KR100850682B1 - 복합 노이즈 필터 및 이의 제조방법 - Google Patents

복합 노이즈 필터 및 이의 제조방법 Download PDF

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KR100850682B1
KR100850682B1 KR1020070031163A KR20070031163A KR100850682B1 KR 100850682 B1 KR100850682 B1 KR 100850682B1 KR 1020070031163 A KR1020070031163 A KR 1020070031163A KR 20070031163 A KR20070031163 A KR 20070031163A KR 100850682 B1 KR100850682 B1 KR 100850682B1
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Abstract

본 발명은 복합 노이즈 필터 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Ni-Zn계 연자성체와 Varistor를 동시소결 접합을 하는 기술을 통하여 LC filter의 기능과 Varistor의 기능을 갖도록 구성하기 위한 복합 노이즈 필터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 복합 노이즈 필터는,
복수층으로 형성되어 각 층간에 비아홀로 전기적으로 통전이 되도록 구성하되, 비아홀과 연결되는 내부전극 패턴이 형성되어 있는 자성체층과;
복수층으로 형성되어 최상층 및 최하층에는 확산을 방지하기 위한 배리어 전극층을 형성시키고, 중앙층에 그라운드 단자 및 커패시터를 형성하는 내부전극 패턴이 형성되는 바리스터층과;
상기 자성체층과 바리스터층 사이에 위치하여 자성체층과 바리스터층간 확산을 방지하는 확산방지층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명을 통해 LC filter에 의해 급격한 기울기의 스커드 특성을 확보할 수 있게 되어 신호와 Noise에 대한 구분을 확실하게 할 수 있는 효과와 확산방지층과 확산 방지 내부전극층을 형성하여 동시소결하기 때문에 소성후 Varistor특성에서 Leakage current상승 등의 현상이 나타나지 않는 안정적인 Varistor의 비선형 전류/전압 특성을 확보할 수 있으며, 재료 간 독창적인 특성이 보장되기 때문에 높은 신뢰도를 유지할 수 있는 효과를 제공하게 된다.
내부전극, 적층, 인덕터, 커패시터, ESD, EMI, LC-Filter.

Description

복합 노이즈 필터 및 이의 제조방법 { A array filter integrated device with difference materials }
도 1은 종래의 RC형 EMI/ESD 복합기능소자를 나타낸 도면이다.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 복합 노이즈 필터를 나타낸 사시도이다.
도 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 복합 노이즈 필터의 적층 사시도이다.
도 2c는 본 발명의 일실시예에 따른 복합 노이즈 필터의 등가 회로를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 복합 노이즈 필터의 스커드 특성을 나타낸 도면이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 따른 복합 노이즈 필터의 바리스터의 비선형 전류/전압 특성을 나타낸 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
10 : 내부전극층 20 : 비아홀
30 : 배리어 전극층 40 : 외부전극
100 : 상부인덕터층 100a : 하부인덕터층
110, 110a : 상부페라이트커버부 120, 120a : 제1인덕터부
130, 130a : 제2인덕터부 140, 140a : 하부페라이트커버부
200 : 상부확산방지층 300 : 중앙커패시터층
310 : 상부배리어부 320 : 좌측전극부
330 : 그라운드전극부 340 : 우측전극부
350 : 하부배리어부 400 : 하부확산방지층
본 발명은 복합 노이즈 필터 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 Ni-Zn계 연자성체와 Varistor를 동시소결 접합을 하는 기술을 통하여 LC filter의 기능과 Varistor의 기능을 갖도록 구성하기 위한 복합 노이즈 필터 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
도 1에 도시한 종래의 대한민국 특허출원번호 제 2003-0015809호의 경우, Varistor를 기반으로 하며 상부에 Resistor를 형성시키고 이것을 절연 Coating한 형태의 RC filter로서 최근들어 사용하는 frequency의 고속화에 따라 신호 대역과 Noise대역이 가깝게 형성이 되어가고 있으며 이로 인해 기존 RC의 완만한 스커드 특성만으로는 Noise filtering에 대한 한계에 도달하여 LC filter로 구성되는 Noise와 신호의 분해능을 개선하게 되는 특성과 함께 실장 밀도를 높여야 하기 때 문에 자성체를 기반으로 한 Shielded 특성에 대한 요구가 증대되고 있으며 Display에서의 Noise 억제를 위한 저주파 cut-off frequency의 제품에 대한 요구에 부합하는 기능으로는 한계를 가지고 있었다.
따라서, 본 발명은 상기 종래의 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로,
본 발명의 목적은 확산 방지층을 기반으로 자성체와 Varistor재료를 동시소결함으로써 LC filter의 기능과 함께 과도전압을 억제할 수 있도록 하는데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 복합 노이즈 필터는,
복수층으로 형성되어 각 층간에 비아홀로 전기적으로 통전이 되도록 구성하되, 비아홀과 연결되는 내부전극 패턴이 형성되어 있는 자성체층과;
복수층으로 형성되어 최상층 및 최하층에는 확산을 방지하기 위한 배리어 전극층을 형성시키고, 중앙층에 그라운드 단자 및 커패시터를 형성하는 내부전극 패턴이 형성되는 바리스터층과;
상기 자성체층과 바리스터층 사이에 위치하여 자성체층과 바리스터층간 확산을 방지하는 확산방지층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 확산방지층의 방지 재료는,
ZnO 를 75mol%에 Bi2O3와 Sb2O3를 각각 1mol%이하로 설정하고 소결후 내 산성 및 저 유전율을 형성시킬 수 있도록 SiO2또는 Al2O3를 10~20mol%정도로 사용하며 소결시 Grain성장을 억제시킬 수 있도록 MgO를 5mol%를 혼합시키며 소결성을 확보하기 위해 Mn3O4, Co3O4등의 첨가제를 0.5mol% 혼합하여 혼합된 원료를 900℃이하에서 하소하여 획득되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 자성체층의,
자성체는 Fe2O3, NiO, ZnO를 각각 45mol%, 25mol%, 25mol% 정도로 혼합하며 CuO를 7mol%를 혼합하여 Ni-Zn-Ferrite의 혼합물을 형성하며 동시소결 접합성을 확보하기 위해 Co3O4와 SiO2를 1mol%이하로 혼합한 뒤 혼합 건조가 완료된 분말을 900℃ 이하의 온도에서 하소하여 획득되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따라 복합 노이즈 필터는,
상부 및 하부의 페라이트 커버와 비아홀로 연결된 한 장 이상의 내부전극층으로 구성되는 상부인덕터층과;
상기 상부인덕터층과 중앙커패시터층 사이에 위치하여 상기 상부인덕터층과 중앙커패시터층 간의 확산을 방지하는 상부확산방지층과;
바리스터 구성 물질로 형성되며, 최상부 및 최하부에 확산 방지를 위한 배리어 전극층과 중앙에 그라운드 단자가 형성되는 내부 전극층과 그라운드층 상부 및 하부로 적어도 하나 이상의 커패시터를 형성하고 있는 좌우 대칭의 내부 전극층으 로 구성되는 중앙커패시터층과;
상기 중앙커패시터층과 하부인덕터층 사이에 위치하여 상기 중앙커패시터층과 하부인덕터층 간의 확산을 방지하는 하부확산방지층과;
상부 및 하부의 페라이트 커버와 비아홀로 연결된 한 장 이상의 내부 전극층으로 구성되는 하부인덕터층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 상부인덕터층 및 하부인덕터층은,
자성체로 형성되는 상부페라이트커버부와,
자성체로 형성되고 상기 상부페라이트커버부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 내부 전극 패턴이 형성되되, 내부 전극 패턴의 끝단이 외부전극과 연결되고 비아홀이 형성되어 제2인덕터부의 내부 전극 패턴과 전기적 통전이 되도록 형성한 제1인덕터부와,
자성체로 형성되고 상기 제1인덕터부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 내부 전극 패턴이 형성되되, 상기 제1인덕터부의 내부 전극 패턴의 끝단과 대향되도록 끝단에 형성되어 외부 전극과 연결되는 제2인덕터부와,
상기 제2인덕터부 하측에 위치하며, 자성체로 형성되는 하부페라이트커버부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 상부인덕터층 및 하부인덕터층은,
고온 소성용 Ni-Zn-Ferrite 재료로 제조되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 고온 소성용 Ni-Zn-Ferrite 재료는,
Fe2O3, NiO, ZnO를 각각 45mol%, 25mol%, 25mol% 정도로 혼합하며 CuO를 7mol%를 혼합하여 Ni-Zn-Ferrite의 혼합물을 형성하며 동시소결 접합성을 확보하기 위해 Co3O4와 SiO2를 1mol%이하로 혼합한 후 혼합 건조가 완료된 분말은 900℃ 이하의 온도에서 하소하여 획득되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 상부확산방지층 및 하부확산방지층은,
ZnO를 75mol%에 Bi2O3와 Sb2O3를 각각 1mol%이하로 설정하고 소결 후 내 산성 및 저 유전율을 형성시킬 수 있도록 SiO2또는 Al2O3를 10~20mol%정도로 사용하며 소결시 Grain성장을 억제시킬 수 있도록 MgO를 5mol%를 혼합시키며 소결성을 확보하기 위해 Mn3O4, Co3O4등의 첨가제를 0.5mol%혼합한 후 혼합된 원료를 900℃이하에서 하소하여 획득되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 중앙커패시터층은,
확산을 방지하기 위해 배리어 전극층을 형성하기 위한 내부 전극이 형성되어 있는 상부배리어부와,
상기 상부배리어부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 커패시터가 형성되는 좌측전극부와,
상기 좌측전극부 하측에 위치하며, 내부 전극 패턴의 양 끝단이 외부 전극과 연결되어 그라운드 단자가 형성되는 그라운드전극부와,
상기 그라운드전극부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 커패시터가 형 성되는 우측전극부와,
상기 우측전극부 하측에 위치하며, 확산을 방지하기 위해 배리어 전극층을 형성하기 위한 내부전극이 형성되어 있는 하부배리어부로 구성되되, 상기 좌측전극부와 우측전극부는 좌우 대칭으로 내부 전극이 형성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명인 복합 노이즈 필터 및 이의 제조방법의 바람직한 실시예를 상세하게 설명한다.
도 2a는 본 발명의 일실시예에 따른 복합 노이즈 필터를 나타낸 사시도이다.
도 2b는 본 발명의 일실시예에 따른 복합 노이즈 필터의 적층 사시도이다.
도 2c는 본 발명의 일실시예에 따른 복합 노이즈 필터의 등가 회로를 나타낸 도면이다.
도 2a에 도시한 바와 같이, 본 발명인 복합 노이즈 필터는,
상부인덕터층(100)과, 상부확산방지층(200)과, 중앙커패시터층(300)과, 하부확산방지층(400) 및 외부전극(40)으로 구성된다.
일반적으로 바리스터(Varistor)와 페라이트(Ferrite)를 동시소결 접합을 할 경우 자성체의 주성분인 Fe2O3, NiO, CuO등이 비교적 빠른 확산 경로를 가지고 있는 Varistor쪽으로 확산해 들어감으로 인해 Varistor의 품질저하를 초래하게 되었다. 따라서 varistor와 ferrite의 접합은 반드시 확산 방지층을 수반해야만 구현 가능하다. 본 발명은 확산 방지층을 기반으로 자성체와 Varistor재료를 동시소결 함으로써 LC filter의 기능과 함께 과도전압 억제 기능도 동시에 추구할 수 있게 되는 것이다.
상기와 같은 각 층에 대한 설명 및 구성을 도2b를 참조하여 상세히 설명하도록 한다.
도 2b에 도시한 바와 같이, 본 발명의 일실시예에 따른 복합 노이즈 필터는,
복수층으로 형성되어 각 층간에 비아홀로 전기적으로 통전이 되도록 구성하되, 비아홀과 연결되는 내부전극 패턴이 형성되어 있는 자성체층과;
복수층으로 형성되어 최상층 및 최하층에는 확산을 방지하기 위한 배리어 전극층을 형성시키고, 중앙층에 그라운드 단자 및 커패시터를 형성하는 내부전극 패턴이 형성되는 바리스터층과;
상기 자성체층과 바리스터층 사이에 위치하여 자성체층과 바리스터층간 확산을 방지하는 확산방지층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 확산방지층의 방지 재료는,
ZnO 를 75mol%에 Bi2O3와 Sb2O3를 각각 1mol%이하로 설정하고 소결후 내 산성 및 저 유전율을 형성시킬 수 있도록 SiO2또는 Al2O3를 10~20mol%정도로 사용하며 소결시 Grain성장을 억제시킬 수 있도록 MgO를 5mol%를 혼합시키며 소결성을 확보하기 위해 Mn3O4, Co3O4등의 첨가제를 0.5mol% 혼합하여 혼합된 원료를 900℃이하에서 하소하여 획득되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 자성체층의 자성체는 Fe2O3, NiO, ZnO를 각각 45mol%, 25mol%, 25mol% 정도로 혼합하며 CuO를 7mol%를 혼합하여 Ni-Zn-Ferrite의 혼합물을 형성하 며 동시소결 접합성을 확보하기 위해 Co3O4와 SiO2를 1mol%이하로 혼합한 뒤 혼합 건조가 완료된 분말을 900℃ 이하의 온도에서 하소하여 획득되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 일실시예에 따른 복합 노이즈 필터는,
상부 및 하부의 페라이트 커버와 비아홀(20)로 연결된 한 장 이상의 내부전극(10)층으로 구성되는 상부인덕터층(100)과;
상기 상부인덕터층과 중앙커패시터층 사이에 위치하여 상기 상부인덕터층과 중앙커패시터층 간의 확산을 방지하는 상부확산방지층(200)과;
바리스터 구성 물질로 형성되며, 최상부 및 최하부에 확산 방지를 위한 배리어 전극층(30)과 중앙에 그라운드 단자가 형성되는 내부 전극층과 그라운드층 상부 및 하부로 적어도 하나 이상의 커패시터를 형성하고 있는 좌우 대칭의 내부 전극층으로 구성되는 중앙커패시터층(300)과;
상기 중앙커패시터층과 하부인덕터층 사이에 위치하여 상기 중앙커패시터층과 하부인덕터층 간의 확산을 방지하는 하부확산방지층(400)과;
상부 및 하부의 페라이트 커버와 비아홀로 연결된 한 장 이상의 내부 전극층으로 구성되는 하부인덕터층(100a);을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 상부인덕터층 및 하부인덕터층은,
자성체로 형성되는 상부페라이트커버부(110, 110a)와,
자성체로 형성되고 상기 상부페라이트커버부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 내부 전극 패턴이 형성되되, 내부 전극 패턴의 끝단이 외부전극(40)과 연결되고 비아홀이 형성되어 제2인덕터부의 내부 전극 패턴과 전기적 통전이 되도록 형성한 제1인덕터부(120, 120a)와,
자성체로 형성되고 상기 제1인덕터부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 내부 전극 패턴이 형성되되, 상기 제1인덕터부의 내부 전극 패턴의 끝단과 대향되도록 끝단에 형성되어 외부 전극과 연결되는 제2인덕터부(130, 130a)와,
상기 제2인덕터부 하측에 위치하며, 자성체로 형성되는 하부페라이트커버부(140, 140a)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 상부인덕터층 및 하부인덕터층은,
고온 소성용 Ni-Zn-Ferrite 재료로 제조되는 것을 특징으로 하며, 상기 고온 소성용 Ni-Zn-Ferrite 재료는,
Fe2O3, NiO, ZnO를 각각 45mol%, 25mol%, 25mol% 정도로 혼합하며 CuO를 7mol%를 혼합하여 Ni-Zn-Ferrite의 혼합물을 형성하며 동시소결 접합성을 확보하기 위해 Co3O4와 SiO2를 1mol%이하로 혼합한 후 혼합 건조가 완료된 분말은 900℃ 이하의 온도에서 하소하여 획득되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 상부확산방지층 및 하부확산방지층은,
ZnO를 75mol%에 Bi2O3와 Sb2O3를 각각 1mol%이하로 설정하고 소결 후 내 산성 및 저 유전율을 형성시킬 수 있도록 SiO2또는 Al2O3를 10~20mol%정도로 사용하며 소결시 Grain성장을 억제시킬 수 있도록 MgO를 5mol%를 혼합시키며 소결성을 확보하 기 위해 Mn3O4, Co3O4등의 첨가제를 0.5mol%혼합한 후 혼합된 원료를 900℃이하에서 하소하여 획득되는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 중앙커패시터층은,
확산을 방지하기 위해 배리어 전극층(30)을 형성하기 위한 내부 전극이 형성되어 있는 상부배리어부(310)와,
상기 상부배리어부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 커패시터가 형성되는 좌측전극부(320)와,
상기 좌측전극부 하측에 위치하며, 내부 전극 패턴의 양 끝단이 외부 전극과 연결되어 그라운드 단자가 형성되는 그라운드전극부(330)와,
상기 그라운드전극부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 커패시터가 형성되는 우측전극부(340)와,
상기 우측전극부 하측에 위치하며, 확산을 방지하기 위해 배리어 전극층을 형성하기 위한 내부전극이 형성되어 있는 하부배리어부(350)로 구성되되, 상기 좌측전극부와 우측전극부는 좌우 대칭으로 내부 전극이 형성되는 것을 특징으로 한다.
좀 더 구체적으로 설명하자면, 상기 자성체 및 바리스터와 동시 소결이 가능한 상부확산방지층 및 하부확산방지층을 형성하는 재료는 우선 ZnO를 75mol%에 Bi2O3와 Sb2O3를 각각 1mol%이하로 설정하고 소결후 내 산성 및 저 유전율을 형성시킬 수 있도록 SiO2또는 Al2O3를 10~20mol%전후로 사용하며 소결시 Grain성장을 억제 시킬 수 있도록 MgO를 5mol%를 혼합시키며 소결성을 확보하기 위해 Mn3O4, Co3O4등의 첨가제를 0.5mol%혼합하여 준다.
이렇게 혼합된 원료를 900℃이하에서 하소를 하고 미분쇄를 하게 되면 Varistor와 자성 사이의 확산 제어 물질을 얻을 수 있게 된다.
본 발명의 가장 큰 특징은 동시 소결시 자성체 구성물과 배리스터 구성물간의 확산 문제점을 개선한 것이다.
일반적으로 통상 Varistor는 ZnO-Bi2O3계, ZnO-Pr6O11계등이 활용되고 있다. 본 발명은 ZnO-Bi2O3계 Varistor와 동시소결이 가능하며 Ni-Zn-Ferrite와 동시소결이 가능하고, 자성체와 Varistor층 사이에 위치하여 확산에 대한 방지층을 형성할수 있는 재료를 필요로 한다.
또한, 상기 상부인덕터층 및 하부인덕터층을 형성하고 있는 고온 소성용 Ni-Zn-Ferrite 재료는 Fe2O3, NiO, ZnO를 각각 45mol%, 25mol%, 25mol% 전후로 혼합하며 CuO를 7mol%를 혼합하여 Ni-Zn-Ferrite의 혼합물을 형성하며 동시소결 접합성을 확보하기 위해 Co3O4와 SiO2를 1mol%이하로 혼합한다. 혼합은 습식 Ball Mill방식을 사용하며 혼합 건조가 완료된 분말은 900℃ 이하의 온도에서 하소를 진행하고 미분쇄하여 분말을 제조한다. 이렇게 형성된 자성체는 투자율이 200정도가 되는 자성 특성을 갖게 된다.
다음은 인덕터층을 형성하고 있는 상부인덕터층 및 하부인덕터층에 대해 설 명하도록 한다.
상기 상부인덕터층 및 하부인덕터층은,
자성체로 형성되는 상부페라이트커버부(110, 110a)와,
자성체로 형성되고 상기 상부페라이트커버부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 내부 전극 패턴이 형성되되, 내부 전극 패턴의 끝단이 외부전극(40)과 연결되고 비아홀이 형성되어 제2인덕터부의 내부 전극 패턴과 전기적 통전이 되도록 형성한 제1인덕터부(120, 120a)와,
자성체로 형성되고 상기 제1인덕터부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 내부 전극 패턴이 형성되되, 상기 제1인덕터부의 내부 전극 패턴의 끝단과 대향되도록 끝단에 형성되어 외부 전극과 연결되는 제2인덕터부(130, 130a)와,
상기 제2인덕터부 하측에 위치하며, 자성체로 형성되는 하부페라이트커버부(140, 140a)를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
인덕터부의 설계에 대해 설명하자면, 고온 소성용 Ni-Zn-Ferrite에 via hole과 연결이 되는 내부전극 패턴을 형성한다. 통상 Inductance부위는 1장 이상의 층으로 형성되며 각 층간에는 via hole로 전기적 통전이 되도록 구성된다. 소성온도가 1050℃전후가 되지만 자성체 내에서의 동시소결 안정성을 확보하기 위해 내부전극은 Ag-Pd40%의 합금을 사용한다.
구조적으로 상부층과 하부층에 자성체를 형성시켜 각 재료간 소성 수축율 차이가 있다 하더라도 휘지 않도록 설계되어야 한다. 상부는 1, 3번 coil이 형성되며 하부는 2, 4번 coil이 형성되도록 구성되어진다.
인덕터부는 일반적인 적층 코일의 패턴이 그대로 사용될 수 있으며 필요에 따라 Spiral coil을 구성할 수도 있다.
커패시터부의 설계에 대해 설명하자면, 확산방지층을 거쳐 Varistor부가 접합되기는 하지만 확산 방지층을 통과한 불순물이 있다 하더라도 Varistor층에 확산되는 것을 방지하기 위하여 Capacitor부 맨 위와 아래에는 확산을 방지할 수 있는 배리어(barrier)를 형성하게 되는 확산 방지용 내부전극층이 위치하게 된다. 또한 중앙에는 그라운드(Ground)단자가 형성되는 내부전극층과 이 Ground층 상/하로 Capacitor를 형성할 수 있는 좌우 대칭의 내부전극층이 형성되게 된다.
통상 Varistor층은 Ag-Pd30% 또는 Ag-Pd20%의 합금으로 형성된 내부전극재를 사용하게 된다.
상기와 같은 본 발명의 필터를 통해 도 3과 같은 스커드 특성을 확보할 수 있게 된다.
일반적인 Capacitor로 구성된 filter의 경우 비교적 완만한 스커드 특성을 갖게 되는 것과 비교하여 본 발명에 의해 형성되는 LC filter의 경우 급격한 기울기의 스커드 특성을 확보할 수 있게 되어 신호와 Noise에 대한 구분을 확실하게 할 수 있게 된다.
또한, 도 4에 도시한 바와 같이, 본 발명은 확산방지층과 확산 방지 내부전극층을 형성하여 동시소결하기 때문에 소성후 Varistor특성에서 Leakage current상승 등의 현상이 나타나지 않는 안정적인 Varistor의 비선형 전류/전압 특성을 확보할 수 있게 된다. 또한 재료 간 독창적인 특성이 보장되기 때문에 높은 신뢰도를 유지할 수 있게 된다.
이상에서와 같은 내용의 본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시된 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구 범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 복합 노이즈 필터 및 이의 제조방법은,
LC filter에 의해 급격한 기울기의 스커드 특성을 확보할 수 있게 되어 신호와 Noise에 대한 구분을 확실하게 할 수 있는 효과와 확산방지층과 확산 방지 내부전극층을 형성하여 동시소결하기 때문에 소성후 Varistor특성에서 Leakage current상승 등의 현상이 나타나지 않는 안정적인 Varistor의 비선형 전류/전압 특성을 확보할 수 있으며, 재료 간 독창적인 특성이 보장되기 때문에 높은 신뢰도를 유지할 수 있는 효과를 제공하게 된다.

Claims (9)

  1. 복수층으로 형성되어 각 층간에 비아홀로 전기적으로 통전이 되도록 구성하되, 비아홀과 연결되는 내부전극 패턴이 형성되어 있는 자성체층과;
    복수층으로 형성되어 최상층 및 최하층에는 확산을 방지하기 위한 배리어 전극층을 형성시키고, 중앙층에 그라운드 단자 및 커패시터를 형성하는 내부전극 패턴이 형성되는 바리스터층과;
    상기 자성체층과 바리스터층 사이에 위치하여 자성체층과 바리스터층간 확산을 방지하는 확산방지층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 복합 노이즈 필터.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 자성체층의,
    자성체는 Fe2O3, NiO, ZnO를 각각 45mol%, 25mol%, 25mol% 정도로 혼합하며 CuO를 7mol%를 혼합하여 Ni-Zn-Ferrite의 혼합물을 형성하며 동시소결 접합성을 확보하기 위해 Co3O4와 SiO2를 1mol%이하로 혼합한 뒤 혼합 건조가 완료된 분말을 900℃ 이하의 온도에서 하소하여 획득되는 것을 특징으로 하는 복합 노이즈 필터.
  4. 상부 및 하부의 페라이트 커버와 비아홀로 연결된 한 장 이상의 내부전극층으로 구성되는 상부인덕터층과;
    상기 상부인덕터층과 중앙커패시터층 사이에 위치하여 상기 상부인덕터층과 중앙커패시터층 간의 확산을 방지하는 상부확산방지층과;
    바리스터 구성 물질로 형성되며, 최상부 및 최하부에 확산 방지를 위한 배리어 전극층과 중앙에 그라운드 단자가 형성되는 내부 전극층과 그라운드층 상부 및 하부로 적어도 하나 이상의 커패시터를 형성하고 있는 좌우 대칭의 내부 전극층으로 구성되는 중앙커패시터층과;
    상기 중앙커패시터층과 하부인덕터층 사이에 위치하여 상기 중앙커패시터층 과 하부인덕터층 간의 확산을 방지하는 하부확산방지층과;
    상부 및 하부의 페라이트 커버와 비아홀로 연결된 한 장 이상의 내부 전극층으로 구성되는 하부인덕터층;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 복합 노이즈 필터.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 상부인덕터층 및 하부인덕터층은,
    자성체로 형성되는 상부페라이트커버부와,
    자성체로 형성되고 상기 상부페라이트커버부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 내부 전극 패턴이 형성되되, 내부 전극 패턴의 끝단이 외부전극과 연결되고 비아홀이 형성되어 제2인덕터부의 내부 전극 패턴과 전기적 통전이 되도록 형성한 제1인덕터부와,
    자성체로 형성되고 상기 제1인덕터부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 내부 전극 패턴이 형성되되, 상기 제1인덕터부의 내부 전극 패턴의 끝단과 대향되도록 끝단에 형성되어 외부 전극과 연결되는 제2인덕터부와,
    상기 제2인덕터부 하측에 위치하며, 자성체로 형성되는 하부페라이트커버부를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 복합 노이즈 필터.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 상부인덕터층 및 하부인덕터층은,
    고온 소성용 Ni-Zn-Ferrite 재료로 제조되는 것을 특징으로 하는 복합 노이즈 필터.
  7. 제 6항에 있어서,
    상기 고온 소성용 Ni-Zn-Ferrite 재료는,
    Fe2O3, NiO, ZnO를 각각 45mol%, 25mol%, 25mol% 정도로 혼합하며 CuO를 7mol%를 혼합하여 Ni-Zn-Ferrite의 혼합물을 형성하며 동시소결 접합성을 확보하기 위해 Co3O4와 SiO2를 1mol%이하로 혼합한 후 혼합 건조가 완료된 분말은 900℃ 이하의 온도에서 하소하여 획득되는 것을 특징으로 하는 복합 노이즈 필터.
  8. 삭제
  9. 제 4항에 있어서,
    상기 중앙커패시터층은,
    확산을 방지하기 위해 배리어 전극층을 형성하기 위한 내부 전극이 형성되어 있는 상부배리어부와,
    상기 상부배리어부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 커패시터가 형성되는 좌측전극부와,
    상기 좌측전극부 하측에 위치하며, 내부 전극 패턴의 양 끝단이 외부 전극과 연결되어 그라운드 단자가 형성되는 그라운드전극부와,
    상기 그라운드전극부 하측에 위치하며, 적어도 한 개 이상의 커패시터가 형성되는 우측전극부와,
    상기 우측전극부 하측에 위치하며, 확산을 방지하기 위해 배리어 전극층을 형성하기 위한 내부전극이 형성되어 있는 하부배리어부로 구성되되, 상기 좌측전극부와 우측전극부는 좌우 대칭으로 내부 전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 복합 노이즈 필터.
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