KR100794151B1 - 전계 효과 트랜지스터의 보호 회로 및 반도체 장치 - Google Patents
전계 효과 트랜지스터의 보호 회로 및 반도체 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100794151B1 KR100794151B1 KR1020010027683A KR20010027683A KR100794151B1 KR 100794151 B1 KR100794151 B1 KR 100794151B1 KR 1020010027683 A KR1020010027683 A KR 1020010027683A KR 20010027683 A KR20010027683 A KR 20010027683A KR 100794151 B1 KR100794151 B1 KR 100794151B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- diode
- field effect
- effect transistor
- protection circuit
- gate electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
- H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
- H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
- H10D89/611—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using diodes as protective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08122—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
Description
Claims (15)
- 서지 브레이크다운(surge breakdown)에 대해 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극을 보호하기 위한 상기 전계 효과 트랜지스터의 보호 회로에 있어서,복수의 순방향 제 1 다이오드들과 상기 제 1 다이오드들과 동일한 수의 역방향 제 2 다이오드들이 연속 접속된(cascade-connected) 다이오드 어레이(diode array)를 포함하고,상기 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극은 상기 다이오드 어레이를 통해 접지되는, 전계 효과 트랜지스터의 보호 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 다이오드 어레이의 다이오드는 높은 도핑 농도를 갖는 n+-형 층과 상기 n+-형 층에 제공된 쇼트키(Schottky) 전극으로 구성된 쇼트키 장벽 다이오드, 또는 높은 도핑 농도를 갖는 n+-형 층과 pn 접합이 이루어진 pn 접합 다이오드로 형성되는, 전계 효과 트랜지스터의 보호 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 다이오드 어레이 중 순방향 제 1 다이오드의 수는 상기 보호 회로의 누설 전류가 상기 전계 효과 트랜지스터에 요구되는 상기 게이트 전극의 최대 정격의 누설 전류값보다 크지 않게 되도록 결정되는, 전계 효과 트랜지스터의 보호 회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 전계 효과 트랜지스터는 접합 전계 효과 트랜지스터, 쇼트키 장벽 게이트 전계 효과 트랜지스터, 및 헤테로 접합(hetero junction) 전계 효과 트랜지스터로 구성된 그룹에서 선택된 것이고, 상기 다이오드는 화합물 반도체 기판에 상기 전계 효과 트랜지스터와 집적되어(integrally) 형성된 화합물 반도체 소자로 구성되는, 전계 효과 트랜지스터의 보호 회로.
- 서지 브레이크다운에 대해 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극 또는 드레인 전극을 보호하기 위한 보호 회로를 포함하는 반도체 장치에 있어서,상기 보호 회로는 상기 게이트 전극 또는 상기 드레인 전극에 순방향으로 접속된 복수의 다이오드들, 및 상기 게이트 전극 또는 상기 드레인 전극에 역방향으로 접속된 복수의 다이오드들을 포함하는, 반도체 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 반도체 장치는 화합물 반도체 기판에 형성되는, 반도체 장치.
- 제 6 항에 있어서,상기 화합물 반도체 기판은 GaAs로 구성되는, 반도체 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 다이오드는 기판에 형성된 제 1 불순물 도입층, 및 상기 제 1 불순물 도입층에 쇼트키-접속되고 상기 제 1 불순물 도입층에 형성된 쇼트키 전극을 포함하는, 반도체 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 다이오드는 기판에 형성된 제 1 도전형의 제 1 불순물 도입층, 및 상기 제 1 불순물 도입층에 대향하여 제공되는 제 2 도전형의 제 2 불순물 도입층을 포함하는, 반도체 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 전계 효과 트랜지스터는 접합 전계 효과 트랜지스터인, 반도체 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 전계 효과 트랜지스터는 쇼트키 장벽 게이트 트랜지스터인, 반도체 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 전계 효과 트랜지스터는 헤테로 접합 전계 효과 트랜지스터인, 반도체 장치.
- 서지 브레이크다운에 대해 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극을 보호하기 위한 보호 회로를 포함하는 반도체 장치에 있어서,상기 보호 회로는 상기 게이트 전극에 접속된 양극(anode)을 갖는 제 1 다이오드, 상기 제 1 다이오드의 음극(cathode)에 접속된 음극을 갖는 제 2 다이오드, 상기 제 2 다이오드의 양극에 접속된 양극을 갖는 제 3 다이오드, 및 상기 제 3 다이오드의 음극에 접속된 음극을 갖는 제 4 다이오드를 포함하는, 반도체 장치.
- 서지 브레이크다운에 대해 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극을 보호하기 위한 보호 회로를 포함하는 반도체 장치에 있어서,상기 보호 회로는 상기 게이트 전극에 접속된 음극을 갖는 제 1 다이오드, 상기 제 1 다이오드의 양극에 접속된 양극을 갖는 제 2 다이오드, 상기 제 2 다이오드의 음극에 접속된 음극을 갖는 제 3 다이오드, 및 상기 제 3 다이오드의 양극에 접속된 양극을 갖는 제 4 다이오드를 포함하는, 반도체 장치.
- 서지 브레이크다운에 대해 전계 효과 트랜지스터의 게이트 전극을 보호하기 위한 보호 회로를 포함하는 반도체 장치에 있어서,상기 보호 회로는 음극 또는 양극이 상기 게이트 전극에 직렬 접속된 복수의 다이오드들로 구성된 제 1 다이오드 유닛, 및양극 또는 음극이 상기 제 1 다이오드 유닛의 양극 또는 음극에 직렬 접속된 복수의 다이오드들로 구성된 제 2 다이오드 유닛을 포함하는, 반도체 장치.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000150350 | 2000-05-22 | ||
JP2000-150350 | 2000-05-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20010107608A KR20010107608A (ko) | 2001-12-07 |
KR100794151B1 true KR100794151B1 (ko) | 2008-01-14 |
Family
ID=69323111
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020010027683A Expired - Fee Related KR100794151B1 (ko) | 2000-05-22 | 2001-05-21 | 전계 효과 트랜지스터의 보호 회로 및 반도체 장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100794151B1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180089889A (ko) * | 2016-02-09 | 2018-08-09 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 보호 다이오드 부착 전계 효과 트랜지스터 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000349235A (ja) * | 1999-05-05 | 2000-12-15 | Siliconix Inc | 電圧クランプされたゲートを備えるパワーmosfet |
-
2001
- 2001-05-21 KR KR1020010027683A patent/KR100794151B1/ko not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000349235A (ja) * | 1999-05-05 | 2000-12-15 | Siliconix Inc | 電圧クランプされたゲートを備えるパワーmosfet |
KR20000077143A (ko) * | 1999-05-05 | 2000-12-26 | 실리코닉스 인코퍼레이티드 | 전압-클램프된 게이트를 가진 파워 mosfet |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180089889A (ko) * | 2016-02-09 | 2018-08-09 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 보호 다이오드 부착 전계 효과 트랜지스터 |
US10438942B2 (en) | 2016-02-09 | 2019-10-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Field-effect transistor with protection diodes |
KR102039872B1 (ko) * | 2016-02-09 | 2019-11-04 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | GaAs계 또는 GaN계의 보호 다이오드 부착 전계 효과 트랜지스터 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20010107608A (ko) | 2001-12-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102039872B1 (ko) | GaAs계 또는 GaN계의 보호 다이오드 부착 전계 효과 트랜지스터 | |
US6665159B2 (en) | Semiconductor integrated circuit device | |
US7514727B2 (en) | Active element and switching circuit device | |
US9685432B2 (en) | Compact electrostatic discharge (ESD) protection structure | |
US6791810B2 (en) | Protection circuit of field effect transistor and semiconductor device | |
CN102265403B (zh) | 包括具有隔离沟道的增强型和耗尽型fet的双极性/双fet结构 | |
US9184098B2 (en) | Bidirectional heterojunction compound semiconductor protection devices and methods of forming the same | |
US6960807B2 (en) | Drain extend MOS transistor with improved breakdown robustness | |
US7358788B2 (en) | Compound semiconductor switching circuit device | |
US4760433A (en) | ESD protection transistors | |
US8368119B1 (en) | Integrated structure with transistors and schottky diodes and process for fabricating the same | |
JP2001332567A (ja) | 電界効果トランジスタの保護回路 | |
JP2004103786A (ja) | 半導体装置 | |
US10886418B2 (en) | Split-gate JFET with field plate | |
US7193255B2 (en) | Semiconductor device with floating conducting region placed between device elements | |
KR100794151B1 (ko) | 전계 효과 트랜지스터의 보호 회로 및 반도체 장치 | |
JP3932665B2 (ja) | 半導体装置 | |
US6525388B1 (en) | Compound semiconductor device having diode connected between emitter and collector of bipolar transistor | |
JP2007194412A (ja) | 能動素子およびスイッチ回路装置 | |
JP2762919B2 (ja) | 半導体素子 | |
JP2005197495A (ja) | 静電保護素子及びその製造方法、並びに半導体装置及びその製造方法 | |
JPS6314508B2 (ko) | ||
KR100778355B1 (ko) | 캐스코드 접속회로 | |
KR100676357B1 (ko) | 스위치 회로 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PA0109 | Patent application |
Patent event code: PA01091R01D Comment text: Patent Application Patent event date: 20010521 |
|
PG1501 | Laying open of application | ||
A201 | Request for examination | ||
PA0201 | Request for examination |
Patent event code: PA02012R01D Patent event date: 20060519 Comment text: Request for Examination of Application Patent event code: PA02011R01I Patent event date: 20010521 Comment text: Patent Application |
|
E902 | Notification of reason for refusal | ||
PE0902 | Notice of grounds for rejection |
Comment text: Notification of reason for refusal Patent event date: 20070430 Patent event code: PE09021S01D |
|
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
PE0701 | Decision of registration |
Patent event code: PE07011S01D Comment text: Decision to Grant Registration Patent event date: 20071019 |
|
GRNT | Written decision to grant | ||
PR0701 | Registration of establishment |
Comment text: Registration of Establishment Patent event date: 20080107 Patent event code: PR07011E01D |
|
PR1002 | Payment of registration fee |
Payment date: 20080108 End annual number: 3 Start annual number: 1 |
|
PG1601 | Publication of registration | ||
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20110104 Start annual number: 4 End annual number: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20120104 Year of fee payment: 5 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20120104 Start annual number: 5 End annual number: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121231 Year of fee payment: 6 |
|
PR1001 | Payment of annual fee |
Payment date: 20121231 Start annual number: 6 End annual number: 6 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee | ||
PC1903 | Unpaid annual fee |