KR100778416B1 - 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 표시 장치에서, 복수의 주사 라인은 각각 제1 표시 라인과 제2 표시 라인을 포함하며, 복수의 주사 라인과 교차하는 방향7으로 형성되어 있는 복수의 어드레스 라인이 형성되어 있다. 복수의 제1 표시 라인과 복수의 어드레스 라인에 의해 복수의 제1 방전 셀이 형성되며, 복수의 제2 표시 라인과 복수의 어드레스 라인에 의해 복수의 제2 방전 셀이 형성되어 있다. 이러한 플라즈마 표시 장치에서, 복수의 서브필드 중 제1 서브필드의 제1 어드레스 기간 동안 복수의 제1 방전 셀 중 발광 셀 상태로 설정되어 있는 복수의 제1 발광 셀에서 제1 비발광 셀을 선택하고, 제1 서브필드의 제2 어드레스 기간 동안 복수의 제2 방전 셀 중 발광 셀 상태로 설정되어 있는 복수의 제2 발광 셀에서 제2 비발광 셀을 선택한다. 이때, 제1 어드레스 기간 직전의 제1 유지 기간 중 제1 기간 동안에는 복수의 제1 발광 셀만 유지 방전시키고, 제2 어드레스 기간 직전의 제2 유지 기간 중 제2 기간에는 복수의 제2 발광 셀만 유지 방전시킨다.
PDP, 전극, 소거, 방전, 서브필드, 표시 라인, 방전 셀, 주사 회로, 발광 셀

Description

플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법{PLASMA DISPLAY AND DRIVING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 2 및 도 3은 각각 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열도이다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 나타낸 도면이다.
도 5는 제1 내지 제3 서브필드에서의 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다.
도 6은 제4 서브필드에서의 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다.
도 7은 제5 서브필드에서의 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다.
본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.
플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 플라즈마 표시 패널을 이용한 표시 장치이다.
이러한 플라즈마 표시 장치는 한 프레임이 각각의 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할되어 구동되며, 각 서브필드의 어드레스 기간에서 발광할 방전 셀과 발광하지 않을 방전 셀이 선택되고, 유지 기간에서 선택된 발광 할 방전 셀이 해당 서브필드의 가중치에 해당하는 기간 동안 유지 방전되어 화상이 표시된다.
이러한 플라즈마 표시 장치의 어드레스 기간에서는 발광할 방전 셀과 발광하지 않을 방전 셀을 선택하기 위해, 복수의 표시 라인을 순차적으로 주사한다. 따라서, 복수의 표시 라인을 순차적으로 주사하기 위한 주사 회로가 표시 라인의 수만큼 필요하다. 그로 인하여 플라즈마 표시 장치의 단가가 상승한다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 주사 회로의 개수를 줄일 수 있는 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 특징에 따르면, 각각 제1 표시 라인과 제2 표시 라인을 포함하는 복수의 주사 라인, 상기 복수의 주사 라인과 교차하는 방향으로 형성되어 있는 복수의 어드레스 라인, 상기 복수의 제1 표시 라인과 상기 복수의 어드레스 라인에 의해 각각 형성되는 복수의 제1 방전 셀 및 상기 복수의 제2 표시 라인과 상기 복수의 어드레스 라인에 의해 각각 형성되는 복수의 제2 방전 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서 한 필드를 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 상기 복수의 서브필드 중 제1 서브필드의 제1 어드레스 기간 동안 상기 복수의 제1 방전 셀 중 발광 셀 상태로 설정되어 있는 복수의 제1 발광 셀에서 제1 비발광 셀을 선택하는 단계, 상기 제1 서브필드의 제2 어드레스 기간 동안 복수의 제2 방전 셀 중 발광 셀 상태로 설정되어 있는 복수의 제2 발광 셀에서 제2 비발광 셀을 선택하는 단계, 상기 제1 어드레스 기간 직전의 제1 기간 동안 상기 복수의 제1 발광 셀만 유지 방전시키는 단계, 그리고 상기 제2 어드레스 기간 직전의 제2 기간 동안 상기 복수의 제2 발광 셀만 유지 방전시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 주사 라인을 형성하는 복수의 주사 전극과 상기 복수의 주사 전극에 대응하는 복수의 유지 전극, 상기 주사 전극과 상기 유지 전극에 의해 각각 정의되는 복수의 표시 라인, 상기 복수의 표시 라인과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 어드레스 전극, 상기 복수의 표시 라인과 상기 복수의 어드레스 전극이 교차하는 영역에 각각 형성되는 복수의 방전 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서 한 프레임을 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 상기 복수의 서브필드 중 제1 서브필드의 제1 유지 기간에서, 제1 기간 동안 상기 복수의 유지 전극 중 제1 그룹에 속하는 유지 전극 및 제2 그룹에 속하는 유지 전극에 각각 제1 전압과 상기 제1 전압보다 높은 제2 전압을 인가하고, 상기 복수의 주사 전극에 상기 제1 전압보다 높은 제3 전압을 인가하는 단계, 상기 제1 기간에 연속하는 제2 서브필드의 제1 어드레스 기간 동안, 상기 제1 및 제2 그룹에 속하는 유지 전극에 제4 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 주사 라인에 순차적으로 주사 펄스를 인가하는 단계, 상기 제1 어드레스 기간 에 연속하는 상기 제2 서브필드의 제2 유지 기간에서, 제2 기간 동안 상기 복수의 유지 전극 중 제1 그룹에 속하는 유지 전극 및 제2 그룹에 속하는 유지 전극에 상기 제2 전압과 상기 제1 전압을 인가하고, 상기 복수의 주사 전극에 상기 제3 전압을 인가하는 단계, 그리고 상기 제2 기간에 연속하는 제2 서브필드의 제2 어드레스 기간 동안, 상기 제1 및 제2 그룹에 속하는 유지 전극에 상기 제4 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 주사 라인에 순차적으로 주사 펄스를 인가하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 플라즈마 표시 패널, 그리고 구동부를 포함하는 플라즈마 표시 장치가 제공된다. 이때, 플라즈마 표시 패널은 각각 제1 표시 라인과 제2 표시 라인을 포함하는 복수의 주사 라인, 상기 복수의 주사 라인과 교차하는 방향으로 형성되어 있는 복수의 어드레스 라인, 상기 제1 표시 라인 및 상기 제2 표시 라인과 상기 복수의 어드레스 라인에 의해 각각 형성되는 복수의 방전 셀을 포함한다. 그리고 구동부는 복수의 서브필드 중 제1 서브필드의 제1 유지 기간에서 제1 기간 동안 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 복수의 방전 셀 중 발광 셀 상태로 설정되어 있는 복수의 제1 발광 셀만을 유지 방전시키고, 상기 제1 유지 기간에 이어지는 제2 서브필드의 제1 어드레스 기간 동안 상기 복수의 제1 발광 셀에서 비발광 셀을 선택하며, 상기 제1 어드레스 기간에 이어지는 상기 제2 서브필드의 제2 유지 기간에서 제2 기간 동안 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성되는 복수의 방전 셀 중 발광 셀 상태로 설정되어 있는 복수의 제2 발광 셀만을 유지 방전시키며, 상기 제2 유지 기간에 이어지는 상기 제2 서브필드의 제2 어드레스 기간 동안 상기 복수의 제2 발광 셀에서 비발광 셀을 선택한다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다.
도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 연결되어 있는 경우도 포함한다.
그리고 본 발명에서의 벽 전하란 셀의 벽(예를 들어, 유전체층) 상에서 각 전극에 가깝게 형성되는 전하를 말한다. 그리고 벽 전하는 실제로 전극 자체에 접촉되지는 않지만, 여기서는 전극에 "형성", "축적됨" 또는 "쌓임"과 같이 설명한다. 또한 벽 전압은 벽 전하에 의해서 셀의 벽에 형성되는 전위 차를 말한다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치에 대해서 도 1 및 도 2를 참조하여 자세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 제어부(200), 어드레스 전극 구동부(300), 주사 전극 구동부(400) 및 유지 전극 구동부(500)를 포함한다.
플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(이하, “A 전극”이라 함)(A1∼Am), 그리고 행 방향으로 뻗어 있는 복수의 유지 전극(이하, “X 전극”이라 함)(X1∼Xn) 및 주사 전극(이하 “Y 전극”이라 함)(Y1∼Yn)을 포함한다.
제어부(200)는 외부로부터 영상 신호를 수신하여 A 전극 구동 제어 신호, X 전극 구동 제어 신호 및 Y 전극 구동 제어 신호를 출력한다. 그리고 제어부(200)는 한 프레임을 각각의 휘도 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할하여 구동한다. 또한, 제어부(200)는 복수의 X 전극을 짝수 번째 X 전극을 포함하는 제1 그룹과 홀수 번째 X 전극을 포함하는 제2 그룹으로 분할하여 구동되도록 제어 신호를 출력한다.
어드레스 전극 구동부(300)는 제어부(200)로부터 A 전극 구동 제어 신호를 수신하여 A 전극에 구동 전압을 인가한다.
주사 전극 구동부(400)는 제어부(200)로부터 Y 전극 구동 제어 신호를 수신하여 Y 전극에 구동 전압을 인가한다.
유지 전극 구동부(500)는 제어부(200)로부터 X 전극 구동 제어 신호를 수신하여 X 전극에 구동 전압을 인가한다.
도 2 및 도 3은 각각 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열도이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 표시 패널(100)은 A 전극(A1~Am)이 하나의 기판에 형성되고, X 전극(X1~Xn)과 Y 전극(Y1~Yn)이 다른 기판에 형성되어, 두 기판이 마주보도록 배치될 수 있다. X 전극(X1~Xn)은 각 Y 전극(Y1~Yn)에 대응해서 형성되어 있다. 이때, Y 전극(Y1~Yn)이 어드레스 기간에서 주사 전압(도 5 및 도 6의 VscL 및 도 7의 VscL')이 인가되는 주사 라인을 형성하며, A 전극(A1~Am)이 어드레스 기간에서 어드레스 전압(도 5 및 도 6의 Va 및 도 7의 Va')이 인가되는 어드레스 라인을 형성한다. 그리고 Y 전극(Y1~Yn)과 X 전극(X1~Xn) 사이에 화상을 표시하기 위한 표시 라인(L1~L(2n-1))이 형성되어 있다. 이때, 하나의 Y 전극에 의해 두 개의 표시 라인이 형성된다. 예를 들면, 첫 번째 주사 전극(Y)과 첫 번째 유지 전극(X1)에 의해 하나의 표시 라인이 형성되며, 첫 번째 주사 전극(Y)과 두 번째 유지 전극(X2)에 의해 또 다른 하나의 표시 라인이 형성된다. 따라서, 표시 라인(L1~L(2n-1))은 홀수 번째 행의 X 전극(X1, X3, …, X(n-1))으로 이루어지는 제1 그룹의 X 전극과 Y 전극(Y1~Yn)에 의해 각각 형성되는 복수의 제1 표시 라인과 짝수 번째 행의 X 전극(X2, X4, …, Xn)으로 이루어지는 제2 그룹의 X 전극과 Y 전극(Y1∼Yn)에 의해 각각 형성되는 제2 표시 라인으로 그룹화할 수 있다.
그리고 이 표시 라인(L1∼L(2n-1))과 A 전극(A1∼Am)의 교차부에 있는 방전 공간이 방전 셀(23)을 형성하며, 이 방전 셀(23)은 격벽(24)에 의해 구획되어 있다. 이러한 X 전극(X1∼Xn)과 Y 전극(Y1∼Yn)은 행 방향(x축 방향)을 따라 뻗어 있으며 폭이 좁은 버스 전극(21a, 22a)과 폭이 넓은 투명 전극(21b, 22b)을 포함하며, 투명 전극(21b, 22b)은 각각 버스 전극(21a, 22a)과 연결되어 있다. 이와는 달리, 투명 전극(21b, 22b) 없이 폭이 넓은 버스 전극(21a, 22a)만으로 X 전극과 Y 전극을 각각 형성할 수 있으며, 버스 전극(21a, 22a) 없이 투명 전극(21b, 22b)만 으로 X 전극과 Y 전극을 각각 형성할 수도 있다. 그리고 버스 전극(21a, 22a) 위에도 격벽이 형성되어 방전 셀(23)을 열 방향으로 구획할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 제1 실시 예에 따르면, 각 X 전극(X1∼Xn) 및 각 Y 전극(Y1∼Yn)은 행 방향(x 축 방향)을 따라 인접되는 2개의 표시 라인을 공유하는 구조로 배치되어, 각 X 전극(X1∼Xn)과 각 Y 전극(Y1∼Yn)은 행 방향(x 축 방향)을 따라 인접되는 2개의 표시 라인에 의해 각각 형성되는 방전 셀(23)의 방전에 관여하게 된다. 또한 이러한 패널의 구조로 인하여 하나의 전극이 하나의 표시 라인에만 관여하는 구조에 비해, X 전극과 Y 전극의 수를 거의 절반으로 줄일 수 있다. 예를 들면, 512개의 표시 라인을 구동할 때, X 전극과 Y 전극은 각각 512개가 필요하다. 그런데, 본 발명의 제1 실시 예와 같은 패널의 구조에서는 X 전극과 Y 전극이 각각 512개의 절반 정도만 있으면 된다.
그리고 도 3과 같은 플라즈마 표시 패널(100')도 본 발명에 적용될 수 있다. 도 3을 보면, 플라즈마 표시 패널(100')은 각 Y 전극과 각 X 전극에 의해 각 표시 라인이 형성된다는 점에서 도 2와 차이가 있다. 즉, A 전극과 나란한 방향(도면의 y축 방향) 및 A 전극(A1∼Am)과 교차하는 방향을 따라 격벽(34)이 형성되어 있다. 이처럼, 각 표시 라인은 각 Y 전극과 각 X 전극에 의해 형성되므로, X 전극(X1∼Xn)과 Y 전극(Y1∼Yn)은 폭이 좁은 버스 전극(31a, 32a)과 도 2와는 달리 버스 전극(31a, 32a)으로부터 각 표시 라인의 중심을 향해 연장되어 있는 투명 전극(31b, 32b)을 포함한다. 이러한 X 전극(X1∼Xn)과 Y 전극(Y1∼Yn)은 버스 전극(31a, 32a)으로만 이루어질 수도 있다. 이때, 아래에서 설명하는 구동 파형이 동일하게 적용 되기 위해, 복수의 Y 전극은 제1 그룹의 복수의 Y 전극과 제2 그룹의 복수의 Y 전극으로 나누어지고, 제1 그룹의 복수의 Y 전극 중 하나의 Y 전극과 제2 그룹의 복수의 Y 전극 중 하나의 Y 전극이 어드레스 기간에서 VscL 전압(또는 VscL' 전압)이 인가되는 하나의 주사 라인을 형성한다. 그리고 표시 라인(L1∼L(2n-1))은 홀수 번째 행의 X 전극(X1, X3, …, X(n-1))으로 이루어지는 제1 그룹의 X 전극과 제1 그룹의 Y 전극에 의해 각각 형성되는 복수의 제1 표시 라인과 짝수 번째 행의 X 전극(X2, X4, …, Xn)으로 이루어지는 제2 그룹의 X 전극과 제2 그룹의 Y 전극(Y1∼Yn)에 의해 각각 형성되는 제2 표시 라인으로 이루어진다.
다음으로, 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 플라즈마 표시 패널(100, 100')의 구조를 가지는 플라즈마 표시 장치를 구동하는 방법에 대해서 설명한다. 아래에서는 설명의 편의상 도 2에 도시한 플라즈마 표시 패널(100)을 기준으로 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 대해서 설명한다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 나타낸 도면이다. 도 4에서는 복수의 제1 표시 라인을 "L_odd"로 도시하였고, 복수의 제2 표시 라인을 "L_even"로 도시하였다. 그리고 유지 기간에서 유지 방전 펄스가 인가되어 유지 방전이 일어나도록 벽 전하가 형성되어 있는 방전 셀을 "발광 셀"이라 하며, 유지 기간에서 유지 방전 펄스가 인가되어도 유지 방저니 일어나지 않도록 벽 전하가 형성되어 있는 셀을 "비발광 셀"이라 한다. 복수의 방전 셀을 초기화하여 비발광 셀로 설정하는 메인 리셋 기간을 "MR"로 도시하였고, 직전 서브필드에서 유지 방전이 일어난 셀을 초기화하여 비발광 셀로 설정하는 보조 리셋 기간을 "SR" 로 도시하였다. 또한 비발광 셀을 어드레스 방전시켜서 벽 전하를 형성하여 발광 셀로 설정하는 기입 어드레스 기간을 "WA"로 도시하였고, 발광 셀을 어드레스 방전시켜서 이미 형성되어 있는 벽 전하를 소거시켜 비발광 셀로 설정하는 소거 어드레스 기간을 "EA"로 도시하였다. 그리고 발광 셀에서 유지 방전을 수행하는 유지 기간을 "S"로 도시하였다. 아래에서는 기입 어드레스 기간(WA)에서 벽 전하를 형성하기 위한 어드레스 방전을 "기입 방전"이라 하고, 소거 어드레스 기간(EA)에서 벽 전하를 소거하기 위한 어드레스 방전을 "소거 방전"이라 한다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법은 홀수 프레임과 짝수 프레임이 나누어져 서로 달리 구동되며, 각 프레임은 복수의 서브필드(SF1~SF10)로 분할되어 구동된다. 이때, 각 서브필드(SF1~SF10)는 계조 표시를 위해 소정의 가중치를 가진다. 예를 들면, 각 서브필드(SF1~SF10)의 가중치는 각각 1, 2, 4, 8, 8, 8, 8, 8, 8 및 8로 설정될 수 있다.
다시 도 4를 보면, 홀수 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서는 복수의 제1 표시 라인(L_odd)만이 구동되며, 복수의 제2 표시 라인(L_even)은 구동되지 않는다. 짝수 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서는 복수의 제2 표시 라인(L_even)만이 구동되며, 복수의 제1 표시 라인(L_odd)에 대해서는 구동되지 않는다. 즉, 제1 내지 제3 서브필드(Sf1~SF3)에서 제1 및 제2 표시 라인(L_odd, L_even) 각각은 두 프레임 주기로 구동된다.
홀수 프레임의 제1 서브필드(SF1)는 복수의 제1 표시 라인(L_odd)에 대해 메인 리셋 기간(MR), 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)을 수행하며, 제2 및 제3 서브필드(SF2~SF3)는 각각 보조 리셋 기간(SR), 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)을 수행한다. 그리고 짝수 프레임의 제1 서브필드(SF1)는 복수의 제2 표시 라인(L_even)에 대해 메인 리셋 기간(MR), 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)을 수행하며, 제2 및 제3 서브필드(SF2~SF3)는 각각 보조 리셋 기간(SR), 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)을 수행한다. 여기서, 제2 및 제3 서브필드(SF2~SF3)의 리셋 기간을 리셋 기간 단축 및 콘트라스트 향상을 위해 보조 리셋 기간(SR)을 수행하는 것으로 도시하였으나, 메인 리셋 기간(MR)이 수행될 수도 있다.
다음으로, 홀수 프레임의 제4 서브필드(SF4)에서는 먼저 복수의 제1 표시 라인(L_odd)에 대해 보조 리셋 기간(SR), 기입 어드레스 기간(WA1) 및 유지 기간(S1)을 수행하며, 이후에 복수의 제2 표시 라인(L_even)에 대해 메인 리셋 기간(MR), 기입 어드레스 기간(WA1) 및 유지 기간(S2)을 수행한다. 즉, 복수의 제2 표시 라인(L_even)은 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서 어떠한 동작도 수행되지 않았으므로, 복수의 제2 표시 라인(L_even)에 대해서는 메인 리셋 기간(MR)이 수행된다. 그리고 복수의 제1 표시 라인(L_odd)은 유지 기간(S1) 동안 유지 방전이 발생되므로, 복수의 제2 표시 라인(L_even)에 대한 유지 기간(S2) 동안 제1 표시 라인(L_odd)에서도 유지 방전이 일어난다.
짝수 프레임의 제4 서브필드(SF4)에서는 먼저 복수의 제2 표시 라인(L_even)에 대해 보조 리셋 기간(SR), 기입 어드레스 기간(WA1) 및 유지 기간(S1)을 수행하며, 이후에 복수의 제1 표시 라인(L_odd)에 대해 메인 리셋 기간(MR), 기입 어드레 스 기간(WA1) 및 유지 기간(S2)을 수행한다. 마찬가지로, 복수의 제1 표시 라인(L_odd)은 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서 어떠한 동작도 수행되지 않았으므로, 복수의 제1 표시 라인(L_odd)에 대해서는 메인 리셋 기간(MR)이 수행된다. 그리고 복수의 제2 표시 라인(L_even)은 유지 기간(S1) 동안 유지 방전이 발생되므로, 복수의 제1 표시 라인(L_odd)에 대한 유지 기간(S2) 동안 제2 표시 라인(L_even)에서도 유지 방전이 일어난다.
이어서, 홀수 프레임의 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10) 각각에서는 먼저 제1 표시 라인(L_odd)에 대해 소거 어드레스 기간(EA1) 및 유지 기간(S1)이 수행된다. 그리고 제1 표시 라인(L_odd)에 대해 유지 기간(S1)이 수행되는 동안 제2 표시 라인(L_even)에 대해서도 유지 기간(S1)이 수행된다. 유지 기간(S1)에 이어서 제2 표시 라인(L_even)에 대해 소거 어드레스 기간(EA2) 및 유지 기간(S2)이 수행된다. 그리고 제2 표시 라인(L_even)에 대해 유지 기간(S2)이 수행되는 동안 제1 표시 라인(L_odd)에 대해서도 유지 기간(S2)이 수행된다.
짝수 프레임의 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10) 각각에서는 먼저 제2 표시 라인(L_even)에 대해 소거 어드레스 기간(EA1) 및 유지 기간(S1)이 수행된다. 그리고 제2 표시 라인(L_even)에 대해 유지 기간(S1)이 수행되는 동안 제1 표시 라인(L_odd)에 대해서도 유지 기간(S1)이 수행된다. 유지 기간(S1)에 이어서 제1 표시 라인(L_odd)에 대해 소거 어드레스 기간(EA2) 및 유지 기간(S2)이 수행된다. 그리고 제1 표시 라인(L_odd)에 대해 유지 기간(S2)이 수행되는 동안 제2 표시 라인(L_even)에 대해서도 유지 기간(S2)이 수행된다.
이와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 보면, 홀수 프레임과 짝수 프레임은 각각 복수의 제1 표시 라인(L_odd)과 복수의 제2 표시 라인(L_even)에 대해 그 순서가 바뀐 것을 제외하고는 동일한 방법으로 구동된다. 따라서, 이하에서는 홀수 프레임에 인가되는 구동 파형을 중심으로 설명한다.
도 5는 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서의 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이고, 도 6은 제4 서브필드(SF4)에서의 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다. 그리고 도 7은 제5 서브필드(SF5)에서의 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다. 도 5 내지 도 7에서는 설명의 편의상 제1 그룹에 속하는 복수의 X 전극 중 하나의 X 전극(Xi)과 제2 그룹에 속하는 복수의 X 전극 중 하나의 X 전극(X(1+1)), 복수의 Y 전극 중 하나의 Y 전극(Yi) 및 복수의 A 전극 중 하나의 A 전극(Aj)만을 도시하였다. 이때, 복수의 제1 표시 라인 중 하나의 Y 전극(Yi)과 하나의 X 전극(Xi)에 의해 제1 표시 라인(L(2i-1))이 형성되고, 복수의 제2 표시 라인 중 하나의 Y 전극(Yi)과 하나의 X 전극(X(i+1))에 의해 제2 표시 라인(L(2i))이 형성된다. 그리고 제1 표시 라인(L(2i-1))과 A 전극(Aj)에 의해 방전 셀(C(2i-1, j))이 형성되고, 제2 표시 라인(L(2i))과 A 전극(Aj)에 의해 방전 셀(C(2i, j))이 형성된다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간(MR)은 소거 기간(Ⅰ), 상승 기간(Ⅱ) 및 하강 기간(Ⅲ)을 포함한다.
메인 리셋 기간(MR)의 소거 기간(Ⅰ)에서는 X 전극(Xi, X(i+1))에 Ve 전압을 인가한 상태에서 Y 전극(Yi)의 전압을 Vs 전압에서 0V 전압까지 점진적으로 감소시킨다. 그러면, 제1 서브필드(SF1)의 이전 서브필드의 유지 기간에서 발광 셀의 X 전극(Xi, X(i+1))과 Y 전극(Y)에 각각 형성되어 있는 (+) 벽 전하와 (-) 벽 전하가 소거된다.
이어서, 메인 리셋 기간(MR)의 상승 기간(Ⅱ)에서는 A 전극(Aj)에는 0V 전압을 인가하고, X 전극(X(i+1))에 Ve 전압을 인가하고, X 전극(Xi)에 0V 전압을 인가한 상태에서, Y 전극(Yi)의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 증가시킨다. 그러면, Y 전극(Yi)의 전압이 증가하는 중에 Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi) 사이 및 Y 전극(Yi)과 A 전극(Aj) 사이에서 미약한 방전(이하, "약 방전"이라 함)이 일어나면서, Y 전극(Yi)에는 (-) 벽 전하가 형성되고 X 및 A 전극(Xi, Aj)에는 (+) 벽 전하가 형성된다. 이때, X 전극(X(i+1))에는 Ve 전압이 인가되었으므로, X 전극(X(i+1))과 Y 전극(Yi) 사이에서는 방전이 일어나지 않는다. 그리고 전극의 전압이 도 5과 같이 점진적으로 변하는 경우에는 셀에 미약한 방전이 일어나면서 외부에서 인가된 전압과 셀의 벽 전압의 합이 방전 개시 전압 상태를 유지하도록 벽 전하가 형성된다. 이러한 원리에 대해서는 웨버(Weber)의 미국등록특허 제5,745,086에 개시되어 있다. 리셋 기간에서는 모든 셀의 상태를 초기화하여야 하므로 Vset 전압은 모든 조건의 셀에서 방전이 일어날 수 있을 정도의 높은 전압이다. 또한, Vs 전압은 Y 전극과 X 전극 사이의 방전 개시 전압보다 낮은 전압이다.
메인 리셋 기간(MR)의 하강 기간(Ⅲ)에서는 A 전극(Aj)에는 0V 전압을 인가하고, X 전극(X(i+1))에 0V 전압을 인가하고, X 전극(Xi)에 Ve 전압을 인가한 상태 에서, Y 전극(Yi)의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 감소시킨다. 그러면, Y 전극(Yi)의 전압이 감소하는 중에 Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi) 사이 및 Y 전극(Yi)과 A 전극(Aj) 사이에서 약 방전이 일어나면서 Y 전극(Yi)에 형성된 (-) 벽 전하와 X 전극(Xi) 및 A 전극(Aj)에 형성된 (+) 벽 전하가 소거되어 방전 셀(C(2i-1, j))이 초기화된다. 이때, X 전극(X(i+1))에는 0V 전압이 인가되었으므로, X 전극(X(i+1))과 Y 전극(Yi) 사이에서는 방전이 일어나지 않는다. 일반적으로, 메인 리셋 기간(MR)의 하강 기간(Ⅲ)에서 Vnf 전압이 인가되었을 때, X 전극(Xi)과 Y 전극(Yi) 사이의 벽 전압과 X 전극(Xi)과 Y 전극(Yi) 사이의 외부 전압(Vnf-Ve)의 합은 X 전극(Xi)과 Y 전극(Yi) 사이의 방전 개시 전압으로 결정된다. 그러면, X 전극(Xi)과 Y 전극(Yi) 사이의 벽 전압이 거의 0V가 되어, 어드레스 기간에서 어드레스 방전이 일어나지 않은 셀이 유지 기간에서 오방전하는 것을 방지할 수 있다. 그리고 어드레스 전극(Aj)의 전압은 0V 전압으로 유지되어 있으므로, Vnf 전압 레벨에 의해 Y 전극(Yi)과 A 전극(Aj) 사이의 벽 전압이 결정된다.
다음으로, 제1 서브필드(SF1)의 기입 어드레스 기간(WA)에서는 X 전극(X(i+1))에 0V 전압을 인가하고 X 전극(Xi)에 Ve 전압을 인가한 상태에서, Y 전극(Yi)에 주사 전압(VscL)을 인가한다. 여기서, 주사 전압(VscL)은 Vnf 전압과 같거나 낮은 레벨로 설정될 수 있다. 그리고 주사 전압(VscL)이 인가된 Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi)에 의해 형성되는 표시 라인(L(2i-1)) 중에서 선택하고자 하는 방전 셀을 통과하는 A 전극(Aj)에 어드레스 전압(Va)이 인가된다. 그리고 주사 전압(VscL)이 인가되지 않는 Y 전극에는 주사 전압(VscL) 보다 높은 VscH 전압이 인가되고, 선택되지 않는 방전 셀의 A 전극에는 기준 전압이 인가된다. 이렇게 하면, 방전 셀(C(2i-1, j))에서 기입 방전이 일어나 X 전극(Xi) 쪽에 인접한 Y 전극에 (+) 벽 전하가 형성되고 X 전극(Xi)에 (-) 벽 전하가 형성된다.
도 3에서는 기입 어드레스 기간(WA)에서 하나의 Y 전극(Yi)과 하나의 A 전극(Aj)에 각각 인가되는 주사 펄스 및 어드레스 펄스를 도시하였지만, 일반적으로는 기입 어드레스 기간(WA)에서 주사 전극 구동부(400)는 Y 전극(Y1-Yn) 중 주사 펄스가 인가될 Y 전극을 선택한다. 예를 들어, 싱글 구동에서는 수직 방향으로 배열된 순서대로 Y 전극을 선택할 수 있다. 그리고 하나의 Y 전극이 선택되는 경우, 어드레스 전극 구동부(300)는 해당 Y 전극에 의해 형성되는 방전 셀 중 발광 셀을 선택한다. 즉, 어드레스 전극 구동부(300)는 A 전극(A1-Am) 중 Va 전압의 어드레스 펄스가 인가될 셀을 선택한다.
제1 서브필드(SF1)의 유지 기간(S)에서는 Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi, X(i+1))에 하이 레벨 전압(도 5에서는 Vs 전압)과 로우 레벨 전압(도 5에서는 0V 전압)을 교대로 가지는 유지 방전 펄스가 반대 위상으로 인가되어 발광 셀(C(2i-1, j))에서 유지 방전이 일어난다. 즉, Y 전극(Yi)에 Vs 전압이 인가될 때 X 전극(Xi, X(i+1))에 0V 전압이 인가되고, X 전극(Xi, X(i+1))에 Vs 전압이 인가될 때 Y 전극(Yi)에 0V 전압이 인가된다. 그러면, 기입 어드레스 기간(WA)에서 기입 방전에 의해 Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi) 사이에 형성된 벽 전압과 이 Vs 전압에 의해 Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi) 사이에서 유지 방전이 일어난다. 이후, Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi, X(i+1))에 유지 방전 펄스를 인가하는 과정이 해당 서브필드가 표시하는 가중치에 대응하 는 횟수만큼 반복된다.
다음으로, 제2 및 제3 서브필드(SF2~SF3)에서는 보조 리셋 기간(SR)을 제외하고는 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)의 동작이 제1 서브필드(SF1)와 동일하므로, 보조 리셋 기간(SR)에 대해서만 설명한다.
제2 및 제3 서브필드(SF2~SF3)의 보조 리셋 기간(SR)에서는 메인 리셋 기간(MR)과 달리 상승 기간(Ⅱ)을 가지지 않고 하강 기간(Ⅲ)만을 가진다. 즉, 제1 서브필드(SF1)의 유지 기간에서 Y 전극(Yi)에 Vs 전압이 인가되고, X 전극(Xi, X(i+1))에 0V 전압이 인가되어 발광 셀(C2i-1, j)에서 마지막 유지 방전이 일어나므로, X 전극(Xi)과 Y 전극(Yi)에는 각각 (+) 벽 전하 및 (-) 벽 전하가 형성된다. 따라서, 제2 및 제3 서브필드(SF2~SF3)의 보조 리셋 기간(SR)에서 A 전극(Aj)에 0V 전압을 인가하고, X 전극(X(i+1))에 0V 전압을 인가하고, X 전극(Xi)에 Ve 전압을 인가한 상태에서, Y 전극(Yi)의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 감소시킨다. 그러면, Y 전극(Yi)의 전압이 감소하는 중에 직전 서브필드 즉, 제1 서브필드(SF1)에서 유지 방전이 일어난 셀 즉, Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi) 사이 및 Y 전극(Yi)과 A 전극(Aj) 사이에서 약 방전이 일어나면서 Y 전극(Yi)에 형성된 (-) 벽 전하와 X 전극(Xi) 및 A 전극(Aj)에 형성된 (+) 벽 전하가 소거되어 발광 셀(C2i-1, j)이 초기화된다. 그리고 복수의 제1 표시 라인에 의해 형성되는 방전 셀 중 제1 서브필드(SF1)에서 유지 방전이 일어나지 않은 셀은 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간 종료 후의 벽 전하 상태를 유지하고 있으므로, 제2 및 제3 서브필드(SF2~SF3)의 보조 리셋 기간(SR) 이후에는 복수의 제1 표시 라인에 의해 형성되 는 방전 셀이 모두 비발광 셀 상태가 된다.
이와 같이, 홀수 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서는 복수의 제1 표시 라인에 의해 형성되는 방전 셀에 대해서만 리셋 기간, 기입 어드레스 기간 및 유지 기간의 동작이 수행된다.
제2 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서는 복수의 제2 표시 라인에 의해 형성되는 방전 셀에 대해서만 리셋 기간, 기입 어드레스 기간 및 유지 기간의 동작이 수행된다. 제2 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서는 제1 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서의 동작과 유사하며, 제2 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서는 제1 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서 X 전극(Xi)에 인가된 구동 파형을 제2 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서 X 전극(X(i+1))에 인가하고, 제1 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서 X 전극(X(i+1))에 인가된 구동 파형을 제2 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서 X 전극(Xi)에 인가한다.
다음으로, 도 6에 나타낸 바와 같이, 제4 서브필드(SF4)에서는 먼저 복수의 제1 표시 라인(L(2i-1))에 대해 보조 리셋 기간(SR), 어드레스 기간(WA1) 및 유지 기간(S1)이 수행된다. 이때, 보조 리셋 기간(SR), 어드레스 기간(WA1) 및 유지 기간(S1)은 앞서 설명한 제2 및 제3 서브필드(SF2~SF3)의 보조 리셋 기간(SR), 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)과 동일하다. 이어서, 제4 서브필드(SF4)에서는 제2 표시 라인(L(2i))에 대해 메인 리셋 기간(MR), 보정 기간(AS), 어드레스 기간(WA2) 및 유지 기간(S2)을 수행한다. 이때, 메인 리셋 기간(MR) 및 보정 기간(AS)을 제외 한 어드레스 기간(WA2) 및 유지 기간(S2)은 앞서 설명한 제1 서브필드(SF1)의 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)과 동일하다. 따라서, 아래에서는 메인 리셋 기간(MR) 및 보정 기간(AS)에 대해서만 설명한다.
제1 서브필드(SF1)에서와 달리, 제4 서브필드(SF4)에서 메인 리셋 기간(MR)의 상승 기간에서는 A 전극(Aj)에는 0V 전압을 인가하고, X 전극(Xi)에 Ve 전압을 인가하고, X 전극(X(i+1))에 0V 전압을 인가한 상태에서, Y 전극(Yi)의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 증가시킨다. 그러면, Y 전극(Yi)의 전압이 증가하는 중에 Y 전극(Yi)과 X 전극(X(i+1)) 사이 및 Y 전극(Yi)과 A 전극(Aj) 사이에서 약 방전이 일어나면서, Y 전극(Yi)에는 (-) 벽 전하가 형성되고 X 및 A 전극(X(i+1), Aj)에는 (+) 벽 전하가 형성된다. 이때, X 전극(Xi)에는 Ve 전압이 인가되었으므로, X 전극(Xi)과 Y 전극(Yi) 사이에서는 방전이 일어나지 않는다.
이어서, 메인 리셋 기간(MR)의 하강 기간에서는 A 전극(Aj)에는 0V 전압을 인가하고, X 전극(Xi)에 0V 전압을 인가하고, X 전극(X(i+1))에 Ve 전압을 인가한 상태에서, Y 전극(Yi)의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 감소시킨다. 그러면, Y 전극(Yi)의 전압이 감소하는 중에 Y 전극(Yi)과 X 전극(X(i+1)) 사이 및 Y 전극(Yi)과 A 전극(Aj) 사이에서 약 방전이 일어나면서 Y 전극(Yi)에 형성된 (-) 벽 전하와 X 전극(X(i+1)) 및 A 전극(Aj)에 형성된 (+) 벽 전하가 소거되어 방전 셀(C(2i, j))이 초기화된다. 이때, X 전극(Xi)에는 0V 전압이 인가되었으므로, X 전극(Xi)과 Y 전극(Yi) 사이에서는 방전이 일어나지 않는다. 이처럼, 제4 서브필드(SF4)의 메인 리셋 기간(MR)에서는 제2 표시 라인(L(2i))에 형성되는 방전 셀(C(2i, j))을 초기화하여 비발광 셀로 설정한다.
한편, 제4 서브필드(SF4)의 유지 기간(S1)에서 Y 전극(Yi)에 Vs 전압이 인가되고 X 전극(Xi, X(i+1))에 0V 전압이 인가되어, 발광 셀(C2i, j)에서 마지막 유지 방전이 일어나 Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi)에는 각각 (-) 벽 전하 및 (+) 벽 전하가 형성된다. 그리고 제4 서브필드(SF4)의 메인 리셋 기간(MR)에서는 제2 표시 라인(L(2i))에 형성되는 방전 셀(C(2i, j))만이 초기화되므로, Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi)의 벽 전하 상태는 제3 서브필드(SF3)의 유지 기간(S)의 종료 후의 벽 전하 상태와 동일하다. 이러한 상태에서 기입 어드레스 기간(WA2)에서 Y 전극에 주사 전압이 인가되는 동안 X 전극(Xi)에는 Ve 전압이 인가되므로, 방전 셀(C(2i, j))은 유지 기간(S1)에서 형성된 벽 전하에 의한 벽 전압과 기입 어드레스 기간(WA2)에서의 인가 전압에 의해 방전이 발생될 수 있다.
따라서, 보정 기간(AS)에서는 X 전극(Xi, X(i+1))에 Ve 전압을 인가한 상태에서 Y 전극(Yi)에 0V 전압을 인가한다. 그러면, 유지 기간(S1) 종료 후의 Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi)에 각각 형성된 벽 전하에 의한 벽 전압과 인가 전압(Ve)에 의해 Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi) 사이에서 방전이 일어나면서 Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi)에는 각각 (+) 벽 전하 및 (-) 벽 전하가 형성된다. 그리고 복수의 제2 표시 라인에 형성되는 방전 셀은 메인 리셋 기간(MR)에서 초기화되었으므로, 보정 기간(AS)에서 방전이 발생되지 않으므로, 복수의 제2 표시 라인에 형성되는 방전 셀의 벽 전하 상태는 메인 리셋 기간(MR)의 종료 후의 벽 전하 상태와 동일하다.
이어서, 기입 어드레스 기간(WA2)에서는 X 전극(X(i), X(i+1))에 Ve 전압을 인가한 상태에서, Y 전극(Yi)에 순차적으로 주사 전압(VscL)을 인가한다. 여기서, 주사 전압(VscL)은 Vnf 전압과 같거나 낮은 레벨로 설정될 수 있다. 그리고 주사 전압(VscL)이 인가된 Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi)에 의해 형성되는 표시 라인(L(2i)) 중에서 선택하고자 하는 방전 셀을 통과하는 A 전극(Aj)에 어드레스 전압(Va)이 인가된다. 그리고 주사 전압(VscL)이 인가되지 않는 Y 전극에는 주사 전압(VscL)보다 높은 VscH 전압이 인가되고, 선택되지 않는 방전 셀의 A 전극에는 기준 전압이 인가된다. 이렇게 하면, 방전 셀(C(2i, j))에서 기입 방전이 일어나 X 전극(X(i+1)) 쪽에 인접한 Y 전극(Yi)에 (+) 벽 전하가 형성되고 X 전극(X(i+1))에 (-) 벽 전하가 형성된다. 그리고 보정 기간(MR)에서 방전이 일어난 Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi)에는 각각 (+) 벽 전하 및 (-) 벽 전하가 형성되므로, 기입 어드레스 기간(WA2)에서 기입 방전이 일어나지 않는다.
그리고 유지 기간(S2)에서는 유지 기간(S1)의 동작과 동일하되, 발광 셀(C(2i-1, j), C(2i, j))에서 유지 방전이 일어난다. 즉, 복수의 제2 표시 라인에 형성된 방전 셀 중 기입 어드레스 기간(WA2)에서 기입 방전이 일어난 셀 및 복수의 제1 표시 라인에 형성된 방전 셀 중 유지 기간(S1)에서 유지 방전이 일어난 셀이 발광 셀 상태이므로, 이러한 발광 셀에서 유지 방전이 일어난다.
다음으로, 도 7에 나타낸 바와 같이, 제5 서브필드(SF5)의 소거 어드레스 기간(EA1)에서는 X 전극(Xi, X(i+1))에 0V 전압을 인가한 상태에서, Y 전극(Yi)에 주사 전압(VscL')을 인가한다. 그리고 주사 전압(VscL')이 인가된 Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi)에 의해 형성되는 표시 라인(L(2i-1)) 중에서 켜지지 않을 셀을 통과하는 A 전극(Aj)에 어드레스 전압(Va')이 인가된다. 그리고 주사 전압(VscL')이 인가되지 않는 Y 전극에는 주사 전압(VscL')보다 높은 VscH' 전압이 인가되고, 선택되지 않는 방전 셀의 A 전극에는 기준 전압이 인가된다. 이렇게 하면, 발광 셀(C(2i-1, j))에서 소거 방전이 일어나 X 전극(Xodd) 쪽에 인접한 Y 전극과 X 전극(Xodd)에 형성된 벽 전하가 소거된다.
이때, 제1 표시 라인(L(2i-1))에 형성된 발광 셀(C(2i-1, j)) 중 비발광 셀에서만 소거 방전이 일어날 수 있도록, 소거 어드레스 기간(EA1)을 가지는 서브필드(SF5)의 직전 서브필드 즉, 제4 서브필드(SF4)의 유지 기간(S2)에서 Y 전극에 마지막 Vs 전압이 인가되는 기간(S21) 동안 X 전극(Xi+1)에는 Vs 전압을 인가하고, X 전극(Xi)에는 0V 전압을 인가한다. 그러면, Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi) 사이에서만 유지 방전이 일어나며, X 전극(Xi) 쪽에 위치한 Y 전극(Yi)에는 (-) 벽 전하가 형성되고, X 전극(Xi)에는 (+) 벽 전하가 형성된다. 그리고 Y 전극(Yi)과 X 전극(X(i+1)) 사이에서는 유지 방전이 일어나지 않으므로, X 전극(X(i+1)) 쪽에 위치한 Y 전극(Yi)에는 (+) 벽 전하가 형성되고, X 전극(X(i+1))에는 (-) 벽 전하가 형성된다. 따라서, 소거 어드레스 기간(EA1)에서는 X 전극(Xi)과 Y 전극(Yi) 사이에서만 소거 방전이 일어날 수 있다.
이어서, 유지 기간(S1)에서는 제4 서브필드(SF4)의 유지 기간(S1)의 동작과 동일하되, 소거 어드레스 기간(EA1)에서 소거 방전이 일어나지 않은 셀 및 제4 서브필드(SF1)의 유지 기간(S2)에서 유지 방전이 일어난 셀이 발광 셀이므로, 제1 표시 라인(L(2i-1))에 형성된 발광 셀 중 소거 어드레스 기간(EA1)에서 소거 방전이 일어나지 않은 셀 및 제2 표시 라인(L(2i))에 형성된 방전 셀 중 제4 서브필드(SF1)의 유지 기간(S2)에서 유지 방전이 일어난 셀에서 동시에 유지 방전이 일어난다.
소거 어드레스 기간(EA2)은 소거 어드레스 기간(EA1)의 동작과 동일하되, 소거 어드레스 기간(EA2)에서는 제2 표시 라인(L(2i))에 형성된 발광 셀 중 켜지지 않을 셀에서 소거 방전이 일어나 X 전극(X(i+1)) 쪽에 인접한 Y 전극(Yi)과 X 전극(X(i+1))에 형성된 벽 전하가 소거된다. 이처럼, 소거 어드레스 기간(EA2)에서 제2 표시 라인(L(2i))에 형성된 발광 셀 중 비발광 셀(C(2i, j))에서만 소거 방전이 일어날 수 있도록, 소거 어드레스 기간(EA2) 직전의 유지 기간(S1)에서 Y 전극에 마지막 Vs 전압이 인가되는 기간(S21) 동안 X 전극(Xi)에는 Vs 전압을 인가하고, X 전극(X(i+1)에는 0V 전압을 인가한다. 그러면, Y 전극(Yi)과 X 전극(X(i+1)) 사이에서만 유지 방전이 일어나며, X 전극(X(i+1)) 쪽에 위치한 Y 전극(Yi)에는 (-) 벽 전하가 형성되고, X 전극(X(i+1))에는 (+) 벽 전하가 형성된다. 그리고 Y 전극(Yi)과 X 전극(Xi) 사이에서는 유지 방전이 일어나지 않으므로, X 전극(Xi) 쪽에 위치한 Y 전극(Yi)에는 (+) 벽 전하가 형성되고, X 전극(Xi)에는 (-) 벽 전하가 형성된다. 따라서, 소거 어드레스 기간(EA2)에서는 X 전극(X(i+1))과 Y 전극(Yi) 사이에서만 소거 방전이 일어날 수 있다.
다음으로, 유지 기간(S2)에서는 소거 어드레스 기간(EA1, EA2)에서 소거 방전이 일어나지 않은 셀이 발광 셀이므로, 제1 및 제2 표시 라인(L(2i-1), L(2i))에 형성된 발광 셀 중 소거 어드레스 기간(EA1, EA2)에서 소거 방전이 일어나지 않은 셀에서 동시에 유지 방전이 일어난다.
그리고 제6 내지 제10 서브필드(SF6~SF10)에서 각 전극에 인가되는 구동 파형은 제5 서브필드(SF5)에서 각 전극에 인가되는 구동 파형과 동일하다.
이처럼, 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)에서는 소거 어드레스 기간(EA1) 직전의 유지 기간(S2) 및 소거 어드레스 기간(EA2) 직전의 유지 기간(S1)에서 각각 제1 및 제2 표시 라인(L(2i-1), L(2i))에 형성된 방전 셀(C(2i-1), C(2i))의 벽 전하 상태를 각각 제어함으로써, 소거 어드레스 기간(EA1, EA2)에서 X 전극(Xi, X(i+1))에 동일한 전압을 인가하여도, 제1 및 제2 표시 라인(L(2i-1), L(2i))에 형성된 방전 셀(C(2i-1), C(2i))을 다르게 제어할 수 있게 된다.
이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 복수의 Y 전극 중 2개의 Y 전극이 하나의 주사 라인을 형성하거나, 각 Y 전극이 각 주사 라인을 형성하되, 각 Y 전극에 의해 2개의 표시 라인이 형성되는 구조로 되어 있어, 하나의 X 전극과 하나의 Y 전극이 하나의 표시 라인을 형성하는 구조에 비해 주사 회로의 수를 줄일 수 있다.

Claims (20)

  1. 각각 제1 표시 라인과 제2 표시 라인을 포함하는 복수의 주사 라인, 상기 복수의 주사 라인과 교차하는 방향으로 형성되어 있는 복수의 어드레스 라인, 상기 복수의 제1 표시 라인과 상기 복수의 어드레스 라인에 의해 각각 형성되는 복수의 제1 방전 셀 및 상기 복수의 제2 표시 라인과 상기 복수의 어드레스 라인에 의해 각각 형성되는 복수의 제2 방전 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서 한 필드를 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법에 있어서,
    상기 복수의 서브필드 중 제1 서브필드의 제1 어드레스 기간 동안 상기 복수의 제1 방전 셀 중 발광 셀 상태로 설정되어 있는 복수의 제1 발광 셀에서 제1 비발광 셀을 선택하는 단계,
    상기 제1 서브필드의 제2 어드레스 기간 동안 복수의 제2 방전 셀 중 발광 셀 상태로 설정되어 있는 복수의 제2 발광 셀에서 제2 비발광 셀을 선택하는 단계,
    상기 제1 어드레스 기간 직전의 제1 기간 동안 상기 복수의 제1 발광 셀만 유지 방전시키는 단계, 그리고
    상기 제2 어드레스 기간 직전의 제2 기간 동안 상기 복수의 제2 발광 셀만 유지 방전시키는 단계
    를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기간 직전의 제3 기간 동안 상기 복수의 제1 및 제2 발광 셀을 유지 방전시키는 단계, 그리고
    상기 제2 기간 직전의 제4 기간 동안 상기 제1 비발광 셀을 제외한 제1 발광 셀 및 상기 제2 비발광 셀을 제외한 제2 발광 셀을 유지 방전시키는 단계
    를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 플라즈마 표시 장치는,
    상기 복수의 주사 라인을 각각 정의하는 복수의 주사 전극, 그리고
    상기 복수의 주사 전극에 각각 대응하는 복수의 유지 전극을 포함하며,
    상기 복수의 유지 전극 중 제1 그룹에 속하는 복수의 유지 전극과 상기 복수의 주사 전극에 의해 상기 복수의 제1 표시 라인이 정의되고, 상기 복수의 유지 전극 중 제2 그룹에 속하는 복수의 유지 전극과 상기 복수의 주사 전극에 의해 상기 복수의 제2 표시 라인이 정의되는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 플라즈마 표시 장치는,
    상기 복수의 주사 라인을 각각 정의하는 복수의 주사 전극, 그리고
    상기 복수의 주사 전극에 각각 대응하는 복수의 유지 전극을 포함하며,
    상기 복수의 주사 전극은 제1 그룹의 복수의 주사 전극과 제2 그룹의 복수의 주사 전극을 포함하며,
    상기 복수의 유지 전극은 제1 그룹의 복수의 유지 전극과 제2 그룹의 복수의 유지 전극을 포함하며,
    상기 제1 그룹의 복수의 주사 전극과 상기 제1 그룹의 복수의 유지 전극에 의해 상기 복수의 제1 표시 라인이 정의되고, 상기 제2 그룹의 복수의 주사 전극과 상기 제2 그룹의 복수의 유지 전극에 의해 상기 복수의 제2 표시 라인이 정의되며,
    상기 각 주사 라인은 상기 제1 그룹의 복수의 주사 전극 중 하나의 주사 전극 및 상기 제2 그룹의 복수의 주사 전극 중 하나의 주사 전극에 의해 정의되는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  5. 제3항 또는 제4항에 있어서,
    상기 제1 기간에서,
    상기 제1 그룹에 속하는 복수의 유지 전극 및 상기 제2 그룹에 속하는 복수의 유지 전극에 각각 제1 로우 레벨 전압 및 제1 하이 레벨 전압을 인가하고, 상기 복수의 주사 전극에 제2 하이 레벨 전압을 인가하는 단계
    를 포함하며,
    상기 제2 기간에서,
    상기 제1 그룹에 속하는 복수의 유지 전극 및 상기 제2 그룹에 속하는 복수의 유지 전극에 각각 상기 제1 하이 레벨 전압 및 상기 제1 로우 레벨 전압을 인가하고, 상기 복수의 주사 전극에 상기 제2 하이 레벨 전압을 인가하는 단계
    를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제3 및 제4 기간 각각에서,
    상기 복수의 주사 전극에 상기 제2 하이 레벨 전압과 제2 로우 레벨 전압을 교대로 가지는 제1 유지 방전 펄스를 적어도 1회 인가하고, 상기 복수의 유지 전극에 상기 제1 하이 레벨 전압과 상기 제1 로우 레벨 전압을 교대로 가지는 제2 유지 방전 펄스를 상기 제1 유지 방전 펄스와 반대 위상으로 적어도 1회 인가하는 단계를 포함하며,
    상기 제3 및 제4 기간은 상기 복수의 주사 전극에 상기 제2 로우 레벨 전압이 인가되고 종료되는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 어드레스 기간에서,
    상기 복수의 유지 전극에 제1 전압을 인가한 상태에서, 상기 제1 비발광 셀의 주사 전극 및 어드레스 전극에 각각 제1 전압 및 제2 전압을 인가하는 단계
    를 포함하며,
    상기 제2 어드레스 기간에서,
    상기 복수의 유지 전극에 상기 제1 전압을 인가한 상태에서, 상기 제2 비발광 셀의 주사 전극 및 어드레스 전극에 각각 상기 제1 전압 및 상기 제2 전압을 인 가하는 단계
    를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 제1 및 제3 기간은 상기 제1 서브필드의 직전 서브필드에 포함되는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제1 어드레스 기간 직전에 상기 복수의 제1 및 제2 방전 셀을 각각 상기 복수의 제1 및 제2 발광 셀로 설정하는 단계
    를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  10. 복수의 주사 라인을 형성하는 복수의 주사 전극과 상기 복수의 주사 전극에 대응하는 복수의 유지 전극, 상기 주사 전극과 상기 유지 전극에 의해 각각 정의되는 복수의 표시 라인, 상기 복수의 표시 라인과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 어드레스 전극, 상기 복수의 표시 라인과 상기 복수의 어드레스 전극이 교차하는 영역에 각각 형성되는 복수의 방전 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서 한 프레임을 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법에 있어서,
    상기 복수의 서브필드 중 제1 서브필드의 제1 유지 기간에서, 제1 기간 동안 상기 복수의 유지 전극 중 제1 그룹에 속하는 유지 전극 및 제2 그룹에 속하는 유 지 전극에 각각 제1 전압과 상기 제1 전압보다 높은 제2 전압을 인가하고, 상기 복수의 주사 전극에 상기 제1 전압보다 높은 제3 전압을 인가하는 단계,
    상기 제1 기간에 연속하는 제2 서브필드의 제1 어드레스 기간 동안, 상기 제1 및 제2 그룹에 속하는 유지 전극에 제4 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 주사 라인에 순차적으로 주사 펄스를 인가하는 단계,
    상기 제1 어드레스 기간에 연속하는 상기 제2 서브필드의 제2 유지 기간에서, 제2 기간 동안 상기 복수의 유지 전극 중 제1 그룹에 속하는 유지 전극 및 제2 그룹에 속하는 유지 전극에 상기 제2 전압과 상기 제1 전압을 인가하고, 상기 복수의 주사 전극에 상기 제3 전압을 인가하는 단계, 그리고
    상기 제2 기간에 연속하는 제2 서브필드의 제2 어드레스 기간 동안, 상기 제1 및 제2 그룹에 속하는 유지 전극에 상기 제4 전압을 인가한 상태에서, 상기 복수의 주사 라인에 순차적으로 주사 펄스를 인가하는 단계
    를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 복수의 표시 라인은,
    상기 제1 그룹에 속하는 복수의 유지 전극과 상기 복수의 주사 전극에 의해 각각 정의되는 복수의 제1 표시 라인, 그리고
    상기 제2 그룹에 속하는 복수의 유지 전극과 상기 복수의 주사 전극에 의해 각각 정의되는 복수의 제2 표시 라인
    을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 복수의 주사 전극을 제1 및 제2 그룹에 속하는 주사 전극으로 나누고,
    상기 복수의 표시 라인은,
    상기 제1 그룹의 복수의 주사 전극과 상기 제1 그룹의 복수의 유지 전극에 의해 각각 정의되는 복수의 제1 표시 라인, 그리고
    상기 제2 그룹의 복수의 주사 전극과 상기 제2 그룹의 복수의 유지 전극에 의해 각각 정의되는 복수의 제2 표시 라인
    을 포함하며,
    각 주사 라인은 상기 제1 그룹의 복수의 주사 전극 중 하나의 주사 전극 및 상기 제2 그룹의 복수의 주사 전극 중 하나의 주사 전극에 의해 정의되는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 유지 기간 각각에서,
    상기 제1 기간 직전 또는 상기 제2 기간 직전에, 상기 복수의 주사 전극과 상기 복수의 유지 전극에 제5 전압과 상기 제5 전압보다 낮은 제6 전압을 교대로 가지는 유지 방전 펄스를 반대 위상으로 인가하는 단계
    를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 어드레스 기간 각각에서,
    상기 주사 펄스가 인가되는 각 주사 전극에 의해 형성되는 발광 셀 중 비발광 셀로 설정할 셀의 어드레스 전극에 어드레스 펄스를 인가하는 단계
    를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  15. 각각 제1 표시 라인과 제2 표시 라인을 포함하는 복수의 주사 라인, 상기 복수의 주사 라인과 교차하는 방향으로 형성되어 있는 복수의 어드레스 라인, 상기 제1 표시 라인 및 상기 제2 표시 라인과 상기 복수의 어드레스 라인에 의해 각각 형성되는 복수의 방전 셀을 포함하는 플라즈마 표시 패널, 그리고
    복수의 서브필드 중 제1 서브필드의 제1 유지 기간에서 제1 기간 동안 상기 복수의 제1 표시 라인에 형성된 복수의 방전 셀 중 발광 셀 상태로 설정되어 있는 복수의 제1 발광 셀만을 유지 방전시키고,
    상기 제1 유지 기간에 이어지는 제2 서브필드의 제1 어드레스 기간 동안 상기 복수의 제1 발광 셀에서 비발광 셀을 선택하며,
    상기 제1 어드레스 기간에 이어지는 상기 제2 서브필드의 제2 유지 기간에서 제2 기간 동안 상기 복수의 제2 표시 라인에 형성되는 복수의 방전 셀 중 발광 셀 상태로 설정되어 있는 복수의 제2 발광 셀만을 유지 방전시키며,
    상기 제2 유지 기간에 이어지는 상기 제2 서브필드의 제2 어드레스 기간 동 안 상기 복수의 제2 발광 셀에서 비발광 셀을 선택하는 구동부
    를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 플라즈마 표시 패널은,
    상기 복수의 주사 라인을 각각 정의하는 복수의 주사 전극, 그리고
    상기 복수의 주사 전극에 각각 대응하는 복수의 유지 전극을 포함하며,
    상기 구동부는,
    상기 제1 및 제2 어드레스 기간에서 상기 복수의 유지 전극을 제1 전압으로 바이어스한 상태에서 상기 복수의 주사 라인에 순차적으로 주사 펄스를 인가하는 플라즈마 표시 장치.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 복수의 유지 전극 중 제1 그룹에 속하는 복수의 유지 전극과 상기 복수의 주사 전극에 의해 상기 복수의 제1 표시 라인이 정의되고, 상기 복수의 유지 전극 중 제2 그룹에 속하는 복수의 유지 전극과 상기 복수의 주사 전극에 의해 상기 복수의 제2 표시 라인이 정의되는 플라즈마 표시 장치.
  18. 제16항에 있어서,
    상기 복수의 유지 전극 중 제1 그룹에 속하는 복수의 유지 전극과 상기 복수 의 주사 전극 중 제1 그룹에 속하는 주사 전극에 의해 상기 복수의 제1 표시 라인이 정의되고, 상기 복수의 유지 전극 중 제2 그룹에 속하는 복수의 유지 전극과 상기 복수의 주사 전극 중 제2 그룹에 속하는 주사 전극에 의해 상기 복수의 제2 표시 라인이 정의되며,
    상기 각 주사 라인은 상기 제1 그룹의 복수의 주사 전극 중 하나의 주사 전극 및 상기 제2 그룹의 복수의 주사 전극 중 하나의 주사 전극에 의해 정의되는 플라즈마 표시 장치.
  19. 제17항 또는 제18항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제1 기간에서, 상기 제1 및 제2 그룹에 속하는 유지 전극에 각각 제1 전압과 상기 제1 전압보다 높은 제2 전압을 인가하고, 상기 복수의 주사 전극에 상기 제2 전압을 인가하며,
    상기 제2 기간에서, 상기 제1 및 제2 그룹에 속하는 유지 전극에 상기 제2 전압과 상기 제1 전압을 인가하고, 상기 복수의 주사 전극에 상기 제2 전압을 인가하는 플라즈마 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제1 유지 기간 중 상기 제1 기간 전의 제3 기간 및 상기 제2 유지 기간 중 상기 제2 기간 전의 제4 기간 각각에서,
    상기 복수의 주사 전극과 상기 복수의 유지 전극에 상기 제1 전압과 상기 제2 전압을 반대 위상으로 인가하여 상기 복수의 제1 및 제2 발광 셀을 유지 방전시키는 플라즈마 표시 장치.
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