KR100838365B1 - 데이터 정렬회로 및 정렬방법. - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (17)
- 서로 다른 위상과 동일한 주파수를 가지는 복수의 제1클럭을 이용하여 직렬로 입력되는 데이터를 래치해 출력하는 제1래치부; 및상기 제1래치부로부터 출력되는 데이터를 상기 제1클럭보다 낮은 주파수를 가지며 더 다양한 위상을 갖는 복수의 제2클럭으로 래치해 병렬로 출력하는 제2래치부를 포함하는 데이터 정렬회로.
- 제 1항에 있어서,상기 제2클럭은,상기 제1클럭보다 그 수가 더 많은 것을 특징으로 하는 데이터 정렬회로.
- 제 1항에 있어서,상기 제1클럭은,상기 데이터 정렬회로의 외부로부터 입력되는 클럭과 그 클럭을 반전한 클럭인 것을 특징으로 하는 데이터 정렬회로.
- 제 3항에 있어서,상기 제2클럭은,상기 제1클럭을 분주하여 생성되는 것을 특징으로 하는 데이터 정렬회로.
- 제 1항에 있어서,상기 제1래치부는,상기 제1클럭과 상기 데이터를 입력받아 동작하는, 상기 제1클럭과 동일한 수의 래치를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 데이터 정렬회로.
- 제 5항에 있어서,상기 제2래치부는,상기 제2클럭과 상기 제1래치부에서 출력되는 데이터를 입력받아 동작하는, 상기 제2클럭과 동일한 수의 래치를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 데이터 정렬회로.
- 제 4항에 있어서,상기 데이터 정렬회로는,상기 제1클럭을 분주하여 상기 제2클럭을 생성하기 위한 분주부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 정렬회로.
- 제 1항에 있어서,상기 데이터 정렬회로는,상기 제2래치부에서 출력되는 병렬 데이터의 타이밍을 조절하여 정렬하기 위한 타이밍 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 정렬회로.
- 외부에서 입력되는 클럭과 외부에서 입력되는 클럭을 반전한 반전클럭을 이용하여 직렬로 입력되는 데이터를 래치해 출력하는 제1래치부; 및상기 제1래치부로부터 출력되는 데이터를 상기 클럭의 주파수보다 1/2배가 되는 주파수를 가지며 서로 다른 위상을 가지는 4개의 제2클럭을 이용하여 래치해 병렬로 출력하는 제2래치부를 포함하는 데이터 정렬회로.
- 제 9항에 있어서,상기 데이터 정렬회로는,상기 클럭과 상기 반전클럭을 분주하여 상기 제2클럭을 생성하기 위한 분주부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 정렬회로.
- 제 9항에 있어서,상기 제1래치부는 상기 데이터를 각각 상기 클럭과 상기 반전클럭에 래치하기 위한 두 개의 래치를 포함하며,상기 제2래치부는 상기 제1래치부로부터 출력되는 데이터를 각각 상기 4개의 제2클럭으로 래치하기 위한 4개의 래치를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 데이터 정렬회로.
- 제 9항에 있어서,상기 데이터 정렬회로는,상기 제2래치부에서 출력되는 병렬 데이터의 타이밍을 조절하여 정렬하기 위한 타이밍 조절부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 정렬회로.
- 제 10항에 있어서,상기 분주부는,상기 클럭과 상기 반전클럭을 이용하여 주파수가 1/2인 클럭을 만들어 내기 위한 복수의 D플립플롭; 및상기 D플립플롭의 출력 클럭의 위상을 조절하기 위한 복수의 앤드게이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 정렬회로.
- 서로 다른 위상과 동일한 주파수를 가지는 복수의 제1클럭을 이용하여 직렬로 입력되는 데이터를 래치하는 제1단계; 및상기 제1단계에서 래치된 데이터를 상기 제1클럭보다 낮은 주파수를 가지며 더 다양한 위상을 갖는 복수의 제2클럭으로 래치해 병렬로 출력하는 제2단계를 포함하는 데이터 정렬방법.
- 제 14항에 있어서,상기 제1클럭은,외부로부터 입력되는 클럭과 그 클럭을 반전한 클럭인 것을 특징으로 하는 데이터 정렬회로.
- 제 15항에 있어서,상기 데이터 정렬방법은,상기 제1클럭을 분주하여 상기 제2클럭을 생성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 정렬방법.
- 제 14항에 있어서,상기 데이터 정렬방법은,상기 제2단계에서 병렬로 출력되는 데이터의 타이밍을 조절하여 정렬하는 제3단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 데이터 정렬방법.
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Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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TWI351181B (en) * | 2007-12-26 | 2011-10-21 | Altek Corp | Serial/parallel conversion apparatus and method thereof |
US8415984B2 (en) * | 2008-11-05 | 2013-04-09 | Nec Corporation | Electronic circuit system, track hold circuit module, electronic circuit operation control method, and program thereof |
KR101794267B1 (ko) * | 2011-01-13 | 2017-11-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 게이트 구동 회로 및 그것을 포함하는 표시 장치 |
TWI459401B (zh) * | 2011-03-09 | 2014-11-01 | Etron Technology Inc | 應用於一記憶體電路內複數個記憶區塊的栓鎖系統 |
US9369308B2 (en) | 2013-11-07 | 2016-06-14 | International Business Machines Corporation | Signal transmission reducing coupling caused delay variation |
KR20180127755A (ko) * | 2017-05-22 | 2018-11-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 데이터 정렬 회로 및 이를 포함하는 반도체 장치 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100403632B1 (ko) | 2001-05-03 | 2003-10-30 | 삼성전자주식회사 | 동기형 반도체 메모리 장치의 데이터 입력회로 및 데이터입력 방법 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4079456A (en) * | 1977-01-24 | 1978-03-14 | Rca Corporation | Output buffer synchronizing circuit having selectively variable delay means |
JPH0955667A (ja) * | 1995-08-10 | 1997-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | マルチプレクサ,及びデマルチプレクサ |
US5721545A (en) * | 1995-10-23 | 1998-02-24 | Poplevine; Pavel B. | Methods and apparatus for serial-to-parallel and parallel-to-serial conversion |
US6583227B2 (en) * | 1996-09-04 | 2003-06-24 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Propylene polymers for films |
JPH1198101A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Nec Corp | データデマルチプレクサ回路及びこれを用いたシリアル―パラレル変換回路 |
US20030232112A1 (en) * | 2002-06-17 | 2003-12-18 | Whitmore Rebecca E. | Packaging system assembly for carry-out food |
US6696995B1 (en) * | 2002-12-30 | 2004-02-24 | Cypress Semiconductor Corp. | Low power deserializer circuit and method of using same |
US20070235896A1 (en) * | 2006-04-06 | 2007-10-11 | Fina Technology, Inc. | High shrink high modulus biaxially oriented films |
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---|---|---|---|---|
KR100403632B1 (ko) | 2001-05-03 | 2003-10-30 | 삼성전자주식회사 | 동기형 반도체 메모리 장치의 데이터 입력회로 및 데이터입력 방법 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9672896B2 (en) | 2014-12-19 | 2017-06-06 | SK Hynix Inc. | Semiconductor memory device and semiconductor system having the same |
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