KR100797227B1 - 결정기판상에 결정층을 증착하기 위한 방법 및 기체유입요소 - Google Patents

Abstract

본 발명은 특히 결정기판 상에 결정층을 증착하기 위한 방법에 관한 것이다. 적어도 두 개의 처리기체가 서로 별도로 가열된 서셉터(16) 위에 위치한 기체 유입 장치를 통해 반응기의 처리실(1) 내부로 유입된다. 상기 두 처리기체 중 제 1 처리기체는 중앙 출구용 개구부(3)를 구비한 중앙 공급라인(2)을 통해 흐르고 제 2 처리기체는 주변 공급라인(4)을 통해 흐르되 이 주변 공급라인(4)은 상기 중앙공급라인에 대해 주변에 배치되어 있으면서 기체침투가능형의 기체 방출링(6)에 의해 형성된 주변출구용 개구부를 가지되, 이 기체 방출링(6)이 환상 대기실(8)을 에워싸고 있다. 본 발명은 상기 주변 출구용 개구부 영역에서 일어나는 기생증착을 방지하기 위해, 상기 서셉터와 마주보는 기체 방출링(6)의 자유단부(6')와 중앙 출구용 개구부(3), 또는 이 기체 방출링(6)의 자유단부(6')나 중앙 출구용 개구부(3)을 에워싸고 있는 상기 기체방출요소의 자유단부측의 방사상의 외측부가 상기 제2처리 기체에 의해 냉각된다.

결정기판, 결정층, 처리실, 기체, 서셉터, 환상 대기실, 기체 방출링

Description

결정기판상에 결정층을 증착하기 위한 방법 및 기체유입요소 {METHOD FOR DEPOSITING CRYSTALLINE LAYERS ON CRYSTALLINE SUBSTRATES, AND GAS-ADMISSION ELEMENT}

본 발명은 가열된 서셉터(heated susceptor) 위에 위치한 기체 방출요소를 통해 적어도 두 개의 처리기체(process gases)가 서로 별도로 반응기의 처리실(process chamber) 내부로 유입되되, 적어도 두 개의 처리기체 중 제 1 처리기체는 중앙 출구용 개구부를 구비한 중앙 공급라인을 통해 흐르고, 제 2 처리기체는 공급라인을 통해 흐르되 이 주변 공급라인은 상기 중앙 공급라인에 대해 주변에 배치되어 있으면서 기체침투 가능형의 기체 방출링에 의해 형성된 주변출구용 개구부를 가지며, 이 기체 방출링이 환상 대기실을 에워싸고 있는, 결정기판 상에 결정층을 증착하기 위한 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명은, 두 개의 처리기체가 가열된 서셉터 위에서 서로 별도로 반응기의 처리실(process chamber) 내부로 유입될 수 있고, 두 개의 처리기체 중 제 1 처리기체를 위한 중앙 출구용 개구부를 갖춘 중앙 공급라인을 가지며, 이 중앙 공급라인에 대해 주변에 배치되고 제 2 처리기체를 위한 주변출구용 개구부를 가지는 주변 공급라인을 가지되, 이 주변출구용 개구부는 환상 대기실을 에워싸는 기체침투 가능형의 기체 방출링에 의해 형성되고, 이 환상 대기실의 폭은 기체유입요소의 길이방향을 따라 취한 단면도에서 중심축에 대해 평행하게 연장되지 않는 후방벽으로 인해 회전 가능한 대칭형의 기체 방출요소의 자유단부를 향해 갈수록 감소하는 결정기판상에 결정층을 증착하기 위한 기체 유입요소에 관한 것이다.

이러한 유형의 기체유입요소는 이미 공지되어 있고, 특히 MOCVD 공정을 위해 상기 처리기체를 원통형의 대칭인 처리실 내부로 유입시키는데 사용되며, 이 처리실을 통해 상기 처리기체가 방사상 방향으로 유동하여 상기 처리실을 에워싸고 있는 기체 방출링을 통해 다시 배출된다. 상기 기체유입요소를 통해 유입되는 반응기체의 분해 생성물로 코팅되는 기판은 서셉터 위에 유성 연동방식으로 배치되며, 고주파에 의해 아래로부터 가열된다. 상기 기체유입요소 영역 또는 방사상의 외향 방향으로 상기 기체유입요소와 바로 경계를 이루는 영역에서, 상기 처리실은 기체상태의 출발물질이 분해되는 유입영역을 가지고 있다. 상기 방사상의 외향방향으로, 상기한 유입영역은 증착영역과 인접해 있고, 이 증착영역 내부에는 분해생성물이 기판을 향해 확산 및 응축되어 단일의 결정층이 형성된다.

공지된 장치에 있어서, 상기 제 2 처리기체는 상기 처리실의 중심 축선방향으로 상기 주변 공급라인을 통과하게 된다. 사용되는 상기 제 2 처리기체는 예컨대, 캐리어 기체인 수소와 함께 TMG 또는 TMI이다. 상기 제 2 처리기체는 상기 환상 대기실의 후방벽에 의해 형성되는 편향벽(deflector wall)과 접촉하게 되며, 이는 실질적으로 종모양으로 연장되어 있다. 상기 기체 방출링은 빗형상의 슬롯들을 구비하고 있고 이들 슬롯을 통해 상기 기체가 상기 대기실로부터 예비 분해과정을 거치게 되는 상기 처리실의 유입영역 내부로 흐를 수 있다. 예컨대, 포스핀 또는 아르신과 같은 금속 수소화물은 상기 중앙 공급라인을 통해 캐리어 기체와 함께 상기 처리실로 유입된다. 상기 중앙 출구용 개구부는 상기 가열 서셉터에 인접 배치되어 있다. 이 중앙 출구용 개구부에서 나온 처리기체는 상기 가열 서셉터의 표면과 상기 기체유입요소의 단부면 사이의 간극을 통해 흐른다. 상기 가열 서셉터의 열방사로 인해, 상기 기체유입요소의 단부면이 가열될 수도 있다. 당연한 결과에 따른 효과로서, 상기 기체유입요소 중 상기 처리실 내부로 돌출되어 있는 부분을 형성하는 전체 석영체(entire quartz body)가 가열된다. 특히, 상기 기체유입요소의 자유단부와 연결되어 있는 대기실 부분 및/또는 상기 기체 방출링의 인접부는 상기 주변 공급라인을 통해 공급된 갈륨 또는 인듐의 금속 유기화합물이 분해되는 공정 도달온도 범위 내에 있게 됨으로써 갈륨 비소화합물 또는 인듐 인화물이 상기 대기실 영역 또는 상기 기체 방출링에서 증착된다. 이들 기생 증착은 단점이 된다.

갈륨 비소인화물 및/또는 인듐 인화물은 뜨거운 표면들 상에서 증착되는 반면에, 상기 중앙 공급라인을 에워싸고 있는 단부면의 외주부가 너무 차가우면, 비소 또는 인이 상기 외주부에 응축될 수도 있다. 이런 현상은 단점으로 작용한다.

본 발명은 한편으론 주변 출구용 개구부 영역에서의 기생증착을 방지하고 다른 한편으론 기체방출요소의 단부면의 방사상 외주부상의 중앙 출구용 개구부를 통해 나오는 V 성분의 응축을 방지할 수 있는 수단을 제안하고자 하는 목적에 기초한 것이다.

상기 목적은 하기 청구의 범위에서 특정되는 본 발명에 의해 달성된다. 청구항 1의 제안에 따르면, 대기실의 후방벽에 의해 형성된 기체 안내면이 절두원추체 또는 회전가능한 쌍곡면 형태를 가짐에 따라 서셉터와 마주보는 기체 방출링의 자유단부와 중앙 출구용 개구부, 또는 이 기체 방출링의 자유단부나 중앙 출구용 개구부를 에워싸고 있는 기체방출요소의 단부측의 방사상의 외측부가 제 2 처리기체에 의해 냉각된다. 이 경우, 상기 주변 공급라인으로부터 처리실로 공급되는 기체의 흐름은, 상기 서셉터의 열방사에 의해 가열되는 후방벽에서 가열되는 방식에 의해, 기체유입요소 중 상기 처리실 내부로 돌출되어 들어가 있는 부분은 기체 안내면에 의해 편향(deflected)된다. 상기 공정에서 소산(dissipated)된 열은 상기 서셉터에 인접한 기체 방출링 또는 상기 대기실 영역을 냉각시킨다. 상기 기체 안내면의 형상은, Ⅴ성분의 증착온도에 의해 하한치가 정해지고 Ⅲ-Ⅴ화합물의 증착온도에 의해 상한치가 정해지게 하는 온도 범위(temperature window) 내에서 상기 기체유입요소의 단부의 온도가 유지될 정도까지만 냉각되게 하는 방식으로 선택될 수 있다. 다공성 기체 방출링으로 인해, 상기 대기실 내부의 압력은 상기 처리실의 압력보다 높은 수준에서 유지되는 것이 바람직하다. 더욱이, 다공성 기체 방출링을 사용하면, 빗형상의 기체 방출링에 비해 상기 빗형상의 기체 방출링 뒤에서 기생증착을 촉진하는 어떠한 와류현상도 발생되지 않는 장점을 확보하게 된다. 만약, 상기 기체방출요소가, 예컨대, 석영 프릿(quartz frit)으로 구성되면 처리기체가 상기 기체 방출링으로부터 균질화된 형태로 배출되는데, 이 유동 프로파일 중 최대의 흐름은 자유단부 쪽으로 편심된 상태로 만곡된다. 기체유입요소의 길이 방향을 따라 취한 단면도에서 오목한 상기 기체 안내면의 곡률반경은 상기한 유동 특성들과 조화를 이룬다. 유동량이 더 많아질수록, 유동량이 적을때보다 상기 기체 안내면의 곡률반경이 더 많아지도록 선택된다. 이때, 기체유입요소의 길이 방향을 따라 취한 단면도에서의 상기 기체 안내면의 윤곽선은, 전체 기체 안내면이 절두원추체의 형상을 갖도록, 특히 직선으로 될 수도 있다. 상기 기체 안내면의 윤곽선이 온도 및 전체 유동체적과 같은 다양한 공정 특징들과 조화를 이룰 수 있도록 하기 위해, 본 발명에 따르면, 기체유입요소 중 상기 처리실 내부로 돌출되어 들어가 있는 부분은 교환가능부(exchangeable part)로 형성된다. 이것은 공급라인에 나사 결합될 수 있다. 상기 기체유입요소 중 상기 부분은 상기 기체 방출링의 캐리어이기도 한 석영부가 바람직하다. 상기 기체 방출링은, 상기 대기실의 후방벽에 의해 형성되고 절두원추체 형상 또는 회전가능한 쌍곡면 형상으로 구성되며 단(段)이 전혀 없는 상태로 공급라인과 위로 연결되는 기체 안내면을 가지고 있다. 상기 기체 안내면을 따라 층류식(laminar fashion)으로 흐르는 기체의 스트림(stream)은 대류 냉각에 영향을 미친다. 또한, 상기 서셉터에 인접한 영역에 있는 상기 기체 방출링으로부터 흘러나오는 기체 유동량이 증가함으로써 정화효과(purging effect)가 일어난다. 갈륨비소 화합물 증착공정의 경우, 기체유입요소 중 상기 서셉터에 인접한 부분의 온도는 약 200 ~ 400℃의 온도범위에서 유지된다.

이하에서는, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하기로 한다.

도 1은 기체유입요소의 제 1 실시예를 도시한 것으로서 기체유입요소의 길이 방향을 따라 취한 단면도이다.

도 2는 도 1의 선 Ⅱ-Ⅱ을 따라 절취한 횡단면도이다.

도 3은 도 1의 선 Ⅲ-Ⅲ을 따라 절취한 횡단면도이다.

도 4는 도 1의 선 Ⅳ-Ⅳ을 따라 절취한 횡단면도이다.

도 5는 도 1에 따른 기체허용요소의 제 2 실시예를 도시한 것으로서 기체유입요소의 길이 방향을 따라 취한 단면도이다.

도 6 내지 도 9는 서로 상이하게 구성된 교환가능부들을 구비한 전환세트(conversion set)를 도시한 도면이다.

도 1 내지 도 5에 도시된 실시예는 MOCVD 반응기의 개요를 나타낸 것이다. 처리실은 참조부호 1로 표시된다. 상기 처리실(1)은 베이스(1′) 및 천정(1″)을 구비한다. 상기 베이스(1′)는 고주파에 의해 아래로부터 가열되며 흑연(graphite)으로 구성되는 서셉터(16)의 표면이다. 기체유입요소는 원통형으로 대칭을 이루고 있는 상기 처리실(1)의 중앙에 위치한다. 이 기체유입요소는 중앙 공급라인(2)을 구비하고, 중앙 출구용 개구부(3)에서 바깥쪽으로 개방되어 있다. 이 중앙 출구용 개구부는 상기 기체유입요소의 단부측 체임버 안에 놓여 있다. 상기 단부측은 석영체(quartz body)(14)와 연결되어 있다. 상기 석영체(14)는 축선방향으로 주변 공급라인(4)으로부터 흘러들어오는 기체용의 기체 안내면(15)을 형성하는 절두원추형상의 벽을 구비하고 있다. 상기 주변 공급라인(4)으로부터 흘러들어오는 기체는 상기 처리실의 천정(1″)과 처리실의 베이스(1´) 사이에 배치되는 환상 대기실(8)과 상기 기체 안내면(15)에 의해 형성되는 후방벽 내부로 흘러들어간다.

상기 환상 대기실(8)은 석영 프릿(quartz frit)으로 제조되는 다공성의 기체 방출링(6)에 의해 에워싸여 있다. 상기 주변 공급라인(4)을 통해 흘러들어가는 제 2 처리기체는 균질의 유동 프로파일(homogenized flow profile) 형태로 상기 기체 방출링을 통과해 나올 수 있다.

상기 환상 대기실(8)의 상류측에는, 다수의 통로 개구부(9)를 구비한 환상 스로틀(annular throttle)(7)이 배치되어 있다. 상기 환상 스로틀(7)의 상류 측에는 혼합실이 배치되어 있는데, 이 혼합실의 안으로 두 개의 기체 공급라인(5, 5′)이 참조부호 13 및 13′으로 각각 표시되는 위치에서 바깥쪽으로 개방되어 들어간다.

두께 증가로 인해, 도 5에 도시된 환상 스로틀(7)은 보다 큰 감속 작용(throttling action)을 갖는다.

도 6 내지 도 9에 도시된 교환가능부(14´)는, 나사 연결부(12)에 의해 상기 중앙 공급라인(2) 및 상기 주변 공급라인(4)을 형성하는 상기 기체유입요소의 상부에 나사 결합되거나 베이오닛식 연결에 의해 상기 중앙 공급라인(2) 및 상기 주변 공급라인(4)에 연결될 수 있다. 상기 처리실의 천정(1″)을 형성하는 플레이트를 지지하고 있는 너트(11) 역시 상기 기체유입요소의 상부에 나사 결합된다. 상기 기체 방출링(6)의 자유단부(6′)는 상기 교환가능부(14´)의 가장자리부(10)에 의해 형성되는 얇은 벽으로 된 방사상의 환상 돌기부위에 놓여있다. 상기 기체 방출링(6)의 상부는 상기 플레이트 또는 처리실의 천정(1˝) 상에서 지지된다.

도 6 내지 도9에 도시된 각각의 교환가능부(14´)의 직경 및 기체 안내면의 형상은 실질적으로 서로 다르다. 도 6, 도 7 및 도 9에 도시된 상기 교환가능부의 기체 안내면(15)은 실질적으로 회전가능한 쌍곡면 형태로 되어 있다. 도 6 내지 도 9에 도시된 기체유입요소의 길이 방향을 따라 취한 단면도에서 보면, 상기 기체 안내면(15)의 윤곽선은 오목한 형상을 취하고 있고, 이 기체 안내표면은 갑자기 단이 형성된다던지 하는 부분들이 전혀 없이 축선방향으로 연장되어 있는 주변 공급라인(4)의 벽과 상부에서 연결됨으로써, 상기 기체 안내면(15)을 따라 와류현상이 일어나지 않는다. 상기 기체 방출링(6) 외부에 도시된 화살표들은 축선방향의 기체유동 프로파일을 나타낸 것이다. 이러한 유동 프로파일의 최대분포는, 기체 방출링의 영역 중 상기 처리실의 천정(1″)에 인접한 상기 서셉터에 인접한 기체 방출링의 자유단부(6′)에 더 근접하게 놓여있다는 것을 알 수 있다. 그 결과, 상기 서셉터에 인접한 영역과 그에 따른 가장자리부(10)는 대류현상에 의해 더 강하게 냉각된다. 모든 실시예에서, 상기 환상 대기실(8)의 폭(W)은 상기 처리실의 천정(1″)에서 상기 서셉터(16)로 축선방향으로 감에 따라 감소한다.

도 8에 도시된 실시예에서, 길이 방향 단면에서의 기체 안내면(15)의 윤곽선이 직선 형태를 취함에 따라, 상기 기체 안내면(15)은 절두원추체 형상을 지닌다. 이러한 형상은 많은 유동량(high volumetric flow)을 위해 선택된다.

상기 서셉터(16)는 고주파 가열수단(미도시)에 의해 아래로부터 가열된다. 상기 서셉터(16)는 상기 기체방출요소의 석영체로 구성되는 교환가능부(14´)를 가열시키는 열을 방사한다. 아르신 또는 포스핀 및 수소로 구성되는 제 1 처리기체는 상기 중앙 출구용 개구부(3)를 통해 흐른다. 상기 중앙 출구용 개구부(3)를 통해 나오는 아르신 또는 포스핀은 상기 교환가능부(14´)와 상기 서셉터(16) 표면 사이의 간극에서 분해된다. 분해 생성물은 방사상 방향으로 전진 이송된다. 초기에 TMG 또는 TMI는 제 2 처리기체인 수소와 함께 상기 주변 공급라인(4)으로부터 상기 환상 대기실(8) 내부로 흘러들어간다. 축선방향의 주변 공급라인(4)으로부터 나오는 기체는 상기 기체 안내면(15)을 따라 층류식으로 흐르고 이 과정에서 기체의 유동방향이 90°방향 전환된다. 상기 과정에서, 상기 기체는 상기 가장자리부(10) 위로 흐른다. 상기 주변 공급라인(4)으로부터 흘러나오는 기체는 예열된 것이 아니라 오히려 실질적으로는 실온상태에 있기 때문에, 상기 교환가능부(14´)에 대해 냉각작용을 한다. 상기 기체 안내면(15)을 통해 열이 흡수된다. 상기 기체의 스트림(stream)은 특히 상기 교환가능부(14´)의 재질두께가 가장 작은 위치에서, 즉 상기 가장자리부(10)의 영역에서 가장 큰 냉각작용을 갖는다. 따라서, 이 영역 및 특히 상기 가장자리부(10)에 인접한 상기 기체 방출링의 자유단부(6′)는, 상기 기체의 스트림에 의해 가장 강하게 냉각된다. 상기 처리실의 천정(1″)은 가열되지 않는다. 따라서, 상기 기체 방출링(6)의 자유단부(6′) 영역은, 기체의 스트림이 냉각되지 않는다면 상기 뜨거운 서셉터(16)에 가장 근접해 있기 때문에, 가장 뜨거워질 것이다. 그러나, 상기 주변 공급라인(4)으로부터 나오는 처리기체의 대류 냉각으로 인해, 상기 서셉터에 근접한 상기 기체 방출링(6)의 자유단부(6′) 영역은 상기 기체 방출링(6)의 나머지 영역의 온도와 실질적으로 일치하는 온도로 유지된다. 이 온도는 상기 서셉터(16)와 상기 교환가능부(14´) 사이의 간극에서 형성되는 비소 또는 인의 응축 온도보다 높지만, Ⅲ-Ⅴ족 화합물의 증착온도 보다는 낮다.

상기 유동 특징들은 상기 기체 방출링이 가능한 한 멀리 그 축선방향의 길이에 걸쳐 일정한 온도를 갖는 방식으로 설정되어야 한다.

상기 기체 안내면(15)의 윤곽선이 상기 교환가능부 대신 사용됨으로써 상기 유동 특징들과 조화를 이룬다.

지금까지 개시된 모든 특징은 본 발명에 속하는 것이다. 관련된/첨부된 우선권 서류(선출원서의 사본)의 개시 내용은, 부분적으로 본 출원 명세서의 특허 청구범위에 상기 우선권 서류의 특징들이 포함되게 하도록 그 전체가 본 출원 명세서에 포함되어 있다.

Claims (10)

1. 가열된 서셉터(16) 위에 위치한 기체방출요소를 통해 적어도 두 개의 처리기체가 서로 별도로 반응기의 처리실(1) 내부로 유입되되, 적어도 두 개의 처리기체 중 제 1 처리기체는 중앙 출구용 개구부(3)를 구비한 중앙 공급라인(2)을 통해 흐르고, 제 2 처리기체는 주변 공급라인(4)을 통해 흐르되 이 주변 공급라인(4)은 상기 중앙 공급라인에 대해 주변에 배치되어 있으면서 기체 침투가능형의 기체 방출링(6)에 의해 형성된 주변 출구용 개구부를 가지며, 이 기체 방출링(6)이 환상 대기실(8)을 에워싸고 있는, 결정기판 상에 결정층을 증착하기 위한 방법에 있어서,

   대기실의 후방벽에 의해 형성된 기체 안내면(15)이 절두원추체 또는 회전가능한 쌍곡면 형태를 가짐에 따라, 상기 기체 방출링(6)의 자유단부(6´)는 상기 서셉터와 마주 보고 있고 상기 기체방출요소의 자유단부측의 방사상 외측부는 중앙 출구용 개구부(3)를 에워싸고 있되, 상기 기체 방출링(6)의 자유단부(6´)와 상기 기체방출요소의 자유단부측의 방사상의 외측부, 또는 상기 기체 방출링(6)의 자유단부(6´)나 상기 기체방출요소의 자유단부측의 방사상의 외측부가 상기 제 2 처리기체에 의해 냉각됨을 특징으로 하는, 결정기판 상에 결정층을 증착하기 위한 방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 환상 대기실(8)내의 압력은 다공성의 기체 방출링(6)으로 인해 상기 처리실(1) 내의 압력보다 더 높은 것을 특징으로 하는 결정기판 상에 결정층을 증착하기 위한 방법.
3. 제1항에 있어서, 기체유입요소의 길이방향을 따라 취한 단면도에서 오목한 형태인 기체 안내면(15)의 곡률반경은 기체유동량(volumetric gas flows)이 더 많아질수록 더 큰 값을 갖도록 선택됨을 특징으로 하는, 결정기판상에 결정층을 증착하기 위한 방법.
4. 제1항에 있어서, 상기 기체 방출링(6)으로부터 나오는 최대의 기체 스트림(stream)은, 기체유입요소의 길이방향을 따라 취한 단면도에서, 상기 자유단부(6′)쪽으로 편심된 상태로 만곡된(eccentrically offset) 것을 특징으로 하는, 결정기판상에 결정층을 증착하기 위한 방법.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 기체방출요소 중 가열된 서셉터(16)에 인접한 부분의 온도는 포스핀 또는 아르신으로부터 열분해에 의해 형성되는 비소 또는 인의 응축온도보다 더 높고 갈륨비소 화합물 또는 인듐 인화물의 증착온도보다는 더 낮도록 상기한 유동 특징들(the flow parameters)과 기체유입요소의 길이방향을 따라 취한 단면도에서의 기체 안내면(15)의 윤곽선이 서로 조화를 이루고 있음을 특징으로 하는, 결정기판상에 결정층을 증착하기 위한 방법.
6. 두 개의 처리기체가 가열가능한 서셉터(16) 위에서 서로 별도로 반응기의 처리실(1) 내부로 유입될 수 있고, 두 개의 처리기체 중 제 1 처리기체를 위한 중앙 출구용 개구부(3)를 갖춘 중앙 공급라인(2)을 가지며, 이 중앙 공급라인에 대해 주변에 배치되고 제2처리기체를 위한 주변출구용 개구부를 가지는 주변공급라인(4)을 가지되, 이 주변출구용 개구부는 환상 대기실(8)을 에워싸는 기체 침투가능형의 기체 방출링(6)에 의해 형성되고, 이 환상 대기실의 폭(W)은 기체유입요소의 길이 방향을 따라 취한 단면도에서 중심축에 대해 평행하게 연장되지 않는 후방벽으로 인해 회전 가능한 대칭형의 기체방출요소의 자유단부(6')를 향해 갈수록 감소하는, 결정기판상에 결정층을 증착하기 위한 기체유입요소에 있어서,

   절두원추형 또는 회전 가능한 쌍곡면 형상의 기체 안내면(15)이 상기 환상 대기실의 후방벽으로 형성되어 있어 상기 기체 안내면(15)을 따라 흐르는 기체에 의해 상기 서셉터에 근접한 상기 기체 방출링(6)의 자유단부(6´)를 대류방식으로 냉각시키도록 되어 있음을 특징으로 하는 기체유입요소.
7. 제6항에 있어서, 상기 기체 방출링(6)은 다공성 재질로 구성됨을 특징으로 하는 기체유입요소.
8. 제6항에 있어서, 상기 기체 안내면(15)은 교환가능부(14´)에 부속되어 있는 것임을 특징으로 하는 기체유입요소.
9. 제6항에 있어서, 상기 기체 안내면(15)은 단(段)이 형성되지 않는 상태로 상기 주변 공급라인(4)과 상부에서 연결됨을 특징으로 하는 기체유입요소.
10. 제8항에 있어서, 상기 교환가능부(14´)는 상기 중앙 및 주변 공급라인(2, 4)에 나사결합 가능하거나, 베이오닛식 연결(bayonet connection)에 의해 상기 중앙 및 주변 공급라인(2,4)에 연결될 수 있음을 특징으로 하는 기체유입요소.

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