KR100806338B1 - 반도체 기판의 공정 후 토폴로지 제어 시스템, 화학적기계적 연마 시스템의 제어 방법, 화학적 기계적 연마시스템용 퍼지 로직 제어 장치, 및 이를 이용하여 제조된반도체 장치 - Google Patents
반도체 기판의 공정 후 토폴로지 제어 시스템, 화학적기계적 연마 시스템의 제어 방법, 화학적 기계적 연마시스템용 퍼지 로직 제어 장치, 및 이를 이용하여 제조된반도체 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100806338B1 KR100806338B1 KR1020060085868A KR20060085868A KR100806338B1 KR 100806338 B1 KR100806338 B1 KR 100806338B1 KR 1020060085868 A KR1020060085868 A KR 1020060085868A KR 20060085868 A KR20060085868 A KR 20060085868A KR 100806338 B1 KR100806338 B1 KR 100806338B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- polishing
- chemical mechanical
- metrology
- mechanical polishing
- fuzzy logic
- Prior art date
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 104
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 75
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 title description 19
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 title 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 21
- 238000011065 in-situ storage Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000010926 purge Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 15
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 7
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 4
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 13
- 230000008569 process Effects 0.000 description 37
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000013317 conjugated microporous polymer Substances 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000013507 mapping Methods 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- 238000001314 profilometry Methods 0.000 description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- IERHLVCPSMICTF-XVFCMESISA-N CMP group Chemical group P(=O)(O)(O)OC[C@@H]1[C@H]([C@H]([C@@H](O1)N1C(=O)N=C(N)C=C1)O)O IERHLVCPSMICTF-XVFCMESISA-N 0.000 description 1
- 238000012369 In process control Methods 0.000 description 1
- 230000003044 adaptive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002547 anomalous effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000010965 in-process control Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 210000003643 myeloid progenitor cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B51/00—Arrangements for automatic control of a series of individual steps in grinding a workpiece
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Constituent Portions Of Griding Lathes, Driving, Sensing And Control (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 반도체 제조 공정에서 화학적 기계적 연마 제어용 가변성 시스템을 제공한다. 본 발명의 상기 시스템은 계측 장치 또는 메트롤로지 장치를 갖는 인-시츄 화학적 기계적 연마 시스템을 이용하여 반도체 웨이퍼를 제1 설정값까지 연마한다. 제1 설정값에 도달하면, 상기 인-시츄 화학적 기계적 연마 시스템에 통신으로 연결된 퍼지 로직 제어 장치가 후속 연마를 제어한다. 계측 장치의 측정 데이터는 상기 퍼지 로직 제어 장치에 의해 처리되어, 상기 연마 시스템이 바람직한 웨이퍼 토포그래피를 제공할 수 있도록 후속 연마 시간을 조정한다.
화학적 기계적 연마, 퍼지 로직 제어
Description
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 화학적 기계적 연마 시스템을 보여준다.
본 발명은 반도체 제조 공정에 관련된 것으로 더욱 상세하게는 공정 후 바람직한 토포그래피(topography)를 달성할 수 있는 공정 제어용 장치 및 방법에 관련된 것이다.
고집적화의 계속된 요구는 무엇보다도 반도체 장치의 외형을 급격히 감소시켰고, 이로 기인하여 반도체 장치 내 모든 구조물들의 성능을 최적화하기 위한 계속된 노력을 야기하였다. 반도체 장치의 제조 공정, 물질 조성, 및 능동 회로 수준의 배치(layout)에 있어서 많은 진보와 혁신이 초고집적화된 회로 설계를 가능하 게 하였다. 또, 고집적 회로 설계는 많은 동작 특성들을 향상시켰을 뿐만 아니라, 반도체 물질 특성 및 거동의 중요성과 이에 대한 관심을 증가시켰다.
집적회로의 증가된 패킹 밀도(packing density)는 반도체 제조 공정에 많은 어려움을 유발한다. 모든 장치는 집적회로 장치의 동작 특성을 손상시키지 않는 범위 내에서 더 작아져야 한다. 높은 패킹 밀도, 낮은 열 발생, 및 낮은 소비 전력은 높은 신뢰성과 긴 동작 수명과 함께 장치의 기능적 열화없이 유지되어야 한다. 집적회로의 증가된 패킹 밀도는 통상 축소된 피처 크기(feature size)를 동반한다.
집적회로가 고집적화됨에 따라, 집적회로의 트랜지스터들과 다른 반도체 장치들을 연결하는 배선층들의 폭이 감소된다. 배선층들과 반도체 장치들의 폭이 감소함에 따라 그 저항은 증가한다. 따라서, 반도체 제조회사들은 예컨대, 종래의 알루미늄 배선 대신에 구리 배선을 사용하여 더 작고, 더 빠른 장치들을 만들려고 노력한다. 그러나, 대부분의 반도체 공정에서 구리를 식각하는 것은 매우 어렵다. 따라서, 구리 배선을 형성하기 위해 다마신 공정이 사용되고 있다.
다마신 공정은 통상 구리 함유 구조물의 하부 및 양측에 위치하는 절연막 내에 트렌치 및/또는 오프닝을 형성하는 것을 포함한다. 트렌치 또는 오프닝이 형성되면, 구리 함유 물질의 블랭킷층(blanket layer)이 반도체 장치 전면에 형성된다. 상기 구리의 블랭킷층은 전기화학적 증착(ECD:electrochemical deposition)으로 형성될 수 있다. 상기 블랭킷층의 두께는 적어도 가장 깊은 트렌치 또는 오프닝만큼 두꺼워야 한다. 트렌치 또는 오프닝이 구리 함유 물질로 채워진 후 상기 트렌치 또는 오프닝 위와 상기 절연막 위의 구리 함유 물질이 예컨대, 화학적 기계적 평탄화 또는 연마(CMP:chemical mechanical planarization or polishing)에 의해 제거되고, 상기 트렌치와 오프닝 내부에 구리 함유 물질이 남게 된다.
CMP가 수행되는 동안 구리 및 인접한 절연막이 다른 속도로 제거된다. 전형적으로, 구리 선택적 화학 슬러리가 적용되고, 제1 회 연마가 수행된다. 이어서, 절연막 선택적 슬러리가 적용되고, 연마가 더 수행된다. 이 공정은 표면 이형들(surface anomalies)과 가지각색의 CMP 후 토포그래피를 발생시킬 수 있다. 구리 배선 밀도와 같은 패턴 구조를 포함해서 많은 인자들이 연마 속도와 표면 이형들에 영향을 미친다. 구리 CMP에서 흔히 발생하는 표면 이형은 디슁(dishing)이다. 디슁은 구리가 인접한 절연막 상부면 위로 돌출하거나 그 아래로 내려갈 때 발생한다. 지나친 디슁은 수율에 불리한 영향을 미칠 수 있기 때문에 CMP 공정의 목적은 CMP 후 평탄한 토포그래프를 획득하는 것이다. 그러나, 실질적으로 일부 공정들은 약간 또는 적절한 정도의 디슁으로 더 나은 수율을 얻을 수 있다. 평탄한 토폴로지가 바람직한지 또는 약간의 디슁을 갖는 토폴로지가 바람직한지 여부와는 별도로, 디슁의 정도를 모니터하여 적극적으로 제어할 수 있는 능력이 최상의 수율을 얻는데 중요하다.
CMP 후 토포그래피를 조절하기 위한 통상적인 방법들이 많이 있다. 전형적으로 상기 방법들은 연마 속도를 예상하거나 측정하기 위한 공정과, 상기 연마 속도를 사용하여 요구되는 총 연마 시간을 계산하는 메커니즘을 포함한다.
그러나, 상기 통상적인 방법들은 CMP 공정에 아주 중요한 영향을 미칠 수 있 는 많은 복합 다변수(multi-variable) 상호작용들, 예컨대, 패드 콘디셔닝(pad conditioning), CMP의 환경적 요인들(예컨대 온도), 슬러리 조성, 또는 물질 특성 저하를 고려하지 못한다. 통상적인 시스템이 상기 변수들을 적절하게 고려하기 위해서는 정밀한 복합 다변수 모델이 필요하다. 이와 같은 정밀한 모델을 개발하는 것은 매우 힘든 일이다. 또, 상기 모델은 광대한 데이터와 지속적인 보수 관리를 필요로 한다. 따라서, 흔히 사용되는 통상의 CMP 공정들은 간단하고, 예측하기 쉬운 모델들 또는 기존 데이터를 추정하는 방법을 사용한다.
그러나, 매우 정밀한 연마 속도 모델의 부재로, 많은 공정들이 장치 특히, 엄격한 공정 조건이 요구되는 장치(예컨대, 얕은 트렌치 분리 장치)를 정밀하게 연마할 수 없다. 예상되는 연마 속도와 실제의 연마 속도 사이에 아주 근소한 차이가 심각한 과소 또는 과잉 연마(under or over polish)를 야기할 수 있다. 상기 과소 또는 과잉 연마가 인지된 경우에는 과소 연마된 웨이퍼들에는 추가 연마 공정이 수행되어야 하므로 공정 비용이 증가할 수 있고, 과잉 연마된 웨이퍼들은 폐기되므로 수율이 저하될 수 있다. 상기 과소 또는 과잉 연마가 인지되지 않은 경우에는 장치의 신뢰성 및 수율이 저하될 수 있다.
본 발명은 이상에서 언급한 상황을 고려하여 제안된 것으로, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 반도체 웨이퍼의 CMP 후 토폴로지를 제어할 수 있는 가변성 시스템(versatile system)을 제공하는 것이다.
본 발명은 쉽고, 효율적이고, 비용 절감적인 방법으로 반도체 웨이퍼의 공정 후 토폴로지를 제어할 수 있는 가변성 시스템을 제공한다. 특히, 본 발명은 반도체 웨이퍼의 CMP 후 토폴로지를 제어하는데 적용될 수 있다. 본 발명은 메트롤로지(metrology) 또는 프로파일로미트리(profilometry)의 평가에 동적(dynamic) 또는 유사 동적(quasi-dynamic) 방법으로 응답하여 CMP 공정의 직접적 제어를 제공한다.
본 발명은 반도체 대량 제조 공정들에 쉽게 통합될 수 있는 시스템을 제공한다. 본 발명의 시스템은 바람직한 방법으로 CMP 공정을 운용하는 제어 서브시스템들을 제공한다. 본 발명의 제어 서브시스템들은 메트롤로지(metrology) 또는 프로파일로미트리(profilometry) 평가 시스템(현재의 CMP 후 토폴로지에 관련된 정확하고 시기적절한 데이터를 제공한다)과 협력하여 바람직한 CMP 후 토폴로지를 달성하기 위해 CMP 변경(modifications)이 필요한지 결정한다. 따라서, 본 발명은 CMP 공정을 최적화하여 통상의 시스템과 관련된 한계점들을 극복하고 능률적이고 효과적인 방법으로 바람직한 CMP 후 토폴로지를 제공한다.
구체적으로, 본 발명은 반도체 제조 공정에서 화학적 기계적 연마(CMP)를 제어할 수 있는 가변성 시스템을 제공한다. 본 발명의 시스템은 계측 장치 또는 메트롤로지 장치를 갖는 인-시츄(in-situ) 화학적 기계적 연마 시스템을 이용하여 제1 설정값(first target)까지 반도체 웨이퍼를 연마한다. 이러한 유형의 시스템의 일 예가 "다층 막질의 화학적 기계적 연마 공정에서 각 막질의 연마시간을 제어하기 위한 시스템 및 방법"이란 제목으로 미국특허공보 제6,827,629호에 개시되어 있다. 상기 시스템 및 방법은 본 출원에서 구체화된다. 제1 설정값에 도달하면, 상 기 인-시츄 화학적 기계적 연마 시스템에 통신으로 연결된 퍼지 로직 제어 장치는 후속 연마를 제어한다. 계측 장치로부터 측정된 데이터는 상기 퍼지 로직(fuzzy logic) 제어 장치에 의해 처리되어, 상기 연마 시스템이 바람직한 웨이퍼 토포그래피를 형성할 수 있도록 후속 연마 시간을 적용한다.
이하 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 발명은 여기서 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다. 본 발명의 다른 특징 및 장점들은 후술하는 실시예들을 참조하면, 당업자에게 명확할 것이다.
이하에서 본 발명의 다양한 실시예들이 설명되지만, 본 발명이 제공하는 많은 적용가능한 발명의 개념은 다양한 형태로 구체화될 수 있다. 예시적인 관점에서 본 발명은 반도체 제조 공정에 있어서, 화학적 기계적 평탄화 또는 연마(CMP)의 운용 및 제어에 관련하여 설명된다. 본 발명의 실시예들은 제조 및 연마에 있어서 다양한 형태로 변형되어 적용될 수 있다. 따라서, 여기서 소개되는 실시예들은 발명을 이해하고, 실시하기 위한 방법들을 단지 예시하는 것이며, 본 발명의 범위를 한정해서는 안된다.
본 발명은 쉽고, 효율적이고, 비용 절감적인 방법으로 반도체 웨이퍼의 공정 후 토폴로지를 제어할 수 있는 가변성 시스템을 제공한다. 특히, 본 발명은 반도체 웨이퍼의 CMP 후 토폴로지를 제어하는데 적합하다. 본 발명은 웨이퍼 표면 토 폴로지 평가에 동적(dynamic) 또는 유사 동적(quasi-dynamic) 방법으로 응답하여 CMP 공정의 직접적 제어를 제공한다.
CMP 후 토폴로지를 측정하거나 프로파일할 수 있는 통상의 방법들이 많이 존재한다. 전형적으로 이는 메트롤로지로 호칭된다. 어떤 적절한 메트롤로지 시스템 또는 방법은 본 발명에 따라 사용될 수 있다. 그러나, 제조사의 요구 또는 제한에 따라 다른 방법들과 실질적으로 비교 검토될 수 있다. 많은 다른 인-시츄 메트롤로지 방법들이 반도체 제조에 사용될 수 있다. 이중 일부 방법들은 웨이퍼와 표면 접촉을 요구한다. 그러나, 이러한 방법들은 유해할 수 있다. 일부 방법들은 온도와 마찰을 바탕으로 한 프로파일링 또는 측정에 의존한다. 인-시츄 속도 모니터링(In-Situ Rate Monitoring, ISRMTM) 시스템과 같은 메트롤로지 시스템들은 레이저를 바탕으로 한 광학 장치를 사용하는 비접촉식이다.
그러나, 현재의 메트롤로지 시스템들은 보통 CMP 후 토포그래피의 상대적인 물리적 측정이나 특성만을 제공할 수 있을 뿐이며, 실시간 메트롤로지 데이터를 바탕으로 하여 CMP 공정을 적극적으로 제어하지 못한다.
메트롤로지 데이터에 응답하여 CMP 후 토폴로지를 수정하기 위한 방법들이 존재하지만, 이러한 방법들도 여러 단점들을 가지고 있다. 대부분의 통상적인 방법들은 부가적인 공정 또는 장치의 배치 및 설계의 변경을 요한다. 이에 의해 생산 비용이 증가하고, 생산 공정의 효율이 감소할 수 있다. 이러한 방법들은 공정을 최적화시키지 못하고, 공정수를 증가시킨다.
이에 더하여, 많은 통상적인 방법들은 정적인 특성을 갖는다. 즉, 메트롤로지 데이터의 미세한 차이를 처리하기 위하여 스팟 대 스팟(spot to spot), 웨이퍼 대 웨이퍼(wafer to wafer), 심지어 로트 대 로트(lot to lot)로 진행되는 CMP 공정의 동적 운용이 이루어질 수 없다. CMP 공정을 변경하기 위한 노력과 비용이 아무런 성과도 얻지 못하고 수율만을 저하시키는 경우가 종종 있다. 또, 많은 통상의 시스템들은 현재의 메트롤로지 및 CMP 제어 구성 요소들과 잘 부합되도록 설계되지 않았다.
이와 대조적으로 본 발명은 반도체 대량 생산 공정에 잘 통합될 수 있는 시스템을 제공한다. 본 발명의 시스템은 CMP 공정, 특히 과잉 연마를 바람직한 방법으로 조절할 수 있는 퍼지 로직 제어 시스템을 제공한다. 제어 서브시스템은 이미 존재하는 또는 새로운 메트롤로지 또는 연마 시스템과 함께 사용될 수 있다. 따라서, 본 발명은 CMP 공정을 최적화하여 능률적이고 효과적인 방법으로 바람직한 CMP 후 토포그래피를 제공한다.
본 발명의 시스템은 모델링과, 연마 또는 메트롤로지 평가 시스템과 통합될 수 있는 제어 서브시스템을 제공한다. 메트롤로지 장치 또는 시스템과 관련된 많은 실시예들이 있지만, 본 발명의 메트롤로지 시스템은 웨이퍼 토포그래피, 특히 현재 및 최근의 CMP 후 토포그래피와 관련된 정확하고 시기적절한 데이터를 제공하여야 한다.
본 발명은 바람직한 CMP 후 토포그래피를 달성하기 위해 필요한 CMP 변경 또는 보충을 결정하기 위해 현재 및 최근의 데이터를 이용한다. 따라서, 본 발명은 CMP 공정을 최적화하여 바람직한 CMP 후 토포그래피 특성을 제공한다.
본 발명의 실시예에서, CMP는 연속적인 두 단계로 진행될 수 있다. 설계, 제조 공정, 또는 테스트 조건 등에 따라, 상기 두 단계는 시간적 간격없이 진행될 수도 있고, 약간의 시간적 간격을 두고 진행될 수도 있다. 제1 단계는 표준 인-시츄 메트롤로지 및 CMP 시스템을 사용하여 웨이퍼 표면을 제1 설정값(예컨대, 소정의 두께)까지 연마한다. 상기 설정값에 도달되면, 퍼지 로직 제어 시스템이 제2 설정값(최종 두께)이 얻어질 때까지 수행되는 연마/과잉연마를 조정한다.
본 발명의 실시예에서는 ISRMTM 메트롤로지 시스템을 이용하는 CMP 공정을 예로 들어 설명한다. 일반적으로, ISRMTM 메트롤로지는 연마되는 층 또는 표면의 두께의 변화에 대한 광학적 신호의 상대적 세기와 관련이 있다. 상기 메트롤로지 시스템에서는 종말점 추적(endpoint trace)에서 접선의 기울기가 영인 지점(zero-degree slope)(예컨대, 파형의 상위점(flat peak)이나 하위점(valley))이 연마 후 두께를 측정하는데 최적일 것이다.
제1 설정값이 반드시 종말점 추적 상의 상위점 또는 하위점과 일치하는 것은 아니기 때문에, 최종 설정값(최종 두께)까지 표면을 연마하는 과잉연마가 벌크 연마 이후에 추가될 수 있다. 본 발명의 퍼지 로직 제어 시스템이 이 단계를 조정한다.
본 발명은 도 1을 참조하여 상세하게 설명된다. 도 1은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 공정 시스템(100)을 보여준다. 시스템(100)은 반도체 웨이퍼(106) 상 에 CMP(104)를 수행하는 연마 장치(102)를 포함한다. 웨이퍼(106)의 초기 두께에 관한 초기 데이터는 벌크 연마 제어 장치(108)에 전달된다. 또, 제1 연마 설정값도 벌크 연마 제어 장치(108)에 전달되어 저장된다. 벌크 연마 제어 장치(108)는 계측 장치(110)로부터 현재 두께 또는 토포그래피 정보를 받는다.
계측 장치(110)는 적절한 메트롤로지 또는 프로파일로미트리 시스템 또는 장치를 포함할 수 있다. 본 실시예에서, 계측 장치(110)는 레이저에 기초한 비접촉식 메트롤로지 시스템으로 설명된다. 그러나, 다른 실시예에서, 계측 장치(110)는 스타일러스(stylus)에 기초한 프로파일로미터 또는 다른 접촉식 메트롤로지 시스템을 포함할 수 있다.
벌크 연마 제어 장치(108)는 연마 장치(102)에 제어 신호를 제공하고, 연마 장치(102)는 웨이퍼(106) 상에 벌크 연마를 수행한다. 벌크 연마 제어 장치(108)는 계측 장치(110)로부터 받은 측정 데이터를 처리할 수 있는 적절한 운용 시스템(예컨대, ISRM)을 사용하여, 연마 장치(102)를 제어한다. 제1연마 설정값에 도달되면, 벌크 연마 제어 장치(108)가 아닌 퍼지 로직 제어 장치(112)가 연마 장치(102)를 제어한다. 웨이퍼(106)에 대한 가장 최근의 측정 데이터, 이전의 측정 데이터 중 일부 데이터, 연마 속도의 지수와 관련된 정보가 퍼지 로직 제어 장치(112)에 전달된다. 퍼지 로직 제어 장치(112)가 직접 연마 속도를 계산 또는 결정할 수도 있고, 이러한 데이터가 외부 소오스(예컨대, 벌크 연마 제어 장치(108))로부터 퍼지 로직 제어 장치(112)에 제공될 수도 있다. 또, CMP 후 토포그래피의 최종 설정값이 퍼지 로직 제어 장치(112)에 제공된다.
퍼지 로직 제어 장치(112)는 최종 설정값에 대하여 측정 데이터 및 연마 속도 데이터를 분석하고 처리한다. 최종 설정값을 현재 측정 데이터, 최근 측정 데이터, 및 연마 속도 데이터와 비교하여, 퍼지 로직 제어 장치(112)는 연마를 조정할 수 있도록 연마 장치(102)에 신호를 보낸다. 예를 들어, 퍼지 로직 제어 장치(112)가 최종 설정값에 거의 도달된 것으로 판단하면, 연마 속도를 낮추도록 연마 장치(102)에 신호를 보낼 수 있다. 최종 설정값과 현재 측정값 사이에 차이가 크다면, 퍼지 로직 제어 장치(112)는 연마 속도 또는 압력을 증가시키도록 연마 장치(102)에 신호를 보낼 수 있다.
퍼지 로직 제어 장치(112)는 퍼지 로직 시스템을 바탕으로 하여 운용된다. 퍼지 시스템은 퍼지 이론(fuzzy set theory, fuzzy if then rules, fuzzy reasoning)의 개념들을 기초로 하여 그 틀을 산정한다. 퍼지 추론 과정(fuzzy inference process)은 세 개의 개념적인 구성 요소들 - 1)퍼지 규칙들을 선택하는 것을 포함하는 규칙 기반(rule base), 2)멤버쉽 함수들(membership functions)을 정의하는 데이터베이스, 3)규칙과 주어진 사실에 추론 절차를 수행하여 합리적 출력(output) 또는 결론을 유도하는 추론 함수(reasoning function) - 을 포함한다.
때때로 공정 제어 시스템에 있어서, 퍼지 출력을 가장 잘 나타낼 수 있는 실질적인 값을 추출하는 것이 필요하다. 실질적인 입력 및 출력으로 퍼지 시스템은 입력 공간에서 출력 공간까지 비선형 매핑(mapping)을 이행한다. 이러한 매핑은 많은 이프-덴 규칙(if-then rules)들에 의해 완성되고, 이들 각각은 매핑의 국부적 작용을 기술한다.
예컨대, 한 세트의 데이터 또는 설정값 X가 있다. 데이터(또는 설정값)을 포함하는 또 다른 세트는 A로 표시된다. 데이터 세트 X의 각각의 값은 x로 표시된다. μA(x)는 세트 X와 A를 연결하는 멤버쉽 함수이다. 멤버쉽 함수 μA(x)의 값은 0과 1 사이에 위치하며, x가 A에 포함되는 정도(degree)를 결정한다. μA(x)의 높은 값은 x가 A에 포함될 가능성이 크다는 것을 의미한다.
일반적으로, 네 개의 기본적인 멤버쉼 함수 - 1)삼각형(triangular) 2) 사다리꼴(trapezoidal) 3)가우스(Gaussian) 4)일반화 벨(generalized bell)이 있다. 삼각형 함수 - A = triangle (x, a, b, c) - 는 다음과 같이 정의될 수 있다.
이 함수는 삼각형의 모양을 결정하는 세 개의 변수 - a(최소값), b(중간값), c(최대값) - 를 갖는다.
사다리꼴 멤버쉽 함수 - A = trapezoid (x, a, b, c, d) - 는 다음과 같이 정의될 수 있다.
이 함수는 사다리꼴의 모양을 결정하는 네 개의 변수 - a, b, c, d - 를 갖는다. 가우스 함수와 일반화 벨 함수도 이와 유사하게 정의될 수 있다. 멤버쉽 함수는 상기 네 개의 함수에 한정되지 않는다. 바람직한 특성, 시스템, 또는 변수들을 위한 멤버쉽 함수가 제공될 수 있다. 필요한 경우, 다차원(multi-dimensional) 멤버쉽 함수가 사용될 수 있다.
퍼지 로직 제어 장치(112)의 실시예에서, 운용은 세 가지 입력값 - 현재 두께, 연마 운동량(momentum) 또는 속도, 가장 최근 두께의 세 측정값의 평균 - 을 기초로 한다. 다음 연마 속도의 적절한 산출은 가장 최근의 연마 속도로부터 획득될 수 있다. 따라서, 현재 두께가 입력값들 중 하나가 된다. 연마 운동량은 물질 두께의 변화율을 모니터하기 위해 제공된다. 급격한 두께 보정은 오버슈트(overshoot)로 인해 공정을 불안정하게 만들 수 있기 때문에 바람직하지 않다. 가장 최근 두께의 세 측정값의 평균은 표시되는 두께값들이 변칙적으로 변하는 효과를 줄일 수 있다. 다른 실시예에서는 적절하고 바람직한 수의 측정값들의 평균이 사용될 수 있다.
본 실시예에서, 가우스 벨 멤버쉽 함수는 입력용으로 제공될 수 있고, 삼각형 멤버쉽 함수는 출력용으로 제공될 수 있다. 가우스 벨 멤버쉽 함수는 세 개의 조정 변수를 갖지만, 삼각형 멤버쉽 함수는 두 개의 조정 변수를 갖는다. 다음과 같은 일련의 규칙들이 제공될 수 있다. 1)두께가 설정값에 도달하는 경우, 연마시간 변화량은 0이 된다; 2)두께가 받아들여질 수 있고, 연마 운동량이 안정된 경우, 네가티브(negative)인 경우, 또는 포지티브(positive)인 경우, 연마시간 변햐량은 각각 조금 감소, 조금 감소, 또는 0이 된다.; 그리고, 3)두께가 두껍거나 얇고, 이 전 측정값들의 평균이 설정값에 도달한 경우, 연마시간 변화량은 각각 조금 증가 또는 조금 감소한다.
공정의 특성과 사용되는 시스템의 구성요소에 따라 매우 실질적인 수의 조정 변수가 정해질 수 있다. 이러한 변수들이 정해지면 본 발명의 시스템은 재조정(re-tuning)없이 작동할 것이다. 이러한 변수들은 공정에 대한 지식을 바탕으로 하여 미리 정해질 수 있다.
공정 중에 더 많은 데이터가 수집되면, 미리 정해진 값들이 만족스럽지 못할 경우 적절한 퍼지 로직 알고리듬 또는 구성체(예컨대, 적응 뉴로-퍼지 추론 시스템(Adaptive Neuro-Fuzzy Inference System:ANFIS))을 사용하여 변수들은 퍼지 로직 제어 장치에 의해 정밀하게 조절될 수 있다. 조정 변수들의 수는 입력값의 수, 멤버쉽 함수의 태양, 및 규칙 수에 따라 증가할 수 있다. 연마 및 물질 제거 속도를 바탕으로 하는 공정에 있어서, 본 발명의 시스템을 따를 경우 CMP 변수(예컨대, 공정 변수, 소모성 변수)에 기인하는 조정을 하지 않아도 된다.
시스템(100) 및 그 구성 장치들 각각은, 특히 퍼지 로직 제어 장치(112)는 다양한 방법으로 공정을 수행할 수 있다. 각 장치는 독립 장치(stand-alone functions) 또는 통합 장치(integrated functions)로 작동되는 다양한 하드웨어 또는 소프트웨어 구성체, 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 예컨대, 퍼지 로직 제어 장치(112)는 매트랩(MATLABTM)과 같은 적절한 퍼지 로직 소프트웨어가 내장된 독립 컴퓨터 또는 서버에 의해 작동될 수 있다. 다른 실시예에서, 퍼지 로직 제어 장치(112)는 특화된 퍼지 로직 처리 장치(예컨대, 독립 반도체 장치)로 작동될 수 있다. 시스템(100)의 구성 장치는 또한 물리적으로 연결되거나 분리된 구조로 작동될 수 있다. 물리적 조작 또는 작동이 필요한 장치는 하드웨어에서 작동되고, 나머지 장치는 주처리 능력을 중심으로 실행되는 소프트웨어 구성체로 작동된다. 다른 유사한 변형이나 조합들도 본 발명에 포함된다.
따라서, 본 발명에 따르면, 반도체 공정 시스템(예컨대, CMP 공정 시스템)은 웨이퍼 토폴로지의 선택적, 동적 제어를 제공하는 것으로 확장될 수 있다. 본 발명은 구체적이면서도 사실에 바탕을 둔 실시간(real-time) 데이터를 사용하여 최적의 CMP 공정 제어를 제공한다. 본 발명은 폐루프 런투런 제어 시스템(closed-loop run-to-run control system)에서 적절한 총 연마 시간을 결정하기 위해 인-시츄 메트롤로지 또는 계측 시스템과 함께 퍼지 로직을 이용한다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
본 발명의 실시예들에 따르면, CMP 공정을 최적화하여 능률적이고 효과적인 방법으로 바람직한 CMP 후 토포그래피를 달성할 수 있다.
Claims (21)
- 반도체 웨이퍼에 연마 공정을 수행하는 연마 장치;상기 연마 장치에 통신으로 연결되고, 제1 입력 데이터에 응답하여 상기 연마 장치를 제어하는 벌크 연마 제어 장치;상기 벌크 연마 제어 장치에 통신으로 연결되고, 메트롤로지 시스템을 포함하는 계측 장치; 및상기 연마 장치 및 상기 계측 장치에 통신으로 연결되고, 제2 입력 데이터에 응답하여 상기 연마 장치를 제어하는 퍼지 로직 제어 장치를 포함하는 반도체 웨이퍼의 공정 후 토폴로지 제어 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 연마 장치는 상기 반도체 웨이퍼 상에 화학적 기계적 연마 공정을 수행하는 반도체 웨이퍼의 공정 후 토폴로지 제어 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 벌크 연마 제어 장치는 연마 속도 모니터링 시스템을 포함하는 반도체 웨이퍼의 공정 후 토폴로지 제어 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 입력 데이터는 상기 반도체 웨이퍼의 초기 두께 데이터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 공정 후 토폴로지 제어 시스템.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 계측 장치는 프로파일로미터(profilometer)를 포함하는 반도체 웨이퍼의 공정 후 토폴로지 제어 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 계측 장치는 비접촉식 메트롤로지 시스템을 포함하는 반도체 웨이퍼의 공정 후 토폴로지 제어 시스템.
- 제 7 항에 있어서,상기 계측 장치는 레이저 메트롤로지 시스템을 포함하는 반도체 웨이퍼의 공정 후 토폴로지 제어 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 퍼지 로직 제어 장치는 퍼지 로직 소프트웨어를 포함하는 반도체 웨이퍼의 공정 후 토폴로지 제어 시스템.
- 삭제
- 제 1 항에 있어서,상기 제1 입력 데이터는 제1 설정값을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 공정 후 토폴로지 제어 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 제2 입력 데이터는,상기 반도체 웨이퍼의 현재의 측정값;상기 반도체 웨이퍼의 복수의 최근의 측정값들; 및연마 속도 지수를 포함하는 반도체 웨이퍼의 공정 후 토폴로지 제어 시스템.
- 제 1 항에 있어서,상기 제2 입력 데이터는 최종 토포그래피 설정값을 포함하는 반도체 웨이퍼의 공정 후 토폴로지 제어 시스템.
- 메트롤로지 시스템을 포함하는 계측 장치를 갖는 인-시츄 화학적 기계적 연마 시스템을 제공하는 단계;상기 인-시츄 화학적 기계적 연마 시스템을 이용하여 제1 설정값까지 반도체 웨이퍼를 연마하는 단계;상기 인-시츄 화학적 기계적 연마 시스템에 통신으로 연결되는 퍼지 로직 제어 장치를 제공하는 단계;상기 퍼지 로직 제어 장치에 상기 계측 장치의 측정 데이터를 제공하는 단계; 및상기 퍼지 로직 제어 장치를 이용하여 상기 측정 데이터를 처리하고, 상기 처리에 응답하여 상기 연마 시스템에 의한 후속 연마를 제어하는 단계를 포함하는 화학적 기계적 연마 시스템의 제어 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 인-시츄 화학적 기계적 연마 시스템을 제공하는 단계는 인-시츄 연마 속도 모니터링 연마 시스템을 제공하는 것을 더 포함하는 화학적 기계적 연마 시스템의 제어 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 인-시츄 화학적 기계적 연마 시스템을 제공하는 단계는 비접촉식 메트롤로지 시스템을 갖는 인-시츄 화학적 기계적 연마 시스템을 제공하는 단계를 더 포함하는 화학적 기계적 연마 시스템의 제어 방법.
- 제 16 항에 있어서,상기 인-시츄 화학적 기계적 연마 시스템을 제공하는 단계는 레이저 메트롤로지 시스템을 갖는 인-시츄 화학적 기계적 연마 시스템을 제공하는 단계를 더 포함하는 화학적 기계적 연마 시스템의 제어 방법.
- 제 14 항에 있어서,상기 퍼지 로직 제어 장치는 퍼지 로직 소프트웨어를 포함하는 화학적 기계적 연마 시스템의 제어 방법.
- 삭제
- 연마되는 반도체 웨이퍼에 대하여 현재의 두께, 연마 운동량 또는 속도, 및 적어도 세개의 가장 최근의 두께 측정값들의 평균에 관련된 데이터를 받기 위한 입력부;입력 데이터용 제1 멤버쉽 함수;출력 데이터용 제2 멤버쉽 함수;퍼지 규칙들을 선택하는 것을 포함하는 규칙 기반; 및상기 반도체 웨이퍼의 연마를 위한 적절한 시간을 결정하기 위해 상기 규칙 기반에 따라 입력 데이터를 처리하여 상기 출력 데이터용 멤버쉽 함수에 그 결과를 연결하는 퍼지 처리 함수를 포함하는 화학적 기계적 연마 시스템용 퍼지 로직 제어 장치.
- 메트롤로지 시스템을 포함하는 계측 장치를 갖는 인-시츄 화학적 기계적 연마 시스템을 제공하는 단계;상기 인-시츄 화학적 기계적 연마 시스템을 이용하여 제1 설정값까지 반도체 웨이퍼를 연마하는 단계;상기 인-시츄 화학적 기계적 연마 시스템에 통신으로 연결되는 퍼지 로직 제어 장치를 제공하는 단계;상기 퍼지 로직 제어 장치에 상기 계측 장치의 측정 데이터를 제공하는 단계; 및상기 퍼지 로직 제어 장치를 이용하여 상기 측정 데이터를 처리하고, 상기 처리에 응답하여 상기 연마 시스템에 의한 후속 연마를 제어하는 단계를 포함하는 공정에 의해 제조된 반도체 장치.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/262,028 | 2005-10-28 | ||
| US11/262,028 US7636611B2 (en) | 2005-10-28 | 2005-10-28 | Fuzzy logic system for process control in chemical mechanical polishing |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070045904A KR20070045904A (ko) | 2007-05-02 |
| KR100806338B1 true KR100806338B1 (ko) | 2008-02-27 |
Family
ID=37997556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060085868A KR100806338B1 (ko) | 2005-10-28 | 2006-09-06 | 반도체 기판의 공정 후 토폴로지 제어 시스템, 화학적기계적 연마 시스템의 제어 방법, 화학적 기계적 연마시스템용 퍼지 로직 제어 장치, 및 이를 이용하여 제조된반도체 장치 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7636611B2 (ko) |
| KR (1) | KR100806338B1 (ko) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7930058B2 (en) * | 2006-01-30 | 2011-04-19 | Memc Electronic Materials, Inc. | Nanotopography control and optimization using feedback from warp data |
| JP2009224374A (ja) * | 2008-03-13 | 2009-10-01 | Oki Semiconductor Co Ltd | Ｐｅｂ装置及びその制御方法 |
| TWI380144B (en) * | 2008-04-09 | 2012-12-21 | Inotera Memories Inc | Method of fuzzy control for semiconductor machine |
| CN113084707B (zh) * | 2021-03-05 | 2022-06-14 | 华南理工大学 | 一种金刚石机械热化学修整能量的模糊控制方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040027898A (ko) * | 2001-08-22 | 2004-04-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 시뮬레이션 방법 및 장치, 연마 방법 및 장치, 제어파라미터 또는 제어 프로그램 작성 방법 및 장치, 연마시스템, 기록 매체 및 반도체 소자의 제조 방법 |
| KR20040061121A (ko) * | 2002-12-30 | 2004-07-07 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 제조 장치 및 방법 |
| KR20050050106A (ko) * | 2002-10-17 | 2005-05-27 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱 상태 모니터링 장치와 폴리싱 장치 및 방법 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5486129A (en) * | 1993-08-25 | 1996-01-23 | Micron Technology, Inc. | System and method for real-time control of semiconductor a wafer polishing, and a polishing head |
| US5700180A (en) * | 1993-08-25 | 1997-12-23 | Micron Technology, Inc. | System for real-time control of semiconductor wafer polishing |
| US6171174B1 (en) | 1998-06-26 | 2001-01-09 | Advanced Micro Devices | System and method for controlling a multi-arm polishing tool |
| US6230069B1 (en) * | 1998-06-26 | 2001-05-08 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for controlling the manufacture of discrete parts in semiconductor fabrication using model predictive control |
| US6267644B1 (en) * | 1998-11-06 | 2001-07-31 | Beaver Creek Concepts Inc | Fixed abrasive finishing element having aids finishing method |
| US7131890B1 (en) * | 1998-11-06 | 2006-11-07 | Beaver Creek Concepts, Inc. | In situ finishing control |
| US6213848B1 (en) | 1999-08-11 | 2001-04-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for determining a polishing recipe based upon the measured pre-polish thickness of a process layer |
| US7160739B2 (en) * | 2001-06-19 | 2007-01-09 | Applied Materials, Inc. | Feedback control of a chemical mechanical polishing device providing manipulation of removal rate profiles |
| KR100471184B1 (ko) | 2002-12-06 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 다층 막질의 화학 기계적 연마 공정에서 각 막질의 연마시간을 제어하기 위한 시스템 및 그 방법 |
| DE102005000645B4 (de) | 2004-01-12 | 2010-08-05 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Vorrichtung und ein Verfahren zum Behandeln von Substraten |
-
2005
- 2005-10-28 US US11/262,028 patent/US7636611B2/en active Active
-
2006
- 2006-09-06 KR KR1020060085868A patent/KR100806338B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20040027898A (ko) * | 2001-08-22 | 2004-04-01 | 가부시키가이샤 니콘 | 시뮬레이션 방법 및 장치, 연마 방법 및 장치, 제어파라미터 또는 제어 프로그램 작성 방법 및 장치, 연마시스템, 기록 매체 및 반도체 소자의 제조 방법 |
| KR20050050106A (ko) * | 2002-10-17 | 2005-05-27 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 폴리싱 상태 모니터링 장치와 폴리싱 장치 및 방법 |
| KR20040061121A (ko) * | 2002-12-30 | 2004-07-07 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자의 제조 장치 및 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20070100489A1 (en) | 2007-05-03 |
| KR20070045904A (ko) | 2007-05-02 |
| US7636611B2 (en) | 2009-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4880512B2 (ja) | モデル予測制御を用いた、半導体製作における個別部品の生産を制御するための方法およびコントローラ装置 | |
| KR100847368B1 (ko) | 식각 선택도를 제어하기 위한 방법 및 장치 | |
| US8417362B2 (en) | Advanced process control for semiconductor processing | |
| TW201033844A (en) | Advanced process control method and system | |
| KR100806338B1 (ko) | 반도체 기판의 공정 후 토폴로지 제어 시스템, 화학적기계적 연마 시스템의 제어 방법, 화학적 기계적 연마시스템용 퍼지 로직 제어 장치, 및 이를 이용하여 제조된반도체 장치 | |
| US6912437B2 (en) | Method and apparatus for controlling a fabrication process based on a measured electrical characteristic | |
| US7037172B1 (en) | Advanced wafer planarizing | |
| JP2012191071A (ja) | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法、及び電子機器の製造方法 | |
| US6745086B1 (en) | Method and apparatus for determining control actions incorporating defectivity effects | |
| US11244873B2 (en) | Systems and methods for manufacturing microelectronic devices | |
| US6665623B1 (en) | Method and apparatus for optimizing downstream uniformity | |
| US6725121B1 (en) | Method and apparatus for using a dynamic control model to compensate for a process interrupt | |
| JP5686148B2 (ja) | 加工条件の決定方法、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| KR100846685B1 (ko) | 가공 형상의 예측 방법, 가공 조건의 결정 방법, 가공방법, 가공 시스템, 반도체 디바이스의 제조 방법, 계산기프로그램, 및 계산기 프로그램 기억 매체 | |
| US7087527B2 (en) | Extended kalman filter incorporating offline metrology | |
| US20110054819A1 (en) | Method and System for Modeling in Semiconductor Fabrication | |
| US20130241075A1 (en) | Contact or via critical dimension control with novel closed loop control system in chemical mechanical planarization process | |
| US10500693B2 (en) | Run-to-run control for chemical mechanical planarization | |
| US7010381B2 (en) | Versatile system for controlling semiconductor topography | |
| JP2009160691A (ja) | 研磨制御システム、研磨制御プログラム及び半導体装置の製造方法 | |
| JP4333166B2 (ja) | 加工形状の予測方法、加工条件の決定方法、加工量予測方法、加工形状予測システム、加工条件決定システム、加工システム、加工形状予測計算機プログラム、加工条件決定計算機プログラム、プログラム記録媒体、及び半導体デバイスの製造方法 | |
| US11868119B2 (en) | Method and process using fingerprint based semiconductor manufacturing process fault detection | |
| JP2010087243A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2004014874A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2006186131A (ja) | 化学的機械的研磨方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| G170 | Publication of correction | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130131 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140129 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150202 Year of fee payment: 8 |