KR100829041B1

KR100829041B1 - 자기 기록 매체, 자기 기록 매체의 제조 방법 및 자기 기록장치

Info

Publication number: KR100829041B1
Application number: KR1020060071345A
Authority: KR
Inventors: 료사쿠 이나무라; 이사타케 가이츠
Original assignee: 후지쯔 가부시끼가이샤
Priority date: 2006-03-16
Filing date: 2006-07-28
Publication date: 2008-05-16
Also published as: JP2007250094A; CN101038753A; KR20070094431A; US20070217071A1

Abstract

본 발명은, 종래보다도 스파이크 노이즈를 저감시키기 쉬운 자기 기록 매체, 자기 기록 매체의 제조 방법 및 자기 기록 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.

비자성 기재(1)와, 비자성 기재(1) 위에 형성된 하부 연자성 보강층(2)과, 하부 연자성 보강층(2) 위에 형성된 비자성층(4)과, 비자성층(4) 위에 형성된 상부 연자성 보강층(6)과, 상부 연자성 보강층(6) 위에 형성된 수직 자기 이방성을 갖는 기록층(9)을 지니고, 하부 연자성 보강층(2)과 비자성층(4) 사이, 또는 상기 비자성층(4)과 상부 연자성 보강층(6) 사이에 결정질 자성층(3, 5)이 형성된 자기 기록 매체(11)에 의한다.

자기 기록, 하드 디스크, 연자성 보강, 수직 자기 이방성

Description

자기 기록 매체, 자기 기록 매체의 제조 방법 및 자기 기록 장치{MAGNETIC RECORDING MEDIUM, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND MAGNETIC RECORDING APPARATUS}

도 1(a)∼(c)는, 본 발명의 제1 실시형태에 따른 자기 기록 매체의 제조 도중의 단면도이다.

도 2는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 자기 기록 매체에의 기록 동작을 설명하기 위한 단면도이다.

도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 자기 기록 매체에 의해 얻어지는 이점에 관해서 조사하기 위해서 이용된 샘플의 단면도이다.

도 4는 비교예에 따른 샘플의 단면도이다.

도 5는 다른 비교예에 따른 샘플의 단면도이다.

도 6은 본 발명의 제1 실시형태와 비교예의 각각에 대하여 X선 회절 측정을 하여 얻어진 그래프이다.

도 7은 본 발명의 제1 실시형태와 비교예의 각각에 있어서, 연자성 보강층에 있어서의 교환 결합 자계가 기판 온도에 의해서 어떻게 변화되는 것인지를 조사하여 얻어진 그래프이다.

도 8은 본 발명의 제1 실시형태에 있어서, 결정질 자성층의 막 두께와 연자 성 보강층에 있어서의 교환 결합 자계와의 관계를 조사하여 얻어진 그래프이다.

도 9는 본 발명의 제1 실시형태에 있어서, 결정질 자성층의 막 두께와 S/N비의 관계를 조사하여 얻어진 그래프이다.

도 10은 본 발명의 제1 실시형태에 있어서, 결정질 자성층의 막 두께와 기록층의 유지력과의 관계를 조사하여 얻어진 그래프이다.

도 11은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 자기 기록 장치의 평면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

1 : 비자성 기재 2 : 하부 연자성 보강층

3 : 하부 결정질 자성층 4 : 비자성층

5 : 상부 결정질 자성층 6 : 상부 연자성 보강층

7 : 보강층 8 : 비자성 기초층

9 : 기록층 9a : 주기록층

9b : 보조층 10 : 보호층

11 : 자기 기록 매체 13 : 자기 헤드

13a : 리턴 요크 13b : 주자극

14 : 캐리지 아암 16 : 축

17 : 케이스

본 발명은, 자기 기록 매체, 자기 기록 매체의 제조 방법 및 자기 기록 장치에 관한 것이다.

최근, 하드디스크 장치 등의 자기 기억 장치에서는 기록 용량의 증대가 눈부시며, 그 장치에 내장되고 있는 자기 기록 매체의 면기록 밀도는 증가 일로를 걷고 있다. 그와 같은 자기 기록 매체로서 옛날부터 이용되고 있는 것에, 기록층에 기록된 자화의 방향이 면내 방향으로 향한 면내 기록 매체(in-plane recording medium)가 있다. 그러나, 면내 기록 매체에서는, 기록 자계나 열 요동에 의해서 기록 비트가 소실되기 쉽기 때문에, 면기록 밀도의 고밀도화가 한계에 달하고 있다.

그래서, 면내 기록 매체보다도 기록 비트가 열적으로 안정적이고 고밀도화가 가능한 매체로서, 기록층에 기록된 자화의 방향이 매체의 수직 방향으로 향한 수직 자기 기록 매체가 개발되어, 일부의 상품에서는 실용화에 이르고 있다.

수직 자기 기록 매체 중에서도, 수직 자기 기록층의 아래에 연자성 보강층을 형성한 타입의 것에서는 연자성 보강층이 자기 기록 헤드의 일부로서 기능하여, 자기 기록 헤드로부터 나온 기록 자계가 연자성 보강층에 대략 수직으로 들어간다. 그 때문에, 이 타입의 수직 기록 매체와 자기 기록 헤드와의 조합에서는, 자속 밀도가 크고 또한 자계 경사가 급준한 기록 자계를 수직 자기 기록층에 대략 수직으로 유도하는 것이 가능하게 되어, 면기록 밀도의 한층 더 고밀도화를 도모하는 것이 가능하게 된다.

연자성 보강층을 갖춘 수직 자기 기록 매체에서는, 기록 신호와는 별개의 큰 노이즈가 보이는 경우가 있다. 이 노이즈는 스파이크 노이즈라고 불리며, 연자성 보강층의 자벽(磁壁)으로부터의 누설 자속이 그 원인으로 되고 있다. 자기 기록 매체에 있어서 소정의 비트 에러율을 달성하려면, 이 스파이크 노이즈를 어떻게 억제할것인지가 중요하게 된다.

상기한 연자성 보강층의 자벽은 서로 다른 방향을 향한 자구(magnetic domain)가 층 내에 존재함으로써 발생한다.

이 점을 감안하여, 비특허문헌 1, 2에서는, 연자성 보강층에 반강자성층이나 강자성층을 인접시킴으로써, 연자성 보강층의 자화 방향을 층 내의 모든 부분에서 동일 방향으로 정렬하여, 스파이크 노이즈를 저감하고 있다.

그러나, 이 수법에서는, 연자성 보강층의 자화 방향을 정렬하기 위한, 자계 내에서의 열처리등과 같은 착자 공정(polarization process)이 필요하게 되어, 이 공정 분만큼 자기 기록 매체의 생산 비용이 증대하는 데다, 반강자성 재료의 재료 비용이 높기 때문에, 양산에는 부적합하다.

이에 대하여, 특허문헌 1과 비특허문헌 3 및 비특허문헌 4에서는, 연자성 보강층 중간에서의 높이로 극히 얇은 비자성층을 형성함으로써 연자성 보강층을 상하 2층으로 분단하여, 분단된 각 보강층의 각각의 자화가 Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida(RKKY) 교환 상호 작용을 이용하여, 반대로 향하도록 하고 있다.

이에 따르면, 하측 보강층의 자구로부터 나온 자속이 상측 보강층의 자구를 지나 다시 하측 보강층으로 되돌아감으로써 자속이 보강층 안을 환류하게 되기 때문에, 스파이크 노이즈의 원인이 되는 누설 자속이 저감된다. 더구나, 이 수법에서는, 비특허문헌 1, 2와 같은 착자 공정이 불필요하기 때문에, 생산 비용을 억제하 면서 스파이크 노이즈를 저감할 수 있다.

<특허문헌 1>

일본 특허 공개 2001-155321호 공보

<비특허문헌 1>

Takenori, S. et al., "Exchange-coupled IrMn/CoZrNb soft underlayers for perpendicular recording media", IEEE Transactions on Magnetics, September 2002, Vol 38, pages 1991-1993

<비특허문헌 2>

Ando, T. et al., "Triple-layer perpendicular recording media for high SN ratioand signal stability", IEEE Transactions on Magnetics, September 1997, Vol 33, pages 2983-2985

<비특허문헌 3>

Byeon, S. C. et al., "Synthetic antiferromagnetic soft underlayers for perpendicular recording media", IEEE Transactions on Magnetics, July 2004, Vol. 40, pages 2386-2388

<비특허문헌 4>

Acharya, B. R. et al., "Anti-parallel coupled soft underlayers for high-density perpendicular recording", IEEE Transactions on Magnetics, July 2004, Vol. 40, pages 2383-2385

본 발명의 목적은, 종래보다도 스파이크 노이즈를 저감시키기 쉬운 자기 기록 매체, 자기 기록 매체의 제조 방법 및 자기 기록 장치를 제공하는 데에 있다.

본 발명의 한 관점에 따르면, 기재(基材)와, 상기 기재 위에 형성된 하부 연자성 보강층과, 상기 하부 연자성 보강층 위에 형성된 비자성층과, 상기 비자성층 위에 형성된 상부 연자성 보강층과, 상기 상부 연자성 보강층 위에 형성된 수직 자기 이방성을 갖는 기록층을 포함하고, 상기 하부 연자성 보강층과 상기 비자성층 사이, 또는 상기 비자성층과 상기 상부 연자성 보강층 사이에 결정질 자성층이 형성된 자기 기록 매체가 제공된다.

본 발명에 따르면, 비자성층과의 계면이 안정된 결정질 자성층을 형성함으로써, 경년 열화(aged deterioration) 등에 의해서 비자성층의 구성 재료가 하부 연자성 보강층이나 상부 연자성 보강층 속으로 확산되는 것이 억제된다. 이에 따라, 하부 연자성 보강층과 상부 연자성 보강층이 비자성층에 의해서 명료하게 분리되게 되기 때문에, 이들 연자성 보강층끼리가 반강자성적으로 양호하게 결합한다. 그 결과, 각 보강층으로부터 자기 기록 매체 밖으로 새는 누설 자속을 저감할 수 있어, 누설 자속에 따른 스파이크 노이즈를 효과적으로 억제하는 것이 가능하게 된다.

특히, 비정질 재료(amorphous material)나 미세결정 재료(microcrystalline material)는 명료한 자구 구조를 갖지 않기 때문에 자벽이 발생하기 어려워, 하부 연자성 보강층이나 상부 연자성 보강층의 구성 재료로서 최적이다. 단, 비정질 재료나 미세결정 재료는 그 구조가 준안정 상태이기 때문에, 막 중에 다른 원소가 확산되기 쉽다. 본 발명에서는, 상기한 바와 같이 비자성층의 구성 재료가 각 보강층 속으로 확산하는 것을 억제할 수 있기 때문에, 비정질 재료나 미세결정 재료를 각 보강층에 사용하더라도, 재료 자체의 특성에 의해 자벽의 발생을 억제하면서, 재료의 확산에 따른 스파이크 노이즈의 증가를 억제할 수 있다.

또한, 본 발명의 다른 관점에 따르면, 기재 위에 하부 연자성 보강층을 형성하는 공정과, 상기 하부 연자성 보강층 위에 비자성층을 형성하는 공정과, 상기 비자성층 위에 상부 연자성 보강층을 형성하는 공정과, 상기 상부 연자성 보강층 위에 수직 자기 이방성을 갖는 기록층을 형성하는 공정과, 상기 기록층 위에, 상기 기재를 가열하면서 보호층을 형성하는 공정을 포함하고, 상기 비자성층을 형성하는 공정 전에 상기 하부 연자성 보강층 상에 결정질 자성층을 형성하는 공정을 갖거나, 혹은 상기 상부 연자성 보강층을 형성하는 공정 전에 상기 비자성층 상에 상기 결정질 자성층을 형성하는 공정을 포함하는 자기 기록 매체의 제조 방법이 제공된다.

본 발명에서는, 보호층의 형성 공정에 있어서 기재를 가열함으로써, 보호층이 치밀하게 되어, 보호층의 기계적 강도나 HDI(Head Disk Interface) 특성이 높아진다. 이와 같이 기재가 가열되더라도, 비자성층의 구성 재료의 각 연자성 보강층에의 확산이 결정질 자성층에 의해서 방지되기 때문에, 본 발명에서는, 보호층의 막질 향상과 누설 자속의 억제를 양립하는 것이 가능하게 된다.

그리고, 본 발명의 또 다른 관점에 따르면, 기재와, 상기 기재 위에 형성된 하부 연자성 보강층과, 상기 하부 연자성 보강층 위에 형성된 비자성층과, 상기 비자성층 위에 형성된 상부 연자성 보강층과, 상기 상부 연자성 보강층 위에 형성된 수직 자기 이방성을 갖는 기록층을 구비한 자기 기록 매체와, 상기 자기 기록 매체에 대향하여 설치된 자기 헤드를 지니고, 상기 하부 연자성 보강층과 상기 비자성층 사이, 또는 상기 비자성층과 상기 상부 연자성 보강층 사이에 결정질 자성층이 형성된 자기 기록 장치가 제공된다.

이하, 본 발명의 실시형태에 관해서, 첨부 도면을 참조하면서 상세히 설명한다.

(1) 제1 실시형태

도 1(a)∼(c)는 본 실시형태에 따른 자기 기록 매체의 제조 도중의 단면도이다.

제일 처음에, 도 1(a)에 도시하는 단면 구조를 얻기까지의 공정에 관해서 설명한다.

우선, Al 합금 기재나 화학 강화 유리 기재의 표면에 NiP 도금을 실시하여 이루어지는 비자성 기재(1) 위에, 0.5 Pa의 Ar 분위기 속에서 투입 전력을 1 kW로 하는 DC 스퍼터법으로 비정질 재료인 CoNbZr를 두께 약 20∼24 nm로 퇴적시키고, 이에 따라 형성된 CoNbZr층을 하부 연자성 보강층(2)으로 한다.

한편, 비자성 기재(1)로서는, 결정화 유리나, 표면에 열 산화막이 형성된 실리콘 기판을 이용하더라도 좋다. 더욱이, 하부 연자성 보강층(2)은 CoNbZr층에 한정되지 않고, Co기, Fe기 및 Ni기 중 어느 것에 Zr, Ta, C, Nb, Si 및 B 중 적어도 하나가 첨가된 비정질 영역 혹은 미세결정 구조 영역의 합금층을 하부 연자성 보강층(2)으로서 형성하더라도 좋다. 그와 같은 재료로서는, 예컨대 CoNbTa, FeCoB, NiFeSiB, FeAlSi, FeTaC, FeHfC 등이 있다.

또한 이후의 퇴적 방법으로서 특별히 거절되지 않는 한 DC 스퍼터법을 이용하지만, 막의 퇴적 방법은 DC 스퍼터법에 한정되지 않고, RF 스퍼터법, 펄스 DC 스퍼터법, CVD(Chemical Vapor Deposition)법 등도 채용할 수 있다.

이어서, 하부 연자성 보강층(2) 위에, 0.5 Pa의 Ar 분위기 속에서 투입 전력을 200 W로 하는 DC 스퍼터법에 의해 하부 결정질 자성층(3)으로서 NiFe 층을 1∼5 nm의 두께로 형성한다. 그 하부 결정질 자성층(3)은 NiFe층에 한정되지 않고, Ni, Fe, 및 Co 중 어느 단일체 또는 이들의 어느 것을 포함하는 합금으로 이루어지는 층을 하부 결정질 자성층(3)으로서 형성하더라도 좋다.

또한, 하부 결정질 자성층(3)의 두께의 하한은 결정질 자성층(3)이 연속막으로 되기 위해서 필요한 최저한의 두께로 설정된다. 재료에 따라 다르지만, 1∼3 nm 이상의 두께라면 결정질 자성층(3)은 연속막으로 된다.

또한, 그 두께가 지나치게 두꺼우면, 하부 연자성 보강층(2)보다도 결정질 자성층(3)의 특색이 색이 진하게 되어, 스파이크 노이즈의 발생원이 되는 자벽이 결정질 자성층(3)에 형성되기 쉽게 되기 때문에, 가능한 한 얇게, 예컨대 10 nm 이하의 두께로 결정질 자성층(3)을 형성하는 것이 바람직하다.

이어서, 이 결정질 자성층(3) 위에, DC 스퍼터법에 의해 비자성층(4)으로서 Ru층을 두께 약 0.7 nm로 형성한다. 이 때의 성막 조건은 특별히 한정되지 않지만, 본 실시형태에서는, 0.5 Pa의 Ar 분위기 속에서 투입 전력을 150 W로 하는 조건을 채용한다. 또한, 비자성층(4)은 Ru층에 한정되지 않고, Ru, Rh, Ir, Cu, Cr, Re, Mo, Nb, W, Ta 및 C 중 어느 단일체, 또는 이들 중의 적어도 하나를 포함하는 합금, 혹은 MgO로 비자성층(4)을 구성하더라도 좋다.

이어서, 비자성층(4) 위에, DC 스퍼터법에 의해 상부 결정질 자성층(5)으로서 NiFe층을 두께 약 1∼5 nm로 형성한다. 그 NiFe층의 성막 조건으로서는 예컨대, Ar 분위기의 압력을 0.5 Pa, 투입 전력을 150 W로 하는 조건이 채용된다.

이어서, 상부 결정자성층(5) 위에, 상부 연자성 보강층(6)으로서 비정질 재료인 CoNbZr를 두께 약 20∼24 nm로 퇴적시킨다. 상부 연자성 보강층(6)은 CoNbZr층에 한정되지 않는다. 하부 연자성 보강층(2)과 마찬가지로, Co기, Fe기 및 Ni 기 중 어느 것에 Zr, Ta, C, Nb, Si, 및 B 중의 적어도 하나가 첨가된 비정질 영역 혹은 미세결정 구조 영역의 합금층을 상부 연자성 보강층(6)으로서 형성하더라도 좋다.

여기까지의 공정에 의해, 각 층(2∼6)으로 구성되는 보강층(7)이 비자성 기재(1) 위에 형성되게 된다.

그 보강층(7)에서는, 비자성층(4)에 의해 하부 연자성 보강층(2)과 상부 연자성 보강층(6)을 격리했다. 이에 따라, 하부 연자성 보강층(2)과 하부 결정질 자성층(3)을 합한 자화(Ms_a)와, 상부 연자성 보강층(6)과 상부 결정질 자성층(5)을 합 한 자화(Ms_b)의 방향이 반평행(antiparallel) 상태, 즉 각 연자성층(2, 6)이 반강자성적으로 결합한 상태로 안정된다. 이러한 상태는 비자성층(4)의 두께를 증가시킴으로써 주기적으로 나타나며, 그 상태가 최초로 나타나는 두께로 비자성층(4)을 형성하는 것이 바람직하다. 비자성층(4)으로서 Ru층을 형성하는 경우, 그 두께는 약 0.7∼1 nm이다.

이와 같이 자화(Ms_a, Ms_b)가 서로 반평행하게 됨으로써 보강층(7) 내의 자속이 층 안에서 환류하여 외부로 새기 어렵게 되기 때문에, 누설 자속에 기인한 스파이크 노이즈를 저감할 수 있다.

또한, 하부 연자성 보강층(2)과 하부 결정질 자성층(3)을 지나가는 자속(Φ1)과, 상부 연자성 보강층(6)과 하부 결정질 자성층(5)을 지나가는 자속(Φ2)을 같게 함으로써, 자속을 확실하게 환류시킬 수 있게 된다. 이와 같이 Φ1과 Φ 2를 같게 하려면, 하부 연자성 보강층(2)과 하부 결정질 자성층(3)의 각각의 막 두께와 자화의 합(t₂·Ms₂ + t₃·Ms₃)이, 상부 결정질 자성층(5)과 상부 연자성 보강층(6)의 각각의 막 두께와 자화의 합(t₅·Ms₅ + t₆·Ms₆)과 같아지도록 하면 된다.

더욱이, 보강층(7)의 전체 막 두께는 그 포화 자속 밀도(Bs)가 1 T 이상인 경우, 자기 헤드에 의한 기록 용이성이나 재생 용이성의 관점에서, 10 nm 이상, 보다 바람직하게는 30 nm 이상으로 하는 것이 바람직하다. 단, 그 전체 막 두께가 지나치게 두꺼우면 제조 비용이 상승하기 때문에, 100 nm 이하, 보다 바람직하게는 60 nm 이하로 하는 것이 바람직하다.

이어서, 도 1(b)에 도시한 바와 같이, 8 Pa의 Ar 분위기 속에서 투입 전력을 250 W로 하는 DC 스퍼터법에 의해 Ru층을 약 20 nm의 두께로 형성하여, 그 Ru층을 비자성 기초층(8)으로 한다.

한편, 비자성 기초층(8)은 이러한 단층 구조에 한정되지 않고, 2층 이상의 층으로 비자성층(8)을 구성하더라도 좋다. 그 경우, 각각의 층으로서, Co, Cr, Fe, Ni 및 Mn 중 어느 것과 Ru와의 합금으로 이루어지는 층을 형성하는 것이 바람직하다.

더욱이, 비자성 기초층(8)의 결정 배향성 향상과 결정립 직경 제어를 위해, 보강층(7) 위에 비정질의 시드층을 형성하고 나서 비자성 기초층(8)을 형성하더라도 좋다. 그 경우, 시드층으로서는 예컨대, Ta, Ti, C, Mo, W, Re, Os, Hf, Mg 및 Pt 중 어느 것으로 이루어지는 층, 혹은 이들의 합금층을 형성하는 것이 바람직하다.

그리고, 이 비자성 기초층(8) 위에, 압력이 약 3 Pa인 Ar 분위기 속에서 투입 전력을 350 W로 하는 DC 스퍼터법으로 그래뉼러 구조의 CoCrPt-SiO₂를 두께 약 10 nm로 퇴적하여, 그것을 주기록층(9a)으로 한다.

그 후, 주기록층(9a) 위에, 0.5 Pa의 Ar 분위기 속에서 투입 전력을 400 W로 하는 스퍼터법으로 기록 보조층(9b)로서 CoCrPtB층을 두께 약 6 nm로 형성한다.

이에 따라, 비자성 기초층(8) 위에는, 주기록층(9a)과 기록 보조층(9b)으로 구성되는 수직 자기 이방성을 갖는 기록층(9)이 형성되게 된다.

상기한 조건으로 형성된 주기록층(9a)과 기록 보조층(9b)의 각각의 이방성 자계(H_k1, H_k2)와, 자화 반전 파라메터(α₁, α₂)는 각각 H_k1 > H_k2 및 α₁ < α₂를 만족한다. 이러한 특성은, 주기록층(9a)의 수직 자기 이방성이 기록 보조층(9b)의 그것보다도 큰 경우에 보이기 때문에, 본 실시형태에서는, 수직 자기 이방성이 큰 주기록층(9a)과 그것이 작은 기록 보조층(9b)을 적층한 구조가 된다.

주기록층(9a)은 이와 같이 수직 자기 이방성이 크기 때문에, 그 단독으로는 외부 자계에 의해서 자화가 반전하기 어려워, 자기 정보를 기록하기 어렵다. 그런데, 상기한 바와 같이 수직 자기 이방성이 약해 외부 자계에 의해서 자화가 용이하게 반전하는 기록 보조층(9b)을, 그 주기록층(9a)에 접하여 형성하면, 이들 층(9a, 9b)의 스핀끼리의 상호 작용에 의해서, 기록 보조층(9b)의 자화가 외부 자계에 의해 반전함에 따라서 주기록층(9a)의 자화도 반전하게 되어, 주기록층(9a)에의 자기 정보의 기록이 용이하게 된다.

더구나, 주기록층(9a)의 자기 이방성이 크기 때문에, 주기록층(9a)의 각각의 자구들 내의 자화가 그들 상호 작용에 의해서 그 방향이 안정되기 때문에, 자기 정보를 담당하는 자화의 방향이 열에 의해서 반전하기 어렵게 되어, 주기록층(9a)의 열 요동 내성이 높아진다.

한편, 열 요동 내성과 기록 용이성을 양립시킬 필요가 있는 경우에는, 기록층(9)을 이러한 이층 구조로 하는 것이 바람직하지만, 그 필요가 없는 경우에는 기록층(9)을 단층 구조로 하여도 좋다. 더욱이, 기록층(9)을 3층 이상의 층 구조로 하여도 좋다.

이어서, 도 1(c)에 도시한 바와 같이, C₂H₂ 가스를 반응 가스로 하는 RF-CVD(Radio Frequency Chemical Vapor Deposition)법에 의해, 기록층(9) 위에 보호층(10)으로서 DLC(Diamond Like Carbon)층을 두께 약 4 nm로 형성한다. 그 보호층(10)의 성막 조건은 예컨대, 성막 압력 약 4 Pa, 고주파 전력의 파워 1000 W, 기판-샤워 헤드 사이의 바이어스 전압 200 V 및 기판 온도 200℃이다.

이어서, 보호층(10) 위에 윤활제(도시되지 않음)를 약 1 nm의 두께로 도포한 후, 연마 테이프를 이용하여 보호층(10)의 표면 돌기나 이물을 제거한다.

이상에 의해, 본 실시형태에 따른 자기 기록 매체(11)의 기본 구조가 완성되었다.

도 2는 이 자기 기록 매체(11)에의 기록 동작을 설명하기 위한 단면도이다.

기록을 하기 위해서는, 도 2에 도시한 바와 같이, 주자극(13b)과 리턴 요크(13a)로 이루어지는 자기 헤드(13)를 자기 기록 매체(11)에 대향시켜, 단면적이 작은 주자극(13b)에서 발생한 자속 밀도가 높은 기록 자계(H)를 기록층(9)에 통과시킨다. 이와 같이 하면, 수직 자기 이방성을 갖는 주기록층(9a) 중, 주자극(13b)의 바로 아래에 있는 자구에서는, 이 기록 자계(H)에 의해서 자화가 반전하여, 정보가 기록된다.

기록 자계(H)는 이와 같이 주기록층(9a)을 수직으로 관통한 후, 자기 헤드(13)와 함께 자속 회로를 구성하는 보강층(7)을 면내 방향으로 달리고, 다시 주기 록층(9a)을 지나, 단면적의 큰 리턴 요크(13a)에 낮은 자속 밀도로 귀환된다. 보강층(7)은 이와 같이 막 내에 기록 자계(H)를 유도하여, 기록층(9)에 수직으로 기록 자계(H)를 통과시키는 역할을 한다.

그리고, 자기 기록 매체(11)와 자기 헤드(13)를 면내에 도면의 A 방향으로 상대 이동시키면서, 기록 신호에 따라 기록 자계(H)의 방향을 바꿈으로써, 수직 방향으로 자화된 복수의 자구가 기록 매체(11)의 트랙 방향으로 나란히 형성되어, 기록 신호가 자기 기록 매체(11)에 기록되게 된다.

도 1(c)에서 설명한 바와 같이, 본 실시형태에서는, 비자성층(4)의 위아래에 하부 결정질 자성층(3)과 상부 결정질 자성층(5)을 형성했다. 이하에, 이러한 구조에 의해 얻어지는 이점에 관해서 설명한다.

자기 기록 매체(11)를 형성하는 공정에서는, 도 1(c)의 보호층(10)을 형성하는 공정과 같이 기재(1)를 가열하는 공정이 있다. 그 보호층(10)을 구성하는 DLC층은 자기 헤드에 닿더라도 손상되지 않도록, 기계적으로 강고하며 HDI 특성이 우수한 다이아몬드 구조를 가질 필요가 있다. 그 때문에, CVD법을 이용한 보호층(10)의 형성 공정에서는, 기재 상에 다이아몬드 구조의 탄소 미립자를 퇴적시키기 위해서, 기재(1)의 가열은 불가피하다.

그러나, 결정질 자성층(3, 5)을 형성하지 않는 경우에 이와 같이 기재(1)에 열이 가해지면, 비자성층(4)을 구성하는 Ru 원자 등이, 비정질 재료나 미세결정 재료로 구성되는 준안정 상태의 각 연자성 보강층(2, 6) 속으로 확산되기 때문에, 이들 보강층(2, 6)이 반강자성적으로 결합하기 어렵게 되어, 스파이크 노이즈가 발생하기 쉽게 된다.

또한, 가열이 동반되지 않더라도, 경년 열화에 의해 상기한 확산이 발생하여, 기록 매체(11)의 사용 시간과 함께 스파이크 노이즈가 증대될 우려도 있다.

비정질 재료나 미세결정 재료는 명료한 자구 구조를 갖지 않는 자벽이 발생하기 어려워, 보강층(2, 6)의 구성 재료로서 최적이다. 따라서, 비정질 재료나 미세결정 재료로 보강층(2, 6)을 구성하면서, 비자성층(4)의 구성 원자의 보강층(2, 6)으로의 확산을 방지할 것이 요구된다.

이 점을 감안하여, 본 실시형태에서는, 상기한 바와 같이 비자성층(4) 위아래에 하부 결정질 자성층(3)과 상부 결정질 자성층(5)을 형성했다. 결정질 자성층(3, 5)은 결정 구조가 정해져 있기 때문에 비자성층(4)과의 계면이 안정적이어서, 비자성층(4)의 구성 원자는 각 결정질 자성층(3, 5) 속으로 확산하기 어렵게 된다. 이에 따라, 프로세스 중에 기재(1)가 가열되거나, 자기 기록 매체(11)의 사용 기간이 장기간에 걸치거나 하여도, 하부 연자성 보강층(2)과 상부 연자성 보강층(6)이 반강자성적으로 결합하기 쉽게 되어, 스파이크 노이즈를 확실하게 저감하는 것이 가능하게 된다.

이어서, 상기한 이점을 확인하기 위해서 본원 발명자 등이 행한 조사 결과에 관해서 설명한다.

도 3은 이 조사에 있어서 사용된 샘플 A∼D의 단면도이다. 한편, 도 1(a)∼(c)에서 설명한 요소에는 이들 도면과 동일한 부호를 도 3에서 사용하고 있다. 각 샘플 A∼E의 구성은 다음과 같다.

샘플 A

샘플 A에서는, 도 1의 (a)∼(c)에서 설명한 것과 동일한 재료와 막 두께를 채용하여, 각 층(2∼6)을 형성했다. 또한, 보호층(10)을 형성하기 전에 가열 온도 의존성을 조사하기 위해서, 실온∼250℃까지의 범위에서 기재(1)를 가열한 후, 보호층(10)을 형성했다.

샘플 B

샘플 B에서는, Ru 비자성층(4)의 두께를 샘플 A보다도 얇은 0.6 nm으로 함으로써, 연자성 보강층(2, 6)의 교환 결합 자계(Hex)를 약하게 했다.

샘플 C

샘플 C에서는, 결정질 자성층(3, 5)으로서 두께 1∼5 nm의 Co층을 형성했다. 이외의 구조는 샘플 A와 동일하다.

샘플 D

샘플 D에서는, 결정질 자성층(3, 5)으로서 두께 1∼5 nm의 Fe층을 형성했다. 이외의 구조는 샘플 A와 동일하다.

또한, 본 실시형태의 효과를 확인하기 위해서, 이하에 설명하는 비교예 A∼C도 제작했다. 도 4 및 도 5는 이들 샘플의 단면도이다. 도 4 및 도 5에 있어서, 도 1(a)∼(c)와 동일한 요소에는 이들 도면과 동일한 부호를 붙여, 그 설명은 생략한다. 각 비교예 A∼C의 구성은 다음과 같다.

비교예 A

도 4는 비교예 A의 단면도이다. 비교예 A에서는 결정질 자성층(3, 5)을 형성 하지 않았다. 또한, CoNbZr 연자성 보강층(2, 6)의 각각의 이방성 자계의 크기를 정렬하기 위해서, 이들 층을 모두 25 nm의 두께로 형성했다.

비교예 B

도 5는 비교예 B의 단면도이다. 비교예 A와 마찬가지로, 비교예 B에서도 결정질 자성층(3, 5)을 형성하지 않았다. CoNbZr 연자성 보강층(2, 6)의 두께는 이들 이방성 자계의 크기를 정렬하기 위해서, 모두 25 nm으로 했다. 또한, 보호층(10)을 형성하기 전에 가열 온도 의존성을 조사하기 위해서, 실온∼250℃까지의 범위에서 기재(1)를 가열한 후, 보호층(10)을 형성했다.

비교예 C

비교예 C에서는, 비교예 B와 동일한 층 구조에 있어서, Ru 비자성층(4)의 두께를 0.6 nm로 얇게 함으로써, CoNbZr 연자성 보강층(2, 6)의 교환 결합 자계(Hex)를 약하게 했다.

이하에, 본 실시형태의 효과에 관해서 검증한다.

도 6은 샘플 A와 비교예 B의 각각에 대하여 X선 회절 측정을 하여 얻어진 그래프이며, 그래프의 횡축은 회절각(θ)의 2배, 그래프의 종축은 X선 강도를 나타낸다.

도 6에 도시된 바와 같이, 샘플 A에서는 NiFe의 (111) 회절 피크가 관찰되고 있고, 상부 결정질 자성층(5)을 구성하는 NiFe층이 결정 구조를 갖는 것이 확인되었다.

한편, 상부 결정질 자성층(5)을 형성하지 않는 비교예 B에서는 회절 피크가 나타나지 않고, CoNbZr 상부 연자성 보강층(6)이 비정질인 것이 확인되었다.

도 7은 샘플 A, B와 비교예 B, C의 각각에 있어서, 연자성 보강층(2, 6)에서의 교환 결합 자계(Hex)가 기판 온도에 의해서 어떻게 변화되는 것인지를 조사하여 얻어진 그래프이다.

도 7에 도시된 바와 같이, 비교예 B, C에서는 대개 170℃ 이상의 기판 온도에 있어서 교환 결합 자계(Hex)가 감소하기 시작하는데 대하여, 샘플 A, B에서는, 기판 온도가 상승하더라도 교환 결합 자계(Hex)의 명료한 감소는 보이지 않는다.

이미 상술한 것과 같이, 치밀하고 매끄러운 막질의 보호층(10)을 형성하기 위해서는, 보호층(10)의 성막 온도를 200℃ 정도로 할 필요가 있다. 따라서, 비교예 B, C에서는, 보호층(10)의 막질의 향상과, 연자성 보강층(2, 6)으로부터의 누설 자속의 억지를 양립시킬 수 없다. 이것 대하여, 샘플 A, B에서는, 200℃ 정도의 기판 온도라도 교환 결합 자계(Hex)가 감소하고 있지 않아, 각 연자성 보강층(2, 6)을 반강자성적으로 결합시키면서, 막질이 좋은 보호층(10)을 형성하는 것이 가능하게 된다.

도 7의 결과로부터, 본 실시형태와 같이 결정질 자성층(3, 5)을 형성함으로써, 그들을 형성하지 않는 경우보다도 연자성 보강층(2, 6)끼리 반강자성적으로 강하게 결합하는 것이 확인되었다.

도 8은 결정질 자성층(3, 5)의 막 두께와, 연자성 보강층(2, 6)에 있어서의 교환 결합 자계(Hex)와의 관계를 조사하여 얻어진 그래프이다.

도 8에 도시된 바와 같이, 대략 연속막이라고 생각되는 두께가 1 nm 이상인 Co층을 결정질 자성층(3, 5)으로 한 샘플 C에서는, 충분한 크기의 교환 결합 자계(Hex)가 발생하여, 연자성 보강층(2, 6)끼리가 반강자성적으로 결합하고 있는 것 을 알 수 있다. 또한, 그 샘플 C에서는, 결정질 자성층(3, 5)의 막 두께에 의해서도 교환 결합 자계(Hex)의 크기가 변화하고 있다.

한편, Fe층을 결정질 자성층(3, 5)으로 한 샘플 D에서는, 교환 결합 자계(Hex)가 매우 작다. 이것은 비특허문헌 3에 개시되는 것과 같이, 결정질 자성층(3, 5)과 비자성층(4)의 재료의 조합에 의하여, 연자성 보강층(2, 6)에 있어서의 교환 결합 자계(Hex)의 크기가 변화되기 때문이다.

도 8의 결과로부터, 외부의 환경 변화에 의존하지 않는 큰 교환 결합 자계(Hex)를 얻기 위해서는, 결정질 자성층(3, 5)과 비자성층(4)의 재료와 막 두께를 적절하게 조합하는 것이 중요하다는 것을 알 수 있다.

한편, 본원 발명자들이 실시한 실험에 따르면, 하부 연자성 보강층(2)과 하부 결정질 자성층(3)으로서 NiFe층을 구성하는 경우, 각 보강층(2, 3)의 두께를 0.5 nm로 하여도 이들 층의 교환 결합 자계(Hex)는 0으로 되지 않고, 이들 층이 반강자성적으로 결합하고 있음이 확인되었다. 따라서, 하부 연자성 보강층(2)과 하부 결정질 자성층(3)의 두께의 하한은 0.5 nm으로 하는 것이 바람직하다.

도 9는 도 1(c)의 단면 구조를 갖는 본 실시형태에 있어서, 결정질 자성층(3, 5)의 막 두께와 S/N비와의 관계를 조사하여 얻어진 그래프이다.

도 9에 도시된 바와 같이, 본 실시형태의 S/N비는 비교예 A의 그것과 대략 같고, 비자성층(4)의 위아래에 결정질 자성층(3, 5)을 형성하더라도 S/N비에 큰 영 향을 미치지 않음을 알 수 있다.

도 10은 도 1(c)의 단면 구조를 갖는 본 실시형태에 있어서, 결정질 자성층(3, 5)의 막 두께와 기록층(9)의 유지력(Hc)과의 관계를 조사하여 얻어진 그래프이다.

도 10에 도시된 바와 같이, 결정질 자성층(3, 5)의 두께가 증가함에 따라서 유지력(Hc)은 약간 저하한다. 이 그래프의 범위 밖이 되지만, 결정질 자성층(3, 5)의 두께가 10 nm이 되면, 1 nm인 경우와 비교하여 유지력(Hc)의 저하량은 500 Oe 정도가 된다. 유지력(Hc)의 저하는 사이드 이레이즈 등의 기록 재생 특성의 열화로 이어지기 때문에, 결정질 자성층(3, 5)의 두께는 10 nm 이하, 보다 바람직하게는 5 nm 이하로 하는 것이 좋다.

(2) 제2 실시형태

본 실시형태에서는, 상기한 제1 실시형태의 자기 기록 매체(11)를 갖춘 자기 기록 장치에 관해서 설명한다.

도 11은 그 자기 기록 장치의 평면도이다. 이 자기 기록 장치는 퍼스널 컴퓨터나 텔레비전의 녹화 장치에 탑재되는 하드디스크 장치이다.

이 자기 기록 장치에서는, 자기 기록 매체(11)가, 스핀들 모터 등에 의해서 회전 가능한 상태로 하드디스크로서 케이스(17)에 수납된다. 더욱이, 케이스(17)의 내부에는 축(16)을 중심으로 하여 액츄에이터 등에 의해 회전 가능한 캐리지 아암(14)이 설치되어 있고, 이 캐리지 아암(14)의 선단에 설치된 자기 헤드(13)가 자기 기록 매체(11)를 위쪽에서부터 주사하여, 자기 기록 매체(11)에의 자기 정보의 기 록과 판독이 이루어진다.

한편, 자기 헤드(13)의 종류는 특별히 한정되지 않고, GMR(Giant Magneto-Resistive) 소자나 TuMR(Tunneling Magneto-Resistive) 소자 등의 자기 저항 소자로 자기 헤드를 구성하여도 좋다.

이와 같이 하여 이루어지는 자기 기록 장치에 따르면, 비자성층(4)의 위아래에 결정질 자성층(3, 5)을 형성했기 때문에, 경년 열화 등에 의해서 비자성층(4)의 구성 재료가 하부 연자성 보강층(2)이나 상부 연자성 보강층(6) 속으로 확산하는 것이 억제되어, 정보 유지의 신뢰성이 장기간에 걸쳐 보증된다.

한편, 자기 기록 장치는 상기와 같은 하드디스크 장치에 한정되지 않고, 가요성의 테이프형 자기 기록 매체에 대하여 자기 정보를 기록하기 위한 장치라도 좋다.

이상, 본 발명의 실시형태에 관해서 상세히 설명했지만, 본 발명은 각 실시형태에 한정되지 않는다. 예컨대, 제1 실시형태에서는, 도 1(c)에 도시한 바와 같이 비자성층(4)의 위아래에 결정질 자성층(3, 5)의 쌍방을 형성했지만, 이들의 한 쪽만을 형성하도록 하더라도 좋다. 그 경우라도, 나머지 한 쪽의 결정질 자성층에 의해, 비자성층(4)의 구성 원소의 확산은 억제된다.

이하에, 본 발명의 특징을 부기한다.

(부기 1) 기재와,

상기 기재 위에 형성된 하부 연자성 보강층과,

상기 하부 연자성 보강층 위에 형성된 비자성층과,

상기 비자성층 위에 형성된 상부 연자성 보강층과,

상기 상부 연자성 보강층 위에 형성된 수직 자기 이방성을 갖는 기록층을 포함하고,

상기 하부 연자성 보강층과 상기 비자성층 사이, 또는 상기 비자성층과 상기 상부 연자성 보강층 사이에 결정질 자성층이 형성된 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.

(부기 2) 상기 하부 연자성 보강층과 상기 상부 연자성 보강층 중 적어도 한 쪽은, 비정질 재료 또는 미세결정 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 부기 1에 기재한 자기 기록 매체.

(부기 3) 상기 하부 연자성 보강층과 상기 상부 연자성 보강층 중 적어도 한 쪽은, Co기, Fe기 및 Ni기 중 어느 것에 Zr, Ta, C, Nb, Si 및 B 중의 적어도 하나가 첨가된 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 2에 기재한 자기 기록 매체.

(부기 4) 상기 하부 연자성 보강층의 자화와, 상기 자화에 인접하는 부분의 상기 상부 연자성 보강층의 자화는, 서로 반대 방향을 향하고 있는 것을 특징으로 하는 부기 1에 기재한 자기 기록 매체.

(부기 5) 상기 기록층 위에 보호층이 형성된 것을 특징으로 하는 부기 1에 기재한 자기 기록 매체.

(부기 6) 상기 보호층은 DLC로 구성되는 것을 특징으로 하는 부기 5에 기재한 자기 기록 매체.

(부기 7) 상기 결정질 자성층은, Ni, Fe, 및 Co 중 어느 단일체, 또는 이들의 어느 것을 포함하는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 1에 기재한 자기 기록 매체.

(부기 8) 상기 결정질 자성층의 두께는, 0.5 nm 이상 10 nm 이하인 것을 특징으로 하는 부기 1에 기재한 자기 기록 매체.

(부기 9) 상기 비자성층은, Ru, Rh, Ir, Cu, Cr, Re, Mo, Nb, W, Ta 및 C 중 어느 단일체, 또는 이들 중의 적어도 것을 포함하는 합금, 혹은 MgO로 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 1에 기재한 자기 기록 매체.

(부기 10) 기재 위에 하부 연자성 보강층을 형성하는 공정과,

상기 하부 연자성 보강층 위에 비자성층을 형성하는 공정과,

상기 비자성층 위에 상부 연자성 보강층을 형성하는 공정과,

상기 상부 연자성 보강층 위에 수직 자기 이방성을 갖는 기록층을 형성하는 공정과,

상기 기록층 위에, 상기 기재를 가열하면서 보호층을 형성하는 공정을 포함하고,

상기 비자성층을 형성하는 공정 전에 상기 하부 연자성 보강층 상에 결정질 자성층을 형성하는 공정을 갖거나, 혹은 상기 상부 연자성 보강층을 형성하는 공정 전에 상기 비자성층 상에 상기 결정질 자성층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체의 제조 방법.

(부기 11) 상기 하부 연자성 보강층과 상기 상부 연자성 보강층 중 적어도 한 쪽으로서, 비정질 재료 또는 미세결정 재료로 구성되는 연자성층을 형성하는 것을 특징으로 하는 부기 10에 기재한 자기 기록 매체의 제조 방법.

(부기 12) 상기 결정질 자성층으로서, Ni, Fe, 및 Co 중 어느 단일체, 또는 이들의 어느 것을 포함하는 합금으로 이루어지는 자성층을 형성하는 것을 특징으로 하는 부기 10에 기재한 자기 기록 매체의 제조 방법.

(부기 13) 상기 보호층으로서 DLC층을 형성하는 것을 특징으로 하는 부기 10에 기재한 자기 기록 매체의 제조 방법.

(부기 14) 기재와,

상기 기재 위에 형성된 하부 연자성 보강층과,

상기 하부 연자성 보강층 위에 형성된 비자성층과,

상기 비자성층 위에 형성된 상부 연자성 보강층과,

상기 상부 연자성 보강층 위에 형성된 수직 자기 이방성을 갖는 기록층을 구비한 자기 기록 매체와,

상기 자기 기록 매체에 대향하여 설치된 자기 헤드를 포함하고,

상기 하부 연자성 보강층과 상기 비자성층 사이, 또는 상기 비자성층과 상기 상부 연자성 보강층 사이에 결정질 자성층이 형성된 것을 특징으로 하는 자기 기록 장치.

(부기 15) 상기 하부 연자성 보강층과 상기 상부 연자성 보강층 중 적어도 한 쪽은, 비정질 재료 또는 미세결정 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 부기 14에 기재한 자기 기록 장치.

(부기 16) 상기 결정질 자성층은, Ni, Fe, 및 Co 중 어느 단일체, 또는 이들의 어느 것을 포함하는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 부기 14에 기재한 자기 기록 장치.

본 발명에 따르면, 하부 연자성 보강층과 비자성층 사이, 또는 상기 비자성층과 상부 연자성 보강층 사이에 결정질 자성층을 형성하기 때문에, 비자성층의 구성 원소가 하부 연자성 보강층이나 상부 연자성 보강층으로 확산하는 것이 방지되어, 각 연자성 보강층끼리 반강자성적으로 양호하게 결합시킬 수 있어, 각 연자성 보강층으로부터의 누설 자속에 기인한 스파이크 노이즈를 저감할 수 있다.

Claims

기재(基材)와,

상기 기재 위에 형성된 하부 연자성 보강층과,

상기 하부 연자성 보강층 위에 형성된 비자성층과,

상기 비자성층 위에 형성된 상부 연자성 보강층과,

상기 상부 연자성 보강층 위에 형성된 수직 자기 이방성을 갖는 기록층을 포함하고,

상기 하부 연자성 보강층과 상기 비자성층 사이, 또는 상기 비자성층과 상기 상부 연자성 보강층 사이에 결정질 자성층이 형성된 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
제1항에 있어서, 상기 하부 연자성 보강층과 상기 상부 연자성 보강층 중 적어도 한쪽은, 비정질 재료(amorphous material) 또는 미세결정 재료(microcrystalline material)로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
제1항에 있어서, 상기 하부 연자성 보강층의 자화와, 이 자화에 인접하는 부분의 상기 상부 연자성 보강층의 자화는 서로 반대 방향을 향하고 있는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
제1항에 있어서, 상기 결정질 자성층은, Ni, Fe, 및 Co 중 어느 하나의 단일체, 또는 이들 중 어느 하나의 것을 포함하는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체.
기재 위에 하부 연자성 보강층을 형성하는 공정과,

상기 하부 연자성 보강층 위에 비자성층을 형성하는 공정과,

상기 비자성층 위에 상부 연자성 보강층을 형성하는 공정과,

상기 상부 연자성 보강층 위에 수직 자기 이방성을 갖는 기록층을 형성하는 공정과,

상기 기록층 위에, 상기 기재를 가열하면서 보호층을 형성하는 공정을 포함하고,

상기 비자성층을 형성하는 공정 전에 상기 하부 연자성 보강층 상에 결정질 자성층을 형성하는 공정을 갖거나, 또는 상기 상부 연자성 보강층을 형성하는 공정 전에 상기 비자성층 상에 상기 결정질 자성층을 형성하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체의 제조 방법.
제5항에 있어서, 상기 하부 연자성 보강층과 상기 상부 연자성 보강층 중 적어도 한 쪽으로서, 비정질 재료 또는 미세결정 재료로 구성되는 연자성층을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체의 제조 방법.
제5항에 있어서, 상기 보호층으로서 DLC(Diamond Like Carbon)층을 형성하는 것을 특징으로 하는 자기 기록 매체의 제조 방법.
기재와,

상기 기재 위에 형성된 하부 연자성 보강층과,

상기 하부 연자성 보강층 위에 형성된 비자성층과,

상기 비자성층 위에 형성된 상부 연자성 보강층과,

상기 상부 연자성 보강층 위에 형성된 수직 자기 이방성을 갖는 기록층을 구비한 자기 기록 매체와,

상기 자기 기록 매체에 대향하여 설치된 자기 헤드

를 포함하고,

상기 하부 연자성 보강층과 상기 비자성층 사이, 또는 상기 비자성층과 상기 상부 연자성 보강층 사이에 결정질 자성층이 형성된 것을 특징으로 하는 자기 기록 장치.
제8항에 있어서, 상기 하부 연자성 보강층과 상기 상부 연자성 보강층 중 적어도 한 쪽은 비정질 재료 또는 미세결정 재료로 구성되는 것을 특징으로 하는 자기 기록 장치.
제8항에 있어서, 상기 결정질 자성층은, Ni, Fe, 및 Co 중 어느 하나의 단일 체, 또는 이들 중 어느 하나의 것을 포함하는 합금으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기 기록 장치.