KR100770321B1

KR100770321B1 - 디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스프로브 인출장치

Info

Publication number: KR100770321B1
Application number: KR1020010067655A
Authority: KR
Inventors: 정성원; 이한술; 이기종
Original assignee: 주식회사 포스코
Priority date: 2001-10-31
Filing date: 2001-10-31
Publication date: 2007-10-26
Also published as: KR20030035547A

Abstract

본 발명은 스테인리스강 정련공정에서 정련로 내의 용강에 침적하여 측온 및 시료를 채취하는 프로브를 인출하면서 디테칭부의 디테칭날에 부착되는 프로브칩을 제거할 수 있는 디테칭부의 프로브 칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치에 관한 것이다. 이를 위하여 서브랜스(1) 일측의 제2구동실린더(9)에 결합하는 링크(12a,12b)와 결합하여 상호 교차하여 디테칭암(37a,37b)을 팬터그래프 원리로 작동시키는 장치 구동부(50)와, 상기 디테칭암(37a,37b)을 구성하는 상부 및 하부 지지대(39a-39d,39e-39h)에 설치되는 디테칭날(29a-29d)로 이루어지는 프로브 디테칭부(60)와, 상기 디테칭날(29a-29d)에 연결되는 연결링크(38a-38d) 및 연결대(30a,30b)와, 상기 디테칭암(37a,37b)을 관통하는 작동로드(31a,31b) 및 디테칭암(37a,37b)의 내측에 설치되어 디테칭날(29a-29d)에 근접하는 스크레퍼(35a-35d)로 이루어지는 칩 제거부(70)로 구성되는 디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치를 제공한다. 이와 같이, 본 발명은 프로브 칩 제거가 역학적으로 매우 용이하기 때문에 작업자 부하감소와 설비 효율화로 용강성분 분석지연을 방지하는 효과가 있다.

디테칭부, 프로브칩, 서브랜스, 프로브

Description

디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치 {APPARATUS FOR DETACHING THE PROBE OF SUB-LANCE WITH THE FUNCTION TO REMOVE THE PROBE CHIP OF DETACHING MEMBER}

도 1은 종래의 서브랜스 프로브 인출하는 장치를 도시한 개략도;

도 2는 종래의 서브랜스 프로브 인출하는 장치를 도시한 평면도;

도 3은 종래의 서브랜스 프로브 인출하는 장치를 구성하는 분리판을 도시한 사시도;

도 4는 본 발명에 따른 디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치를 나타내는 평면도;

도 5a는 본 발명에 따른 디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치를 구성하는 일측 디테칭부를 도시하는 측면도이고, 도 5b는 본 발명에 따른 디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치를 구성하는 타측 디테칭부를 도시하는 측면도이다.

도 6a는 본 발명에 따른 디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치를 구성하는 일측 디테칭부를 도시하는 사시도이고, 도 6b는 본 발명에 따른 디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치를 구성하는 타측 디테칭부를 도시하는 사시도이다.

♣도면의 주요부분에 대한 부호의 설명♣

1:서브랜스 9:제2구동실린더 12a,12b:링크 37a,37b:디테칭암

50:장치 구동부 29a,29b,29c,29d:디테칭날 60:디테칭부

38a,38b,38c,38d:연결링크 35a,35b,35c,35d:스크레퍼 70:칩 제거부

본 발명은 디테칭부의 프로브 칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 스테인리스강 정련공정에서 정련로 내의 용강에 침적하여 측온 및 시료를 채취하는 프로브를 인출하면서 디테칭부의 디테칭날에 부착되는 프로브칩을 제거할 수 있는 디테칭부의 프로브 칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치에 관한 것이다.

일반적으로, 도 1에 도시된 바와 같이, 서브랜스 본체(1)의 선단부 홀더(2)에 장착된 프로브(5)를 정련로 내의 용강(3)에 침적시켜 정련공정이 진행되는 중에 정련로(4)의 경동없이 온도측정 및 시료채취를 실시한 다음, 서브랜스 본체(1)가 대기위치로 상승하면 디테칭날(18a,18b)이 프로브 후단부를 잡게되고 서브랜스(1)가 상한위치로 상승되면 프로브(5)는 홀더(2)에서 인출되며, 디테칭날(18a,18b)이 잡고있던 프로브 후단부를 놓으면 프로브(2)는 회수슈트(도시되지 않음) 내로 낙하되어 회수대로 떨어지면 시료를 인출 후 분석실로 보내어 정련중인 용강(3)의 성분분석을 하게된다.

상기 정련로(4)는 한 단위별 90톤의 용강(3)이 장입되면 용강중 산화성이 크고 19% 이상 다량 함유된 고가의 크롬(Cr)과 망간(Mn) 및 철의 산화를 억제하면서 효과적인 불순물 제거를 위하여 정련을 6단계로 나누어 각 단계별로 목표분석에 따른 산소와 질소, 아르곤 가스의 비가 설정되어 혼합기체를 취입함으로써 정련이 진행되며, 이러한 정련공정 진행에 따른 용강(3)의 온도측정과 시료채취는 정련초기인 1단계와 중기인 4단계 및 말기인 6단계에 이루어지며, 정련 중에 3회의 서브랜스(1)의 프로브(2) 침적으로 온도 및 성분분석 확인으로 각종 부원료 및 강의 종류별 목표성분을 조정하기 위한 합금철과 정련온도를 1680∼1710℃로 유지함과 후공정인 연속주조에 공정별 온도를 1610∼1660℃로 정확히 맞추기 위한 냉각제가 투입됨으로써 100∼110톤의 정련된 용강(3)을 출강하게 된다.

한편, 상기 서브랜스 홀더(2)에 삽입된 프로브(5)의 인출은 고정프레임(7) 상부 일측에 제1구동실린더(6) 작동에 의하여 제1로드(10)에 결합된 가이드(8)가 고정프레임(7) 타측 상부에서 전후진이 가능하여 프로브(5) 인출시는 전진하게 되며, 회수시는 후진하게 된다. 그리고 홀더(2)에 프로브(5)의 삽입은 별도의 공급장치에 의하여 이루어지며, 서브랜스(1) 측정으로 정련로(4) 내 용강(3)에 침적된 프로브(5)는 가이드(8)에 일측이 고정된 제2구동실린더(9)에 결합된 제2로드(11)가 전진하면 제2로드(11)에 제2연결핀(14c)으로 결합된 링크(12a,12b)에 작동력이 가해져 상기 링크(12a,12b)에 제2연결핀(14a,13b) 및 제1연결핀(14)으로 형성된 디테칭암(17a,17b) 일측에 작동력이 가해져 디테칭날(18a,18b)이 형성된 디테칭암(17a,17b)의 타측이 내측으로 작동하여 침적 프로브(5)의 후단부 외주면을 잡게되어 접촉점(21a,21b)이 형성되어진다. 디테칭날(18a,18b)을 결합시키기 위하여, 도 3에 도시된 바와 같이, 볼트 체결구(20a,20b,20e,20f)를 형성시켜 체결볼트(19a,19b,19c,19d)를 내측으로 삽입시켰으며, 노내의 용강(3)에 침적된 프로브(5)는 재질이 종이관으로 형성되어 있어서 외주면이 탄화되어 프로브(5) 인출시 제2구동실린더(9)의 작동력에 의해 요철이 형성된 디테칭날(18a,18b)이 침적 프로브(5) 후단부를 잡아 압착시켜서 프로브 접촉점(21a,21b)에 탄화된 프로브(5)의 칩(Chip; 22)이 고착되며, 고착된 칩(22)으로 인하여 디테칭날(18a,18b)의 마찰력이 감소되어 침적 프로브(5)의 인출이 용이하지 않아 디테칭암(17a,17b)의 중간부에 에어호스(16a,16b)가 연결된 에어분사노즐(15a,15b)로 공기를 분사시켜 칩(22)을 제거하게 된다.

그런데, 서브랜스 홀더(2)에 삽입된 프로브(5)는 용강(3)에 침적되면 종이관이 중심부 측으로 수축되면서 홀더(2)의 외주면에 프로브(5) 내주면이 밀착되는 현상이 발생됨과 동시에 상기의 침적 프로브(5) 인출시는 제1구동실린더(6)에 의해 고정프레임(7) 타측 상부의 가이드(8)가 전진한 후 가이드(8) 상측의 제2구동실린더(9)의 작동력에 의하여 디테칭날(18a,18b)의 침적 프로브(5)의 후단부 외주면을 잡으면 서브랜스 본체(1)의 상승으로 홀더(2)의 선단부가 침적 프로브(5) 후단부를 벗어나면 제1구동실린더(6)에 의해 가이드(8)가 후진하게 되고, 상기 제2구동실린더(9)의 작동력에 의하여 디테칭암(17a,17b)이 개방되며, 슈트를 통하여 프로브(5)가 작업대로 회수되면 적열시료를 인출하여 분석실로 보내지며, 상기 디테칭날(18a,18b)이 개방되었을 때 자동으로 칩(22) 제거를 위하여 에어분사노즐(15a,15b)로 공기가 분사된 다음, 별도의 공급장치에 의해 새로운 프로브(5)가 서브랜스(1) 본체 홀더(2)에 삽입되어지며, 이러한 과정은 반복되어진다.

상기 침적 프로브(5) 인출시 디테칭날(18a,18b)의 압착으로 고착된 칩(22)은 공기분사로 제거가 용이하지 않아 디테칭날(18a,18b)에 잔류하게 됨으로써 프로브(5) 접촉점(21a,21b)의 마찰력 감소로 인하여 서브랜스(1)가 프로브 인출 상한위치까지 상승하여도 디테칭날(18a,18b)이 침적 프로브(5) 외주면에 미끄러져 홀더(2)가 침적 프로브(5)로부터 원활히 인출되지 않고, 프로브(5) 후단부로부터 홀더(2) 선단부가 완전히 인출되지 않은 상태에서 프로브(5)를 회수하기 위해 가이드(8)가 후진하면 홀더(2)가 변형되거나 파손으로 수리에 따른 서브랜스(1) 비가동으로 생산성 저하와 정비비를 상승시키며, 또한 프로브 회수지연 발생에 따른 용강성분 미확인 상태에서 정련진행으로 금속산화물 발생증가로 인한 강의 품질저하와 원가상승을 유발시키며, 특히 정련말기인 6단계의 성분분석이 지연되면 출강이 늦어져 연속주조 공정의 단절이 발생된다.

그리고, 홀더(2) 선단부가 침적 프로브(5) 후단부로부터 완전히 인출된 경우에도 프로브(5) 회수시 접촉점(21a,21b)의 고착된 칩(22)으로 인하여 마찰력이 감소됨으로써 가이드(8) 후진이동시 이동방향 전후 측으로 침적프로브(5)의 선단부가 불안전하게 유동됨으로써 디테칭암(17a,17b)이 개방되면 회수슈트 내로 낙하하지 않고 슈트 외측에 낙하하여 작업자가 현장 상부로 직접 올라가서 낙하된 침적 프로브(5)를 수거하여 슈트에 넣어 회수하여야 하는 문제점이 발생하였다.

상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 본 발명은 정련 중에 서브랜스 측정 후 홀더의 침적 프로브(5)를 인출할 때 디테칭날에 고착된 프로브칩을 용이하게 제거할 수 있도록 함으로써 작업자의 부하감소와 설비사고 방지 및 성분분석지연 방지로 효율적인 정련에 따른 유가금속산화방지로 품질향상 및 원가절감을 할 수 있는 디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치를 제공함에 그 목적이 있다.

상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 서브랜스 일측에 이동가능하도록 설치된 제2구동실린더와 결합하는 링크에 결합되고, 상호 교차하여 팬터그래프 원리로 디테칭암을 작동시키는 장치 구동부와, 상기 장치 구동부의 디테칭암을 구성하는 상부 및 하부지지대에 회전가능하도록 설치되어 프로브를 고정하는 디테칭날로 이루어지는 프로브 디테칭부와, 상기 프로브 디테칭부의 디테칭날의 외측에 결합하는 연결링크를 체결하는 연결대의 중앙부에 고정되면서 상기 디테칭암을 관통하여 스프링에 의해서 유동가능하도록 고정되는 작동로드와, 상기 디테칭암의 내측에 설치되고 상기 디테칭날에 근접하여 설치되는 스크레퍼로 이루어지는 칩 제거부로 구성되는 것을 특징으로 하는 디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치를 제공하게 된다.

이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명은 상세하게 설명한다.

도 4는 본 발명에 따른 디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치를 나타내는 평면도이며, 도 5a는 본 발명에 따른 디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치를 구성하는 일측 디테칭부를 도시하는 측면도이고, 도 5b는 본 발명에 따른 디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치를 구성하는 타측 디테칭부를 도시하는 측면도이다.

도 4 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 장치 구동부(50)는 고정프레임(7) 타측상부의 가이드(8)에 실린더(23) 일측을 고정시키고 타측은 제2로드(11) 일측을 연결하고, 이의 타측에 링크(12a,12b) 타측에 디테칭암(37a,37b) 일측을 제2연결핀(13a,13b)으로 연결하고 디테칭암(37a,37b) 중간부에는 제1연결핀(14)으로 결합하여 고정되어진다.

또한, 프로브 디테칭부(60)는 상기한 판형태의 디테칭암(37a) 타측의 내면으로 "ㄷ"형태의 상부지지대(39a,39b)와 하부지지대(39e,39f)사이에 각각 침적프로브(5)를 압착시키기 위해 날이 형성된 원통형의 회전이 가능한 디테칭날(39a,39b)이 삽입되며 회전축(36a,36b)이 각각 끼워진다. 상기 디테칭날(39a,39b) 상면의 상부지지대(39a,39b) 외측에 유동축(28a,28b)을 고정시키고 유동축(28a,28b)에 연결링크(38a,38b)의 일측을 연결하고 연결링크(38a,38b) 타측은 중간부에 작동로드(31a) 일측이 고정된 작동로드(31a) 연결대(30a) 양측선단부에 연결링크(38a,38b) 타측이 체결핀(33a,33b)으로 결합되어진다.

상기 작동로드(31a)는 판형태의 디테칭암(37a) 중간 상측의 곡면부에 형성된 관통홀(40a)에 삽입되어져 디테칭암(37a) 타측의 외측에 원형 스토퍼(32a)가 고정 되며 내측에는 압축스프링(34a)을 삽입시킨 후 원형 스토퍼(32b)를 고정시키며 작동로드(31a)의 타측은 침적프로브(5)에 접촉이 용이하도록 오목형태의 프로브 접촉부를 형성시킨다. 그리고 디테칭암(37a) 내측에 디테칭날(29a,29b)과 작동로드(31a) 사이에 각각 타측이 디테칭날(29a,29b)과 같은 형태의 요철이 형성되어진 스크레퍼(35a,35b)의 일측이 용접고정된다.

또한, 칩 제거부(70)는 판형태의 디테칭암(37b) 타측의 내면으로 "ㄷ" 형태의 상부지지대(39c,39d)와 하부지지대(39g,39h) 사이에 각각 침적프로브(5)를 압착시키기 위해 날이 형성된 원통형의 회전이 가능한 디테칭날(29c,29d)이 삽입되며 회전축(36c,36d)이 각각 끼워진다. 상기 디테칭날(29c,29d) 상면에 상부 지지대(39c,39d) 외측에 유동축(28c,28d)을 고정시키고 유동축(28c,28d)에 연결링크(38c,38d)의 일측을 연결하고 연결링크(38c,38d) 타측은 중간부에 작동로드(31b) 일측이 고정된 작동로드(31b) 연결대(30b) 양측 선단부에 연결링크(38c,38d) 타측이 체결핀(33c,33d)으로 결합되어진다.

상기 작동로드(31b)는 판형태의 디테칭암(37b) 중간상측의 곡면부에 형성된 관통홀(40b)에 삽입되어져 디테칭암(37b) 타측의 외측에 원형스토퍼(32d)가 고정되며 내측에는 압축스프링(34b)을 삽입시킨 후 원형스토퍼(32c)를 고정시키며 작동로드(31b)의 타측은 침적프로브(5)에 접촉이 용이하도록 오목형태의 프로브 접촉부를 형성시킨다.

그리고, 상기 디테칭암(31b) 사이에 각각 타측이 디테칭날(29c,29d)과 같은 형태의 요철이 형성되어진 스크레퍼(35c,35d)의 일측이 용접고정된다.

상기와 같이 구성된 본 발명은 도 1 및 도 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 서브랜스(1) 선단부 홀더(2)에 장착된 프로브(5)가 정련로(4)내 용강(3)에 침적된 후 서브랜스(1)가 인출위치(대가위치)로 상승하면 제1구동실린더(6)의 작동력에 의해 제1로드(10)가 결합된 가이드(8)가 전진하게되며 침적프로브(5) 후단부의 좌우측 외주면 중앙과 작동로드(31a,32b)의 타측 프로브 접촉부 중앙부분이 일직선상에 위치하게된다.

상기 제2구동실린더(9)의 작동으로 제2로드(11)가 후진하면 디테칭암(37a,37b)의 중간부는 제1연결핀(14)으로 고정되어 있으므로 링크(12a,12b)의 타측에 연결된 디테칭암(37a,37b) 일측을 담기게 되어 디테칭암(37a,37b) 타측이 침적프로브(5)가 위치란 내측으로 각각 작동하게 된다.

따라서 상기 작동로드(31a,31b)의 타측 접촉부가 침적 프로브(5)에 최초로 닿게 되면서 타측 디테칭암(37a,37b)내측과 스토퍼(32b,32c) 사이의 작동로드(31a,31b)에 끼워진 압축 스프링(34b,32c)이 수축되기 시작하면, 디테칭암(37a,37b) 중간상부의 관통홀(40a,40b)에 삽입된 작동로드(31a,31b)는 각각 외측으로 작동하게되어 작동로드(31a,31b)의 일측이 용접결합된 연결대(30a,30b)가 외측으로 밀려나면서 연결대(30a,30b) 양측에 연결된 연결링크(38a,38b,38c,38d)의 타측을 당기게 됨으로써 디테칭날(29a,29b,29c,29d) 일측과 결합된 유동축(28a,28b,28c,28d)을 당겨서 동시에 4개의 디테칭날(29a,29b,29c,29d)이 위치점(A)에서 위치점(B)으로 회전하면서 침적 프로브(5)의 외주면을 4곳인 위치점(B)에서 완전 압착하게 된다.

상기와 같이 완전 압착하게되면 서브랜스(1)가 상한위치까지 상승하면 침적프로브(5) 후단부는 완전히 홀더(2)로부터 인출되어진다. 그리고 4개의 디테칭날(29a,29b,29c,29d)과 작동로드(31a,31b)의 타측 프로브 접촉부에 의해 후단부가 압착되어져 홀더(2)로부터 인출되어진 침적프로브(5)는 제1구동실린더(6)의 작동으로 가이드(8)가 후진하면 프로브(5) 회수슈트(도시하지 않음)의 중심부에 위치하게 되는데, 상기의 가이드(8)가 프로브(5) 인출위치에서 회수위치로 이동시 4곳 위치점(B)의 디테칭날(29a,29b)과 작동로드(31a,31b)의 프로브 접촉부가 프로브(5)를 잡고 있으므로 선단부 흔들림을 방지하게 되어 프로브(5) 회수에 따른 디테칭암(37a,37b)이 개방될 때, 정확하게 프로브(5)가 회수슈트 내로 낙하하게 되어 진다.

상기와 같이 침적 프로브(5) 회수위치로 가이드(8)가 이동 완료되면 실린더(23)의 작동에 의해 로드(24)의 전진으로 디테칭암(37a,37b) 타측이 중간부에 고정되어진 제1연결핀(14)을 작용 기준점으로 하여 벌어지게 되면서 동시에 작동로드(31a,31b)에 끼워져 압축되어진 스프링(34a,34b)이 판형태의 디테칭암(37a,37b) 타측내면에서 작동로드(31a,31b) 스토퍼(32b,32c)측으로 원상복귀 됨으로써 작동로드(31a,31b)가 디테칭암(37a,37b) 내측으로 작동하게 되어 작동로드(31a,31b) 일측에 결합된 연결대(30a,30b)의 양측에 연결된 연결링크(38a,38b)를 밀게되고 이로 인해 디테칭날(29a∼29d)이 위치점(B)에서 위치점(A)으로 이동되는데, 도 5에 도시된 바와 같이, 침적프로브(5) 인출시 디테칭날(29a∼29b)에 침적프로브(5) 압착으로 위치점(B)에 고착된 프로브 칩(41)이 디테칭날 (29a∼29d)의 위치점(A)으로 회전하면서 스크레퍼(35a,35d) 타측의 갈퀴에 긁히어 프로브칩이(41) 완전제거 되어져 다음의 침적프로브(5) 인출시 디테칭날(29a∼29d)에 고착된 침적프로브(5)의 칩(41)이 없으므로 침적프로브(5) 압착시 마찰력 감소방지로 외주면에 미끄러지는 현상을 방지하게 된다.

상술한 바와 같이, 본 발명에 의하면 프로브칩을 제거하는 할 때 프로브 칩 제거가 역학적으로 매우 용이하기 때문에 작업자 부하감소와 설비 효율화로 용강성분 분석지연을 방지함으로써 생산성 향상과 유가금속 신화량 발생감소로 품질향상과 원가절감을 할 수 있는 효과가 있다.

Claims

서브랜스(1) 일측의 고정프레임(7) 상에 이동가능하도록 설치된 제2구동실린더(9)의 제2로드(11)와 핀결합(13c)하는 링크(12a,12b)와, 이의 단부와 결합하고 상호 교차하여 팬터그래프 원리로 작동하는 디테칭암(37a,37b)으로 이루어지는 장치 구동부(50)와;

상기 장치 구동부(50)의 디테칭암(37a,37b)을 구성하는 상부지지대(39a,39b,39c,39d) 및 하부지지대(39e,39f,39g,38h)와, 이에 회전가능하도록 설치되는 디테칭날(29a,29b,29c,29d)로 이루어지는 프로브 디테칭부(60)와;

상기 프로브 디테칭부(60)의 회전형 디테칭날(29a,29b,29c,29d)의 외측에 축결합(28a,28b,28c,28d)하는 연결링크(38a,38b 및 38c,38d)를 체결하는 연결대(30a,30b)와, 이의 중앙부에 고정되고 상기 디테칭암(37a,37b)을 관통하여 스프링(34a,34b)에 의해서 유동가능하도록 고정되는 작동로드(31a,31b)와, 상기 디테칭암(37a,37b)의 내측에 설치되고 상기 디테칭날(29a,29b,29c,29d)에 근접하여 설치되는 스크레퍼(35a,35b,35c,35d)로 이루어지는 칩 제거부(70)로 구성되는 것을 특징으로 하는 디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치.
제1항에 있어서,

상기 프로브 디테칭부(60)를 구성하는 디테칭날(29a,29b,29c,29d)은 다수개 의 프로브(5) 접촉날이 형성된 원주형상으로 이루어져 회전가능하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치.
제1항에 있어서,

상기 칩 제거부(70)를 구성하는 스크레퍼(35a,35b,35c,35d)는 상기 디테칭날(29a,29b,29c,29d)에 근접하여 이에 부착된 프로브칩(41)을 제거하도록 갈퀴형으로 형성되는 것을 특징으로 하는 디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치.
제1항에 있어서,

상기 칩 제거부(70)를 구성하는 작동로드(31a,31b)는 판형태로 로드이면서 프로브(5)와 접촉하는 면이 오목하게 형성되는 것을 특징으로 하는 디테칭부의 프로브칩 제거기능을 구비하는 서브랜스 프로브 인출장치.