KR100684735B1 - 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법 Download PDF

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Abstract

플라즈마 표시 장치는 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극 및 상기 복수의 제1 및 제2 전극에 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함한다. 이러한 플라즈마 표시 장치에서, 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 적용하여 유지 기간에서 상기 복수의 제1 및 제2 전극에 제1 전압을 교대로 인가시키는 제1 서브필드와, 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식을 적용하는 제2 서브필드 사이에 위치하는 제1 기간이 위치한다. 여기서, 상기 제1 기간에서, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이의 전압차가 상기 제1 전압보다 커지도록 전압을 인가한다. 이와 같은 제1 기간을 통해, 기입 어드레스 방식과 소거 어드레스 방식을 혼합하여 사용하는 경우에도 리셋 기간에서의 초기화가 잘 이루어지도록 한다.
기입 어드레싱 방식, 소거 어드레싱 방식, 메인 리셋 기간, 선택적 리셋 기간

Description

플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법{PLASMA DISPLAY DEVICE AND DRIVING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열도이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제4 서브필드(SF4)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제5 서브필드(SF5)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제10 서브필드(SF10)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다.
도 9a 내지 도 9c는 도 8에 나타낸 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 인가에 따른 벽전하 분포 상태를 나타낸 도면이다.
본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.
플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성되는 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 플라즈마 표시 패널을 이용한 표시 장치이다.
이러한 플라즈마 표시 장치의 구동 방법은 한 프레임을 각각의 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할한다. 각 서브필드의 어드레스 기간에서 어드레스 방전을 통하여 복수의 방전 셀 중에서 켜질 방전 셀을 선택하고, 유지 기간에서 실제로 화상을 표시하기 위해서 켜질 셀에 대해서 유지 방전을 수행한다.
이때, 표시 라인과 어드레스 전극 교차부에 형성되는 방전 셀 중 켜질 방전 셀을 어드레스 기간에서 선택하기 위해서는, 각 표시 라인에 주사 펄스를 인가한다. 각 표시 라인에 주사 펄스를 인가하기 위해서는 각 표시 라인을 선택하기 위한 스캔 회로가 필요하며, 이러한 스캔 회로는 각 주사 전극에 대응되어 연결된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 스캔 회로의 개수를 줄이고 메인 리셋 기간동안 안정적으로 약방전이 일어나도록 하는 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법을 제공하기 위한 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 특징에 따르면, 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 제1 서브필드의 어드레스 기간에서, 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 이용하여 발광 셀을 선택하는 단계; 상기 제1 서브필드의 유지 기간에서, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극간에 유지 방전 전압인 제1 전압을 교대로 인가시키는 단계; 제1 기간에서, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극간의 전압차인 제2 전압이 상기 제1 전압보다 큰 제3 전압이 되도록 전압을 인가시키는 단계; 및 제2 서브필드에서, 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식을 이용하여 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전 시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치를 구동하는 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 제1 서브필드에서 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 이용하여 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계; 제1 기간에 상기 제1 어드레스 방식에 의해 비발광 셀 상태로 전환된 셀 및 상기 제1 서브필드에서 유지 방전이 발생된 셀이 방전을 일으키는 단계; 및 제2 서브필드에서 상기 모든 방전 셀을 초기화하기 위해 리셋 방전을 발생시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 플라즈마 표시 장치가 제공된다. 이 플라즈마 표시 장치는, 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극 및 상기 복수의 제1 및 제2 전극에 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하는 플라즈마 표시 패널; 및 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 적용하여 유지 기간에서 상기 복수의 제1 및 제2 전극에 제1 전압을 교대로 인가시키는 제1 서브필드와, 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식을 적용하는 제2 서브필드 사이에 위치하는 제1 기간에서, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이의 전압차가 상기 제1 전압보다 커지도록 전압을 인가하는 구동부를 포함한다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
또한 어떤 부분이 어떤 구성 요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성 요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
그리고 본 발명에서의 벽 전하란 셀의 벽(예를 들어, 유전체층) 상에서 각 전극에 가깝게 형성되는 전하를 말한다. 그리고 벽 전하는 실제로 전극 자체에 접 촉되지는 않지만, 여기서는 전극에 “형성됨”, “축적됨” 또는 “쌓임”과 같이 설명한다. 또한 벽 전압은 벽 전하에 의해서 셀의 벽에 형성되는 전위 차를 말한다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
먼저, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치에 대해서 도 1 내지 도 3을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 제어부(200), 어드레스 전극 구동부(300), 주사 전극 구동부(400) 및 유지 전극 구동부(500)를 포함한다.
플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(A1∼Am), 그리고 행 방향으로 뻗어 있는 복수의 유지 전극(X1∼Xn) 및 주사 전극(Y1∼Yn)을 포함한다.
제어부(200)는 외부로부터 영상 신호를 수신하여 어드레스 전극 구동 제어 신호, 유지 전극 구동 제어 신호 및 주사 전극 구동 제어 신호를 출력한다. 그리고 제어부(200)는 한 프레임을 각각의 휘도 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할하여 구동한다. 또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 제어부(200)는 복수의 유지 전극(X1∼Xn)을 홀수 번째 유지 전극(Xodd)과 짝수 번째 유지 전극(Xeven)으로 분할하여 구동하도록 제어한다.
어드레스 전극 구동부(300)는 제어부(200)로부터 어드레스 전극 구동 제어 신호를 수신하여 어드레스 전극에 구동 전압을 인가한다.
주사 전극 구동부(400)는 제어부(200)로부터 주사 전극 구동 제어 신호를 수신하여 주사 전극에 구동 전압을 인가한다.
유지 전극 구동부(500)는 제어부(200)로부터 유지 전극 구동 제어 신호를 수신하여 유지 전극에 구동 전압을 인가한다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열도이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 어드레스 전극(A1~Am), 그리고 행 방향으로 뻗어 있는 복수의 유지 전극(X1~Xn) 및 주사 전극(Y1~Yn)을 포함한다. 이때, 어드레스 전극(A1~Am)이 하나의 기판에 형성되고, 유지 전극(X1~Xn)과 주사 전극(Y1~Yn)이 다른 기판에 형성되어, 두 기판이 서로 마주보도록 배치될 수 있다. 이때, 서로 인접하는 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(X1~Xn) 사이에는 화상을 표시하기 위한 표시 라인(L1~L(2n-1))이 형성된다. 예를 들면, 1번째 주사 전극(Y1)과 1번째 유지 전극(X1)사이에서 표시 라인(L1)이 형성될 뿐만 아니라, 1번째 주사 전극(Y1)과 2번째 유지 전극(X2)사이에서도 표시 라인(L2)이 형성된다. 즉, 하나의 주사 전극(Yi)과 이에 상하로 인접하는 두 유지 전극(Xi, X(i+1))에 의해 두 개의 표시 라인(L(2i-1), L(2i))이 형성된다.
이 표시 라인(L1~L(2n-1))과 어드레스 전극(A1~Am)의 교차부에 있는 방전 공간이 각각 방전 셀(28)을 형성하며, 이 방전 셀(28)은 격벽(29)에 의해 구획되어 있다. 이러한 유지 전극(X1~Xn)과 주사 전극(Y1~Yn)은 행 방향을 따라 뻗어 있으며 폭이 좁은 버스 전극(31a, 32a)과 폭이 넓은 투명 전극(31b, 32b)을 포함하며, 투명 전극(31b, 32b)은 각각 버스 전극(31a, 32a)과 연결되어 있다. 이와는 달리, 투명 전극 없이 폭이 넓은 버스 전극만으로 유지 전극과 주사 전극을 형성할 수도 있으며, 버스 전극 없이 투명 전극만으로 유지 전극과 주사 전극을 형성할 수도 있다. 그리고 도 2에는 나타내지 않았지만 버스 전극(31a, 32a) 위에도 격벽이 형성되어 방전 셀(28)을 열 방향으로 구획할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 제1 실시예에 따르면, 유지 전극과 주사 전극 각각은 인접한 2개의 표시 라인을 공유하는 구조로 배치되어 있기 때문에, 유지 전극과 주사 전극이 하나의 표시 라인을 공유하는 구조에 비해, 유지 전극과 주사 전극의 수를 줄일 수 있다. 예를 들면, 512개의 표시 라인을 구동할 때, 유지 전극과 주사 전극이 하나의 표시 라인을 공유하는 플라즈마 표시 패널에서는 유지 전극과 주사 전극의 수가 각각 512개가 필요하게 된다. 그런데, 본 발명의 제1 실시예와 같이 유지 전극과 주사 전극이 각각 인접한 2개의 표시 라인을 공유하는 플라즈마 표시 패널에서는 유지 전극과 주사 전극이 각각 512개의 절반 정도만 있으면 된다. 즉, 본 발명의 제1 실시예와 같은 플라즈마 표시 패널은 표시 라인의 수를 거의 2배로 늘릴 수 있으며, 유지 전극과 주사 전극이 하나의 표시 라인을 공유하는 플라즈마 표시 패널과 동일한 해상도를 가지는 플라즈마 표시 패널은 설계하는 경우 주사 전극과 유지 전극의 수를 거의 1/2로 줄일 수 있다.
이러한 플라즈마 표시 패널의 구조는 일 예이며, 아래에서 설명하는 구동 방 법이 적용될 수 있는 다른 구조의 패널도 본 발명에 적용될 수 있다. 도 3은 아래에서 설명하는 구동 방법이 적용될 수 있는 다른 전극 배열도를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열도이다. 도 3에 나타낸 바와 같이 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널의 전극 배열은 유지 전극과 주사 전극이 하나의 표시 라인만을 공유하는 것을 제외하고 본 발명의 제1 실시예와 동일하다. 즉, 본 발명의 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널은 주사 전극(Yi)과 유지 전극(Xi+1) 사이에도 격벽(29')이 형성되어, 표시 라인은 동일한 번째에 해당하는 유지 전극(Xi)과 주사 전극(Yi) 사이에만 형성된다. 그리고, 표시 라인은 동일한 번째에 해당하는 유지 전극(Xi)과 주사 전극(Yi) 사이에만 형성되므로, 도 1과 달리 투명 전극(31b, 32b)는 표시 라인쪽으로만 형성될 수 있다.
따라서, 표시 라인의 수는 제1 실시예에 비해 1/2(즉, n)로 줄어들며 제1 실시예와 동일한 해상도를 설계하는 경우 유지 전극과 주사 전극의 개수가 2배로 증가한다. 그러나 본 발명의 제2 실시예에 따른 전극 배열의 경우에는 아래에서 설명하는 구동 방법이 적용될 때 각 어드레스 기간에서 주사 펄스가 두 개의 주사 전극에 동시에 인가된다. 여기서, 두 개의 주사 전극에 하나의 스캔 회로가 연결되어 각 어드레스 기간에서 주사 펄스가 동시에 두 개의 주사 전극에 동시에 인가되는 것을 제외하고 아래에서 설명되는 구동 방법이 동일하게 적용될 수 있다.
이하에서는 상기에서 설명한 제1 및 제2 실시예에 따른 플라즈마 표시 패널 의 구조를 가지는 플라즈마 표시 장치를 구동하는 방법에 대해서 설명한다. 여기서, 편의상 도 2에 나타낸 본 발명의 제1 실시예의 플라즈마 표시 패널을 기준으로 플라즈마 표시 장치를 구동하는 방법에 대해서 설명하며, 도 3에 나타낸 본 발명의 제2 실시예의 플라즈마 표시 패널에는 아래의 설명하는 구동 방법에서 각 서브필드의 어드레스 기간에서 인가되는 주사 펄스를 동시에 두 주사 전극에 인가하는 것을 제외하고 동일하다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 나타내는 도면이다.
아래의 설명에서 홀수 번째 유지 전극(Xodd)과 주사 전극(Y1~Yn) 사이에 형성되는 표시 라인 상의 방전 셀을 "Xodd 라인 셀"이라 하며, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 주사 전극(Y1~Yn) 사이에 형성되는 표시 라인 상의 방전 셀을 "Xeven 라인 셀"이라 한다. 그리고 유지 기간에서 유지 방전이 일어나도록 적절하게 벽 전하가 형성된 방전 셀을 "발광 셀"이라 하며, 유지 기간에서 유지 방전이 일어나지 않도록 적절하게 벽전하가 형성된 방전 셀을 "비발광 셀"이라 한다. 또한, 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀 뿐만 아니라 유지 방전되지 않은 셀을 리셋 방전 시켜 초기화하는 리셋 기간을 "메인 리셋 기간(MR)"이라 하며, 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀만을 리셋 방전 시켜 초기화하는 리셋 기간을 "선택적 리셋 기간(SR)"이라 한다. 한편, 비발광 셀 상태를 어드레스 방전시켜 발광 셀 상태로 설정하는 어드레싱 방식(즉, 기입 어드레싱 방식)을 적용하는 어드레스 기간을 "기입 어드레스 기간(WA)"이라 하며, 발광 셀 상태를 어드레스 방전시켜 비발광 셀 상태 로 설정하는 어드레싱 방식(즉, 소거 어드레싱 방식)을 적용하는 어드레스 기간을 "소거 어드레스 기간(EA)"이라 한다.
도 4에 나타낸 바와 같이 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법은 홀수(odd) 프레임과 짝수(even) 프레임으로 나누어져 서로 달리 구동되며, 각 프레임은 복수의 서브필드(SF1~SF10)로 분리되어 구동된다. 각 서브필드(SF1~SF10)는 계조 표시를 위해 소정의 가중치를 가지며, 본 발명의 실시예에서는 각 서브필드(SF1~SF10)의 가중치가 순서대로 {1, 2, 4, 8, 8, 8, 8, 8, 8, 8}을 가지는 것으로 나타내었으나, 이는 하나의 예시에 불과하며 다른 가중치가 설정될 수 있다.
홀수(odd) 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서, Xodd 라인 셀에 대해서만 서브필드가 수행되며 Xeven 라인 셀에서는 서브필드가 수행되지 않는다. 그리고 짝수(even) 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서는 Xeven 라인 셀에서만 서브필드가 수행되며 Xodd 라인 셀에서는 서브필드가 수행되지 않는다. 이에 따라 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)는 두 프레임마다 한번씩 발광을 수행한다. 즉, 저계조 서브필드인 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)는 전체 셀에 대해서 두 프레임인 홀수 프레임과 짝수 프레임을 통해 표현된다.
홀수(odd) 프레임의 제1 서브필드(SF1)는 메인 리셋 기간(MR), 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)을 포함한다. 다음으로, 제2 및 제3 서브필드(SF2, SF3)는 각각 선택적 리셋 기간(SR), 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)을 포함한다. 상기에서 설명한 바와 같이 홀수 프레임의 제1 내지 제3 서브필드 (SF1~SF3)에서는 각각 Xodd 라인 셀에 대해서만 리셋 기간, 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행한다. 한편, 도 4에서는 제2 및 제3 서브필드(SF2, SF3)의 리셋 기간은 리셋 기간 단축 및 콘트라스트를 향상시키기 위해 선택적 리셋 기간(SR)으로 설정하였으나, 메인 리셋 기간(MR)으로 대체될 수 있음은 당연하다.
다음으로 홀수(odd) 프레임의 제4 서브필드(SF4)에서는, 먼저 Xodd 라인 셀에 대해서 선택적 리셋 기간(SR), 제1 기입 어드레스 기간(WA1) 및 제1 유지 기간(S1)을 수행한 후, Xeven 라인 셀에 대해서 메인 리셋 기간(MR), 제2 기입 어드레스 기간(WA2) 및 제2 유지 기간(S2)을 수행한다. 여기서, Xeven 라인 셀에 대해서는 이전 서브필드인 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서 어떠한 동작도 수행되지 않았으므로, Xeven 라인 셀을 초기화시키기 위해 메인 리셋 기간(MR)이 수행된다. 한편, 제2 유지 기간(S2)에서 유지 방전이 발생할 때에는, Xodd 라인 셀도 이전에 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전이 발생하였으므로 유지 방전이 중복하여 발생한다.
제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)에서는 모든 셀(Xodd, Xeven)에 대해서 서브필드 동작이 수행되며, 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)는 각각 소거 어드레스 기간(EA1, EA2) 및 유지 기간(S1, S2)을 포함한다. 여기서, 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)에서는, 먼저 Xodd 라인 셀에 대해서 제1 소거 어드레스 기간(EA1)을 수행한 후 제1 유지 기간(S1)을 수행하며, 다음으로 Xeven 라인 셀에 대해서 제2 소거 어드레스 기간(EA2)을 수행한 후 제2 유지 기간(S2)을 수행한다. 제4 서브필드(SF4)의 유지 기간에서 유지 방전된 셀은 이미 발광 셀 상태이므로, 제5 서브필 드(SF5)의 소거 기간(EA1, EA2)에서는 이러한 발광 셀 중 선택하고자 하는 셀을 비발광 셀 상태로 설정한다. 그리고 제6 서브필드 내지 제10 서브필드(SF6~SF10) 각각의 소거 어드레스 기간(EA1, EA2)에서는 이전 서브필드의 유지 기간에서 유지 방전된 셀(즉, 발광 셀) 중에서 비발광 셀 상태로 설정할 셀을 선택한다. 도 4에서 Xodd 라인 셀 뿐만 아니라 Xeven 라인 셀에 대해서 모두 유지 기간(S1, S2)이 표시되어 있는 부분은, 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 및 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 모두 유지 방전 펄스가 인가되어 Xodd 라인 셀 및 Xeven 라인 셀 모두에서 유지 방전이 발생할 수 있음을 나타내는 것이다.
한편, 짝수 프레임(even)에 대한 구동 방법은 홀수 프레임(odd)에 대한 구동 방법에서 Xodd 라인 셀과 Xeven 라인 셀에 대해서 그 순서가 뒤바뀐 것을 제외하고 동일하므로, 이하 구체적 설명은 생략한다. 즉, 짝수 프레임의 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서는 각각 Xeven 라인 셀에 대해서만 리셋 기간, 기입 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행하고, 제4 서브필드(SF4)에서는 먼저 Xeven 라인 셀에 대해서 리셋 기간, 기입 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행한 후 Xodd 라인 셀에 대해서 리셋 기간, 기입 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행한다. 그리고, 짝수 프레임의 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)에서는 각각 Xeven 라인 셀에 대해서 소거 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행한 후 Xodd 라인 셀에 대해서 소거 어드레스 기간 및 유지 기간을 수행한다.
도 4에서, 제5 내지 제8 서브필드(SF5~SF10)의 가중치가 각각 제4 서브필드(SF4)와 동일한 가중치와 동일한 가중치를 가지는 것으로 나타내었는데, 이는 소거 어드레스 기간에서 소거 어드레싱 방식이 적용되는 경우에는 소거 어드레스 기간에서 선택되어 비발광된 셀로 설정된 셀은 이후 서브필드에서 다시 발광 셀 상태로 변경될 수 없기 때문이다. 여기서, 제5 내지 제8 서브필드(SF~SF10)의 각각의 가중치를 가중치 8보다 높은 가중치를 설정할 수 있으나, 이 경우에는 256계조가 모두 표현되지 못하므로 표현되지 못하는 계조는 디더링(Dithering) 방법 등을 통해 표현할 수 있다.
이하에서는 도 5 내지 도 9를 참조하여, 도 4의 구동 방법을 적용하기 위한 구동 파형에 대해서 상세하게 설명한다. 도 5 내지 도 9에 나타낸 구동 파형은 홀수 프레임에서 인가되는 구동 파형은 나타낸 것이며, 짝수 프레임에 인가되는 구동 파형은 홀수 프레임에 인가되는 구동 파형에서 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 인가하는 구동 파형을 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 인가하는 구동 파형과 서로 반대로 인가하여 구현할 수 있으므로 구체적으로 도면에 나타내지 않았다. 따라서 아래에서는 홀수 프레임에 인가하는 구동 파형을 중심으로 설명한다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제1 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 제1 서브필드는 메인 리셋 기간(MR), 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)을 포함하며, 제2 서브필드 및 제3 서브필드는 각각 선택적 리셋 기간(SR), 기입 어드레스 기간(WA) 및 유지 기간(S)을 포함한다.
여기서, 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간(MR)은 소거 기간(Ⅰ), 상승 기간(Ⅱ) 및 하강 기간(Ⅲ)을 포함한다.
메인 리셋 기간(MR)의 소거 기간(Ⅰ)에서는, 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 및 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 Ve 전압을 인가한 상태에서, 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 Vs 전압에서 기준 전압(도 5에서는 0V로 나타내었음. 이하 동일함)까지 점진적으로 하강시킨다. 제1 서브필드(SF1)의 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀은 유지 전극과 주사 전극에 각각 양(+)의 벽 전하와 음(-)의 벽 전하가 형성되어 있으므로, 소거 기간(I)과 같은 파형을 인가하는 경우 벽 전하가 소거된다. 이에 따라 제1 서브필드(SF1)의 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀은 유지 방전되지 않은 셀과 거의 유사한 벽 전하 상태가 된다. 한편, 도 5에서는 제1 서브필드(SF1)의 소거 기간에 인가되는 소거 파형으로서 주사 전극(Y1~Yn)에 점진적으로 하강하는 파형을 인가하였으나, 그 외에 소거 파형으로서 주사 전극(Y1~Yn)을 기준 전압(0V)으로 바이어스한 상태에서 유지 전극(Xeven, Xodd)의 전압을 점진적으로 상승시키는 파형, 짧은 펄스에 의해 벽 전하를 소거시키는 세폭 펄스 파형 등이 대체될 수 있음은 당연하다.
다음으로 메인 리셋 기간(MR)의 상승 기간(Ⅱ)에서, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 Ve 전압을 인가하고 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 기준 전압(0V)을 인가한 상태에서, 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 상승시킨다. 그리고, 어드레스 전극(A1~Am)에 기준 전압(0V)을 인가한다. 여기서, 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에만 기준 전압(0V)을 인가하므로 주사 전극(Y1~Yn) 중 홀수 번째 유지 전극(Xodd)과 이와 표시 라인을 형성하는 주사 전극(이하, 'Yxo'라 함. 즉 도 2와 같은 제1 실시예의 전극 배열에서는 'Yxo 전극'은 모든 주사 전극 (Y1~Yn)에서 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 인접한 주사 전극 영역을 의미하며, 도 3과 같은 제2 실시예의 전극 배열에서는 'Yxo 전극'은 홀수 번째 주사 전극(Yodd)을 의미함. 이하에서 'Yxo'라 함은 이러한 의미로 동일하게 사용함) 사이에서 미약한 방전인 리셋 방전이 발생하며, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에는 Ve 전압을 인가하므로 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 이와 표시 라인을 형성하는 주사 전극(이하, 'Yxe'라 함. 즉 도 2와 같은 제1 실시예의 전극 배열에서는 'Yxe 전극'은 모든 주사 전극(Y1~Yn)에서 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 인접한 주사 전극 영역을 의미하며, 도 3과 같은 제2 실시예의 전극 배열에서는 'Yxe 전극'은 짝수 번째 주사 전극(Yeven)을 의미함. 이하에서 'Yxe'라 함은 이러한 의미로 동일하게 사용함) 사이에서는 리셋 방전이 발생하지 않는다. 또한, 주사 전극(Y1~Yn)과 어드레스 전극(A1~Am) 사이에서도 미약한 리셋 방전이 일어난다. 이에 따라, 도 2와 같은 제1 실시예의 전극 배열의 경우에는 모든 주사 전극(Y1~Yn)에서 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 인접한 영역(투명 전극)에 음(-)의 벽 전하가 형성되고, 도 3과 같은 제2 실시예의 전극 배열의 경우에는 홀수 번째 주사 전극(Y1, Y3...)에 음(-)의 벽전하가 형성된다. 즉 주사 전극(Yxo)에 음(-)의 벽 전하가 형성된다. 그리고 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 양(+)의 벽 전하가 형성되며, 어드레스 전극(A1~Am)에 음(-)의 벽 전하가 형성된다. 즉, Xodd 라인 셀에만 리셋 방전이 발생하여 초기화된다. 그리고 전극의 전압이 도 5와 같이 점진적으로 변하는 경우에는 셀에 미약한 방전이 일어나면서 외부에서 인가된 전압과 셀의 벽 전압의 합이 방전 개시 전압 상태를 유지하도록 벽 전하가 형성된다. 이러한 원리에 대해서 웨버(Weber)의 미국등록특 허 제5,745,086에 개시되어 있다. 한편, 제1 서브필드의 메인 리셋 기간에서는 이전 서브필드에서 유지 방전된 셀이든 유지 방전되지 않은 셀이든 초기화하여야 하므로, Vset 전압은 모든 조건의 셀에서 방전이 일어날 수 있을 정도의 높은 전압이다. 또한, Vs 전압은 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(X1~Xn) 사이의 방전 개시 전압보다 낮은 전압으로서, 도 5에서는 전원수를 줄이기 위해 유지 기간에서 인가되는 유지 방전 펄스 전압과 동일한 전압으로 설정하였으나 다른 전압으로 설정될 수 있다. 그리고 Ve 전압은 Vset 전압과 Ve 전압의 차에 의해 주사 전극과 유지 전극 간에 리셋 방전이 일어나지 않도록 적절하게 선택된다.
그리고, 메인 리셋 기간(MR)의 하강 기간(Ⅲ)에서는 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 하강시킨다. 이때, 짝수 번째 주사 전극(Xeven)에 기준 전압(0V)을 인가하고 홀수 번째 주사 전극(Xodd)에 Ve 전압을 인가하며, 어드레스 전극(A1~Am)에 기준 전압(0V)을 인가한다. 그러면 주사 전극(Y1~Yn)의 전압이 감소하는 중에, 주사 전극(Yxo)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 사이 및 주사 전극(Y1~Xn)과 어드레스 전극(A1~Am) 사이에서 미약한 방전인 리셋 방전이 발생한다. 이에 따라 주사 전극(Yxo)에 형성된 음(-)의 벽 전하, 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 형성된 (+) 벽전하 및 어드레스 전극(A1~Am)에 형성된 양(+)의 벽 전하가 소거된다. 그러나, 앞서 설명한 바와 같이 상승 기간(Ⅱ)에서 주사 전극(Yxe)과 짝수 번째 유지 전극(Xeven) 사이에서 미약한 방전이 발생하지 않았으며, 하강 기간(Ⅲ)에서 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 기준 전압(0V)을 인가하므로, 주사 전극(Yxe)과 짝수 번째 유지 전극(Xeven) 사이에서는 리셋 방전이 발생하지 않 는다. 따라서, Xodd 라인 셀에서만 리셋 방전이 발생하여, 비발광 셀로 초기화되며 어드레싱에 적합한 벽전하 상태가 된다. 일반적으로 Ve 전압과 Vnf 전압의 크기는 주사 전극(Yxo)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 사이의 벽 전압이 거의 0V가 되도록 설정되어, 어드레스 기간에서 어드레스 방전이 일어나지 않은 셀이 유지 기간에서 오방전하는 것을 방지할 수 있다. 그리고 어드레스 전극(A1~Am)은 기준 전압(0V)으로 유지되어 있으므로 Vnf 전압 레벨에 의해 주사 전극(Yxo)과 어드레스 전극(A1~Am) 사이의 벽 전압이 결정된다.
이와 같이 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간에서는 Xodd 라인 셀에서만 리셋 방전이 발생하여 어드레싱에 적절한 벽전하 상태가 형성된다. 그러나 Xeven 라인 셀은 리셋 방전이 발생하지 않으므로 어드레싱에 적합한 벽전하 상태가 형성되지 않는다. 한편, Xodd 라인 셀의 벽 전하 상태는 리셋 방전에 의해 비발광 셀 상태가 된다.
다음으로, 제1 서브필드(SF1)의 기입 어드레스 기간(WA)에서는 Xodd 라인 셀 중 발광 셀로 선택할 셀을 선택하기 위해서, 제1 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 주사 전극(Y1~Yn)에 순차적으로 Vscl 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch 전압을 인가하며, 제2 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 인접한 두 주사 전극(Y1~Y2, Y3~Y4, Y5~Y6)에 동시에 순차적으로 Vscl 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch 전압을 인가한다. 예를 들면, 제1 실시예의 전극 배열 구조의 경우에는 Yi 전극에 주사 펄스를 인가한 후 Y(i+1) 전극에 주사 펄스를 인가 하나, 제2 실시예의 경우는 Yi-Y(i+1) 전극에 주사 펄스를 동시에 인가한 후, Y(i+2)-Y(i+3) 전극에 주사 펄스를 동시에 인가한다. 그리고 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에는 각각 기준 전압(0V) 및 Ve 전압을 인가한다. 이때, Vscl 전압을 주사 전압이라 하며, Vsch 전압을 비주사 전압이라고도 한다. Vscl 전압이 인가된 주사 전극에 형성되는 복수의 방전 셀 중에서 선택하고자 하는 방전 셀을 통과하는 어드레스 전극에 Va 전압을 가지는 어드레스 펄스를 인가하며, 선택하고자 하지 않는 어드레스 전극은 기준 전압(0V)으로 바이어스 한다. 그러면 Va 전압이 인가된 어드레스 전극과 Vscl 전압이 인가된 주사 전극 및 Ve 전압이 인가된 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 의해 형성되는 셀에서 방전이 일어나 주사 전극에 양(+)의 벽전하, 어드레스 전극 및 유지 전극에 각각 음(-) 벽 전하가 형성된다. 즉, Xodd 라인 셀 중 Va 전압이 인가된 셀에서 어드레스 방전이 발생하여, 비발광 셀 상태에서 발광 셀 상태로 설정된다. 그러나, Xeven 라인 셀은 제1 서브필드의 메인 리셋 기간(MR)에서 초기화되지 않았으며 기입 어드레스 기간(WR)에서도 짝수 번째 유지 전극(Xodd)은 기준 전압으로 바이어스 되어 있으므로, Xeven 라인 셀은 어드레스 방전이 발생하지 않는다. 한편, 제1 서브필드(SF1)의 기입 어드레스 기간(WA)에서는 Xodd 라인 셀 중 선택하고자 하는 방전 셀을 선택하므로, 어드레스 전극에 인가하는 어드레스 펄스는 이에 대응하여 인가한다.
이와 같이 제1 서브필드(SF1)의 기입 어드레스 기간(WA)에서는, 유지 기간에서 발광할 셀을 선택하기 위해 Xodd 라인 방전 셀 중 해당 셀을 방전시켜서 벽전하를 형성시킴으로써 비발광 셀 상태를 발광 셀 상태로 설정한다.
제1 서브필드(SF1)의 유지 기간(S)에서는 유지 방전 전압(Vs)을 가지는 유지 방전 펄스를 교대로 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xodd, Xeven)에 인가한다. 이러한 유지 방전 펄스에 의해, 제1 서브필드의 기입 어드레스 기간(WA)에서 발광 셀 상태로 설정된 셀에서 유지 방전이 발생한다. 여기서 유지 방전 펄스의 개수는 제1 서브필드의 가중치에 맞게 적절하게 선택된다.
다음으로, 제2 서브필드(SF2) 및 제3 서브필드(SF3)에 인가되는 구동 파형은 리셋 기간에 인가되는 구동 파형이 다른 것을 제외하고 나머지는 제1 서브필드(SF1)에 인가되는 구동 파형과 동일하므로 이하 중복되는 설명은 생략한다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 제2 서브필드(SF2) 및 제3 서브필드(SF3)의 리셋 기간은 선택적 리셋 기간(SR)으로서, 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 점진적으로 상승시키지 않고 바로 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 하강시켜, 각각 이전 서브필드에서 유지 방전 셀만을 리셋 방전시킨다.
제2 서브필드(SF2)의 이전 서브필드인 제1 서브필드(SF1)의 유지 기간에서, 주사 전극(Y1~Yn)에 마지막 유지 방전 펄스를 인가하므로 유지 방전된 셀(Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드에서 유지 방전된 셀을 의미함)의 주사 전극과 유지 전극에 각각 음(-)의 벽 전하 및 양(+)의 벽 전하가 형성된다. 여기서, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 기준 전압(0V) 및 Ve 전압을 인가한 상태에서, 주사 전극(Y1~Yn)에 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 하강하는 전압을 인가한다. 그러면 제1 서브필드(SF1)의 유지 기간에서 유지 방전된 셀에서 리셋 방전이 발생하나, Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드(SF1)에서 유지 방전되지 않 은 셀은 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간(MR)의 벽 전하 상태를 유지하므로 리셋 방전이 발생하지 않는다. 즉, Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드에서 유지 방전되지 않은 셀은 메인 리셋 기간(MR) 종료 후의 벽 전하 상태를 그대로 유지하고 있어서 이를 다시 리셋 방전시킬 필요가 없으므로, 주사 전극(Y1~Yn)에 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 하강하는 전압만을 인가하여 제1 서브필드(SF1)에서 유지 방전된 셀에서만 리셋 방전을 발생시킨다. 한편, 제2 서브필드의 선택적 리셋 기간(SR)에서, 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에만 Ve 전압을 인가하므로 Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드(SF1)에서 유지 방전된 셀에서만 리셋 방전이 발생한다. 따라서, 제2 서브필드(SF2)의 보조 리셋 기간(SR)에서, Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드(SF1)에서 유지 방전된 셀은 리셋 방전이 발생하여 초기화되며 Xodd 라인 셀 중 제1 서브필드(SF1)에서 유지 방전되지 않은 셀은 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간(MR) 종료후의 벽 전하 상태를 유지하고 있으므로, Xodd 라인 셀은 모두 비발광 셀 상태로 초기화된다.
한편, 제3 서브필드(SF3)의 선택적 리셋 기간(SR)의 동작은 제2 서브필드의 선택적 리셋 기간(SR)과 동일하므로 구체적인 설명은 생략한다. 제2 서브필드(SF2) 및 제3 서브필드(SF3) 각각의 유지 기간은 해당 서브필드의 가중치에 맞게 적절하게 유지 방전 펄스 개수가 설정된다.
이와 같이 도 5에 나타낸 구동 파형을 통해 제1 서브필드 내지 제3 서브필드(SF1~SF3)에서는 Xodd 라인 셀에 대해서만 리셋 동작, 기입 어드레싱 동작 및 유지 방전 동작이 수행된다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제4 서브필드(SF4)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다.
먼저 Xodd 라인 셀에 대해서 선택적 리셋 기간(SR), 제1 기입 어드레스 기간(WA1) 및 제1 유지 기간(S1)을 수행한다. 도 6에 나타낸 바와 같이, 제4 서브필드의 가중치를 표현하기 위해서 제1 유지 기간(S1)에 인가하는 유지 방전 펄스의 개수가 달라진 점을 제외하고 제4 서브필드의 선택적 리셋 기간(SR), 제1 기입 어드레스 기간(WA1) 및 제1 유지 기간(S1)은 제2 서브필드 또는 제3 서브필드(SF3)와 동일한 파형을 인가하므로 중복되는 설명은 생략한다. 즉, 선택적 리셋 기간(SR)에서, 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에만 Ve 전압을 인가한 상태에서 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 하강시킴으로써, Xodd 라인 셀을 비발광 셀 상태로 초기화하는 리셋 동작이 수행된다. 다음으로, 제1 기입 어드레스 기간(WA1)에서는 Xodd 라인 셀 중 발광 셀 상태로 설정할 셀을 선택하는 기입 어드레스 동작이 수행되며, 제1 유지 기간(S1)에서는 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xeven, Xodd)에 교대로 유지 방전 펄스가 인가되어 유지 방전 동작이 수행된다.
다음으로 Xeven 라인 셀에 대해서 메인 리셋 기간(MR), 제2 기입 어드레스 기간(WA1) 및 제2 유지 기간(S2)을 수행한다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 메인 리셋 기간(MR)에서는 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 기준 전압(0V) 및 Ve 전압을 인가한 상태에서 주사 전극(Y1~Yn)의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 상승시킨 후, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 Ve 전 압 및 기준 전압(0V)을 인가한 상태에서 주사 전극(Y1~Yn)에 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 하강하는 전압을 인가한다. 즉, 도 5에 나타낸 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간(MR)에서 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 인가하는 구동 파형이 서로 반대로 인가한다. 따라서, Xeven 라인 셀에서만 리셋 방전이 발생하여 Xeven 라인 셀만이 비발광 상태로 초기화된다.
다음으로, 제2 기입 어드레스 기간(WA2)에서도 제1 서브필드(SF1)의 기입 어드레스 기간(WA)과 반대로, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 Ve 전압과 기준 전압(0V)을 인가하므로, Xeven 라인 셀에서만 기입 어드레싱 동작이 수행된다.
그리고, 제2 유지 기간(S2)에서는 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xeven, Xodd)에 교대로 유지 방전 펄스를 인가하여 제2 기입 어드레스 기간(WA2)에서 선택된 셀에서 유지 방전이 발생한다. 이때, 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전된 셀은 메인 리셋 기간(MR) 및 제2 기입 어드레스 기간(WA2)에서 방전이 발생하지 않아 발광 셀 상태를 그대로 유지하고 있으므로, 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전된 셀도 제2 유지 기간(S2)에서 유지 방전 펄스가 인가될 때 유지 방전이 발생한다. 즉, 제1 기입 어드레스 기간(WA1)에서 선택되어 발광 셀 상태로 설정된 셀과 제2 기입 어드레스 기간(WA2)에서 선택되어 발광 셀 상태로 설정된 셀도 제2 유지 기간(S2)에서 유지 방전된다. 따라서, Xodd 라인 셀은 제1 유지 기간 및 제2 유지 기간에서 유지 방전되므로, Xeven 라인 셀보다 더욱 많은 회수의 유지 방전이 발생한다. 이러한 제4 서브필드(SF4)에서 Xodd 라인 셀과 Xeven 라인 셀에 대한 유지 방전 회수 의 차이는 아래에서 설명하는 바와 같이 보충되어 유지 방전 회수가 동일하게 조절된다.
한편, 제4 서브필드의 제1 유지 기간(S1)에서 마지막 유지 방전 펄스가 주사 전극(Y1~Yn)에 인가되므로, 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전된 셀의 주사 전극과 유지 전극에 각각 음(-)의 벽 전하 및 양(+)의 벽 전하가 형성되어, 주사 전극에 대한 유지 전극의 벽 전압(Vwxy)이 높게 설정된다.
이러한 셀은 메인 리셋 기간(MR)에서 리셋 방전이 발생하지 않으므로 벽 전하 상태는 메인 리셋 기간(MR)의 종료 시점에도 그대로 유지된다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제5 서브필드(SF5)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 제5 서브필드(SF5)는 Xodd 라인 셀에 대해서 적용하는 제1 소거 어드레스 기간(EA1) 및 제1 유지 기간(S1), Xeven 라인 셀에 대해서 적용하는 제2 소거 어드레스 기간(EA2) 및 제2 유지 기간(S2)을 포함한다. 한편, 소거 어드레싱 방식을 적용하기 위해서는 셀이 발광 셀 상태에 있어야 하는데 제4 서브필드(SF4)에서 유지 방전된 셀은 발광 셀 상태에 있으므로 도 7에서 나타낸 바와 같이 바로 제5 서브필드(SF5)는 제1 소거 어드레스 기간이 바로 위치할 수 있다.
먼저 제5 서브필드(SF5)의 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서는, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 접지 전압(0V) 및 Ve' 전압을 인가한다. 이때, 제1 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 주사 전극 (Y1~Yn)에 순차적으로 Vscl 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch 전압을 인가하며, 제2 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 인접한 두 주사 전극(Y1-Y2, Y3-Y4, Y5-Y6)에 동시에 순차적으로 Vscl 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch 전압을 인가한다. 여기서, Ve' 전압은 제1 내지 제4 서브필드의 기입 어드레스 기간에 인가되는 Ve 전압보다 낮은 전압으로 설정된다. 제4 서브필드(SF4)의 제2 유지 기간(S2)에서 마지막으로 주사 전극(Y1~Yn)에 유지 방전 펄스가 인가되므로, 제4 서브필드의 유지 기간에서 유지 방전된 셀의 주사 전극과 유지 전극에 각각 음(-)의 벽 전하 및 양(+)의 벽 전하가 형성된다. 이 유지 방전된 셀의 벽 전하에 의한 벽 전압에 주사 전압(Vscl')과 어드레스 전압(Va')의 차(Va'+|Vscl'|)가 더해져, 주사 전압(Vscl')이 인가된 주사 전극과 어드레스 전압(Va')이 인가된 어드레스 전극 사이에 방전이 발생하며, 이 방전에 의해 주사 전극과 Ve' 전압이 인가된 홀수 번째 유지 전극(Xodd) 사이에 방전이 확산되어 벽 전하가 소실됨으로써 발광 상태에서 비발광 상태로 변동된다. 그러나, 짝수 번째 유지 전극(Xeven)은 기준 전압(0V)으로 바이어스 되어 있으므로 주사 전극과 어드레스 전극에 각각 주사 전압(Vscl') 및 어드레스 전압(Va') 인가된다 하더라도 주사 전극과 어드레스 전극간에만 미약한 방전이 발생하고 짝수 번째 유지 전극(Xeven)으로 방전이 확산되지 않으며, 이에 따라 Xeven 라인 셀은 주사 전압(Vscl')과 어드레스 전압(Va')이 인가되더라도 소거 어드레싱 동작이 이루어지지 않는다. Ve' 전압이 인가된 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 의해 형성되는 셀인 Xodd 라인 셀은 주사 전압(Vscl')과 어 드레스 전압(Va')에 의해 소거 어드레싱 동작이 가능하나, Ve' 전압이 인가되지 않은 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 의해 형성되는 셀인 Xeven 라인 셀은 주사 전압(Vscl')과 어드레스 전압(Va')에 의해서도 소거 어드레싱 동작이 발생하지 않는다.
즉, Ve' 전압이 인가되는지 여부에 따라 소거 어드레싱 동작의 성공 여부가 결정된다. 따라서, 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서는 Xeven 라인 셀 중 선택된 셀만이 발광 상태에서 비발광 상태로 변동되어 소거 어드레싱 동작이 수행된다.
한편, 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 인가되는 Ve' 전압 레벨은 상기에서 설명한 바와 같이 Ve 전압레벨보다 낮은 레벨로 설정한다. 이는 제4 서브필드(SF4)의 유지 기간에서 유지 방전된 셀은 마지막 유지 방전 펄스가 주사 전극(Y1~Yn)에 인가되어 유지 방전된 셀의 주사 전극과 유지 전극에는 각각 음(-)의 벽 전하 및 양(+)의 벽 전하가 많이 형성되며, 이에 따라 Ve 전압레벨보다 다소 낮은 Ve' 전압레벨로도 소거 어드레싱 동작이 가능하다. 그러나, 제1 내지 제4 서브필드(SF1~SF4)의 기입 어드레스 기간에 인가되는 Ve 전압은 리셋 기간 후의 벽 전하가 다소 적게 존재하므로 다소 높은 전압레벨로 설정한다. 한편, 도 7에서, 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서의 주사 전압(Vscl')과 비주사 전압(Vsch')을 각각 제1 내지 제4 서브필드(SF1~SF4)의 기입 어드레스 기간에서의 주사 전압(Vscl)과 비주사 전압(Vsch)과 동일한 레벨로 설정할 수도 있는데, 이는 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서의 소거 동작은 유지 방전된 셀을 비발광 셀 상태로 설정하는 것이므로 주사 전압과 비주사 전압을 각각 기입 어드레스 기간에서의 주사 전압과 비주사 전압보다 다소 높은 레벨로 설정할 수 있다. 그리고, 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에 서 인가되는 주사 펄스의 폭도 제1 내지 제4 서브필드(SF1~SF4)의 기입 어드레스 기간에서 인가되는 주사 펄스의 폭보다 줄일 수 있다. 소거 어드레싱 동작은 발광 셀 상태를 비발광 셀 상태로 설정하는 것이므로, 방전에 의해 벽 전하가 형성되는 시간을 확보해주지 않도록 하기 위해 주사 펄스의 폭을 기입 어드레싱 동작 시의 주사 펄스의 폭보다 줄일 수 있다.
제5 서브필드(SF5)의 제1 유지 기간(S1)에서는 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xodd, Xeven)에 교대로 유지 방전 펄스를 인가하여, 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시킨다. 이때 유지 방전 펄스 개수는 제5 서브필드(SF5)의 가중치에 대응하여 적절하게 선택된다.
한편, 제1 유지 기간(S1)에 인가되는 유지 방전 펄스는 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 일부 소실된 Xeven 라인 셀의 벽 전하를 보충하는 역할을 한다. 상기에서 설명한 바와 같이, 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 주사 전극과 어드레스 전극에 각각 주사 전압(Vscl')과 어드레스 전압(Va')을 인가할 시 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에 기준 전압(0V)을 인가하더라도 Xeven 라인 셀의 주사 전극과 어드레스 전극간에는 미약한 방전이 발생한다. 이에 따라 Xeven 라인 셀 중 발광 셀 상태에 있는 셀의 어드레스 전극에 형성되어 있는 벽 전하가 소실되어, 제2 소거 어드레스 기간(EA2)에서 제대로 소거 어드레싱이 되지 않을 수 있다. 그러나 이러한 소실된 벽 전하는 제2 유지 기간(S2)에 의해 보충된다. Xeven 라인 셀은 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 선택되지 않으므로 Xeven 라인 셀 중 발광 셀은 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 일부 벽 전하가 소실된다 하더라도 제1 유지 기간(S1)에서 유지 방전 펄스가 인가될 때는 유지 방전이 발생하며, 이 유지 방전에 의해 소실된 벽 전하가 보충된다.
다음으로, 제2 소거 어드레스 기간(EA2)에서는 짝수 번째 유지 전극(Xeven)과 홀수 번째 유지 전극(Xodd)에 각각 Ve' 전압과 기준 전압(0V)을 인가한다. 그리고 제1 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 주사 전극(Y1~Yn)에 순차적으로 Vscl 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch을 인가하며, 제2 실시예와 같은 전극 배열 구조의 경우에는 인접한 두 주사 전극(Y1-Y2, Y3-Y4, Y5-Y6)에 동시에 순차적으로 Vscl 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고 Vscl 전압이 인가되지 않는 주사 전극들은 Vsch 전압을 인가한다. 짝수 번째 유지 전극(Xeven)에만 Ve' 전압을 인가하고 있으므로, 제2 소거 어드레스 기간(EA2)에서는 제1 소거 어드레스 기간(EA1)과 반대로 짝수 라인 셀 중 비발광 셀로 선택할 셀이 선택된다.
그리고 제2 유지 기간(S2)에서 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xodd, Xeven)에 교대로 유지 방전 펄스가 인가된다. 그러면, 발광 상태로 남아 있는 셀이 유지 방전한다. 여기서, 제2 유지 기간(S2)에 인가되는 유지 방전 펄스 개수는 Xodd 라인 셀과 Xeven 라인 셀의 유지 방전 회수를 맞추기 위해서 제1 유지 기간(S1)에 인가되는 유지 방전 펄스 개수와 동일하게 설정한다. 한편, 제2 소거 어드레스 기간(EA2)에서도 Xodd 라인 셀 중 발광 셀 상태로 남아 있는 셀의 벽 전하가 일부 소거되나 이 소실된 벽전하는 제1 유지 기간(S1)과 마찬가지로 제2 유지 기간(S2)에서의 유지 방전에 의해 보충된다. 이를 통해 제5 서브필드(SF5)의 다음 서브필드인 제6 서브필드(SF1)의 제1 소거 어드레스 기간(EA1)에서 Xodd 라인 셀이 제대로 소거 어드레싱 동작이 수행되도록 한다.
또한, 제6 서브필드 내지 제9 서브필드(SF6~SF9)에 인가되는 구동 파형은 도 7에 나타낸 제5 서브필드(SF5)의 구동 파형과 동일하므로 이하에서 중복되는 설명을 생략한다.
한편, 기입 어드레싱 동작에 의한 벽전하 상태와 제5 서브필드(SF5) 이후에 소거 어드레싱 동작에 의하여 벽 전하가 소거된 셀의 벽전하 상태가 서로 달라 메인 리셋 동작에서 문제가 생긴다. 메인 리셋은 기입 어드레스 동작을 예정하여 설계된 것이므로, 소거 어드레싱 동작에 의해 벽전하가 소거된 셀은 리셋 동작이 제대로 이루어지지 않을 수 있다.
따라서 다음 짝수(even) 프레임에 대하여 안정적인 메인 리셋 동작이 일어나도록 홀수(odd) 프레임의 제10 서브필드(SF10)에 도 8과 같은 구동 파형을 인가할 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 중 제10 서브필드(SF10)에 인가되는 구동 파형을 나타내는 도면이고, 도 9a 내지 도 9c는 도 8에 나타낸 플라즈마 표시 장치의 구동 파형 인가에 따른 벽전하 분포 상태를 나타낸 도면(편의상, 복수의 주사 전극(Y1~Yn), 어드레스 전극(A1~An), 유지 전극(Xodd, Xeven) 중 각각 하나씩의 주사 전극(Y), 어드레스 전극(A), 유지 전극(X)을 도시함)이다.
도 8에서 보는 바와 같이, Xodd 라인 셀에 대해서 적용하는 제1 소거 어드레 스 기간(EA1) 및 제1 유지 기간(S1), Xeven 라인 셀에 대해서 적용하는 제2 소거 어드레스 기간(EA2) 및 제2 유지 기간(S2)을 포함하며, 벽 전하 상태를 조정할 수 있는 보정 기간(M)을 포함한다. 소거 어드레스 기간(EA1,EA2) 및 유지 기간(S1,S2)에 대한 설명은 도 7과 동일하므로 중복되는 설명은 생략한다.
일반적으로, 제5 서브필드(SF5) 내지 제10 서브필드(SF10)에서 유지 방전 펄스가 주사 전극(Y1~Yn)에 인가되어 유지 방전된 셀의 벽 전하 상태는 도 9a와 같이 된다. 즉, 주사 전극(Y1~Yn)에는 많은 양의 (-) 벽 전하가 형성되고, 유지 전극(Xodd, Xeven)과 어드레스 전극(A1~An)에는 (+) 벽 전하가 형성된다.
이때, 제5 내지 제10 서브필드(SF5~SF10)의 소거 어드레스 기간에서 비발광 셀로 선택되어 소거 어드레싱 동작이 수행된 셀의 경우, 소거 어드레스 기간중에 주사 전극(Y1~Yn)과 어드레스 전극(A1~An) 사이에 소거 방전이 일어나면서 벽전하가 소거된다. 즉, 소거 어드레싱이 일어날 때, 주사 전극(Y1~Yn)에는 음의 Vscl' 전압이 인가되고 어드레스 전극(A1~An)에는 양의 Va 전압이 인가되어, 도 9b와 같이, 주사 전극(Y1~Yn)에 형성되어 있던 (-) 벽 전하는 대부분이 소거되고, 어드레스 전극(A1~An)에는 일정량의 (-) 벽 전하가 쌓이게 된다.
그러나, 도 9b와 같이 어드레스 전극(A1~An)에 (-) 벽 전하가 쌓인 상태로 짝수(even) 프레임의 제1 서브필드(SF1)의 메인 리셋 기간(MR)이 수행되면, 메인 리셋 기간(MR)의 상승 기간(Ⅱ)에서 어드레스 전극(A1~An)과 주사 전극(Y1~Yn) 사이에 강 방전이 발생하여 리셋 동작이 제대로 수행되지 않는다.
따라서, 도 8에 도시한 바와 같이, 제10 서브필드(SF10)에서 제2 유지 기간 (S2)이 수행된 후, 유지 전극(Xeven, Xodd)과 주사 전극(Y1~Yn)에 각각 Vs 전압과 음의 Vb 전압을 인가하고, 접지 전압(0V)과 Vs 전압을 교대로 인가하는 보정 기간(M)을 추가한다.
이때, 유지 전극(Xeven, Xodd)과 주사 전극(Y1~Yn)에 인가되는 전압차이가 방전 개시 전압보다는 작고 Vs 전압보다는 크도록 Vb 전압을 설정한다. 즉, 제10 서브필드(SF10)에서 유지 방전이 일어난 셀 뿐만 아니라, 소거 어드레싱 동작에 의하여 벽 전하가 소거된 상태에 있는 셀에서도 방전이 발생하도록 한다. 이때, 소거 어드레싱 동작이 일어난 셀의 벽전하는 앞서 설명한 바와 같이 도 9b와 같은 상태가 되나, 전압차가 Vs 전압보다 큰 전압을 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xeven, Xodd)에 인가하면 방전이 발생하게 되므로, 이후에는 전압차가 Vs 인 전압을 인가하더라도 인가되는 전압의 횟수만큼 방전이 발생하게 된다. 따라서, 보정 기간(M)이 수행되면, 소거 어드레싱이 일어난 셀의 벽 전하는 도 9a와 같이 유지 방전이 발생한 셀의 벽 전하와 같은 상태가 된다.
따라서 소거 어드레싱된 셀은 도 9a와 같은 벽 전하 상태에서 메인 리셋 기간(MR) 동안 Xeven 라인 셀과 이에 인접한 주사 전극 사이에서 미약한 리셋 방전이 발생하여 초기화된다.
한편, 보정 기간(M)을 추가함으로써, 전체적인 계조표현에 문제가 생길 수 있다. 특히, 제4 서브필드(SF4)와 제10 서브필드(SF10) 사이에 유지 방전이 발생한 셀의 경우에는 보정 기간(M)에 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xeven, Xodd)에 인가되는 전압의 횟수만큼 방전이 일어나, 원하는 계조보다 더 높은 계조를 표현하게 된다. 그러나, 보정 기간(M)에 발생되는 유지 방전의 횟수는 조절이 가능하고, 또한 가중치가 높은 서브필드에서 발광이 발생한 셀이므로, 보정 기간(M)에 발생하는 방전은 전체 계조 값에 비하면 미약한 수준이므로, 전체적인 계조 표현에 큰 영향을 미치지 않는다. 특히, 실험적으로 보정 기간(M)에서 유지 전극(Xeven, Xodd)과 주사 전극(Y1~Yn)에 Vs 전압과 Vb 전압을 인가한 뒤에 약 3번정도 Vs 전압과 0V를 교대로 인가하면 짝수(even) 프레임의 메인 리셋 동작을 수행하기에 적합한 벽전하 상태가 되므로, 3번 정도 유지 방전을 더 발생시키는 것은 전체 계조를 표현하는데 있어서 큰 영향을 주지는 못한다.
또한 제1 서브필드(SF1)와 제3 서브필드(SF3) 사이에 유지 방전이 발생하고 제4 서브필드(SF4) 이후에는 유지 방전이 발생하지 않은 셀(특히, Xodd 라인 셀)의 경우에는 보정 기간(M)에도 방전이 일어나지 않으므로, 전체 계조 표현에 영향을 받지 않는다.
예를 들어, 제3 서브필드(SF3)에는 유지 방전이 발생하고 제4 서브필드(SF4) 이후에는 유지 방전이 발생하지 않은 셀의 경우, 제4 서브필드(SF4)의 선택적 리셋 기간(SR)에서는 제3 서브필드(SF3)에서 유지 방전된 셀만을 리셋 방전시켜 초기화시키므로, 도 9c와 같이 벽전하가 거의 소거된 상태로 제10 서브필드(SF10)의 수행이 끝날때까지 유지된다. 즉, 제4 서브필드(SF4)에서 어드레싱이 안된 셀은 제5 서브필드(SF5) 이후에 소거 어드레스 기간에서 소거될 벽전하가 없으므로 도 9c와 같은 벽전하 상태가 계속 유지된다. 이때, 보정 기간(M)에서 유지 전극(Xeven, Xodd)과 주사 전극(Y1~Yn)에 인가되는 Vs 전압과 Vb 전압의 차이가 방전 개시 전압보다 작으므로 방전이 발생하지 않는다. 따라서, 도 9c 와 같은 벽전하를 유지한 상태에서 짝수(even) 프레임의 메인 리셋 동작을 수행하게 된다.
한편, 본 발명의 실시예에서는 제10 서브필드(SF10)에서 제2 유지 기간(S2)이후 보정 기간(M)이 진행되는 것으로 설명하였으나, 보정 기간(M)이 제2 유지 기간(S2)을 대체할 수 있다. 즉, 제2 유지 기간(S2)에 인가되는 유지 방전 펄스와 같은 개수를 가지는 방전 펄스를 보정 기간(M)에 인가하여, 제10 서브필드(SF10)에 할당되는 시간을 줄일 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에서는 보정 기간(M)에서 주사전극(Y1~Yn)에인가되는 전압을 Vb 전압으로 낮춤으로써 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xeven, Xodd)의 전압차를 크게 하였으나, 주사 전극(Y1~Yn)에 접지 전압을 인가하고 유지 전극(Xeven, Xodd)의 전압을 Vs 전압보다 크게 하여 주사 전극(Y1~Yn)과 유지 전극(Xeven, Xodd)의 전압차를 크게 할 수도 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 따르면 유지 전극과 주사 전극 각각에 인접한 2개의 표시 라인을 공유하도록 하여 전극의 개수를 줄임으로써 스캔 회로의 개수를 줄일 수 있다.
또한, 복수의 서브필드에서 기입 어드레스 기간과 소거 어드레스 기간이 혼합되어 있는 경우, 소정의 기간에 보정 기간을 위치시킴으로써 다음의 메인 리셋 기간에서 벽전하의 초기화가 제대로 이루어진다.

Claims (24)

  1. 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 있어서,
    제1 서브필드의 어드레스 기간에서, 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 이용하여 발광 셀을 선택하는 단계;
    상기 제1 서브필드의 유지 기간에서, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극간에 유지 방전 전압인 제1 전압을 교대로 인가시키는 단계;
    제1 기간에서, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극간의 전압차인 제2 전압이 상기 제1 전압보다 큰 제3 전압이 되도록 전압을 인가시키는 단계; 및
    제2 서브필드에서, 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식을 이용하여 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전 시키는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 서브필드의 어드레스 기간과 상기 제1 기간 사이에 위치하는 제2 기간에서, 상기 제1 서브필드의 어드레스 기간 후 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시키는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기간에서, 상기 복수의 제1 전극 및 제2 전극에 각각 상기 제1 전압과 그라운드 전압보다 낮은 전압을 인가하여, 상기 제2 전압이 상기 제3 전압이 되도록 하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 기간에서, 상기 복수의 제1 전극 및 제2 전극에 각각 상기 제3 전압과 그라운드 전압을 인가하여, 상기 제2 전압이 상기 제3 전압이 되도록 하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 서브필드의 어드레스 기간에서 상기 제1 어드레스 방식에 의해 비발광 셀 상태로 전환된 셀이, 상기 제1 기간에 방전을 일으키는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 서브필드의 리셋 기간에서, 상기 복수의 제1 전극의 전압을점진적으로 상승시킨 후 하강시키는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제1 서브필드는 제1 프레임에 속하고 상기 제2 서브필드는 상기 제1 프레임에 연속하는 제2 프레임에 속하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 프레임 및 상기 제2 프레임 각각에서는 상기 제1 어드레스 방식과 상기 제2 어드레스 방식을 혼용하여 사용하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 제1 서브필드는 상기 제1 프레임 중 가장 마지막에 위치하는 서브필드인 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 제1 서브필드의 어드레스 기간에서 상기 제1 어드레스 방식에 의해 비발광 셀 상태로 전환된 셀이, 상기 제1 기간에 방전을 일으키는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 제1 서브필드의 유지 기간에서 상기 제1 전압을 가지는 유지 방전 펄스를 상기 복수의 제1 전극에 마지막으로 인가하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이에 각각 복수의 표시 라인이 형성되는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  13. 제1항 또는 제12항에 있어서,
    상기 복수의 제1 전극의 각 제2 전극과 상기 복수의 제2 전극 중 각 제1 전극에 일방향으로 인접하는 제2 전극 사이에 각 표시 라인이 형성되며,
    상기 제1 어드레스 방식 및 상기 제2 어드레스 방식을 적용할 때, 상기 복수의 제1 전극 중 두 제1 전극 씩 동시에 주사 펄스를 인가하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  14. 제2항에 있어서,
    상기 제1 기간에서 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극에 상기 제2 전압이 상기 제3 전압이 되도록 하는 전압을 인가시킨 후, 적어도 3회 이상 상기 제2 전압이 상기 제1 전압이 되도록 하는 전압을 인가하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  15. 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극, 상기 복수의 제1 및 제2 전극과 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하는 플라즈마 표시 장치를 구동하는 방법에 있어서,
    제1 서브필드에서 발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 이용하여 발광 셀을 선택한 후, 유지 방전시키는 단계;
    제1 기간에 상기 제1 어드레스 방식에 의해 비발광 셀 상태로 전환된 셀 및 상기 제1 서브필드에서 유지 방전이 발생된 셀이 방전을 일으키는 단계; 및
    제2 서브필드에서 상기 모든 방전 셀을 초기화하기 위해 리셋 방전을 발생시키는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제2 서브필드에서는, 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식이 적용되는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  17. 제15항 또는 제16항에 있어서,
    상기 복수의 제1 전극의 전압을 점진적으로 상승시킨 후 하강시켜 상기 리셋 방전을 발생시키는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  18. 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극 및 상기 복수의 제1 및 제2 전극에 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 제3 전극을 포함하는 플라즈마 표시 패널; 및
    발광 셀을 비발광 셀 상태로 전환하는 제1 어드레스 방식을 적용하여 유지 기간에서 상기 복수의 제1 및 제2 전극에 제1 전압을 교대로 인가시키는 제1 서브필드와, 비발광 셀을 발광 셀 상태로 전환하는 제2 어드레스 방식을 적용하는 제2 서브필드 사이에 위치하는 제1 기간에서, 상기 복수의 제1 전극과 상기 복수의 제2 전극 사이의 전압차가 상기 제1 전압보다 커지도록 전압을 인가하는 구동부를 포함하는 플라즈마 표시 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제1 서브필드의 어드레스 기간과 상기 제1 기간 사이에 위치하는 제2 기간에서, 상기 제1 서브필드의 어드레스 기간 후 발광 셀 상태로 남아 있는 셀을 유지 방전시키는 플라즈마 표시 장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제1 기간에서, 상기 복수의 제1 전극 및 제2 전극에 각각 상기 제1 전압과 그라운드 전압보다 낮은 레벨을 가지는 전압을 인가하는 플라즈마 표시 장치.
  21. 제18항에 있어서,
    상기 제1 기간에서, 상기 복수의 제1 전극 및 제2 전극에 각각 상기 제1 전압보다 높은 레벨을 가지는 전압과 접지 전압을 인가하는 플라즈마 표시 장치.
  22. 제18항에 있어서,
    상기 제1 서브필드의 어드레스 기간에서 비발광 셀 상태로 전환된 셀이, 상기 제1 기간에 방전을 일으키는 플라즈마 표시 장치.
  23. 제22항에 있어서,
    상기 제1 서브필드에서 유지 방전이 일어난 셀이, 상기 제1 기간에 방전을 일으키는 플라즈마 표시 장치.
  24. 제18항에 있어서,
    상기 제1 서브필드는 제1 프레임에 속하고 상기 제2 서브필드는 상기 제1 프레임에 연속하는 제2 프레임에 속하며, 상기 제1 프레임과 상기 제2 프레임 각각에서는 상기 제1 어드레스 방식과 상기 제2 어드레스 방식을 혼용하여 사용하는 플라즈마 표시 장치.
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