KR100838365B1 - Circuit and method for aligning data - Google Patents
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Abstract
Description
도 1은 직렬로 들어오는 데이터를 4개의 서로 다른 위상을 가지는 클럭이 래치하는 과정을 보여주는 도면.1 is a diagram illustrating a process in which clocks having four different phases latch data in series;
도 2는 종래의 데이터 정렬회로의 구성도.2 is a block diagram of a conventional data alignment circuit.
도 3은 본 발명에 따른 데이터 정렬회로의 일실시예 구성도.3 is a block diagram of an embodiment of a data alignment circuit according to the present invention;
도 4a,b,c는 도 3의 분주부(350)와 관계된 도면으로, 도 4a는 주파수를 변환하는 부분, 도 4b는 위상을 변환하는 부분, 도 4c는 분주부의 전체 동작을 도시한 도면.4a, b, and c are views related to the
도 5는 도 3의 데이터 정렬회로의 전체동작을 나타낸 타이밍도.5 is a timing diagram showing the overall operation of the data alignment circuit of FIG.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for the main parts of the drawings
320: 제1래치부 330: 제2래치부320: first latch portion 330: second latch portion
340: 타이밍 조절부 350: 분주부340: timing adjusting unit 350: dispensing unit
본 발명은 데이터 정렬회로에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 직렬로 입력되는 데이터를 병렬로 정렬하는 기술에 관한 것이다.The present invention relates to a data alignment circuit, and more particularly, to a technique for aligning serially input data in parallel.
각종 반도체 칩(chip) 간의 또는 칩 내부에서 데이터를 고속으로 처리하기 위해서는 일반적으로 직렬 인터페이스(serial interface)를 이용하여 데이터를 주고받게 된다. 그러면 칩 내의 수신단(receiver)에서는 이 직렬 데이터를 받아서 내부적으로 데이터를 병렬(parallel)로 정렬하여 사용하게 된다. 예를 들어, 반도체 메모리장치(DRAM)의 스펙(spec)에 명시되어 있는 4비트(bit) 프리패치(prefetch), 8비트 프리패치 등이 내부적으로 몇 개의 데이터를 병렬로 만들 지에 대한 정의에 해당한다.In order to process data at high speed between various semiconductor chips or within a chip, data is generally transmitted and received using a serial interface. The receiver in the chip then receives this serial data and internally aligns the data in parallel. For example, the 4 bit prefetch and 8 bit prefetch specified in the specification of the semiconductor memory device (DRAM) correspond to the definition of how much data to make in parallel. do.
일반적으로, 직렬로 입력되는 데이터를 4비트 이상 병렬로 정렬하기 위해서는 위상고정루프(PLL: Phase Locked Loop)에서 만들어진 4개의 서로 다른 위상을 가지는 클럭(4 phase clock)을 사용한다. 4개의 서로 다른 위상을 가지는 클럭을 사용하는 이유는 직렬로 들어온 데이터를 각각 래치하여 병렬화하기 위해서는 4개의 클럭이 필요하기 때문이다. 도 1은 직렬로 들어오는 데이터를 4개의 서로 다른 위상을 가지는 클럭(clk<0>, clk<1>, clk<2>, clk<3>)이 래치하는 과정을 보여주고 있다.In general, in order to align serially input data in more than four bits in parallel, four phase clocks using four different phases made in a phase locked loop (PLL) are used. The reason for using clocks with four different phases is that four clocks are required to latch and parallelize each data in series. FIG. 1 illustrates a process of latching data coming in series by clocks clk <0>, clk <1>, clk <2>, and clk <3> having four different phases.
도 2는 종래의 데이터 정렬회로의 구성도이다.2 is a configuration diagram of a conventional data alignment circuit.
종래의 데이터 정렬회로는, 버퍼(210)를 통해 데이터를 직렬로 입력받은 후 4개의 서로 다른 위상을 가지는 클럭(clk000, clk090, clk180, clk270)으로 이를 래치하여 데이터를 캐치한다. 그리고 각 래치(221, 222, 223, 224)에서 캐치된 데이터는 타이밍 조절부(230)에서 타이밍을 조절하여 데이터를 병렬로 출력한다. The conventional data alignment circuit receives data serially through the
예를 들어, 도면에 도시된 바와 같이 데이터 0,1,2,3(Data 0,1,2,3)이 직렬로 입력되면, 이 데이터를 각각의 래치(221, 222, 223, 224)에서 서로 다른 위상을 가지는 클럭(clk000, clk090, clk180, clk270)을 이용하여 래치하고, 래치된 데이터의 타이밍을 조절한 후에 데이터 0,1,2,3(Data 0,1,2,3)을 동시에 병렬로 출력한다.For example, as shown in the figure, when
이때, 4개의 서로 다른 위상을 가지는 클럭(clk00, clk090, clk180, clk270)은 일반적으로 위상고정루프(PLL)로부터 공급받게 된다.At this time, the clocks (clk00, clk090, clk180, clk270) having four different phases are generally supplied from the phase locked loop (PLL).
상술한 바와 같이, 종래의 데이터 정렬회로는 직렬로 입력되는 데이터를 1:4로 병렬화(Parallelizing) 하기 위해 4개의 서로 다른 위상을 가지는 클럭을 사용한다. 여기서 1:4로 병렬화한다는 의미는 직렬로 입력되는 4개의 데이터를 정렬하여 병렬로 출력한다는 의미이다.(1개의 단자로 들어온 데이터를 4개의 단자로 출력) 이러한 경우 서로 다른 위상을 가지는 클럭의 주파수는 데이터의 주파수보다 낮은 것을 사용하게 되는데, 클럭은 주파수가 낮아질수록 지터의 특성이 안좋아지므로, 종래와 같은 방법을 사용할 경우 지터 특성에서 손해를 본다는 문제점이 있다.As described above, the conventional data alignment circuit uses a clock having four different phases to parallelize serially input data 1: 4. In this case, paralleling to 1: 4 means that four data inputted in series are arranged in parallel and outputted in parallel (data inputted from one terminal to four terminals). In this case, a frequency of a clock having a different phase The lower the frequency of the data is used, the lower the frequency of the jitter becomes worse, so there is a problem in that the loss of jitter characteristics when using the conventional method.
또한, 종래와 같이 PLL에서 만들어진 4개의 서로 다른 위상을 가진 클럭을 PLL로부터 데이터 정렬회로까지 전달하는 과정에서 각 라인들 사이의 커플링 노이즈(coupling noise) 등으로 클럭 간의 스큐(skew)가 나빠진다는 문제점도 있다.In addition, in the process of transferring a clock having four different phases made in the PLL from the PLL to the data alignment circuit as in the prior art, skew between clocks becomes worse due to coupling noise between the lines. There is also a problem.
특히, 데이터 정렬회로를 사용하는 GDDR메모리장치에서는 32개 이상의 데이터를 병렬로 정렬하기도 하는데 이러한 경우에는 사용되는 클럭의 수, 클럭을 전달하기 위한 라인의 수도 많아지기 때문에 상술한 지터, 스큐 등에 있어서의 문제는 더욱 심각하다.In particular, in a GDDR memory device using a data alignment circuit, 32 or more pieces of data may be arranged in parallel. In this case, the number of clocks used and the number of lines for transferring clocks increase, so that the above-described jitter, skew, etc. The problem is even worse.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 제안된 것으로, 데이터 정렬회로에서 데이터 정렬을 위해 여러 가지의 클럭이 사용되면서 생기는, 지터 스큐 등의 특성이 나빠지는 것을 개선하기 위한 것이다.The present invention has been proposed to solve the above problems of the prior art, and is to improve the deterioration of characteristics such as jitter skew, which is caused by the use of various clocks for data alignment in the data alignment circuit.
상술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 데이터 정렬회로의 일실시예는, 서로 다른 위상과 동일한 주파수를 가지는 복수의 제1클럭을 이용하여 직렬로 입력되는 데이터를 래치해 출력하는 제1래치부; 및 상기 제1래치부로부터 출력되는 데이터를 상기 제1클럭보다 낮은 주파수를 가지며 더 다양한 위상을 갖는 복수의 제2클럭으로 래치해 병렬로 출력하는 제2래치부를 포함한다.One embodiment of a data alignment circuit according to the present invention for achieving the above object, the first latch unit for latching and outputting data input in series using a plurality of first clocks having different phases and the same frequency ; And a second latch unit for latching data output from the first latch unit into a plurality of second clocks having a lower frequency than that of the first clock and having more various phases, and outputting the parallel data.
또한, 데이터를 1:4로 직-병렬 변환하는 경우(1개의 직렬단자로 입력된 데이터를 4개의 병렬단자로 출력), 본 발명에 따른 데이터 정렬회로의 일실시예는 외부에서 입력되는 클럭과 외부에서 입력되는 클럭을 반전한 반전클럭을 이용하여 직렬로 입력되는 데이터를 래치해 출력하는 제1래치부; 및 상기 제1래치부로부터 출력 되는 데이터를 상기 클럭의 주파수보다 1/2배가 되는 주파수를 가지며 서로 다른 위상을 가지는 4개의 제2클럭을 이용하여 래치해 병렬로 출력하는 제2래치부를 포함한다.In addition, in the case of serial-to-parallel conversion of data to 1: 4 (output of data input through one serial terminal to four parallel terminals), an embodiment of the data alignment circuit according to the present invention is characterized by A first latch unit configured to latch and output data inputted in series using an inverted clock inverted from an external clock; And a second latch unit for latching and outputting the data output from the first latch unit using four second clocks having a frequency that is 1/2 times the frequency of the clock and having different phases.
또한, 본 발명에 따른 데이터 정렬방법의 일실시예는, 서로 다른 위상과 동일한 주파수를 가지는 복수의 제1클럭을 이용하여 직렬로 입력되는 데이터를 래치하는 제1단계; 및 상기 제1단계에서 래치된 데이터를 상기 제1클럭보다 낮은 주파수를 가지며 더 다양한 위상을 갖는 복수의 제2클럭으로 래치해 병렬로 출력하는 제2단계를 포함한다.In addition, an embodiment of the data alignment method according to the present invention includes a first step of latching data serially input using a plurality of first clocks having different phases and the same frequency; And a second step of latching the data latched in the first step into a plurality of second clocks having a lower frequency than the first clock and having more various phases and outputting the same in parallel.
이하, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명을 보다 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부 도면을 참조하여 설명하기로 한다.DETAILED DESCRIPTION Hereinafter, the most preferred embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings so that those skilled in the art can more easily practice the present invention.
도 3은 본 발명에 따른 데이터 정렬회로의 일실시예 구성도이다.3 is a configuration diagram of an embodiment of a data alignment circuit according to the present invention.
도면에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 데이터 정렬회로는, 서로 다른 위상과 동일한 주파수를 가지는 복수의 제1클럭(clk, clkb)을 이용하여 직렬로 입력되는 데이터를 래치해 출력하는 제1래치부(320); 및 제1래치부(320)로부터 출력되는 데이터를 제1클럭(clk, clkb)보다 낮은 주파수를 가지며 더 다양한 위상을 갖는 복수의 제2클럭(clk <0>,<1>,<2>,<3>)으로 래치해 병렬로 출력하는 제2래치부(330)를 포함한다. 그리고 타이밍 조절부(340)는 제2래치부(330)에서 병렬화한 데이터의 타이밍을 조절해 정렬된(aligned) 데이터를 출력한다.As shown in the drawing, a data alignment circuit according to the present invention includes a first latch for latching and outputting data input in series using a plurality of first clocks (clk, clkb) having different phases and the same frequency.
제1래치부(320)는 버퍼(310) 등을 통해 직렬로 입력되는 데이터를 처음으로 래치하는 곳으로, 서로 다른 위상을 가지며 동일한 주파수를 가지는 복수의 제1클럭을 이용해 데이터를 래치한다. 종래의 데이터 정렬회로에서는 데이터를 1:4로 병렬화(Parallelizing) 시키는 경우, 4개의 다른 위상을 가지는 클럭을 사용했다. 그러나 본 발명의 제1래치부는 데이터를 1:4로 래치하는 경우에도 4개의 클럭이 아닌 2개의 클럭만을 사용한다. 즉, 1:N으로 데이터를 병렬화 시키고자 할 경우 제1래치부(320)에서는 종래와 같이 N개의 클럭을 사용하지 않고 N보다 적은 수의 클럭을 사용한다. 이 경우(1:4) 제1래치부(320)에서 사용되는 제1클럭(clk, clkb)은 위상을 2가지만 가지면 되기 때문에 종래와 같이 낮은 주파수의 클럭을 사용할 필요가 없어진다. 따라서 낮은 주파수의 클럭을 사용함으로써 클럭의 지터(jitter) 특성이 나빠지는 문제점을 해결하는 것이 가능하다.The
이러한 제1래치부(320)는 도면에 도시된 바와 같이, 제1클럭(clk, clkb)과 데이터를 입력받아 동작하는, 제1클럭(clk, clkb)과 동일한 수(도면에 도시된 실시예의 경우 2개)의 래치(321, 322)를 포함하여 구성될 수 있다.As shown in the drawing, the
제2래치부는(330) 제1래치부(320)로부터 출력되는 데이터를 제1클럭(clk, clkb)보다 낮은 주파수(즉, 긴 주기를 갖는 것을 의미한다)를 가지며 더 다양한 위상을 갖는 복수의 제2클럭(clk <0>,<1>,<2>,<3>)으로 래치해 병렬로 출력한다. 즉, 제2래치부(330)에서는 종래와 같이 1:N으로 데이터를 병렬화 하려고 할 때 N개의 클럭을 사용해 래치한다. 제2래치부(330)에서는 제1래치부(320)에서보다 더 다양한 위상을 가지는 제2클럭(clk <0>,<1>,<2>,<3>)을 사용해야 하기 때문에, 제2래치 부(330)가 사용하는 제2클럭(clk <0>,<1>,<2>,<3>)의 주파수는 낮아지지만, 바로 전단인 제1래치부(320)에서 래치된 결과를 이용하여 다시 래치하는 것이므로, 클럭의 지터(jitter) 특성이 조금 안좋아지더라도 제2래치부(330)에서는 그것이 문제가 되지는 않는다.The
이러한 제2래치부(330)는 도면에 도시된 바와 같이, 제2클럭(clk <0>,<1>,<2>,<3>)과 제1래치부(320)에서 출력되는 데이터를 입력받아 동작하는 제2클럭(clk <0>,<1>,<2>,<3>)과 동일한 수의 래치(331, 332, 333,334)를 포함하여 구성될 수 있다.As illustrated in the drawing, the
본 발명에 따른 데이터 정렬회로는, PLL로부터 입력받은 제1클럭(clk, clkb)을 분주하여 제2클럭(clk <0>,<1>,<2>,<3>)을 생성하는 분주부(350)를 더 포함하는 것을 특징으로 할 수 있다. 이러한 경우, 종래와 같이 PLL로부터 4개(또는 N개)의 클럭을 입력받는 것이 아닌 2개(또는 N보다 작은수)의 클럭만을 전달받으면 된다. 따라서 클럭을 전달받기 위한 라인(line)의 수를 줄이는 것이 가능해진다. 이는 각 라인들 사이의 커플링 노이즈(coupling noise)로 인해 클럭의 스큐(skew)가 나빠지던 문제점을 해결해주며, 줄어든 라인 수로 인해 전체 회로의 면적을 줄이는 것이 가능하다는 장점도 있다.The data alignment circuit according to the present invention divides the first clock (clk, clkb) input from the PLL to generate a second clock (clk <0>, <1>, <2>, <3>) It may be characterized in that it further comprises (350). In this case, instead of receiving four (or N) clocks from the PLL, only two (or less than N) clocks need to be transmitted. Therefore, it is possible to reduce the number of lines for receiving the clock. This solves the problem of poor clock skew due to coupling noise between lines, and has the advantage of reducing the overall circuit area due to the reduced number of lines.
타이밍 조절부(340)는 제2래치부(330)에서 이미 병렬화된 데이터의 타이밍을 맞춰주는 곳으로, 데이터의 딜레이를 조절해 병렬화된 데이터를 동시에 출력한다. 예를 들어, 직렬 데이터를 1:4로 병렬화할 경우 4개의 데이터를 동시에 출력한다. 타이밍 조절부(340)는 종래에 사용되던 타이밍 조절부(도 2의 230)와 동일하며, 본 발명에서 새롭게 추가된 부분이 아니므로, 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.The
도 4a,b,c는 도 3의 분주부(350)와 관계된 도면으로, 도 4a는 주파수를 변환하는 부분, 도 4b는 위상을 변환하는 부분, 도 4c는 분주부의 전체 동작을 도시한 도면이다.4a, b, and c are views related to the
도 4a는 제1클럭(clk, clkb)을 이용하여 제1클럭(clk, clkb)의 주파수의 반이 되는 클럭인 clk2, clk2b를 생성하는 회로이다. 이는 잘 알려진 바와 같이 D플립플롭들(401, 402)과 인버터들(403, 404)의 조합으로 구성될 수 있으며, 그 입출력되는 클럭들(clk, clkb, clk2, clk2b)의 타이밍은 도 4c에 도시되어 있다.FIG. 4A is a circuit for generating clk2 and clk2b clocks that are half of the frequencies of the first clocks clk and clkb using the first clocks clk and clkb. This may be composed of a combination of D flip-
도 4b는 도 4a에서 만들어진 clk2, clk2b를 이용하여 다양한 위상을 가지는 제2클럭(clk <0>,<1>,<2>,<3>)을 생성하는 회로이다. 다양한 위상을 가지는 제2클럭(clk <0>,<1>,<2>,<3>)은 각각 제1클럭(clk, clkb)과 clk2, clk2b를 논리조합하는 앤드게이트들(405, 406, 407, 408)을 포함하여 구성될 수 있으며, 앤드게이트(405, 406, 407, 408) 각각에 입출력되는 클럭들(clk, clkb, clk2, clk2b, clk 0,1,2,3)의 타이밍은 도 4c에 도시되어 있다.4B is a circuit for generating second clocks clk <0>, <1>, <2>, and <3> having various phases by using clk2 and clk2b of FIG. 4A. The second clocks (clk <0>, <1>, <2>, and <3>) having various phases are AND
도 5는 도 3의 데이터 정렬회로의 전체동작을 나타낸 타이밍도이다.FIG. 5 is a timing diagram illustrating an overall operation of the data alignment circuit of FIG. 3.
도면은 보면, 데이터 0,1,2,3,4,5,6,7이 순서대로 직렬로 입력되면 제1래치부에서는 제1클럭인 clk를 이용하여 0,2,4,6을, clkb를 이용하여 1,3,5,7을 래치한다.(latch output) 그 후 제2래치부에서 제2클럭인 clk<0>, clk<1>, clk<2>, clk<3>을 이용하여 데이터 0,1,2,3을 래치하고, 이를 타이밍 조절부에서 조절해 데 이터를 병렬로 정렬하여 출력한다. 1:4의 병렬화 과정을 도시하고 있으므로, 처음에 0,1,2,3이 병렬로 출력되고, 다시 4,5,6,7이 병렬로 출력된다.As shown in the drawing, when
도 3와 도 5를 다시 참조하여 본 발명에 따른 데이터 정렬방법을 살펴보면, 본 발명에서는 직렬로 입력되는 데이터를 병렬로 정렬하는 방법에 있어서, 서로 다른 위상과 동일한 주파수를 가지는 복수의 제1클럭(clk, clkb)을 이용하여 직렬로 입력되는 데이터를 래치하는 제1단계; 및 상기 제1단계에서 래치된 데이터를 상기 제1클럭(clk, clkb)보다 낮은 주파수를 가지며 더 다양한 위상을 갖는 복수의 제2클럭(clk<0>, <1>, <2>, <3>)으로 래치해 병렬로 출력하는 제2단계를 포함해 데이터를 정렬한다.Referring to FIGS. 3 and 5 again, the data sorting method according to the present invention will be described. In the present invention, in the method of sorting data input in series in parallel, a plurality of first clocks having the same frequency as different phases ( a first step of latching data serially input using clk and clkb); And a plurality of second clocks (clk <0>, <1>, <2>, and <3) having a frequency lower than that of the first clocks (clk and clkb) and having more various phases of the data latched in the first step. Align the data, including the second step of latching with>) and outputting in parallel.
바람직하게는, 제1클럭(clk, clkb)을 분주하여 상기 제2클럭(clk<0>, <1>, <2>, <3>)을 생성하는 단계를 더 포함하여 실시될 수 있다.Preferably, the method may further include dispensing the first clocks clk and clkb to generate the second clocks clk <0>, <1>, <2>, and <3>.
또한, 상기 제2단계에서 병렬로 출력되는 데이터의 타이밍을 조절하여 정렬하는 제3단계를 더 포함하여 실시될 수도 있다.Further, the method may further include a third step of adjusting and aligning timing of data output in parallel in the second step.
본 발명의 기술 사상은 상기 바람직한 일실시예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기한 실시예는 그 설명을 위한 것이며 그 제한을 위한 것이 아님을 주의하여야 한다. 또한, 본 발명의 기술 분야의 통상의 전문가라면 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시예가 가능함을 알 수 있을 것이다.Although the technical spirit of the present invention has been described in detail according to the above preferred embodiment, it should be noted that the above-described embodiment is for the purpose of description and not of limitation. In addition, it will be appreciated by those skilled in the art that various embodiments are possible within the scope of the technical idea of the present invention.
상술한 본 발명은, 제1래치부에서 높은 주파수의 클럭을 사용하여 일차적으로 데이터를 래치하기 때문에 종래와 같이 낮은 주파수의 클럭을 사용함으로써 클럭의 지터(jitter) 특성이 나빠지는 문제점을 해결할 수 있다는 장점이 있다.The above-described present invention solves the problem that the jitter characteristic of the clock is deteriorated by using a low frequency clock, as the first latch latches data primarily by using a high frequency clock. There is an advantage.
또한, PLL(Phase Locked Loop)등과 같은 외부의 회로로부터 클럭을 입력받을 때 종래보다 적은 수의 클럭을 입력받아도 되기 때문에 클럭을 전달하기 위한 라인(line)의 수를 줄이는 것이 가능해지며, 이는 각 라인들 사이의 커플링 노이즈(coupling noise)로 인해 클럭의 스큐(skew)가 나빠지는 문제점을 해결할 수 있으며, 줄어든 라인의 수로 인해 전체 회로의 면적을 줄이는 것이 가능해진다는 장점이 있다.In addition, when a clock is input from an external circuit such as a PLL (Phase Locked Loop) or the like, a smaller number of clocks may be input than in the related art, thereby reducing the number of lines for delivering clocks. Coupling noise between them can solve the problem of clock skew, and the reduced number of lines makes it possible to reduce the area of the entire circuit.
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---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2010053070A1 (en) * | 2008-11-05 | 2010-05-14 | 日本電気株式会社 | Electronic circuit system, track hold circuit module, electronic circuit operation control method, and program thereof |
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TWI459401B (en) * | 2011-03-09 | 2014-11-01 | Etron Technology Inc | Latch system applied to a plurality of banks of a memory circuit |
US9369308B2 (en) | 2013-11-07 | 2016-06-14 | International Business Machines Corporation | Signal transmission reducing coupling caused delay variation |
KR20180127755A (en) * | 2017-05-22 | 2018-11-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | Data aligning circuit and semiconductor device including the same |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100403632B1 (en) | 2001-05-03 | 2003-10-30 | 삼성전자주식회사 | Data input circuit and data input method for synchronous semiconductor memory device |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4079456A (en) * | 1977-01-24 | 1978-03-14 | Rca Corporation | Output buffer synchronizing circuit having selectively variable delay means |
JPH0955667A (en) * | 1995-08-10 | 1997-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | Multiplexer and demultiplexer |
US5721545A (en) * | 1995-10-23 | 1998-02-24 | Poplevine; Pavel B. | Methods and apparatus for serial-to-parallel and parallel-to-serial conversion |
US6583227B2 (en) * | 1996-09-04 | 2003-06-24 | Exxonmobil Chemical Patents Inc. | Propylene polymers for films |
JPH1198101A (en) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Nec Corp | Data demultiplexer circuit and serial-parallel conversion circuit using the data multiplexer circuit |
US20030232112A1 (en) * | 2002-06-17 | 2003-12-18 | Whitmore Rebecca E. | Packaging system assembly for carry-out food |
US6696995B1 (en) * | 2002-12-30 | 2004-02-24 | Cypress Semiconductor Corp. | Low power deserializer circuit and method of using same |
US20070235896A1 (en) * | 2006-04-06 | 2007-10-11 | Fina Technology, Inc. | High shrink high modulus biaxially oriented films |
-
2007
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Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100403632B1 (en) | 2001-05-03 | 2003-10-30 | 삼성전자주식회사 | Data input circuit and data input method for synchronous semiconductor memory device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9672896B2 (en) | 2014-12-19 | 2017-06-06 | SK Hynix Inc. | Semiconductor memory device and semiconductor system having the same |
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