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120720 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |