KR20070048886A - 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법 - Google Patents

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Abstract

플라즈마 표시 장치에서, 표시 동작을 수행하는 복수의 행 전극을 제1 및 제2 행 그룹으로 나누고, 상기 제1 및 제2행 그룹의 행 전극을 각각 복수의 부그룹으로 나누어 구동한다. 이때, 한 필드의 복수의 서브필드 중 제1 서브필드 그룹의 제1 서브필드에서, 제1 기간 동안 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 하나의 부그룹의 발광 셀 중 비발광 셀을 선택하면서, 상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제1 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며 상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제2 부그룹의 발광 셀은 유지 방전시키지 않으며, 상기 제1 서브필드에서, 제2 기간 동안 상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 하나의 부그룹의 발광 셀 중 비발광 셀을 선택하면서, 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제3 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제4 부그룹의 발광 셀은 유지 방전시키지 않는다. 이렇게 하면, 각 서브필드의 가중치를 다르게 구현할 수 있으며, 어느 한 행 그룹에서 비발광 셀을 선택하는 동안 다른 한 행 그룹에서 유지 방전을 수행할 수 있으므로, 한 서브필드의 길이를 줄일 수 있다.
PDP, 전극, 방전, 기입, 리셋, 계조, 발광, 의사 윤곽, 방전 셀

Description

플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법{PLASMA DISPLAY AND DRIVING METHOD THEREOF}
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 적용되는 각 전극의 분할 구조를 나타낸 도면이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 나타낸 도면이다.
도 4는 도 3의 구동 방법을 서브필드만으로 나타낸 도면이다.
도 5는 도 3의 구동 방법을 사용한 계조 표현 방법을 나타낸 도면이다.
도 6a 내지 도 6c는 각각 제1 서브필드 그룹의 서브필드(SF1∼SF6)의 가중치를 구현하기 위한 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다.
도 7은 6a 내지 도 6c의 구동 파형을 생성하기 위한 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로를 나타낸 도면이다.
도 8 및 도 9는 각각 본 발명의 제2 및 제3 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
본 발명은 플라즈마 표시 장치 및 그 구동 방법에 관한 것이다.
플라즈마 표시 장치는 기체 방전에 의해 생성된 플라즈마를 이용하여 문자 또는 영상을 표시하는 플라즈마 표시 패널을 이용한 표시 장치이다. 이러한 플라즈마 표시 패널에는 복수의 방전 셀이 매트릭스 형태로 배열되어 있다.
플라즈마 표시 장치에서는 한 필드(1TV 필드)가 각각의 가중치를 가지는 복수의 서브필드로 분할되어 구동되며, 복수의 서브필드 중 표시 동작이 일어나는 서브필드의 가중치의 조합에 의해 계조가 표시된다. 각 서브필드의 어드레스 기간에서 발광할 방전 셀과 발광하지 않을 방전 셀이 선택되고, 유지 기간에서 선택된 발광 할 방전 셀이 해당 서브필드의 가중치에 해당하는 기간 동안 유지 방전되어 화상이 표시된다.
이러한 플라즈마 표시 장치는 계조 표현을 위해 서로 다른 가중치를 가지는 서브필드를 사용한다. 그리고 복수의 서브필드에서 방전 셀이 발광하는 서브필드의 가중치의 총합에 의해 해당 방전 셀의 계조가 표현된다. 예를 들어, 2의 거듭제곱 형태로 가중치를 가지는 서브필드를 사용하는 경우에 한 방전 셀이 연속되는 두 프레임에서 각각 127 계조와 128 계조를 표현하는 경우에는 의사 윤곽(dynamic false contour)이 발생하게 된다.
그리고 어드레스 기간과 유지 기간을 시간적으로 분리하는 경우, 각 서브필드에는 유지 방전을 위한 유지 기간 이외에 모든 방전 셀을 어드레싱하기 위한 어드레스 기간이 별도로 형성되므로, 한 서브필드의 길이가 길어진다. 그 결과, 서브 필드의 길이가 길어져서 한 필드에서 사용할 수 있는 서브필드의 개수가 제한된다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 의사 윤곽을 저감시킬 수 있으며 서브필드의 길이를 줄일 수 있는 플라즈마 표시 장치 및 그의 구동 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 특징에 따르면, 복수의 행 전극과 복수의 열 전극, 그리고 상기 복수의 행 전극 및 상기 복수의 열 전극에 의해 각각 정의되는 복수의 방전 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서, 한 필드를 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법이 제공된다. 이 구동 방법은 상기 복수의 행 전극을 제1 및 제2 행 그룹으로 나누고, 상기 제1 행 그룹의 행 전극을 복수의 부그룹으로 나누고 상기 제2 행 그룹의 행 전극을 복수의 부그룹으로 나누는 단계, 그리고 상기 복수의 서브필드 중 제1 서브필드 그룹의 제1 서브필드에서, 제1 기간 동안 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 하나의 부그룹의 발광 셀 중 비발광 셀을 선택하면서, 상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제1 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며 상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제2 부그룹의 발광 셀은 유지 방전시키지 않는 단계, 그리고 상기 제1 서브필드에서, 제2 기간 동안 상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 하나의 부그룹의 발광 셀 중 비발광 셀을 선택하면서, 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제3 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그 룹 중 적어도 하나의 제4 부그룹의 발광 셀은 유지 방전시키지 않는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 표시 동작을 수행하는 복수의 행 전극 및 상기 행 전극에 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 열 전극을 포함하며, 상기 복수의 행 전극 및 복수의 열 전극에 의해 복수의 방전 셀이 형성되는 플라즈마 표시 패널, 한 필드를 복수의 서브필드로 나누고, 상기 복수의 행 전극을 제1 및 제2 행 그룹으로 나누고, 상기 제1 행 그룹의 행 전극을 복수의 부그룹으로 나누고, 상기 제2 행 그룹의 행 전극을 복수의 부그룹으로 나누는 제어부, 그리고 상기 복수의 행 전극 및 상기 복수의 열 전극을 구동하는 구동부를 포함하는 플라즈마 표시 장치가 제공된다. 이때, 상기 구동부는, 상기 복수의 서브필드 중 연속되는 복수의 제1 서브필드의 적어도 하나의 제1 서브필드에서, 상기 제1 행 그룹의 상기 각 부그룹에 대한 제1 기간 동안 상기 각 부그룹의 발광 셀 중 비발광 셀을 선택하고, 상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제1 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며, 상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제2 부그룹의 발광 셀은 유지 방전시키지 않으며, 상기 제1 서브필드에서, 상기 제2 행 그룹의 상기 각 부그룹에 대한 제2 기간 동안 상기 각 부그룹의 발광 셀 중 비발광 셀을 선택하고, 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제3 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며, 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제4 부그룹의 발광 셀은 유지 방전시키지 않는다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명 이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다. 또한 어떤 부분이 어떤 구성요소를 “포함”한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
그리고 본 발명에서의 벽 전하란 셀의 벽(예를 들어, 유전체층) 상에서 각 전극에 가깝게 형성되는 전하를 말한다. 그리고 벽 전하는 실제로 전극 자체에 접촉되지는 않지만, 여기서는 전극에 “형성됨”, “축적됨” 또는 “쌓임”과 같이 설명한다. 또한 벽 전압은 벽 전하에 의해서 셀의 벽에 형성되는 전위 차를 말한다.
본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치에 대해서 도 1을 참조하여 자세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치를 나타내는 도면이다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치는 플라즈마 표시 패널(100), 제어부(200), 어드레스 전극 구동부(300), 주사 전극 구동부(400) 및 유지 전극 구동부(500)를 포함한다.
플라즈마 표시 패널(100)은 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 어드레스 전극(이 하 “A 전극”이라 함)(A1∼Am), 그리고 행 방향으로 서로 쌍을 이루면서 뻗어 있는 복수의 유지 전극(이하, “X 전극”이라 함)(X1∼Xn) 및 주사 전극(이하 “Y 전극”이라 함)(Y1∼Yn)을 포함한다. 일반적으로 X 전극(X1∼Xn)은 각 Y 전극(Y1∼Yn)에 대응해서 형성되어 있으며, X 전극과 Y 전극이 유지 기간에서 화상을 표시하기 위한 표시 동작을 수행한다. Y 전극(Y1∼Yn)과 X 전극(X1∼Xn)은 A 전극(A1∼Am)과 직교하도록 배치된다. 이때, A 전극(A1∼Am)과 X 및 Y 전극(X1∼Xn, Y1∼Yn)의 교차부에 있는 방전 공간이 셀(12)을 형성한다. 이러한 플라즈마 표시 패널(100)의 구조는 일 예이며, 아래에서 설명하는 구동 파형이 적용될 수 있는 다른 구조의 패널도 본 발명에 적용될 수 있다. 아래에서는 행 방향으로 서로 쌍을 이루면서 뻗어 있는 X 전극 및 Y 전극을 행 전극이라 하고, 열 방향으로 뻗어 있는 A 전극을 열 전극이라 한다.
제어부(200)는 외부로부터 영상 신호를 수신하여 A 전극 구동 제어 신호, X 전극 구동 제어 신호 및 Y 전극 구동 제어 신호를 출력한다. 그리고 제어부(200)는 한 프레임을 복수의 서브필드로 분할하여 구동하며, 복수의 행 전극을 제1 및 제2 행 그룹으로 나누고, 제1 및 제2 행 그룹의 행 전극을 각각 복수의 부그룹으로 나누어 구동하도록 제어한다.
어드레스 전극 구동부(300)는 제어부(200)로부터 A 전극 구동 제어 신호를 수신하여 표시하고자 하는 방전 셀을 선택하기 위한 표시 데이터 신호를 각 A 전극 에 인가한다.
주사 전극 구동부(400)는 제어부(200)로부터 Y 전극 구동 제어 신호를 수신하여 Y 전극에 구동 전압을 인가한다.
유지 전극 구동부(500)는 제어부(200)로부터 X 전극 구동 제어 신호를 수신하여 X 전극에 구동 전압을 인가한다.
다음, 도 2를 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 대해서 상세하게 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법에 적용되는 각 전극의 분할 구조를 나타낸 도면이다.
도 2에 나타낸 바와 같이, 한 필드는 복수의 행 전극(X1∼Xn, Y1∼Yn)은 두 개의 행 그룹(G1, G2)으로 나누어진다. 이때, 플라즈마 표시 패널(100)의 상부에 위치하는 복수의 행 전극(X1∼Xn/2, Y1∼Yn/2)을 포함하는 제1 행 그룹(G1)과 플라즈마 표시 패널(100)의 하부에 위치하는 복수의 행 전극(X(n/2)+1∼Xn, Y(n/2)+1∼Yn)을 포함하는 제2 행 그룹(G2)으로 나눌 수 있으며, 복수의 행 전극(X1∼Xn, Y1∼Yn)을 짝수 번째 행 전극을 포함하는 제1 행 그룹(G1)과 홀수 번째 행 전극을 포함하는 제2 행 그룹(G2)으로 나눌 수도 있다. 그리고 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2) 각각에서, 복수의 Y 전극이 다시 복수의 부그룹(G11∼G18, G21∼G28)으로 나누어진다. 도 2에서는 제 1 및 제2 행 그룹(G1, G2) 각각이 8개의 부그룹(G11∼G18, G21∼G28)으로 나누어지는 것으로 가정하였다.
즉, 제1 행 그룹(G1)에서 1번째부터 j번째 Y 전극(Y1∼Yj)이 제1 부그룹(G11)으로 설정되고, (j+1)번째부터 (2j)번째 Y 전극(Yj+1∼Y2j)이 제2 부그룹(G12)으로 설정된다. 이와 같은 식으로 (7j+1)번째부터 (n/2)번째 Y 전극(Y7j+1∼Yn/2)이 제8 부그룹(G8)으로 설정된다(여기서, j는 1과 n/16 사이의 정수). 마찬가지로 제2 행 그룹(G2)에서 (8j+1)번째부터 (9j)번째 Y 전극(Y8j+1∼Y9j)이 제1 부그룹(G21)으로 설정되고, (9j+1)번째부터 (10j)번째 Y 전극(Y9j+1∼Y10j)이 제2 부그룹(G22)으로 설정된다. 이와 같은 식으로 (15j+1)번째부터 n번째 Y 전극(Y15j+1∼Yn)이 제8 부그룹(G28)으로 설정된다. 한편, 이와는 달리 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2) 내에서 각각 일정한 간격으로 떨어져 있는 Y 전극을 하나의 부그룹으로 설정할 수도 있으며, 필요에 따라 불규칙한 방식으로도 Y 전극을 그룹화할 수도 있다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 나타낸 도면이다. 본 발명의 제1 실시 예에서는 어드레스 기간과 유지 기간의 길이가 동일하고, 유지 기간 또한 모든 서브필드에서 동일한 길이를 가지는 것으로 한다.
도 3을 보면, 한 필드는 복수의 서브필드(SF1∼SFL)로 이루어진다. 이때, 제1 내지 제L 서브필드(SF1∼SFL)는 각각 어드레스 기간(EA111∼EAL18, EA121∼EAL28) 및 유지 기간(S111∼SL18, S121∼SL28)으로 이루어지며, 제1 내지 제L 서브필드(SF1∼SFL)의 어드레스 기간(EA11∼EAL8)은 선택적 소거 방식(selective Erase Address)으로 이루어진다. 그리고 도 2에서 설명한 바와 같이, 복수의 행 전극(X1∼Xn, Y1∼Yn)은 두 개의 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)으로 나누어지고, 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)이 각각 복수의 부그룹(G11∼G18, G21∼G28)으로 나누어진다.
복수의 방전 셀 중에서 발광할 방전 셀(이하, “발광 셀”이라 함)과 발광하지 않을 방전 셀(이하, “비발광 셀”이라 함)을 선택하기 위한 방식으로 선택적 기입 방식과 선택적 소거 방식이 있다. 선택적 기입 방식은 발광 셀을 선택하여 일정한 벽 전압을 형성하는 방식이며, 선택적 소거 방식은 비발광 셀을 선택하여 이미 형성되어 있는 벽 전압을 소거하는 방식이다. 즉, 선택적 기입 방식은 비발광 셀 상태의 셀을 어드레스 방전시켜서 벽 전하를 형성하여 발광 셀 상태로 설정하는 방식이고, 선택적 기입 방식은 발광 셀 상태의 셀을 어드레스 방전시켜서 이미 형성되어 있는 벽 전하를 소거시켜 비발광 셀 상태로 설정하는 방식이다. 아래에서는 선택적 기입 방식에서 벽 전하를 형성하기 위한 어드레스 방전을 “기입 방전”이라 하고, 선택적 소거 방식에서 벽 전하를 소거하기 위한 어드레스 방전을 “소거 방전”이라 한다.
다시 도 3을 보면, 선택적 소거 방식의 어드레스 기간(EA111∼EAL18, EA121∼EAL28)을 가지는 제1 내지 제L 서브필드(SF1∼SFL) 중에서 시간적으로 맨 앞에 있는 제1 서브필드(SF1)의 어드레스 기간(EA11) 직전에는 모든 방전 셀을 초기화하여 발광 셀 상태로 설정하는 리셋 기간(R)을 가진다. 이 리셋 기간(R)에서는 먼저 모든 방전 셀을 초기화하여 발광 셀 상태로 설정하고 어드레스 기간(EAl)에서 소거 방전이 가능한 상태로 설정한다.
이어서, 제1 서브필드(SF1)에서 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2) 각각의 제1 내지 제8 부그룹(G11∼G18, G21∼G28)의 어드레스 기간(EA111∼EAL18, EA121∼EAL28) 및 유지 기간(S111∼SL18, S121∼SL28)이 순차적으로 수행된다. 이때, 제1 행 그룹(G1)의 각 서브필드(SF1∼SFL)에서는 제1 부그룹(G11)에서 제8 부그룹(G18) 순으로 순차적으로 어드레스 기간(EA111∼EAL18) 및 유지 기간(S111∼SL18)이 수행되며, 제2 행 그룹(G2)의 각 서브필드(SF1∼SFL)에서는 제8 부그룹(G28)에서 제1 부그룹(G21) 순으로 순차적으로 어드레스 기간(EA128∼EAL21) 및 유지 기간(S128∼SL21)이 수행된다. 즉, 제1 행 그룹(G1)의 제k 서브필드(SFk)에서는 제i 부그룹(G1i)의 어드레스 기간(EAk1i)이 수행된 후, 제i 부그룹(G1i)의 유지 기간(Sk1i)이 수행된다(여기서, k는 1과 L 사이의 정수이며, i는 1과 8 사이의 정수임). 이어서, 제(i+1) 부그룹(G1(i+1))의 어드레스 기간(EAk1(i+1))과 유지 기간(Sk1(i+1))이 수행된다. 제2 행 그룹(G2)의 제k 서브필드(SFk)에서는 제(i+1) 부그룹(G2(i+1))의 어드레스 기간(EAk2(i+1))이 수행된 후, 제 (i+1) 부그룹(G2(i+1))의 유지 기간(Sk2(i+1))이 수행된다. 이어서, 제i 부그룹(G2i)의 어드레스 기간(EAk2i)과 유지 기간(Sk2i)이 수행된다. 그리고 제k 서브필드(SFk)에서 제1 행 그룹(G1)의 제i 부그룹(G1i)의 유지 기간(Sk1i)이 수행되는 동안, 제2 행 그룹(G2)의 제(8-(i-1)) 부그룹(G2(8-(i-1)))의 어드레스 기간(EAk2(8-(i-1)))이 수행된다. 제k 서브필드(SFk)에서 제2 행 그룹(G2)의 제(8-(i-1)) 부그룹(G2(8-(i-1)))의 유지 기간(Sk2(8-(i-1)))이 수행되는 동안, 제1 행 그룹(G1)에서는 제(i+1) 부그룹(G1(i+1))의 어드레스 기간(EAk1(i+1))이 수행된다.
도 3에서는 제2 행 그룹(G2)에서는 제8 부그룹(G28)에서 제1 부그룹(G21) 순으로 순차적으로 어드레스 기간(EAk28∼EAk21) 및 유지 기간(Sk28∼Sk21)이 수행되는 것으로 도시하였지만, 도 3과 달리 제2 행 그룹(G2)에서도 제1 행 그룹(G1)과 동일하게 제1 부그룹(G21)에서 제8 부그룹(G28) 순으로 어드레스 기간(EAk21∼EAk28) 및 유지 기간(Sk21∼Sk28)이 수행될 수 있다. 또한, 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)에서 도 3과 다른 순서로 어드레스 기간 및 유지 기간이 수행될 수도 있다.
다음, 제1 행 그룹(G1)의 각 서브필드(SF1∼SFL)에 대해 구체적으로 설명한다. 각 서브필드(SF1∼SFL)에서의 어드레스 기간과 유지 기간의 동작은 실질적으로 동일하므로, 아래에서는 제k 서브필드(SFk)에서의 동작에 대해서만 설명한다(여기 서, k는 1과 L 사이의 정수).
제1 행 그룹(G1)의 제k 서브필드(SFk) 중 제1 부그룹(G11)의 어드레스 기간(EAk11)에서는 제1 부그룹(G11)의 발광 셀 중 비발광 셀로 설정할 방전 셀을 소거 방전시켜서 벽 전하를 소거하고, 유지 기간(Sk11)에서 제1 부그룹(G11)의 나머지 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이어서, 제2 부그룹(G21)의 어드레스 기간(EAk12)에서 제2 부그룹(G12)의 발광 셀 중 비발광 셀로 설정할 방전 셀을 소거 방전시켜서 벽 전하를 소거하고, 유지 기간(Sk12)에서 제2 부그룹(G12)의 나머지 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이때, 제1 부그룹(G11)의 발광 셀에서도 유지 방전이 일어난다.
이와 마찬가지로 나머지 부그룹(G13∼G18)에 대해서도 어드레스 기간(EAk13∼EAk18) 및 유지 기간(Sk13∼Sk18)이 수행된다. 이때, 제i 부그룹(G1i)의 유지 기간(Sk1i)에서는 제i 부그룹(G1i)의 발광 셀 및 제1 내지 제(i-1) 부그룹(G11∼G1(i-1)) 및 제(i+1) 내지 제8 부그룹(G1(i+1)∼G18)의 발광 셀에서도 유지 방전이 일어난다. 이때, 제1 내지 제(i-1) 부그룹(G11∼G1(i-1))의 발광 셀은 제k 서브필드(SFk)의 각 어드레스 기간(EAk11∼EAk1(i-1))에서 소거 방전이 일어나지 않은 발광 셀이며, 제(i+1) 내지 제8 부그룹(G1(i+1)∼G18)의 발광 셀은 제(k-1) 서브필드(SF(k-1))의 각 어드레스 기간(EA(k-1)1(i+1)∼EA(k-1)18)에서 소거 방전이 일어나지 않은 발광 셀이다. 그 리고 제i 부그룹(G1i)의 발광 셀은 제(k+1) 서브필드(SF(k+1))의 제i 부그룹(G1i)의 어드레스 기간(EA(k+1)1i) 직전의 유지 기간(SK1(i-1))까지 유지 방전된다. 즉, 제i 부그룹(G1i)의 발광 셀에서는 총 8회의 유지 기간 동안 유지 방전이 일어난다.
이와 같이, 모든 서브필드(SF1∼SFL)에서 각 부그룹(G11∼G18)에 대해서 어드레스 기간(EA211∼EA218, …, EAL11∼EAL18) 및 유지 기간(S211∼S218, …, SL11∼SL18)이 수행된다. 이와 같이 하면, 리셋 기간(R)에서 발광 셀로 설정된 방전 셀은 각 서브필드(SF1∼SFL)에서 소거 방전으로 비발광 셀로 설정되기 전까지 계속 유지 방전을 수행하고, 소거 방전으로 비발광 셀이 되면 해당 서브필드부터 유지 방전되지 않는다. 이때, 각 서브필드(SF1∼SFL)의 가중치는 각 서브필드(SF1∼SFL)에서 8개의 유지 기간의 길이의 합에 대응한다.
그리고 제1 행 그룹(G1)의 마지막 서브필드(SFL)에는 각 부그룹(G11∼G18)에서의 유지 방전 횟수를 서로 동일하게 하기 위해, 제2 내지 제8 부그룹(G12∼G18)에 대해 각각 1회 내지 7회의 유지 기간(SA112∼SA118)이 추가로 수행될 수 있다.
이를 위해, 마지막 서브필드(SFL)에는 제2 내지 제8 부그룹(G12∼G18)에 대해 각각 추가적인 유지 기간(SA12∼SA18)이 형성될 수 있다. 그리고 추가적인 유지 기간(SA12∼SA18)에서 8회의 유지 기간이 수행된 행 그룹에서의 유지 방전을 방지하기 위 해, 각 부그룹(G12∼G18)의 추가 유지 기간(SA12∼SA18) 직전에는 직전 부그룹(G11∼G17)에 형성된 벽 전하를 소거하기 위한 소거 기간(ER11∼ER17)이 형성되어 있다.
한편, 제8 부그룹(G18)의 추가 유지 기간(SA18) 이후에도 제8 부그룹(G18)의 벽 전하를 소거하기 위한 소거 기간(ER18)이 형성될 수도 있다. 또한 이어지는 필드의 제1 서브필드(SF1)에서 리셋 기간(R)이 수행되므로, 제8 부그룹(G18)의 소거 기간(ER18)은 형성되지 않을 수도 있다. 그리고 이러한 소거 기간(ER11∼ER18)에서의 소거 동작은 어드레스 기간처럼 각 부그룹의 각 행 전극에 대해서 순차적으로 수행될 수도 있고, 각 행 그룹의 모든 행 전극에 대해서 동시에 수행될 수도 있다.
구체적으로, 제1 행 그룹(G1)의 마지막 서브필드(SFL)의 제8 부그룹(G18)의 유지 기간(SL18)이 수행된 후, 소거 기간(ER11)에서 제1 부그룹(G11)의 모든 방전 셀에 형성되어 있는 벽 전하를 소거한다. 그리고 나서 추가 유지 기간(SA12)에서 제2 내지 제8 부그룹(G12∼G18)의 발광 셀을 유지 방전시킨다. 그런 다음, 소거 기간(ER12)에서 제2 부그룹(G12)의 모든 방전 셀에 형성되어 있는 벽 전하를 소거한 후, 추가 유지 기간(SA13)에서 제3 내지 제8 부그룹(G13∼G18)의 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이와 같이 하여, 추가 유지 기간(SA18)까지 수행한다. 이렇게 하면, 각 부그룹(G11∼G18)의 발광 셀에서의 유지 방전 횟수가 동일해진다.
다음으로, 제2 행 그룹(G2)의 각 서브필드(SF1∼SFL)에 대해 설명하면, 제2 행 그룹(G2)의 각 서브필드(SF1∼SFL)의 구조는 제1 행 그룹(G1)의 각 서브필드(SF1∼SFL)와 실질적으로 동일하다. 단, 앞서 설명한 것처럼 제2 행 그룹(G2)의 각 서브필드(SF1∼SFL)에서는 제8 부그룹(G28)부터 제1 부그룹(G21) 순으로 어드레스 기간(EA128∼EA121, …, EAL28∼EAL21)이 수행되며, 제2 행 그룹(G2)의 마지막 서브필드(SFL)에서의 소거 기간(ER21∼ER28) 또한 제8 부그룹(G28)부터 제1 부그룹(G21) 순으로 수행된다.
이와 같은 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 서브필드만으로 표현하면, 도 4와 같이 나타낼 수 있다. 도 4에서는 하나의 필드가 19개의 서브필드(SF1∼SF19)로 이루어지는 것으로 도시하였다. 도 4를 보면, 각 부그룹(G11∼G18, G28∼G21)에서 한 필드를 이루는 복수의 서브필드(SF1∼SF19)가 소정 간격만큼 시프트되는 것과 같이 나타난다. 이때, 소정 간격은 하나의 부그룹(G1i 또는 G2i)에 대한 어드레스 기간(EAk1i 또는 EAk2i)과 하나의 부그룹(G1i 또는 G2i)의 1개의 유지 기간(Sk1i 또는 Sk2i)의 길이에 해당한다. 그리고 하나의 부그룹(G1i 또는 G2i)에 대한 어드레스 기간(EAk1i 또는 EAk2i)과 하나의 부그룹(G1i 또는 G2i)에 대한 1개의 유지 기간(Sk1i 또는 Sk2i)의 길이가 동일하다고 가정할 때, 제2 행 그룹의 각 서브필드(SF1∼SF19)의 시 작 시점은 제1 행 그룹(G1)의 각 서브필드(SF1∼SF19)의 시작 시점으로부터 어드레스 기간(EAk1i 또는 EAk2i)의 길이만큼 시프트된 것과 같이 나타난다.
이와 같이 하면, 제1 행 그룹(G1)의 행 전극의 어드레스 기간 동안 제2 행 그룹(G2)의 행 전극에 대해서 유지 기간을 수행할 수 있고, 제2 행 그룹(G2)의 행 전극의 어드레스 기간 동안 제1 행 그룹(G1)의 행 전극에 대해서 유지 기간을 수행할 수 있다. 즉, 어드레스 기간과 유지 기간이 분리되지 않고, 어드레스 기간 동안 유지 기간을 수행할 수 있으므로, 한 서브필드의 길이를 줄일 수 있다. 또한 각 부그룹의 유지 기간 사이에 어드레스 기간이 형성되어 유지 기간에서 형성된 프라이밍 입자를 어드레스 기간에서 충분히 활용할 수 있으므로, 주사 펄스의 폭을 짧게 하여 고속 주사를 할 수 있다.
도 5는 도 3의 구동 방법을 사용한 계조 표현 방법을 나타낸 도면이다. 도 5에서는 한 필드가 총 19개의 서브필드로 이루어지는 것으로 도시하였다. 그리고 도 5에서 “SE”는 해당 서브필드에서 소거 방전이 일어나서 발광 셀이 비발광 셀로 설정된 것을 나타내며, “○”는 발광 셀 상태인 서브필드를 나타낸다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 서브필드(SF1∼SF19)를 제1 및 제2 서브필드 그룹으로 나눈다. 그리고 제1 서브필드 그룹의 서브필드(SF1, SF2, SF3, SF4, SF5, SF6)의 가중치를 각각 1, 2, 4, 8, 16 및 24로 설정하고, 제2 서브필드 그룹의 서브필드(SF7∼SF19)의 가중치를 32로 설정한다.
이러한 가중치를 가지는 서브필드(SF1∼SF19) 중에서 제1 서브필드(SF1)의 어드레스 기간에서 소거 방전이 일어나 비발광 셀로 되면, 유지 기간에서 유지 방전이 일어나지 않고, 다음 서브필드(SF2∼SF19)에서도 유지 방전이 일어나지 않으므로 0계조가 표현된다. 다음, 제2 서브필드(SF2)의 어드레스 기간에서 소거 방전이 일어나서 비발광 셀로 되면, 제2 서브필드(SF2∼SF19)부터 유지 방전이 일어나지 않으므로 1계조가 표현된다. 발광 셀이 제2 서브필드(SF2)의 어드레스 기간에서 소거 방전이 일어나지 않고 제3 서브필드(SF3)의 어드레스 기간에서 소거 방전이 일어나서 비발광 셀로 되면, 3계조를 표현할 수 있다. 즉, 발광 셀이 제k 서브필드에서 소거 방전이 일어나서 비발광 셀로 되면, 발광 셀 상태의 방전 셀은 제1 내지 제(k-1) 서브필드에서 유지 방전이 계속 일어나므로, 최종적으로 제1 내지 제(k-1) 서브필드의 가중치의 합에 해당하는 계조를 표현할 수 있다. 이때, 서브필드의 합으로 표현할 수 없는 계조는 디더링을 사용하여 표현할 수 있다. 이러한 디더링은 특정의 계조를 조합하여 일정 영역 내에서 표현하고자 하는 계조와 평균적으로 근접하여 표현하는 기술이다. 예를 들어, 일정 화소 영역에서 31계조와 55계조를 사용하여 31계조와 55계조 사이의 계조를 표현할 수 있다.
일반적으로 사람의 눈은 고계조에서의 계조 차이보다 저계조에서의 계조 차이를 잘 인식하기 때문에 저계조를 서브필드의 조합으로 표현하지 않고 디더링을 사용하여 표현하는 경우에는 저계조의 표현력이 저하될 수 있다. 그런데, 도 5와 같이 제1 서브필드 그룹의 서브필드(SF1, SF2, SF3, SF4, SF5, SF6)의 가중치를 다르게 설정하면, 제1 서브필드 그룹의 서브필드(SF1∼SF6)의 조합으로 1, 3, 7, 15, 31, 55계조를 정확하게 표현할 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 제1 실시 예에서는 복수의 서브필드(SF1∼SF19) 중 해당 서브필드에서 소거 방전이 일어나 발광 셀 상태의 방전 셀이 비발광 셀로 되기 전까지 연속되는 서브필드에 의해 계조가 표현되므로 의사 윤곽이 발생하지 않는다. 그리고 리셋 기간(R)에서 발광 셀 상태로 된 방전 셀은 각 서브필드(SF1∼SF19)에서 소거 방전으로 비발광 셀로 설정되기 전까지 계속 유지 방전을 수행하므로, 어떤 계조를 표시하더라도 최대 1회의 방전만이 일어난다. 따라서, 소거 방전에 따른 소비 전력이 줄어든다.
다음으로, 제1 그룹의 서브필드(SF1∼SF6)의 가중치를 구현하는 방법에 대해서 도 6a 내지 도 6c를 참조하여 설명한다.
도 6a 내지 도 6c는 각각 제1 서브필드 그룹의 서브필드(SF1∼SF6)의 가중치를 구현하기 위한 플라즈마 표시 장치의 구동 파형을 나타낸 도면이다. 도 6a 내지 도 6c에서는 설명의 편의상 하나의 서브필드(SFi)에서 제1 행 그룹(G1)의 제1 및 제2 부그룹(G11, G12)과 제2 행 그룹(G2)의 제7 및 제8 부그룹(G27, G28)만을 도시하였으며, A 전극에 인가되는 구동 파형 및 그에 대한 설명도 생략하였다.
먼저, 도 6a를 보면, 제1 행 그룹(G1)의 제k 서브필드(SFk) 중 제1 부그룹(G11)의 어드레스 기간(EAk11)에서는 제1 행 그룹(G1)의 X 전극에 기준 전압(도 6a에서는 0V 전압)을 인가한 상태에서 제1 부그룹(G11)의 복수의 Y 전극에 순차적으로 VscL 전압의 주사 펄스를 인가한다. 이때, 주사 펄스가 인가된 Y 전극에 의해 형성된 발광 셀에서 비발광 셀로 선택할 셀의 A 전극에 양의 전압을 가지는 어드레스 펄스(도시하지 않음)를 인가한다. 그리고 주사 펄스가 인가되지 않은 Y 전극에는 VscL 전압보다 높은 VscH 전압이 인가되고 어드레스 펄스가 인가되지 않은 A 전극에는 기준 전압이 인가된다. 그러면, 주사 펄스의 VscL 전압과 어드레스 펄스의 양의 전압이 인가된 발광 셀에서 소거 방전이 일어나서, X 전극과 Y 전극에 형성된 벽 전하가 소거되어 비발광 셀로 설정된다.
유지 기간(Sk11)에서는 제1 행 그룹(G1)의 복수의 X 전극과 제1 및 제2 부그룹(G11, G12)의 Y 전극에 하이 레벨 전압(도 6a에서는 Vs 전압)과 로우 레벨 전압(도 6a에서는 0V 전압)을 가지는 유지 방전 펄스를 반대 위상으로 인가하여 제1 부그룹(G11)의 발광 셀을 유지 방전시킨다. 즉, X 전극에 Vs 전압이 인가될 때 X 전극에는 0V 전압이 인가되고, Y 전극에 Vs 전압이 인가될 때 X 전극에는 0V 전압이 인가된다. 이때, 어드레스 기간(EAk11)에서 소거 방전이 일어나지 않은 셀이 발광 셀 상태이므로, 어드레스 기간(EAk11)에서 소거 방전이 일어나지 않을 셀에서 유지 방전이 일어난다.
이어서, 제2 부그룹(G11)의 어드레스 기간(EAk12)에서는 제1 행 그룹(G1)의 X 전극에 기준 전압을 인가한 상태에서 제2 부그룹(G12)의 복수의 Y 전극에 순차적으로 VscL 전압의 주사 펄스를 인가하고, 주사 펄스가 인가된 Y 전극에 의해 형성된 발광 셀 중에서 비발광 셀로 선택할 셀의 A 전극에 양의 전압을 가지는 어드레스 펄스(도시하지 않음)를 인가한다.
그리고 유지 기간(Sk12)에서는 제1 행 그룹(G1)의 복수의 X 전극과 제1 및 제2 부그룹(G11, G12)의 Y 전극에 유지 방전 펄스가 반대 위상으로 인가되어 발광 셀에서 유지 방전이 일어난다. 이와 같은 식으로 나머지 부그룹(G13∼G14)에 대해서 어드레스 기간(EAk13∼EAk18)과 유지 기간(Sk13∼Sk18)이 수행된다.
그리고 제1 행 그룹(G1)의 제k 서브필드(SFk)에서, 제1 부그룹(G11)의 유지 기간(Sk11)이 수행되는 동안, 제2 행 그룹(G2)에서는 제8 부그룹(G28)의 어드레스 기간(EAk28)이 수행된다. 제2 행 그룹(G2)의 제k 서브필드(SFi)에서, 어드레스 기간(EAk28)에서는 제2 행 그룹(G2)의 X 전극에 기준 전압을 인가한 상태에서 제8 부그룹(G28)의 복수의 Y 전극에 순차적으로 VscL 전압의 주사 펄스를 인가하고, 주사 펄스가 인가된 Y 전극에 의해 형성된 발광 셀 중에서 비발광 셀로 선택할 셀의 A 전극에 양의 전압을 가지는 어드레스 펄스(도시하지 않음)를 인가한다.
유지 기간(Sk28)에서는 제2 행 그룹(G2)의 복수의 X 전극과 제8 및 제7 부그룹(G28, G27)의 Y 전극에 유지 방전 펄스가 반대 위상으로 인가되어 발광 셀에서 유지 방전이 일어난다. 또한, 제2 행 그룹(G2)의 제k 서브필드(SFk)에서, 유지 기간 (S28)이 수행되는 동안, 제1 행 그룹(G1)에서는 제2 부그룹(G12)의 어드레스 기간(Eki12)이 수행된다. 이와 같은 식으로 나머지 부그룹(G27∼G21)에 대해서 어드레스 기간(EAk27∼EAk21)과 유지 기간(Sk27∼Sk21)이 수행된다.
예를 들어, 도 6a에 도시된 제k 서브필드(SFk)의 가중치가 32라고 가정하면, 제k 서브필드(SFk)에서 어느 한 행 그룹(G1 또는 G2)의 각 부그룹(G11∼G18 또는 G21∼G28)의 각 유지 기간(Sk11∼Sk18 또는 Sk21∼Sk28)의 길이는 가중치 4에 해당한다. 그리고 각 유지 기간(Sk11∼Sk18, Sk21∼Sk28)에서는 X 전극과 Y 전극에 각각 4개의 유지 방전 펄스가 인가되는 것으로 가정한다.
가중치 1은 어느 한 행 그룹(G1 또는 G2)의 각 부그룹(G11∼G18 또는 G21∼G28)의 유지 기간 중 어느 하나의 유지 기간(Sk1j)의 길이의 1/4에 해당한다(여기서, j는 1과 8 사이의 정수임). 따라서, 도 6b에 나타낸 바와 같이, 1 행 그룹(G1)의 제k 서브필드(SFk)에서, 제1 부그룹(G11)의 유지 기간(Sk11)에서는 제1 부그룹(G11)의 Y 전극에 1개의 유지 방전 펄스를 인가한 후, X 전극에 유지 방전 펄스의 Vs 전압이 인가될 때 Y 전극에 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 VscH 전압과 VscL 전압의 차이에 해당하는 전압(VscH-VscL)을 인가한다. 그리고 제1 부그룹(G11)의 나머지 유지 기간(Sk12∼Sk18)에서도 X 전극에 유지 방전 펄스의 Vs 전압이 인가될 때 제1 부그룹(G11)의 Y 전극에 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 (VscH-VscL) 전압을 인가한다. 그리고 제2 부그룹(G12)의 유지 기간(Sk12)에서 제2 부그룹(G12)의 Y 전극에 1개의 유지 방전 펄스를 인가한 후, X 전극에 유지 방전 펄스의 Vs 전압이 인가될 때 제2 부그룹(G12)의 Y 전극에 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 (VscH-VscL) 전압을 인가한다. 그리고 제2 부그룹(G11)의 나머지 유지 기간(Sk13∼Sk18) 및 제(k+1) 서브필드(SF(k+1))의 제1 부그룹(G11)에 대한 유지 기간(S(K+1)11)에서도 제2 부그룹(G12)의 Y 전극에 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 (VscH-VscL) 전압을 인가한다. 이때, 리셋 기간(R)에서 복수의 방전 셀을 발광 셀 상태로 설정하므로, 제1 부그룹(G11)의 유지 기간(Sk11)에서 제2 내지 제8 부그룹(G12∼G18)의 Y 전극에 Vs 전압과 0V 전압을 가지는 유지 방전 펄스를 인가하면 유지 방전이 일어나므로, 제1 부그룹(G11)의 유지 기간(Sk11)에서 제2 내지 제8 부그룹(G12∼G18)의 Y 전극에도 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 (VscH-VscL) 전압을 인가한다. 이때, Vs 전압과 (VscH-VscL) 전압의 차이(Vs-VscH+VscL)가 X 전극과 Y 전극 사이에서 유지 방전이 일어나지 않을 정도의 전압이다. 그러면, Y 전극에 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 (VscH-VscL) 전압이 인가될 때, X 전극과 Y 전극 사이에서 유지 방전이 일어나지 않는다. X 전극에 Vs 전압이 인가될 때 X 전극과 Y 전극 사이에서 유지 방전이 일어나지 않으면, X 전극의 벽 전위가 Y 전극의 벽 전위보다 높은 상태를 유지하므로, 이어서 Y 전극에 Vs 전압이 인가되고 X 전극에 0V 전압이 인가되 어도 다시 유지 방전이 일어나지 않는다. 이렇게 하면, 가중치 1을 가지는 서브필드를 구현할 수 있다.
그리고 제2 행 그룹(G2)에서도 제1 행 그룹(G1)과 실질적으로 동일하다. 즉, 제2 행 그룹(G2)의 제8 부그룹(G28)의 유지 기간(Sk28)에서는 X 전극과 Y 전극에 각각 1개의 유지 방전 펄스를 인가하고, 이후부터는 X 전극에 유지 방전 펄스의 Vs 전압이 인가될 때, Y 전극에 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 (VscH-VscL) 전압을 인가한다. 이때, 제2 행 그룹의 제7 내지 제1 부그룹(G27∼G21)의 Y 전극에도 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 (VscH-VscL) 전압을 인가한다. 그리고 나머지 유지 기간(Sk27∼Sk21)에서도 X 전극에 유지 방전 펄스의 Vs 전압이 인가될 때, Y 전극에 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 (VscL-VscH) 전압을 인가한다. 이와 같은 식으로 나머지 제7 부그룹(G27)부터 제1 부그룹(G21)의 발광 셀의 유지 방전을 제어한다. 아래에서는 가중치를 설명할 때, 제1 행 그룹(G1)의 제1 부그룹(G11)에 대해서만 설명한다.
가중치 2는 어느 한 행 그룹(G1 또는 G2)의 각 부그룹(G11∼G18 또는 G21∼G28)의 유지 기간 중 어느 하나의 유지 기간(Sk1j)의 길이의 1/2에 해당하므로, 도 6c에서와 같이, 제1 행 그룹(G1)의 제k 서브필드(SFk)에서, 제1 부그룹(G11)의 유지 기간(Sk11)에서는 제1 부그룹(G11)의 Y 전극에 2개의 유지 방전 펄스를 인가한 후, X 전극에 유지 방전 펄스의 Vs 전압이 인가될 때 Y 전극에 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 (VscH-VscL) 전압을 인가한다. 그리고 제1 부그룹(G11)의 나머지 유지 기간(Sk12∼Sk18)에서도 X 전극에 유지 방전 펄스의 Vs 전압이 인가될 때 Y 전극에 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 (VscH-VscL) 전압을 인가한다. 그리고 제2 부그룹(G12)의 유지 기간(Sk12)에서 제2 부그룹(G12)의 Y 전극에 2개의 유지 방전 펄스를 인가한 후, X 전극에 유지 방전 펄스의 Vs 전압이 인가될 때 제2 부그룹(G12)의 Y 전극에 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 (VscH-VscL) 전압을 인가한다. 그리고 제2 부그룹(G11)의 나머지 유지 기간(Sk13∼Sk18) 및 제(k+1) 서브필드(SF(k+1))의 제1 부그룹(G11)에 대한 유지 기간(S(K+1)11)에서도 제2 부그룹(G12)의 Y 전극에 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 (VscH-VscL) 전압을 인가한다. 그리고 제2 부그룹(G12)의 어드레스 기간(EA12) 이전의 유지 기간(S11)에서 제2 부그룹(G12)의 Y 전극에 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 (VscH-VscL) 전압이 인가될 수 있다. 그러면, 가중치 2를 가지는 서브필드를 구현할 수 있다.
그리고 제1 행 그룹(G1)의 제k 서브필드(SFk)에서, 제1 부그룹(G11)의 유지 기간(Sk11)에서 제1 부그룹(G11)의 Y 전극에 4개의 유지 방전 펄스를 인가한 후, 제1 부그룹(G11)의 나머지 유지 기간(Sk12∼Sk18)에서 X 전극에 유지 방전 펄스의 Vs 전압이 인가될 때 Y 전극에 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 (VscH-VscL) 전압을 인가하면, 가중치 4를 가지는 서브필드를 구현할 수 있으며, 제1 부그룹(G11)의 유지 기간(Sk11, Sk12)에서 제1 부그룹(G11)의 Y 전극에 4개의 유지 방전 펄스를 인가한 후 제1 부그룹(G11)의 나머지 유지 기간(Sk13∼Sk18)에서 X 전극에 유지 방전 펄스의 Vs 전압이 인가될 때 Y 전극에 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 (VscH-VscL) 전압을 인가하면, 가중치 8를 가지는 서브필드를 구현할 수 있다.
또한, 도 6a에 도시된 서브필드(SFk)의 가중치가 32이면, 제2 행 그룹(G2)에서 제1 부그룹(G21)의 어드레스 기간이 수행될 때, 제1 행 그룹(G1)의 모든 부그룹(G11∼G18)에서 유지 방전이 일어난다. 그리고 제2 행 그룹(G2)에서 제1 부그룹(G21)의 어드레스 기간이 수행될 때, 제1 행 그룹(G1)의 부그룹(G11∼G18) 중 6개의 부그룹(G11∼G16)에서만 유지 방전이 일어나는 서브필드는 가중치 24를 구현할 수 있으며, 4개의 부그룹(G11∼G14)에서만 유지 방전이 일어나는 서브필드는 가중치 16을 구현할 수 있다. 또한, 2개의 부그룹(G11, G12)에서만 유지 방전이 일어나는 서브필드는 가중치 8을 구현할 수 있으며, 1개의 부그룹(G11)에서만 유지 방전이 일어나는 서브필드는 가중치 4를 구현할 수 있다. 그리고 1개의 부그룹(G11)의 유지 기간 중 일부에서만 유지 방전이 일어나는 서브필드는 4보다 작은 가중치를 구현할 수 있다.
다음으로, 도 7을 참조하여 도 6a 내지 도 6c의 구동 파형을 생성하는 구동 회로에 대해서 상세하게 설명한다. 아래에서 사용되는 스위치는 바디 다이오드(도시하지 않음)를 가지는 n채널 전계 효과 트랜지스터(FET)로 도시하였으며, 동일 또는 유사한 기능을 하는 다른 스위치로 이루어질 수 있다. 그리고 X 전극과 Y 전극에 의해 형성되는 용량성 성분을 패널 커패시터(Cp)로 도시하였다.
도 7은 6a 내지 도 6c의 구동 파형을 생성하기 위한 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로를 나타낸 도면이다. 도 7에서는 제1 그룹(G1)의 Y 전극에 구동 파형을 인가하기 위한 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로만을 도시하였다. 그리고 도 7에서 각 트랜지스터를 하나의 트랜지스터로 도시하였지만, 각 트랜지스터는 하나의 트랜지스터 또는 병렬로 연결된 복수의 트랜지스터로 형성될 수 있다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 주사 전극 구동부(400)는 유지 구동부(410), 리셋 구동부(420) 및 주사 구동부(430)를 포함한다.
주사 구동부(430)는 선택 회로(431∼438), 커패시터(CscH), 다이오드(DscH) 및 트랜지스터(YscL)를 포함하며, 제1 행 그룹(G1)의 각 부그룹(G11∼G18)의 어드레스 기간(EA111∼EAL18)에서 비발광 셀로 설정할 방전 셀의 Y 전극에 VscL 전압을 인가하고, VscL 전압이 인가되지 않은 방전 셀의 Y 전극에 VscH 전압을 인가한다. 일반적으로 어드레스 기간(EA111∼EAL18)에서 각 부그룹(G11∼G18)의 복수의 Y 전극(Y1∼Yn/2)을 순차적으로 선택할 수 있도록 각 부그룹(G11∼G18)의 복수의 Y 전극(Y1∼Yn/2) 에 선택 회로(431∼438)가 각각 집적 회로(IC, integrated circuit) 형태로 연결되어 있으며, 이러한 선택 회로(431∼438)를 통하여 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로가 Y 전극(Y1∼Yn/2)에 공통으로 연결된다. 도 7에서는 제1 행 그룹(G1)의 각 부그룹(G11∼G18)의 복수의 Y 전극 중 각각 하나의 Y 전극에 연결되는 선택 회로(431∼438)만을 도시하였다.
선택 회로(431∼438)는 트랜지스터(Sch, Scl)를 포함한다. 트랜지스터(Sch)의 소스와 트랜지스터(Scl)의 드레인은 각각 Y 전극에 연결되어 있다. 트랜지스터(Scl)의 소스와 트랜지스터(Sch)의 드레인의 접점에 커패시터(CscH)의 제1단이 연결되어 있고 커패시터(CscH)의 제2단에 트랜지스터(Sch)의 드레인이 연결되어 있다. 그리고 전원(VscL)과 Y 전극 사이에 트랜지스터(YscL)가 연결되어 있으며, VscH 전압을 공급하는 전원(VscH)에 애노드가 연결된 다이오드(DscH)의 캐소드가 트랜지스터(Sch)의 드레인에 연결되어 있다. 여기서, 트랜지스터(YscL)가 턴온되어 커패시터(CscH)에는 (VscH-VscL) 전압이 충전된다.
리셋 구동부(420)는 리셋 기간에서 모든 방전 셀을 초기화하여 발광 셀 상태로 설정할 수 있도록 Y 전극에 전압을 인가한다.
유지 구동부(410)는 트랜지스터(Ys, Yg)를 포함하며, 트랜지스터(Ys)는 Vs 전압을 공급하는 전원(Vs)에 연결된 드레인과 선택 회로(431∼438)를 통하여 Y 전극에 연결된 소스를 가진다. 트랜지스터(Yg)는 0V 전압을 공급하는 전원(0V)에 연결된 소스와 Y 전극에 연결된 소스를 가진다. 이때, 트랜지스터(Ys)는 Y 전극에 Vs 전압을 인가하며, 트랜지스터(Yg)는 Y 전극에 0V 전압을 인가한다.
이와 같이 구성된 주사 전극 구동부(400)의 구동 회로의 동작에 대해 설명한다. 제1 행 그룹(G1)의 각 부그룹(G11∼G18)의 어드레스 기간(EA111∼EAL18)에서, 트랜지스터(YscL) 및 선택 회로(431∼438)의 트랜지스터(sch)가 턴온되어, 전원(VscL), 트랜지스터(YscL), (VscH-VscL) 전압으로 충전된 커패시터(CscH) 및 트랜지스터(Sch)의 전류 경로를 통하여 제1 행 그룹(G1)의 각 부그룹(G11∼G18)의 Y 전극에 VscH 전압이 인가된다.
그리고 제1 행 그룹(G1)의 각 부그룹(G11∼G18) 중 제i 부그룹(G1i)의 어드레스 기간(EAk1i)에서 선택 회로(431∼438)의 트랜지스터(sch)가 턴오프되고 선택 회로(431∼438)의 트랜지스터(Scl)가 턴온되어, 선택 회로(431∼438)의 트랜지스터(Scl)의 바디 다이오드, 트랜지스터(YscL) 및 전원(VscL)의 전류 경로를 통하여 제i 부그룹(G1i)의 Y 전극에 순차적으로 VscL 전압이 인가된다.
이어서 제i 부그룹(G1i)의 다른 Y 전극이 선택될 때 다시 트랜지스터(Sch)가 턴온되어 Y 전극에 VscH 전압이 인가되며, 어드레스 기간(EAk1i)이 끝날 때 트랜지스터(YscL)가 턴오프되고 트랜지스터(Yg)가 턴온되어 접지단(0), 트랜지스터(Yg), 트랜지스터(Scl)의 바디 다이오드의 전류 경로를 통하여 Y 전극에 0V 전압이 인가된다.
그리고 제1 행 그룹(G1)의 각 부그룹(G11∼G18)의 유지 기간(S111∼SL18)에서는 트랜지스터(Ys)가 턴온되고 트랜지스터(Yg)가 턴오프되어, 전원(Vs), 트랜지스터(Ys), 선택 회로(431∼438)의 트랜지스터(Scl)의 바디 다이오드의 전류 경로를 통하여 각 부그룹(G11∼G18)의 Y 전극에 Vs 전압이 인가된다. 이어서, 트랜지스터(Yg)가 턴온되고 트랜지스터(Ys)가 턴오프되어, 트랜지스터(Scl), 트랜지스터(Ys2), 접지단(0)으로의 전류 경로를 통하여 각 부그룹(G11∼G18)의 Y 전극에 0V 전압이 인가된다. 그리고 이와 같은 동작이 반복되어 Y 전극에 Vs 전압과 0V 전압을 교대로 가지는 유지 방전 펄스가 인가될 수 있다.
또한, 각 부그룹(G11∼G18)의 유지 기간(S111∼SL18)에서 X 전극에 Vs 전압이 인가될 때, 트랜지스터(Yg) 및 선택 회로(431∼438)의 트랜지스터(Sch)를 턴온하고 선택 회로(431∼438)의 트랜지스터(Scl)를 턴오프하면, 각 부그룹(G11∼G18)의 Y 전극에 (VscH-VscL) 전압을 인가할 수 있다. 이때, 각 부그룹(G11∼G18)의 Y 전극을 별도로 제어할 수 있다. 예를 들어, 도 6b에서 제1 행 그룹(G1)의 제k 서브필드의 유지 기간(Sk11)에서, 제1 행 그룹(G11)의 Y 전극에는 Vs 전압과 0V 전압이 교대로 인가된다. 그러나, 제2 행 그룹(G12)의 Y 전극에 Vs 전압과 (VscH-VscL) 전압이 교대로 인가된다. 이 경우, 트랜지스터(Ys) 및 각 부그룹(G11∼G18)의 선택 회로(431∼438)의 트랜지스터(scl)를 턴온하고 각 부그룹(G11∼G18)의 선택 회로(431∼438)의 트랜지스터(sch)를 턴오프하면, 각 부그룹(G11∼G18)의 Y 전극에 Vs 전압이 인가된 다. 그리고 트랜지스터(Yg) 및 제1 부그룹(G11)의 선택 회로(431)의 트랜지스터(sch)를 턴온하고, 트랜지스터(Yg) 및 제1 부그룹(G11)의 선택 회로(431)의 트랜지스터(scl)를 턴오프하면, 제1 부그룹(G11)의 Y 전극에 (VscH-VscL) 전압이 인가되며, 부그룹(G12∼G18)의 Y 전극에는 0V 전압이 인가된다.
한편, 도 6b 및 도 6c에서는 X 전극과 Y 전극에 유지 방전이 일어나지 않도록 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압으로 (VscH-VscL) 전압을 인가하는 것으로 도시하였지만, Y 전극을 플로팅시킬 수도 있다. 이 경우에는 선택 회로(431∼438)의 트랜지스터(sch, scl)를 턴오프하고 선택 회로(431∼438)를 하이 임피던스(high impedance) 상태로 설정하면 된다. 이와 같이 Y 전극을 플로팅시키면, Y 전극의 전압이 X 전극의 전압을 따라 변경되므로, X 전극과 Y 전극 사이의 전압 차가 줄어들어 발광 셀에서 유지 방전이 일어나지 않는다. 또는 X 전극과 Y 전극 중 어느 하나의 전극에 계속 하이 레벨 전압(Vs)을 인가하거나 로우 레벨 전압(0V)을 인가할 수도 있다. 예를 들어, X 전극에 Vs 전압과 0V 전압이 교대로 인가되는 동안, Y 전극에 Vs 전압을 인가하면, X 전극과 Y 전극의 전압 차(Vs-Vs)가 0V이기 때문에 X 전극과 Y 전극 사이에서 유지 방전이 일어나지 않는다. X 전극에 Vs 전압이 인가될 때 X 전극과 Y 전극 사이에서 유지 방전이 일어나지 않으면, X 전극의 벽 전위가 Y 전극의 벽 전위보다 높은 상태를 유지하므로, 이어서 Y 전극에 Vs 전압이 인가되고 X 전극에 0V 전압이 인가되어도 다시 유지 방전이 일어나지 않는다.
본 발명의 제1 실시 예의 구동 방법에서는 제1 서브필드(SF1)의 어드레스 기 간 직전의 리셋 기간(R)에서 모든 방전 셀을 초기화하여 발광 셀 상태로 설정하기 위해, 리셋 방전을 강한 방전으로 수행해야 한다. 이 경우, 블랙 화면이 밝게 보여서 명암비가 저하되는 문제점이 있다. 또한, 리셋 기간(R)만으로 모든 방전 셀을 발광 셀로 설정할 수 있을 만큼의 벽 전하를 형성하기가 힘들다. 아래에서는 명암비를 향상시킬 수 있으면서 소거 방전이 안정적으로 일어날 수 있는 방법에 대하여 도 8 및 도 9를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 8 및 도 9는 각각 본 발명의 제2 및 제3 실시 예에 따른 플라즈마 표시 장치의 구동 방법을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 8에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 구동 방법은 제1 실시 예와 유사하다. 단, 제1 실시 예와 달리, 제1 서브필드(SF1′)의 어드레스 기간(WA11, WA12)에서는 선택적 기입 방식을 사용한다. 그리고 제1 서브필드(SF1′)에서는 각 그룹(G1, G2)에서 복수의 행 전극을 부그룹화하지 않고 하나의 어드레스 기간(WA11, WA12) 동안 복수의 행 전극에 의해 형성되는 방전 셀 중에서 발광 셀을 선택한다. 이와 같이, 선택적 기입 방식의 어드레스 기간(WA11, WA12)을 가지는 서브필드(SF1′)에서는 어드레스 기간(WA11, WA12) 직전에 발광 셀을 비발광 셀로 초기화하는 리셋 기간(R′)이 형성된다. 즉, 본 발명의 제1 실시 예에서 선택적 소거 방식의 어드레스 기간(EA111∼EAL18, EA121∼EAL28) 직전의 리셋 기간(R)에서는 방전 셀을 발광 셀 상태로 초기화하지만, 선택적 기입 방식의 어드레스 기간(WA11, WA12) 직전의 리셋 기간(R′)에서는 발광 셀을 비발광 셀로 초기화한다.
구체적으로, 제1 서브필드(SF1′)의 리셋 기간(R′)에서는 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 방전 셀을 초기화하여 비발광 셀 상태로 설정하고 어드레스 기간(WA11, WA12)에서 기입 방전이 가능한 상태로 설정한다. 어드레스 기간(WA11)에서 제1 행 그룹(G1)의 방전 셀 중 발광 셀로 설정할 방전 셀을 기입 방전시켜서 벽 전하를 형성하고, 유지 기간(S11)에서 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이어서, 제1 그룹(G1)의 발광 셀에 형성되어 있는 벽 전하를 소거한다. 그러면, 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀은 제1 행 그룹(G11)의 유지 기간(S211)에서만 발광한다.
다음, 어드레스 기간(WA12)에서 제2 행 그룹(G2)의 방전 셀 중 발광 셀로 설정할 방전 셀을 기입 방전시켜서 벽 전하를 형성하고, 유지 기간(S12)에서 제2 행 그룹(G12)의 발광 셀을 유지 방전시킨 후, 제2 행 그룹(G2)의 발광 셀에 형성되어 있는 벽 전하를 소거한다.
이와 같이, 본 발명의 제2 실시 예에서는 어드레스 기간(WA11, WA12)에서 각각 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 복수의 행 전극에 대해서 순차적으로 기입 방전이 수행되어서 발광 셀이 선택된 후에, 유지 기간(S11,S12)이 수행되어 유지 방전이 일어난다. 이렇게 하면, 선택적 소거 방식의 어드레스 기간을 가지는 서브필드(SF2∼ SFL)가 수행되기 전에, 발광 셀의 각 전극에 벽 전하를 충분히 형성할 수 있다.
한편, 제1 서브필드(SF1′)에서 각 그룹(G1, G2)의 유지 기간(S11, S12) 이후에 각 그룹(G1, G2)의 발광 셀에 형성되어 있는 벽 전하를 소거하기 위해서, 각 그룹(G1, G2)의 유지 기간(S11, S12)에서 유지 방전 펄스의 마지막 펄스 폭을 벽 전하가 형성되지 않도록 다른 유지 방전 펄스의 폭보다 좁게 하여 구현할 수 있다. 또는 마지막 유지 방전 펄스 직후에 점진적으로 행 전극의 전압을 변경할 수 있는 파형(예를 들어, 램프 형태로 변경되는 파형)을 사용하여 유지 방전에 의해 형성된 벽 전하를 소거할 수도 있다.
또한 선택적 기입 방식의 어드레스 기간(WA11∼WA12) 직전의 리셋 기간(R′)에서는 방전 셀을 비발광 셀로 초기화하기 위해서, 점진적으로 증가하는 전압과 점진적으로 감소하는 전압을 이용하여 리셋 기간을 구현할 수 있다. 즉, 리셋 기간(R′)에서는 복수의 Y 전극의 전압을 점진적으로 증가시킨 후, 복수의 Y 전극의 전압을 점진적으로 감소시켜 구현할 수 있다. 즉, Y 전극의 전압이 증가하는 중에 Y 전극과 X 전극 사이에서 미약한 리셋 방전이 일어나면서 방전 셀에 벽 전하가 형성된 후, Y 전극의 전압이 감소하는 중에 Y 전극과 X 전극 사이에서 미약한 리셋 방전이 일어나면서 방전 셀에 형성된 벽 전하가 소거되어 비발광 셀로 초기화될 수 있다. 이로 인해 리셋 기간(R1)에서는 강한 방전이 일어나지 않으므로 명암비를 높일 수 있다.
그런데, 도 8에 도시된 제2 실시 예와 같이, 각 그룹(G1, G2)의 유지 기간(S11, S12) 이후에 각 그룹(G1, G2)의 방전 셀에 형성되어 있는 벽 전하를 소거하기 위한 소거 동작을 수행하지 않을 수도 있다.
구체적으로, 도 9에 나타낸 바와 같이, 제1 서브필드(SF″)의 어드레스 기간(WA11)에서 제1 행 그룹(G1)의 방전 셀 중 발광 셀로 설정할 방전 셀을 기입 방전시켜서 벽 전하를 형성하고, 유지 기간(S11)에서 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀을 유지 방전시킨다. 이때, 유지 기간(S11)에서는 최소한의 유지 방전 예를 들어, 1회 또는 2회의 유지 방전만 일어나도록 설정한다.
이어서, 제1 서브필드(SF1″)의 어드레스 기간(WA12)에서 제2 행 그룹(G2)의 방전 셀 중 발광 셀로 설정할 방전 셀을 기입 방전시켜서 벽 전하를 형성하고, 유지 기간(S12) 중 일부 기간(S121)에서 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 발광 셀을 유지 방전시킨다. 그리고 유지 기간(S12) 중 나머지 일부 기간(S122)에서 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀을 유지 방전이 일어나지 않도록 설정한 상태에서 제2 행 그룹(G2)의 발광 셀만 유지 방전시키고 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀에서는 유지 방전시키지 않는다. 이때, 유지 기간(S12) 중 나머지 일부 기간(S122)에서 제2 행 그룹(G2)의 발광 셀에서 유지 방전이 일어나는 횟수는 유지 기간(S12)에서 제1 행 그룹(G1)의 발광 셀에서 유지 방전이 일어나는 횟수와 동일하도록 설정된다.
또한, 두 유지 기간(S11, S12)에 의해 제1 서브필드(SF1″)의 가중치가 만족되지 않는 경우에는 유지 기간(S12) 중 나머지 일부 기간(S122)에서 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 발광 셀을 추가로 유지 방전시킬 수 있다.
한편, 본 발명의 제1 내지 제3 실시 예에서는 한 필드의 마지막 서브필드(SFL)에서 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 소거 기간(ER112∼ER118, ER122∼ER128) 및 추가 유지 기간(SA12∼SA18, SA22∼SA28)이 형성되어 있지만, 이를 삭제할 수도 있다. 소거 기간(ER112∼ER118, ER122∼ER128) 및 추가 유지 기간(SA12∼SA18, SA22∼SA28)이 삭제되는 경우, 복수의 필드에 걸쳐 각 그룹(G1, G2)에서 각각의 부그룹(G11∼G18, G21∼G28)의 어드레싱 순서를 변경하면 된다. 그러면, 각 행 그룹의 유지 방전 횟수를 동일하게 할 수 있다.
또한 본 발명의 제1 내지 제3 실시 예와 달리, 각 행 그룹의 유지 방전 횟수를 동일하게 하기 위해 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 소거 기간(ER112∼ER118, ER122∼ER128)이 수행되는 시점부터 유지 방전이 일어나지 않도록 설정할 수도 있다. 즉, 도 6b 및 도 6c에 도시된 바와 같이, 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 소거 기간(ER112∼ER118, ER122∼ER128)이 수행되는 시점부터 X 전극에 유지 방전 펄스의 Vs 전압이 인가할 때 Y 전극에 (VscH-VscL) 전압을 인가하며, X 전극에 0V 전압이 인가할때 Y 전극에 Vs 전압을 인가한다. 그러면, 제1 및 제2 행 그룹(G1, G2)의 소거 기간(ER112∼ER118, ER122∼ER128)이 수행되는 시점부터 유지 방전이 일어나지 않는다.
한편, 제3 실시 예의 경우, 선택적 소거 방식에서 주사 펄스의 폭이 0.7㎲이고, 하나의 유지 기간에서 8개의 유지 방전 펄스가 들어가며, 한 개의 유지 방전 펄스(하이 레벨 전압과 로우 레벨 전압을 가지는 펄스)가 들어가는 시간이 5.6㎲이고, 이 조건에서 1024개의 행 전극을 구동한다고 가정하면, 유지 기간의 길이는 44.8㎲(=5.6㎲×8)이고, 어드레스 기간의 길이는 44.8㎲(=0.7㎲×64행)이다. 따라서, 한 서브필드의 길이는 716.8㎲(=44.8㎲×16)이 된다. 그리고 선택적 기입 방식에서 주사 펄스의 폭이 1.3㎲이고, 리셋 기간의 길이가 350㎲인 경우, 어드레스 기간의 길이는 665.6㎲(=1.3㎲×512행)이다. 이때, 가중치가 1인 경우, 유지 기간(S11)에서 1개의 유지 방전 펄스가 인가되고, 유지 기간(S12)에서 1.5개의 유지 방전 펄스가 인가되는 것으로 가정하면, 총 유지 기간(S11+S12)의 길이는 14㎲(=5.6㎲×2.5)가 된다. 따라서, 서브필드(SF1)의 길이는 1695.2㎲(=350㎲+665.6㎲×2+14㎲)가 된다.
즉, 제3 실시 예의 경우, 한 필드에서 선택적 소거 방식의 서브필드에 할당되는 시간은 14970.8㎲(=16666-1695.2)이므로, 한 필드에서 선택적 소거 방식의 서브필드는 20(=14970.8/716.8)개의 서브필드를 사용할 수 있다.
그리고 도 6a 내지 도 6c에서는 Vs 전압과 0V 전압을 교대로 가지는 유지 방 전 펄스를 Y 전극과 X 전극에 반대 위상으로 인가하는 경우에 대해서 설명하였지만, 다른 형태의 유지 방전 펄스가 인가되는 경우에도 본 발명이 적용될 수 있다. 즉, X 전극이 0V 전압으로 바이어스된 상태에서 Y 전극에 Vs 전압과 -Vs 전압을 교대로 가지는 유지 방전 펄스가 인가되는 경우에도, 본 발명이 적용될 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시 예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 복수의 행 전극을 제1 및 제2 행 그룹으로 나누고, 각 그룹의 행전극을 다시 복수의 부그룹으로 나눈다. 그리고 한 필드의 각 서브필드에서 제1 및 제2 행 그룹의 각 부그룹에 대한 어드레스 기간이 수행되며, 각 부그룹의 어드레스 기간 사이에서 유지 기간이 수행된다. 또한 제1 행 그룹의 각 부그룹에 대한 유지 기간이 수행되는 동안 제2 행 그룹의 각 부그룹에 대한 어드레스 기간이 수행되며, 제2 행 그룹의 각 부그룹의 어드레스 기간 동안 제1 행 그룹의 각 부그룹에 대한 유지 기간이 수행된다. 이처럼, 어드레스 기간과 유지 기간이 분리되지 않고, 어드레스 기간 동안 유지 기간을 수행할 수 있으므로, 한 서브필드의 길이를 줄일 수 있다. 또한 각 부그룹의 유지 기간 사이에 어드레스 기간이 형성되어 유지 기간에서 형성된 프라이밍 입자를 어드레스 기간에서 충분히 활용할 수 있으므로, 주사 펄스의 폭을 짧게 하여 고속 주사를 할 수 있다.
그리고 각 서브필드의 어드레스 기간이 선택적 소거 방식으로만 이루어지는 경우, 해당 서브필드에서 소거 방전이 일어나기 전까지 연속되는 서브필드에 의해 계조가 표현되므로, 의사 윤곽이 발생하지 않는다. 또한 어떤 계조를 표현하더라도 1회의 소거 방전만 일어나므로 소비 전력을 줄일 수 있다. 이때, 각 서브필드에서 시간적으로 가장 앞에 있는 서브필드의 어드레스 기간에서 선택적 기입 방식을 사용하게 되면, 충분한 벽 전하를 형성할 수 있어 이후의 선택적 소거 방식을 사용하는 서브필드에서 안정적으로 소거 방전이 일어날 수 있다. 그리고 선택적 기입 방식을 사용하는 서브필드의 리셋 기간에서 점진적으로 증가하는 전압과 점진적으로 감소하는 전압을 이용하므로 리셋 기간에서 강한 방전이 일어나지 않으며, 명암비를 높일 수 있다.

Claims (20)

  1. 복수의 행 전극과 복수의 열 전극, 그리고 상기 복수의 행 전극 및 상기 복수의 열 전극에 의해 각각 정의되는 복수의 방전 셀을 포함하는 플라즈마 표시 장치에서, 한 필드를 복수의 서브필드로 나누어 구동하는 방법에 있어서,
    상기 복수의 행 전극을 제1 및 제2 행 그룹으로 나누고, 상기 제1 행 그룹의 행 전극을 복수의 부그룹으로 나누고 상기 제2 행 그룹의 행 전극을 복수의 부그룹으로 나누는 단계,
    상기 복수의 서브필드 중 제1 서브필드 그룹의 제1 서브필드에서, 제1 기간 동안 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 하나의 부그룹의 발광 셀 중 비발광 셀을 선택하면서, 상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제1 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며 상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제2 부그룹의 발광 셀은 유지 방전시키지 않는 단계, 그리고
    상기 제1 서브필드에서, 제2 기간 동안 상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 하나의 부그룹의 발광 셀 중 비발광 셀을 선택하면서, 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제3 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제4 부그룹의 발광 셀은 유지 방전시키지 않는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 서브필드 중 제1 서브필드 그룹의 제2 서브필드에서, 상기 제1 기간 동안 상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹이 유지 방전되는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제5 부그룹의 발광 셀은 상기 제1 기간 중 일부 기간 동안 유지 방전되는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제1 부그룹의 발광 셀이 유지 방전되는 기간은 상기 제1 기간보다 짧은 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 행 전극은 복수의 제1 전극 및 상기 복수의 제1 전극과 함께 표시 동작을 수행하는 복수의 제2 전극을 포함하며, 상기 각 행 전극은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 의해 정의되며,
    상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제1 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키는 단계는,
    상기 적어도 하나의 제1 부그룹의 제1 및 제2 전극에 각각 하이 레벨 전압과 로우 레벨 전압을 가지는 제1 및 제2 유지 방전 펄스를 반대 위상으로 적어도 1회 인가하는 단계를 포함하며,
    상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제2 부그룹의 발광 셀은 유지 방전시키지 않는 단계는,
    상기 적어도 하나의 제2 부그룹의 제1 전극에 상기 제1 유지 방전 펄스를 인가하고, 상기 제2 전극을 플로팅시키는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  6. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 행 전극은 복수의 제1 전극 및 상기 복수의 제1 전극과 함께 표시 동작을 수행하는 복수의 제2 전극을 포함하며, 상기 각 행 전극은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 의해 정의되며,
    상기 제1 기간에서 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 하나의 부그룹의 발광 셀 중 비발광 셀을 선택하는 단계는,
    상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 상기 하나의 부그룹의 상기 복수의 제2 전극에 순차적으로 제1 전압을 인가하는 단계, 그리고
    상기 제3 전압이 인가되지 않은 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹의 나머지 제2 전극에 상기 제1 전압보다 높은 제2 전압을 인가하는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제1 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키는 단계는,
    상기 적어도 하나의 제1 부그룹의 제1 및 제2 전극에 각각 하이 레벨 전압과 로우 레벨 전압을 가지는 제1 및 제2 유지 방전 펄스를 반대 위상으로 적어도 1회 인가하는 단계를 포함하며,
    상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제2 부그룹의 발광 셀은 유지 방전시키지 않는 단계는,
    상기 적어도 하나의 제2 부그룹의 제1 전극에 상기 제1 유지 방전 펄스를 인가하는 단계,
    상기 적어도 하나의 제2 부그룹의 제1 전극에 상기 제1 유지 방전 펄스의 하이 레벨 전압이 인가되는 동안, 상기 적어도 하나의 제2 부그룹의 제2 전극에 상기 제1 전압과 상기 제2 전압의 차에 해당하는 전압을 인가하는 단계, 그리고
    상기 적어도 하나의 제2 부그룹의 제1 전극에 상기 제1 유지 방전 펄스의 로우 레벨 전압이 인가되는 동안, 상기 적어도 하나의 제2 부그룹의 제2 전극에 상기 하이 레벨 전압을 인가하는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  8. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 행 전극은 복수의 제1 전극 및 상기 복수의 제1 전극과 함께 표 시 동작을 수행하는 복수의 제2 전극을 포함하며, 상기 각 행 전극은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 의해 정의되며,
    상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제1 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키는 단계는,
    상기 적어도 하나의 제1 부그룹의 제1 및 제2 전극에 각각 하이 레벨 전압과 로우 레벨 전압을 가지는 제1 및 제2 유지 방전 펄스를 반대 위상으로 적어도 1회 인가하는 단계를 포함하며,
    상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제2 부그룹의 발광 셀은 유지 방전시키지 않는 단계는,
    상기 적어도 하나의 제2 부그룹의 제1 전극에 상기 제1 유지 방전 펄스를 인가하는 단계, 그리고
    상기 적어도 하나의 제2 부그룹의 제1 전극에 상기 제1 유지 방전 펄스의 하이 레벨 전압이 인가되는 동안, 상기 적어도 하나의 제2 부그룹의 제2 전극에 상기 제2 유지 방전 펄스의 하이 레벨 전압 및 상기 로우 레벨 전압 중 어느 하나의 전압을 인가하는 단계를 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  9. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 서브필드 그룹과 연속하여 시간적으로 앞에 있는 제3 서브필드에서,
    상기 복수의 방전 셀을 비발광 셀로 설정하는 단계,
    상기 제1 행 그룹의 방전 셀에서 발광 셀을 선택하고, 상기 제1 행 그룹의 발광 셀을 유지 방전시키는 단계, 그리고
    상기 제2 행 그룹의 방전 셀에서 발광 셀을 선택하고, 상기 제2 행 그룹의 발광 셀을 유지 방전시키는 단계를 더 포함하는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제3 서브필드에서,
    상기 제2 행 그룹의 발광 셀이 유지 방전되는 기간 중 일부 기간 동안 상기 제1 행 그룹의 발광 셀은 유지 방전되지 않으며,
    상기 제2 행 그룹의 발광 셀이 유지 방전되는 기간 중 상기 일부 기간을 제외한 나머지 기간 동안 상기 제1 행 그룹의 발광 셀이 유지 방전되는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  11. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 서브필드 그룹의 일부의 제1 서브필드는 동일한 가중치를 가지며, 상기 제1 서브필드 그룹의 상기 나머지 일부의 제1 서브필드는 상기 일부의 제1 서브필드의 가중치보다 작은 가중치를 각각 가지는 플라즈마 표시 장치의 구동 방법.
  12. 표시 동작을 수행하는 복수의 행 전극 및 상기 행 전극에 교차하는 방향으로 형성되는 복수의 열 전극을 포함하며, 상기 복수의 행 전극 및 복수의 열 전극에 의해 복수의 방전 셀이 형성되는 플라즈마 표시 패널,
    한 필드를 복수의 서브필드로 나누고, 상기 복수의 행 전극을 제1 및 제2 행 그룹으로 나누고, 상기 제1 행 그룹의 행 전극을 복수의 부그룹으로 나누고, 상기 제2 행 그룹의 행 전극을 복수의 부그룹으로 나누는 제어부, 그리고
    상기 복수의 행 전극 및 상기 복수의 열 전극을 구동하는 구동부를 포함하며,
    상기 구동부는,
    상기 복수의 서브필드 중 연속되는 복수의 제1 서브필드의 적어도 하나의 제1 서브필드에서, 상기 제1 행 그룹의 상기 각 부그룹에 대한 제1 기간 동안 상기 각 부그룹의 발광 셀 중 비발광 셀을 선택하고, 상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제1 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며, 상기 제2 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제2 부그룹의 발광 셀은 유지 방전시키지 않으며,
    상기 제1 서브필드에서, 상기 제2 행 그룹의 상기 각 부그룹에 대한 제2 기간 동안 상기 각 부그룹의 발광 셀 중 비발광 셀을 선택하고, 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제3 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며, 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 적어도 하나의 제4 부그룹의 발광 셀은 유지 방전시키지 않는 플라즈마 표시 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 행 전극은 복수의 제1 전극 및 상기 복수의 제1 전극과 함께 표시 동작을 수행하는 복수의 제2 전극을 포함하며, 상기 각 행 전극은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 의해 정의되며,
    상기 구동부는,
    상기 적어도 하나의 제1 부그룹의 제1 및 제2 전극에 각각 하이 레벨 전압과 로우 레벨 전압을 가지는 제1 및 제2 유지 방전 펄스를 반대 위상으로 적어도 1회 인가하여 상기 제1 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며,
    상기 적어도 하나의 제2 부그룹의 제1 전극에 상기 제1 유지 방전 펄스를 인가하고 상기 제2 전극을 플로팅시켜 상기 제2 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키지 않는 플라즈마 표시 장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제2 행 그룹의 복수의 제2 전극에 각각 제1단이 연결되어 있는 제1 및 제2 스위치를 포함하며, 상기 제1 스위치의 제2단 전압 또는 상기 제2 스위치의 제2단 전압을 대응하는 상기 제2 행 그룹의 상기 제2 전극에 인가하는 복수의 선택 회로를 포함하며,
    상기 제1 및 제2 스위치를 턴오프시켜 상기 제2 전극을 플로팅하는 플라즈마 표시 장치.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 복수의 행 전극은 복수의 제1 전극 및 상기 복수의 제1 전극과 함께 표시 동작을 수행하는 복수의 제2 전극을 포함하며, 상기 각 행 전극은 상기 제1 전극 및 상기 제2 전극에 의해 정의되며,
    상기 구동부는,
    상기 제1 기간에서, 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹 중 상기 하나의 부그룹의 상기 복수의 제2 전극에 순차적으로 제1 전압을 인가하고, 상기 제1 전압이 인가되지 않은 상기 제1 행 그룹의 상기 복수의 부그룹의 나머지 제2 전극에 상기 제1 전압보다 높은 제2 전압을 인가하여 비발광 셀을 선택하며,
    상기 적어도 하나의 제1 부그룹의 제1 및 제2 전극에 각각 하이 레벨 전압과 로우 레벨 전압을 가지는 제1 및 제2 유지 방전 펄스를 반대 위상으로 적어도 1회 인가하여 상기 제1 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며,
    상기 적어도 하나의 제2 부그룹의 제1 전극에 상기 제1 유지 방전 펄스의 하이 레벨 전압이 인가하고, 상기 제2 전극에 상기 제1 전압과 상기 제2 전압의 차에 해당하는 제3 전압을 인가하여 상기 제2 부그룹의 발광 셀을 유지 방전시키지 않는 플라즈마 표시 장치.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제2 행 그룹의 복수의 제2 전극에 각각 연결되어 있으며, 각각 제1단 및 제2단을 가지며 상기 제1단의 전압 또는 상기 제2단의 전압을 대응하는 상기 제2 행 그룹의 상기 제2 전극에 인가하는 복수의 선택 회로,
    상기 복수의 선택 회로의 제2단과 상기 제1 전압을 공급하는 제1 전원 사이에 연결되어 있는 제1 스위치,
    상기 제3 전압을 충전하고 있으며 상기 복수의 선택 회로의 제2단과 상기 복수의 선택 회로의 제1단 사이에 연결되어 있는 커패시터,
    상기 하이 레벨 전압을 공급하는 제2 전원과 상기 제2 행 그룹의 복수의 제2 전극 사이에 연결되어 있는 제2 스위치, 그리고
    상기 로우 레벨 전압을 공급하는 제3 전원과 상기 제2 행 그룹의 복수의 제2 전극 사이에 연결되어 있는 제3 스위치를 포함하며,
    상기 제1 스위치를 턴온하여, 상기 적어도 하나의 제2 부그룹의 선택 회로의 제1단을 통하여 상기 적어도 하나의 제2 부그룹의 제2 전극에 상기 제3 전압을 인가하는 플라즈마 표시 장치.
  17. 제12항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 제1 서브필드와 연속하여 시간적으로 앞에 있는 제3 서브필드에서,
    상기 구동부는,
    상기 제1 행 그룹의 방전 셀 중 발광 셀을 선택하고 상기 제1 행 그룹의 발광 셀을 유지 방전시키며, 상기 제2 행 그룹의 방전 셀 중 발광 셀을 선택하고 상 기 제2 행 그룹의 발광 셀을 유지 방전시키는 플라즈마 표시 장치.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 구동부는,
    상기 제3 서브필드에서 상기 발광 셀을 선택하기 전에, 상기 복수의 방전 셀을 비발광 셀로 설정하는 플라즈마 표시 장치.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 복수의 행 전극 중 상기 플라즈마 표시 패널의 상부에 형성된 행 전극을 상기 제1 행 그룹으로 설정하고, 상기 복수의 행 전극 중 상기 플라즈마 표시 패널의 하부에 형성된 행 전극을 상기 제2 행 그룹으로 설정하는 플라즈마 표시 장치.
  20. 제18항에 있어서,
    상기 제어부는 상기 복수의 행 전극 중 홀수 번째 행 전극을 상기 제1 행 그룹으로 설정하고, 상기 복수의 행 전극 중 짝수 번째 행 전극을 상기 제2 행 그룹으로 설정하는 플라즈마 표시 장치.
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