KR100808267B1 - 금속판부착 구조의 고주파 종단저항 - Google Patents

금속판부착 구조의 고주파 종단저항 Download PDF

Info

Publication number
KR100808267B1
KR100808267B1 KR1020070043276A KR20070043276A KR100808267B1 KR 100808267 B1 KR100808267 B1 KR 100808267B1 KR 1020070043276 A KR1020070043276 A KR 1020070043276A KR 20070043276 A KR20070043276 A KR 20070043276A KR 100808267 B1 KR100808267 B1 KR 100808267B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
metal plate
layer
substrate
high frequency
resistor
Prior art date
Application number
KR1020070043276A
Other languages
English (en)
Inventor
류제천
김동진
구본급
Original Assignee
한밭대학교 산학협력단
(주) 케이엠씨 테크놀러지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한밭대학교 산학협력단, (주) 케이엠씨 테크놀러지 filed Critical 한밭대학교 산학협력단
Priority to KR1020070043276A priority Critical patent/KR100808267B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100808267B1 publication Critical patent/KR100808267B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C17/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
    • H01C17/006Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for manufacturing resistor chips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01CRESISTORS
    • H01C7/00Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
    • H01C7/003Thick film resistors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/20Resistors

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Non-Reversible Transmitting Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 금속판부착 구조의 고주파 종단저항에 관한것으로 상세하게는 고주파용 종단저항 칩소자의 구조에 있어서, 기판의 상측에 저항층이 도포되어지고, 상기 기판과 저항층의 양단 간에는 입력신호가 인가되어지는 금속전극이 기판의 측면과 하측면을 감싸며 형성되어지며, 상기 저항층의 상측에 저항층이 파손되는 것을 방지하는 보호막층이 형성되고, 상기 보호막층 상측에 소정두께의 금속판이 일정길이와 폭을 가지고 형성되어 접착제로 보호막층과 접합되어지는 것을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 금속판부착 구조의 고주파 종단저항에 대한 것이다.
고주파, 종단저항, 칩소자, 구조, 기판

Description

금속판부착 구조의 고주파 종단저항{High frequency vertical section resistance of metal plate sticking construction}
도 1은 본 발명에 따른 금속판부착 구조의 고주파 종단저항을 나타낸 단면도와 평면도,
도 2는 본 발명에 따른 금속판부착 구조의 고주파 종단저항의 일측에 솔더링부가 형성되어진 것을 나타낸 단면도와 평면도,
도 3은 본 발명에 따른 금속판부착 구조의 고주파 종단저항의 타측에 솔더링부가 형성되어진 것을 나타낸 단면도와 평면도,
도 4는 본 발명에 따른 금속판부착 구조의 고주파 종단저항을 이용해 측정한 반사손실 값을 나타낸 그래프,
도 5는 본 발명에 따른 금속판부착 구조의 고주파 종단저항을 이용해 측정한 VSWR값을 나타낸 그래프.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 기판 20 : 금속전극
30 : 저항층 40 : 보호막층
50 : 접착제 60 : 금속판
70 : 솔더링부
본 발명은 금속판부착 구조의 고주파 종단저항에 관한것으로 상세하게는 고주파용 종단저항 칩소자의 구조에 있어서, 기판의 상측에 저항층이 도포되어지고, 상기 기판과 저항층의 양단 간에는 입력신호가 인가되어지는 금속전극이 기판의 측면과 하측면을 감싸며 형성되어지며, 상기 저항층의 상측에 저항층이 파손되는 것을 방지하는 보호막층이 형성되고, 상기 보호막층 상측에 소정두께의 금속판이 일정길이와 폭을 가지고 형성되어 접착제로 보호막층과 접합되어지는 것을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 금속판부착 구조의 고주파 종단저항에 대한 것이다.
직류와는 달리 고주파 영역에서는 회로 소자, 전자 기기, 혹은 측정기를 도선으로 접속할 때에 두 가닥 도선 간의 분포 상수, 도선에서의 방사, 다른 기기로부터의 유도나 방사 전자기장의 결합 등이 무시할 수 없게 되어, 기기의 성능이나 측정값에 영향을 주게 된다. 그래서 이들의 영향을 될 수 있는 한 적게 하든가, 혹은 적절하게 평가할 필요가 있다. 더욱이, 도선의 간격이나 형상이 다르거나 시간적으로 변동하면 그 특성이 변화하여 소정의 성능이 얻어지지 않게 되어, 동작도 불안정하거나 측정 오차의 원인이 된다. 그래서 신뢰성이 높은 동작을 확보하기 위해 고주파 영역에서의 소자나 기기의 접속에는 단면 형상이 일정하고, 더구나 그 특성이 이미 알려져 있는 전송 선로(transmission line)가 사용된다. 전송 선로에는 평행판선로, 동축선로, 마이크로스트립선로와 같은 마이크로파 집적회로용 전송 선로, 도파관(waveguide) 및 표면파선로 등이 있다. RF와 microwave 영역의 고주파수에서는 각각의 소자뿐만 아니라 전체회로에서 임피던스 50 Ω에 맞추어져 있으며. 이와 같이 회로의 신호전달 전 선로에서 임피던스를 일정하게 하는 것을 임피던스 정합(matching)이라 한다. 50 Ω으로 결정한 이유는 전력전달은 75 Ω에서 최대가 되고 에너지 loss는 약 30 Ω에서 최소가 때문에 적당한 값으로 50 Ω을 선택한 것이다. 이에 따라 모든 회로 및 전송선로는 임피던스 50 Ω으로 설계되고 제작되어야 한다. 만약 고주파 특성을 조사하여 원하는 주파수 대역에서 임피던스 50 Ω이 허용범위 내에서 벗어나게 되면 인덕턴스와 용량성분을 조절하여 다시 설계를 해야 한다.
어떤 회로에서 특성 임피던스와의 정합이 잘 되었는지에 대한 확인은 임피던스를 바로 측정하기보다는 입사파와 반사파의 비를 측정하는 것이 더 간단하다. 임피던스 정합이 맞지 않으면 입사파의 일부가 저항회로의 부하에서 반사파가 발생하게 된다. 이 때 입사전압에 대한 부하에서의 반사전압의 비를 반사계수
Figure 112007033346572-pat00001
라 정의하며 일반적인 식은 아래와 같다. 식 (1)에서
Figure 112007033346572-pat00002
는 입사전압이며,
Figure 112007033346572-pat00003
는 이에대한 반사전압,
Figure 112007033346572-pat00004
은 부하 임피던스,
Figure 112007033346572-pat00005
은 선로의 특성 임피던스 이다.
Figure 112007033346572-pat00006
(1)
그리고 전원의 전체 가용전력(all available power)은 부하에 다 공급되지 않고 일부 반사하므로써 발생하는 손실을 반사손실(RL; return loss)이라 하며 dB로 표시하여 다음과 같이 정의한다.
Figure 112007033346572-pat00007
(2)
입사파는 감쇠 상수 α에 의해 감소하여 부하를 통과하여 전송하게 될 것인데, 이때 입사전압에 대한 전송전압의 비를 전송계수
Figure 112007033346572-pat00008
라 지칭하며. 이러한 부하에 의하여 발생하는 손실을 다음과 같이 삽입손실(IL; insertion loss)이라 정의하며 dB의 값으로 표시한다.
Figure 112007033346572-pat00009
(3)
전송선로의 부하가 그 선로의 특성임피던스와 다르게 되면 선로에 전원에서의 입사파와 부하에서의 반사파가 공존하게 되므로 두 파는 서로 합성되어 정상파(standing wave)가 발생하게 된다. 그때의 정상파 전압의 최대치와 최소치의 비를 전압 정재파비(VSWR; voltage standing wave ratio)라 한다. 정상파는 반사파의 크기에 의존하고 있으므로 전압 정재파비는 반사 계수로 관계되어지고 다음과 같이 나타낼 수 있다.
Figure 112007033346572-pat00010
(4)
반사계수의 크기는
Figure 112007033346572-pat00011
이므로, 위 식으로부터 전압 정재파비가 가질 수 있는 범위는
Figure 112007033346572-pat00012
임을 알 수 있고 반사 손실을 수치로 표현함으로써 임피던스 정합에 대해 더 쉽게 확인할 수 있다.
Figure 112007033346572-pat00013
인 경우, 선로의 특성임피던스
Figure 112007033346572-pat00014
와 부하임피던스
Figure 112007033346572-pat00015
이 같은 경우를 가리키므로 이와 같은 조건을 임피던스정합(Impedance matching)이라 한다.
지금까지 설명한 바와 같이 종단저항의 임피던스는 전체 사용주파수 범위에 걸쳐 부하임피던스와 동일하게 50Ω 으로 매칭되어야만 한다.
그러나 종단저항의 전극과 저항패턴에 따라 임피던스 매칭은 매우 달라지며, 전극과 저항 패턴의 설계에 따라 종단저항의 특성은 결정되게 된다. 기존의 고주파용 종단저항 칩소자의 구조에 대하여 도면 1에 나타내었다. 도면 1과 같이 1~2mm 정도 두께의 세라믹에 먼저 전극패턴을 인쇄 또는 증착한다. 이때 페이스트를 인쇄. 소성공정으로 제작할 때는 후막 소자가 되고, 전극 물질을 스퍼터링 또는 열 증착기로 증착시는 박막소자가 된다. 전극 증착후에 저항소자를 이전과 동일하게 인쇄 또는 증착하여 종단저항 칩소자를 제작하게 된다. 기존의 전극과 저항 패턴은 도면 1과 같은 구조로 만들어 진다. 이때 칩소자의 고주파 특성은 전극과 저항의 패턴형태로 결정되어 진다. 그래서 실제 고주파 칩소자의 전극과 저항은 다양한 형태를 가지고 만들어진다.
그러나 작은 크기의 칩소자는 제한된 면적으로 인하여 다양한 패턴을 구성할 수 있는 가능성이 매우 적다. 그래서 고주파수 특성은 일반적으로 좋지 않다.
그리고, 실제 사용될 수 있는 도면 1의 종단저항 칩소자의 규격은 반사손실 -25dB 이하, 정재파비(VSWR) 1.1 이하 정도로 이 규격을 적용하면 종단저항 칩소자의 사용영역은DC ~ 1 ㎓ 로 제한된다.
본 발명은 상기의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 기판의 상측에 저항층이 도포되어지고, 상기 기판과 저항층의 양단 간에는 입력신호가 인가되어지는 금속전극이 기판의 측면과 하측면을 감싸며 형성되어지며, 상기 저항층의 상측에 저항층이 파손되는 것을 방지하는 보호막층이 형성되고, 상기 보호막층 상측에 금속판이 일정길이와 폭을 가지고 형성되어 접착제로 보호막층과 접합되어지는 것을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 금속판부착 구조의 고주파 종단저항을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 상기의 목적을 달성하기 위하여 아래와 같은 특징을 갖는다.
본 발명은 고주파용 종단저항 칩소자의 구조에 있어서, 기판의 상측에 저항층이 도포되어지고, 상기 기판과 저항층의 양단 간에는 입력신호가 인가되어지는 금속전극이 기판의 측면과 하측면을 감싸며 형성되어지며, 상기 저항층의 상측에 저항층이 파손되는 것을 방지하는 보호막층이 형성되고, 상기 보호막층 상측에 금속판이 일정길이와 폭을 가지고 형성되어 접착제로 보호막층과 접합되어진다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명한 다.
도 1은 본 발명에 따른 금속판부착 구조의 고주파 종단저항을 나타낸 단면도와 평면도이고, 도 2는 본 발명에 따른 금속판부착 구조의 고주파 종단저항의 일측에 솔더링부가 형성되어진 것을 나타낸 단면도와 평면도이며, 도 3은 본 발명에 따른 금속판부착 구조의 고주파 종단저항의 타측에 솔더링부가 형성되어진 것을 나타낸 단면도와 평면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 금속판부착 구조의 고주파 종단저항을 이용해 측정한 반사손실 값을 나타낸 그래프이며, 도 5는 본 발명에 따른 금속판부착 구조의 고주파 종단저항을 이용해 측정한 VSWR값을 나타낸 그래프이다.
본 발명은 고주파용 종단저항 칩소자의 구조에 있어서, 기판(10)의 상측에 저항층(30)이 도포되어지고, 상기 기판(10)과 저항층(30)의 양단 간에는 입력신호가 인가되어지는 금속전극(20)이 기판(10)의 측면과 하측면을 감싸며 형성되어지며, 상기 저항층(30)의 상측에 저항층(30)이 파손되는 것을 방지하는 보호막층(40)이 형성되고, 상기 보호막층(40) 상측에 소정두께의 금속판(60)이 일정길이와 폭을 가지고 형성되어 접착제(50)로 보호막층(40)과 접합되어진다.
이때, 상기 금속판(60)은 길이방향의 일측 또는 타측이 금속전극(20)측으로 연장 형성되어진다.
그리고, 상기 금속판(60)은 금속전극(20)과 솔더링으로 일측 또는 타측이 연결되어진 솔더링부(70)가 형성되어진다.
또한, 상기 금속판의 상측에는 보호막층이 추가로 형성되어 금속판을 보호하도록 형성할 수 있다.
본 발명을 좀더 상세하게 일실시 예를 들어 설명하면 다음과 같다.
세라믹 기판(10)의 상측에 저항층(30)을 형성하고, 상기 기판(10)의 일측과 타측을 일부분 덮는 금속전극(20)이 형성되어 상기 저항층(30) 하측 양단의 일부분부터 기판(10)의 양측 외표면을 덮도록 형성되며, 상기 기판(10)의 표면에 형성되는 금속전극(20)의 하측면 일부분이 일정간격 이격되어 금속전극(20)이 분할되는 형태로 형성되어지고, 상기 저항층(30)의 상측을 보호막층(40)을 도포하여 저항층(30)을 보호하도록 하며, 상기 저항층(30)의 상측에 금속판(60)을 접합시키는데 이때 상기 금속판(60)과 보호막층(40) 간에 접착제(50)가 개재되어 두 층을 접착시키게 된다.
그리고, 상기 금속판(60)은 보호막층(40)의 일측 또는 타측을 덮도록 연장 형성되어 금속전극과 솔더링으로 연결되어진다.
이때, 상기 금속판의 상측에는 보호막층이 추가로 형성되어 금속판을 보호하도록 형성할 수 있다.
상기에서 기술된 바와같이 본 발명은, 현재 작은 크기의 종단저항에서는 설계, 제작상의 난점으로 인하여 좋은 고주파 특성을 가진 칩소자를 제작하기가 매우 힘든데, 얇은 금속판을 저항 보호막위에 접착하는 간단한 구조변경을 함으로써 높은 주파수 범위에서도 안정적으로 작동할 수 있는 종단저항 칩소자를 제작할 수 있게 되었다.
또한, 본 발명의 종단저항으로 측정한 결과 3 ㎓ 의 주파수 대역에서 반사손 실(return loss)이 기존의 -17 dB에서 -37 dB까지 크게 개선되며, 이로써 사용주파수가 기존의 DC 1 ㎓에서 DC 3 ㎓ 이상 높아지는 효과가 있다.

Claims (3)

  1. 고주파용 종단저항 칩소자의 구조에 있어서,
    기판(10)의 상측에 저항층(30)이 도포되어지고, 상기 기판(10)과 저항층(30)의 양단 간에는 입력신호가 인가되어지는 금속전극(20)이 기판(10)의 측면과 하측면을 감싸며 형성되어지며, 상기 저항층(30)의 상측에 저항층(30)이 파손되는 것을 방지하는 보호막층(40)이 형성되고, 상기 보호막층(40) 상측에 소정두께의 금속판(60)이 일정길이와 폭을 가지고 형성되어 접착제(50)로 보호막층(40)과 접합되어지는 것을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 금속판부착 구조의 고주파 종단저항.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 금속판(60)은 길이방향의 일측 또는 타측이 금속전극(20)측으로 연장 형성되어지는 것을 특징으로 하는 금속판부착 구조의 고주파 종단저항.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 금속판(60)은 금속전극(20)과 솔더링으로 일측 또는 타측이 연결되어진 솔더링부(70)가 형성되는 것을 특징으로 하는 금속판부착 구조의 고주파 종단저항.
KR1020070043276A 2007-05-03 2007-05-03 금속판부착 구조의 고주파 종단저항 KR100808267B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070043276A KR100808267B1 (ko) 2007-05-03 2007-05-03 금속판부착 구조의 고주파 종단저항

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070043276A KR100808267B1 (ko) 2007-05-03 2007-05-03 금속판부착 구조의 고주파 종단저항

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100808267B1 true KR100808267B1 (ko) 2008-02-29

Family

ID=39383594

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070043276A KR100808267B1 (ko) 2007-05-03 2007-05-03 금속판부착 구조의 고주파 종단저항

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100808267B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105845297A (zh) * 2016-05-16 2016-08-10 上海芯石微电子有限公司 一种氮化钽金属薄层电阻结构及其制备方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04125903A (ja) * 1990-09-17 1992-04-27 Hirose Electric Co Ltd 高周波用終端抵抗器
KR980005078A (ko) * 1996-06-12 1998-03-30 방서연 박막 저항체의 제조 방법
KR20030078236A (ko) * 2002-03-28 2003-10-08 (주) 케이엠씨 테크놀러지 이동통신용 세라믹 고주파 전력분배기 제조방법
KR20050087589A (ko) * 2004-02-27 2005-08-31 (주) 케이엠씨 테크놀러지 박막 고주파 전력분배기 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04125903A (ja) * 1990-09-17 1992-04-27 Hirose Electric Co Ltd 高周波用終端抵抗器
KR980005078A (ko) * 1996-06-12 1998-03-30 방서연 박막 저항체의 제조 방법
KR20030078236A (ko) * 2002-03-28 2003-10-08 (주) 케이엠씨 테크놀러지 이동통신용 세라믹 고주파 전력분배기 제조방법
KR20050087589A (ko) * 2004-02-27 2005-08-31 (주) 케이엠씨 테크놀러지 박막 고주파 전력분배기 제조방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105845297A (zh) * 2016-05-16 2016-08-10 上海芯石微电子有限公司 一种氮化钽金属薄层电阻结构及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8928428B2 (en) On-die radio frequency directional coupler
JP2009268122A (ja) チューナブル整合回路
CN113574735B (zh) 可表面安装的耦合器以及用于形成该耦合器的方法
US5370458A (en) Monolithic microwave power sensor
US20090015355A1 (en) Compensated attenuator
KR100808267B1 (ko) 금속판부착 구조의 고주파 종단저항
Wentworth et al. The high-frequency characteristics of tape automated bonding (TAB) interconnects
JPS5930323B2 (ja) ストリツプ線路用無反射終端
WO2005093896A1 (en) Directional coupler
US9634635B2 (en) RF attenuator device and system
US11430587B2 (en) High frequency spiral termination
KR100799295B1 (ko) 고주파용 종단저항 칩소자
JP3652203B2 (ja) 配線基板
US20070252660A1 (en) Single-substrate planar directional bridge
US20040085150A1 (en) Terminations for shielded transmission lines fabricated on a substrate
JP3435028B2 (ja) 高周波用半導体装置
US20240213948A1 (en) Systems and methods for frequency equalization and temperature compensation in radio frequency devices
GB2086163A (en) Microwave detector arrangement
WO2009157563A1 (ja) 伝送線路基板及び高周波部品の測定装置
KR100706612B1 (ko) 박막저항의 저항값 보정 기능을 가진 50 오옴 단락 장치 및 그를 이용한 무선주파수 회로용 가변 저항 장치
GB2128827A (en) Microwave detector arrangement
JP3908860B2 (ja) 配線構造およびその配線の製法
CN116491024A (zh) 紧凑型薄膜可表面安装的耦合器
JPH1174705A (ja) マイクロ波回路
JP2002324826A (ja) 高周波用プロービングパッド

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130109

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140106

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150115

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160108

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170206

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee