KR100784348B1 - Light emitting diode - Google Patents

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KR100784348B1
KR100784348B1 KR1020060122981A KR20060122981A KR100784348B1 KR 100784348 B1 KR100784348 B1 KR 100784348B1 KR 1020060122981 A KR1020060122981 A KR 1020060122981A KR 20060122981 A KR20060122981 A KR 20060122981A KR 100784348 B1 KR100784348 B1 KR 100784348B1
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light emitting
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emitting diode
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KR1020060122981A
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최은주
김남영
한경보
이명희
김태광
소지섭
배상근
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서울반도체 주식회사
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Abstract

A light emitting diode is provided to prevent an adhesive force of a conductive adhesive from being weakened by preventing the conductive adhesive from flowing towards other region of a lead electrode. A light emitting chip(150) is mounted and adhered to a lead electrode(120) by an adhesive(130). A guide portion(140) is formed on the lead electrode so as to prevent flow of the adhesive. The guide portion is formed around a region on which the light emitting chip is mounted. The lead electrode has a first region for receiving the light emitting chip and a second region except for the first region, in which the first region is positioned at a height higher than that of the second region.

Description

발광 다이오드 {Light Emitting Diode}Light Emitting Diodes

도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 측면 발광 다이오드의 정면도 및 단면도이다.1A and 1B are a front view and a sectional view of a side light emitting diode according to the prior art.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 측면 발광 다이오드의 정면도 및 단면도이다.2A and 2B are front and cross-sectional views of a side light emitting diode according to a first embodiment of the present invention.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 측면 발광 다이오드의 정면도 및 단면도이다.3A and 3B are front and cross-sectional views of a side light emitting diode according to a second embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면도이다.4 is a cross-sectional view of a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention.

*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명** Description of the symbols for the main parts of the drawings *

110: 기판 120: 리드 전극110: substrate 120: lead electrode

130: 도전성 접착제 140, 145: 가이드부130: conductive adhesive 140, 145: guide part

150: 발광칩 160: 와이어150: light emitting chip 160: wire

170: 반사기 180: 몰딩부170: reflector 180: molding part

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광칩과 리드 전 극 간의 계면 불량 방지 구조를 구비한 발광 다이오드에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode, and more particularly, to a light emitting diode having an interface failure prevention structure between a light emitting chip and a lead electrode.

발광 다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 조사할 수 있기 때문에, 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화기기에 사용되고 있으며, 특히, 정보 통신기기의 소형화, 슬림화 추세에 따라 기기의 각종 부품인 저항, 콘덴서, 노이즈 필터 등은 더욱 소형화되고 있으며, 발광 다이오드 역시 인쇄회로기판 등에 직접 실장되기 위하여 표면 실장형 소자(SMD; Surface Mountable Device)로 제조되고 있다. 이러한 SMD 방식의 발광 다이오드는 실장면을 기준으로 발광면이 상향하도록 제작되며, 이외에도 발광면이 측면을 향하도록 제조되는 측면 발광 다이오드 등 다양한 방식으로 제조된다.Since light emitting diodes can emit light with high efficiency at low voltage, they are used in home appliances, remote controls, electronic displays, indicators, and various automation devices. Capacitors, noise filters, etc. are becoming more compact, and light emitting diodes are also manufactured as surface mountable devices (SMDs) to be directly mounted on a printed circuit board. The SMD type light emitting diode is manufactured so that the light emitting surface is upward based on the mounting surface, and is manufactured in various ways such as a side light emitting diode which is manufactured to face the light emitting surface.

도 1a 및 도 1b는 종래 기술에 따른 측면 발광 다이오드의 정면도 및 단면도이다. 도 1a 및 도 1b를 참조하면, 측면 발광 다이오드(10)는 기판(11), 기판(11) 상에 형성된 제1 리드 전극(12)과 제2 리드 전극(13), 제1 리드 전극(13) 상에 도전성 접착제(14)를 통하여 실장된 발광칩(15), 와이어(16), 기판 상(11)에 형성되며, 발광칩(15)으로부터 출사되는 광을 측면으로 반사시키기 위한 반사기(17) 및 발광칩(15)을 봉지하는 몰딩부(18)로 구성된다. 1A and 1B are a front view and a sectional view of a side light emitting diode according to the prior art. 1A and 1B, the side light emitting diode 10 may include a substrate 11, a first lead electrode 12, a second lead electrode 13, and a first lead electrode 13 formed on the substrate 11. ) Is formed on the light emitting chip 15, the wire 16, and the substrate 11 mounted on the conductive adhesive 14 through the conductive adhesive 14, and reflectors 17 for reflecting light emitted from the light emitting chip 15 laterally. ) And a molding unit 18 for sealing the light emitting chip 15.

발광칩(15)이 실장되는 제1 리드 전극(12)의 바닥면은 평평한 구조이므로, 도전성 접착제(14)가 사방으로 퍼져서 발광칩(15)과 제1 리드 전극(12)간의 접착력이 약해지게 된다. 그 결과, 발광칩(15)과 제1 리드 전극(12)간의 계면 불량 발생 시, 발광칩(15)과 제1 리드 전극(12)이 서로 이격되어 단전되는 문제점이 발생된다.Since the bottom surface of the first lead electrode 12 on which the light emitting chip 15 is mounted has a flat structure, the conductive adhesive 14 spreads in all directions so that the adhesive force between the light emitting chip 15 and the first lead electrode 12 is weakened. do. As a result, when an interface defect occurs between the light emitting chip 15 and the first lead electrode 12, a problem occurs in that the light emitting chip 15 and the first lead electrode 12 are spaced apart from each other.

본 발명은 상술한 종래의 문제점을 극복하기 위한 것으로서, 본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 발광칩과 리드 전극 간의 계면 불량 방지 구조를 구비한 발광 다이오드를 제공하기 위한 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to overcome the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to provide a light emitting diode having a structure for preventing interface failure between a light emitting chip and a lead electrode.

상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 리드 전극; 상기 리드 전극 상에 실장되는 발광칩; 상기 발광칩을 상기 리드 전극 상에 본딩하기 위한 접착제; 및 상기 접착체의 유동을 방지하기 위하여, 상기 리드 전극 상에 형성된 가이드부를 포함하는 발광 다이오드가 제공된다.According to an aspect of the present invention for achieving the object of the present invention, a lead electrode; A light emitting chip mounted on the lead electrode; An adhesive for bonding the light emitting chip onto the lead electrode; And to prevent the flow of the adhesive, there is provided a light emitting diode comprising a guide portion formed on the lead electrode.

상기 가이드부는 상기 발광칩이 실장되는 둘레 영역에 형성된다. The guide part is formed in a peripheral area in which the light emitting chip is mounted.

상기 가이드부는 상기 리드 전극 상에 격벽 형태 또는 홈 형태로 형성된다.The guide portion is formed in a barrier rib shape or a groove shape on the lead electrode.

상기 리드 전극은 상기 발광칩이 실장되는 제1 영역과, 상기 제1 영역을 제외한 제2 영역으로 구성되며, 상기 제1 영역은 상기 제2 영역 보다 높게 형성된다.The lead electrode includes a first region in which the light emitting chip is mounted and a second region except for the first region, and the first region is formed higher than the second region.

상기 리드 전극과 상기 가이드부는 동일한 재료로 일체로 형성된다.The lead electrode and the guide portion are integrally formed of the same material.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 2a 및 도 2b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 측면 발광 다이오드의 정면도 및 단면도이다.2A and 2B are front and cross-sectional views of a side light emitting diode according to a first embodiment of the present invention.

도 2a 및 도 2b를 참조하면, 측면 발광 다이오드(100)는 기판(110), 리드 전 극(120), 도전성 접착제(130), 가이드부(140), 발광칩(150), 와이어(160), 반사기(170) 및 몰딩부(180)를 포함한다.2A and 2B, the side light emitting diode 100 may include a substrate 110, a lead electrode 120, a conductive adhesive 130, a guide portion 140, a light emitting chip 150, and a wire 160. , The reflector 170 and the molding unit 180.

리드 전극(120)은 제1 리드 전극(121)과 제2 리드 전극(122)을 포함하며, 제1 리드 전극(121)과 제2 리드 전극(122)은 소정 간격 이격된 채, 기판(110) 상에 형성된다. The lead electrode 120 includes a first lead electrode 121 and a second lead electrode 122, and the first lead electrode 121 and the second lead electrode 122 are spaced apart from each other by a predetermined interval. ) Is formed on.

제1 리드 전극(121)의 발광칩(150)이 실장되는 영역 둘레에는 격벽 형태로 형성된 가이드부(140)가 형성된다. 이때, 가이드부(140)는 제1 리드 전극(121)과 같이 도전성 재료일 필요는 없으며, 몰딩부(180)나 반사기(170)와 같은 플라스틱 수지로 이루어질 수 있다. 또한, 가이드부(140)는 발광칩(150)의 형태에 상응하게 형성된다 즉, 본 실시예의 경우 정방형 또는 장방형으로 형성되나, 가이드부의 형태가 이에 한정되는 것은 아니며, 발광칩의 형태에 관계없이 원형 또는 타원형 등 다양한 형태로 형성될 수 있다.A guide part 140 formed in a barrier rib shape is formed around a region in which the light emitting chip 150 of the first lead electrode 121 is mounted. In this case, the guide unit 140 does not need to be a conductive material like the first lead electrode 121, and may be made of a plastic resin such as the molding unit 180 or the reflector 170. In addition, the guide portion 140 is formed to correspond to the shape of the light emitting chip 150, that is, in the present embodiment is formed in a square or rectangular, but the shape of the guide portion is not limited to this, regardless of the shape of the light emitting chip It may be formed in various forms such as round or oval.

이러한 가이드부(140) 내에 도전성 접착제(130)가 충진되고, 도전성 접착제(130) 상에 발광칩(150)이 본딩된다. 본 실시예에서, 도전성 접착제(130)는 실버 페이스트가 사용되나, 이에 한정되는 것은 아니며, 투명 페이스트 등과 같이 다양한 재료가 이용될 수 있다. 이와 같이, 발광칩(150)의 둘레 영역에 가이드부(140)를 형성하면, 도전성 접착제(130)가 제1 리드 전극(121)의 다른 영역으로 흘러서 퍼지는 것을 방지하여, 도전성 접착제(130)의 접착력이 약화되는 것을 방지할 수 있게 된다.The conductive adhesive 130 is filled in the guide part 140, and the light emitting chip 150 is bonded onto the conductive adhesive 130. In the present exemplary embodiment, silver paste is used as the conductive adhesive 130, but is not limited thereto. Various materials such as a transparent paste may be used. As such, when the guide part 140 is formed in the circumferential region of the light emitting chip 150, the conductive adhesive 130 is prevented from flowing out to other regions of the first lead electrode 121 to prevent the conductive adhesive 130 from being spread. It is possible to prevent the adhesive force from weakening.

한편, 발광칩(150)은 반도체 PN 접합 다이오드로서, P, N 반도체를 접합한 뒤, 전압을 가해주면, P형 반도체의 정공은 N형 반도체 쪽으로 가서 가운데층으로 모이며, 이와는 반대로 N형 반도체의 전자는 P형 반도체 쪽으로 가서 전도대(conduction band)의 가장 낮은 곳인 가운데층으로 모인다. 이 전자들은 가전대(valence band)의 정공으로 자연스럽게 떨어지며, 이 때 전도대와 가전대의 높이 차이 즉, 에너지 갭에 해당하는 만큼의 에너지를 발산하는데, 이 에너지가 빛의 형태로 방출된다. 이외에도 여러 가지 발광 방식의 발광칩을 사용할 수 있다. 또한, 발광칩(150)은 다양한 파장을 갖는 광을 방출시킬 수 있으며, 이를 위하여, 예를 들면 질화물계 발광 다이오드에서 활성층으로 사용되는 인듐(In) 함유량을 조절하거나, 서로 다른 파장을 갖는 광을 방출하는 발광 다이오드를 조합하거나, 또는 자외선 등과 같은 소정 파장대의 광을 방출하는 발광칩과 형광체를 결합하여 사용할 수도 있다. On the other hand, the light emitting chip 150 is a semiconductor PN junction diode. When the P and N semiconductors are bonded and voltage is applied, holes of the P-type semiconductor are directed toward the N-type semiconductor and gathered into the middle layer. The electrons of the electrons move toward the P-type semiconductor and gather into the middle layer, which is the lowest point of the conduction band. These electrons naturally fall into the holes of the valence band, and at this point, they emit as much energy as the difference in height between the conduction band and the appliance band, that is, the energy gap, which is emitted in the form of light. In addition, various light emitting chips may be used. In addition, the light emitting chip 150 may emit light having various wavelengths. For this purpose, for example, the indium (In) content used as an active layer in a nitride-based light emitting diode may be adjusted, or light having different wavelengths may be used. A light emitting diode emitting light may be combined, or a light emitting chip emitting light of a predetermined wavelength such as ultraviolet light and a phosphor may be used in combination.

와이어(160)는 발광칩(150)과 제2 리드 전극(122)을 전기적으로 연결시킨다. 반사기(170)는 기판(110) 주변부에 형성되며, 발광칩(150)으로부터 출사되는 광을 측면으로 반사시킨다. 이때, 기판(110)과 반사기(170)는 일체로 형성될 수 있다. 즉, 리드 전극들을 지지하도록 열가소성 수지 등을 삽입 몰딩(injection molding) 방법 등에 의하여 기판(110)과 반사기(170)를 일체로 형성할 수 있다. 몰딩부(180)는 발광칩(150)을 봉지하여, 발광칩(150)을 보호한다. 이때, 몰딩부(180) 내에는 형광체(미도시)나 확산제(미도시)가 혼합될 수도 있다.The wire 160 electrically connects the light emitting chip 150 and the second lead electrode 122. The reflector 170 is formed at the periphery of the substrate 110 and reflects the light emitted from the light emitting chip 150 to the side. In this case, the substrate 110 and the reflector 170 may be integrally formed. That is, the substrate 110 and the reflector 170 may be integrally formed by inserting a thermoplastic resin or the like to support the lead electrodes. The molding unit 180 encapsulates the light emitting chip 150 to protect the light emitting chip 150. In this case, phosphors (not shown) or diffusion agents (not shown) may be mixed in the molding unit 180.

도 3a 및 도 3b는 본 발명의 제2 실시예에 따른 측면 발광 다이오드의 정면도 및 단면도이다. 도 3a 및 도 3b에 도시된 제2 실시예에 따른 측면 발광 다이오드는 제1 실시예와 비교하여 가이드부의 형태만이 상이하며, 나머지 구성은 거의 유사한 바, 이하에서는 상이한 구성을 위주로 상술한다.3A and 3B are front and cross-sectional views of a side light emitting diode according to a second embodiment of the present invention. The side light emitting diode according to the second embodiment shown in FIGS. 3A and 3B differs only in the shape of the guide portion from the first embodiment, and the rest of the configuration is almost similar, and the following description will focus on different configurations.

도 3a 및 도 3b를 참조하면, 측면 발광 다이오드(100)는 기판(110), 리드 전극(120), 도전성 접착제(130), 가이드부(145), 발광칩(150), 와이어(160), 반사기(170) 및 몰딩부(180)를 포함한다.3A and 3B, the side light emitting diode 100 includes a substrate 110, a lead electrode 120, a conductive adhesive 130, a guide part 145, a light emitting chip 150, a wire 160, The reflector 170 and the molding unit 180 is included.

제1 리드 전극(121)의 발광칩(150)이 실장되는 영역 둘레에는 홈 형태로 형성된 가이드부(145)가 형성된다. 이때, 홈은 발광칩(150)의 형태에 상응하게 형성된다 즉, 본 실시예의 경우 정방형 또는 장방형으로 형성되나, 가이드부의 형태가 이에 한정되는 것은 아니며, 발광칩의 형태에 관계없이 원형 또는 타원형 등 다양한 형태로 형성될 수 있다.A guide part 145 formed in a groove shape is formed around a region in which the light emitting chip 150 of the first lead electrode 121 is mounted. In this case, the groove is formed to correspond to the shape of the light emitting chip 150, that is, in the present embodiment is formed in a square or rectangular, but the shape of the guide portion is not limited to this, regardless of the shape of the light emitting chip, such as round or oval It can be formed in various forms.

제1 리드 전극(121) 상에 홈 형태의 가이드부(145)를 형성하면, 도전성 접착제(130)는 가이드부(145) 내에 충진되고, 가이드부(145) 밖으로 흘러서 퍼지는 것이 방지된다. 이러한 상태에서 도전성 접착제(130) 상에 발광칩(150)을 본딩하게 되면, 도전성 접착제(130)의 접착력이 강화되어, 발광칩(150)과 제1 리드 전극(121) 간의 계면 불량이 발생하는 것을 방지할 수 있게 된다.When the guide part 145 having a groove shape is formed on the first lead electrode 121, the conductive adhesive 130 is filled in the guide part 145 and prevents flow out of the guide part 145. When the light emitting chip 150 is bonded on the conductive adhesive 130 in this state, the adhesive strength of the conductive adhesive 130 is enhanced, so that an interface defect between the light emitting chip 150 and the first lead electrode 121 may occur. Can be prevented.

도 4는 본 발명의 제3 실시예에 따른 발광 다이오드의 단면도이다. 도 4에 도시된 제3 실시예에 따른 발광 다이오드는 상기 실시예들과 비교하여, 발광 다이오드의 타입과 리드 전극의 형태가 상이하며, 나머지 구성은 거의 유사한 바, 이하에 서는 상이한 구성을 위주로 상술한다.4 is a cross-sectional view of a light emitting diode according to a third embodiment of the present invention. The light emitting diode according to the third embodiment shown in FIG. 4 has a different type from that of the light emitting diode and the shape of the lead electrode compared to the above embodiments, and the rest of the configuration is almost similar. do.

도 4를 참조하면, 발광 다이오드(200)는 기판(210), 리드 전극(220), 도전성 접착제(230), 가이드부(240), 발광칩(250), 와이어(260), 반사기(270) 및 몰딩부(280)를 포함한다.4, the light emitting diode 200 includes a substrate 210, a lead electrode 220, a conductive adhesive 230, a guide portion 240, a light emitting chip 250, a wire 260, and a reflector 270. And a molding part 280.

리드 전극(220)은 제1 리드 전극(221)과 제2 리드 전극(222)을 포함하며, 제1 리드 전극(221)과 제2 리드 전극(222)은 소정 간격 이격된 채, 기판(210) 상에 형성된다. 이때, 제1 리드 전극(221)은 발광칩(250)이 실장되는 영역인 제1 영역(221a)과 제1 영역(221a)을 제외한 나머지 영역인 제2 영역(221b)으로 구성되며, 제1 영역(221a)은 제2 영역(221b) 보다 높게 형성된다.The lead electrode 220 includes a first lead electrode 221 and a second lead electrode 222, and the first lead electrode 221 and the second lead electrode 222 are spaced apart from each other by a predetermined distance. ) Is formed on. In this case, the first lead electrode 221 is composed of a first region 221a, which is a region in which the light emitting chip 250 is mounted, and a second region 221b, which is a region other than the first region 221a. The region 221a is formed higher than the second region 221b.

제1 리드 전극(221)의 제1 영역 둘레에는 격벽 형태로 형성된 가이드부(240)가 형성된다. 이때, 가이드부(240)는 제1 리드 전극(221)과 동일한 재료로 일체로 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 몰딩부(280)나 반사기(270)와 같은 플라스틱 수지로 이루어질 수 있다. 또한, 본 실시예에서 가이드부(240)는 격벽 형태로 형성되나, 이에 한정되는 것은 아니며, 홈 형태로 형성될 수도 있다. A guide part 240 formed in the form of a partition is formed around the first area of the first lead electrode 221. In this case, the guide part 240 may be integrally formed of the same material as the first lead electrode 221, but is not limited thereto. The guide part 240 may be formed of a plastic resin such as the molding part 280 or the reflector 270. . In addition, in the present exemplary embodiment, the guide part 240 may be formed in the form of a partition wall, but is not limited thereto.

이와 같이, 발광칩이 실장되는 리드 전극 영역을 다른 영역 보다 높게 형성하고, 그 둘레에 가이드부를 형성하게 되면, 리드 전극을 통하여 침투된 습기가 발광칩으로 도달하는 것을 방지할 수 있게 되어, 발광칩의 신뢰성 저하를 막을 수 있게 된다.In this way, if the lead electrode region on which the light emitting chip is mounted is formed higher than other regions, and the guide portion is formed around the light emitting chip, moisture penetrated through the lead electrode can be prevented from reaching the light emitting chip. It is possible to prevent the decrease in reliability.

이상에서 설명한 것은 본 발명에 따른 발광 다이오드의 예시적인 실시예에 불과한 것으로서, 본 발명은 상기한 실시예에 한정되지 않고, 이하의 특허청구범위에서 청구하는 바와 같이, 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 기술적 정신이 있다고 할 것이다.What has been described above is merely an exemplary embodiment of a light emitting diode according to the present invention, and the present invention is not limited to the above embodiment, and as claimed in the following claims, without departing from the gist of the present invention. Anyone with ordinary knowledge in the field of the present invention will have the technical spirit of the present invention to the extent that various modifications can be made.

전술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 도전성 접착제가 리드 전극의 다른 영역으로 흘러서 퍼지는 것을 방지하여, 발광칩과 리드 전극을 전기적으로 연결하는 도전성 접착제의 접착력이 약화되는 것을 방지할 수 있게 된다. 그 결과, 발광칩과 리드 전극간의 계면 불량 발생으로 인한 전기적 단전이 생기는 것을 방지할 수 있다.As described above, according to the present invention, the conductive adhesive can be prevented from flowing out to other regions of the lead electrode, thereby preventing the adhesive force of the conductive adhesive electrically connecting the light emitting chip and the lead electrode from being weakened. As a result, it is possible to prevent the electrical short circuit caused by the interface failure between the light emitting chip and the lead electrode.

또한, 외부로부터 침입하는 습기로 인한 계면 불량 발생도 방지할 수 있게 된다.In addition, it is possible to prevent the occurrence of interfacial defects due to moisture invading from the outside.

Claims (5)

리드 전극;Lead electrodes; 상기 리드 전극 상에 실장되는 발광칩;A light emitting chip mounted on the lead electrode; 상기 발광칩을 상기 리드 전극 상에 본딩하기 위한 접착제; 및An adhesive for bonding the light emitting chip onto the lead electrode; And 상기 접착체의 유동을 방지하기 위하여, 상기 리드 전극 상에 형성된 가이드부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.To prevent the flow of the adhesive, a light emitting diode comprising a guide portion formed on the lead electrode. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 가이드부는 상기 발광칩이 실장되는 둘레 영역에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The guide unit is a light emitting diode, characterized in that formed in the peripheral region in which the light emitting chip is mounted. 제2항에 있어서,The method of claim 2, 상기 가이드부는 상기 리드 전극 상에 격벽 형태 또는 홈 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The guide part is a light emitting diode, characterized in that formed in the partition wall shape or groove shape on the lead electrode. 제3항에 있어서,The method of claim 3, 상기 리드 전극은 상기 발광칩이 실장되는 제1 영역과, 상기 제1 영역을 제외한 제2 영역으로 구성되며, 상기 제1 영역은 상기 제2 영역 보다 높게 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.The lead electrode includes a first region in which the light emitting chip is mounted, and a second region except for the first region, wherein the first region is formed higher than the second region. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 리드 전극과 상기 가이드부는 동일한 재료로 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.And the lead electrode and the guide portion are integrally formed of the same material.
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