KR100841343B1 - Substrate treatment apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 종래 기술에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도.1 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to the prior art.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도.2 is a cross-sectional view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Major Parts of Drawings>
100; 기판 처리 장치 101; 기판 처리부100;
102; 배기 처리부 110; 캐리어102;
112; 스핀 모터 121,122,123; 약액 회수 덕트112; Spin motors 121,122,123; Chemical recovery duct
132,134; 배기 덕트 142,144; 배기 파이프132,134; Exhaust ducts 142,144; Exhaust pipe
151,152,153,154,155; 배기 라인 161,162,163,164,165; 밸브151,152,153,154,155; Exhaust lines 161,162,163,164,165; valve
170; 진공 펌프 172; 에어 공급관170;
174; 레귤레이터 182,184; 압력 센서174; Regulator 182,184; Pressure sensor
본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 분리 배기가 가능하고 배기압을 적절히 조절할 수 있는 기판 처리 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus capable of separate exhaust and capable of appropriately adjusting exhaust pressure.
반도체 산업에 있어서 기판 처리 장치로서 회전하는 기판에 약액을 제공하여 기판을 약액 처리하는 스핀 방식 널리 사용하고 있다. 도 1은 종래의 스핀 방식의 기판 처리 장치를 도시한 단면도이다. 도 1을 참조하면, 종래의 기판 처리 장치(10)는 스핀 모터(16)에 의해 회전하는 캐리어(11)와, 그 외부에 배치된 다단 바울(12)로 구성된다. 다단 바울(12)의 내부에는 배기 덕트(13)가 있고, 배기 덕트(13)의 내부는 다수의 배기 파이프(14a,14b)가 마련되어 있다. 이러한 배기 파이프(14a,14b)는 배기 유틸리티(18)와 연결된다.BACKGROUND ART In the semiconductor industry, a spin method for chemically treating a substrate by providing a chemical liquid to a rotating substrate as a substrate processing apparatus is widely used. 1 is a cross-sectional view showing a conventional spin substrate processing apparatus. Referring to FIG. 1, the conventional
배기 파이프(14a,14b)는 산과 알칼리를 구분하여 배기한다. 예를 들어, 좌측 배기 파이프(14a)는 산을 배기하고, 우측 배기 파이프(14b)는 알칼리를 배기한다. 배기 파이프(14a,14b)별로 산과 알칼리를 구분하여 배기한다 하더라도 하나의 배기 라인(15)으로 연결되어 배기 유틸리티에 연결된다. 그러나, 종래의 기판 처리 장치(10)에서는 각각의 처리 공정에서 필요로 하는 배기압을 유지하도록 제어하는 것이 난해하였다. 배기압을 적절히 유지할 수 없게 되면 산 또는 알칼리를 적절히 배기할 수 없어 작업환경이 열악해지고 작업자에게도 큰 영향을 미치게 된다.The
본 발명은 상술한 종래 기술에서의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 산과 알칼리를 구분하여 배기하는데 있어서 각각의 배기압을 적절히 조절하고 유지할 수 있는 기판 처리 장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems in the prior art, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of appropriately adjusting and maintaining respective exhaust pressures in evacuating acids and alkalis.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 배기압을 측정하여 그 측정된 값을 토대로 진공 펌프를 적절히 제어함으로써 배기압을 의도된 값 으로 조절하고 유지할 수 있는 것을 특징으로 한다.The substrate processing apparatus according to the present invention for achieving the above object is characterized by being able to adjust and maintain the exhaust pressure to the intended value by measuring the exhaust pressure and appropriately controlling the vacuum pump based on the measured value.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 기판을 지지하는 회전 가능한 캐리어와, 상기 캐리어를 둘러싸는 바울과, 상기 바울 내에 설치되는 배기 덕트와, 상기 배기 덕트 내의 배기압을 측정하는 압력 센서를 구비하는 기판 처리부; 및 상기 배기 덕트와 연결된 배기 라인과, 상기 배기 라인에 설치되어 상기 배기 덕트에 배기압을 형성시키는 진공 펌프와, 상기 압력 센서로부터 측정된 배기압을 토대로 상기 진공 펌프로의 에어 공급을 제어하는 레귤레이터를 구비하는 배기 처리부를 포함하는 것을 특징으로 한다.A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention capable of implementing the above features includes a rotatable carrier for supporting a substrate, a Paul surrounding the carrier, an exhaust duct installed in the Paul, and an exhaust pressure in the exhaust duct. A substrate processing unit having a pressure sensor for measuring the; A regulator configured to control an air supply to the vacuum pump based on an exhaust line connected to the exhaust duct, a vacuum pump installed in the exhaust line to form exhaust pressure in the exhaust duct, and an exhaust pressure measured from the pressure sensor. It characterized in that it comprises an exhaust treatment unit having a.
본 실시예에 있어서, 상기 배기 덕트는, 산을 배기시키는 제1 배기 덕트와, 알칼리를 배기시키는 제2 배기 덕트를 포함한다.In the present embodiment, the exhaust duct includes a first exhaust duct for exhausting acid and a second exhaust duct for exhausting alkali.
본 실시예에 있어서, 상기 압력 센서는, 상기 제1 배기 덕트에 설치되어 상기 산의 배기압을 측정하는 제1 압력 센서와; 상기 제2 배기 덕트에 설치되어 상기 알칼리의 배기압을 측정하는 제2 압력 센서를 포함한다.In this embodiment, the pressure sensor, the first pressure sensor is installed in the first exhaust duct for measuring the exhaust pressure of the acid; And a second pressure sensor installed in the second exhaust duct to measure the exhaust pressure of the alkali.
본 실시예에 있어서, 상기 배기 라인은, 상기 제1 배기 덕트와 연결되어 상기 산을 배기시키는 제1 배기 라인과; 상기 제2 배기 덕트와 연결되어 상기 알칼리를 배기시키는 제2 배기 라인과; 상기 제1 및 제2 배기 라인과 연결되고 상기 진공 펌프가 설치되는 제3 배기 라인과; 상기 제3 배기 라인으로부터 분기되어 상기 산과 알칼리를 구분하여 배기시키는 제4 및 제5 배기 라인을 포함한다.The exhaust line may include: a first exhaust line connected to the first exhaust duct to exhaust the acid; A second exhaust line connected to the second exhaust duct to exhaust the alkali; A third exhaust line connected to the first and second exhaust lines and to which the vacuum pump is installed; And fourth and fifth exhaust lines branched from the third exhaust line to separate and exhaust the acid and the alkali.
본 실시예에 있어서, 상기 배기 덕트는, 상기 제1 배기 덕트에 설치되어 상기 제1 배기 라인과 연결되는 제1 배기 파이프와; 상기 제2 배기 덕트에 설치되어 상기 제2 배기 라인과 연결되는 제2 배기 파이프를 포함한다.The exhaust duct may include: a first exhaust pipe installed in the first exhaust duct and connected to the first exhaust line; And a second exhaust pipe installed in the second exhaust duct and connected to the second exhaust line.
본 실시예에 있어서, 상기 레귤레이터는 상기 배기 덕트 내의 배기압이 설정된 값보다 낮으면 상기 진공 펌프로 공급되는 에어량을 증가시켜 상기 진공 펌프의 진공압을 높이고, 상기 배기 덕트 내의 배기압이 설정된 값보다 높으면 상기 진공 펌프로 공급되는 에어량을 감소시켜 상기 진공 펌프의 진공압을 낮춘다.In the present embodiment, when the exhaust pressure in the exhaust duct is lower than the set value, the regulator increases the amount of air supplied to the vacuum pump to increase the vacuum pressure of the vacuum pump, and the exhaust pressure in the exhaust duct is higher than the set value. When high, the amount of air supplied to the vacuum pump is reduced to lower the vacuum pressure of the vacuum pump.
상기 특징을 구현할 수 있는 본 발명의 변형 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 산과 알칼리를 이용하여 기판에 대한 처리 공정이 진행되는 기판 처리부와; 상기 기판 처리부에서 상기 산과 알칼리로부터 발생되는 가스를 배기시키는 배기 처리부를 포함하고, 상기 기판 처리부는, 상기 기판을 지지하며 스핀 모터가 구비되어 상기 기판을 회전시키는 캐리어와; 상기 캐리어를 둘러싸는 바울과; 상기 바울 내에 설치되어 상기 산과 알칼리를 각각 배기시키는 제1 및 제2 배기 덕트와; 상기 제1 및 제2 배기 덕트 각각에 설치되어 상기 산과 알칼리의 배기압을 각각 측정하는 제1 및 제2 압력 센서와; 상기 제1 및 제2 배기 덕트 내에 각각 설치된 제1 및 제2 배기 파이프를 포함하고, 상기 배기 처리부는, 상기 제1 및 제2 배기 파이프와 각각 연결된 제1 및 제2 배기 라인과; 상기 제1 및 제2 배기 라인과 연결되고 상기 제1 및 제2 배기 덕트에 배기압을 형성시키는 진공 펌프가 설치된 제3 배기 라인과; 상기 제1 및 제2 압력 센서로부터 측정된 상기 산과 알칼리의 배기압을 토대로 상기 진공 펌프로의 에어 공급을 제어하는 레귤레이터와; 상기 제3 배기관으로부터 분기되고 상기 산과 알칼리를 구분시켜 배기시키는 제4 및 제5 배기 라인을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus including a substrate processing unit configured to process a substrate using an acid and an alkali; And an exhaust treatment unit configured to exhaust gas generated from the acid and alkali in the substrate processing unit, the substrate processing unit comprising: a carrier supporting the substrate and having a spin motor to rotate the substrate; Paul surrounding the carrier; First and second exhaust ducts installed in the paul to exhaust the acid and the alkali, respectively; First and second pressure sensors installed in each of the first and second exhaust ducts to measure exhaust pressure of the acid and alkali; First and second exhaust pipes respectively installed in the first and second exhaust ducts, wherein the exhaust treatment unit comprises: first and second exhaust lines respectively connected to the first and second exhaust pipes; A third exhaust line connected to the first and second exhaust lines and provided with a vacuum pump for forming exhaust pressure in the first and second exhaust ducts; A regulator for controlling the air supply to the vacuum pump based on the exhaust pressure of the acid and the alkali measured from the first and second pressure sensors; And fourth and fifth exhaust lines branching from the third exhaust pipe to separate and exhaust the acid and the alkali.
본 변형 실시예에 있어서, 상기 배기 처리부는 상기 진공 펌프로 공급되는 에어의 흐름 경로를 제공하는 에어 공급 라인을 더 포함한다.In this modified embodiment, the exhaust treatment further includes an air supply line for providing a flow path of air supplied to the vacuum pump.
본 변형 실시예에 있어서, 상기 레귤레이터는, 상기 산 또는 알칼리의 배기압이 설정된 값보다 낮으면 상기 진공 펌프로의 에어 공급량을 늘려 상기 진공 펌프의 진공압을 증가시키고, 상기 산 또는 알칼리의 배기압이 설정된 값보다 높으면 상기 진공 펌프로의 에어 공급량을 줄여 상기 진공 펌프의 진공압을 감소시킨다.In the present modified embodiment, the regulator, when the exhaust pressure of the acid or alkali is lower than the set value, increases the air supply to the vacuum pump to increase the vacuum pressure of the vacuum pump, exhaust pressure of the acid or alkali When the value is higher than the set value, the air supply amount to the vacuum pump is reduced to reduce the vacuum pressure of the vacuum pump.
본 변형 실시예에 있어서, 상기 제1 및 제2 배기 파이프 각각은 상기 제1 및 제2 배기 덕트 각각의 직경보다 작다.In this variant, each of the first and second exhaust pipes is smaller than the diameter of each of the first and second exhaust ducts.
본 발명에 의하면, 바울 내 배기를 진공 펌프를 사용하여 실시하고, 레귤레이터를 이용하여 진공 펌프에 공급되는 에어 압력을 조절하여 바울 내 배기압을 제어할 수 있게 되어, 공정에 따른 원하는 배기압을 얻을 수 있고 일정한 배기압의 유지가 가능하다.According to the present invention, it is possible to control the exhaust pressure in the Paul by controlling the air pressure supplied to the vacuum pump by using a vacuum pump, by adjusting the air pressure supplied to the vacuum pump using a regulator, to obtain the desired exhaust pressure according to the process It is possible to maintain a constant exhaust pressure.
이하, 본 발명에 따른 기판 처리 장치를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
본 발명과 종래 기술과 비교한 이점은 첨부된 도면을 참조한 상세한 설명과 특허청구범위를 통하여 명백하게 될 것이다. 특히, 본 발명은 특허청구범위에서 잘 지적되고 명백하게 청구된다. 그러나, 본 발명은 첨부된 도면과 관련해서 다음의 상세한 설명을 참조함으로써 가장 잘 이해될 수 있다. 도면에 있어서 동일한 참조부호는 다양한 도면을 통해서 동일한 구성요소를 나타낸다.Advantages over the present invention and prior art will become apparent through the description and claims with reference to the accompanying drawings. In particular, the present invention is well pointed out and claimed in the claims. However, the present invention may be best understood by reference to the following detailed description in conjunction with the accompanying drawings. Like reference numerals in the drawings denote like elements throughout the various drawings.
(실시예)(Example)
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치를 도시한 단면도이다.2 is a cross-sectional view illustrating a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
도 2를 참조하면, 본 실시예의 기판 처리 장치(100)는 기판 처리, 예를 들어 약액을 이용한 기판 세정 처리가 실제적으로 진행되는 기판 처리부(101)와, 기판 처리부(101)의 하단에 배치되어 배기 처리가 진행되는 배기 처리부(102)로 구분될 수 있다.Referring to FIG. 2, the
기판 처리부(101)는 기판을 장착하며 스핀 모터(112)에 의해 회전하는 캐리어(110)와, 캐리어(110)를 둘러싸는 다단 바울(120)을 포함하여 구성된다. 다단 바울(120)에는 다수개의 약액 회수 덕트(121,122,123)와 다수개의 배기 덕트(132,134)가 형성되어 있다. 다수개의 약액 회수 덕트(121-123)는 약액의 액상 성분을 회수하는 덕트이고, 다수개의 배기 덕트(132,134)는 기상의 약액 성분을 배기하는 덕트이다.The
다수개의 약액 회수 덕트(121-123) 중에서 제1 약액 회수 덕트(121)는 제1 약액, 가령 초수수(DIW)를 회수하는 덕트이고, 제2 약액 회수 덕트(122)는 제2 약액, 가령 산을 회수하는 덕트이고, 제3 약액 회수 덕트(123)는 제3 약액, 가령 알칼리를 회수하는 덕트일 수 있다. 다수개의 배기 덕트(132,134) 중에서 제1 배기 덕트(132)는 산을 배기하는 덕트이고, 제2 배기 덕트(134)는 알칼리를 배기하는 덕트일 수 있다.Among the plurality of chemical liquid recovery ducts 121-123, the first chemical
각각의 배기 덕트(132,134)에는 배기 파이프(142,144)가 배치된다. 제1 배기 덕트(132)에는 산을 배기하는 제1 배기 파이프(142)가 배치되고, 제2 배기 덕트(134)에는 알칼리를 배기하는 제2 배기 파이프(144)가 배치된다. 또한, 각각의 배기 덕트(132,134)에는 배기압을 측정하는 압력 센서(182,184)가 설치된다. 가령, 제1 배기 덕트(132)에는 산의 배기압을 측정하는 제1 압력 센서(182)가 설치되고, 제2 배기 덕트(134)에는 알칼리의 배기압을 실제로 측정하는 제2 압력 센서(184)가 설치된다.
배기 처리부(102)는 산을 배기하는 제1 배기 파이프(142)와 연결되는 제1 배기 라인(151)과 알칼리를 배기하는 제2 배기 파이프(144)와 연결된 제2 배기 라인(152)을 포함한다. 제1 및 제2 배기 라인(151,152)에는 배기를 단속하는 제1 및 제2 밸브(161,162)가 각각 배치된다. 제1 및 제2 배기 라인(151,152)은 진공 펌프(170)가 설치된 제3 배기 라인(153)과 연결된다. 진공 펌프(170)는 강제적으로 배기압을 형성한다. 진공 펌프(170)의 동작에 의해 강제적으로 높은 배기압을 형성할 수 있으므로 제1 및 제2 배기 파이프(142,144)의 구경을 크게 할 필요가 없다. 진공 펌프(170)의 수는 임의적이며, 본 실시예와 달리 다수개가 배치될 수 있다. 제3 배기 라인(153)은 다시 제4 배기 라인(154)과 제5 배기 라인(155)으로 분기된다. 제4 및 제5 배기 라인(154,155)은 산과 알칼리를 구분하여 배기하는데 이용된다. 예를 들어, 제4 배기 라인(154)은 산을 배기하는데 이용되고, 제5 배기 라인(155)는 알칼리를 배기하는데 이용된다. 제4 및 제5 배기 라인(154,155)에는 배기를 단속하는 제3 및 제4 밸브(164,165)가 각각 배치된다. 따라서, 제3 및 제4 밸브(164,165)에 의해 산을 배기시킬 것인지 알칼리를 배기시킬 것인지를 결정할 수 있다.The
진공 펌프(170)로의 에어 공급을 위한 에어 공급관(172)이 설치되어 있다. 진공 펌프(170)의 진공압은 에어의 공급에 따라 달라진다. 예를 들어, 진공 펌프(170)로의 에어의 공급이 크면 진공압이 높아지고, 반대로 진공 펌프(170)로의 에어의 공급이 작으면 진공압이 낮아진다. 진공 펌프(170)로의 에어 공급은 레귤레이터(174)에 의해 적절히 조절될 수 있다. 여기서의 레귤레이터(174)는 가령 전공 레귤레이터(E/P Regulator)를 채택하여 사용할 수 있다.An
레귤레이터(174)는 압력 센서(182,184)의 압력값에 의존하여 동작한다. 예를 들어, 제1 압력 센서(182)에 의해 산의 배기압이 의도된 값보다 낮게 측정되면 레귤레이터(174)는 진공 펌프(170)로의 에어 공급이 증가하도록 제어한다. 더 많은 에어의 공급에 의해 진공 펌프(170)의 진공압이 더 높게 설정되어 제1 배기 덕트(132)에서의 배기압, 즉 산의 배기압이 의도된 값에 이르도록 한다. 반대로, 제1 압력 센서(182)에 의해 산의 배기압이 의도된 값보다 높게 측정되면 레귤레이터(174)는 진공 펌프(170)로의 에어 공급이 감소하도록 제어한다. 더 적은 에어의 공급에 의해 진공 펌프(170)의 진공압이 더 낮게 되어 산의 배기압이 의도된 값에 이르도록 한다. 제2 압력 센서(184)를 통한 알칼리 배기압도 이와 마찬가지로 제어한다. 이와 같이, 진공 펌프(170)로의 에어 공급은 레귤레이터(174)를 통해 제어되고, 레귤레이터(174)는 제1 및 제2 압력 센서(182,184)에 의해 제어됨으로써 제1 및 제2 배기 덕트(132,134)에서의 배기압이 적절히 제어되고 유지된다.The
이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니며, 본 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 다른 조합, 변 경 및 환경에서 사용할 수 있다. 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.The detailed description of the invention is not intended to limit the invention to the disclosed embodiments, but may be used in various other combinations, changes, and environments without departing from the spirit of the invention. The appended claims should be construed to include other embodiments.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 바울 내 배기를 진공 펌프를 사용하여 실시하고, 레귤레이터를 이용하여 진공 펌프에 공급되는 에어 압력을 조절하여 바울 내 배기압을 제어한다. 이로써, 공정에 따른 원하는 배기압을 얻을 수 있으며 일정한 배기압의 유지가 가능하다.As described in detail above, according to the present invention, the exhaust in the Paul is performed using a vacuum pump, and the exhaust pressure in the Paul is controlled by adjusting the air pressure supplied to the vacuum pump using the regulator. As a result, a desired exhaust pressure according to the process can be obtained, and a constant exhaust pressure can be maintained.
Claims (10)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070014701A KR100841343B1 (en) | 2007-02-13 | 2007-02-13 | Substrate treatment apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020070014701A KR100841343B1 (en) | 2007-02-13 | 2007-02-13 | Substrate treatment apparatus |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR100841343B1 true KR100841343B1 (en) | 2008-06-26 |
Family
ID=39772478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020070014701A KR100841343B1 (en) | 2007-02-13 | 2007-02-13 | Substrate treatment apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100841343B1 (en) |
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