KR100817928B1 - 평판표시소자 및 이의 배기구 천공 방법 - Google Patents

평판표시소자 및 이의 배기구 천공 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100817928B1
KR100817928B1 KR1020060057260A KR20060057260A KR100817928B1 KR 100817928 B1 KR100817928 B1 KR 100817928B1 KR 1020060057260 A KR1020060057260 A KR 1020060057260A KR 20060057260 A KR20060057260 A KR 20060057260A KR 100817928 B1 KR100817928 B1 KR 100817928B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
exhaust port
laser beam
flat panel
panel display
display device
Prior art date
Application number
KR1020060057260A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20080000039A (ko
Inventor
박홍진
현성대
Original Assignee
주식회사 엘티에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엘티에스 filed Critical 주식회사 엘티에스
Priority to KR1020060057260A priority Critical patent/KR100817928B1/ko
Publication of KR20080000039A publication Critical patent/KR20080000039A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100817928B1 publication Critical patent/KR100817928B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2026Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by radiant energy
    • C23C18/204Radiation, e.g. UV, laser
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F24HEATING; RANGES; VENTILATING
    • F24FAIR-CONDITIONING; AIR-HUMIDIFICATION; VENTILATION; USE OF AIR CURRENTS FOR SCREENING
    • F24F11/00Control or safety arrangements
    • F24F11/0001Control or safety arrangements for ventilation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0232Optical elements or arrangements associated with the device

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Combustion & Propulsion (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)

Abstract

본 발명은, 레이저 장치, 특히 자외선 레이저 장치를 이용하여 평판표시소자의 배기구를 천공하는 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 평판표시소자의 배기구 천공할 때 발생되는 평판표시패널 상하부의 크랙을 최소화하기 위한 자외선 레이저 장치를 이용한 평판표시소자의 배기구 천공 방법에 관한 것이다.
본 발명은 약 355㎚의 고체 레이저 장치를 이용하여 스폿 직경이 25㎛인 레이저 비임을 형성하고, 이를 서로 직교하는 두 축을 따라 요동시켜 레이저 비임 워블을 형성하여 상기 평판표시소자용 유리 패널에 배기구를 천공하고, 상기 버블의 진동수 및 진폭 등을 고려하여 상기 유리 패널을 두께 방향을 따라 이동시킴으로써 상기 배기구의 깊이방향을 따라 초점위치가 이동하게 하고, 상기 배기구의 상하부면은 디포커싱 상태에서 표면 가공하는 것을 특징으로 한다. 이에 따르면, 스폿직경보다 큰 두께의 유리 패널에 깊이방향을 따라 균일한 배기구를 천공할 수 있으며, 상기 배기구의 상하부면의 크랙 발생 및 깨짐 현상을 방지할 수 있다.
포커싱, 디포커싱, 레이저, 355nm, 워블

Description

평판표시소자 및 이의 배기구 천공 방법{DISPLAY PANEL AND VENT FORMING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 장치를 나타내는 개략도,
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 비임 워블의 프로파일,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 평판표시소자의 배기구 천공방법의 플로우챠트,
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예와 비교예에 따른 배기구의 평면도 및 단면도,
도 5는 본 발명의 일 실시예와 비교예에 따른 파워 밀도 대 펄스 절단 깊이를 나타낸 그래프.
본 발명은, 레이저 장치, 특히 자외선 레이저 장치를 이용하여 평판표시소자의 배기구를 천공하는 방법에 관한 것으로, 더 상세하게는 평판표시소자의 배기구 천공할 때 발생되는 표시패널 상하부의 크랙을 최소화하기 위한 자외선 레이저 장 치를 이용한 평판표시소자의 배기구 천공 방법에 관한 것이다.
전자기기의 박막화 경향에 따라 화상표시장치도 브라운관으로부터 PDP나 LCD 또는 EL등 다양한 평판표시소자로 이행하고 있다.
일반적으로 이러한 평판표시소자는 서로 대향하는 두 기판 사이에 셀(cell)을 형성하여, 이 셀을 배기한 뒤 기상(氣狀)의 작동 유체를 주입 및 밀봉함으로써 상기 작동 유체의 방전에 의해서 화상을 표시한다.
이러한 셀을 배기하기 위한 배기구는 일반적으로 드릴링에 의해서 기계 가공되거나 또는 샌딩법에 의해서 기계적 및 화학적으로 가공되었다.
그러나 드릴을 사용하는 기계 가공 방법에 의하면, 상기 평판표시소자의 두 기판으로서 사용되는 유리 패널 한 장 당 6 내지 8개의 2mm 정도의 구멍이 가공되어야함에도 불구하고 관통 구멍을 하나씩 형성하여야하므로 생산성이 극히 낮고 매 가공시마다 동일한 정확도를 제공할 수 없었다.
게다가, 상기 평판표시소자의 두 기판의 재료로 사용되는 유리 패널을 드릴링 가공할 경우 유리 패널 상하부 표면에 크랙이 발생되는 문제점이 있었다.
한편, 상기 샌딩법에 의하면, 한번에 다수의 구멍을 형성할 수는 있으나 가공 정확도가 나쁘며 샌드 입자에 의하여 유리 패널이 균열 또는 손상되는 문제점이 있었다.
따라서 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 목적은 유리 패널 천공할 때 유리 패널 상하부면에 크랙 발생을 최소화할 수 있 는 유리 패널 천공방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 평판표시소자의 배기구 드릴링 가공시 유리 패널 상하부면에 크랙 발생을 최소화할 수 있는 평판표시소자의 배기구 천공방법을 제공하는 것이다.
또한, 본 발명의 목적은 소정 피치를 갖도록 배열된 복수의 미세 구멍을 99%의 정확도로 형성한 유리 패널을 갖는 평면표시소자를 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 목적은 배기구 가공 후 공정 오염이나 고온 진공 상태의 후 공정에서 불량의 원인이 되는 유리 파티클이 거의 발생되지 않는 평면표시소자를 제공하는 것이다.
이러한 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제를 해결하기 위한 일 실시예에 따른 레이저 장치를 이용한 평판표시소자의 배기구 천공방법은 상기 레이저 비임의 초점위치에 평판표시소자의 적어도 일 유리 패널을 배치하는 단계와, 상기 레이저 비임을 서로 직교하는 2방향으로 요동시켜 소정 폭의 워블을 복수개 형성하는 단계와, 상기 워블을 소망 개구형상을 채우도록 동심원 또는 나선을 따라 이동시키는 단계와, 상기 레이저 비임의 초점위치를 상기 서로 직교하는 2방향에 대해 수직한 방향으로 등가속 이동시키는 단계와, 상기 레이저 비임의 초점을 디포커싱한 상태에서 상기 배기구의 표면을 가공하는 단계를 포함하여 구성된다.
이 때, 상기 레이저 비임의 파장은 200㎚ 내지 400㎚ 범위의 자외선 영역인 것이 바람직하며, 보다 바람직하게는 355㎚이다.
또한, 상기 유리 패널의 두께는 1㎜ 내지 5㎜이내 일 수 있으며, 상기 평판표시소자의 배기구의 직경은 약 1.5 내지 2.5㎜ 이내이며, 상기 배기구는 상기 배기구 사이에 8 내지 15㎜ 이내의 거리를 두고 배치될 수 있다.
상기 레이저 비임의 스폿 사이즈는 약 10㎛ 내지 50㎛이내일 수 있으며, 보다 바람직하게는 약 25㎛이다.
상기 워블은 0.4㎜ 내지 1.0㎜의 진폭을 가지며, 상기 배기구형상을 채우기 위해서 800 내지 1000개가 형성되며, 상기 레이저 비임의 초점위치는 상기 진폭 및 상기 워블의 갯수를 고려하여 상기 서로 직교하는 2방향에 대해 수직한 방향으로 등속도로 이동시킬 수 있다.
상기 등속도는 대략 0.4 내지 0.85 ㎧일 수 있다.
또한, 상기 평판표시소자용 유리 패널을 소정 위치에 설치하는 단계는 상기 유리 패널 배면에 16℃ 이하의 냉각판을 배치하는 단계를 더 포함할 수도 있다.
이 때, 상기 레이저 장치는 Nd:YAG, Nd:YLF, Nd:YAP, 또는 Nd:YVO4과 같은 고체상태의 라산트(lasant)를 포함할 수 있으며, 상기 레이저는 F-Theta 렌즈를 사용할 수 있다.
상기 레이저 비임의 에너지 밀도가 상기 서로 직교하는 2방향에 대해 수직한 방향으로 일정하게 제어되는 단계를 더 포함하는 것이 유리 기질과의 반응성 및 가공성을 좋게 할 수 있다.
상기 레이저 장치는 20Watts의 평균 출력을 가지며, 90000Hz 이상의 반복율을 가질 수 있다.
상기 배기구의 직경에 대응하는 직경의 노즐을 통해 질소 기체를 약 0.5 kgf/㎠ 이상의 압력으로 상기 배기구내로 분사하는 단계를 더 포함할 수 있다.
한편, 본 발명의 다른 측면에 따르면, 상기 유리 패널 1매당 6 내지 8개의 배기구를 가지며, 상기 배기구의 직경이 약 1.5 내지 2.5mm이내이며, 상기 배기구가 상기 유리 패널 1매당 상기 배기구 사이에 8 내지 15mm 이내의 거리를 두고 배치되며 상기 배기구의 직경이 99%로 일정한 평판표시소자를 제공할 수 있다. 이 때, 상기 배기구는 높이방향을 따라 절단한 단면이 85 내지 99% 범위 내에서 테이퍼형이며, 상기 배기구 내부면과 상기 배기구의 상부 및 하부의 표면상태가 다르며, 상기 배기구의 상하부면이 상기 배기구 내부면에 비하여 컬(curl) 형성될 수 있다.
이하 본 발명의 일 실시예에 따른 평면표시소자의 배기구를 형성하기 위한 레이저 시스템을 도 1 및 도 2를 참조하여 상세히 설명하겠다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 가공장치를 나타내는 개략도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 평판표시소자의 배기구 천공시스템(1)은 크게 1장의 유리 패널 상에 2㎜ 정도의 배기구를 가공하기 위한 레이저 장치(100)와, 8mm 내지 15mm 정도의 소정 간격을 두고 다수개의 배기구를 가공하기 위하여 상기 레이저 장치를 X, Y 방향으로 이동시키기 위한 X, Y 스테이지(200) 및 상기 레이저 장치(100)가 X, Y 스테이지(200)의 작동에 대하여 안정적으로 작동할 수 있도록 상기 레이저 장치(100)와, 상기 X, Y 스테이지(200)를 제어하는 제어장치(300)를 포함한다.
본 실시예에 따른 레이저 장치(100)는 레이저 비임 발생유닛(10)과, 레이저 비임(64)을 소정 영역에 조사하기 위한 스캐닝유닛(20), 및 상기 레이저 비임(64)을 소정 영역에 포커싱하기 위한 광학유닛(30)을 포함한다.
상기 레이저 비임 발생유닛(10)은 200 내지 400㎚, 바람직하게는 355㎚의 파장의 자외선 영역의 레이저 비임을 출력하여, 상기 자외선 영역의 레이저 비임이 유리 패널을 투과하여 1㎜ 내지 5㎜, 바람직하게는 2.8㎜ 두께의 유리 패널에 폭 2㎜의 개구를 형성할 수 있도록 한다. 최근에는 표시 패널용 유리 패널은 보다 박막이면서 강화된 강화 유리패널로서 2㎜ 이하로 시도되고 있다.
깨짐현상 가공성(반응성) 가공속도(초)
극초단파 발생안함 좋음 느림
200 내지 400㎚ 발생안함 좋음 보통
900 내지 1064㎚ 발생 나쁨 빠름
이와 같이 200㎚ 내지 400㎚, 바람직하게는 355㎚의 레이저 비임을 사용한 이유는 표 1에 도시된 바와 같이, 900㎚ 내지 1064㎚ 파장의 레이저 비임으로는 유리 패널이 열에너지에 의하여 용융함으로써 유리 패널이 깨져버리는 현상이 발생하였고, 200㎚ 이하의 극초단파 레이저의 경우에는 에너지가 너무 낮아서 가공성 및 가공 속도가 매우 낮았기 때문이다.
한편, 종래의 엑시머 레이저도 약 200㎚ 내지 355㎚ 파장의 레이저 출력을 발생시킬 수도 있으나 사용가스에 소요되는 비용이 고가이며 환경에 유해한 독성 물질인 할로겐 가스를 이용하기 때문에 본 실시예에 있어서는 200㎚ 내지 400㎚의 파장 대역을 가지면서 조절이 용이하고 환경에 유해한 할로겐 가스를 이용하지 않은 고체 레이저를 이용하였다.
상기 레이저 비임 발생유닛(10)은 바람직하게는 Nd:YAG Nd:YLF Nd:YAP 또는 Nd:YVO4과 같은 고체 상태의 라산트(lasant)를 포함한다. 당업자들에게 공지된 다양한 펌핑 소오스(도시 안함)에 의해 펌핑될 수도 있지만, 다이오드 레이저가 이용될 수도 있다.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 비임 발생유닛(10)은 Q-스위치를 더 구비하여 레이저 출력을 조화파 발생(harmonic generation)과, 주파수 배가(frequency doubling)의 두 단계를 통해 바람직한 자외선 파장으로 변환할 수도 있다. 이 때 상기 레이저 비임은 3차 조화파를 이용하여 355㎚ 파장을 가질 수 있다.
이 때, 가공성 및 가공속도를 높이기 위한 소정의 에너지 밀도를 가지도록 상기 레이저 비임의 파라미터로서, 스폿 직경(f1)이 약 10 내지 50㎛, 바람직하게는 25㎛가 되게 F-Thelta 렌즈를 이용하여 조절되었다. 이러한 스폿 영역에서 측정되는 평균 파워는 약 20W 이상을 사용하였다. 이때 평균 파워가 높을수록 가공성이 우수할 것이다.
한편, 약 25㎛ 스폿 직경의 레이저 비임을 이용할 경우, 유리 패널(40)이 상기 스폿 직경보다 훨씬 두껍기 때문에 두께방향으로 충분한 에너지를 흡수하지 못한다. 즉, 소정 깊이와 소정 폭 이상의 개구부(86)를 형성할 수 없는 문제점이 있다. 따라서 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 레이저 비임을 스캐닝유닛(20), 바람직하게는 갈바노미러를 사용하여 서로 직교하는 2방향으로 요동시킴으로써 소정 진폭을 갖는 워블을 형성한다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명의 일 실시예에 따른 레이저 비임 워블의 프로파일이다.
도 2a 내지 도 2c에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 스캐닝유닛(20)을 이용하여 출력 비임(62)을 서로 직교하는 2방향, 즉 x, y 방향으로 요동시킴으로써 소정 진폭(λ)을 갖는 워블(94)을 형성한다. 이 때 상기 소정 진폭(λ)은 유리 패널의 두께가 1㎜ 내지 5㎜인 점 및 유리 패널의 내부 산란 특성 등을 것을 고려할 때 0.4mm 내지 1.0mm, 바람직하게는 0.8mm 정도인 것이 바람직하다.
이 때, 배기구(86)가 동심원 또는 타원 형상이기 때문에 대략 원 면적을 고려할 때, 800 내지 1000 개의 워블을 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 갯수를 워블의 진동수라 한다.
상기 워블(94)은 상기 배기구(86)의 면적을 채우도록 배기구(86)의 원주방향을 따라 또는 나선방향으로 진행하며 상기 유리 패널(40)에 열에너지가 흡수되어 천공된다. 이 때 상기 워블(94)이 중첩되어 상기 배기구(86)를 신속하게 형성할 있다.
한편, 이러한 워블 가공에 의해서 천공이 진행됨에 따라 초점위치가 변경되어 에너지 밀도가 유리 패널(40)의 두께 방향을 따라 감소될 것이다. 따라서 본 발명의 일 실시예에 따르면, 상기 서로 직교하는 2방향, 즉 x, y 방향에 대해 수직한 방향을 따라 레이저 초점위치를 등속도로 이동시켜 워블 가공을 진행한다. 이를 레이저 포커싱 워블 공정(laser focusing wobble method)이라 한다.
이제 도 3을 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 평판표시소자의 배기구 천공방법을 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 평판표시소자의 배기구 천공방법의 플로우챠트이다.
먼저, 상기 평판표시소자의 배기구 천공장치(1)에 있어서, 상기 평판표시소자로 대향 배치되어 사용될 한 쌍의 유리 패널(40)중 적어도 한 장을 상기 레이저 장치(100)의 하방 초점위치에 위치 설정한다(S100).
이 때, 상기 레이저 장치(100)는 하기와 같이 설정된다(S200).
예를 들어, 상기 레이저 발생유닛(10)이 약 40 내지 90㎱ 이하의 순간 펄스폭을 갖고, 약 2kHz 반복율에서 20W 이상의 평균 파워와, 355㎜의 자외선 파장을 갖도록 설정한다. 이 때, 상기 광학유닛(30)에 의해서 스폿 크기가 25㎛로 제어된다.
한편, 상기 유리 패널(40)을 상기 X, Y 스테이지(200) 상에 배치하기 전에 냉각판(50)을 더 배치할 수 있다(S110). 상기 냉각판(50)은 유리 패널(40)이 천공 과정에서 가열되어 크랙이 발생하거나 깨지는 것을 방지하기 위하여 16℃ 이하로 설정되는 것이 바람직하다.
이러한 준비 과정을 마친 후, 레이저 포커싱 워블 방법에 의하여 상기 스캐닝유닛(20)을 이용하여 레이저 포커싱 워블 방법에 의해서 상기 배기구(86)를 천공한다(S300). 이 때 상기 스캐닝유닛(20)은 상기 레이저 비임을 서로 직교하는 XY 양축을 따라 요동시킨다(S310).
이와 같은 구성에 의하면, 상기 유리 패널(40)에 형성되는 배기구 또는 개구부(86)가 2mm 정도로 상기 스폿 사이즈보다 훨씬 클지라도 레이저 포커싱 상태를 유지하면서 상기 유리 패널(40)의 열 영향으로 인한 레이저 가공 손실을 줄이면서 천공될 수 있다.
이 때 상기 스폿 사이즈를 25㎛로 제어함으로써 유리 패널에 배기구를 천공하기에 적합한 일정한 에너지 밀도를 가질 수 있으며 유리 패널의 기질과 반응성 및 가공성이 좋아서 바람직한 가공속도를 가질 수 있다.
한편, 상기 배기구를 워블 공정에 의하여 천공하는 동안, 상기 광학유닛(20)을 이용하여 초점위치가 등속도로 상기 배기구(86)의 깊이방향으로 따라 소정등분 만큼씩 이동하도록 할 수 있다(S310). 이 때 상기 등속도는 0.4 내지 0.85m/s로 상기 워블의 진동수 및 진폭을 고려하여 정해진 값이 바람직하다.
이러한 등속도는 레이저 장치에서 발생된 스폿 직경 및 에너지 밀도에 의해서 변경될 수도 있으며, 가공하는 데이터의 사이즈에 의해서도 변경될 수 있다. 상기 0.7mm/s는 현재의 가공 배기구 사이즈 및 레이저 스폿 지경, 에너지 밀도 등을 가지고 반복실험한 결과 0.7mm/s 가 보다 바람직하였다.
이 때, 상기 XY 스테이지 시스템 외에 스텝 모터 등에 의해서 구동되는 Z축 스테이지를 더 구비하여 Z축으로 상기 유리 패널(40)을 천공율을 고려하여 상방 이동시킴으로써 초점 위치를 별도로 변경시키지 않을 수 있다. 또한, 본 실시예에 있어서, 동적 포커싱 렌즈(Dynamic Focusing Lens)를 사용하여 별도의 Z축 스테이지 없이 초점위치를 이동시킬 수 있었다.
이러한 구성에 의하면, 상기 배기구(86)의 깊이방향을 따라 일정한 에너지 밀도를 유지함으로써 상기 배기구(86)의 두께방향 프로파일이 심하게 왜곡되거나 테이퍼지지 않을 수 있다.
또한, 천공과정에서 사용된 초점보다 상방에 초점이 형성되도록 하는 등 디포커싱된 상태에서 상기 배기구의 상하부 표면을 가공한다(S400). 이에 의하여 상기 배기구의 상하부면에서 발생하는 크랙을 소성시킴으로써 제거할 수 있으며, 상기 배기구의 상하부면에 곡면 컬이 형성될 수 있다.
또한, 상기 배기구 상하부면을 가공한 후, 상기 배기구에 배기구의 직경이 2mm 정도인바, 2mm 정도의 노즐을 이용하여 0.5kgf/㎠ 이상의 압력으로 질소 기체를 분사하여 유리 패널의 레이저 가공시 발생하는 열을 냉각시켜주며 이 때 발생된 파티클을 제거한다(S500).
도 4a 및 도 4b는 본 발명의 일 실시예와 비교예에 따른 배기구의 평면도 및 단면도이다.
도 4a는 본 발명의 일 실시예에 따라 천공된 배기구의 평면도 및 단면도로 그 배기구 상부 표면에 크랙의 발생이 거의 없는 것을 알 수 있으며 그 단면도를 통해서 배기구의 높이방향을 따라 절단한 단면이 85 내지 99% 범위 내에서 테이퍼져 있기는 하지만 거의 일정하게 천공된 것을 알 수 있다.
한편, 도 4b는 본 발명의 일 실시예와 같은 조건에서 레이저 포커싱 워블 방법을 이용하지 않고 천공한 경우로 그 평면도에 크랙이 그대로 남아 있고 포화깊이 이상에서는 유리 패널이 용융되고 깨져서 천공이 제대로 되지 않음을 알 수 있다.
이러한 결과의 원인은 도 5를 통해서 더 잘 이해할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예와 비교예에 따른 레이저 에너지 밀도 대 천공 깊이를나타낸 그래프이다.
본 발명의 일 실시예에 따르면 레이저 에너지 밀도가 천공 깊이에 걸쳐서 거의 일정함을 알 수 있으나, 비교예에 따를 경우 에너지 밀도가 상기 침투깊이에 지수함수적으로 감소하는 것을 알 수 있다. 이 때 비교예는 본 발명의 일 실시예와 같은 파라미터를 사용하지만 단지 레이저 포커싱 워블 방법을 이용하지 않고 단지 원심 공정에 의해서 천공하는 경우이다.
상술한 바와 같은 자외선 레이저를 이용한 유기기판의 천공방법은, 평판표시소자의 배기구뿐만 아니라 체결구와 같은 유리 패널을 관통하는 관통 홀을 형성하기 위하여 유리 패널을 천공하는 경우에도 그 유리 패널의 두께에 따라 레이저 비임의 폭 및 진동수를 달리함으로써 에너지 밀도를 달리하여 구현할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따르면 유리 패널 천공 가공시 상하부에 크랙 발생을 최소화할 수 있는 유리 패널 천공방법을 제공할 수 있다.
또한, 평판표시소자의 배기구 드릴링 가공시 유리 패널 상하부에 크랙 발생을 최소화할 수 있다.
또한, 좁은 피치의 복수의 미세 구멍을 99%의 정확도로 일정하게 배열된 두 기판을 갖는 평면표시소자를 제공할 수 있으며, 배기구 가공 후 공정 오염이나 고온 진공 상태 후 공정에서 불량의 원인이 되는 유리 파티클이 거의 발생되지 않는 평면표시소자를 제공할 수 있다.

Claims (18)

  1. 레이저 장치를 이용한 평판표시소자의 배기구 천공방법에 있어서,
    레이저 비임의 초점위치에 평판표시소자의 적어도 일 유리 패널을 배치하는 단계와,
    상기 레이저 비임을 서로 직교하는 2방향으로 요동시켜 소정 폭의 워블을 복수개 형성하는 단계와,
    상기 워블을 소망 개구형상을 채우도록 동심원 또는 나선을 따라 진행시키는 단계와,
    상기 레이저 비임의 초점위치를 상기 서로 직교하는 2방향에 대해 수직한 방향으로 등속도로 이동시키는 단계와,
    상기 레이저 비임의 초점을 디포커싱한 상태에서 상기 배기구의 표면을 가공하는 단계를 포함하는 레이저 장치를 이용한 평판표시소자의 배기구 천공방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 레이저 비임의 파장은 200㎚내지 400㎚ 범위의 자외선 영역인 레이저 장치를 이용한 평판표시소자의 배기구 천공방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 유리 패널의 두께는 1㎜ 내지 5㎜이내인 레이저 장치를 이용한 평판표시소자의 배기구 천공방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 평판표시소자의 배기구는 1.5㎜ 내지 2.5㎜이내의 직경을 가지며, 상기 배기구가 8㎜ 내지 15㎜ 이내의 거리를 두고 배치되는, 레이저 장치를 이용한 평판표시소자의 배기구 천공방법.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 레이저 비임의 스폿 사이즈는 10㎛ 내지 50㎛ 이내인 평판표시소자의 배기구 천공방법.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 레이저 비임의 스폿 사이즈는 25㎛ 인 평판표시소자의 배기구 천공방법.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 워블은 0.4㎜ 내지 1.0㎜의 진폭을 가지며, 상기 배기구 형상을 채우기 위해서 800 내지 1000개가 형성되는 평판표시소자의 배기구 천공방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 레이저 비임의 초점위치는 상기 워블의 진폭 및 갯수를 고려하여 상기 서로 직교하는 2방향에 대해 수직한 방향으로 등속도로 이동되는 평판표시소자의 배기구 천공방법.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 등속도는 0.4 내지 0.85㎧ 인 배기구 천공방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 평판표시소자용 유리 패널을 소정 위치에 설치하는 단계는 상기 유리 패널 배면에 16℃ 이하의 냉각판을 배치하는 단계를 더 포함하는 평판표시소자의 배기구 천공방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 비임은 Nd3+이온을 포함하며 고체결정으로부터 발생되며 3차 조화파인 평판표시소자의 배기구 천공방법.
  12. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 비임은 F-Theta 렌즈를 사용하여 소정의 스폿 사이즈를 조절하는 평판표시소자의 배기구 천공방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 비임의 에너지 밀도가 상기 서로 직교하는 2방향에 대해 수직한 방향으로 일정하게 제어되는 단계를 더 포함하는 평판표시소자의 배기구 천공방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 레이저 장치는 2kHz 이상의 반복율을 갖는 Q스위치에 의해서 조절되는 평판표시소자의 배기구 천공방법.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 배기구의 직경에 대응하는 직경의 노즐을 통해 질소 기체를 0.5kgf/㎠이상의 압력으로 상기 배기구내로 분사하는 단계를 더 포함하는 평판표시소자의 배기구 천공방법.
  16. 삭제
  17. 유리 패널 1매당 6 내지 8개의 배기구를 가지며, 상기 배기구의 직경이 0.5㎜ 이상이며, 상기 배기구가 상기 유리 패널 1매당 상기 배기구 사이에 8㎜ 내지 15㎜ 이내의 거리를 두고 배치되고, 상기 배기구의 직경이 99%가 일정하고, 상기 배기구의 높이방향을 따라 절단한 단면이 85 내지 99% 범위 내에서 테이퍼형이며, 상기 배기구 내부면과 상기 배기구의 상부 및 하부의 표면상태가 다른 평판표시소자.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 배기구의 상부 및 하부의 표면상태가 상기 배기구 내부면에 비하여 디포커싱 가공에 의한 컬 형성된 평판표시소자.
KR1020060057260A 2006-06-26 2006-06-26 평판표시소자 및 이의 배기구 천공 방법 KR100817928B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060057260A KR100817928B1 (ko) 2006-06-26 2006-06-26 평판표시소자 및 이의 배기구 천공 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060057260A KR100817928B1 (ko) 2006-06-26 2006-06-26 평판표시소자 및 이의 배기구 천공 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20080000039A KR20080000039A (ko) 2008-01-02
KR100817928B1 true KR100817928B1 (ko) 2008-03-31

Family

ID=39212405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060057260A KR100817928B1 (ko) 2006-06-26 2006-06-26 평판표시소자 및 이의 배기구 천공 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100817928B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040049155A (ko) * 2002-12-05 2004-06-11 전자부품연구원 평면 발광램프

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040049155A (ko) * 2002-12-05 2004-06-11 전자부품연구원 평면 발광램프

Also Published As

Publication number Publication date
KR20080000039A (ko) 2008-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4643889B2 (ja) レーザ加工システム及び方法
EP1328372B1 (en) Control of laser machining
US7057133B2 (en) Methods of drilling through-holes in homogenous and non-homogenous substrates
US9346130B2 (en) Method for laser processing glass with a chamfered edge
JP5528587B2 (ja) 電解質シートのマイクロ加工方法
CN1938837B (zh) 在无源电子元件衬底上形成划线的方法
JP5539625B2 (ja) レーザ加工方法
JP6609251B2 (ja) ガラスシートを担体から分離する方法
US20070215581A1 (en) Laser beam machining method and laser beam machining apparatus
JP2007069216A (ja) 無機材料の加工方法
JP2005179154A (ja) 脆性材料の割断方法およびその装置
KR20000022579A (ko) 레이저 천공법, 레이저 가공용 노즐 및 레이저 절단 장치
JP2005132694A (ja) ガラスの切断方法
JP2006035710A (ja) レーザによるガラス加工方法ならびに装置
JP2009040665A (ja) 脆性材料のフルボディ割断方法
JP2003133690A (ja) 超短パルスレーザを用いた回路形成方法
JP2020109820A (ja) プリント基板のレーザ加工方法およびプリント基板のレーザ加工機
KR100817928B1 (ko) 평판표시소자 및 이의 배기구 천공 방법
JP2007012733A (ja) 基板の分割方法
JP7291510B2 (ja) レーザ加工方法
JP2000202664A (ja) レ―ザ穴あけ加工方法
JP2008284577A (ja) レーザ加工方法、フレキシブルプリント基板
JP2006082232A (ja) レーザ加工方法
JP2021050117A (ja) セルの製造方法、セルの製造装置およびセル
JP2023166702A (ja) レーザ光による無機材料の切断方法及び無機材料の切断装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20111116

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130215

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee