KR100845736B1 - 이산화규소층의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 조도가 낮은 이산화규소층 (2)을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 필름 부착을 위한 원재로서 테트라에틸오르소실리케이트 (TEOS)의 유동과 TEOS와 반응하지 않는 희석 기체의 유동을 동시에 이용하여 희석 기체/TEOS의 비율이 0.5 내지 100이도록 하는, 저압 화학 기상 증착 (LPCVD) 공정에 의해, 기판 (1) 상에 이산화규소층 (2)을 증착하는 단계; 및 10분 내지 6시간 동안 600 ℃ 내지 1200 ℃의 온도에서 상기 이산화규소층을 어닐링하는 단계;를 포함한다.
이산화규소층, 저압 화학 기상 증착, 테트라에틸오르소실리케이트 (TEOS)
Description
본 발명은 기판에 부착되는 조도가 낮은 이산화규소층을 제조하는 방법 및, 특히 광학, 광전자공학 또는 전자공학의 분야에서 적용하기 위한, 매립층으로서 이러한 이산화규소층을 포함하는 복합 기판 또는 웨이퍼를 제조하는 방법에 관한 것이다.
도 1A 내지 1E는 이러한 복합 기판을 제조하는데 이용되는 선행 기술 공정의 상이한 단계들을 설명한다.
도 1A에서 볼 수 있는 바와 같이, 먼저 이산화규소층 (2)이 "소스 기판 (source substrate)"이라 칭하는 벌크 기판 (1)에 부착되는데, 이는 후에 복합 기판의 상단층을 구성할 물질을 제공하는데 사용되기 때문이다. 수득하고자 하는 복합 기판의 종류에 따라, 이러한 소스 기판은, 예를 들어 실리콘, 실리콘 게르마늄, 인장 (strained) 실리콘 또는 게르마늄일 수 있다.
이산화규소층 (2)의 부착을 실현하는데 이용되는 상이한 기술 중에서, 원재 로서 "테트라에틸오르소실리케이트"를 사용하는 이산화규소 필름의 "저압 화학 기상 증착(Low Pressure Chemical Vapour Deposition)"을 의미하는 두문자어 "LPCVD TEOS"이 당업자에게 공지되어 있다.
이러한 증착은 LPCVD 반응기의 내부에 하나의 기판 또는 일 배치의 기판들 (1)을 도입하고, 반응기 내의 기판들을 이산화규소 (SiO2)에 대한 원재로서 화학식 Si(OC2H5)4의 테트라에틸오르소실리케이트에 노출시킴으로써 수행된다.
이러한 공정은 저온 또는 고온 부착 공정과 같은 다른 산화물 부착 공정과 비교하여 수득되는 산화물 층의 균일성 또는 밀도 면에서 확실한 이점을 제공한다.
이 때, 이렇게 수득되는 이산화물층 (2)은 이의 구조적 특성 및 전기적 특성을 개선시키기 위해 열적 어닐링 처리를 한다.
그러나, TEOS가 부착된 층은 열적으로 성장된 층보다 상당히 높은 표면 조도를 갖는다. 이러한 까닭에, 이산화규소층 (2)의 자유 표면을 또 다른 기판과 결합시키기 전에, 상기 표면을 매끈하게 하기 위해 추가의 화학적 기계적 연마 (chemical mechanical polishing, CMP) 단계가 요구된다.
이를 위해, 연마 페이스트 또는 액체를 갖는 (도 1B에서 볼 수 있는 바와 같은) 연마 헤드 (4)를 사용한다.
이어서, 도 1C에서 볼 수 있는 바와 같이, 원자 종 (atomic species)을 주입 (implant)하여 소스 기판 (1) 내측에 취약영역(zone of weakness) (10)을 만든다.
용어 "원자 종 주입"은, 소스 기판 (1)의 물질 내에 분자 또는 이온, 원자 종을 도입할 수 있는 상기 종의 임의의 충격가공을 의미하며, 상기 종의 최대 농도는 충격가공되는 표면으로부터 지정된 깊이에 위치되고, 바람직하게는 본 경우에서의 충격가공되는 표면의 깊이는 이산화규소층 (2)의 두께보다 크다. 분자, 이온 또는 원자 종은, 또한 최대로 분배되는 에너지를 갖는 물질 내로 도입된다.
상기 소스 기판 (1)으로 원자 종의 주입은, 예를 들어 이온 빔 주입기 또는 플라즈마 주입기를 사용하여 수행될 수 있다.
바람직하게는, 상기 주입은 이온 충격가공에 의해 수행된다. 보다 바람직하게는, 주입되는 이온 종은 수소이다. 기타 이온 종은 유리하게는 단독으로 사용되거나 수소와 배합하여, 예를 들어 희가스 (예: 헬륨)의 이온이 사용될 수 있다.
취약영역 (10)은 2개의 부분, 즉 기판의 얇은 상단층 (11) 및 잔여부 (12) 사이의 경계선을 표시한다.
예를 들어, 상품명 "Smart Cut"으로 공지된 방법에 관한 문헌을 참조할 수 있다.
이어서, 지지 기판 (3)이 이산화규소층 (2)의 자유 표면에 분자 결합으로 결합된다 (도 1D 참조).
마지막으로, 도 1E에서 볼 수 있는 바와 같이, 잔여부 (12)는 취약영역 (10)을 따라 소스 기판 (1)로부터 탈착되어, 이산화규소층 (2) 상의 상단층 (11) 및 지지 기판 (3) 만이 남는다.
탈착에 있어, 하기 기술 중 하나가 단독으로나 조합하여 이용될 수 있다: 기계적 또는 전기적 기원의 스트레스, 화학적 에칭 또는 에너지 (레이저, 마이크로웨 이브, 유도 가열 및 노 처리) 공급의 적용. 상기 탈착 기술은 당업자에게 공지되어 있으므로 보다 상세히 기술하지 않을 것이다.
이렇게 수득된 복합 기판을 부호 (4)로 나타낸다.
상술된 공정에서, 도 1B의 연마 단계는 생성층 (2)의 균일성 결여, 공정의 재현성 결여 및 공정의 낮은 생산성과 같은 다수의 결점을 나타내다.
또한, 이러한 추가의 단계는 각각의 기판 또는 웨이퍼의 제작 비용을 증가시킨다.
본 발명의 목적은 상술된 결점을 극복하고, 특히 화학적 및 기계적 연마 단계를 삭제하는 것이다.
따라서, 본 발명의 목적은, 표면 조도, 균일성 및 입자 밀도의 면에서 기판의 직접적 결합 기준을 만족시키고 매립되는 산화물층으로 사용될 수 있는 고품질의 이산화규소층 (2)을 수득하기 위해서, LPCVD TEOS 증착 공정을 개선하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 뛰어난 전기 특성을 갖는 인터페이스를 제공하는 것이다.
이를 위해서, 본 발명은 낮은 조도의 이산화규소층을 제조하는 방법을 제공한다.
이 방법은
- 필름 증착을 위한 원재로서 테트라에틸오르소실리케이트 (TEOS)의 유동과 TEOS와 반응하지 않는 희석 기체의 유동을 동시에 이용하여 희석 기체/TEOS의 비율이 0.5 내지 100이 되도록 하는, 저압 화학 기상 증착 (LPCVD) 공정에 의해, 기판 상에 이산화규소층을 부착하는 단계: 및
- 10분 내지 6시간 동안 600 ℃ 내지 1200 ℃의 온도에서 상기 이산화규소층을 어닐링하는 단계를 포함함을 특징으로 한다.
바람직하게는, 희석 기체는 질소, 아르곤 (Ar) 또는 헬륨 (He) 또는 이의 혼합물 중에서 선택된다.
바람직하게는, 어닐링은 1 내지 4시간 동안 700 ℃ 내지 900 ℃의 온도에서 수행된다.
유리하게는, 질소, 아르곤 또는 헬륨 또는 이의 혼합물을 포함하는 불활성 환경에서 수행된다.
본 발명에 대해 비-제한적인 특징인, 하기의 기타 이점들이 단독으로 또는 함께 취해질 수 있다:
- 증착 공정 동안 질소/TEOS 비율은 2 내지 10, 보다 바람직하게는 약 3.6이고;
- 증착 온도는 바람직하게는 625 ℃ 내지 725 ℃, 보다 바람직하게는 650 ℃ 내지 700 ℃, 가장 바람직하게는 약 675 ℃이며;
- 증착 압력은 바람직하게는 10 내지 1000 Pa, 보다 바람직하게는 50 내지 150 Pa, 가장 바람직하게는 약 100 Pa이고;
- TEOS 유동은 바람직하게는 10 내지 200 sccm, 보다 바람직하게는 50 내지 90 sccm, 가장 바람직하게는 약 70 sccm이며, 질소 유동은 10 내지 2000 sccm, 보다 바람직하게는 100 내지 500 sccm, 가장 바람직하게는 약 250 sccm이다.
유리하게는, 산소 유동을 질소/TEOS 혼합물에 추가하고, 이때 산소 유동은 5 내지 100 sccm, 바람직하게는 10 내지 40 sccm, 보다 바람직하게는 약 25 sccm이다.
바람직하게는, 상기 이산화규소층의 두께는 10 내지 400 nm이다.
또한, 본 발명은, 특히 광학, 광전자공학 또는 전자공학의 분야에서 적용하기 위한, 매립된 이산화규소층을 갖는 복합 기판을 제조하는 방법을 제공한다.
이 방법은 하기로 이루어진 단계를 포함한다:
- (a) "소스 기판"이라 칭하는 제1 기판 상에 상기 방법으로 이산화규소층을 증착하는 단계;
- (b) 상기 소스 기판의 잔여부로부터 상기 이산화규소층과 접촉하는 얇은 상단층을 구별하는 취약영역의 경계를 한정하도록, 상기 소스 기판 내에 원자종을 주입하는 단계;
- (c) 이산화규소층에 대해 "지지 기판"으로 칭하는 제2 기판을 분자 접착에 의해 직접적으로 결합시키는 단계; 및
- (d) 복합 기판을 수득하기 위해 상기 취약영역을 따라 소스 기판의 잔여부를 탈착시키는 단계.
유리하게는, 소스 기판은 실리콘, 게르마늄, 실리콘 게르마늄 (SiGe) 또는 인장 실리콘으로 제조된다.
본 발명의 기타 특성 및 이점은 본 발명에 대한 하기 기술로부터 명백해진다.
본 발명에 따라, 도 1A의 이산화규소 부착 단계는 후술하는 바와 같이 개선된다.
본 발명에 이르러, 본 발명자는 "LPCVD TEOS" 증착 공정에 의해 수득되는 이산화규소층의 조도가, 부착 공정 동안 TEOS의 유동과 동시에 희석 기체의 유동을 이용함으로써 낮아질 수 있다는 것을 밝혀내었다. 희석 기체는 바람직하게는 질소이나, 이는 TEOS와 반응하지 않는 다른 기체일 수 있으며, 이중 아르곤 (Ar) 및 헬륨 (He)이 비제한적 예이다. 또는, 이러한 비-반응성 기체의 임의의 혼합물이 사용될 수 있다.
이는 첨부된 도면을 참조하여 설명된다:
- 도 1A 내지 1E는 매립된 이산화규소층을 갖는 복합 기판을 제조하는 선행 기술의 방법에서 이용되는 상이한 단계들에 대한 개략도이고,
- 도 2는 이산화규소층의 평균 두께값 (MT)의 함수로서 이산화규소층 두께 (SDT)의 표준편차를 나타내는 그래프이며, 이때 이산화규소층은 다양한 "LPCVD TEOS" 공정에 따라 증착되고, 이중 일부는 본 발명에 상응하고 나머지는 비교 공정에 상응하며,
- 도 3은 이산화규소층의 평균 두께값 (MT)의 함수로서 이산화규소층의 조도 (R)를 나타내는 그래프이며, 이때 이산화규소층은 다양한 "LPCVD TEOS" 공정에 따라 증착되고, 이중 일부는 본 발명에 상응하고 나머지는 비교 공정에 상응한다.
최적 작업 조건을 결정하기 위한 시도가 하기에 기술된다.
이산화규소 증착은 저압 증기 화학적 증착 (LPVCD)에 의해 수행되었는데, 이는
- LPCVD 반응기의 공정 챔버 내부에 일 배치의 소스 기판을 도입하는 단계,
-기체 반응물들 사이의 화학적 반응의 결과로서 이산화규소층을 형성하기 위해, 승온에서 저압 하에 상이한 화학적 반응물의 기체 유동을 도입하는 단계로 이루어진다.
이러한 시도에 사용되는 반응기는 상품명 "A400" (ASM에 의해 시판됨)으로 공지된 수직 배치 반응기였다.
기체 반응물들은 테트라에틸오르소실리케이트 (TEOS), 산소 및 일부의 경우 질소였다.
TEOS는 비교적 불활성인 물질로서, 실온에서 액체이다. TEOS 증기는 캐리어 기체, 예를 들어 질소 또는 아르곤을 이용하는 버블러로부터 또는 직접적 액체 주입 시스템으로부터 반응기의 공정 챔버로 공급될 수 있다.
1. 비교 공정
a) 공정 A
하기 표 1에 기술된 작업 조건을 이용하여 3개의 실리콘 기판에 각각 3개의 이산화규소층을 제조하였다.
| 단계명 | 시간 (시:분:초) | 온도 (℃) | N2 유동 (sccm) | TEOS 유동 (sccm) | O2 유동 (sccm) | 압력 (MTorr) | ||
| 보우트 인 (boat in) | 0:10:00 | 650 | 1000 | - | - | atm | ||
| 펌프 | 0:15:30 | 675까지 | - | - | - | - | ||
| 퍼징 | 0:10:30 | 675 | 500 | - | - | 750 | ||
| 펌프/누수 점검 | 0:07:20 | 675 | - | - | - | - | ||
| 안정화 | 0:30:00 | 675 | 500 | - | - | 750 | ||
| 전-증착 | 0:05:00 | 675 | - | - | 100 | - | ||
| 증착 | 0:48;30 | 675 | - | 70 | 25 | 750 | ||
| 후-증착 | 0:05:00 | 675 | - | - | 100 | |||
| 펌프/퍼징 | 0:15:00 | 675 | 500 | - | - | - | ||
| 백필 (backfill) | 0:11:00 | 650까지 | 5000 | - | - | atm까지 | ||
| 보우트 아웃 (boat out) | 0:10:00 | 650 | - | - | - | atm | ||
"atm" 은 "대기압"을 의미한다.
"sccm"은 "표준 cm3/min"을 의미한다.
750m Torr는 100 Pa와 동등하다.
이산화규소층은 하기 화학 반응식에 의해 형성된다:
Si(OC2H5)4(액체) --> SiO2(고체) + 4C2H4(기체) + 2H2O(기체)
이 경우, 질소는 단지 공정 챔버를 퍼징하기 위해서만 사용되고, 증착 단계 동안에는 존재하지 않는다.
증착 공정은 상이한 두께의 이산화규소층을 수득하기 위해 반복되었다.
이 공정을 공정 A라 부른다.
b) 공정 B
증착 압력이 750 mTorr (100 Pa) 대신 1200 m Torr (160 Pa)인 것을 제외하고는, 표 1에 기술된 작업 조건을 이용하여 반복하였다.
이 공정을 공정 B라 부른다.
c) 공정 C
증착 온도가 압력이 675 ℃ 대신 635 ℃이고 TEOS 유동이 70 sccm 대신 50 sccm인 것을 제외하고는, 표 1에 기술된 작업 조건을 이용하여 반복하였다.
이 공정을 공정 C라 부른다.
2) 본 발명에 따른 공정
a) 공정 D
표 2에 기술된 작업 조건을 이용하는 것 이외에는 상술된 공정을 반복하였다.
| 단계명 | 시간 (시:분:초) | 온도 (℃) | N2 유동 (sccm) | TEOS 유동 (sccm) | O2 유동 (sccm) | 압력 (MTorr) |
| 보우트 인 (boat in) | 0:10:00 | 650 | 1000 | - | - | atm |
| 펌프 | 0:15:30 | 675까지 | - | - | - | - |
| 퍼징 | 0:10:30 | 675 | 500 | - | - | 750 |
| 펌프/누수 점검 | 0:07:20 | 675 | - | - | - | - |
| 안정화 | 0:30:00 | 675 | 500 | - | - | 750 |
| 전-증착 | 0:05:00 | 675 | 500 | - | 100 | - |
| 증착 | 0:49:00 | 675 | 500 | 70 | 25 | 750 |
| 후-증착 | 0:05:00 | 675 | 500 | - | 100 | |
| 펌프/퍼징 | 0:15:00 | 675 | 500 | - | - | - |
| 백필 (backfill) | 0:11:00 | 650까지 | 5000 | - | - | atm까지 |
| 보우트 아웃 (boat out) | 0:10:00 | 650 | - | - | - | atm |
"atm" 은 "대기압"을 의미한다.
"sccm"은 "표준 cm3/min"을 의미한다.
750m Torr는 100 Pa와 동등하다.
이 공정은 공정 D라 부른다.
b) 공정 E
500 sccm 대신 250 sccm의 질소 유동을 이용하는 것을 제외하고는 공정 D를 반복하였다.
이 공정은 공정 E라 부른다.
5개의 상술된 공정에 대한 주요 증착 변수가 하기 표 3에 요약되어 있다.
| 공정명 | 온도(℃) | TEOS 유동 (sccm) | N2 유동 (sccm) | O2 유동 (sccm) | 압력 (Pa) | N2 / TEOS 비율 |
| 공정 A | 675 | 70 | 0 | 25 | 100 | 0 |
| 공정 B | 675 | 70 | 0 | 25 | 160 | 0 |
| 공정 C | 675 | 50 | 0 | 25 | 100 | 0 |
| 공정 D | 675 | 70 | 500 | 25 | 100 | 7.2 |
| 공정 E | 675 | 70 | 250 | 25 | 100 | 3.6 |
이어서, 상이한 이산화규소층을 질소 또는 아르곤 하에, 대기압 및 700 내지 900 ℃의 온도에서 1 내지 4시간 동안 어닐링 단계를 수행하였다.
어닐링 단계에 의해 수득된 이산화규소 (SiO2) 층을 치밀화한 후, 이러한 SiO2층의 두께를 ADE ACUMAP 반사율계로 측정하였다.
그 결과가 도 2에 나타나 있다.
도 2의 그래프는, 공정 A 내지 E에 의해 얻어진 SiO2층에 대한, 치밀화 후 Å(0.1 nm)단위의 SiO2층 두께의 표준편차(SDT) 대 부착 후 Å(0.1 nm)단위의 평균 두께 (MT) 를 나타낸다.
상기 도에서 볼 수 있는 바와 같이, 두께의 측면에서, 균일성은 공정 D로 얻어졌으며, 보다 우수한 결과는 공정 E로 얻어졌으며, 특히 두께가 200 nm 이하였다.
또한, 두께 측정은 상이한 치밀화 산화물 층의 중심에서 1 x 1 μm2 스캔을 위한 AFM 기술로 수행되었다.
그 결과가 도 3에 나타나 있다.
도 3의 그래프는, 공정 A 내지 E에 의해 얻어진 SiO2층에 대한, Å(0.1 nm) 단위의 조도 RMS값 (R) 대 부착 후 Å(0.1 nm) 단위의 평균 두께 (MT)를 나타낸다.
이러한 조도의 측정 목적은 분명히 지지 기판에 직접적으로 결합될 산화물 층의 능력을 특징화할 수 있다.
결합은 통상 0.55 nm 이하의 조도로 허용된다.
도 3에서 볼 수 있는 바와 같이, 보다 두껍게 증착될 수록 보다 거칠어진다. 그럼에도 불구하고, 지정된 두께에서, 공정 E는 최량의 결과, 즉 낮은 조도를 제공한다.
추가로, 보다 향상된 결합 에너지를 위해, 결합될 표면 중 하나 또는 둘 모두의 플라즈마 활성화 처리가 이루어질 수 있다.
마지막으로, 본 발명의 공정에 따른 최상의 작업 조건이 하기와 같이 요약될 수 있다:
TEOS: 바람직하게는 10 내지 200 sccm, 보다 바람직하게는 50 내지 90 scam, 가장 바람직하게는 약 70 sccm.
산소 유동: 바람직하게는 5 내지 100 sccm, 보다 바람직하게는 10 내지 40 sccm, 가장 바람직하게는 약 25 sccm.
질소 유동: 바람직하게는 10 내지 2000 scam, 보다 바람직하게는 100 내지 500 scam, 가장 바람직하게는 약 250 sccm.
질소: 테트라에틸오르소실리케이트의 비율: 바람직하게는 0.5 내지 100, 보다 바람직하게는 2 내지 10, 가장 바람직하게는 약 3.6.
증착 온도: 바람직하게는 625 ℃ 내지 725 ℃, 보다 바람직하게는 650 ℃ 내지 700 ℃, 가장 바람직하게는 약 675 ℃.
증착 압력: 바람직하게는 10 내지 1000 Pa, 보다 바람직하게는 50 내지 150 Pa, 가장 바람직하게는 약 100 Pa.
어닐링 조건: 바람직하게는 10분 내지 6시간의 기간 동안 600 ℃ 내지 1200 ℃, 보다 바람직하게는 1 내지 4시간 동안 700 내지 900 ℃.
어닐링은 가장 단순하게는 대기압에서 작동하는 어닐링 노(anneal furnace)에서 수행되지만, 또한 저압 또는 고압에서 수행될 수 있다. 상기 정의된 범위 내의 작업 조건은 특정 부착 반응기 조건들, 예를 들어 반응기 기하학 및 치수에 의존적이다.
또한, 어닐링 환경이 매우 중요한 것 같지는 않았다. 비록 불활성 어닐링 환경, 예를 들어 질소, 아르곤 또는 헬륨이 증착되는 산화물층 아래의 기판을 산화시키지 않는 이점을 가지나, 불활성 환경에서의 어닐링 뿐만 아니라 공기 또는 질소/공기 혼합물과 같은 산화 환경에서의 어닐링 모두 필름의 표면 조도를 저하시키는 것으로 보였다.
어닐링 동안 밑에 있는 하부의 기판의 산화가 바람직하지 않기 때문에 제조 공정에서 불활성 어닐링 환경이 바람직하다는 것은 명백할 것이다.
또한, 본 발명은, 도 1A 내지 1E를 참조로 하여 상술된 바와 같고, 단 LPCVD의 단계가 상술된 공정에 따라 실현되는, 복합 기판 (4)의 제조 방법을 제공한다.
추가로, 도 1B의 CMP 선행 기술 단계가 삭제된다.
그 예시로써, 소스 기판 (1)으로서 각각 실리콘, 실리콘 게르마늄, 인장 실리콘 및 게르마늄을 사용함으로써, 각각 "절연체 상의 실리콘", "절연체 상의 실리콘 게르마늄", "절연체 상의 인장 실리콘" 및 "절연체 상의 게르마늄"를 의미하는 두문자어 "SOI", "SGOI", "sSOI" 및 "GOI"로 공지된 기판이 얻어질 수 있다.
Claims (22)
- 이산화규소층(2)을 제조하는 방법으로서,필름 부착을 위한 원재로서 테트라에틸오르소실리케이트 (TEOS)의 유동과 TEOS와 반응하지 않는 희석 기체의 유동을 동시에 이용하여 희석 기체/TEOS의 비율이 0.5 내지 100이도록 하는, 저압 화학 기상 증착 (LPCVD) 공정에 의해, 기판 (1) 상에 이산화규소층 (2)을 증착하는 단계: 및10분 내지 6시간 동안 600℃ 내지 1200℃의 온도에서 상기 이산화규소층을 어닐링하는 단계;를 포함하는 조도가 낮은 이산화규소층 (2)을 제조하는 방법.
- 제1항에 있어서,상기 희석 기체는 질소, 아르곤 (Ar), 헬륨 (He) 및 이의 둘 이상의 혼합물로 구성된 그룹 중에서 선택되는 기체인 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 어닐링을 1 내지 4시간 동안 700 ℃ 내지 900 ℃의 온도에서 수행하는 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 어닐링을 질소, 아르곤, 헬륨 및 이의 둘 이상의 혼합물로 구성된 그룹 중에서 선택되는 불활성 기체를 포함하는 불활성 환경에서 수행하는 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,증착 공정 동안 상기 희석 기체/TEOS 비율이 2 내지 10인 방법.
- 제5항에 있어서,증착 공정 동안 상기 희석 기체/TEOS 비율이 3.6인 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 증착하는 단계는 625 ℃ 내지 725 ℃의 온도에서 수행되는 것인 방법.
- 제7항에 있어서,상기 증착하는 단계는 650 ℃ 내지 700 ℃의 온도에서 수행되는 것인 방법.
- 제8항에 있어서,상기 증착하는 단계는 675 ℃의 온도에서 수행되는 것인 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 증착하는 단계는 10 내지 1000 Pa의 압력에서 수행되는 것인 방법.
- 제10항에 있어서,상기 증착하는 단계는 50 내지 150 Pa의 압력에서 수행되는 것인 방법.
- 제11항에 있어서,상기 증착하는 단계는 100 Pa의 압력에서 수행되는 것인 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 TEOS는 10 내지 200 sccm의 유동인 방법.
- 제13항에 있어서,상기 TEOS는 50 내지 90 sccm의 유동인 방법.
- 제14항에 있어서,상기 TEOS는 70 sccm의 유동인 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,산소 유동이 희석 기체/TEOS의 혼합물에 가해지고, 상기 산소 유동이 5 내지 100 sccm인 방법.
- 제16항에 있어서,상기 산소 유동이 10 내지 40 sccm인 방법.
- 제17항에 있어서,상기 산소 유동이 25 sccm인 방법.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 이산화규소층 (2)의 두께가 10 내지 400 nm인 방법.
- 복합 기판을 제조하는 방법으로서,a) "소스 기판(1)"이라 칭하는 제1 기판상에 제1항 또는 제2항에 따른 방법으로 이산화규소층을 증착하는 단계;b) 상기 소스 기판의 잔여부 (12)로부터 이산화규소층 (2)과 접촉하는 얇은 상단층 (11)을 구별하는 취약영역 (10)의 경계를 한정하도록, 상기 소스 기판(1) 내에 원자종을 주입하는 단계;c) 이산화규소층 (2)에 대해 "지지 기판(3)"으로 칭하는 제2 기판을 분자 접착에 의해 직접적으로 결합시키는 단계; 및d) 상기 복합 기판 (4)를 수득하기 위해 상기 취약영역 (10)을 따라 소스 기판 (1)의 잔여부 (12)를 분리시키는 단계;를 포함함을 특징으로 하는, 광학, 광전자공학 또는 전자공학 분야에서 적용하기 위한 매립된 이산화규소층 (2)을 갖는 복합 기판 (4)을 제조하는 방법.
- 제20항에 있어서,상기 소스 기판(1)이 실리콘, 게르마늄, 실리콘-게르마늄 (SiGe), 및 인장 실리콘으로 구성된 그룹 중에서 선택되는 물질을 포함하는 방법.
- 제2항에 있어서,상기 희석 기체는 질소이고, 상기 질소는 10 내지 2000 sccm의 유동인 방법.
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