KR100830995B1 - 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법 Download PDF

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Abstract

플라즈마 표시 장치에서는 한 필드 동안 입력되는 영상 데이터의 최고 계조 레벨에 따라 서로 다른 구동 방법을 적용한다. 즉, 최고 계조 레벨이 기준 레벨보다 큰 제1 필드에서는 연속하는 복수의 서브필드에서 복수의 방전 셀에서 발광 셀과 비발광 셀을 선택하는 어드레스 기간과 복수의 방전 셀 중 발광 셀을 유지 방전시키는 유지 기간을 동시에 구동하고, 최고 계조 레벨이 기준 레벨 이하인 제2 필드에서는 복수의 서브필드에서 상기 어드레스 기간과 상기 유지 기간을 시간적으로 분리하여 구동한다.
PDP, 전극, 방전, 기입, 소거, 계조, 영상 데이터, 발광, 비발광

Description

플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법{PLASMA DISPLAY AND DRIVING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이고,
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 적용되는 각 전극의 분할 구조를 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 나타낸 도면이고,
도 4는 도 3의 구동 방법을 서브필드만으로 나타낸 도면이고,
도 5a는 도 3에 도시된 제1 서브필드(SF1)의 구동 파형을 나타낸 도면이고,
도 5b는 도 3에 도시된 제2 내지 제L 서브필드(SF2~SFL) 중 제k 서브필드(SFk)의 구동 파형을 나타낸 도면이고,
도 6은 도 3의 구동 방법에 따른 계조 표현 방법을 나타낸 도면이고,
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 제어부의 동작을 나타낸 도면이고,
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따라 어드레스 기간과 유지 기간을 시간적으로 분리하여 구동하는 방법을 나타낸 도면이고,
도 9는 도 8의 구동 방법에 사용되는 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이고,
도 10은 도 8의 구동 방법에 따른 계조 표현 방법을 나타낸 도면이다.
본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.
플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 플라즈마 표시 패널을 이용한 표시 장치이다. 이러한 플라즈마 표시 패널에는 복수의 방전 셀이 매트릭스 형태로 배열되어 있다.
플라즈마 표시 장치에서는 한 필드(1TV 필드)가 각각의 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할되어 구동되며, 복수의 서브필드 중 표시 동작이 일어나는 서브필드의 가중치의 조합에 의해 계조가 표시된다. 각 서브필드의 어드레스 기간에서 발광할 방전 셀과 발광하지 않을 방전 셀이 선택되고, 유지 기간에서 선택된 발광 할 방전 셀이 해당 서브필드의 가중치에 해당하는 기간 동안 유지 방전되어 화상이 표시된다.
이러한 플라즈마 표시 장치는 계조 표현을 위해 서로 다른 가중치를 가지는 서브필드를 사용한다. 그리고 복수의 서브필드에서 방전 셀이 발광하는 서브필드의 가중치의 총합에 의해 해당 방전 셀의 계조가 표현된다. 이때, 어드레스 기간과 유지 기간을 시간적으로 분리하여 구동하는 경우, 각 서브필드에서는 유지 방전을 위한 유지 기간 이외에 모든 방전 셀을 어드레싱하기 위한 어드레스 기간이 별도로 형성되므로, 한 서브필드의 길이가 길어진다. 그 결과, 서브필드의 길이가 길어져 서 한 필드에서 사용할 수 있는 서브필드의 개수가 제한되고, 이로 인하여 표현할 수 있는 최고 계조 레벨 또한 제한된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 높은 계조 레벨을 표현할 수 있으며, 계조 표현력 또한 향상시킬 수 있는 플라즈마 표시 장치 및 그의 구동 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 특징에 따르면, 복수의 행 전극과 복수의 열 전극, 그리고 상기 복수의 행 전극 및 상기 복수의 열 전극에 의해 각각 정의되는 복수의 방전 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서, 한 필드를 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법이 제공된다. 이 구동 방법은, 상기 한 필드 동안 입력되는 영상 신호의 최고 계조 레벨을 판단하는 단계, 상기 최고 계조 레벨이 기준 레벨보다 큰 제1 필드에서는, 상기 복수의 서브필드 중 연속하는 복수의 제1 서브필드 각각에서, 상기 복수의 행 전극을 제1 및 제2 행 그룹으로 나누고, 상기 제1 행 그룹 중 제1 부그룹에 속하는 복수의 발광 셀에서 비발광 셀을 선택하는 동안 상기 제2 행 그룹 중 적어도 하나의 제2 부그룹에 속하는 발광 셀을 유지 방전시키는 단계, 그리고 상기 최고 계조 레벨이 상기 기준 레벨 이하인 제2 필드에서는, 상기 복수의 서브필드 각각에서 상기 복수의 방전 셀에서 발광 셀을 선택한 후 상기 선택된 발광 셀을 유지 방전시키는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 복수의 행 전극과 상기 복수의 행 전극에 교 차하는 방향으로 형성되는 복수의 열 전극을 포함하며, 상기 복수의 행 전극 및 복수의 열 전극에 의해 복수의 방전 셀이 형성되는 플라즈마 표시 패널, 상기 플라즈마 표시 패널을 구동하는 구동부, 그리고 한 필드 동안 입력되는 영상 신호로부터 최고 계조 레벨을 판단하고, 상기 최고 계조 레벨에 따라 상기 구동부를 제어하는 제어부를 포함하는 플라즈마 표시 장치가 제공된다. 이때, 상기 구동부는, 상기 제어부의 제어에 따라 상기 최고 계조 레벨이 기준 레벨보다 높은 제1 필드에서는 복수의 서브필드 중 연속하는 복수의 제1 서브필드에서 상기 복수의 방전 셀에서 발광 셀과 비발광 셀 중 하나를 선택하는 어드레스 기간과 상기 복수의 방전 셀 중 발광 셀을 유지 방전시키는 유지 기간을 동시에 구동하고, 상기 최고 계조 레벨이 상기 기준 레벨보다 낮은 제2 필드에서는 복수의 서브필드에서 상기 어드레스 기간과 상기 유지 기간을 시간적으로 분리하여 구동한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 복수의 행 전극과 상기 복수의 행 전극에 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 열 전극을 포함하며, 상기 복수의 행 전극 및 복수의 열 전극에 의해 복수의 방전 셀이 형성되는 플라즈마 표시 패널, 상기 플라즈마 표시 패널을 구동하는 구동부, 그리고 한 필드 동안 입력되는 영상 신호로부터 최고 계조 레벨을 판단하고, 상기 최고 계조 레벨에 따라 상기 구동부를 제어하는 제어부를 포함하는 플라즈마 표시 장치가 제공된다. 이때, 상기 구동부는, 상기 최고 계조 레벨이 기준 레벨보다 높은 제1 필드에서는 복수의 서브필드 중 연속되는 복수의 제1 서브필드 각각에서, 복수의 행 전극을 제1 및 제2 행 그룹으로 나누고, 상기 제1 및 제2 행 그룹의 행 전극을 다시 복수의 제1 및 제2 부그룹으로 각 각 나눈 상태에서, 각 제1 부그룹에 대한 제1 기간 동안 대응하는 제1 부그룹에 대해 순차적으로 제1 방식의 어드레스 방전으로 발광 셀을 설정하고, 복수의 상기 제1 기간에서 상기 복수의 제2 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며, 각 제2 부그룹에 대한 제2 기간 동안 대응하는 제2 부그룹에 대해 상기 제1 방식의 어드레스 방전으로 발광 셀을 설정하고, 복수의 상기 제2 기간에서 상기 복수의 제2 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며, 상기 최고 계조 레벨이 상기 기준 레벨 이하인 제2 필드에서는 복수의 서브필드 각각에서, 제3 기간 동안 상기 복수의 행 전극에 대해 순차적으로 제2 방식의 어드레스 방전으로 발광 셀을 설정하고, 제4 기간 동안 상기 설정된 발광 셀을 유지 방전시킨다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
그리고 본 발명에서의 벽 전하란 셀의 벽(예를 들어, 유전체층) 상에서 각 전극에 가깝게 형성되는 전하를 말한다. 그리고 벽 전하는 실제로 전극 자체에 접촉되지는 않지만, 여기서는 전극에 "형성됨", "축적됨" 또는 "쌓임"과 같이 설명한 다. 또한 벽 전압은 벽 전하에 의해서 셀의 벽에 형성되는 전위 차를 말한다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치에 대해서 도 1을 참조하여 자세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 제어부(200), 어드레스 전극 구동부(300), 주사 전극 구동부(400) 및 유지 전극 구동부(500)를 포함한다.
플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(이하, "A 전극"이라 함)(A1~Am), 그리고 행 방향으로 서로 쌍을 이루면서 뻗어 있는 복수의 유지 전극(이하, "X 전극"이라 함)(X1~Xn) 및 주사 전극(이하, "Y 전극"이라 함)(Y1~Yn)을 포함한다. 일반적으로 X 전극(X1~Xn)은 각 Y 전극(Y1~Yn)에 대응해서 형성되어 있으며, X 전극과 Y 전극이 유지 기간에서 화상을 표시하기 위한 표시 동작을 수행한다. Y 전극(Y1~Yn)과 X 전극(X1~Xn)은 A 전극(A1~Am)과 직교하도록 배치된다. 이때, A 전극(A1~Am)과 X 및 Y 전극(X1~Xn, Y1~Yn)의 교차부에 있는 방전 공간이 셀(12)을 형성한다. 이러한 플라즈마 표시 패널(100)의 구조는 일 예이며, 아래에서 설명하는 구동 파형이 적용될 수 있는 다른 구조의 패널도 본 발명에 적용될 수 있다. 아래에서는 행 방향으로 서로 쌍을 이루면서 뻗어 있는 X 전극 및 Y 전극을 행 전극이라 하고, 열 방향으로 뻗어 있는 A 전극을 열 전극이라 한다.
제어부(200)는 외부로부터 영상 신호를 수신하여 A 전극 구동 제어 신호, X 전극 구동 제어 신호 및 Y 전극 구동 제어 신호를 출력한다. 그리고 제어부(200)는 한 필드를 복수의 서브필드로 분할하여 구동하며, 복수의 행 전극을 제1 및 제2 행 그룹으로 나누고, 제1 및 제2 행 그룹의 행 전극을 각각 복수의 부그룹으로 나누어 구동하도록 제어한다.
어드레스 전극 구동부(300)는 제어부(200)로부터 A 전극 구동 제어 신호를 수신하여 A 전극(A1~Am)에 구동 전압을 인가한다.
주사 전극 구동부(400)는 제어부(200)로부터 Y 전극 구동 제어 신호를 수신하여 Y 전극(Y1~Yn)에 구동 전압을 인가한다.
유지 전극 구동부(500)는 제어부(200)로부터 X 전극 구동 제어 신호를 수신하여 X 전극(X1~Xn)에 구동 전압을 인가한다.
다음, 도 2를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 대해서 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 적용되는 각 전극의 분할 구조를 나타낸 도면이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 한 필드는 복수의 행 전극(X1~Xn, Y1~Yn)은 두 개의 행 그룹(G1, G2)으로 나누어진다. 이때, 플라즈마 표시 패널(100)의 상부에 위치하는 복수의 행 전극(X1~Xn/2, Y1~Yn/2)을 포함하는 제1 행 그룹(G1)과 플라즈마 표시 패널(100)의 하부에 위치하는 복수의 행 전극(X(n/2)+1~Xn, Y(n/2)+1~Yn)을 포함하는 제2 행 그룹(G2)으로 나눌 수 있으며, 복수의 행 전극(X1~Xn, Y1~Yn)을 짝수 번째 행 전극을 포함하는 제1 행 그룹(G1)과 홀수 번째 행 전극을 포함하는 제2 행 그룹(G2)으로 나눌 수도 있다. 그리고 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2) 각각에서, 복수의 Y 전극이 다시 복수의 부그룹(G11~G18, G21~G28)으로 나누어진다. 도 2에서는 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2) 각각이 8개의 부그룹(G11~G18, G21~G28)으로 나누어지는 것으로 가정하였다.
즉, 제1 행 그룹(G1)에서 1번째부터 j번째 Y 전극(Y1~Yj)이 제1 부그룹(G11)으로 설정되고, (j+1)번째부터 (2j)번째 Y 전극(Yj+1~Y2j)이 제2 부그룹(G12)으로 설정된다. 이와 같은 식으로 (7j+1)번째부터 (n/2)번째 Y 전극(Y7j+1~Yn/2)이 제8 부그룹(G8)으로 설정된다(여기서, j는 1과 n/16 사이의 정수). 마찬가지로 제2 행 그룹(G2)에서 (8j+1)번째부터 (9j)번째 Y 전극(Y8j+1~Y9j)이 제1 부그룹(G21)으로 설정되고, (9j+1)번째부터 (10j)번째 Y 전극(Y9j+1~Y10j)이 제2 부그룹(G22)으로 설정된다. 이와 같은 식으로 (15j+1)번째부터 n번째 Y 전극(Y15j+1~Yn)이 제8 부그룹(G28)으로 설정된다. 한편, 이와는 달리 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2) 내에서 각각 일정한 간격으로 떨어져 있는 Y 전극을 하나의 부그룹으로 설정할 수도 있으며, 필요에 따라 불규칙한 방식으로도 Y 전극을 그룹화 할 수도 있다.
도 3은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 나타낸 도면이고, 도 4는 도 3의 구동 방법을 서브필드만으로 나타낸 도면이다. 도 3에서는 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)이 각각 6개의 부그룹(G11~G16, G21~G26)으로 나누어지는 것으로 도시하였다.
도 3에 나타낸 바와 같이, 한 필드는 복수의 서브필드(SF1~SFL)로 이루어진다. 이때, 제1 서브필드(SF1)는 리셋 기간(R), 어드레스 기간(WA11, WA12) 및 유지 기간(S11, S12)으로 이루어지며, 어드레스 기간(WA11, WA12)에서는 선택적 기입 방식을 사용한다. 그리고 제2 내지 제L 서브필드(SF2~SFL)는 각각 어드레스 기간(EA211~EAL16, EA221~EAL26) 및 유지 기간(S211~SL16, S221~SL26)으로 이루어지며, 제2 내지 제L 서브필드(SF2~SFL)의 어드레스 기간(EA211~EAL16, EA221~EAL26)은 선택적 소거 방식(selective Erase Address)으로 이루어진다. 그리고 복수의 행 전극(X1~Xn, Y1~Yn)은 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)으로 나누어지고, 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)은 각각 복수의 부그룹(G11~G16, G21~G26)으로 나누어진다.
한편, 복수의 방전 셀 중에서 발광할 방전 셀(이하, "발광 셀"이라 함)과 발광하지 않을 방전 셀(이하, "비발광 셀"이라 함)을 선택하기 위한 방식으로 선택적 기입 방식과 선택적 소거 방식이 있다. 선택적 기입 방식은 발광 셀을 선택하여 일정한 벽 전압을 형성하는 방식이며, 선택적 소거 방식은 비발광 셀을 선택하여 이 미 형성되어 있는 벽 전압을 소거하는 방식이다. 즉, 선택적 기입 방식은 비발광 셀 상태의 셀을 어드레스 방전시켜서 벽 전하를 형성하여 발광 셀 상태로 설정하는 방식이고, 선택적 소거 방식은 발광 셀 상태의 셀을 어드레스 방전시켜서 이미 형성되어 있는 벽 전하를 소거시켜 비발광 셀 상태로 설정하는 방식이다. 아래에서는 선택적 기입 방식에서 벽 전하를 형성하기 위한 어드레스 방전을 "기입 방전"이라 하고, 선택적 소거 방식에서 벽 전하를 소거하기 위한 어드레스 방전을 "소거 방전"이라 한다.
다시 도 3을 보면, 선택적 기입 방식의 어드레스 기간(WA11, WA12)을 가지는 서브필드(SF1)에서는 어드레스 기간(WA11, WA12) 직전에 발광 셀을 비발광 셀로 초기화하는 리셋 기간(R)이 형성된다. 즉, 제1 서브필드(SF1)의 리셋 기간(R)에서는 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 방전 셀을 초기화하여 비발광 셀 상태로 설정하고 어드레스 기간(WA11, WA12)에서 기입 방전이 가능한 상태로 설정한다.
어드레스 기간(WA11)에서는 제1 행 그룹(G1)의 방전 셀 중 발광 셀로 설정할 방전 셀을 기입 방전시켜서 벽 전하를 형성하고, 유지 기간(S11)에서 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이때, 유지 기간(S11)에서는 최소한의 유지 방전 예를 들어, 1회 또는 2회의 유지 방전만 일어나도록 설정한다. 어드레스 기간(WA12)에서는 제2 행 그룹(G2)의 방전 셀 중 발광 셀로 설정할 방전 셀을 기입 방 전시켜서 벽 전하를 형성하고, 유지 기간(S12) 중 일부 기간(S121)에서 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 발광 셀을 유지 방전시킨다. 그리고 유지 기간(S12) 중 나머지 일부 기간(S122)에서 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀을 유지 방전이 일어나지 않도록 설정한 상태에서 제2 행 그룹(G2)의 발광 셀만 유지 방전시킨다. 이때, 유지 기간(S12) 중 나머지 일부 기간(S122)에서 제2 행 그룹(G2)의 발광 셀에서 유지 방전이 일어나는 횟수는 유지 기간(S12)에서 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀에서 유지 방전이 일어나는 횟수와 동일하도록 설정된다.
또한, 두 유지 기간(S11, S12)에 의해 제1 서브필드(SF1)의 가중치가 만족되지 않는 경우에는 유지 기간(S12) 중 나머지 일부 기간(S122)에서 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 발광 셀을 추가로 유지 방전시킬 수 있다.
제2 서브필드(SF2)에서는 제1 행 그룹(G1)에 대해 제1 부그룹(G11)에서 제6 부그룹(G16) 순으로 어드레스 기간(EA211~EA216) 및 유지 기간(S211~SL16)이 수행되며, 제2 행 그룹(G2)에 대해 제6 부그룹(G26)에서 제1 부그룹(G21) 순으로 어드레스 기간(EA226~EA221) 및 유지 기간(S126~SL21)이 수행된다. 그리고 제2 서브필드(SF2)와 동일한 방법으로 나머지 서브필드(SF3~SFL)의 어드레스 기간(EA311~EAL16, EA321~EAL26) 및 유지 기간(S311~SL16, S321~SL26)이 순차적으로 수행된다. 이때, 서브 필드(SF2~SFL)에서의 어드레스 기간(EA211~EAL16, EA221~EAL26)과 유지 기간(S211~SL16, S221~SL26)의 동작은 실질적으로 동일하므로, 아래에서는 제k 서브필드(SFk)의 어드레스 기간(EAk11~EAk16, EAk21~EAk26)과 유지 기간(Sk11~Sk16, Sk21~Sk26)의 동작에 대해서만 설명하기로 한다(여기서, k는 1과 L 사이의 정수).
즉, 제1 행 그룹(G1)의 제k 서브필드(SFk)에서는 제i 부그룹(G1i)의 어드레스 기간(EAk1i)이 수행된 후, 제i 부그룹(G1i)의 유지 기간(Sk1i)이 수행된다(여기서, i는 1과 6 사이의 정수임). 이어서, 제(i+1) 부그룹(G1(i+1))의 어드레스 기간(EAk1(i+1))과 유지 기간(Sk1(i+1))이 수행된다. 그리고 제2 행 그룹(G2)의 제k 서브필드(SFk)에서는 제(i+1) 부그룹(G2(i+1))의 어드레스 기간(EAk2(i+1))이 수행된 후, 제(i+1) 부그룹(G2(i+1))의 유지 기간(Sk2(i+1))이 수행된다. 이어서, 제i 부그룹(G2i)의 어드레스 기간(EAk2i)과 유지 기간(Sk2i)이 수행된다. 이때, 제k 서브필드(SFk)에서 제1 행 그룹(G1)의 제i 부그룹(G1i)의 유지 기간(Sk1i)이 수행되는 동안, 제2 행 그룹(G2)의 제(6-(i-1)) 부그룹(G2(6-(i-1)))의 어드레스 기간(EAk2(6-(i-1)))이 수행된다. 그리고 제k 서브필드(SFk)에서 제2 행 그룹(G2)의 제(6-(i-1)) 부그룹(G2(6-(i-1)))의 유지 기간(Sk2(6-(i-1)))이 수행되는 동안, 제1 행 그룹(G1)에서는 제(i+1) 부그룹(G1(i+1))의 어드레스 기간(EAk1(i+1))이 수행된다.
한편, 도 3에서는 제2 행 그룹(G2)이 제6 부그룹(G26)에서 제1 부그룹(G21) 순으로 순차적으로 어드레스 기간(EAk26~EAk21) 및 유지 기간(Sk26~Sk21)이 수행되는 것으로 도시하였지만, 도 3과 달리 제2 행 그룹(G2)에서도 제1 행 그룹(G1)과 동일하게 제1 부그룹(G21)에서 제6 부그룹(G26) 순으로 어드레스 기간(EAk21~EAk26) 및 유지 기간(Sk21~Sk26)이 수행될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)에서 도 3과 다른 순서로 어드레스 기간 및 유지 기간이 수행될 수도 있다.
제1 행 그룹(G1)의 각 서브필드(SF2~SFL)에 대해 좀 더 구체적으로 설명하면, 제1 행 그룹(G1)의 제k 서브필드(SFk) 중 제1 부그룹(G11)의 어드레스 기간(EAk11)에서는 제1 부그룹(G11)의 발광 셀 중 비발광 셀로 설정할 셀을 소거 방전시켜서 벽 전하를 소거하고, 유지 기간(Sk11)에서 제1 부그룹(G11)의 나머지 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이어서, 제2 부그룹(G21)의 어드레스 기간(EAk12)에서 제2 부그룹(G12)의 발광 셀 중 비발광 셀로 설정할 방전 셀을 소거 방전시켜서 벽 전하를 소거하고, 유지 기간(Sk12)에서 제2 부그룹(G12)의 나머지 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이때, 제1 부그룹(G11)의 발광 셀에서도 유지 방전이 일어난다. 이와 마찬가지로 나머지 부그룹(G13~G16)에 대해서도 어드레스 기간(EAk13~EAk16) 및 유지 기간(Sk13~Sk16)이 수행된다. 이때, 제i 부그룹(G1i)의 유지 기간(Sk1i)에서는 제i 부그룹(G1i)의 발 광 셀 및 제1 내지 제(i-1) 부그룹(G11~G1(i-1)) 및 제(i+1) 내지 제6 부그룹(G1(i+1)~G16)의 발광 셀에서도 유지 방전이 일어난다. 그리고 제1 내지 제(i-1) 부그룹(G11~G1(i-1))의 발광 셀은 제k 서브필드(SFk)의 각 어드레스 기간(EAk11~EAk1(i-1))에서 소거 방전이 일어나지 않은 발광 셀이며, 제(i+1) 내지 제6 부그룹(G1(i+1)~G16)의 발광 셀은 제(k-1) 서브필드(SF(k-1))의 각 어드레스 기간(EA(k-1)1(i+1)~EA(k-1)16)에서 소거 방전이 일어나지 않은 발광 셀이다. 제i 부그룹(G1i)의 발광 셀은 제(k+1) 서브필드(SF(k+1))의 제i 부그룹(G1i)의 어드레스 기간(EA(k+1)1i) 직전의 유지 기간(SK1(i-1))까지 유지 방전된다. 즉, 제i 부그룹(G1i)의 발광 셀에서는 총 6회의 유지 기간 동안 유지 방전이 일어난다.
이와 같이 하여, 모든 서브필드(SF2~SFL)의 각 부그룹(G11~G16)에 대해서 어드레스 기간(EA211~EA216, …, EAL11~EAL16) 및 유지 기간(S211~S216, …, SL11~SL16)이 수행된다. 이와 같이 하면, 제1 서브필드(SF1)의 유지 기간(S111~S116)에서 유지 방전이 일어나 발광 셀로 설정된 방전 셀은 각 서브필드(SF2~SFL)에서 소거 방전으로 비발광 셀로 설정되기 전까지 계속 유지 방전을 수행하고, 소거 방전으로 비발광 셀이 되면 해당 서브필드부터 유지 방전되지 않는다. 이때, 각 서브필드(SF2~SFL)의 가중치는 6개의 유지 기간의 길이의 합에 대응한다.
서브필드(SFL)에서 유지 기간(SL16)이 수행되고 나면, 제1 부그룹(G11)은 총 6회의 유지 방전이 일어나고, 제2 부그룹(G12)은 총 5회의 유지 방전이 일어나며, 제3 부그룹(G13)은 총 4회의 유지 방전이 일어난다. 그리고 제4 부그룹(G14)은 총 3회의 유지 방전이 일어나고, 제5 부그룹(G15)은 총 2회의 유지 방전이 일어나며, 제6 부그룹(G16)은 총 1회의 유지 방전이 일어난다. 따라서, 제1 내지 제6 부그룹(G11~G16)의 유지 방전 횟수가 동일해지도록 제1 행 그룹(G1)의 마지막 서브필드(SFL)는 소거 기간(ER11~ER15) 및 추가 유지 기간(SA12~SA16)을 가질 수 있다.
구체적으로, 소거 기간(ER11) 직전 총 6회의 유지 방전이 일어난 제1 부그룹(G11)은 추가 유지 방전이 필요하지 않다. 따라서, 소거 기간(ER11)에서 제1 부그룹(G11)의 발광 셀에 형성된 벽 전하를 소거시킨다. 그리고 나서, 추가 유지 기간(SA12)에서 제1 내지 제6 부그룹(G11~G16)의 발광 셀을 발광시킨다. 이때, 소거 기간(ER11)에서 제1 부그룹(G11)의 발광 셀에 형성된 벽 전하가 소거되었으므로, 추가 유지 기간(SA12)에서는 제2 내지 제6 부그룹(G12~G16)의 발광 셀에서 각각 1회의 추가 유지 방전이 일어난다.
그리고 추가 유지 기간(SA12)에 의해 총 6회의 유지 방전이 모두 일어난 제2 부그룹(G12)도 추가 유지 방전이 필요하지 않으므로, 소거 기간(ER12)에서 제2 부그 룹(G12)의 발광 셀에 형성된 벽 전하를 소거시킨다. 그리고 추가 유지 기간(SA13)에서 제1 내지 제6 부그룹(G11~G16)의 발광 셀을 발광시킨다. 이때, 제1 및 제2 부그룹(G11, G12)의 발광 셀에 형성된 벽 전하는 각각 소거 기간(ER11, ER12)에서 소거되었으므로, 추가 유지 기간(SA13)에서는 제3 내지 제6 부그룹(G13~G16)의 발광 셀에서 각각 1회의 추가 유지 방전이 일어난다.
이어서, 추가 유지 기간(SA13)에 의해 총 6회의 유지 방전이 모두 일어난 제3 부그룹(G13) 또한 추가 유지 방전이 필요하지 않으므로, 소거 기간(ER13)에서 제3 부그룹(G13)의 발광 셀에 형성된 벽 전하를 소거시킨다. 그리고 추가 유지 기간(SA14)에서 제1 내지 제6 부그룹(G11~G16)의 발광 셀을 발광시킨다. 이때, 제1 내지 제3 부그룹(G11~G13)의 발광 셀에 형성된 벽 전하는 각각 소거 기간(ER11~ER13)에서 소거되었으므로, 추가 유지 기간(SA14)에서는 제4 내지 제6 부그룹(G14~G16)의 발광 셀에서 각각 1회의 추가 유지 방전이 일어난다.
이와 같은 방식으로, 소거 기간(ER14~ER15) 및 추가 유지 기간(SA15~SA16)을 수행하면, 제1 내지 제6 부그룹(G11~G16)의 유지 방전 횟수는 동일해질 수 있다.
한편, 제6 부그룹(G16)의 추가 유지 기간(SA16) 이후에도 제6 부그룹(G16)의 벽 전하를 소거하기 위한 소거 기간(ER15)이 형성될 수도 있다. 또한 이어지는 필드 의 제1 서브필드(SF1)에서 리셋 기간(R)이 수행되므로, 제6 부그룹(G16)의 소거 기간(ER15)은 형성되지 않을 수도 있다. 그리고 이러한 소거 기간(ER11~ER16)에서의 소거 동작은 어드레스 기간처럼 각 부그룹의 각 행 전극에 대해서 순차적으로 수행될 수도 있고, 각 행 그룹의 모든 행 전극에 대해서 동시에 수행될 수도 있다.
다음으로, 제2 행 그룹(G2)의 각 서브필드(SF2~SFL)에 대해 설명하면, 제2 행 그룹(G2)의 각 서브필드(SF2~SFL)의 구조는 제1 행 그룹(G1)의 각 서브필드(SF2~SFL)와 실질적으로 동일하다. 단, 제2 행 그룹(G2)의 각 서브필드(SF1~SFL)에서는 제6부그룹(G26)부터 제1 부그룹(G21) 순으로 어드레스 기간(EA226~EA221, …, EAL26~EAL21)이 수행되며, 제2 행 그룹(G2)의 마지막 서브필드(SFL)에서의 소거 기간(ER26~ER25) 또한 제6 부그룹(G26)부터 제1 부그룹(G21) 순으로 수행된다.
이와 같은 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 서브필드만으로 표현하면, 도 4와 같이 나타낼 수 있다. 즉, 각 부그룹(G11~G16, G26~G21)에서 선택적 소거 방식의 어드레스 기간을 가지는 서브필드(SF2~SF16)가 소정 간격만큼 시프트 되는 것과 같이 나타난다. 도 4에서는 하나의 필드가 16개의 서브필드(SF1~SF16)로 이루어지는 것으로 도시하였다. 이때, 소정 간격은 하나의 부그룹(G1i 또는 G2i)에 대한 어드레스 기간(EAk1i 또는 EAk2i)과 하나의 부그룹(G1i 또는 G2i)의 1개의 유지 기간(Sk1i 또 는 Sk2i)의 길이에 해당한다. 그리고 하나의 부그룹(G1i 또는 G2i)에 대한 어드레스 기간(EAk1i 또는 EAk2i)과 하나의 부그룹(G1i 또는 G2i)에 대한 1개의 유지 기간(Sk1i 또는 Sk2i)의 길이가 동일하다고 가정할 때, 제2 행 그룹의 각 서브필드(SF2~SF16)의 시작 시점은 제1 행 그룹(G1)의 각 서브필드(SF2~SF16)의 시작 시점으로부터 어드레스 기간(EAk1i 또는 EAk2i)의 길이만큼 시프트된 것과 같이 나타난다.
다음으로, 도 3과 같은 구동 방법을 사용하는 플라즈마 표시 장치의 구동 파형에 대해서 도 5a 및 도 5b를 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 5a는 도 3에 도시된 제1 서브필드(SF1)의 구동 파형을 나타낸 도면이다.
도 5a를 보면, 리셋 기간(R)에서는 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 복수의 X 전극에 기준 전압(도 5a에서는 0V)을 인가한 상태에서, 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 복수의 Y 전극의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 증가시킨다. 그러면, Y 전극의 전압이 증가하는 중에 Y 전극과 X 전극 사이에서 미약한 리셋 방전이 일어나면서 모든 행 그룹(G1, G2)의 방전 셀에 벽 전하가 형성된다. 이어서, 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 복수의 X 전극에 Vs 전압을 인가한 상태에서, 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 복수의 Y 전극의 전압을 Vs 전압에서 Vnf 전압까지 점진적으로 감소시킨다. 그러면, Y 전극의 전압이 감소하는 중에 Y 전극과 X 전극 사이에서 미약한 리셋 방전이 일어나면서 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 복수의 방전 셀에 형성 된 벽 전하가 소거되어 비발광 셀로 초기화된다. 일반적으로 (Vnf-Vs) 전압의 크기는 Y 전극과 X 전극 사이의 방전 개시 전압 근처로 설정된다. 그러면 Y 전극과 X 전극 사이의 벽 전압이 거의 0V가 되어, 어드레스 기간에서 기입 방전이 일어나지 않은 비발광 셀이 유지 기간에서 오방전하는 것을 방지할 수 있다.
어드레스 기간(WA11)에서는 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 복수의 X 전극에 Vs 전압을 인가한 상태에서, 발광 셀을 선택하기 위해 제1 행 그룹(G1)의 복수의 Y 전극에 순차적으로 VscL1 전압을 가지는 주사 펄스 및 A 전극에 양의 전압을 가지는 어드레스 펄스를 인가한다. 그러면, 주사 펄스의 VscL1 전압과 어드레스 펄스의 양의 전압이 인가된 방전 셀에서 기입 방전이 일어나 X 전극과 Y 전극에 벽 전압이 형성되어 발광 셀로 된다. 그리고 주사 펄스가 인가되지 않는 Y 전극은 VscL1 전압보다 높은 VscH1 전압을 인가하고, 어드레스 펄스가 인가되지 않는 A 전극에는 기준 전압을 인가한다.
구체적으로, 제1 행 그룹(G1)의 첫 번째 행의 Y 전극(도 1의 Y1)에 주사 펄스를 인가하는 동시에 첫 번째 행 중 발광 셀에 위치하는 A 전극에 어드레스 펄스를 인가한다. 그러면, 첫 번째 행의 Y 전극과 어드레스 펄스가 인가된 A 전극 사이에서 기입 방전이 일어나서, Y 전극에 (+) 벽 전하, A 전극 및 X 전극에 (-) 벽 전하가 형성된다. 이어서, 두 번째 행의 Y 전극(도 1의 Y2)에 주사 펄스를 인가하면서 두 번째 행 중 발광 셀에 위치하는 A 전극에 어드레스 펄스를 인가한다. 그러면, 어드레스 펄스가 인가된 A 전극과 두 번째 행의 Y 전극 사이에서 기입 방전이 일어 나서 각 전극(Y, A, X)에 벽 전하가 형성된다. 마찬가지로, 나머지 행의 Y 전극에 대해서도 순차적으로 주사 펄스를 인가하면서 발광 셀에 위치하는 A 전극에 어드레스 펄스를 인가하여 각 전극(Y, A, X)에 벽 전하를 형성한다.
유지 기간(S11)에서 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 복수의 Y 전극에 Vs 전압을 인가하고, 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 복수의 X 전극에 0V 전압을 인가하여 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이때, 어드레스 기간(WA11)에서 기입 방전이 일어난 셀만이 발광 셀로 되므로, 어드레스 기간(WA11)에서 기입 방전이 일어난 셀에서만 유지 방전이 일어난다. 유지 방전의 결과 제1 행 그룹(G1)의 Y 전극에 (-) 벽 전하가 쌓이고 X 전극에 (+) 벽 전하가 쌓인다. 도 5a에서는 유지 기간(S11)에서 1회의 유지 방전이 일어나도록 설정하였다.
다음, 어드레스 기간(WA12)에서 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 복수의 X 전극에 Vs 전압을 인가한 상태에서, 발광 셀을 선택하기 위해 제2 행 그룹(G2)의 Y 전극 및 A 전극에 순차적으로 VscL1 전압의 주사 펄스 및 양의 전압을 어드레스 펄스를 인가하여, 비발광 셀 상태의 셀을 기입 방전시켜서 발광 셀로 설정한다. 이때, VscH1 전압이 낮아서 제1 행 그룹(G1)의 X 전극에 인가된 Vs 전압과 제1 행 그룹(G1)의 Y 전극과 X 전극에 쌓인 벽 전하에 의해 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀에서 다시 유지 방전이 일어난다. 그 결과 제1 행 그룹(G1)의 Y 전극에 (+) 벽 전하가 쌓 이고 X 전극에 (-) 벽 전하가 쌓인다.
이어서, 유지 기간(S12)의 제1 기간(S121)에서는 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 복수의 Y 전극에 Vs 전압을 인가하고 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 복수의 X 전극에 0V 전압을 인가하여 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 발광 셀을 유지 방전시킨다. 그리고 유지 기간(S12)의 제2 기간(S122)에서 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 복수의 X 전극에 Vs 전압을 인가한 상태에서 제1 행 그룹(G1)의 복수의 Y 전극에 Vs 전압을 인가하고 제2 행 그룹(G2)의 복수의 Y 전극에 0V 전압을 인가하여 제2 행 그룹(G2)의 발광 셀만 유지 방전시킨다. 이어서, 제2 기간(S122)에서 제2 행 그룹(G2)의 복수의 X 전극에 0V 전압을 인가한 상태에서 제2 행 그룹(G2)의 복수의 Y 전극에 Vs 전압을 인가하여 제2 행 그룹(G2)의 발광 셀을 추가로 유지 방전시킨다. 이때, 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀은 직전에 유지 방전이 일어나지 않았으므로 유지 방전이 일어나지 않는다. 제2 기간(S122)에서 제2 행 그룹(G2)의 발광 셀에서 유지 방전이 일어나는 횟수는 기간(S11, WA12)에서 제1 행 그룹(G1)의 발강 셀에서 유지 방전이 일어나는 횟수와 동일하도록 설정된다. 그리고 두 유지 기간(S11, S12)에 의해 제1 서브필드(SF1)의 가중치가 만족되지 않는 경우에 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 발광 셀을 동시에 유지 방전시키는 유지 기간이 추가로 수행될 수 있다.
도 5b는 도 3에 도시된 제2 내지 제L 서브필드(SF2~SFL) 중 제k 서브필드(SFk)의 구동 파형을 나타낸 도면이다. 도 5b에서는 설명의 편의상 제2 내지 제L 서브필드(SF2~SFL) 중 하나의 서브필드(SFk)에서 제1 행 그룹(G1)의 제1 및 제2 부그룹(G11, G12)과 제2 행 그룹(G2)의 제5 및 제6 부그룹(G25, G26)만을 도시하였다.
도 5b에 나타낸 바와 같이, 제1 행 그룹(G1)의 제k 서브필드(SFk) 중 제1 부그룹(G11)의 어드레스 기간(EAk11)에서는 제1 행 그룹(G1)의 X 전극에 기준 전압(도 5b에서는 0V 전압)을 인가한 상태에서 제1 부그룹(G11)의 복수의 Y 전극에 VscL2 전압을 가지는 주사 펄스를 인가한다. 이때, 주사 펄스가 인가된 Y 전극에 의해 형성된 발광 셀에서 비발광 셀로 선택할 셀의 A 전극에 양의 전압을 가지는 어드레스 펄스(도시하지 않음)를 인가한다. 그리고 제1 행 그룹(G1)에 속하는 Y 전극 중 주사 펄스가 인가되지 않은 Y 전극 및 제2 행 그룹(G2)에 속하는 Y 전극에는 VscL2 전압보다 높은 VscH2 전압을 인가하고 어드레스 펄스가 인가되지 않은 A 전극에는 기준 전압을 인가한다. 그러면, 주사 펄스의 VscL2 전압과 어드레스 펄스의 양의 전압이 인가된 발광 셀에서 소거 방전이 일어나서, X 전극과 Y 전극에 형성된 벽 전하가 소거되어 비발광 셀로 설정된다.
한편, 설명의 편의상 도 5b에서는 어드레스 기간(EAk11)에서 하나의 Y 전극에 주사 펄스가 인가되는 것을 나타냈지만, 어드레스 기간(EAk11)에서 주사 전극 구 동부(400)는 제1 부그룹(G11)에 속하는 복수의 Y 전극 중 주사 펄스가 인가될 Y 전극을 순차적으로 선택한다. 예를 들어, 싱글 구동에서는 수직 방향으로 배열된 순서대로 Y 전극을 선택할 수 있다. 그리고 하나의 Y 전극이 선택되는 경우, 어드레스 전극 구동부(300)는 해당 Y 전극에 의해 형성되는 방전 셀 중 발광 셀을 선택한다. 즉, 어드레스 전극 구동부(300)는 A 전극(A1~Am) 중 Va 전압의 어드레스 펄스가 인가될 셀을 선택한다.
이어서, 제1 부그룹(G11)의 유지 기간(Sk11)에서는 제1 행 그룹(G1)의 복수의 X 전극과 제1 행 그룹(G1)의 복수의 Y 전극에 하이 레벨 전압(도 5b에서는 Vs 전압)과 로우 레벨 전압(도 5b에서는 0V 전압)을 가지는 유지 방전 펄스를 반대 위상으로 인가하여 제1 부그룹(G11)의 발광 셀을 유지 방전시킨다. 즉, X 전극에 Vs 전압이 인가될 때 X 전극에는 0V 전압이 인가되고, Y 전극에 Vs 전압이 인가될 때 X 전극에는 0V 전압이 인가된다. 이때, 직전 서브필드(SF(k-1))에서 발광 셀 상태였던 셀 중에서 어드레스 기간(EAk11)에서 소거 방전이 일어나지 않은 셀이 발광 셀 상태이며, 이러한 발광 셀 상태의 셀에서 유지 방전이 일어난다.
그리고 제1 부그룹(G11)의 유지 기간(Sk11) 동안 제6 부그룹(G26)의 어드레스 기간(EAk26)이 수행된다. 어드레스 기간(EAk26)에서는 제2 행 그룹(G2)의 X 전극에 기준 전압을 인가한 상태에서 제2 부그룹(G12)의 복수의 Y 전극에 VscL2 전압을 가지는 주사 펄스를 인가하고, 주사 펄스가 인가된 Y 전극에 의해 형성된 발광 셀 중 에서 비발광 셀로 선택할 셀의 A 전극에 양의 전압을 가지는 어드레스 펄스(도시하지 않음)를 인가한다. 마찬가지로,제2 행 그룹(G2)에 속하는 Y 전극 중 주사 펄스가 인가되지 않은 Y 전극 및 제1 행 그룹(G1)에 속하는 Y 전극에는 VscH2 전압을 인가하고 어드레스 펄스가 인가되지 않은 A 전극에는 기준 전압을 인가한다. 그러면, 주사 펄스의 VscL2 전압과 어드레스 펄스의 양의 전압이 인가된 발광 셀에서 소거 방전이 일어나서, X 전극과 Y 전극에 형성된 벽 전하가 소거되어 비발광 셀로 설정된다.
이어서, 제2 행 그룹(G2)의 제6 부그룹(G26)의 유지 기간(Sk26)이 수행된다. 유지 기간(Sk12)에서는 제1 행 그룹(G1)의 복수의 X 전극과 제1 행 그룹(G1)의 복수의 Y 전극에 유지 방전 펄스가 반대 위상으로 인가되어 발광 셀에서 유지 방전이 일어난다. 이와 같은 식으로 나머지 부그룹(G13~G16)에 대해서 어드레스 기간(EAk13∼EAk16)과 유지 기간(Sk13~Sk16)이 수행된다.
그리고 유지 기간(Sk26)이 수행되는 동안 제1 행 그룹(G1)의 제2 부그룹(G12)의 어드레스 기간(EAk12)이 수행되며, 어드레스 기간(EAk12)에서는 제1 행 그룹(G1)의 X 전극에 기준 전압을 인가한 상태에서, 제2 부그룹(G12)에 속하는 Y 전극에 VscL2 전압의 주사 펄스를 인가한다. 이때, VscL2 전압의 주사 펄스가 인가된 Y 전극에 의해 형성된 발광 셀에서 비발광 셀로 선택할 셀의 A 전극에 Va 전압을 가지 는 어드레스 펄스를 인가한다. 그리고 주사 펄스가 인가되지 않은 제1 행 그룹(G1)의 Y 전극에는 VscL2 전압보다 높은 VscH2 전압이 인가되고 어드레스 펄스가 인가되지 않은 A 전극에는 기준 전압이 인가된다. 그러면, 주사 펄스의 VscL2 전압과 어드레스 펄스의 Va 전압이 인가된 발광 셀에서 소거 방전이 일어나서, X 전극과 Y 전극에 형성된 벽 전하가 소거되어 비발광 셀로 설정된다.
이와 같은 방식으로 제1 행 그룹(G1)의 나머지 부그룹(G12~G16)에 대한 어드레스 기간(EAk13~EAk16), 제1 행 그룹(G1)의 나머지 부그룹(G12~G16)에 대한 유지 기간(Sk13~Sk16), 제2 행 그룹(G2)의 나머지 부그룹(G25~G21)에 대한 어드레스 기간(EAk25~EAk21) 및 제2 행 그룹(G2)의 나머지 부그룹(G25~G21)에 대한 유지 기간(Sk25~Sk21)이 수행된다.
이와 같이 하면, 제1 행 그룹(G1)의 행 전극의 어드레스 기간 동안 제2 행 그룹(G2)의 행 전극에 대해서 유지 기간을 수행할 수 있고, 제2 행 그룹(G2)의 행 전극의 어드레스 기간 동안 제1 행 그룹(G1)의 행 전극에 대해서 유지 기간을 수행할 수 있다. 즉, 어드레스 기간과 유지 기간이 분리되지 않고, 어드레스 기간 동안 유지 기간을 수행할 수 있으므로, 한 서브필드의 길이를 줄일 수 있다. 또한 각 부그룹의 유지 기간 사이에 어드레스 기간이 형성되어 유지 기간에서 형성된 프라이밍 입자를 어드레스 기간에서 충분히 활용할 수 있으므로, 주사 펄스의 폭을 짧게 하여 고속 주사를 할 수 있다. 따라서, 한 필드 동안에 사용할 수 있는 서브필드의 개수가 많아지므로, 표현할 수 있는 최고 계조 레벨을 높일 수 있다.
다음으로, 도 3과 같은 구동 방법을 사용하여 계조를 표현하는 방법에 대해서 도 6을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 6은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 계조 표현 방법을 나타낸 도면이다. 도 6에서는 한 필드가 총 16개의 서브필드로 이루어지는 것으로 도시하였다. 그리고 도 6에서 "SW"는 해당 서브필드에서 기입 방전이 일어나서 비발광 셀이 발광 셀로 설정된 것을 나타내고, "SE"는 해당 서브필드에서 소거 방전이 일어나서 발광 셀이 비발광 셀로 설정된 것을 나타내며, "○"는 발광 셀 상태인 서브필드를 나타낸다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 제1 내지 제16 서브필드(SF1∼SF16)의 가중치를 각각 1, 2, 4, 8, 16, 32, 32, 32, …, 32로 설정한다. 즉, 제1 내지 제5 서브필드(SF1~SF5)의 가중치를 각각 1, 2, 4, 8 및 16으로 설정하고, 제6 내지 제16 서브필드(SF6~SF16)의 가중치를 32로 설정한다. 이러한 가중치를 가지는 서브필드(SF1~SF16) 중에서 제1 서브필드(SF1)의 어드레스 기간에서 기입 방전이 일어나지 않으면, 제1 서브필드(SF1) 및 다음 서브필드(SF2~SF16)에서도 유지 방전이 일어나지 않으므로 0 계조가 표현된다. 그리고 제1 서브필드(SF1)의 어드레스 기간에서 기입 방전이 일어나 발광 셀로 되면 제1 서브필드(SF2)에서 유지 방전이 일어나므로 1 계조를 표현할 수 있다. 이때, 제2 서브필드(SF2)의 어드레스 기간에서 소거 방전이 일어나서 비발광 셀로 되면, 제2 서브필드(SF2~SF16)부터 유지 방전이 일어나지 않으므로 역시 1 계조를 표현할 수 있다. 그리고 발광 셀이 제2 서브필드(SF2)의 어드레스 기간에서 소거 방전이 일어나지 않고 제3 서브필드(SF3)의 어드레스 기간에서 소거 방전이 일어나서 비발광 셀로 되면, 3 계조를 표현할 수 있다. 즉, 발광 셀이 제k 서브필드에서 소거 방전이 일어나서 비발광 셀로 되면, 발광 셀 상태의 방전 셀은 제1 내지 제(k-1) 서브필드에서 유지 방전이 계속 일어나므로, 최종적으로 제1 내지 제(k-1) 서브필드의 가중치의 합에 해당하는 계조를 표현할 수 있다. 이때, 각 서브필드의 가중치의 합으로 표현할 수 없는 계조는 디더링을 사용하여 표현할 수 있다. 이러한 디더링은 특정의 계조를 조합하여 일정 영역 내에서 표현하고자 하는 계조와 평균적으로 근접하여 표현하는 기술이다. 예를 들어, 일정 화소 영역에서 31 계조와 63 계조를 사용하여 31 계조와 63 계조 사이의 계조를 표현할 수 있다.
이처럼, 본 발명의 제1 실시 예에서는 복수의 서브필드(SF2~SF16) 중 해당 서브필드에서 소거 방전이 일어나 발광 셀 상태의 방전 셀이 비발광 셀로 되기 전까지 연속되는 서브필드에 의해 계조가 표현되므로 의사 윤곽이 발생하지 않는다. 그리고 제1 서브필드(SF1)에서 발광 셀 상태로 된 방전 셀은 각 서브필드(SF2~SF16)에서 소거 방전으로 비발광 셀로 설정되기 전까지 계속 유지 방전을 수행하므로, 어떤 계조를 표시하더라도 최대 2회의 방전만이 일어난다. 따라서, 소비 전력이 줄어든다. 그런데, 사람의 눈은 고계조에서의 계조 차이보다 저계조에서의 계조 차이를 잘 인식하기 때문에 저계조를 서브필드의 조합으로 표현하지 않고 디더링을 사용하여 표현하면, 저계조 표현력이 저하된다. 아래에서는 저계조 표현 력을 향상시키면서 최고 계조 레벨 또한 높일 수 있는 실시 예에 대하여 도 7을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 제어부의 동작을 나타낸 도면이다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 제어부(200)는 한 필드 동안 입력되는 영상 신호의 최고 계조 레벨을 검출하고(S100), 검출된 최고 계조 레벨을 기준치와 비교한다(S200). 이때, 제어부(200)는 검출된 최고 계조 레벨이 기준치보다 높을 경우, 도 3과 같이 어드레스 기간과 유지 기간을 분리하지 않고 구동시키는 제어 신호를 각 구동부(300, 400, 500)로 출력한다(S300). 반면, 제어부(200)는 검출된 최고 계조 레벨이 기준치 이하일 경우 어드레스 기간과 유지 기간을 시간적으로 분리하여 구동시키는 제어 신호를 각 구동부(300, 400, 500)로 출력한다(S400). 여기서, 기준치는 도 3의 구동 방법으로 표현할 수 있는 최고 계조 레벨의 2/3 정도 레벨로 설정될 수 있다.
예를 들어, 행 전극의 수가 768개이고, 한 필드의 총 유지 방전 펄스의 수가 1200개일 때, 리셋 기간의 시간이 0.5㎳이고, 하나의 주사 펄스가 인가되는 시간이 1.1㎲, 1회의 유지 방전 펄스가 인가되는 시간이 0.6㎲라고 가정한다. 이때, 한 필드의 시간이 16.67㎳(=1/60초)이므로, 어드레스 기간과 유지 기간을 분리하는 구동 방법에서는 한 필드 동안 대략 10(=(16.67㎳-0.5㎳-(6.0㎲×1200))/(1.1㎲×768))개의 서브필드로 사용할 수 있다. 반면, 어드레스 기간과 유지 기간을 분리하지 않고 구동하는 방법에서는 하나의 그룹의 시간이 156㎲라고 가정할 때, 하나의 서브필드의 길이는 936㎲(=156×6)가 되므로, 한 필드 동안 대략 17(=(16.67㎳-(1.1㎲×768×1+6.0㎲))/936㎲)개의 서브필드가 할당될 수 있다. 그런데, 마지막 부그룹까지 유지 방전을 끝내기 위해서는 하나의 서브필드만큼의 시간이 더 필요하게 되므로, 실질적으로는 한 필드 동안 대략 16개의 서브필드를 사용할 수 있다.
그리고 행 전극의 수가 늘어나는 경우, 예를 들어, 행 전극의 수가 1080개가 되면, 어드레스 기간과 유지 기간을 분리하는 구동 방법에서는 어드레스 기간이 길어지므로, 유지 기간에 할당되는 시간이 줄어든다. 즉, 한 필드 동안의 어드레스 기간의 시간이 11.9㎳(=1.1㎲×1080×10)가 되므로, 한 필드 동안에 대략 700회의 유지 방전만을 수행할 수 있다. 그러나, 어드레스 기간과 유지 기간을 분리하지 않고 구동하는 방법에서는 한 필드 동안 1200회의 유지 방전을 수행할 수 있는 데 반해, 어드레스 기간과 유지 기간을 분리하는 구동 방법에서는 700회의 유지 방전만을 수행할 수 있다. 즉, 어드레스 기간과 유지 기간을 분리하는 구동 방법에서의 최고 계조 레벨은 어드레스 기간과 유지 기간을 분리하지 않고 구동하는 방법에서의 최고 계조 레벨의 대략 2/3 정도를 표현할 수 있다고 볼 수 있다.
따라서, 제어부(200)는 한 필드 동안의 최고 계조 레벨이 도 3의 구동 방법으로 표현 가능한 최고 계조 레벨의 2/3 이하가 되면, 어드레스 기간과 유지 기간을 분리하는 구동 방법을 사용함으로써, 계조 표현력을 증가시키고 EMI의 과다 발생을 방지할 수 있다. 그리고 제어부(200)는 한 필드 동안의 최고 계조 레벨이 2/3 보다 크면 계조의 표현이 중요한 요소가 되므로, 어드레스 기간과 유지 기간을 분리하지 않고 구동하는 방법을 사용한다.
다음으로, 어드레스 기간과 유지 기간을 시간적으로 분리하여 구동하는 방법에 대하여 도 8 내지 도 10을 참고로 하여 자세하게 설명한다.
도 8은 본 발명의 일 실시 예에 따라 어드레스 기간과 유지 기간을 시간적으로 분리하여 구동하는 방법을 나타낸 도면이다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 한 필드의 복수의 서브필드(SF1~SF10)에서는 발광 셀과 비발광 셀을 선택하는 방식으로 선택적 기입 방식을 사용한다. 구체적으로, 각 서브필드(SF1~SF10)는 리셋 기간(R1~R10), 어드레스 기간(WA1~WA10) 및 유지 기간(S1~S10)으로 이루어지며, 리셋 기간(R1~R10) 각각에서 복수의 방전 셀을 초기화하여 비발광 셀 상태로 설정하고, 어드레스 기간(WA1~WA10) 각각에서는 비발광 셀 상태의 셀에서 발광 셀로 설정할 셀을 기입 방전시켜서 벽 전하를 형성한다. 그리고 유지 기간(S1~S10) 각각에서는 대응하는 어드레스 기간(WA1~WA10)에서 선택된 발광 셀을 유지 방전시킨다.
도 9는 도 8의 구동 방법에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다. 도 9에서는 설명의 편의상 복수의 서브필드 중 하나의 서브필드만을 도시하였으며, 하나의 X 전극과 하나의 Y 전극 및 하나의 A 전극만을 도시하였다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 리셋 기간의 상승 기간에서는 X 전극을 기준 전압(도 9에서는 0V 전압)로 유지한 상태에서 Y 전극의 전압을 Vs 전압에서 Vset 전압까지 점진적으로 증가시킨다. 도 9에서는 Y 전극의 전압이 램프 형태로 증가하는 것으로 도시하였다. 그러면, Y 전극의 전압이 증가하는 중에 Y 전극과 X 전극 사이 및 Y 전극과 A 전극 사이에서 약 방전이 일어나면서, Y 전극에는 (-) 벽 전하가 형 성되고 X 및 A 전극에는 (+) 벽 전하가 형성된다.
리셋 기간의 하강 기간에서는 X 전극을 Ve 전압으로 유지한 상태에서 Y 전극의 전압을 Vs 전압에서 Vnf' 전압까지 점진적으로 감소시킨다. 그러면 Y 전극의 전압이 감소하는 중에 Y 전극과 X 전극 사이 및 Y 전극과 A 전극 사이에서 약 방전이 일어나면서 Y 전극에 형성된 (-) 벽 전하와 X 전극 및 A 전극에 형성된 (+) 벽 전하가 소거된다. 일반적으로 (Vnf'-Ve) 전압의 크기는 Y 전극과 X 전극 사이의 방전 개시 전압 근처로 설정된다. 그러면 Y 전극과 X 전극 사이의 벽 전압이 거의 0V가 되어, 어드레스 기간에서 어드레스 방전이 일어나지 않은 셀이 유지 기간에서 오방전하는 것을 방지할 수 있다.
어드레스 기간에서는 X 전극의 전압을 Ve 전압으로 유지한 상태에서 발광 셀을 선택하기 위해 Y 전극과 A 전극에 각각 VscL3 전압을 가지는 주사 펄스 및 Va 전압을 가지는 어드레스 펄스를 인가한다. 그리고 VscL3 전압이 인가되지 않는 Y 전극에는 VscL3 전압보다 높은 VscH3 전압을 인가하고, 비발광 셀의 A 전극에는 기준 전압을 인가한다. 이때, |VscL3-VscH3|은 도 5a에서의 |VscL1-VscH1|과 동일하며, |VscL3-Ve|는 도 5a에서의 |VscL1-Vs|와 동일하다.
유지 기간에서는 Y 전극과 X 전극에 Vs 전압과 0V 전압을 교대로 가지는 유지 방전 펄스가 반대 위상으로 인가된다. 즉, Y 전극에 Vs 전압이 인가될 때 X 전극에 0V 전압이 인가되고, X 전극에 Vs 전압이 인가될 때 Y 전극에 0V 전압이 인가된다. 이후, Y 전극에 Vs 전압의 유지방전 펄스를 인가하는 과정과 X 전극에 Vs 전압의 유지방전 펄스를 인가하는 과정을 해당 서브필드가 표시하는 가중치에 대응하 는 횟수만큼 반복한다.
그리고 각 서브필드(SF1~SF10)는 도 9에서와 달리 도 5a에 도시된 구동 파형을 사용할 수도 있으며, 선택적 기입 방식을 사용하는 다른 구동 파형을 사용할 수도 있다.
도 10은 도 8의 구동 방법에 따른 계조 표현 방법을 나타낸 도면이다.
도 10에 나타낸 바와 같이, 복수의 서브필드(SF1~SF10)에서 켜지는 서브필드의 조합으로 0~319 계조까지 표현할 수 있다. 즉, 각 서브필드(SF1~SF10)는 모든 방전 셀을 비발광 셀 상태로 설정하는 리셋 기간(R1~R10)이 각각 존재하므로, 직전 서브필드에서 발광 셀 상태였던 셀을 비발광 셀로 설정할 수 있다. 따라서, 복수의 서브필드(SF1~SF10)로 켜지는 서브필드의 조합으로 계조를 표현할 수 있으므로, 도 3의 구동 방법에 비해 저계조 표현력을 향상시킬 수가 있다.
이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 한 필드 동안 입력되는 영상 신호의 최고 계조 레벨에 따라 구동 방법을 다르게 적용함으로써, 저계조 표현력을 향상시킬 수가 있다.

Claims (19)

  1. 복수의 행 전극과 복수의 열 전극, 그리고 상기 복수의 행 전극 및 상기 복수의 열 전극에 의해 각각 정의되는 복수의 방전 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서, 한 필드를 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법에 있어서,
    상기 한 필드 동안 입력되는 영상 신호의 최고 계조 레벨을 판단하는 단계,
    상기 최고 계조 레벨이 기준 레벨보다 큰 제1 필드에서는, 상기 복수의 서브필드 중 연속하는 복수의 제1 서브필드 각각에서, 상기 복수의 행 전극을 제1 및 제2 행 그룹으로 나누고, 상기 제1 행 그룹 중 제1 부그룹에 속하는 복수의 발광 셀에서 비발광 셀을 선택하는 동안 상기 제2 행 그룹 중 적어도 하나의 제2 부그룹에 속하는 발광 셀을 유지 방전시키는 단계,
    상기 최고 계조 레벨이 상기 기준 레벨 이하인 제2 필드에서는, 상기 복수의 서브필드 각각에서 상기 복수의 방전 셀에서 발광 셀을 선택한 후 상기 선택된 발광 셀을 유지 방전시키는 단계
    를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 필드에서는,
    상기 복수의 제1 서브필드 각각에서, 제2 기간 동안 상기 제2 행 그룹 중 하나의 제2 부그룹에 속하는 발광 셀에서 비발광 셀을 선택하면서 상기 제1 행 그룹 중 적어도 하나의 제1 부그룹에 속하는 발광 셀을 유지 방전시키는 단계
    를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 필드에서는,
    상기 복수의 서브필드 각각에서, 상기 발광 셀을 선택하기 전에 상기 복수의 방전 셀을 비발광 셀로 설정하는 단계
    를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 필드에서는,
    상기 복수의 제1 서브필드에 연속하여 시간적으로 앞에 위치한 제2 서브필드에서, 상기 제1 행 그룹에 속하는 방전 셀에서 발광 셀을 선택하고, 상기 선택된 제1 행 그룹의 발광 셀을 유지 방전시키는 단계, 그리고
    상기 제2 서브필드에서, 상기 제2 행 그룹에 속하는 방전 셀에서 발광 셀을 선택하고, 상기 선택된 제2 행 그룹의 발광 셀을 유지 방전시키는 단계
    를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2 서브필드에서, 상기 제1 행 그룹에 속하는 방전 셀에서 발광 셀을 선택하기 전에 상기 복수의 방전 셀을 비발광 셀로 설정하는 단계
    를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 필드를 이루는 서브필드의 수가 상기 제2 필드를 이루는 서브필드의 수보다 많은 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  7. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기준 레벨은 상기 제1 필드를 이루는 복수의 서브필드로 표현할 수 있는 최고 계조 레벨의 2/3로 설정되는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  8. 복수의 행 전극과 상기 복수의 행 전극에 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 열 전극을 포함하며, 상기 복수의 행 전극 및 복수의 열 전극에 의해 복수의 방전 셀이 형성되는 플라즈마 표시 패널,
    상기 플라즈마 표시 패널을 구동하는 구동부, 그리고
    한 필드 동안 입력되는 영상 신호로부터 최고 계조 레벨을 판단하고, 상기 최고 계조 레벨에 따라 상기 구동부를 제어하는 제어부
    를 포함하며,
    상기 구동부는,
    상기 제어부의 제어에 따라 상기 최고 계조 레벨이 기준 레벨보다 높은 제1 필드에서는 복수의 서브필드 중 연속하는 복수의 제1 서브필드에서 상기 복수의 방전 셀에서 발광 셀과 비발광 셀 중 하나를 선택하는 어드레스 기간과 상기 복수의 방전 셀 중 발광 셀을 유지 방전시키는 유지 기간을 동시에 구동하고, 상기 최고 계조 레벨이 상기 기준 레벨보다 낮은 제2 필드에서는 복수의 서브필드에서 상기 어드레스 기간과 상기 유지 기간을 시간적으로 분리하여 구동하는 플라즈마 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제1 필드에서 상기 복수의 제1 서브필드의 각 어드레스 기간에서는 상기 비발광 셀을 선택하며, 상기 제2 필드에서 상기 복수의 서브필드의 각 어드레스 기간에서는 상기 발광 셀을 선택하는 플라즈마 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제2 필드의 각 서브필드에서 상기 발광 셀을 선택하기 전에 상기 복수의 방전 셀을 비발광 셀로 설정하는 플라즈마 표시 장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1 필드의 각 서브필드는 각각의 가중치를 가지는 플라즈마 표시 장 치.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 복수의 행 전극의 각 행 전극은 제1 및 제2 전극에 의해 정의되며,
    상기 구동부는,
    상기 제1 필드의 상기 복수의 제1 서브필드 각각에서, 상기 복수의 행 전극을 제1 및 제2 행 그룹의 행 전극으로 나누고, 상기 제1 및 제2 행 그룹의 행 전극을 다시 복수의 제1 및 제2 부그룹으로 각각 나누어 구동하며,
    상기 제1 행 그룹의 각 제1 부그룹의 어드레스 기간 동안 상기 각 제1 부그룹의 발광 셀에서 비발광 셀을 선택하면서 상기 제2 행 그룹의 복수의 제2 부그룹 중 적어도 하나의 제2 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키고,
    상기 제2 행 그룹의 각 제2 부그룹의 어드레스 기간 동안 상기 각 제2 부그룹의 발광 셀에서 비발광 셀을 선택하면서 상기 제1 행 그룹의 복수의 제1 부그룹 중 적어도 하나의 제1 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키는 플라즈마 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제1 필드에서, 상기 복수의 제1 서브필드에 시간적으로 앞에 위치하는 적어도 하나의 제1 서브필드에서, 상기 제1 행 그룹의 방전 셀에서 발광 셀을 선택한 후, 상기 선택된 제1 행 그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며,
    상기 제2 행 그룹의 방전 셀에서 발광 셀을 선택한 후, 상기 선택된 제2 행 그룹의 발광 셀을 유지 방전시키는 플라즈마 표시 장치.
  14. 복수의 행 전극과 상기 복수의 행 전극에 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 열 전극을 포함하며, 상기 복수의 행 전극 및 복수의 열 전극에 의해 복수의 방전 셀이 형성되는 플라즈마 표시 패널,
    상기 플라즈마 표시 패널을 구동하는 구동부, 그리고
    한 필드 동안 입력되는 영상 신호로부터 최고 계조 레벨을 판단하고, 상기 최고 계조 레벨에 따라 상기 구동부를 제어하는 제어부
    를 포함하며,
    상기 구동부는,
    상기 최고 계조 레벨이 기준 레벨보다 높은 제1 필드에서는 복수의 서브필드 중 연속되는 복수의 제1 서브필드 각각에서, 복수의 행 전극을 제1 및 제2 행 그룹으로 나누고, 상기 제1 및 제2 행 그룹의 행 전극을 다시 복수의 제1 및 제2 부그룹으로 각각 나눈 상태에서, 각 제1 부그룹에 대한 제1 기간 동안 대응하는 제1 부그룹에 대해 순차적으로 제1 방식의 어드레스 방전으로 발광 셀을 설정하고, 복수의 상기 제1 기간에서 상기 복수의 제2 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며, 각 제2 부그룹에 대한 제2 기간 동안 대응하는 제2 부그룹에 대해 상기 제1 방식의 어드레스 방전으로 발광 셀을 설정하고, 복수의 상기 제2 기간에서 상기 복수의 제2 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며,
    상기 최고 계조 레벨이 상기 기준 레벨 이하인 제2 필드에서는 복수의 서브필드 각각에서, 제3 기간 동안 상기 복수의 행 전극에 대해 순차적으로 제2 방식의 어드레스 방전으로 발광 셀을 설정하고, 제4 기간 동안 상기 설정된 발광 셀을 유지 방전시키는 플라즈마 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제1 방식의 어드레스 방전에 의해 발광 셀 상태의 방전 셀이 비발광 셀 상태로 설정되며, 상기 제2 방식의 어드레스 방전에 의해 비발광 셀 상태의 방전 셀이 발광 셀 상태로 설정되는 플라즈마 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제1 필드에서, 상기 복수의 제1 기간 중 시간적으로 가장 앞에 위치한 제1 기간 직전에 상기 복수의 방전 셀을 발광 셀로 설정하며, 상기 제2 필드의 복수의 서브필드 각각에서, 상기 발광 셀을 선택하기 전에 상기 복수의 방전 셀을 비발광 셀로 설정하는 플라즈마 표시 장치.
  17. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 행 전극의 각 행 전극은 제1 및 제2 전극에 의해 정의되며,
    상기 구동부는,
    상기 각 제1 부그룹에 대한 제1 기간 동안 대응하는 제1 부그룹에 속하는 복수의 제1 전극에 순차적으로 제1 레벨의 주사 펄스를 인가하고, 상기 주사 펄스가 인가된 상기 제1 부그룹에 속한 제1 전극에 의해 형성되는 발광 셀 중 상기 비발광 셀을 형성하는 열 전극에 어드레스 펄스를 인가하며,
    상기 제3 기간 동안 상기 복수의 제1 전극에 순차적으로 제2 레벨의 주사 펄스를 인가하고, 상기 제2 레벨의 주사 펄스가 인가된 복수의 제1 전극에 의해 형성되는 비발광 셀 중 상기 발광 셀을 형성하는 열 전극에 상기 어드레스 펄스를 인가하는 플라즈마 표시 장치.
  18. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 행 전극의 각 행 전극은 제1 및 제2 전극에 의해 정의되며,
    상기 구동부는,
    상기 각 제1 부그룹에 대한 제1 기간 동안 상기 복수의 제2 부그룹의 적어도 하나의 제2 부그룹에 속하는 제1 전극과 제2 전극에 각각 제1 유지 방전 펄스와 제2 유지 방전 펄스를 반대 위상으로 인가하며,
    상기 제4 기간 동안 상기 복수의 제1 전극과 복수의 제2 전극에 각각 상기 제1 유지 방전 펄스와 상기 제2 유지 방전 펄스를 반대 위상으로 인가하며,
    상기 제1 및 제2 유지 방전 펄스는 각각 하이 레벨 전압과 로우 레벨 전압을 교대로 가지는 플라즈마 표시 장치.
  19. 제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 기간 중 각 제1 기간 사이에 상기 복수의 제2 기간 중 하나의 제2 기간이 위치되어 있는 플라즈마 표시 장치.
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