KR20020085173A - Exhaust apparatus for spinner equipment - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 스피너 설비용 배기장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 포토 공정에서 포토 레지스터의 도포 효율을 높이기 위해 공급되는 HDMS(HexamethylDisilazane, (CH3)6NSi2)의 반응 부산물을 별도로 배출시키므로서 공정 불량률을 최대한 저감시킬 수 있도록 하는 스피너 설비용 배기장치에 관한 것이다.The present invention relates to an exhaust device for a spinner installation, and more particularly, a process by separately discharging reaction by-products of HDMS (HexamethylDisilazane, (CH 3 ) 6 NSi 2 ) supplied to improve the application efficiency of the photoresist in a photo process. The present invention relates to an exhaust device for a spinner installation capable of reducing the defective rate as much as possible.
일반적으로 웨이퍼에 포토 레지스트막을 도포하는 설비를 스피너 설비라 한다.Generally, a facility for applying a photoresist film to a wafer is called a spinner facility.
스피너 설비에 의해 노광 공정에 진입하기 전에 노광할 포토 레지스트막을 형성하게 되는 공정으로서, 여기에는 포토 레지스트의 도포 효율을 증강시키기 위한 HMDS 코팅공정과 코팅된 HMDS에 포토 레지스트를 도포하는 공정 및 포토 레지스트를 가열 경화시키는 공정이 있다.A process of forming a photoresist film to be exposed before entering the exposure process by the spinner facility, which includes an HMDS coating process for enhancing the application efficiency of the photoresist, a process of applying the photoresist to the coated HMDS, and a photoresist. There is a process of heat curing.
이를 보다 구체적으로 설명하면 스피너 설비에 웨이퍼가 이송되어 오면 우선 웨이퍼에는 포토 레지스트를 도포하기 전에 코팅제인 HMDS를 도포한다.In more detail, when the wafer is transferred to the spinner facility, the wafer is first coated with HMDS, which is a coating agent, before the photoresist is applied.
HMDS는 통상 액상으로 분무되며, ??(wet)상태에서는 접착력을 갖지 못하므로 포토 레지스트를 그냥 도포할 수가 없다.HMDS is usually sprayed in a liquid phase and does not have adhesion in the wet state, and thus photoresist cannot be applied simply.
따라서 HMDS가 코팅된 상태인 웨이퍼는 가열에 의해서 점착력을 갖도록 한다.Therefore, the wafer in which the HMDS is coated has an adhesive force by heating.
HMDS가 코팅된 웨이퍼는 다시 대기와 같은 온도 조건으로 냉각시키고, 그 상태에서 포토 레지스트를 도포한다.The HMDS-coated wafer is again cooled to the same temperature condition as the atmosphere, and the photoresist is applied therein.
포토 레지스트가 도포되면 이를 다시 가열하고, 이를 대기와 같은 온도 조건을 냉각시킨 후 노광 공정으로 이송하게 된다.When the photoresist is applied, it is heated again, which is cooled to a temperature condition such as air and then transferred to an exposure process.
이와같이 웨이퍼에 포토 레지스트막을 형성하는 공정을 스피너 공정이라 하고, 이를 수행하는 구성을 스피너 설비라 한다.The process of forming the photoresist film on the wafer in this manner is called a spinner process, and the configuration for performing this is called a spinner facility.
스피너 설비에서는 통상 HMDS를 웨이퍼에 코팅한 후 가열하는 과정에서 반응 부산물인 NH3를 발생시키게 된다.In spinner installations, the reaction by-product NH 3 is generally generated during the heating of HMDS after coating the wafer.
이때 발생되는 NH3는 현재 스피너 설비에 도 1에서와 같이 구비되는 배기장치를 통해 배출되도록 하고 있다.NH 3 generated at this time is to be discharged through the exhaust device provided in the spinner facility as shown in FIG.
종전의 배기장치는 전술한 바와같은 HMDS 유닛(10)과 웨이퍼에 포토 레지스트가 도포되어 있는 상태에서 이를 가열하는 베이크 유닛(20)이 나란히 구비되도록 하고 있고, 이들로부터 생성되는 기상의 반응 부산물은 열배기관(30)의 히터(31)에 의해 가열되면서 배기되도록 한다.The conventional exhaust system has the HMDS unit 10 as described above and the bake unit 20 for heating the wafer in the state where the photoresist is applied to the wafer, and the gaseous reaction by-products generated therefrom are 10 times. It is to be exhausted while being heated by the heater 31 of the engine (30).
한편 포토 공정에서의 배기 시스템은 웨이퍼에 포토 레지스트를 도포한 후 가열할 때 발생되는 유기성 케미칼인 흄에 대해서는 유기 배기장치를 통해 배기시키고, 알칼리성 케미칼인 현상공정에서 발생되는 흄에 대해서는 알칼리 배기장치를 통해서 배기되도록 하는 것이 대표적이다.On the other hand, the exhaust system in the photo process exhausts the organic chemical fume, which is generated when the photoresist is applied to the wafer and heats it, through the organic exhaust system, and the alkaline exhaust system is applied to the fume generated in the development process which is the alkaline chemical. Exhaust through is typical.
상기와 같은 배기장치와는 달리 HMDS 유닛(10)과 베이크 유닛(20)에서 생성되는 부산물들은 오직 하나의 배기라인 즉 열배기관(30)을 통해서만 일정온도(120℃~150℃)로 가열하면서 일괄적으로 배기되도록 하고 있다.Unlike the exhaust system as described above, the by-products generated in the HMDS unit 10 and the baking unit 20 are batched while being heated to a constant temperature (120 ° C. to 150 ° C.) through only one exhaust line, that is, the heat exhaust pipe 30. To be exhausted.
하지만 HMDS 유닛(10)에서 특히 HMDS를 코팅하는 공간과 이를 가열하는 공간이 하나의 공간으로서만 이루어져 있으므로 이 히팅 룸(11)에서 웨이퍼의 가열시 발생되는 반응 부산물인 NH3는 종전의 배기장치에 의해서는 제대로 배기가 되지 못하는 폐단이 있었다.However, in the HMDS unit 10, in particular, the space for coating the HMDS and the space for heating it are constituted by only one space, so NH 3 , a reaction by-product generated when the wafer is heated in the heating room 11, is applied to a conventional exhaust system. There was a closed end that could not be properly exhausted.
즉 스피너 설비에서 HMDS 유닛(10)과 베이크 유닛(20)은 오직 하나의 배기라인 즉 열배기관(30)을 통해서만 배기가 이루어지게 되지만 이러한 열배기시의 배출력으로는 HMDS 유닛(10)의 히팅 룸(11)에서 생성되는 부산물인 NH3를 제대로 배출시킬 수가 없다.That is, in the spinner installation, the HMDS unit 10 and the bake unit 20 are exhausted through only one exhaust line, that is, the heat exhaust pipe 30, but the discharge force during the heat exhaust is the heating room of the HMDS unit 10. NH 3 , a by-product produced in (11), cannot be released properly.
때문에 HMDS 유닛(10)에서 가열된 웨이퍼를 언로딩시키게 되면 히팅 룸(11)이 설비의 외부인 펩(fab)과 연통되는 상태가 되므로 히팅 룸(11)내에 잔류하는 NH3가 펩에 유도되면서 펩을 오염시키게 되는 단점이 있다.Because when the heated wafer in HMDS unit 10, thereby unloading the state in which the heating room 11 communicates with the outside peptidase (fab) of the equipment, so as NH 3 remaining in the heating room 11 is guided to the peptidyl peptidase It has the disadvantage of polluting.
이같은 NH3의 누출은 스피너 설비에서 뿐만 아니라 포토 설비에 전체적으로 악영향을 미치게 된다.This leakage of NH 3 adversely affects the photo installation as well as the spinner installation.
특히 웨이퍼상에 NH3가 잔류한 상태에서 노광 및 현상 공정으로 공정이 진행되다 보면 이 NH3에 의해 웨이퍼에 형성되는 패턴이 변형되어 불량을 초래하는 대단히 심각한 문제가 있다.In particular, when the process proceeds to an exposure and development process with NH 3 remaining on the wafer, there is a very serious problem that the pattern formed on the wafer is deformed by the NH 3 , resulting in a defect.
따라서 본 발명은 상술한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 발명된 것으로서, 본 발명의 목적은 HMDS 유닛의 히팅 룸에 별도의 독립적인 알칼리 배기라인이 구비되게 하므로서 공정부산물인 NH3의 배출이 보다 효율적으로 이루어지게 하여 공정 설비의 손상 및 웨이퍼의 패턴 불량이 방지되도록 하는 배기장치를 제공하는데 있다.Therefore, the present invention has been invented to solve the above-mentioned problems of the prior art, and an object of the present invention is to provide a separate independent alkaline exhaust line in the heating room of the HMDS unit, so that the process by-product NH 3 is more efficiently discharged. It is to provide an exhaust device to prevent damage to the process equipment and pattern defects of the wafer to be made.
도 1은 종래 스피너 설비용 배기장치를 도시한 개략도,1 is a schematic view showing an exhaust device for a conventional spinner installation,
도 2는 본 발명에 따른 스피너 설비용 배기장치를 도시한 개략도,2 is a schematic view showing an exhaust device for a spinner installation according to the present invention;
도 3은 본 발명에 따른 알칼리 배기관의 연결구조를 도시한 측면도.Figure 3 is a side view showing a connection structure of the alkaline exhaust pipe according to the present invention.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings
10 : HMDS 유닛 11 : 히팅 룸10: HMDS unit 11: heating room
20 : 베이크 유닛 30 : 열배기관20: bake unit 30: heat exhaust pipe
31 : 히터 40 : 알칼리 배기관31 heater 40 alkali exhaust pipe
41 : 알칼리 배기장치 50 : 메인 덕트41: alkali exhaust device 50: main duct
이와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명은 HMDS 유닛과 베이크 유닛의 각 룸으로부터 생성되는 배출 가스를 일정한 배출력으로 열배기시키는 스피너 설비용 배기장치에 있어서, 상기 HMDS 유닛의 히팅 룸으로부터 독립적으로 메인 덕트에 연결되는 알칼리 배기관을 구비하고, 상기 알칼리 배기관을 통해 상기 HMDS 유닛으로부터 발생되는 NH3가 메인 덕트의 배기력으로 배출되도록 하는 것이다.In order to achieve the above object, the present invention provides a spinner apparatus for exhausting exhaust gas generated from each room of the HMDS unit and the bake unit with a constant discharge force, the main duct independently from the heating room of the HMDS unit. It is provided with an alkali exhaust pipe connected to, so that the NH 3 generated from the HMDS unit through the alkali exhaust pipe is discharged to the exhaust force of the main duct.
이하 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면에 의하여 더욱 상세히 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
도 2에서 보는바와 같이 본 발명에서 스피너 설비에서 특히 서로 나란하게 구비되는 HMDS 유닛(10)과 베이크 유닛(20)으로부터 공통적으로 배출 가스를 열배기시키는 배기장치에 별도로 HMDS 유닛(10)의 히팅 룸(11)으로부터 별도의 배기장치가 구비되도록 하는 것이다.As shown in FIG. 2, in the present invention, a heating room of the HMDS unit 10 is separately provided to an exhaust device that heats exhaust gas in common from the HMDS unit 10 and the baking unit 20, which are provided in parallel with each other in the spinner installation. A separate exhaust device is provided from (11).
HMDS에는 로딩된 웨이퍼에 HMDS를 도포하는 공간과 함께 HMDS가 도포된 웨이퍼를 소정의 온도, 약 100℃ 이상의 고온으로 가열하는 공간이 일체로 구비된다.The HMDS is integrally provided with a space for applying the HMDS to the loaded wafer and a space for heating the wafer coated with the HMDS to a predetermined temperature, a high temperature of about 100 ° C. or more.
이렇게 HMDS를 도포한 후 가열하게 되는 공간이 히팅 룸(11)이며, 그 저부에는 다시 가열된 웨이퍼를 상온으로 냉각하는 쿨링 룸(12)이 구비된다.Thus, the space to be heated after applying the HMDS is the heating room 11, and the bottom is provided with a cooling room 12 for cooling the heated wafer to room temperature again.
한편 이같은 HMDS 유닛(10)의 일측으로는 HMDS가 도포된 웨이퍼에 포토 레지스트를 도포시킨 상태인 웨이퍼를 로딩시켜 가열 및 냉각시키는 베이크 유닛(20)이 나란히 구비된다.On the other hand, one side of the HMDS unit 10 is provided with a side by side baking unit 20 for loading and heating the wafer in a state where the photoresist is applied to the wafer coated with HMDS.
이러한 스피너 설비에는 통상 HMDS 유닛(10)과 베이크 유닛(20)의 각 룸으로부터 발생되는 기상의 반응 부산물들을 배출시키는 열배기관(30)이 구비된다.Such spinner installations are typically provided with a heat exhaust pipe 30 for discharging gaseous reaction by-products generated from each room of the HMDS unit 10 and the bake unit 20.
열배기관(30)에서는 각 유닛으로부터 발생되는 반응 부산물들인 유기용제를 한곳에 집중되게 한 후 가열시키면서 일정한 배출력으로 배출되도록 한다.In the heat exhaust pipe 30 to concentrate the organic solvent, the reaction by-products generated from each unit in one place, and then to be heated with a constant discharge force while heating.
한편 상기한 구성은 종전과 대동소이하다.On the other hand, the above configuration is almost the same as before.
다만 본 발명은 전술한 바와같이 HMDS 유닛(10)의 히팅 룸(11)과 포토 설비의 메인 덕트(50)간으로 전기한 열배기관(30)과는 별도의 알칼리 배기관(40)이 구비되도록 하는데 가장 두드러진 특징이 있다.However, the present invention is to provide an alkaline exhaust pipe 40 that is separate from the heat exhaust pipe 30, which is transferred between the heating room 11 of the HMDS unit 10 and the main duct 50 of the photo equipment as described above. It is the most prominent feature.
특히 본 발명의 알칼리 배기관(40)은 HMDS 유닛(10)에서도 도 3에서와 같이 히팅 룸(11)의 상측에 일단이 연결되도록 하는 것이 가장 바람직하다.In particular, the alkaline exhaust pipe 40 of the present invention is most preferably such that one end is connected to the upper side of the heating room 11 in the HMDS unit 10 as shown in FIG.
HMDS는 액상의 화학물질로서 알칼리성을 나타낸다.HMDS is alkaline as a liquid chemical.
따라서 HMDS가 코팅되어 있는 웨이퍼를 가열시키면서 생성되는 부산물인 NH3는 알칼리성을 띠게 된다.As a result, NH 3 , a by-product produced by heating a wafer coated with HMDS, becomes alkaline.
이같은 NH3를 열배기관(30)과는 별도로 알칼리 배기관(40)을 통해 독립적으로 배출되도록 하되 알칼리 배기관(40)에는 알칼리 배기장치(41)가 중설되고, 알칼리 배기장치(41)에 의해 메인 덕트(50)의 배출압과 동일한 배출압으로서 NH3를 배출시킨다.The NH 3 is to be discharged independently through the alkali exhaust pipe 40 separately from the heat exhaust pipe 30, but the alkali exhaust device 41 is formed in the alkali exhaust pipe 40, and the main duct is provided by the alkali exhaust device 41. NH 3 is discharged as the discharge pressure equal to the discharge pressure of 50.
특히 도 3에서와 같이 알칼리 배기관(40)의 일단을 히팅 룸(11)의 상측으로 연결되게 하면 히팅 룸(11)에서 생성되는 부산물이 웨이퍼측으로 착상되는 것을 방지할 수가 있으므로 더욱 효율적이다.In particular, when one end of the alkaline exhaust pipe 40 is connected to the upper side of the heating room 11 as shown in FIG. 3, the by-products generated in the heating room 11 can be prevented from forming on the wafer side.
일반적으로 열배기관(30)에서의 배출압은 메인 덕트(50)의 배출압보다는 낮게 형성되므로 알칼리 배기관(40)은 이보다 더 고압의 배출압을 갖도록 하면서 메인 덕트(50)의 배출압과 동일하게 유지되도록 하면 HMDS 유닛(10)의 히팅 룸(11)에서 생성되는 NH3를 효율적으로 제거할 수가 있게 된다.In general, the discharge pressure in the heat exhaust pipe 30 is formed to be lower than the discharge pressure of the main duct 50, so that the alkaline exhaust pipe 40 has a higher pressure discharge pressure than this while the same as the discharge pressure of the main duct 50 When it is maintained, the NH 3 generated in the heating room 11 of the HMDS unit 10 can be efficiently removed.
다시말해 HMDS 유닛(10)의 히팅 룸(11)으로부터 생성되는 NH3를 열배기관(30)을 통해 배출되게 하면서 동시에 그와 독립적으로 구비되는 알칼리 배기관(40)을 통해서도 보다 큰 배출압으로 배출되도록 하면 히팅 룸(11)에서의 NH3가 보다 완전하게 제거될 수가 있게 된다.In other words, the NH 3 generated from the heating room 11 of the HMDS unit 10 is discharged through the heat exhaust pipe 30, and at the same time, it is discharged at a larger discharge pressure through the alkaline exhaust pipe 40 provided independently of the exhaust gas. The NH 3 in the heating room 11 can be more completely removed.
이와같이 알칼리 배기관(40)을 통해 HMDS 유닛(10)의 히팅 룸(11)으로부터 잔류 NH3를 완전 제거하게 되면 펩으로의 NH3유출을 방지하게 되므로서 설비를 안전하게 보호할 수가 있게 된다.As such, when the residual NH 3 is completely removed from the heating room 11 of the HMDS unit 10 through the alkaline exhaust pipe 40, the NH 3 leakage to the pep can be prevented and the facility can be safely protected.
또한 노광 및 현상 공정으로의 웨이퍼 로딩시에도 잔류 NH3를 제거하므로서 각 공정을 통한 패턴 형성시 패턴 불량을 미연에 방지시킬 수가 있게 되므로 웨이퍼 제조 불량을 대폭 줄일 수가 있다.In addition, by removing residual NH 3 even during wafer loading in the exposure and development processes, pattern defects can be prevented in advance during pattern formation through each process, thereby significantly reducing wafer fabrication defects.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면 HMDS 유닛(10)의 히팅 룸(11)에 기존의 열배기관(30)을 통한 배기장치와는 별도로 보다 고압의 배기압을 갖는 알칼리 배기관(40)이 독립적으로 구비되게 하므로서 HMDS의 가열에 의한 알칼리 성분의 NH3가 열배기관(30) 및 알칼리 배기관(40)으로 동시에 배기되면서 히팅 룸(11)에서의 생성 부산물인 NH3가 전혀 잔류하지 못하도록 한다.As described above, according to the present invention, an alkaline exhaust pipe 40 having a higher pressure exhaust pressure is independently provided in the heating room 11 of the HMDS unit 10 than the exhaust device through the existing heat exhaust pipe 30. As a result, NH 3 of the alkaline component by heating the HMDS is simultaneously exhausted to the heat exhaust pipe 30 and the alkali exhaust pipe 40 so that NH 3, which is a byproduct of the heating room 11, does not remain at all.
특히 기존의 열배기관(30)을 통해서는 NH3나 SiO2의 처리가 제대로 이루어지지 않는데 비해 본 발명의 알칼리 배기관(40)을 통해서는 NH3와 함께 SiO2도 동시에 처리가 가능해진다.In particular, the treatment of NH 3 or SiO 2 is not performed properly through the existing heat exhaust pipe 30, but through the alkali exhaust pipe 40 of the present invention, SiO 2 can be simultaneously treated with NH 3 .
따라서 NH3가 펩으로 누출됨에 따른 포토 설비의 손상과 작업 환경의 오염 및 웨이퍼에 잔류하는 NH3에 의한 웨이퍼의 패턴 불량 등을 미연에 방지시킬 수가 있도록 하므로서 반도체 제조 불량률을 대폭적으로 저감하면서 안전한 공정 수행을 제공하게 되는 매우 유용한 효과가 있게 된다.Therefore, it is possible to prevent damage to the photo equipment, contamination of the working environment, and defects in the wafer pattern caused by NH 3 remaining on the wafer due to the leakage of NH 3 into the Pep, thus greatly reducing the defect rate of semiconductor manufacturing and safe process. There is a very useful effect of providing performance.
Claims (2)
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|---|---|---|---|
| KR1020010024536A KR20020085173A (en) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | Exhaust apparatus for spinner equipment |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| KR1020010024536A KR20020085173A (en) | 2001-05-07 | 2001-05-07 | Exhaust apparatus for spinner equipment |
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| KR (1) | KR20020085173A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100841343B1 (en) * | 2007-02-13 | 2008-06-26 | 세메스 주식회사 | Substrate treatment apparatus |
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2001
- 2001-05-07 KR KR1020010024536A patent/KR20020085173A/en not_active Application Discontinuation
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| KR100841343B1 (en) * | 2007-02-13 | 2008-06-26 | 세메스 주식회사 | Substrate treatment apparatus |
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