KR100817969B1 - 기판처리장치 및 기판처리방법 - Google Patents

기판처리장치 및 기판처리방법 Download PDF

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Abstract

기판처리장치는 챔버 내에 부분적으로 형성되는 화학용액처리실에서 화학용액처리를 실시한다. 화학용액처리하는 중에, 기판처리장치는 화학용액처리실을 밀봉하여 화학용액처리실 내의 압력을 측정하고, 그 측정된 값을 기초로 하여 화학용액처리실 내의 압력을 제어한다. 기판처리장치의 위치 환경에 관계없이, 화학용액처리실은 소정의 압력으로 제어될 수 있다. 기판처리장치는 또한 영역의 최소 요구량에 대하여 효율적인 압력 제어를 가능케 한다.
Figure R1020060078142
기판, 기판처리, 세정처리, 화학용액, 세정조

Description

기판처리장치 및 기판처리방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치의 구성을 예시하는 도면.
도 2는 기판처리장치에서의 화학용액처리와 세정처리의 흐름을 예시하는 플로우챠트.
도 3 내지 도 9는 기판처리장치의 대응하는 단계에서의 처리 상황을 각각 예시하는 도면.
본 발명은 반도체 기판, 액정용 유리 기판 및 포토마스크(photomask)용 유리 기판과 같은 기판에 대해 소정의 처리를 실시하는 기판처리장치 및 기판처리방법에 관한 것이다.
종래부터, 기판의 제조단계시에 기판의 세정처리 등의 처리를 챔버(chamber) 내에서 실시하는 기판처리장치가 알려져 있다. 예컨대, 챔버 내에 배치된 세정조(cleaning bath) 안에 화학용액을 저장하여 그 화학용액 중에 기판을 침지함으로써 세정처리를 실시하는 기판처리장치가 알려져 있다.
이러한 기판처리장치는 다양한 위치에 놓여져 사용된다. 결과적으로, 기판처리장치 주변의 대기는 반드시 일정하지는 않다. 예컨대, 낮은 위치에 놓여졌을 때 기판처리장치 주변의 대기는 높은 위치에 높여졌을 때의 것과 다르다. 기판처리장치 주변의 대기는 또한 공장의 세정실의 기후와 설비에 따라 바뀔 수 있다.
압력이 특별히 제어되지 않는 한, 기판처리장치 주변의 대기의 변화는 챔버 내의 압력을 변화시킨다. 챔버 내의 압력이 제어되면, 주위대기(ambient atmospehere)를 기초로 하여 챔버의 상대적인 압력 제어에 의해서만 그 주위대기의 변화가 챔버 내의 압력을 변화시킨다. 따라서 종래의 기판처리장치는 위치 환경에 관계없이 챔버 내의 압력을 일정하게 유지하는 것이 곤란하다.
부가적으로, 종래의 기판처리장치에서 챔버 내의 압력이 제어될 때, 처리부를 포함하는 챔버 전체가 압력 제어를 받게 된다. 그럼에도 불구하고, 챔버가 그 처리부 이외의 영역을 더 포함하기 때문에, 챔버 전체에 걸치는 압력 제어는 그 효율이 좋지 않다.
본 발명은 기판의 소정의 처리를 실시하는 기판처리장치에 관한 것이다.
본 발명의 하나의 특징에 따르면, 기판처리장치는 a)챔버; b)챔버 내에 부분적으로 형성된 처리공간을 구획하는 구획부재; c)처리공간 내에서 처리용액으로 기판을 처리하는 처리부; d)처리공간 내의 압력을 측정하는 측정부; 및 e)처리공간 내의 압력을 조절하는 압력조절부를 포함한다.
상기 처리공간은 기판처리장치의 위치 환경에 관계없이 소정의 처리로 제어 될 수 있다. 상기 기판처리장치는 또한 그 처리공간이 챔버 내에 부분적으로 형성된 공간이기 때문에 영역의 최소 요구량에 대하여 효율적인 압력 제어를 가능하게 한다.
바람직하게는, 상기 압력조절부는 e-1)처리공간으로 가스를 공급하는 가스공급부; e-2)처리공간 내의 가스를 배출하는 가스배출부; 및 e-3)가스공급부와 가스배출부 중 적어도 하나의 흐름을 제어하는 컨트롤러를 포함한다.
이에 의해 처리공간 내의 압력이 신속하고 용이하게 제어될 수 있다.
바람직하게는, 상기 처리공간은 기판이 화학용액처리되는 제1 처리실이며, 상기 구획부재는 챔버의 내부를 제1 처리실, 및 기판을 챔버에 대하여 로딩(loading)하고 언로딩(unloading)하는 게이트(gate)와 제1 처리실 사이에서 기판이 탈이온수처리되는 제2 처리실로 구획한다.
상기 제2 처리실은 게이트와 챔버 내의 제1 처리실 사이에 배치된다. 이는 제1 처리실 중의 화학용액의 증기에 의해 발생된 가스가 챔버의 외부로 배출되지 않도록 방지한다. 이는 또한 챔버의 외부의 공기가 제1 처리실로 들어가지 않도록 방지하고, 이에 따라 화학용액이 제1 처리실 내에서 변질되지 않도록 방지한다.
바람직하게는, 상기 제1 처리실과 제2 처리실은 챔버 내에 수직으로 배열된다.
이는 기판처리장치의 풋프린트(footprint)(기판의 바닥공간)의 축소를 가능케 한다.
본 발명은 또한 기판에 대하여 소정의 처리를 실시하기 위한 기판처리방법에 관한 것이다.
따라서, 본 발명의 목적은 기판처리장치의 주위 환경에 관계없이 챔버 내의 압력을 소정의 압력으로 유효하게 제어하는 기술을 제공하는 데 있다.
본 발명의 상기 목적과 다른 목적, 특징, 양상 및 이점들은 첨부한 도면과 관련하여 볼 때 다음의 상세한 설명으로부터 더 명백하게 될 것이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태들을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.
＜1. 기판처리장치의 구성＞
도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치(1)의 구성을 예시하는 도면이다. 기판처리장치(1)는 복수의 기판들(이하, 간단히 "기판" 이라고 함, W)의 뱃치 운송(batch transportation)을 실시하며, 화학용액처리 및 세정처리를 실시한다. 기판처리장치(1)는 주로 챔버(10), 처리조(processing bath, 20), 리프터(lifter, 30), 압력조절부(40), 탈이온수 공급부(50), 배수부(60) 및 컨트롤러(controller, 70)로 이루어진다.
챔버(10)는 그 내부에 기판(W)을 처리하기 위한 공간을 갖는 케이싱(casing)이다. 챔버(10)는 구획부재(11)를 거쳐 수직으로 배열된 두 개의 처리실을 갖는다. 구획부재(11) 아래에 배치된 처리실은 기판(W)이 화학용액처리되는 화학용액처리실(12)이다. 구획부재(11) 위에 배치된 처리실은 기판(W)이 세정처리되는 세정처리실(13)이다. 챔버(10)와 구획부재(11)의 외벽은 기밀재료(airtight material)로 형성되어 있다.
세정처리실(13)의 상면(즉, 챔버(10)의 상면)에는, 기판(W)이 로딩되고 언로딩되는 게이트(14a) 및 그 게이트(14a)를 개폐하는 슬라이드 도어(slide door, 14b)가 구비되어 있다. 슬라이드 도어(14b)는 도 1에 개념적으로 예시되는 구동기구에 의해 유발된 그 슬라이딩 이동에 의해 게이트(14a)를 개폐한다. 슬라이드 도어(14b)에 의해 게이트(14a)를 닫으면 챔버(10) 내의 대기가 챔버(10)의 외부의 대기와 분리된다. 한편, 게이트(14a)를 열면 기판(W)이 게이트(14a)를 통하여 로딩되고 언로딩되게 된다.
화학용액처리실(12)과 세정처리실(13) 사이의 구획부재(11)에는 기판(W)이 이송되는 이송게이트(15a) 및 그 이송게이트(15a)를 개폐하는 슬라이드 도어(15b)가 구비되어 있다. 슬라이드 도어(15b)는 도 1에 개념적으로 예시되는 구동기구(15c)에 의해 유발된 그 슬라이딩 이동에 의해 게이트(14a)를 개폐한다. 이송게이트(15a)와 접촉하게 되는 슬라이드 도어(15b)의 일부분에는 O링 등의 실링부재(sealing member)가 고착되어 있다. 그러므로, 슬라이드 도어(15b)가 이송게이트(15a)를 닫을 때, 화학처리실(12) 내의 대기가 화학처리실(12)의 외부의 대기와 분리된다. 한편, 게이트(15a)를 열면, 기판(W)이 게이트(15a)를 통과하여 이송될 수 있다.
화학처리실(12)은 챔버(10) 내에 부분적으로 형성된 영역이다. 즉, 화학처리실(12)은 챔버(10) 전체보다 적은 가스를 포함한다. 또한, 화학용액을 전혀 사용하지 않는 세정처리실은 화학용액처리실(12)과 게이트(14a) 사이에 개재되어 있다. 이는 화학용액을 포함하는 대기가 화학용액처리실(12)에서부터 챔버(10)의 외 부로 직접 배출되는 가능성을 제거하는 것이다.
처리조(20)는 화학용액처리실(12) 내에 배치되어 있다. 처리조(20)는 화학용액을 저장하기 위한 용기(container)이다. 기판처리장치(1)는 처리조(20) 안에 저장된 화학용액 중에 기판(W)을 침지함으로써 그 기판(W)의 화학용액처리를 실시한다. 여기에서 사용되는 화학용액의 예로서는 SPM 용액(황산과 과산화수소수의 혼합용액), 플루오르화 수소산, SC-1, SC-2, 인산 및 유기용매를 들 수 있다. 도시하지 않은 화학용액 공급부와 화학용액 방출부는 처리조(20)에 연결되어 있다. 기판(W)의 처리를 시작할 때, 화학용액은 화학용액 공급부로부터 처리실(20)로 공급된다. 기판(W)의 처리가 종료되면, 화학용액은 처리조(20)에서부터 화학용액 방출부로 방출된다. 처리조(20)는 처리조(20) 내에 화학용액을 순환시키는 순환부를 구비할 수 있다.
리프터(30)는 기판(W)을 아래에서부터 지지하는 플랫폼(31)을 갖고 기판(W)을 그 플랫폼(31) 상에 직립상태로 지지한다. 리프터(30)는 도 1에 개념적으로 예시되는 구동기구(32)에 연결되어 있다. 구동기구(32)가 작동될 때, 리프터(30)가 수직으로 이동되므로, 기판(W)이 처리조(20) 내의 침지위치(도 1에 실선으로 표시된 위치)와 세정처리실(13) 내의 들어올림 위치(lifting position)(도 1에 가상선으로 표시된 위치) 사이에서 이동된다.
압력조절부(40)는 화학용액처리실(12) 내의 압력을 조절하기 위한 기구이다. 압력조절부(40)는 화학용액처리실(12)로 질소가스를 공급하는 가스공급부(41), 화학용액처리실(12) 내의 가스를 배출하는 가스배출부(42) 및 화학용액처리실(12) 내 의 압력을 측정하는 측정부(43)를 갖는다.
가스공급부(41)는 배관(piping, 41b)이 질소가스공급원(41a)과 화학용액처리실(12) 사이의 연결을 제공하고 밸브(41c)가 그 배관(41b)에 개재되도록 구성되어 있다. 배관(41b)은 화학용액처리실(12) 내의 질소가스방출부(41d)에 연결되어 있다. 그러므로, 밸브(41c)가 열리게 되면, 질소가스는 질소가스공급원(41a)으로부터 배관(41b)과 질소가스방출부(41d)를 경유하여 화학용액처리실(12)로 공급된다. 밸브(41c)로서는 가변유동밸브(variable flow valve)가 사용된다. 밸브(41c)의 개방을 조절하면 화학용액처리실(12)로 공급되는 질소가스의 흐름이 규제된다.
가스배출부(42)는 배관(42a)이 화학용액처리실(12)과 배기라인 사이의 연결을 제공하며 밸브(42b)가 배관(42a)에 개재되도록 구성되어 있다. 배기라인은 소정의 배기압력을 갖는다. 그러므로, 밸브(42b)가 열리게 되면, 화학용액처리실(12) 내의 가스가 배관(42a)을 경유하여 배기라인으로 배출된다. 밸브(42b)로서는 가변유동밸브가 사용된다. 밸브(42b)의 개방을 조절하면 화학용액처리실(12)로 부터 배출되는 질소가스의 흐름이 규제된다.
탈이온수공급부(50)는 탈이온수를 세정처리실(13)로 공급하기 위한 기구이다. 탈이온수공급부(50)는 탈이온수공급원(51)과 세정처리실(13) 사이의 연결을 제공하며 밸브(53)가 배관(52)에 개재되도록 구성되어 있다. 배관(52)은 세정처리실(13) 내에 배치된 복수의 탈이온수방출부(54)에 연결되어 있다. 그러므로, 밸브(53)가 열리게 되면, 탈이온수가 탈이온수공급원(51)으로부터 배관(52)과 탈이온수방출부(54)를 경유하여 세정처리실(13)로 공급된다. 복수의 탈이온수방출부(54) 는 세정처리실(13)의 우측과 좌측에 배치된다. 각각의 탈이온수방출부(54)는 세정처리실(13)로 들어올려진 기판(W)으로 향한 복수의 방출구멍(도시하지 않음)을 구비하고 있다. 탈이온수방출부(54)는 탈이온수를 복수의 방출구멍을 통하여 기판(W
)으로 샤워(shower) 형상으로 방출한다.
배수부(60)는 세정처리실(13) 내의 탈이온수를 배수하기 위한 기구이다. 배수부(60)는 세정처리실(13)과 배수라인 사이의 연결을 제공하는 배관(61)을 갖는다. 탈이온수방출부(54)로부터 방출된 탈이온수는 기판(W)의 표면을 세정하고, 그 다음에 슬라이드 도어(15b)와 구획부재(11)의 상면 위로 적하(滴下)된다. 그 다음에 슬라이드 도어(15b)와 구획부재(11)의 상면 위로 적하된 탈이온수는 배관(61)을 경유하여 배수라인으로 배수된다. 세정처리실(13)은 세정처리실(13) 내의 가스를 배출하기 위한 배기부(도시하지 않음)를 더 구비한다.
컨트롤러는 예컨대, CPU와 메모리가 장치된 컴퓨터에 의해 구성된다. 컨트롤러(70)는 상기 측정부(43)에 전기적으로 연결되고 측정부(43)로부터의 측정을 수신한다. 컨트롤러(70)는 그 각각의 작동을 제어하기 위해서, 상기 구동기구(14c, 15c)와 상기 밸브(41c, 42b, 53)에도 연결된다. 특히, 컨트롤러(70)는 측정부(43)의 측정에 기초하여 압력조절부(40)의 밸브(41c, 42b)를 제어한다. 그 다음에, 화학용액처리실(12)에 공급된 가스의 양과 화학처리실(12)로부터 배출된 가스의 양을 제어하여 화학용액처리실(12) 내의 압력을 규제한다.
＜2. 기판처리장치의 작동＞
도 2는 상기 기판처리장치(1)로의 화학용액처리 및 세정처리의 흐름을 예시 하는 플로우 챠트이다. 도 3 내지 도 9는 기판처리장치(1)의 대응하는 단계에서의 처리 상황을 각각 예시하는 도면이다. 이하에 기판처리장치(1)의 작동에 대하여 도 2 및 도 3 내지 도 9를 참조하여 설명한다. 다음의 작동은 각각 컨트롤러(70)에 의해 실행되는 구동기구들(14c, 15c, 32) 및 밸브들(41c, 42b, 53)의 제어에 의해 진행될 것이다.
기판(W)이 기판처리장치(1)로 처리될 때, 기판처리장치(1)는 먼저 처리조(20) 안에 화학용액을 저장하고 기판(W)의 로딩(loading)을 기다린다(단계 S1, 도 3 참조). 구체적으로는, 세정처리실(13) 내에 놓여지는 리프터(30)는 기판(W)의 로딩을 기다린다. 이때, 화학용액처리실(12)과 세정처리실(13) 사이의 슬라이드 도어(15b)가 닫혀진다. 그러므로, 처리조(20) 내의 화학용액의 증발에 의해 발생된 가스는 세정처리실(13)로 들어가지 않는다. 화학용액처리실(12)에서, 질소가스방출부(41d)는 질소가스를 공급하고, 화학용액처리실(12) 내의 가스는 배관(42a)으로 배기된다. 그러므로, 처리조(20) 내의 화학용액의 증발에 의해 발생된 가스는 배관(42a)으로부터 배기라인으로 배기된다.
이전 단계의 장치로부터 기판(W)의 운송이 종료되면, 기판처리장치(1)는 슬라이드 도어(14b)를 열어 기판(W)을 게이트(14a)을 통하여 챔버(10) 내로 로딩한다(단계 S2, 도 4 참조). 예정된 운송로봇(80)에 의해, 기판(W)은 챔버(10) 내로 운송되고 나서, 세정처리실(13)에서 대기하는 리프터(30) 상에 놓여진다. 이 때문에, 슬라이드 도어(15b)는 닫혀진 채로 있고 질소가스 공급과 가스 배기는 화학용액처리실(12) 내에서 지속된다.
처리실(10) 내로 기판(W)의 로딩이 종료되면, 기판처리장치(1)는 챔버(10) 위의 슬라이드 도어(14b)를 닫는다. 그 다음에 기판처리장치(1)는 슬라이드 도어(15b)를 열고 리프터(30)를 끌어 내려서 기판(W)을 처리조(20) 안으로 놓는다(단계 S3, 도 5 참조). 기판(W)은 리프터(30)와 함께 처리조(20) 내에 침지된다. 이때, 화학용액처리실(12)에서 배관(42a)으로의 배기량을 증대시켜 화학용액처리실(12) 내의 가스를 강하게 배기하도록 기판처리장치(1)는 밸브(42b)의 개방을 증대시킨다. 이는 화학용액처리실(12)에서 화학용액의 증발에 의해 발생된 가스가 세정처리실(13) 안으로 들어가는 것을 회피하게 한다.
기판(W)이 화학용액 중에 침지된 상태에서, 기판처리장치(1)는 슬라이드 도어(15b)를 닫아서 화학용액처리실(12)를 다시 그 닫힌 상태로 있게 한다. 그 다음에 기판처리장치(1)는 처리조(20) 내에서 기판(W)의 화학용액처리를 실시한다(단계 S4, 도 6 참조). 이때, 기판처리장치(1)는 측정부(43)를 사용함으로써 화학용액처리실(12) 내의 압력을 측정하고, 그 측정된 값을 기초로 하여 밸브(41c)와 밸브(42b)의 개방을 제어한다. 이와 같이, 화학용액처리실(12)로 공급되는 가스량과 화학용액처리실(12)로부터 배기되는 가스량을 조절하여 화학용액처리실(12) 내의 압력을 소정의 값으로 제어한다. 예컨대, 화학용액처리실(12)로 공급되는 가스량의 증가 및 화학용액처리실(12)로부터 배기되는 가스량의 감소는 화학용액처리실(12) 내의 압력의 증가를 일으킨다. 이러한 압력 제어는 주위대기에 기초를 둔 상대적 제어가 아니라 측정부(43)의 측정에 기초를 둔 절대적 제어이다. 그러므로, 화학용액처리실(12) 내의 압력은 주위대기에 관계없이 정밀하게 제어될 수 있 다.
소정의 시간 동안 화학용액처리가 종료되면, 기판처리장치(1)는 슬라이드 도어(15b)를 열어 리프터(30) 위로 오게 하여 기판(W)을 처리조(20)로부터 들어올린다(단계 S5, 도 7 참조). 이때, 화학용액처리실(12)에서 배관(42a)으로 배기되는 가스량을 증대시켜 화학용액처리실(12) 내의 가스를 강하게 배기하도록 기판처리장치(1)는 밸브(42b)의 개방을 증대시킨다. 이는 화학용액처리실(12)에서 화학용액의 증발에 의해 발생된 가스가 세정처리실(13) 안으로 들어가는 것을 회피하게 한다.
세정처리실(13) 안으로의 기판(W)의 들어올림이 종료되면, 기판처리장치(1)는 슬라이드 도어(15b)를 닫고 탈이온수방출부(54)를 통하여 탈이온수를 방출하여 기판(W)의 세정처리를 실시한다(단계 S6, 도 8 참조). 탈이온수는 탈이온수방출부(54)를 통하여 기판(W)으로 샤워 형상으로 방출되고, 이에 따라 기판(W)의 표면을 세정한다. 슬라이드 도어(15b)와 구획부재(11)의 상면에 적하되는 탈이온수는 배관(61)을 경유하여 배수라인으로 배수된다.
소정의 시간 동안 세정처리가 종료되면, 기판처리장치(1)는 탈이온수방출부(54)를 통하여 탈이온수의 방출을 중지한다. 그 다음에 기판처리장치는 챔버(10) 위의 슬라이드 도어(14b)를 열고 기판(W)을 게이트(14a)를 통하여 챔버(10)의 외부로 언로딩한다(단계 S7, 도 9 참조). 기판(W)은 리프터(30)에서 운송로봇(80)으로 이송되고, 그 다음에 챔버(10) 위로 언로딩된다. 이에 의해 기판처리장치(1)에서의 한 그룹의 기판(W) 처리가 완료된다.
상술한 바와 같이, 기판처리장치(1)는 슬라이드 도어(15b)를 닫아서 화학용액처리가 실시되는 시간 동안 화학용액처리실(12)을 밀폐한다. 기판처리장치(1)는 화학용액처리실(12) 내의 압력을 측정하고, 그 측정값을 기초로 하여 화학용액처리실(12) 내의 압력을 조절한다. 기판처리장치(1)의 위치 환경에 관계없이, 화학용액처리실은 소정의 압력으로 제어될 수 있다. 또한, 화학용액처리실(12)이 챔버(10) 안에 부분적으로 형성되어 있기 때문에, 기판처리장치(1)는 또한 영역의 최소 요구량에 대하여 효율적인 압력 제어를 가능케 한다.
컨트롤러(70)는 화학용액처리의 내용(content)에 따라 화학용액처리실(12) 내의 압력을 제어한다. 이는 기판처리장치(1)가 화학용액처리실(12) 내의 압력을 기판(W)의 처리를 위해 최상으로 적합한 압력으로 조절할 수 있게 한다. 예컨대, 기판처리장치(1)는 화학용액처리의 효과를 개선할 수 있고, 또한 화학용액처리실(12)의 내부를 가압하거나 감압함으로써 화학반응을 용이하게 한다. 컨트롤러(70)는 화학용액처리의 진행에 따라 화학용액처리실(12) 내의 압력을 변화시킬 수 있다.
또한, 기판처리장치(1)에서, 화학용액을 전혀 사용하지 않는 세정처리실(13)은 화학용액처리실(12)과 게이트(14a) 사이에 배치된다. 이는 화학용액처리실(12) 내의 화학용액의 증발에 의해 발생된 가스가 챔버(10)의 외부로 배기되는 것을 회피하게 한다. 이는 또한 챔버(10)의 외부의 공기가 화학용액처리실(12) 안으로 들어가는 것을 회피하게 한다. 그러므로, 공기에 노출되면 변질되기 쉬운 화학용액을 사용할 때, 화학용액의 변질이 회피된다.
또한, 기판처리장치(1)에서, 화학용액처리실(12)과 세정처리실(13)은 챔버(10) 안에 수직으로 배치된다. 이는 기판처리장치(1)의 풋프린트(기판(1)의 바닥공간)의 축소를 가능케 한다.
＜3. 변경＞
본 발명의 하나의 실시형태가 개시되었지만, 발명의 다른 실시형태와 변경이 가능하다는 것은 명백하다. 예컨대, 상술한 기판처리장치(1)가 측정부(43)에 의한 측정값을 기초로 하여, 화학용액처리실(12)로 공급되는 가스량과 화학용액처리실(12)로부터 배기되는 가스량의 양쪽을 제어하고 있지만, 양쪽의 제어가 반드시 필요한 것은 아니다. 즉, 기판처리장치(1)는 화학용액처리실(12)로 공급되는 가스량과 화학용액처리실(12)로부터 배기되는 가스량 중 적어도 하나를 제어함으로써 화학용액처리실(12) 내의 압력을 규제할 수 있다. 예컨대, 기판처리장치(1)는 가스공급부(41)에 의해 공급된 질소가스량을 일정하게 유지하는 상태로, 가스배출부(42)에 의해 배기된 가스량을 제어할 수 있다. 대안적으로, 기판처리장치(1)는 가스배출부(42)에 의해 배기된 가스량을 일정하게 유지하는 상태로, 가스공급부(41)에 의해 공급되는 질소가스량을 제어할 수 있다.
상술한 기판처리장치(1)에서, 세정처리실(13)이 윗쪽에 배치되고 화학용액처리실(12)이 아래쪽에 배치되도록 챔버(10)가 수직으로 구획되어 있지만, 반드시 그렇게 배치할 필요는 없다. 예컨대, 챔버(10)의 내부에 다른 작은 챔버를 배치하여 그 작은 챔버를 화학용책처리실로서 사용하고 그 작은 챔버의 상부 위치를 세정처리실로서 사용할 수 있다.
상술한 기판처리장치(1)가 기판(W)의 뱃치 처리를 실시하고 있지만, 기판(W)을 하나씩 처리할 수도 있다. 상술한 기판처리장치(1)가 기판(W)을 처리조(20) 안에 저장된 화학용액에 침지하는 것에 의해 화학용액처리를 실시하고 있지만, 그 화학용액처리는 기판(W)에 대향하여 화학용액을 방출하는 것에 의해 실시될 수도 있다.
본 발명이 구체적으로 도시되고 설명되었지만, 상기 설명은 모든 특징에 있어서 예시적인 것이고 제한하는 것은 아니다. 그러므로 수많은 변경과 변화가 발명의 범위로부터 벗어남이 없이 고안될 수 있다는 것이 이해될 수 있다.
본 발명에 의하면, 기판처리장치가 챔버, 챔버 내에 부분적으로 형성된 처리공간을 구획하는 구획부재, 처리공간 내에서 처리용액으로 기판을 처리하는 처리부, 처리공간 내의 압력을 측정하는 측정부, 처리공간 내의 압력을 조절하는 압력조절부를 포함함으로써, 상기 처리공간이 기판처리장치의 위치 환경에 관계없이 소정의 처리로 제어될 수 있고, 그 처리공간이 챔버 내에 부분적으로 형성된 공간이기 때문에 영역의 최소 요구량에 대하여 효율적인 압력 제어를 가능하게 할 수 있다.
또한, 상기 처리공간 내의 압력을 신속하고 용이하게 제어할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 상기 처리공간이 기판이 화학용액처리되는 제1 처리실이며, 상기 구획부재가 챔버의 내부를 제1 처리실, 및 기판을 챔버에 대하여 로딩하고 언로딩하는 게이트와 제1 처리실 사이에서 기판이 탈이온수처리되는 제2 처리실로 구획되고, 상기 제2 처리실이 게이트와 챔버 내의 제1 처리실 사이에 배치됨으로써, 제1 처리실 중의 화학용액의 증기에 의해 발생된 가스가 챔버의 외부로 배출되지 않도록 방지하며, 또한 챔버의 외부의 공기가 제1 처리실로 들어가지 않도록 방지하고, 이에 따라 화학용액이 제1 처리실 내에서 변질되지 않도록 방지할 수 있다.
그리고, 상기 제1 처리실과 제2 처리실을 챔버 내에 수직으로 배치함으로써, 기판처리장치의 풋프린트(기판의 바닥공간)의 축소를 가능케 할 수 있다.

Claims (13)

  1. 기판에 대해 소정의 처리를 행하는 기판처리장치로서,
    a) 챔버;
    b) 상기 챔버 내에 부분적으로 형성된 처리공간을 구획하는 구획부재;
    c) 상기 처리공간 내에서 처리용액으로 기판을 처리하는 처리부;
    d) 상기 처리공간 내의 압력을 측정하는 측정부; 및
    e) 상기 측정부의 측정에 기초하여, 상기 처리공간 내의 압력을 조절하는 압력조절부;
    를 포함하며,
    그 중, 상기 구획부재는 기판의 통과를 허용하는 이송게이트와 상기 이송게이트를 개폐하는 도어를 구비하고,
    상기 압력조절부는 상기 도어가 닫힌 상태에서, 상기 처리공간 내의 압력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 압력조절부는,
    e-1) 상기 처리공간 안으로 가스를 공급하는 가스공급부;
    e-2) 상기 처리공간 내의 가스를 배출하는 가스배출부; 및
    e-3) 상기 가스공급부와 상기 가스배출부 중 적어도 하나의 흐름을 제어하는 컨트롤러;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 처리부는,
    c-1)처리용액을 저장하고 상기 처리공간 내에 배치되는 처리조; 및
    c-2)상기 처리조 내에 저장된 처리용액 중에 기판을 지지하여 침지하는 지지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 처리공간은 기판이 화학용액처리되는 제1 처리실이며,
    상기 구획부재는 상기 챔버를 상기 제1 처리실, 및 기판이 챔버에 대하여 로딩되고 언로딩되는 게이트(gate)와 제1 처리실 사이에서 기판이 탈이온수처리되는 제2 처리실로 구획하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 지지부는 상기 제1 처리실과 상기 제2 처리실 사이에서 기판을 운송하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 처리실과 상기 제2 처리실은 상기 챔버 내에 수직으로 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 처리실은 탈이온수를 기판에 공급하는 복수의 탈이온수방출부를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 컨트롤러는 상기 처리부에서의 처리 내용에 따라 상기 제1 처리실 내의 압력을 조절하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 기판에 대해 소정의 처리를 실행하기 위한 기판처리방법으로서,
    a) 챔버 내에 부분적으로 형성된 처리공간에 기판을 로딩하는 단계;
    b) 상기 처리공간을 밀봉하는 단계;
    c) 상기 처리공간 내의 압력을 측정하고, 측정값을 기초로 하여 상기 처리공간 내의 압력을 조절하는 단계; 및
    d) 상기 처리공간 내에서 처리용액으로 기판을 처리하는 단계를 포함하며,
    그 중, 상기 단계 c)에서, 상기 처리공간 내의 압력이 상기 처리공간에 공급되는 가스량과 상기 처리공간으로부터 배기되는 가스량 중 적어도 하나를 제어함으로써 조절되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  11. 삭제
  12. 제10항에 있어서,
    상기 단계 a)에서, 상기 처리공간 내의 가스가 배기되는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
  13. 제12항에 있어서,
    e)상기 단계 d) 이후에, 상기 처리공간과 상기 챔버에 대하여 기판을 로딩 하고 언로딩하기 위한 게이트 사이에서 기판의 탈이온수 세정을 실시하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리방법.
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